JP2543244Y2 - 光学式ピックアップ装置 - Google Patents
光学式ピックアップ装置Info
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- JP2543244Y2 JP2543244Y2 JP3709191U JP3709191U JP2543244Y2 JP 2543244 Y2 JP2543244 Y2 JP 2543244Y2 JP 3709191 U JP3709191 U JP 3709191U JP 3709191 U JP3709191 U JP 3709191U JP 2543244 Y2 JP2543244 Y2 JP 2543244Y2
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- substrate
- oscillation circuit
- frequency oscillation
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は半導体レーザから出射し
たレーザ光をディスクなどの情報記録媒体に照射して、
情報を再生する光学式ピックアップ装置に関する。
たレーザ光をディスクなどの情報記録媒体に照射して、
情報を再生する光学式ピックアップ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光学式ピックアップ装置においては、半
導体レーザのノイズを低減するため高周波発振回路が併
用されている。この高周波発振回路は特公昭５９−９０
８６号公報に記載されるように、半導体レーザに印加さ
れる直流電流に高周波電流を重畳してノイズを低減する
ものである。従って、光学式ピックアップ装置において
は、半導体レーザと高周波発振回路とを電気的に接続す
る必要がある。特開昭６０−３５３４４号公報は、この
ような光学式ピックアップ装置の従来構造が記載されて
いる。この装置においては、高周波発振回路が形成され
た基板上に半導体レーザを実装して、半導体レーザから
のレーザ光を基板と直交する垂直方向に出射している。
また、基板にスルーホールを形成し、このスルーホール
に半導体レーザの端子を挿通させ、その挿通端と高周波
発振回路とを半田により接続する構造となっている。
導体レーザのノイズを低減するため高周波発振回路が併
用されている。この高周波発振回路は特公昭５９−９０
８６号公報に記載されるように、半導体レーザに印加さ
れる直流電流に高周波電流を重畳してノイズを低減する
ものである。従って、光学式ピックアップ装置において
は、半導体レーザと高周波発振回路とを電気的に接続す
る必要がある。特開昭６０−３５３４４号公報は、この
ような光学式ピックアップ装置の従来構造が記載されて
いる。この装置においては、高周波発振回路が形成され
た基板上に半導体レーザを実装して、半導体レーザから
のレーザ光を基板と直交する垂直方向に出射している。
また、基板にスルーホールを形成し、このスルーホール
に半導体レーザの端子を挿通させ、その挿通端と高周波
発振回路とを半田により接続する構造となっている。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】ところで光ディスクな
どの情報記録媒体の情報を再生するディスク装置などに
おいては、薄型化が望まれており、このような光ディス
ク装置に組み込まれる光学式ピックアップ装置も薄型化
が要求されている。しかしながら従来構造では高周波発
振回路の基板の面が半導体レーザの出射光軸と直交して
いるため、薄型化に限界があった。また、半導体レーザ
の端子が基板のスルーホールを介して高周波発振回路の
端子に半田付けされているため、半導体レーザと高周波
発振回路とのインピーダンスマッチングの必要上から高
周波発振回路を取り外す際に、スルーホール部分に熱を
加えて、半田を吸い取る必要があり、この半田の吸い取
り時に半導体レーザに過大な熱的ストレスを与え、半導
体レーザの損傷の原因となっていた。
どの情報記録媒体の情報を再生するディスク装置などに
おいては、薄型化が望まれており、このような光ディス
ク装置に組み込まれる光学式ピックアップ装置も薄型化
が要求されている。しかしながら従来構造では高周波発
振回路の基板の面が半導体レーザの出射光軸と直交して
いるため、薄型化に限界があった。また、半導体レーザ
の端子が基板のスルーホールを介して高周波発振回路の
端子に半田付けされているため、半導体レーザと高周波
発振回路とのインピーダンスマッチングの必要上から高
周波発振回路を取り外す際に、スルーホール部分に熱を
加えて、半田を吸い取る必要があり、この半田の吸い取
り時に半導体レーザに過大な熱的ストレスを与え、半導
体レーザの損傷の原因となっていた。
【０００４】本考案は上記事情を考慮してなされたもの
であり、薄型化が可能で、しかも半田吸い取り時におけ
る半導体レーザへの熱的ダメージを少なくすることがで
きる光学式ピックアップ装置を提供することを目的とす
る。
であり、薄型化が可能で、しかも半田吸い取り時におけ
る半導体レーザへの熱的ダメージを少なくすることがで
きる光学式ピックアップ装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本考案の光学式ピックア
ップ装置は、情報記録媒体に照射されるレーザ光を出射
する半導体レーザと、この半導体アレーザのノイズを低
減させるための高周波発振回路を有した基板と、前記半
導体レーザから出射したレーザ光の光軸の向きを変える
ミラーとを備え、前記高周波発振回路を有した基板が半
導体レーザの出射光軸と略平行な方向に配置されている
ことを特徴とするものである。
ップ装置は、情報記録媒体に照射されるレーザ光を出射
する半導体レーザと、この半導体アレーザのノイズを低
減させるための高周波発振回路を有した基板と、前記半
導体レーザから出射したレーザ光の光軸の向きを変える
ミラーとを備え、前記高周波発振回路を有した基板が半
導体レーザの出射光軸と略平行な方向に配置されている
ことを特徴とするものである。
【０００６】また、上記構成においては、前記半導体レ
ーザの端子が前記基板の表面に接続されてもよい。
ーザの端子が前記基板の表面に接続されてもよい。
【０００７】
【作用】上記構成では、高周波発振回路を有する基板が
半導体レーザの光軸と略平行となるため、光軸方向の高
さが減じて、全体を薄型化することができる。
半導体レーザの光軸と略平行となるため、光軸方向の高
さが減じて、全体を薄型化することができる。
【０００８】また、半導体レーザの端子を基板の表面に
接続する構成により半導体レーザと高周波発振回路との
分離が容易で、分離時における半導体レーザへの熱的ス
トレスが減少する。
接続する構成により半導体レーザと高周波発振回路との
分離が容易で、分離時における半導体レーザへの熱的ス
トレスが減少する。
【０００９】
【実施例１】図１ないし図３は本考案の実施例１を示
し、レーザ光を出射する半導体レーザ１と、半導体レー
ザ１の端子１１が接続される高周波発振回路装置２とを
備えている。半導体レーザ１はレーザ光Ｌの出射面が水
平方向となっており、レーザ光Ｌの光軸は水平軸と一致
している。高周波発振回路装置２は半導体レーザ１のノ
イズを低減させる高周波発振回路が配設された基板２１
と、この基板２１がセットされるケース２２と、ケース
２２に被せられるカバー２３とを備えている（図３参
照）。このように基板２１をケース２２およびカバー２
３内に収納する構造により、不要な電磁波の輻射を防止
することができる。また、基板２１には半導体レーザ１
の端子１１と半田付けされる高周波発振回路の端子２４
がパターン形成されている。
し、レーザ光を出射する半導体レーザ１と、半導体レー
ザ１の端子１１が接続される高周波発振回路装置２とを
備えている。半導体レーザ１はレーザ光Ｌの出射面が水
平方向となっており、レーザ光Ｌの光軸は水平軸と一致
している。高周波発振回路装置２は半導体レーザ１のノ
イズを低減させる高周波発振回路が配設された基板２１
と、この基板２１がセットされるケース２２と、ケース
２２に被せられるカバー２３とを備えている（図３参
照）。このように基板２１をケース２２およびカバー２
３内に収納する構造により、不要な電磁波の輻射を防止
することができる。また、基板２１には半導体レーザ１
の端子１１と半田付けされる高周波発振回路の端子２４
がパターン形成されている。
【００１０】以上のような半導体レーザ１および高周波
発振回路装置２は半導体レーザ１の端子１１をケース２
２内に挿入して、基板２１の端子２４と半田付けするこ
とにより一体化される。そして、図３に示すように、半
導体レーザ１をプレートブラケット６内に挿入し、高周
波発振回路装置２のケース２２をビス７によってプレー
トブラケット６に螺合させ、プレートブラケット６に先
端の枠体３をハウジング１４に挿入してビス４を締め付
けることにより、光学式ピックアップ装置が組み立てら
れる。ハウジング１４内の光路上にはプリズム８と、レ
ーザ光Ｌを垂直上方に反射して光軸方向を変えるミラー
９と、ミラー９からのレーザ光Ｌを情報記録媒体１３に
照射する対物レンズ１０とが配設されている（図１およ
び図２参照）。この場合、対物レンズ１０は支持機構
（図示省略）に支持されると共に、フォーカス制御手段
およびトラッキング制御手段（いずれも図示省略）によ
って、情報記録媒体１３の動きに追従するようになって
いる。また、ハウジング１４の側面には、情報記録媒体
１３の反射光が入射する光検出器１２が取り付けられて
いる。
発振回路装置２は半導体レーザ１の端子１１をケース２
２内に挿入して、基板２１の端子２４と半田付けするこ
とにより一体化される。そして、図３に示すように、半
導体レーザ１をプレートブラケット６内に挿入し、高周
波発振回路装置２のケース２２をビス７によってプレー
トブラケット６に螺合させ、プレートブラケット６に先
端の枠体３をハウジング１４に挿入してビス４を締め付
けることにより、光学式ピックアップ装置が組み立てら
れる。ハウジング１４内の光路上にはプリズム８と、レ
ーザ光Ｌを垂直上方に反射して光軸方向を変えるミラー
９と、ミラー９からのレーザ光Ｌを情報記録媒体１３に
照射する対物レンズ１０とが配設されている（図１およ
び図２参照）。この場合、対物レンズ１０は支持機構
（図示省略）に支持されると共に、フォーカス制御手段
およびトラッキング制御手段（いずれも図示省略）によ
って、情報記録媒体１３の動きに追従するようになって
いる。また、ハウジング１４の側面には、情報記録媒体
１３の反射光が入射する光検出器１２が取り付けられて
いる。
【００１１】このような構成では基板２１の高周波発振
回路によりノイズが低減したレーザ光Ｌがプリズム８，
ミラー９および対物レンズ１０を介して、情報記録媒体
１３に照射され、その反射光が光検出器１２に入射する
ことにより情報の読取りを行うことができる。このよう
な構造では、高周波発振回路を有する基板２１が半導体
レーザ１の光軸方向と平行方向に配設されるため、光軸
方向の高さが減じて、全体を薄型化することができる。
また、半導体レーザ１の端子１１が基板２１表面の端子
２４と半田付けされ、基板２１のスルーホールを貫通す
ることがない。従って、高周波発振回路の交換は、基板
２１の表面上の半田を吸い取って、半導体レーザ１と分
離すれば良く、半田の吸い取りが容易で、そのための熱
量も少なく、半導体レーザ１に対しての熱的ストレスも
減少する。
回路によりノイズが低減したレーザ光Ｌがプリズム８，
ミラー９および対物レンズ１０を介して、情報記録媒体
１３に照射され、その反射光が光検出器１２に入射する
ことにより情報の読取りを行うことができる。このよう
な構造では、高周波発振回路を有する基板２１が半導体
レーザ１の光軸方向と平行方向に配設されるため、光軸
方向の高さが減じて、全体を薄型化することができる。
また、半導体レーザ１の端子１１が基板２１表面の端子
２４と半田付けされ、基板２１のスルーホールを貫通す
ることがない。従って、高周波発振回路の交換は、基板
２１の表面上の半田を吸い取って、半導体レーザ１と分
離すれば良く、半田の吸い取りが容易で、そのための熱
量も少なく、半導体レーザ１に対しての熱的ストレスも
減少する。
【００１２】
【実施例２】図４ないし図１１は本考案の実施例２にお
ける各例を示し、実施例１と同一の要素は同一の符合で
対応させてある。図４および図５に示す第１例は、半導
体レーザ１の複数の端子の内、アース電位となる端子１
５を高周波発振回路装置２のケースに直接半田付けした
ものであり、これにより基板２１に半田付けされる半導
体レーザ１の端子の数が減じるため、基板２１の表面に
パターン形成される端子２４を幅広とすることができ
る。
ける各例を示し、実施例１と同一の要素は同一の符合で
対応させてある。図４および図５に示す第１例は、半導
体レーザ１の複数の端子の内、アース電位となる端子１
５を高周波発振回路装置２のケースに直接半田付けした
ものであり、これにより基板２１に半田付けされる半導
体レーザ１の端子の数が減じるため、基板２１の表面に
パターン形成される端子２４を幅広とすることができ
る。
【００１３】図６に示す第２例は半導体レーザ１の端子
１１を高周波発振回路の基板２１の両面に半田付けした
ものであり、図７に示す第３例は半導体レーザ１の端子
１１をそれぞれ異なる方向に折曲したものであり、いず
れも基板２１の端子２４を幅広とすることができる。
１１を高周波発振回路の基板２１の両面に半田付けした
ものであり、図７に示す第３例は半導体レーザ１の端子
１１をそれぞれ異なる方向に折曲したものであり、いず
れも基板２１の端子２４を幅広とすることができる。
【００１４】図８および図９に示す第４例は半導体レー
ザ１の端子１１の長さを変化させて、基板２１の端子２
４との接続位置が異なるようにしている。また、半導体
レーザ１の端子１１に対応する部分に穴２６を開口して
いる。穴２６はピンセット等を挿入して半導体レーザ１
の端子１１を引張ることにより、端子１１を取り易くす
るものである。
ザ１の端子１１の長さを変化させて、基板２１の端子２
４との接続位置が異なるようにしている。また、半導体
レーザ１の端子１１に対応する部分に穴２６を開口して
いる。穴２６はピンセット等を挿入して半導体レーザ１
の端子１１を引張ることにより、端子１１を取り易くす
るものである。
【００１５】図１０に示す第５実施例は基板２１にスル
ーホールを形成し、このスルーホールに折曲状態の半導
体レーザ１の端子１１を挿入して、半田付けしたもので
あり、この場合でも薄型化が可能である。
ーホールを形成し、このスルーホールに折曲状態の半導
体レーザ１の端子１１を挿入して、半田付けしたもので
あり、この場合でも薄型化が可能である。
【００１６】図１１に示す第６例は半導体レーザ１の取
り付け角度に合わせて、高周波発振装置２全体を回転し
て取り付けたものであり、この場合も薄型化が可能であ
る。
り付け角度に合わせて、高周波発振装置２全体を回転し
て取り付けたものであり、この場合も薄型化が可能であ
る。
【００１７】なお、上記各例において、半導体レーザ１
の端子１１と基板２１との接続を半田付けで行っている
が機械的圧着で接続しても良い。
の端子１１と基板２１との接続を半田付けで行っている
が機械的圧着で接続しても良い。
【００１８】
【考案の効果】本考案は半導体レーザのノイズを低減さ
せる高周波発振回路の基板を半導体レーザの出射光軸と
略平行な方向に配置したため、薄型化が可能となる。ま
た、半導体レーザの端子を基板の表面に接続するため、
半導体レーザと高周波発振回路との分離が容易で、半導
体レーザに作用する熱的ストレスを少なくすることがで
きる。
せる高周波発振回路の基板を半導体レーザの出射光軸と
略平行な方向に配置したため、薄型化が可能となる。ま
た、半導体レーザの端子を基板の表面に接続するため、
半導体レーザと高周波発振回路との分離が容易で、半導
体レーザに作用する熱的ストレスを少なくすることがで
きる。
【図１】本考案の実施例１の側面図。
【図２】本考案の実施例１の平面図。
【図３】本考案の実施例１の部分分解斜視図。
【図４】本考案の実施例２の第１例を示す側面図。
【図５】本考案の実施例２の第１例を示す平面図。
【図６】本考案の実施例２の第２例を示す側面図。
【図７】本考案の実施例２の第３例を示す平面図。
【図８】本考案の実施例２の第４例を示す平面図。
【図９】本考案の実施例２の第４例を示す側面図。
【図１０】本考案の実施例２の第５例を示す側面図。
【図１１】本考案の実施例２の第６例を示す側面図。
１ 半導体レーザ ２ 高周波発振回路装置 ９ ミラー １３ 情報記録媒体 Ｌ レーザ光
Claims (2)
- 【請求項１】 情報記録媒体に照射されるレーザ光を出
射する半導体レーザと、この半導体レーザのノイズを低
減させるための高周波発振回路を有した基板と、前記半
導体レーザから出射したレーザ光の光軸の向きを変える
ミラーとを備え、前記高周波発振回路を有した基板が半
導体レーザの出射光軸と略平行な方向に配置されている
ことを特徴とする光学式ピックアツプ装置。 - 【請求項２】 前記半導体レーザの端子が前記基板の表
面に接続されていることを特徴とする請求項１記載の光
学式ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3709191U JP2543244Y2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 光学式ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3709191U JP2543244Y2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 光学式ピックアップ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04126324U JPH04126324U (ja) | 1992-11-18 |
| JP2543244Y2 true JP2543244Y2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=31918930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3709191U Expired - Lifetime JP2543244Y2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 光学式ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2543244Y2 (ja) |
-
1991
- 1991-04-22 JP JP3709191U patent/JP2543244Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04126324U (ja) | 1992-11-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970218 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |