JP3576267B2 - アミド誘導体の製造方法 - Google Patents

アミド誘導体の製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、一般式
【0002】
【化3】
Figure 0003576267
【0003】
(式中、Aは芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基であり、該芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基は水酸基、芳香族炭化水素基で置換されたアルコキシ基、芳香族複素環基で置換されたアルコキシ基、アルコキシ基で置換されたアルコキシ基、無置換のアルコキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、メチルカルバモイルオキシ基、エチルカルバモイルオキシ基、プロピルカルバモイルオキシ基、ブチルカルバモイルオキシ基、ベンジルカルバモイルオキシ基、ナフチルカルバモイルオキシ基、ジメチルカルバモイルオキシ基又はジエチルカルバモイルオキシ基で置換されていてもよく、R1 は水素原子;ハロゲン原子、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、水酸基、アルコキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、若しくは無置換のアミノ基で置換されたアルキル基;又は無置換のアルキル基、R2 はハロゲン原子、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、水酸基、アルコキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、無置換のアミノ基、4−(2−チエニルメチルチオ)エチル−1−ピペラジニル基、4−(ベンズヒドリルオキシ)ピペラジノ基、4−(フルフリルチオ)エチル−1−ピペラジニル基若しくは4−(ベンズヒドリルオキシ)ピペリジノ基で置換されたアルキル基;又は無置換のアルキル基であり、さらにR1 とR2 とは結合している窒素原子と一体になり結合して4〜7員の環状アミノ基を形成することができ、該4〜7員の環状アミノ基は芳香族炭化水素基若しくは芳香族複素環基で置換されたアルキル基;無置換のアルキル基;芳香族炭化水素基若しくは芳香族複素環基で置換されたアルコキシ基;無置換のアルコキシ基;又はハロゲン原子で置換基されていてもよい。)で表されるアミド誘導体の製造方法に関する。
【0004】
【従来の技術】
オルト位に水酸基の置換した芳香族アミド化合物は、医薬品、農薬又はその原料として用いられている。従来、これら芳香族アミド化合物の製造法として、対応するオルトヒドロキシ芳香族カルボン酸化合物の水酸基を保護した後、酸ハライド、活性エステル或いは混合酸無水物を経由し、アミン化合物と反応させて、最終的に脱保護する方法が広く用いられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このような製造法においては、煩雑な操作を必要とし工程数が長く、且つ不安定な中間体を経由するため副生物が多い等工業的な製造法としては、満足できるものではなく、新たな収率の高い簡便な製造法が求められていた。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は鋭意研究した結果、一般式
【0007】
【化4】
Figure 0003576267
【0008】
(式中、Aは前記と同じであり、R及びRフェニル基若しくはアルコキシ基で置換されたアルキル基、無置換のアルキル基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基である。)で表される1,3−ジオキサン−4−オン誘導体と一般式
【0009】
HN(R)R (III)
(式中、R及びR前記と同じである。)で表されるアミン誘導体とを反応させることからなる前記一般式(I)で表されるアミド誘導体の製造方法を見い出し本発明を完成した。この方法は、保護した水酸基の脱保護反応を必要としない新規アミド誘導体の製造方法である。
【0010】
本発明は、前記一般式(II)で表される1,3−ジオキサン−4−オン誘導体と前記一般式(III)で表されるアミン誘導体とを溶媒中で反応させて、前記一般式(I)で表されるアミド誘導体を製造するものである。
この反応に用いる前記一般式(II)で表される1,3−ジオキサン−4−オン誘導体は、例えば一般式
【0011】
【化5】
Figure 0003576267
【0012】
(式中、A、Rは前記と同じである。)で表されるカルボン酸化合物と一般式
−OH (V)
(式中、Rは前記と同じである。)で表されるアルコール化合物とを酸無水物の存在下反応させることにより製造することができる化合物である。
【0013】
本反応に用いる前記一般式(IV)で表されるカルボン酸化合物において、Aとしては、例えばベンゼン、ナフタレン等の芳香族炭化水素基、フラン、チオフェン、ピリジン、キノリン、イソキノリン等の芳香族複素環基を挙げることができる。さらにこの芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基には置換基を有していてもよく、例えば水酸基、置換又は無置換の炭素数1〜6のアルコキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換カルバモイルオキシ基等を挙げることができる。この炭素数1〜6のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等を挙げることができる。また、このアルコキシ基への置換基としては、例えばフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基等の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基を挙げることができる。アシルオキシ基としては、例えばアセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トルオイルオキシ基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基等を挙げることができる。またアルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基等を挙げることができる。さらに置換カルバモイルオキシ基としては、例えばメチルカルバモイルオキシ基、エチルカルバモイルオキシ基、プロピルカルバモイルオキシ基、ブチルカルバモイルオキシ基、ベンジルカルバモイルオキシ基、ナフチルカルバモイルオキシ基、ジメチルカルバモイルオキシ基、ジエチルカルバモイルオキシ基等を挙げることができる。
【0014】
またRは、フェニル基若しくは炭素数 〜6のアルコキシ基で置換されたアルキル基、無置換のアルキル基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基である。アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の炭素数1〜6のアルキル基を挙げることができる。さらに芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基は、前記Aと同じ基を挙げることができる。
【0015】
本反応に用いる前記一般式(IV)で表されるカルボン酸化合物は、サリチル酸化合物、オルト位に水酸基の置換したナフトエ酸化合物等を原料として当業者には周知の方法を組み合わせることにより容易に製造することができる化合物である。この化合物としては、例えばアセチルサリチル酸、2,3−ジアセトキシ安息香酸、2,4−ジアセトキシ安息香酸、2,5−ジアセトキシ安息香酸、2−アセトキシ−3−メトキシ安息香酸、3,5−ジアセトキシ−2−ナフトエ酸、3−アセトキシ−5−(3−ピリジルメチルオキシ)−2−ナフトエ酸、3,7−ジアセトキシ−2−ナフトエ酸、3,4−ジアセトキシ−2−ナフトエ酸、3,6−ジアセトキシ−2−ナフトエ酸、3,8−ジアセトキシ−2−ナフトエ酸、3−アセトキシ−5−ベンジルオキシ−2−ナフトエ酸、3−アセトキシ−5−メトキシ−2−ナフトエ酸、2−アセトキシ−3−フランカルボン酸、2−アセトキシ−3−チオフェンカルボン酸、2−アセトキシ−3−ピリジンカルボン酸等を挙げることができる。
【0016】
また前記一般式(V)で表されるアルコール化合物において、Rフェニル基若しくは炭素数 〜6のアルコキシ基で置換されたアルキル基、無置換のアルキル基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基である。このアルキル基としては前記Rと同じアルキル基を挙げることができる。さらに、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、前記Aと同じ基である。
【0017】
本反応に用いる前記一般式(V)で表されるアルコール化合物としては、工業的にも入手容易な化合物であり、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ベンジルアルコール、2−フェニルエタノール、フェノール、1−ナフトール、2−ナフトール等を挙げることができる。
【0018】
前記一般式(IV)で表されるカルボン酸化合物と前記一般式(V)で表されるアルコール化合物との反応は酸無水物の存在下に行い、この酸無水物としては例えば無水トリフルオロ酢酸、無水酢酸、無水トリクロロ酢酸、無水プロピオン酸、無水フェニル酢酸等を用いることができる。反応は不活性溶媒中で行うことが好ましく、例えばジエチルエーテル、ジメトキシエタン(DME)、テトラヒドロフラン(THF)、1,4−ジオキサン、ジグライム等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、酢酸エチル等のエステル類、DMF等のアミド類、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類等を単独又は混合して用いることができる。反応は−78℃〜200℃で行うことができるが、効率良く行うには0℃〜100℃で行うことが好ましい。
【0019】
一方、本発明に用いる前記一般式(III)で表されるアミン誘導体は、Rが水素原子;ハロゲン原子、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアミノ基、水酸基、アルコキシ基、メルカプト基若しくはアルキルチオ基で置換されたアルキル基;又は無置換のアルキル基である。このアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の炭素数1〜6のアルキル基を挙げることができる。さらにアルキル基への置換基としては、例えば塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、フェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基等の芳香族複素環基、置換又は無置換のアミノ基、水酸基、炭素数1〜6のアルコキシ基、メルカプト基、炭素数1〜6のアルキルチオ基等を挙げることができる。又、Rハロゲン原子、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアミノ基、水酸基、アルコキシ基、メルカプト基若しくはアルキルチオ基で置換されたアルキル基;又は無置換のアルキル基であり、前記Rと同じ置換又は無置換のアルキル基を挙げることができる。さらにRとRとは結合している窒素原子と一体になり結合して4〜7員の置換又は無置換の環状アミノ基を形成することができる。この環状アミノ基としては、例えば1−アゼチジニル基、1−ピロリジニル基、ピペリジノ基、ピペラジノ基、1−パーヒドロアゼピニル基等を挙げることができる。さらにこの環状アミノ基への置換基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の炭素数1〜6のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子等を挙げることができる。この炭素数1〜6のアルキル基及び炭素数1〜6のアルコキシ基には置換基を有していてもよく、例えばフェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基等の芳香族複素環基を挙げることができる。
【0020】
この前記一般式(III)で表されるアミン誘導体としては、工業的にも入手が容易な化合物であり、例えばメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、2−フェニルエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、アゼチジン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、パーヒドロアゼピン等を挙げることができる。また、本発明により抗アレルギー剤を製造するには、前記一般式(III)で表されるアミン誘導体として、例えば特開平4−364156号に記載の方法により製造される例えば2−〔4−(2−チエニルメチルチオ)エチル−1−ピペラジニル〕エチルアミン、2−〔4−(ベンズヒドリルオキシ)ピペラジノ〕エチルアミン、2−〔4−(フルフリルチオ)エチル−1−ピペラジニル〕エチルアミン、2−〔4−(ベンズヒドリルオキシ)ピペリジノ〕エチルアミン等を挙げることができる。
【0021】
本発明の前記一般式(II)で表される1,3−ジオキサン−4−オン誘導体と前記一般式(III)で表されるアミン誘導体との反応は、両者を溶媒中で混合することにより行うことができる。反応を行うにあたっては不活性溶媒中で行うことが望ましく、例えばアセトニトリル、プロピルニトリル等のニトリル類、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン(DME)、テトラヒドロフラン(THF)、1,4−ジオキサン、ジグライム等のエーテル類、メタノール、エタノール等のアルコール類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、酢酸エチル等のエステル類、DMF等のアミド類、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類等を単独又は混合して用いることができる。
【0022】
反応は、通常−78℃〜200℃で行うことができるが、効率よく反応を行うには0℃〜100℃で行うことが好ましい。尚本反応を行うには無水条件下でかつ不活性ガス、例えば窒素ガス、アルゴンガス等の雰囲気下で反応を行うことが目的物を収率よく得るためには好ましい。
【0023】
【実施例】
以下、参考例及び実施例により本発明を更に詳細に説明する。
【0024】
参考例1
2−メチル−2−フェノキシ−1,3−ベンゾ[d]−ジオキサン−4−オン
【0025】
【化6】
Figure 0003576267
【0026】
窒素気流下アセチルサリチル酸630mg(4.56mmol)のテトラヒドロフラン(20ml)溶液に室温で無水トリフルオロ酢酸0.71ml(5.00mmol)を加え、50℃で30分間撹拌した。次いで、室温でフェノール515mg(5.47mmol)を加え、50℃で5時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を酢酸エチルで抽出(3回)し、有機層を合わせ飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し2−メチル−2−フェノキシ−ベンゾ[d]−1,3−ジオキサン−4−オン1.33g(収率80%)を得た。
【0027】
IR(cm−1,KBr):1760
NMR(δ,CDCl):1.91(3H,s),7.07−7.35(7H,m),7.63(1H,ddd,J=7Hz,2Hz),8.03(1H,dd,J=7Hz,2Hz)
質量分析(EI):m/z 256(M),163,121
【0028】
参考例2
9−アセトキシ−2−メチル−2−フェノキシ−ナフト[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン
【0029】
【化7】
Figure 0003576267
【0030】
窒素気流下3,5−ジアセトキシ−2−ナフトエ酸1g(3.47mmol)のテトラヒドロフラン(30ml)溶液に室温で無水トリフルオロ酢酸0.54ml(3.82mmol)を加え、50℃で30分間撹拌した。次いで、フェノール360mg(3.82mmol)を室温で加え50℃で5時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を酢酸エチルで抽出(3回)し、有機層を合わせ飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し9−アセトキシ−2−メチル−2−フェノキシ−ナフト[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン1.0g(収率79%)を得た。
【0031】
IR(cm−1,KBr):1756
NMR(δ,CDCl):1.95(3H,s),2.49(3H,s),7.09−7.18(3H,m),7.40(1H,dd,J=7Hz,7Hz),7.47(1H,dd,J=7Hz,7Hz),7.51(1H,s),7.85(1H,d,J=7Hz),8.70(1H,s)
質量分析(EI):m/z 364(M),271,229,228,187
融点(℃):156−157
【0032】
参考例3
9−アセトキシ−2−メチル−2−ベンジルオキシ−ナフト[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン
【0033】
【化8】
Figure 0003576267
【0034】
窒素気流下3,5−ジアセトキシ−2−ナフトエ酸1g(3.47mmol)のテトラヒドロフラン(30ml)溶液に室温で無水トリフルオロ酢酸0.54ml(3.82mmol)を加え、50℃で30分間撹拌した。次いで、ベンジルアルコール376mg(3.47mmol)を室温で加え、50℃で5時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を酢酸エチルで抽出(3回)し、有機層を合わせ飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し9−アセトキシ−2−メチル−2−ベンジルオキシ−ナフト[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン223mg(収率18%)を得た。
【0035】
IR(cm−1,KBr):1758
NMR(δ,CDCl):1.95(3H,s),2.47(3H,s),4.82(2H,dd,J=11Hz,11Hz),7.18−7.30(5H,m),7.37−7.50(3H,m),7.83(1H,d,J=7Hz),8.65(1H,s)
質量分析(EI):m/z 378(M),271,228,186
融点(℃):155−156
【0036】
参考例4
9−ヒドロキシ−2−メチル−2−フェノキシ−ナフト[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン
【0037】
【化9】
Figure 0003576267
【0038】
参考例2で製造した9−アセトキシ−2−メチル−2−フェノキシ−ナフト[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン100mg(0.27mmol)のアセトニトリル10ml溶液に室温でピペリジン0.03ml(0.3mmol)を加え、15時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を酢酸エチルで抽出(3回)し、有機層を合わせ飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し9−ヒドロキシ−2−メチル−2−フェノキシ−ナフト[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン78mg(収率88%)を得た。
【0039】
IR(cm−1,KBr):3296,1726
NMR(δ,CDCl):1.95(3H,s),5.36(1H,s),6.93(1H,d,J=7Hz),7.10−7.18(3H,m),7.25−7.35(2H,m),7.54(1H,d,J=7Hz),7.86(1H,s),8.63(1H,s)
質量分析(EI):m/z 322(M),280,229,186
【0040】
参考例5
2−メチル−2−フェノキシ−9−(3−ピリジルメトキシ)−ナフト[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン
【0041】
【化10】
Figure 0003576267
【0042】
窒素気流下参考例4で製造した9−ヒドロキシ−2−メチル−2−フェノキシ−ナフト[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オンのテトラヒドロフラン20ml溶液に室温でトリフェニルフォスフィン446mg(1.7mmol)、ピリジンメタノール180mg(1.65mmol)、ジイソプロピルアザジカルボキシラート0.34ml(1.7mmol)を順次加え、5時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を酢酸エチルで抽出(3回)し、有機層を合わせ飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し2−メチル−2−フェノキシ−9−(3−ピリジルメトキシ)−ナフト[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン558mg(収率87%)を得た。
【0043】
IR(cm−1,KBr):1758
NMR(δ,CDCl):1.94(3H,s),5.27(2H,s),7.02(1H,d,J=7Hz),7.10−7.18(3H,m),7.25−7.35(2H,m),7.36−7.44(2H,m),7.87(1H,ddd,J=7Hz,2Hz,2Hz),7.91(1H,s),8.63(1H,s),8.66(1H,dd,J=5Hz,2Hz),8.81(1H,d,J=2Hz)
質量分析(EI):m/z 431(M),371,320,277,185
融点(℃):171−172
【0044】
実施例1
N−(2−フェニルエチル)−2−ヒドロキシベンズアミド
【0045】
【化11】
Figure 0003576267
【0046】
窒素気流下参考例1で製造した2−メチル−2−フェノキシ−ベンゾ[d]−1,3−ジオキサン−4−オン300mg(1.17mmol)のアセトニトリル10ml溶液に室温で2−フェニルエチルアミン284mg(2.34mmol)を加え、7時間加熱還流した。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を酢酸エチルで抽出(3回)し、有機層を合わせ飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付しN−(2−フェニル)エチル−2−ヒドロキシベンズアミド283mg(収率99%)を得た。
【0047】
IR(cm−1,KBr):3380,1640
NMR(δ,CDCl):2.94(2H,t,J=7Hz),3.72(2H,dt,J=7Hz,7Hz),6.13(1H,br−s),6.79(1H,ddd,J=7Hz,7Hz,2Hz),6.98(1H,d,J=7Hz),7.16(1H,dd,J=7Hz,2Hz),7.23−7.42(6H,m),12.32(1H,s)
質量分析(EI):m/z 241(M),121
融点(℃):93−94
【0048】
実施例2
N−[2−[4−(ベンズヒドリルオキシ)ピペリジノ]エチル]−3−ヒドロキシ−5−(3−ピリジルメトキシ)−2−ナフタミド
【0049】
【化12】
Figure 0003576267
【0050】
窒素気流下参考例5で製造した2−メチル−2−フェノキシ−9−(3−ピリジルメトキシ)ナフト[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン226mg(0.64mmol)のアセトニトリル10ml溶液に室温で1−(2−アミノエチル)−4−ベンズヒドリルオキシピペリジン420mg(1.35mmol)を加え、7時間加熱還流した。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を酢酸エチルで抽出(3回)し、有機層を合わせ飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付しN−[2−[4−(ベンズヒドリルオキシ)ピペリジノ]エチル]−3−ヒドロキシ−5−(3−ピリジルメトキシ)−2−ナフタミド344mg(収率91%)を得た。
【0051】
IR(cm−1,KBr):1660
NMR(δ,CDCl):1.70−1.85(2H,m),1.92−2.03(2H,m),2.18−2.30(2H,m),2.63(2H,t,J=6Hz),2.81−2.92(2H,m),3.37−3.57(3H,m),5.23(2H,s),5.54(1H,s),6.88(1H,d,J=7Hz),7.19−7.42(14H,m),7.71(1H,s),7.89(1H,d,J=7Hz),7.94(1H,s),8.62(1H,dd,J=6Hz,2Hz),8.74(1H,d,J=2Hz)
【0052】
【発明の効果】
本発明の方法は、原料化合物を溶媒中で反応させることにより目的とするアミド誘導体を収率よく製造することができる。さらに、この方法は副生物の生成も少なく、反応後の生成物の精製も容易な製造法である。

Claims (4)

  1. 一般式
    Figure 0003576267
    で表される1,3−ジオキサン−4−オン誘導体と一般式
    HN(R1 )R2
    で表されるアミン誘導体とを反応させることからなる一般式
    Figure 0003576267
    で表されるアミド誘導体の製造方法(式中、Aは芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基であり、該芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基は水酸基、芳香族炭化水素基で置換されたアルコキシ基、芳香族複素環基で置換されたアルコキシ基、アルコキシ基で置換されたアルコキシ基、無置換のアルコキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、メチルカルバモイルオキシ基、エチルカルバモイルオキシ基、プロピルカルバモイルオキシ基、ブチルカルバモイルオキシ基、ベンジルカルバモイルオキシ基、ナフチルカルバモイルオキシ基、ジメチルカルバモイルオキシ基又はジエチルカルバモイルオキシ基で置換されていてもよく、R1 は水素原子;ハロゲン原子、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、水酸基、アルコキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、若しくは無置換のアミノ基で置換されたアルキル基;又は無置換のアルキル基、R2 はハロゲン原子、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、水酸基、アルコキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、無置換のアミノ基、4−(2−チエニルメチルチオ)エチル−1−ピペラジニル基、4−(ベンズヒドリルオキシ)ピペラジノ基、4−(フルフリルチオ)エチル−1−ピペラジニル基若しくは4−(ベンズヒドリルオキシ)ピペリジノ基で置換されたアルキル基;又は無置換のアルキル基であり、さらにR1 とR2 とは結合している窒素原子と一体になり結合して4〜7員の環状アミノ基を形成することができ、該4〜7員の環状アミノ基は芳香族炭化水素基若しくは芳香族複素環基で置換されたアルキル基;無置換のアルキル基;芳香族炭化水素基若しくは芳香族複素環基で置換されたアルコキシ基;無置換のアルコキシ基;又はハロゲン原子で置換基されていてもよく、R3 及びR4 はフェニル基若しくはアルコキシ基で置換されたアルキル基、無置換のアルキル基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基である。)。
  2. Aで表わされる芳香族炭化水素基がフェニル基又はナフチル基である請求項1記載の製造方法。
  3. 1 が水素原子であり、R2 はハロゲン原子、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、水酸基、アルコキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、無置換のアミノ基、4−(2−チエニルメチルチオ)エチル−1−ピペラジニル基、4−(ベンズヒドリルオキシ)ピペラジノ基、4−(フルフリルチオ)エチル−1−ピペラジニル基若しくは4−(ベンズヒドリルオキシ)ピペリジノ基で置換されたアルキル基、又は無置換のアルキル基である請求項1記載の製造方法。
  4. 3 が芳香族炭化水素基であり、R4 が無置換のアルキル基である請求項1記載の製造方法。
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