JP3177380B2 - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ピックアップ装置に
係り、特に半導体レーザ素子から発射されるレーザ光の
光路上に設けられるミラー面を容易に、かつ、高精度に
形成でき、しかも、半導体レーザ素子とミラー面との位
置関係を容易に、かつ、高精度に調整できるようにした
光ピックアップ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光ピックアップ装置の小型化、軽
量化及び低価格化を図るために、ホログラム素子を用い
た光ピックアップ装置が提案されており、特に半導体レ
ーザ素子（以下、ＬＤという。）と、受光素子（以下、
ＰＤという。）と、ＬＤが出射するレーザ光を水平方向
から垂直方向に反射する光学素子とを１つのパッケージ
に集積した光ピックアップ装置の提案が注目されてい
る。

【０００３】例えば図１９に示すように、ＰＤ１０１を
形成したシリコン基板１０２上に四角錐台状のエッチン
グ領域１０３を形成し、その底面にＬＤ１０４を固定
し、ＬＤ１０４から基板面に平行な方向に出射したレー
ザ光をエッチング領域１０３の斜面１０５で反射させて
基板面に垂直な方向に取り出すようにした光ピックアッ
プ装置（以下、従来例１という。）が提案されている。
なお、この従来例１においては、エッチング領域１０３
の上方に、下面に３分割回折格子１０６を有し、上面に
ホログラフ面１０７を有するプラスチックス製の光学素
子１０８が配置されている。

【０００４】又、例えば図２０に示すように、ＰＤ２０
１を形成したシリコン基板２０２の上平面２０３にＬＤ
２０４とミラー面２０５とを固定し、ＬＤ２０４から前
記上平面２０３に平行な方向に出射したレーザ光をミラ
ー面２０５で反射させて前記上平面２０３に垂直な方向
に取り出し、ホログラム素子２０６に入射させる光ピッ
クアップ装置（以下、従来例２という。）も提案されて
いる。

【０００５】更に、例えば図２１に示すように、ＰＤ３
０１を形成したシリコン基板３０２の上平面３０３にＬ
Ｄ３０４を固定し、前記上平面３０３に連続して形成さ
れる傾斜面に反射型回折格子３０５を設けて、ＬＤ３０
４から前記上平面３０３に平行な方向に出射したレーザ
光を反射型回折格子３０５で反射させると共に３本のビ
ームに分けて前記上平面３０３に垂直な方向に取り出
し、ホログラム素子３０６に入射させる光ピックアップ
装置（以下、従来例３という。）も提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来例１の場合に
は、斜面１０５を高精度に形成することが困難であり、
又、シリコン基板１０２の上平面から一段低くなったエ
ッチング領域１０３の底面に配置されたＬＤ１０４のボ
ンディングも技術的に難しいため、歩留りが悪くなると
いう問題がある。

【０００７】上記従来例２あるいは従来例３の場合に
は、従来例１に比べて、ミラー面２０５や反射型回折格
子３０５を高精度に形成することは容易であるが、微小
な部品であるミラー面２０５や反射型回折格子３０５を
ＬＤ２０４・３０４に対して高精度に位置調整して固定
することが困難であるという問題がある。

【０００８】本発明は、上記の事情を鑑みて、ＬＤから
発射されるレーザ光の光路上に設けられるミラー面を容
易に、かつ、高精度に形成でき、しかも、ＬＤとミラー
面との位置関係を容易に、かつ、高精度に調整できるよ
うにした光ピックアップ装置を提供することを目的とす
るものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明に係る光ピックアップ装置は、基板と、
この基板の上面に固定され、該基板の上面と平行な方向
にレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記基板の
上方側に配置されるホログラム素子と、前記基板を支持
すると共に前記基板の上方側で前記ホログラム素子を支
持する支持体と、この支持体に支持され、前記半導体レ
ーザ素子のレーザ光を前記ホログラム素子に反射するミ
ラー面と、前記基板に形成され、前記ホログラム素子で
回折されたレーザ光を受光するフォトダイオードとを備
える光ピックアップ装置であって、上記支持体の前記基
板が支持される部分に、該基板が嵌まり込む凹部が形成
されることを特徴とする。 また、第２の発明に係る光ピ
ックアップ装置は、基板と、この基板の上面に固定さ
れ、該基板の上面と平行な方向にレーザ光を出射する半
導体レーザ素子と、前記基板の上方側に配置されるホロ
グラム素子と、前記基板を支持すると共に前記基板の上
方側で前記ホログラム素子を支持する支持体と、この支
持体に支持され、前記半導体レーザ素子のレーザ光を前
記ホログラム素子に反射するミラー面と、前記基板に形
成され、前記ホログラム素子で回折されたレーザ光を受
光するフォトダイオードとを備える光ピックアップ装置
であって、上記支持体の前記ホログラム素子が支持され
る部分に、該ホログラム素子が前記基板の上面と平行な
面内において前記半導体レーザ素子のレーザ光出射方向
に平行又はこれと直角な方向に摺動可能に填まり込む溝
が形成されることを特徴とする。 また、第３の発明に係
る光ピックアップ装置は、基板と、この基板の上面に固
定され、該基板の上面と平行な方向にレーザ光を出射す
る半導体レーザ素子と、前記基板の上方側に配置される
ホログラム素子と、前記基板を支持すると共に前記基板
の上方側で前記ホログラム素子を支持する支持体と、こ
の支持体に支持され、前記半導体レーザ素子のレーザ光
を前記ホログラム素子に反射するミラー面と、前記基板
に形成され、前記ホログラム素子で回折されたレーザ光
を受光するフォトダイオードとを備える光ピックアップ
装置であって、上記ミラー面が前記支持体に形成される
ことを特徴とする。 また、第４の発明に係る光ピックア
ップ装置は、基板と、この基板の上面に固定され、該基
板の上面と平行な方向にレーザ光を出射する半導体レー
ザ素子と、前記基板の上方側に配置されるホログラム素
子と、前記基板を支持すると共に前記基板の上方側で前
記ホログラム素子を支持する支持体と、この支持体に支
持され、前記半導体レーザ素子のレーザ光を前記ホログ
ラム素子に反射するミラー面と、前記基板に形成され、
前記ホログラム素子で回折されたレーザ光を受光するフ
ォトダイオードとを備える光ピックアップ装置であっ
て、上記半導体レーザ素子から上記ミラー面と反対方向
に出射されたレーザ光を前記基板側に向けて反射するモ
ニターミラー面を設け、前記基板に前記モニターミラー
面で反射された光を受光するモニター受光素子を配置し
たことを特徴とする。

【００１０】

【作用】本発明において、上記支持体の材質は合成樹
脂、アルミニウム合金、コバール、銅などの金属、セラ
ミックなどの中から任意に選択することができ、ミラー
面はこの支持体の機械加工面にアルミニウム合金、金な
どの金属材料を例えば薄膜形成法によって付着させた
り、上記ミラー面を有する部材を支持体と別体に形成
し、この部材を支持体に固定したりすることにより支持
体に支持される。

【００１１】ミラー面は、基板の厚さに関係なく形成で
きるので、従来例１の斜面１０５よりも大きく形成で
き、容易に平面度及び傾斜角度の精度の高い高精度のミ
ラー面を形成することができる。

【００１２】又、ミラー面はこれを支持する大きな支持
体と共にＬＤとの位置合わせをすればよいので、小さい
ミラー面２０５をシリコン基板２０２に取り付ける従来
例２や、小さい反射型回折格子３０５をシリコン基板３
０２に取り付ける従来例３に比べて、ＬＤとミラー面と
の位置関係を容易に、かつ、高精度に調整できる。

【００１３】

【実施例】本発明の一実施例に係る光ピックアップ装置
を図面に基づいて具体的に説明すれば、以下の通りであ
る。

【００１４】図１の透視図に示すように、この光ピック
アップ装置は、一対の信号検出用ＰＤ１を形成したシリ
コン基板２と、水平方向にレーザ光を発射するするよう
にこのシリコン基板２の上平面３にヒートシンク４ａを
介して固定されたＬＤ４と、ＬＤ４の上方に配置される
ホログラム素子６と、下部に前記シリコン基板２を支持
すると共に上部にホログラム素子６を支持する支持体７
と、この支持体７に支持され、前記ＬＤ４のレーザ光を
上方に反射するミラー面５とを備えている。

【００１５】図２の平面図、図３の側面図、及び図４の
底面図に示すように、上記支持体７は、中空体、この実
施例では縦軸の角筒体からなり、その中空部の下部に上
記ミラー面５が中空部の一側面から内側に４５°の角度
でシリコン基板２の上平面３まで突出するように形成さ
れる。このミラー面５は支持体７を機械加工した後、例
えばアルミニウム合金、金などの金属を蒸着、スパッタ
リング、イオンプレーティングなどの薄膜形成法によっ
て付着させ、必要に応じて研磨することにより、支持体
７と一体に形成される。

【００１６】このように、ミラー面５はシリコン基板２
の厚さと関係なく形成されるので、従来例１の斜面１０
５よりも大きく形成することができ、その平面度及び傾
斜角度の精度を容易に高めることができる。

【００１７】図５の平面図、図６の側面図及び図７の説
明図に示すように、上記シリコン基板２は、支持体７の
平面視における輪郭よりも小さく、支持体７の中空部の
平面視における輪郭よりも大きい長方形の平板状に形成
される。上記ＬＤ４はこのシリコン基板２の上平面３の
ほぼ中央に搭載され、信号検出用ＰＤ１はこのＬＤ４の
搭載位置からレーザ光出射方向に直角なミラー直角方向
の両側対称位置に形成される。

【００１８】このように、シリコン基板２の上平面３に
ＬＤ４を搭載する場合には、シリコン基板１０２の上平
面から一段低くなったエッチング領域１０３の底面にＬ
Ｄ１０４を搭載する従来例１に比べると、ＬＤ４のボン
ディングが容易になる。

【００１９】図８に示すように支持体７の下面にはシリ
コン基板２よりも平面積が大きい凹部８が形成され、上
記ＬＤ４を実装したシリコン基板２を上記凹部８に填め
込み、支持体７の上側（図上、紙面の左上後側）から例
えば、図示しないモニターカメラで覗きながら、ミラー
面５とＬＤ４とが所定の相対位置に位置するようにシリ
コン基板２とミラー面５及び支持体７とが位置合わせさ
れる。

【００２０】ここで、ミラー面５はこれよりもはるかに
大きい支持体７と共にシリコン基板２及びＬＤ４と位置
合わせされることになるので、ミラー面５の位置合わせ
が容易に、かつ、高精度に行えるようになる。

【００２１】このミラー面５とＬＤ４との位置合わせが
終わると、シリコン基板２の裏面から接着剤あるいは封
止剤等を塗布し、この接着剤あるいは封止剤等でシリコ
ン基板２と支持体７とが固定され、又、支持体７の中空
部の下面が密封される。なお、この支持体７の中空部の
下面の密封を必要に応じて窒素ガス、アルゴンガスなど
不活性雰囲気内で行うことにより、支持体７の中空部に
窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガスを封入するこ
とができる。

【００２２】このようにシリコン基板２を支持体７の下
部に形成した凹部８内に配置する場合には、シリコン基
板２の下面を保護する基台を省略することができ、部品
点数を削減してコストダウンを図れると共に、光ピック
アップ装置の薄型化を図ることができる。

【００２３】図１ないし図３に示すように、上記支持体
７の上面にはＬＤ４のレーザ光出射方向と平行で支持体
７の中空部よりも広幅の溝９が形成され、上記ホログラ
ム素子６は、図１及び図９の斜視図に示すように、この
溝９内に摺動可能に填め込まれ、この後、ＬＤ４を作動
させてレーザ光出射方向と平行な方向の位置合わせを
し、この位置合わせが終わると例えば図１０に示すよう
に接着剤（あるいは封止剤）１０により支持体７に固定
される。これにより、支持体７の中空部の上面が密封さ
れる。

【００２４】従って、上記従来例１では光学素子１０８
の位置調整が光学素子１０８全体のレーザ光出射方向の
位置（ｘ）と、これに直交する水平方向の位置（ｙ）
と、垂直軸心回りの方向（θ）との調整が必要であり、
又、上記従来例２あるいは従来例３でミラー面２０５あ
るいは反射型回折格子３０５の上方に配置されるホログ
ラムの位置調整をレーザ光出射方向の位置（ｘ）と、こ
れに直交する水平方向の位置（ｙ）と、垂直軸心回りの
方向（θ）との調整が必要であるのに対して、この実施
例では、ホログラム素子６のレーザ光出射方向の位置
（ｘ）のみを調整すればよいので、ホログラム素子６の
位置調整が著しく簡単になる。

【００２５】図１ないし図４に示すように、上記支持体
７には、ＬＤ４に関して上記ミラー面５と反対方向にＬ
Ｄ４のレーザ光を下方に反射するモニターミラー面１１
が形成され、このモニターミラー面１１の下側のシリコ
ン基板２の上平面３の部分にモニターＰＤ１２が形成さ
れる。

【００２６】このモニターミラー面１１は、ミラー面５
と同様に支持体７を機械加工した後に例えばアルミニウ
ム合金、金などの金属を蒸着、スパッタリング、イオン
プレーティングなどの薄膜形成法によって付着させ、必
要に応じて研磨することにより、支持体７と一体に形成
される。

【００２７】このようにして、図１、図１１の平面図及
び図１２の断面図に示す光ピックアップユニットが形成
され、図１３の説明図に示すように、この光ピックアッ
プユニットのＬＤ４からミラー面５に出射されるレーザ
光はミラー面５で上向きに反射されてホログラム素子６
を透過し、対物レンズ１３によって光ディスク１４に収
束され、光ディスク１４で反射して対物レンズ１３を経
てホログラム素子６で回折されて２つの信号検出用ＰＤ
１に入射する。又、ＬＤ４からモニター用ＰＤに出射さ
れたレーザ光はモニターミラー面１１で反射され、モニ
ターＰＤ１２の上方からモニターＰＤ１２に入射する。
従って、モニターＰＤ１２にレーザ光が拡散されずに集
光し、モニターＰＤ１２の受光量が多くなり、モニター
ＰＤ１２が出力するモニタ電流を大きくすることができ
る。

【００２８】しかも、このように支持体７を筒状に形成
し、その中空部の両端がシリコン基板２とホログラム素
子６とによって密封されるようにする場合には、シリコ
ン基板２、ホログラム素子６及び支持体７によってシリ
コン基板２に形成したＰＤ１、ＬＤ４、ミラー面５、モ
ニターミラー面及びシリコン基板２に形成したモニター
ＰＤ１２を外気から遮断して性能の劣化や光学特性の低
下を防止できるので、この性能低下や光学特性の低下を
防止するために別にシリコン基板２、ＬＤ４、ミラー面
５及びモニターミラー面１１を大気から遮断するケース
を省略することができ、部品点数を削減してコストダウ
ンを図れると共に、光ピックアップ装置の小型化及びコ
ンパクト化を図ることができる。

【００２９】なお、上記シリコン基板２には、ＬＤ４を
駆動するＬＤ駆動回路及び信号処理回路が内蔵され、こ
のシリコン基板２の配線の外部への引出し方式として
は、図１４の模式図に示すように、シリコン基板２上の
電極パッドと支持体７に埋め込んだリードフレーム１５
とをハンダ１６で接着したり、図１５に示すように、支
持体７にスルーホール１７を形成し、このスルーホール
１７をシリコン基板２上の電極パッドと例えばハンダ１
８で接着すると共にこのスルーホール１７に接続される
電極１９を支持体７に支持させるようにしたり、図１６
に示すようにシリコン基板２の周縁部を支持体７の輪郭
からはみ出させ、このシリコン基板２の周縁部に形成し
た電極パッド基台２０上に形成した電極パッドとをワイ
ヤ２１でボンディングしたり、図示はしないが、支持体
７に孔をあけ、この孔を通って支持体７内に差し込んだ
ワイヤをシリコン基板２上の電極パッドにボンディング
したりすればよい。上記１４に示す方式は支持体７が樹
脂モールドにより形成される場合に適し、図１５に示す
方式は支持体７がセラミックスで形成される場合に適し
ている。

【００３０】また、上記の実施例によれば、光ピックア
ップのサーボ駆動方式としては、フォーカシングサーボ
にビームスポットサイズ方式、ダブルナイフエッジ方
式、非点収差方式、フーコ法方式などを採用でき、トラ
ッキングサーボにプッシュプル方式、３ビーム方式など
が採用することができる。そして、３ビーム方式の場合
には上記ミラー面５又はホログラム素子６の下面に回折
格子を形成することで実現できる。尚、上記の実施例に
よれば、信号検出用ＰＤ１はＬＤ４の搭載位置からレー
ザ光出射方向に直角なミラー直角方向の両側対称位置に
形成されているが、サーボ駆動方式によっては、シリコ
ン基板２上の支持体７の中空部輪郭平面内の任意の位置
に１つ設けるだけでも良い。

【００３１】図１７に示す本発明の他の実施例では、支
持体２７の中空部の互いに対向する２側面にそれぞれ縦
溝２８が形成され、支持体２７とは別体に形成された２
つの部材２７ａ・２７ｂの下部にミラー面５あるいはモ
ニターミラー面１１が形成される。そして、これら部材
２７ａ・２７ｂをそれぞれ縦溝２８に嵌め込み、例えば
接着により支持体２７に固定することによりミラー面５
とモニターミラー面１２が支持体２７に支持される。

【００３２】この場合には、ミラー面５及びモニターミ
ラー面１１を一層容易に、かつ、高精度に形成すること
ができる。

【００３３】この実施例のその他の構成、作用ないし効
果は上記の一実施例のそれらと同様であるので、重複を
避けるためこれらの説明は省略する。

【００３４】図１８に示す本発明の又他の実施例では、
支持体３０が側面から見てほぼコ字形に形成され、この
支持体３０の下辺部３１の上面にＬＤ４をヒートシンク
４ａを介して実装したシリコン基板３２が固定され、上
辺部３３の上面にホログラム素子６が固定される。又、
ミラー面５は支持体３０の下辺部３１と立辺部３４との
接続部に形成される。尚、ＬＤ４はヒートシンク４ａを
介してシリコン基板３２の辺縁部に固定されているが、
ＬＤ４をシリコン基板３２に直接固定してもよい。

【００３５】この実施例ではモニターミラー面は設けら
れず、シリコン基板３２の上平面３５あるいはヒートシ
ンク４ａの上平面の適当な位置にモニターＰＤが形成さ
れ、ＬＤ４から出射され、ミラー面５と光ディスクで反
射された光がモニターＰＤに受光されるようにしてい
る。

【００３６】又、この実施例では、シリコン基板３２の
上平面３５に形成した信号検出用ＰＤ、ＬＤ４、ミラー
面５、及びシリコン基板２に形成したモニターＰＤを外
気から遮断して性能の劣化や光学特性の低下を防止する
ために、この支持体３０、シリコン基板３２、ＬＤ４、
ミラー面５及びホログラム素子６を封入するケースが設
けられる。

【００３７】この実施例のその他の構成、作用ないし効
果は上記の各実施例のそれらと同様であるので、重複を
避けるためこれらの説明は省略する。

【００３８】尚、上記実施例においては、支持体７は、
縦軸の角筒体からなる中空体で構成したが、これに限ら
ず縦軸の円筒体からなる中空体で構成することもでき
る。

【００３９】

【発明の効果】以上に説明したように、第１の発明に係
る光ピックアップ装置は、基板と、この基板の上面に固
定され、該基板の上面と平行な方向にレーザ光を出射す
る半導体レーザ素子と、前記基板の上方側に配置される
ホログラム素子と、前記基板を支持すると共に前記基板
の上方側で前記ホログラム素子を支持する支持体と、こ
の支持体に支持され、前記半導体レーザ素子のレーザ光
を前記ホログラム素子に反射するミラー面と、前記基板
に形成され、前記ホログラム素子で回折されたレーザ光
を受光するフォトダイオードとを備える光ピックアップ
装置であって、上記支持体の前記基板が支持される部分
に、該基板が嵌まり込む凹部が形成される。 また、第２
の発明に係る光ピックアップ装置は、基板と、この基板
の上面に固定され、該基板の上面と平行な方向にレーザ
光を出射する半導体レーザ素子と、前記基板の上方側に
配置されるホログラム素子と、前記基板を支持すると共
に前記基板の上方側で前記ホログラム素子を支持する支
持体と、この支持体に支持され、前記半導体レーザ素子
のレーザ光を前記ホログラム素子に反射するミラー面
と、前記基板に形成され、前記ホログラム素子で回折さ
れたレーザ光を受光するフォトダイオードとを備える光
ピックアップ装置であって、上記支持体の前記ホログラ
ム素子が支持される部分に、該ホログラム素子が前記基
板の上面と平行な面内において前記半導体レーザ素子の
レーザ光出射方向に平行又はこれと直角な方向に摺動可
能に填まり込む溝が形成される。 また、第３の発明に係
る光ピックアップ装置は、基板と、この基板の上面に固
定され、該基板の上面と平行な方向にレーザ光を出射す
る半導体レーザ素子と、前記基板の上方側に配置される
ホログラム素子と、前記基板を支持すると共に前記基板
の上方側で前記ホログラム素子を支持する支持体と、こ
の支持体に支持され、前記半導体レーザ素子のレーザ光
を前記ホログラム素子に反射するミラー面と、前記基板
に形成され、前記ホログラム素子で回折されたレーザ光
を受光するフォトダイオードとを備える光ピックアップ
装置であって、上記ミラー面が前記支持体に形成され
る。 また、第４の発明に係る光ピックアップ装置は、基
板と、この基板の上面に固定され、該基板の上面と平行
な方向にレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記
基板の上方側に配置されるホログラム素子と、前記基板
を支持すると共に前記基板の上方側で前記ホログラム素
子を支持する支持体と、この支持体に支持され、前記半
導体レーザ素子のレーザ光を前記ホログラム素子に反射
するミラー面と、前記基板に形成され、前記ホログラム
素子で回折されたレーザ光を受光するフォトダイオード
とを備える光ピックアップ装置であって、上記半導体レ
ーザ素子から上記ミラー面と反対方向に出射されたレー
ザ光を前記基板側に向けて反射するモニターミラー面を
設け、前記基板に前記モニターミラー面で反射された光
を受光するモニター受光素子を配置した。

【００４０】したがって、この第１、第２、第３、第４
の発明に係る光ピックアップ装置では、ミラー面は、基
板の厚さに関係なく形成できるので、基板に設けた斜面
からなるミラー面よりも大きく形成でき、容易に平面度
及び傾斜角度の精度の高い高精度のミラー面を形成する
ことができる。

【００４１】又、ミラー面はこれを支持する大きな支持
体と共にＬＤとの位置合わせをすればよいので、小さい
ミラー面をシリコン基板に取り付けたり、小さい反射型
回折格子をシリコン基板に取り付けたりする場合に比べ
て、ＬＤとミラー面との位置関係を容易に、かつ、高精
度に調整できる。

【００４２】本発明において、上記支持体が縦軸の筒状
体からなり、この支持体の中空部の両端がシリコン基板
とホログラム素子とによって密封される場合には、シリ
コン基板、ホログラム素子及び支持体によってシリコン
基板に形成したＰＤ、ＬＤ、ミラー面、モニターミラー
面及びモニターＰＤを外気から遮断して性能の劣化や光
学特性の低下を防止できるので、この性能低下や光学特
性の低下を防止するために別にシリコン基板、ＬＤ、ミ
ラー面、モニターミラー面及びモニターＰＤを大気から
遮断するケースを省略することができ、部品点数を削減
してコストダウンを図れると共に、光ピックアップ装置
の小型化及びコンパクト化を図ることができる。

【００４３】又、第１の発明のように、上記支持体の前
記基板が支持される部分に、基板が嵌まり込む凹部が形
成される場合には、シリコン基板の下面を保護する基台
を省略することができ、部品点数を削減してコストダウ
ンを図れると共に、光ピックアップ装置の薄型化を図る
ことができる。

【００４４】又、第２の発明のように、上記支持体の前
記ホログラム素子が支持される部分に、該ホログラム素
子が前記基板の上面と平行な面内において前記半導体レ
ーザ素子のレーザ光出射方向に平行又はこれと直角な方
向に摺動可能に填まり込む溝が形成される場合には、ホ
ログラム素子のレーザ発射方向の位置だけを調整するだ
けでホログラム素子の位置調整ができ、ホログラム素子
の位置調整を簡単にできるようになる。

【００４５】又、第３の発明のように、上記ミラー面は
前記支持体に形成してもよい。

【００４６】

【００４７】又、第４の発明のように、上記半導体レー
ザ素子から上記ミラー面と反対方向に出射されたレーザ
光を前記基板側に向けて反射するモニターミラー面を設
け、前記基板に前記モニターミラー面で反射された光を
受光するモニター受光素子を配置した場合には、ＬＤか
らモニターＰＤまでの光路長を短くでき、モニターＰＤ
１２の受光量が多くなり、モニターＰＤ１２が出力する
モニタ電流を大きくすることができる。

【００４８】又、第４の発明において、上記支持体は両
端が前記基板と前記ホログラム素子とにより密封された
筒状の中空体からなり、上記モニターミラー面がこの中
空体に支持される場合には、ＬＤに対するモニターミラ
ー面の位置合わせがＬＤに対するミラー面の位置合わせ
と同様に容易、かつ、高精度に行える。 この場合には、
上記モニターミラー面は支持体に形成しても、支持体と
は別体に形成される部材に形成し、この部材を支持体に
固定するようにしてもよいが、モニターミラー面の形成
を容易に、かつ、高精度に形成するという観点からは、
支持体とは別体の部材にモニターミラー面を形成し、こ
の部材を支持体に固定することがより好ましい。

【００４８】この場合には、上記モニターミラー面は支
持体に形成しても、支持体とは別体に形成される部材に
形成し、この部材を支持体に固定するようにしてもよい
が、モニターミラー面の形成を容易に、かつ、高精度に
形成するという観点からは、支持体とは別体の部材にモ
ニターミラー面を形成し、この部材を支持体に固定する
ことがより好ましい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の透視図である。

【図２】本発明の一実施例の支持体の平面図である。

【図３】本発明の一実施例の支持体の側面図である。

【図４】本発明の一実施例の支持体の底面図である。

【図５】本発明の一実施例のシリコン基板の平面図であ
る。

【図６】本発明の一実施例のシリコン基板の側面図であ
る。

【図７】本発明の一実施例のシリコン基板へのＬＤの実
装要領の説明図である。

【図８】本発明の一実施例のシリコン基板の支持体への
組付要領の説明図である。

【図９】本発明の一実施例のホログラム素子の支持体へ
の組付要領の説明図である。

【図１０】本発明の一実施例のホログラム素子の支持体
への固定要領の説明図である。

【図１１】本発明の一実施例の平面図である。

【図１２】本発明の一実施例の断面図である。

【図１３】本発明の一実施例の光学系の説明図である。

【図１４】本発明の一実施例の基板配線の外部への引出
し方式の模式図である。

【図１５】本発明の一実施例の基板配線の外部への他の
引出し方式の模式図である。

【図１６】本発明の一実施例の基板配線の外部への又他
の引出し方式の模式図である。

【図１７】本発明の他の実施例の支持体の分解透視図で
ある。

【図１８】本発明の又他の実施例の側面図である。

【図１９】従来例１の説明図である。

【図２０】従来例２の説明図である。

【図２１】従来例３の説明図である。

【符号の説明】

１ 信号検出用ＰＤ ２ シリコン基板 ３ 上平面 ４ ＬＤ ５ ミラー面 ６ ホログラム素子 ７ 支持体 ８ 凹部 ９ 溝 １１ モニターミラー面 １２ モニターＰＤ ２７ 支持体 ２７ａ・２７ｂ 部材 ３０ 支持体 ３２ シリコン基板 ３５ 上平面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 隆夫 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三洋電機株式会社内 (72)発明者 新名 達彦 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−129711（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−298721（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−225592（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−318339（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−72497（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−60931（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−36108（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−155976（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/12 - 7/22

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、この基板の上面に固定され、該
   基板の上面と平行な方向にレーザ光を出射する半導体レ
   ーザ素子と、前記基板の上方側に配置されるホログラム
   素子と、前記基板を支持すると共に前記基板の上方側で
   前記ホログラム素子を支持する支持体と、この支持体に
   支持され、前記半導体レーザ素子のレーザ光を前記ホロ
   グラム素子に反射するミラー面と、前記基板に形成さ
   れ、前記ホログラム素子で回折されたレーザ光を受光す
   るフォトダイオードとを備える光ピックアップ装置であ
   って、上記支持体の前記基板が支持される部分に、該基
   板が嵌まり込む凹部が形成されることを特徴とする光ピ
   ックアップ装置。
2. 【請求項２】 基板と、この基板の上面に固定され、該
   基板の上面と平行な方向にレーザ光を出射する半導体レ
   ーザ素子と、前記基板の上方側に配置されるホログラム
   素子と、前記基板を支持すると共に前記基板の上方側で
   前記ホログラム素子を支持する支持体と、この支持体に
   支持され、前記半導体レーザ素子のレーザ光を前記ホロ
   グラム素子に反射するミラー面と、前記基板に形成さ
   れ、前記ホログラム素子で回折されたレーザ光を受光す
   るフォトダイオードとを備える光ピックアップ装置であ
   って、上記支持体の前記ホログラム素子が支持される部
   分に、該ホログラム素子が前記基板の上面と平行な面内
   において前記半導体レーザ素子のレーザ光出射方向に平
   行又はこれと直角な方向に摺動可能に填まり込む溝が形
   成されることを特徴とする光ピックアップ装置。
3. 【請求項３】 基板と、この基板の上面に固定され、該
   基板の上面と平行な方向にレーザ光を出射する半導体レ
   ーザ素子と、前記基板の上方側に配置されるホログラム
   素子と、前記基板を支持すると共に前記基板の上方側で
   前記ホログラム素子を支持する支持体と、この支持体に
   支持され、前記半導体レーザ素子のレーザ光を前記ホロ
   グラム素子に反射するミラー面と、前記基板に形成さ
   れ、前記ホログラム素子で回折されたレーザ光を受光す
   るフォトダイオードとを備える光ピックアップ装置であ
   って、上記ミラー面が前記支持体に形成されることを特
   徴とする光ピックアップ装置。
4. 【請求項４】 基板と、この基板の上面に固定され、該
   基板の上面と平行な方向にレーザ光を出射する半導体レ
   ーザ素子と、前記基板の上方側に配置される ホログラム
   素子と、前記基板を支持すると共に前記基板の上方側で
   前記ホログラム素子を支持する支持体と、この支持体に
   支持され、前記半導体レーザ素子のレーザ光を前記ホロ
   グラム素子に反射するミラー面と、前記基板に形成さ
   れ、前記ホログラム素子で回折されたレーザ光を受光す
   るフォトダイオードとを備える光ピックアップ装置であ
   って、上記半導体レーザ素子から上記ミラー面と反対方
   向に出射されたレーザ光を前記基板側に向けて反射する
   モニターミラー面を設け、前記基板に前記モニターミラ
   ー面で反射された光を受光するモニター受光素子を配置
   したことを特徴とする光ピックアップ装置。
5. 【請求項５】 上記支持体は両端が前記基板と前記ホロ
   グラム素子とにより密封された筒状の中空体からなり、
   上記モニターミラー面がこの中空体に支持されることを
   特徴とする請求項４記載の光ピックアップ装置。
6. 【請求項６】 上記モニターミラー面が前記支持体に形
   成されることを特徴とする請求項５に記載の光ピックア
   ップ装置。
7. 【請求項７】 上記モニターミラー面を有する部材が支
   持体と別体に形成され、この部材が支持体に固定される
   ことを特徴とする請求項５に記載の光ピックアップ装
   置。