JP3214296B2 - 1,3−ジオキサン−4−オン誘導体 - Google Patents
1,3−ジオキサン−4−オン誘導体Info
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Description
基、シアノ基、ニトロ基若しくはハロゲン原子で置換し
たアルキル基、無置換のアルキル基、芳香族炭化水素基
又は芳香族複素環基であり、R 2 はフェニル基、アルコ
キシ基、シアノ基、ニトロ基若しくはハロゲン原子で置
換したアルキル基、又は無置換のアルキル基であり、R
3 は、低級アルキル基、フェニル基、ベンジル基若しく
はナフチル基で置換したカルバモイル基、炭素数1〜6
のアルコキシ基、芳香族炭化水素基若しくは芳香族複素
環基で置換したアルキル基、無置換のアルキル基、水素
原子、アシル基又はアルコキシカルボニル基である。)
で表される1,3−ジオキサン−4−オン誘導体に関す
る。前記一般式(I)で表される1,3−ジオキサン−
4−オン誘導体は、例えばアミン化合物との反応に付す
ことによりアレルギー疾患の治療に用いる2−ナフタミ
ド化合物に誘導することができる。
管支喘息、鼻炎、季節性結膜炎、じんましん等の疾患の
治療剤として、2−ナフタミド化合物が見出された(特
開平4−364156号参照)。この2−ナフタミド化
合物は、ナフタレン環の3位に水酸基を有し、さらにア
ルコキシ基を置換基として有する化合物である。従来、
この2−ナフタミド化合物の製造法としては、対応する
3−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸化合物の水酸基を保護
した後、酸ハライド、活性エステル或いは混合酸無水物
を経由し、アミン化合物と反応させ最終的に脱保護する
方法が用いられている。
いては、煩雑な操作を必要とし工程数が長く、且つ不安
定な中間体を経由するため副生物が多い等工業的な方法
としては満足できるものではなく、新たな収率の高い簡
便な製造法が求められていた。
た結果、前記一般式(I)で表される1,3−ジオキサ
ン−4−オン誘導体が前記2−ナフタミド化合物を製造
するための中間体として有用であることを見出し本発明
を完成した。
3−ジオキサン−4−オン誘導体は、下記式1に従い製
造することができる化合物である。
り、R4 はアシル基、アルコキシカルボニル基又は置換
カルバモイル基、R5 は置換又は無置換のアルキル基で
あり、Xは水酸基又はハロゲン原子である。)
誘導体と前記一般式(III)で表されるアルコール誘導体
とを酸無水物の存在下に環化反応を行い前記一般式(I
−a)で表される1,3−ジオキサン−4−オン誘導体
を製造するものである。
酸誘導体は、R2 が置換又は無置換のアルキル基であ
り、このアルキル基としては、例えば炭素数1〜6の直
鎖状、分枝鎖状又は環状のアルキル基であり、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、イソプロピル基、2−ブチル基、t−ブチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げるこ
とができる。このアルキル基には置換基を有していても
よく、置換基として例えば置換若しくは無置換のフェニ
ル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等の炭素数
1〜6のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、塩素、臭
素、ヨウ素等のハロゲン原子等を挙げることができる。
また、R4 はアシル基、アルコキシカルボニル基又は置
換カルバモイル基である。このアシル基としては例えば
アセチル基、プロピオニル基、イソプロピオニル基、ブ
チリル基、イソブチリル基、バレリル基、ベンゾイル
基、トルオイル基、ナフトイル基等を挙げることができ
る。又、アルコキシカルボニル基としては例えばメトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカ
ルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボ
ニル基、ベンジルオキシカルボニル基等を挙げることが
できる。さらに、置換カルバモイル基としては例えばメ
チルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、プロピル
カルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカル
バモイル基、ベンジルカルバモイル基、ナフチルカルバ
モイル基、ジメチルカルバモイル基、ジエチルカルバモ
イル基等を挙げることができる。
酸誘導体としては、例えば特開平4−364156号に
記載の方法に従い水酸基の置換した2−ナフトエ酸誘導
体より製造することができる。この誘導体としては、例
えば3,5−ジアセトキシ−2−ナフトエ酸、3−アセ
トキシ−5−(3−ピリジルメトキシ)−2−ナフトエ
酸、3−アセトキシ−5−(2−ピリジルメトキシ)−
2−ナフトエ酸、3,7−ジアセトキシ−2−ナフトエ
酸、3,4−ジアセトキシ−2−ナフトエ酸、3,6−
ジアセトキシ−2−ナフトエ酸、3,8−ジアセトキシ
−2−ナフトエ酸、3−アセトキシ−5−ベンジルオキ
シ−2−ナフトエ酸、3−アセトキシ−5−メトキシ−
2−ナフトエ酸等を挙げることができる。
ル誘導体は、R1 が置換若しくは無置換のアルキル基、
芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基で表されるアルコ
ール誘導体であり、工業的にも容易に入手可能である。
このアルキル基としては、前記R2 と同じアルキル基を
挙げることができる。芳香族炭化水素基又は芳香族複素
環基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、フリル
基、チエニル基、ピリジル基等を挙げることができる。
前記一般式(III)で表されるアルコール誘導体として
は、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノール、ペンタノール、ヘキサノール、フェノール、
1−ナフトール、2−ナフトール等を挙げることができ
る。
ナフトエ酸誘導体と前記一般式(III)で表されるアルコ
ール誘導体との反応は、酸無水物の存在下に反応を行う
ことができる。反応に用いる酸無水物としては、例えば
無水トリフルオロ酢酸、無水酢酸、無水トリクロロ酢
酸、無水プロピオン酸、無水フェニル酢酸、無水メタン
スルホン酸、無水p−トルエンスルホン酸等を使用する
ことができる。この酸無水物は、前記一般式(II)で表
される2−ナフトエ酸誘導体1モルに対して1〜2当量
用いることが好ましい。
しく、溶媒として例えばアセトニトリル、プロピオニト
リル等のニトリル類、ジエチルエーテル、ジメトキシエ
タン(DME)、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の
エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素類、酢酸エチル等のエステル類、ジメチルホル
ムアミド(DMF)等のアミド類等を単独又は混合して
用いることができる。反応は、通常−78℃〜200℃
で行うことができるが、効率よく反応を行うには0℃〜
100℃で行うことが好ましい。尚本反応を行うには無
水条件下でかつ不活性ガス、例えば窒素ガス、アルゴン
ガス等の雰囲気下で反応を行うことが目的物を収率よく
得るためには好ましい。
a)で表される1,3−ジオキサン−4−オン誘導体を
脱離反応に付すことにより前記一般式(I−b)で表さ
れる1,3−ジオキサン−4−オン誘導体を製造するも
のである。前記一般式(I−a)で表される1,3−ジ
オキサン−4−オン誘導体の脱離反応を行うには塩基の
存在下行うことが好ましく、塩基として例えばピペリジ
ン、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、プロピ
ルアミン、ブチルアミン、トリエチルアミン、ピリジ
ン、ピペリジン、ピロリジン等の有機塩基、ヒドラジ
ン、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等の無機塩基等を挙げることができ
る。この塩基の使用量は、前記一般式(I−a)で表さ
れる1,3−ジオキサン−4−オン誘導体1モルに対し
て1〜2当量用いることができる。
く、溶媒として例えばアセトニトリル、プロピオニトリ
ル等のニトリル類、ジエチルエーテル、ジメトキシエタ
ン(DME)、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエ
ーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素類、酢酸エチル等のエステル類、DMF等のアミ
ド類等を単独又は混合して用いることができる。反応
は、通常−78℃〜200℃で行うことができるが、効
率よく反応を行うには0℃〜80℃で行うことが好まし
い。
b)で表される1,3−ジオキサン−4−オン誘導体と
前記一般式(IV)で表される化合物とを縮合反応に付す
ことにより前記一般式(I−c)で表される1,3−ジ
オキサン−4−オン誘導体を製造するものである。前記
一般式(IV)で表される化合物は、R5 が置換若しくは
無置換の炭素数1〜6の直鎖状、分枝鎖状又は環状のア
ルキル基であり、Xが水酸基又はハロゲン原子で表され
る化合物である。このアルキル基としては、例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基、イソプロピル基、2−ブチル基、t−ブチ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げる
ことができる。又このアルキル基は置換基を有していて
もよく、置換基として例えばフリル基、チエニル基、フ
ェニル基、ピリジル基等の芳香族炭化水素基又は芳香族
複素環基を挙げることができる。さらにXのハロゲン原
子としては、例えば塩素、臭素、ヨウ素等を挙げること
ができる。
式(IV)で表される化合物を用い反応を行うには、例え
ばトリエチルアミン、ピリジン、ピペリジン、ジメチル
アミノピリジン等の有機塩基、ヒドラジン、炭酸ナトリ
ウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム等の無機塩基の存在下に行うこ
とが好ましい。
が好ましく、溶媒を用いる場合には例えばアセトニトリ
ル、プロピオニトリル等のニトリル類、ジエチルエーテ
ル、ジメトキシエタン(DME)、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等のエーテル類等を単独又は混合して用
いることができる。反応は、通常−78〜200℃で行
うことができるが、効率よく反応を行うには0℃〜20
0℃で行うことが好ましい。
(IV)で表される化合物を用い反応を行うには、例えば
Mitsunobu試薬等の縮合試薬の存在下に行うこ
とが好ましい。反応は、前記Xがハロゲン原子の場合と
同じ溶媒、同じ反応温度で行うことができる。以上の反
応により得られた前記一般式(I−c)で表される1,
3−ジオキサン−4−オン誘導体は、アミン化合物を反
応させることにより、2−ナフタミド化合物に誘導する
ことができる(下記参考例参照)。
詳細に説明する。
フト[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン
フトエ酸1g(3.47mmol)のテトラヒドロフラ
ン(30ml)溶液に室温で無水トリフルオロ酢酸0.
54ml(3.82mmol)を加え、50℃で30分
間撹拌した。次いで、ベンジルアルコール376mg
(3.47mmol)を室温で加え、50℃で5時間撹
拌した。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を酢酸エチ
ルで抽出(3回)し、有機層を合わせ飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。残留
物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し9−ア
セトキシ−2−メチル−2−ベンジルオキシ−ナフト
[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン223
mg(収率18%)を得た。
2.47(3H,s),4.82(2H,dd,J=1
1Hz,11Hz),7.18−7.30(5H,
m),7.37−7.50(3H,m),7.83(1
H,d,J=7Hz),8.65(1H,s) 質量分析(EI):m/z 378(M+ ),271,
228,186 融点(℃):155−156
[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン
フトエ酸1g(3.47mmol)のテトラヒドロフラ
ン(30ml)溶液に室温で無水トリフルオロ酢酸0.
54ml(3.82mmol)を加え、50℃で30分
間撹拌した。次いで、フェノール360mg(3.82
mmol)を室温で加え50℃で5時間撹拌した。反応
終了後、溶媒を留去し、残留物を酢酸エチルで抽出(3
回)し、有機層を合わせ飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸
ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。残留物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーに付し9−アセトキシ−2
−メチル−2−フェノキシ−ナフト[2,3−e]−
1,3−ジオキサン−4−オン1.0g(収率79%)
を得た。
2.49(3H,s),7.09−7.18(3H,
m),7.40(1H,dd,J=7Hz,7Hz),
7.47(1H,dd,J=7Hz,7Hz),7.5
1(1H,s),7.85(1H,d,J=7Hz),
8.70(1H,s) 質量分析(EI):m/z 364(M+ ),271,
229,228,187 融点(℃):156−157
[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン
メチル−2−フェノキシ−ナフト[2,3−e]−1,
3−ジオキサン−4−オン100mg(0.27mmo
l)のアセトニトリル10ml溶液に室温でピペリジン
0.03ml(0.3mmol)を加え、15時間撹拌
した。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を酢酸エチル
で抽出(3回)し、有機層を合わせ飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。残留
物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し9−ヒ
ドロキシ−2−メチル−2−フェノキシ−ナフト[2,
3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン78mg(収
率88%)を得た。
26 NMR(δ,CDCl3 ):1.95(3H,s),
5.36(1H,s),6.93(1H,d,J=7H
z),7.10−7.18(3H,m),7.25−
7.35(2H,m),7.54(1H,d,J=7H
z),7.86(1H,s),8.63(1H,s) 質量分析(EI):m/z 322(M+ ),280,
229,186
キシ)−ナフト[2,3−e]−1,3−ジオキサン−
4−オン
キシ−2−メチル−2−フェノキシ−ナフト[2,3−
e]−1,3−ジオキサン−4−オンのテトラヒドロフ
ラン20ml溶液に室温でトリフェニルフォスフィン4
46mg(1.7mmol)、ピリジンメタノール18
0mg(1.65mmol)、ジイソプロピルアザジカ
ルボキシラート0.34ml(1.7mmol)を順次
加え、5時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留去し、残
留物を酢酸エチルで抽出(3回)し、有機層を合わせ飽
和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を
留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーに付し2−メチル−2−フェノキシ−9−(3−ピリ
ジルメトキシ)−ナフト[2,3−e]−1,3−ジオ
キサン−4−オン558mg(収率87%)を得た。
5.27(2H,s),7.02(1H,d,J=7H
z),7.10−7.18(3H,m),7.25−
7.35(2H,m),7.36−7.44(2H,
m),7.87(1H,ddd,J=7Hz,2Hz,
2Hz),7.91(1H,s),8.63(1H,
s),8.66(1H,dd,J=5Hz,2Hz),
8.81(1H,d,J=2Hz) 質量分析(EI):m/z 431(M+ ),371,
320,277,185 融点(℃):171−172
ノ]エチル]−3−ヒドロキシ−5−(3−ピリジルメ
トキシ)−2−ナフタミド
−2−フェノキシ−9−(3−ピリジルメトキシ)ナフ
ト[2,3−e]−1,3−ジオキサン−4−オン22
6mg(0.64mmol)のアセトニトリル10ml
溶液に室温で1−(2−アミノエチル)−4−ベンズヒ
ドリルオキシピペリジン420mg(1.35mmo
l)を加え、7時間加熱還流した。反応終了後、溶媒を
留去し、残留物を酢酸エチルで抽出(3回)し、有機層
を合わせ飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーに付しN−[2−[4−(ベンズヒドリル
オキシ)ピペリジノ]エチル]−3−ヒドロキシ−5−
(3−ピリジルメトキシ)−2−ナフタミド344mg
(収率91%)を得た。
H,m),1.92−2.03(2H,m),2.18
−2.30(2H,m),2.63(2H,t,J=6
Hz),2.81−2.92(2H,m),3.37−
3.57(3H,m),5.23(2H,s),5.5
4(1H,s),6.88(1H,d,J=7Hz),
7.19−7.42(14H,m),7.71(1H,
s),7.89(1H,d,J=7Hz),7.94
(1H,s),8.62(1H,dd,J=6Hz,2
Hz),8.74(1H,d,J=2Hz)
1,3−ジオキサン−4−オン誘導体は、アミン化合物
を反応させることにより、簡便な操作で収率よく2−ナ
フタミド化合物に導くことができる。
Claims (7)
- 【請求項1】 一般式 【化1】 で表わされる1,3−ジオキサン−4−オン誘導体(式
中、R1はフェニル基、アルコキシ基、シアノ基、ニト
ロ基若しくはハロゲン原子で置換したアルキル基、無置
換のアルキル基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基
であり、R2はフェニル基、アルコキシ基、シアノ基、
ニトロ基若しくはハロゲン原子で置換したアルキル基、
又は無置換のアルキル基であり、R3は、低級アルキル
基、フェニル基、ベンジル基若しくはナフチル基で置換
したカルバモイル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、芳
香族炭化水素基若しくは芳香族複素環基で置換したアル
キル基、無置換のアルキル基、水素原子、アシル基又は
アルコキシカルボニル基である。) - 【請求項2】 R2で表されるアルキル基が、フェニル
基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基若しくはハロゲ
ン原子で置換した、直鎖状、分枝鎖状若しくは環状の炭
素数1〜6のアルキル基、又は無置換の直鎖状、分枝鎖
状若しくは環状の炭素数1〜6のアルキル基である請求
項1記載の1,3−ジオキサン−4−オン誘導体。 - 【請求項3】 R1で表されるアルキル基が、フェニル
基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基若しくはハロゲ
ン原子で置換した、直鎖状、分枝鎖状若しくは環状の炭
素数1〜6のアルキル基、又は無置換の直鎖状、分枝鎖
状若しくは環状の炭素数1〜6のアルキル基である請求
項2記載の1,3−ジオキサン−4−オン誘導体。 - 【請求項4】 R1で表わされる芳香族炭化水素基が、
フェニル基又はナフチル基である請求項2記載の1,3
−ジオキサン−4−オン誘導体。 - 【請求項5】 R3が水素原子である請求項3又は4項
のいずれかに記載の1,3−ジオキサン−4−オン誘導
体。 - 【請求項6】 R3がアシル基である請求項3又は4項
のいずれかに記載の1,3−ジオキサン−4−オン誘導
体。 - 【請求項7】 R3が炭素数1〜6のアルコキシ基、芳
香族炭化水素基又は芳香族複素環基で置換した炭素数1
〜6のアルキル基である請求項3又は4項のいずれかに
記載の1,3−ジオキサン−4−オン誘導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12456795A JP3214296B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 1,3−ジオキサン−4−オン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12456795A JP3214296B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 1,3−ジオキサン−4−オン誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08295691A JPH08295691A (ja) | 1996-11-12 |
JP3214296B2 true JP3214296B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=14888684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12456795A Expired - Fee Related JP3214296B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 1,3−ジオキサン−4−オン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3214296B2 (ja) |
-
1995
- 1995-04-26 JP JP12456795A patent/JP3214296B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
J.Chem.Soc.,Perkin Trans.1(1979),(1),pp.36−41 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08295691A (ja) | 1996-11-12 |
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