JP3581111B2 - 半導体素子の実装基板及び実装構造 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 128
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 109
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 7
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49822—Multilayer substrates
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/81395—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body having an external coating, e.g. protective bond-through coating
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
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- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00013—Fully indexed content
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子の実装基板及び実装構造に関し、より詳細には、電極端子が一列に配置された半導体素子を搭載する実装基板及びこの半導体素子を搭載した実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子をフリップチップ接続により搭載する実装構造として、電極端子形成面の中央に2列に電極端子を配置した半導体素子を実装した構造が知られている。図12は、この実装構造によって半導体素子10を基板20に実装する方法を示す。半導体素子10の各々の電極端子には金バンプによる突起電極12が設けられ、基板20の半導体素子搭載面に突起電極12と同一の配列で設けられた接続電極22と突起電極12とを位置合わせして半導体素子10を基板20に搭載する。接続電極22の表面にははんだが被着されており、半導体素子10をはんだが溶融する温度まで加熱し、突起電極12を接続電極22に加圧して接合する。
【0003】
図13に、半導体素子10を基板20に実装した状態の断面図を示す。基板20の半導体素子搭載面に設けられる接続電極22は、銅パターンの表面にはんだ24を被着してなる。図12に示すように、接続電極22を細長の形状に形成しているのは、突起電極12がきわめて微細な間隔で配置されるため、接続電極22を比較的長く形成することにより、供給されるはんだの量のばらつきを抑え、突起電極12がはんだ24によって確実に接合されるようにするためである。
【0004】
半導体素子10の突起電極12は2列に配列されている。基板20ではこれらの突起電極12の配置に合わせて、接続電極22が2列に配列される。これらの接続電極22は基板20の半導体素子搭載面で基板20の表面を覆うソルダーレジスト等の保護膜から露出させるようにする。実際には、図12に示すように、基板20の半導体素子搭載面で接続電極22を配置した領域については長方形状に基板20を露出させて開口部30とし、開口部30内で接続電極22を露出させるとともに、開口部30以外の部分についてはソルダーレジスト等の保護膜32によって被覆している。各々の接続電極22には配線パターン26が接続され、保護膜32はこれらの配線パターン26を被覆している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、突起電極12を備える半導体素子10をフリップチップ接続によって搭載する実装構造には、図12に示すような2列に突起電極12を配置した製品の他に、メモリーチップのように、電極端子形成面の略中央を通過して一列に突起電極が設けられた製品を搭載する実装構造がある。この場合、半導体素子には一列に突起電極が設けられているから、基板にも突起電極と合わせて一列状にに接続電極が配置されて半導体素子が搭載される。
【0006】
このように、突起電極12が一列に配置された半導体素子10を搭載する場合は、以下のような問題が生じる。
すなわち、図14は突起電極12が一列に配置されている半導体素子10を基板20に実装する際に生じる問題を示す説明図である。図14(a)は、突起電極12を備える半導体素子10と基板20とを位置合わせした状態を示す。図14(b)は、突起電極12を接続電極22に当接させて加熱及び加圧し、突起電極12の端面を接続電極22の表面に当接させた状態を示す。突起電極12が接続電極22に当接することによって、接続電極22及び基板20が部分的に凹む。図14(c)は、はんだ24が凝固する温度まで降温させ、突起電極12に作用させる加圧力を解放した状態である。
【0007】
はんだ24を凝固させ、突起電極12を押圧している加圧力を解放すると、基板20及び接続電極22の弾性によって、図14(c)に示すように、結果的に半導体素子10が基板20の表面に対して傾斜した状態で実装されるようになる。これは、突起電極12が2列に配置されている場合には、半導体素子10に作用する歪みが両側で均等化されてバランスされるのに対して、突起電極12が一列に配置されている場合には、半導体素子10に作用する応力が一方側にのみ作用するからである。
【0008】
図14(c)に示すように、基板20上で半導体素子10が傾いて実装された場合には、突起電極12と接続電極22との電気的接続の信頼性が低下したり、半導体素子10と基板20との間に充填するアンダーフィル材34が確実に充填されないためにボイドが発生したりするといった問題が生じる。半導体素子10が傾斜して実装されると、半導体素子10と基板20との間隔が、部分的にアンダーフィル材34を充填するに必要な間隔よりも狭くなるといったことが生じるからである。
【0009】
なお、基板20に半導体素子10を接合した後、アンダーフィル材を充填する際には、封止領域内でボイドが発生しないようにする必要がある。アンダーフィル材34には流動性の高い樹脂材が使用されるが、半導体素子10と基板20との間隔はきわめて狭いから、半導体素子10と基板20との間隙にアンダーフィル材34を確実に充填することは難しく、とくに突起電極12と接続電極22との接合部分はアンダーフィル材34が通過しにくいことから、この部分でボイドが発生しやすいという問題がある。
【0010】
本発明はこれらの問題点を解消すべくなされたものであり、その目的とするところは、電極端子形成面の略中央を通過して一列に突起電極が配置された半導体素子をフリップチップ接続により基板に搭載する際に、半導体素子の突起電極と基板に設けた接続電極とが確実に電気的に接続され、半導体素子と基板との間隙にアンダーフィル材を確実に充填することができ、信頼性の高い半導体装置を提供することができる半導体素子の実装基板及び実装構造を提供しようとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は次の構成を備える。
すなわち、電極端子形成面の略中央を通過して一列に電極端子が配列され、各々の電極端子に突起電極が設けられた半導体素子を、フリップチップ接続により搭載する実装基板において、基板の半導体素子搭載面に、基板の表面を被覆する保護膜が前記突起電極の列方向に沿って長方形状に開口して形成された開口部が設けられるとともに、開口部の長手方向の開口縁が、基板上での半導体素子の搭載領域よりも外方に設けられ、該開口部内に、前記突起電極の列方向の配置間隔と同一の間隔に各々並列され、表面に前記突起電極を接合するはんだが被着された接続電極が、前記突起電極が接合される接続領域の両側に配線領域を延出させて設けられていることを特徴とする。
【0012】
また、前記接続領域が、接続電極の長手方向の中央部に設けられ、突起電極と接続領域との接合部から接続電極の先端までの長さが200μm以上に設けられていることを特徴とし、また、前記接続領域は、配線パターンのパターン幅よりも幅広に形成され、該接続領域の両側に配線パターンのパターン幅と略同幅に形成された配線領域が設けられていることを特徴とし、また、前記接続領域から延出する配線領域の先端が、保護膜によって被覆されていることを特徴とする。
また、前記開口部内に配置された各々の接続電極の長手方向の一方側と他方側のいずれかから配線パターンが延出して設けられ、当該開口部内に配置された接続電極の総数のうち、接続電極の一方側から配線パターンが延出する接続電極の数と、接続電極の他方側から配線パターンが延出する接続電極の数との比が5:5〜6:4の範囲にあることを特徴とする。
【0013】
また、前記実装基板に、電極端子形成面の略中央を通過して一列に電極端子が配列され、各々の電極端子に突起電極が設けられた半導体素子を、フリップチップ接続により搭載した実装構造であって、前記実装基板の接続電極の接合部と前記半導体素子の突起電極とが電気的に接続され、半導体素子の電極端子形成面と実装基板の半導体素子搭載面との間隙にアンダーフィル材が充填されて接合部が封止されていることを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る半導体素子の実装基板及び実装構造について、添付図面に基づき詳細に説明する。
図1は、半導体素子10を実装する実装基板の第1の実施形態を示す説明図である。同図に示す基板20は、電極端子形成面の略中央を通過して一列状に電極端子が配置され、各々の電極端子に突起電極12が設けられた半導体素子10をフリップチップ接続によって搭載するものである。基板20の半導体素子搭載面には、突起電極12の配列と同様に基板20の幅方向の中央に一列状に接続電極22が設けられている。
【0015】
接続電極22はフリップチップ接続によって半導体素子10を搭載するため、その表面に接合用のはんだ24が被着されている。接続電極22は基板20の半導体素子搭載面で露出されている必要があり、本実施形態の実装基板では、基板20の半導体素子搭載面で接続電極22が配列されている列方向に長方形状に開口する開口部30を設け、開口部30を除いて基板20の表面を保護膜32であるソルダーレジストによって被覆している。
【0016】
接続電極22は開口部30を幅方向に横切る細長の線状に形成されるとともに、半導体素子10に設けられている突起電極12の列方向の配置間隔と同一の配置間隔で互いに並列に配置されている。
図2に、基板20の半導体素子搭載面に形成された接続電極22の平面配置を拡大して示す。26は接続電極22に接続する配線パターンである。接続電極22の先端部22cは保護膜32によって被覆され、開口部30の両開口縁に挟まれた領域がはんだ24が被着された露出部分である。
半導体素子10に形成される突起電極12の列方向のピッチは製品によっても異なるが100μm程度もしくはこれ以下である。本実施形態の基板20においては、接続電極22の長手方向の長さを、隣接する接続電極22との配置間隔よりも相当長く設定していることが特徴的である。
【0017】
このように、接続電極22の長手方向の長さを、隣接する接続電極22との配置間隔よりも相当長く設定しているのは、接続電極22の幅寸法が狭いことにより接続電極22の表面に被着されるはんだ24の分量がばらつくことを防止することと、接続電極22の長さを十分長くすることによって、基板20に半導体素子10を搭載した際の基板20の変形を抑え、半導体素子10が基板20に対して傾いたりせずに搭載されるようにするためである。
【0018】
基板20に半導体素子10を搭載した際に半導体素子10が傾いたりしないようにするためには、開口部30の幅方向の対向する開口縁間に配置されている接続電極22の長手方向の中央に半導体素子10の突起電極12を接合し、突起電極12と接続電極22との接合部から接続電極22の先端方向へ延在する長さ(図2の長さA)を十分に長く設定するのがよい。図14に示すように接続電極22の突起電極12との接合部から先端までの長さが短い場合には、半導体素子10を搭載した際に、半導体素子10が傾いて搭載されるが、接続電極22の突起電極12との接合部から先端までの長さを一定以上長くすると、半導体素子10を傾かせずに搭載することができる。
【0019】
図3は図1に示す実装基板に半導体素子10を搭載した実装構造を示す断面図、図4は、基板20に半導体素子10を搭載する際における作用を説明する説明図である。
図4(a)は、半導体素子10と基板20とを位置合わせした状態であり、接続電極22の長手方向の略中央に突起電極12が位置する。この状態で、半導体素子10をはんだ24が溶融する温度まで加熱した後、図4(b)に示すように、突起電極12を接続電極22に加圧し、接続電極22に突起電極12の端面を押接する。突起電極12により接続電極22を加圧することにより、接続電極22と基板20は突起電極12が押接する部位でいったんは凹むが、はんだ24を凝固させた後、加圧力を解放すると、図4(c)に示すように、突起電極12が接続電極22に接合した状態で、元の形状に復帰する。
【0020】
この後、半導体素子10と基板20の半導体素子搭載面との間にアンダーフィル材34を充填することにより、半導体素子10と基板20との接合部がアンダーフィル材34によって封止され、半導体素子10が基板20にフリップチップ接続された実装構造が得られる。
このように半導体素子10が基板20に対して傾いて搭載されたりすることなく、基板20に対して略平行なバランスを維持して基板20にフリップチップ接続することができるのは、接続電極22の長さをある程度長くすることによるが、接続電極22の長さ寸法としては、突起電極12と接続電極22との接合部から接続電極22の先端までの長さAを200μm以上とすればよい。突起電極12と接続電極22との接合部は接続電極22の長手方向の略中央に位置するから、前記長さAを200μmとすると開口部30の幅方向の寸法は400μmとなる。
【0021】
図5は、基板20の半導体素子搭載面に形成する接続電極22の他の構成例を示す。この実施形態における接続電極22は、接続電極22の長手方向の中央部に配線パターン26のパターン幅よりも幅広に形成した接続領域22aを設け、この幅広に形成した接続領域22aの両側に配線パターン26と同幅の配線領域22bを設けたことを特徴とする。
接続領域22aと配線領域22bは開口部30内で基板20の半導体素子搭載面で露出し、これらの表面は、はんだ24によって被覆されている。基板20の開口部30を除く半導体素子搭載面はソルダーレジスト等の保護膜32によって被覆されている。
【0022】
半導体素子10を基板20に搭載する際には、接続領域22aの中央位置(接合部)に半導体素子10の突起電極12を位置合わせし、半導体素子10をはんだ24が溶融する温度まで加熱しつつ突起電極12を接続電極22に加圧して接合する。
本実施形態において、突起電極12と接続電極22との接合には、接続領域22aが主に寄与する。接続領域22aを幅広に形成することにより、突起電極12と接続電極22との接合に要するはんだ24の量を十分に確保することができ、確実な電気的接続が可能になる。
【0023】
配線領域22bは接続領域22aの両側に比較的長く延出させることによって、半導体素子10を接続電極22に加圧して接合した際に生じる応力をバランスさせ、半導体素子10が基板20上で傾いたりせず、確実に搭載される作用に寄与する。このため、本実施形態の場合も、接続領域22aと配線領域22bの長さをある程度長く設定することになるが、上述した実施形態と同様に、接続電極22の長手方向の長さ寸法としては、突起電極12と接続領域22aとの接合部から接続電極22の先端までの長さAを200μm以上とすればよい。
【0024】
上記各実施形態においては基板20の半導体素子搭載面に形成される接続電極22の配置及び形態について主に説明したが、接続電極22は基板20に形成されている配線パターン26に接続して形成される。すなわち、接続電極22の各々には1本ずつ配線パターン26が接続する。
接続電極22及び配線パターン26は基板20を製造する製造工程におけるパターニング操作によって所定のパターンに形成される。図5に示す実装基板では、接続電極22を形成する部位について幅広の接続領域22aと配線パターン26と略同幅の配線領域22bを形成するようにパターニングして、接続電極22と配線パターン26とを形成したものである。
【0025】
各々の接続電極22からは1本の配線パターン26を引き出すから、配線パターン26は接続電極22の両端のどちらか一方から引き出されることになる。図2では接続電極22の一端側から配線パターン26が引き出されている部分を示し、図5では接続電極22の一端側または他端側から配線パターン26が引き出されている部分を示している。
接続電極22の一端側と他端側のどちらから配線パターン26を引き出すかは、半導体素子10及び基板20の設計に応じて決められる。上述した各実施形態では、とくに接続電極22からの配線パターン26の引き出し方向を問題とするものではない。
【0026】
なお、図2及び図5に示すように、接続電極22は配線パターン26の端部に位置し、開口部30内で露出して配置されるから、基板20を形成する際に、接続電極22の先端部22cをソルダーレジスト等の保護膜32によって被覆するようにしておくのがよい。これによって、開口部30内で露出する接続電極22にはんだ24が均一に被着されるようになる。
【0027】
図6は本発明に係る実装基板のさらに他の実施形態を示す。本実施形態の実装基板についても、上述した実施形態と同様に、半導体素子10に一列状に配置された突起電極12の配列に一致させて一列状に接続電極22を配置し、接続電極22が配列されている列方向に長方形状に開口部30を開口して接続電極22を露出させるとともに、開口部30を除く基板20の半導体素子搭載面を保護膜32によって被覆している。
本実施形態の実装基板において特徴的な構成は、接続電極22から引き出す配線パターン26の配置に係り、接続電極22の一端側から引き出す配線パターン26の本数と接続電極22の他端側から引き出す配線パターン26の本数を略同数としたことを特徴とする。
【0028】
図6では、開口部30内に配列されている接続電極22から引き出す配線パターン26を、隣接する接続電極22について一端側と他端側から交互に引き出した例である。接続電極22の一端側から引き出す配線パターン26と接続電極22の他端側から引き出す配線パターン26の本数を略同数にする方法として、図6に示すように、配線パターン26を交互に引き出す方法によることももちろん可能であるが、これは配線パターン26を交互に引き出す方法のみに限定されるものではない。
【0029】
たとえば、接続電極22の一端側から複数本続けて配線パターン26を引き出す部分と、接続電極22の他端側から複数本続けて配線パターン26を引き出す部分とを混在させ、全体として接続電極22の一端側と他端側とから引き出される配線パターン26の本数が略同数になるようにするといった方法も可能である。半導体素子10及び基板20には設計上の制約があるから、配線パターン26を必ず交互に引き出す方法よりも、接続電極22から同方向に配線パターン26を複数本続けて引き出す配置を混在させて、接続電極22の一端側と他端側から引き出される配線パターン26の本数が全体としてほぼ均等になるようにする方法が一般的である。
【0030】
本実施形態の基板20に半導体素子10をフリップチップ接続によって搭載する方法も前述した各実施形態における方法と同様である。図7は、半導体素子10を加熱及び加圧して基板20に搭載した実装構造を示す断面図である。半導体素子10の突起電極12は接続電極22の中央部に当接して接合されている。本実施形態の基板20によれば、接続電極22の一端側と他端側に接続する配線パターン26の本数を略同一としたことによって、半導体素子10を実装する際に半導体素子10に作用する応力が接続電極22の一端側と他端側とで相互に打ち消しあってバランスされ、半導体素子10が基板20上で傾いたりせずに搭載される。
【0031】
前述したように、半導体素子10及び基板20の設計上、接続電極22から引き出す配線パターン26の引き出し方向が制約されることから、接続電極22の一端側と他端側から引き出される配線パターン26の本数をまったく同一にできるとは限らない。その場合であっても、接続電極22の一端側と他端側から引き出される配線パターン26の本数の比率が、5:5〜6:4であれば十分である。
【0032】
なお、図6に示す実施形態の場合には、開口部30内に配置する接続電極22の長さは、はんだ24の量を考慮して、突起電極12を接続電極22に接合するに十分な長さに設定すればよい。図6では、接続電極22の先端部を開口部30内で止めているが、接続電極22の先端部が開口部30の対向する開口縁側で保護膜32によって被覆されるように先端部を延出させる配置とすることも可能である。また、図6では、説明上、配線パターン26が接続電極22の左右に直線的に配置した例を示したが、配線パターン26は必ずしも直線的に配置されるとは限らない。配線パターン26が種々のパターンに形成される場合であっても、接続電極22の一端側と他端側から引き出される配線パターン26の本数を略均等に配置することによって上述した作用効果が得られる。
【0033】
図8、9及び図10、11は、上述した各基板20に半導体素子10を接合し、半導体素子10と基板20との接合部をアンダーフィル材により充填する際に、ボイドを発生させずに確実に充填することを可能とする実装基板の構成と、アンダーフィル方法を示す。
図8、9は、基板20に半導体素子10を接合してアンダーフィル材を充填する際に、接続電極22が配列されている長手方向と平行方向にアンダーフィル材34を注入して封止する場合、図10、11は接続電極22が配列されている長手方向と直交方向にアンダーフィル材34を注入して封止する場合を示す。いずれの場合も、アンダーフィル材34は半導体素子10の一方の端縁から他方の端縁に向けて半導体素子10の全幅にわたって均等に注入する。
【0034】
図8〜11において、図8と図10に示す基板20が同一の構成の基板であり、図9と図11に示す基板20が同一の構成の基板である。図8及び図10に示す基板20と図9及び図11に示す基板20との構成上の相違は、基板20に形成した開口部30の配置にある。
すなわち、図8及び図10に示す基板20の場合は、基板20の半導体素子搭載面に形成する開口部30が基板20に搭載する半導体素子10の搭載領域の内側に設けられているのに対して、図9及び図11に示す基板20では基板20の半導体素子搭載面に形成する開口部30の長手方向の開口縁30aが半導体素子10の搭載領域の外側に位置するように設けられている。
【0035】
開口部30による作用は、図8及び図9に示すアンダーフィルの作用を比較することによって理解することができる。すなわち、図8(a)〜(d)は半導体素子10の一端縁からアンダーフィル材34を徐々に注入していった際に、アンダーフィル材34が半導体素子10と基板20との間にどのように充填されるかを示している。
図8(a)はアンダーフィル材34を注入開始した状態、図8(b)は中間位置までアンダーフィル材34が注入された状態である。アンダーフィル材34を注入する際に、接続電極22が形成されている部位については突起電極12や接続電極22が配置されているためにアンダーフィル材34の注入が妨げられる。図8(b)で接続電極22が配置されている部位の充填が遅れるのはこの理由である。
したがって、図8に示すアンダーフィル方法の場合は、接続電極22の両側から回り込むようにアンダーフィル材34が注入されて(図8(c))、接続電極22が配置されている部位が最後にアンダーフィル材34が注入される部位として取り残され(図8(d))、この部分にアンダーフィル材34が充填されずにボイド40となるということが起こり得る。
【0036】
これに対して、図9に示す基板20の場合には、半導体素子10の一端縁からアンダーフィル材34を注入していった中間状態(図9(b))までは図8に示した場合と同様であが、図9(c)に示すように、接続電極22の両側を充填してきたアンダーフィル材34が半導体素子10の他端縁に達した後、開口部30を挟んで回り込むことができなくなる。これは、開口部30が保護膜32によって被覆されていないことから、開口部30の開口縁が段差となっており、保護膜32と半導体素子10との間を充填してきたアンダーフィル材34が、この段差部分でアンダーフィル材34の表面張力によって開口部30内に流れ込むことが抑制されるからである。開口部30の開口縁30aは半導体素子10の他方の端縁を横切るようにして半導体素子10の搭載領域の外側に設けられているから、接続電極22の両側を充填してきたアンダーフィル材34は開口部30の開口縁で押し止められ、引き続いて注入されるアンダーフィル材34は順次接続電極22が配置されている部位を充填していき、図9(d)に示すように、半導体素子10の搭載領域の全域が確実にアンダーフィル材によって充填されるようになる。
【0037】
図10、11に示すアンダーフィル方法は、図8、9に示す方法の場合には、接続電極22が配置された部分の両側でより速くアンダーフィル材34が充填され、接続電極22が配置された部位での充填が遅れることから、接続電極22の配列方向と直交する方向からアンダーフィル材34を注入し接続電極22が配置された部位をアンダーフィル材34が横切るようにすることによって、すべての接続電極22に対して均等にアンダーフィル材34が充填されるように考えられたものである。
しかしながら、図10に示すように、開口部30を半導体素子10の搭載領域の内側に配置した場合は、開口部30の外側部分30bからアンダーフィル材34が回り込み(図10(b))、接続電極22が配置された領域がアンダーフィル材34によって包み込まれるようになって(図10(c))、接続電極22が配置されている中央部分にボイド40が残ってしまう(図10(d))。
【0038】
これに対して、図11に示すように、基板20に設ける開口部30の開口縁30aを半導体素子10の搭載領域よりも外側に配置すると、半導体素子10の一端縁からアンダーフィル材34を注入して(図11(a))、アンダーフィル材34が接続電極22が配列された部位まで達した際には、開口縁30aをアンダーフィル材34が横切る際に、アンダーフィル材34の表面張力によってアンダーフィル材34が開口部30に進入することが抑制され(図11(b))、接続電極22全体にアンダーフィル材34が充填された後に接続電極22を超えてアンダーフィル材34が充填されるようになる(図11(c))。これによって、接続電極22が配列された部位が取り残されたりすることなくボイドのない確実なアンダーフィルが可能になる。
【0039】
図8〜11に示すアンダーフィル方法は、基板20の半導体素子搭載面に設ける接続電極22を露出させる開口部30の構成を改良することによって好適なアンダーフィルを可能にしたものである。多数個の接続電極22が微細間隔で配列されている場合でも、開口部30を上述したように設計することによって好適なアンダーフィルが可能となる。なお、開口部30の開口縁30aを半導体素子10の搭載領域よりも外方に設ける際に搭載領域の縁部から離間させる距離は、適宜設定可能であるが、少なくとも50μm以上離間させるのがよい。
【0040】
【発明の効果】
本発明に係る半導体素子の実装基板及び実装構造によれば、上述したように、電極端子形成面に電極端子が一列のみ形成されている半導体素子をフリップチップ接続によって搭載する場合に、半導体素子が基板上で傾いたりすることなく、突起電極と接続電極とを確実に電気的に接続して、信頼性の高い実装構造を提供することが可能になる。また、半導体素子と基板との接合部を確実にアンダーフィル材で充填することができ、信頼性の高い実装構造を得ることができる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る実装基板の構成と実装基板に半導体素子を搭載する方法を示す説明図である。
【図2】接続電極の平面配置を拡大して示す説明図である。
【図3】基板に半導体素子を搭載した状態を拡大して示す断面図である。
【図4】基板に半導体素子を加熱及び加圧して接合する方法を示す説明図である。
【図5】実装基板の他の構成における接続電極の平面配置を拡大して示す説明図である。
【図6】本発明に係る実装基板のさらに他の構成を示す説明図である。
【図7】本発明に係る実装構造の他の構成を示す断面図である。
【図8】接続電極の配列方向と平行な方向からアンダーフィルする方法を示す説明図である。
【図9】接続電極の配列方向と平行な方向からアンダーフィルする方法を示す説明図である。
【図10】接続電極の配列方向と直交する方向からアンダーフィルする方法を示す説明図である。
【図11】接続電極の配列方向と直交する方向からアンダーフィルする方法を示す説明図である。
【図12】半導体素子の実装基板の従来の構成を示す説明図である。
【図13】半導体素子の実装構造の従来の構成を示す説明図である。
【図14】基板に半導体素子を加熱及び加圧して接合する従来の方法を示す説明図である。
【符号の説明】
10 半導体素子
12 突起電極
20 基板
22 接続電極
22a 接続領域
22b 配線領域
24 はんだ
26 配線パターン
30 開口部
30a 開口縁
32 保護膜
34 アンダーフィル材
Claims (6)
- 電極端子形成面の略中央を通過して一列に電極端子が配列され、各々の電極端子に突起電極が設けられた半導体素子を、フリップチップ接続により搭載する実装基板において、
基板の半導体素子搭載面に、基板の表面を被覆する保護膜が前記突起電極の列方向に沿って長方形状に開口して形成された開口部が設けられるとともに、開口部の長手方向の開口縁が、基板上での半導体素子の搭載領域よりも外方に設けられ、
該開口部内に、前記突起電極の列方向の配置間隔と同一の間隔に各々並列され、表面に前記突起電極を接合するはんだが被着された接続電極が、前記突起電極が接合される接続領域の両側に配線領域を延出させて設けられていることを特徴とする半導体素子の実装基板。 - 接続領域が、接続電極の長手方向の中央部に設けられ、突起電極と接続領域との接合部から接続電極の先端までの長さが200μm以上に設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体素子の実装基板。
- 接続領域は、配線パターンのパターン幅よりも幅広に形成され、該接続領域の両側に配線パターンのパターン幅と略同幅に形成された配線領域が設けられていることを特徴とする請求項2記載の半導体素子の実装基板。
- 接続領域から延出する配線領域の先端が、保護膜によって被覆されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の半導体素子の実装基板。
- 開口部内に配置された各々の接続電極の長手方向の一方側と他方側のいずれかから配線パターンが延出して設けられ、
当該開口部内に配置された接続電極の総数のうち、接続電極の一方側から配線パターンが延出する接続電極の数と、接続電極の他方側から配線パターンが延出する接続電極の数との比が5:5〜6:4の範囲にあることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の半導体素子の実装基板。 - 請求項1〜5記載の実装基板に、電極端子形成面の略中央を通過して一列に電極端子が配列され、各々の電極端子に突起電極が設けられた半導体素子を、フリップチップ接続により搭載した実装構造であって、
前記実装基板の接続電極の接合部と前記半導体素子の突起電極とが電気的に接続され、
半導体素子の電極端子形成面と実装基板の半導体素子搭載面との間隙にアンダーフィル材が充填されて接合部が封止されていることを特徴とする実装構造。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001134278A JP3581111B2 (ja) | 2001-05-01 | 2001-05-01 | 半導体素子の実装基板及び実装構造 |
US10/127,640 US6791186B2 (en) | 2001-05-01 | 2002-04-22 | Mounting substrate and structure having semiconductor element mounted on substrate |
TW091108884A TW541634B (en) | 2001-05-01 | 2002-04-29 | Mounting substrate and structure having semiconductor element mounted on substrate |
KR1020020023683A KR100860515B1 (ko) | 2001-05-01 | 2002-04-30 | 기판 상에 탑재된 반도체 소자를 갖는 실장 기판 및 실장구조 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001134278A JP3581111B2 (ja) | 2001-05-01 | 2001-05-01 | 半導体素子の実装基板及び実装構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002329744A JP2002329744A (ja) | 2002-11-15 |
JP3581111B2 true JP3581111B2 (ja) | 2004-10-27 |
Family
ID=18981989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001134278A Expired - Fee Related JP3581111B2 (ja) | 2001-05-01 | 2001-05-01 | 半導体素子の実装基板及び実装構造 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6791186B2 (ja) |
JP (1) | JP3581111B2 (ja) |
KR (1) | KR100860515B1 (ja) |
TW (1) | TW541634B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9258904B2 (en) * | 2005-05-16 | 2016-02-09 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming narrow interconnect sites on substrate with elongated mask openings |
US20060255473A1 (en) * | 2005-05-16 | 2006-11-16 | Stats Chippac Ltd. | Flip chip interconnect solder mask |
JP4536603B2 (ja) | 2005-06-09 | 2010-09-01 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置用実装基板及び半導体装置 |
JP4751121B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2011-08-17 | 京セラSlcテクノロジー株式会社 | 配線基板 |
JP2007109884A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 実装基板および半導体装置 |
JP2008117805A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Toshiba Corp | プリント配線板、プリント配線板の電極形成方法およびハードディスク装置 |
KR100764668B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2007-10-08 | 삼성전기주식회사 | 플립칩 접속용 기판 및 그 제조방법 |
JP4618260B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2011-01-26 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 導体パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、並びに半導体装置 |
US7928582B2 (en) * | 2007-03-09 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic workpieces and methods for manufacturing microelectronic devices using such workpieces |
JP2009021600A (ja) * | 2008-07-11 | 2009-01-29 | Harima Chem Inc | 回路パターン |
JP2010147070A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
US9553040B2 (en) | 2012-03-27 | 2017-01-24 | Mediatek Inc. | Semiconductor package |
KR101388739B1 (ko) * | 2012-04-27 | 2014-04-25 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 |
CN111180977B (zh) * | 2020-01-13 | 2021-07-06 | 西安微电子技术研究所 | 一种单、双列插针的保护胶块及其制备方法和使用方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04354398A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 配線基板及びその製造方法 |
JPH1140605A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Toshiba Corp | テープキャリアパッケージ |
US6049122A (en) * | 1997-10-16 | 2000-04-11 | Fujitsu Limited | Flip chip mounting substrate with resin filled between substrate and semiconductor chip |
JP3420076B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2003-06-23 | 新光電気工業株式会社 | フリップチップ実装基板の製造方法及びフリップチップ実装基板及びフリップチップ実装構造 |
JP2004095923A (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-25 | Murata Mfg Co Ltd | 実装基板およびこの実装基板を用いた電子デバイス |
-
2001
- 2001-05-01 JP JP2001134278A patent/JP3581111B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-04-22 US US10/127,640 patent/US6791186B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-29 TW TW091108884A patent/TW541634B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-04-30 KR KR1020020023683A patent/KR100860515B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100860515B1 (ko) | 2008-09-26 |
US6791186B2 (en) | 2004-09-14 |
US20020162684A1 (en) | 2002-11-07 |
JP2002329744A (ja) | 2002-11-15 |
TW541634B (en) | 2003-07-11 |
KR20020084702A (ko) | 2002-11-09 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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