JP3566938B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、埋め込み酸化膜上のシリコン層(SOI:シリコンSilicon On Insulator以下、SOIと示す)基板を用いた半導体装置の製造方法に関し、表面シリコン層膜厚の異なる素子を同一基板上に形成する際の素子分離方法及び素子活性領域への不純物導入方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
SOI基板を用いた半導体装置において、表面シリコン層膜厚の異なる素子を同一基板上に形成する製造方法が、例えば特開平11−74531に示されている。
【0003】
以下、図14及び図15を用いて、埋め込み酸化膜上の表面シリコン層の膜厚の異なる素子を同一基板上に形成する半導体装置における素子分離形成方法について説明する。
【0004】
表面シリコン層100、埋め込み酸化膜101、支持シリコン基板102より構成されるSOI基板に酸化膜103を10nm形成し、LPCVD法により窒化膜104を100nm形成し、フォトリソグラフィー技術およびドライエッチング技術により表面シリコン層の薄い素子領域Bの窒化膜104を除去する。表面シリコン層100の初期膜厚は115nmである(図14(1)参照)。
【0005】
次に、熱酸化を135nm行い、選択的に表面シリコン層100の薄い素子領域Bに酸化膜105を形成する(図14(2)参照)。
【0006】
次に、熱リン酸と5%HF液により窒化膜104、酸化膜103、105を除去する。従って、素子活性領域Aの表面シリコン層100の膜厚は110nm、素子活性領域Bの表面シリコン層100の膜厚は60nmになる(図14(3)参照)。
【0007】
その後、熱酸化法により酸化膜106を10nm形成しLPCVD法により窒化膜107を100nm形成し、フォトリソグラフィー技術及びドライエッチング技術により素子分離領域A−c、B−cの窒化膜107を除去する(図14(4)参照)。
【0008】
続いて、熱酸化を260nm行い、素子分離としての酸化膜108を形成する(図14(5)参照)。
【0009】
次に、熱リン酸により窒化膜107を除去した後、NMOS活性領域A−a、B−aにフォトリソグラフィー技術及びイオン注入技術によりN型不純物を導入し、熱処理(処理温度950度、処理時間30分)を行うことにより不純物を活性化する。ここにおいて、必要に応じて、表面シリコン層の厚い素子と表面シリコン層の薄い素子でフォトリソグラフィー工程およびイオン注入工程を各々行いイオン注入の深さや不純物濃度を変えても構わない(図15(1)参照)。
【0010】
最後に、周知の半導体製造プロセス技術を用いて各々の厚さを有する表面シリコン層に素子を形成する。
【0011】
ここでは、表面シリコン層の厚い素子は完全空乏型素子として、表面シリコン層の薄い素子を部分空乏型素子として動作する(図15(2)参照)。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した製造方法によると、埋め込み酸化膜上に厚いシリコン層及び薄いシリコン層を形成した後に、窒化膜をマスク材として選択酸化を行い素子分離絶縁膜を形成しているので、各々のシリコン層に形成される素子分離絶縁膜は同時に形成されるため、表面シリコン層の薄い素子の分離領域が過剰に酸化されてしまう。
【0013】
例えば、表面シリコン層の厚い素子及び表面シリコン層の薄い素子の表面シリコン層の膜厚が各100nm、50nmの場合、表面シリコン層の薄い素子の素子分離に必要な酸化量は150nmであるが260nmの酸化を行うこととなる。そのことにより、シリコン層の反り(薄いシリコン層の方は先にシリコン層がなくなるため過剰な酸化を行った場合には縦方向へは酸化膜は形成されないが、横方向の酸化が増えるため、反りが生じる)が大きくなり、結晶欠陥が増加し、素子の製造歩留まりが悪くなるとともにp−n接合リーク電流が増加による素子のオフ電流が増加してしまうという問題が生じてしまう。
【0014】
また、バーズビークが大きくなることにより、分離面積の増大化につながり、素子の微細化が困難であるという問題が生じてしまう。
【0015】
さらに、素子分離絶縁膜をゲート酸化膜とした寄生トランジスタが形成されやすくなり、素子内で異電位がかかった場合にそこに電流が流れてしまい、スタンバイ電流の増加の原因となってしまう。
【0016】
この対策としては、薄いシリコン層に形成される素子間を分離する絶縁膜の膜厚を素子分離に最適な値とすることも考えられるが、厚いシリコン層に形成する素子間の分離が不可能である。
【0017】
さらに、チャネル領域に導入される不純物が、バーズビークに吸い込まれてしまい、素子のチャネル領域端部付近においては不純物濃度が低下してしまうため、バーズビークによる寄生トランジスタが形成されやすくなり、所望の素子特性を示さずに閾値特性にハンプ現象が生じてしまい、結果として素子のオフ電流が大きくなり、スタンバイ電流を増加してしまうという問題が生じてしまう。
【0018】
この対策としては、特開平6−204334に示されるように、素子分離形成時の窒化膜をマスク材とし、不純物の注入をチャネル領域端部に選択的に行い、不純物の低下を補償するという技術があるが、工程数増加によるコスト高および製造歩留まりの低下という問題が生じてしまう。
【0019】
そこで、本発明は、SOI基板上に表面シリコン層膜厚の異なる素子を形成する半導体装置の製造方法において、製造工程数を増加することなく、さらに良好な素子分離の形成を実現することによりスタンバイ電流を低減することを可能とする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する為に、本発明は、埋め込み酸化膜上に厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層とを有する半導体装置の製造方法において、SOI基板上に第1の酸化膜を形成し、その上に第1の窒化膜を形成する工程と、前記第1の窒化膜を厚い表面シリコン層における素子形成領域を規定すると同時に表面シリコン層の薄い領域を規定するようにパターニングする工程と、前記第1の窒化膜をマスク材として選択熱酸化により第2の酸化膜を形成する工程と、前記第1の窒化膜及び前記第2の酸化膜を除去する工程と、前記基板上に第3の酸化膜を形成し、素子形成領域に第2の窒化膜を形成する工程と、前記第2の窒化膜をマスク材として選択熱酸化により厚い表面シリコン層及び薄い表面シリコン層に形成される素子を分離する絶縁膜を同時に形成する工程と、前記第2の窒化膜を除去し、厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層に不純物を注入する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【0021】
また、埋め込み酸化膜上に厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層とを有する半導体装置の製造方法において、SOI基板上に第1の酸化膜を形成し、その上に第1の窒化膜を堆積する工程と、前記第1の窒化膜を厚い表面シリコン層における素子形成領域を規定すると同時に表面シリコン層の薄い領域を規定するようにパターニングする工程と、前記第1の窒化膜をマスク材として選択熱酸化により第2の酸化膜を形成する工程と、前記第2の酸化膜を除去した後、さらに露出したシリコン層を選択的に酸化し第3の酸化膜を形成する工程と、前記基板上に第2の窒化膜を堆積する工程と、前記第2の窒化膜をパターニングした後、厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層に形成する素子を分離する絶縁膜を同時に形成する工程と、前記第2の窒化膜を除去し、厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層に不純物を注入する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【0022】
また、埋め込み酸化膜上に厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層とを有する半導体装置の製造方法において、SOI基板を構成する埋め込み酸化膜上のシリコン層を、厚いシリコン層と薄いシリコン層とにパターニングすると同時に厚い表面シリコン層における素子を分離する領域を前記薄い表面シリコン層と同程度の膜厚となるようにパターニングする工程と、前記基板上に第1の酸化膜を形成した後に、素子形成領域に窒化膜を堆積する工程と、前記窒化膜をマスク材として選択熱酸化により厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層における素子を分離する絶縁膜を同時に形成する工程と、前記窒化膜を除去し、厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層に不純物を注入する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【0023】
また、埋め込み酸化膜上に厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層とを有する半導体装置の製造方法において、SOI基板を構成する埋め込み酸化膜上のシリコン層を、厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層とにパターニングすると同時に厚い表面シリコン層における素子を分離する領域を薄い表面シリコン層と同程度の膜厚となるようにパターニングする工程と、前記厚い表面シリコン層における素子形成領域に第1の酸化膜及び第1の窒化膜を形成する工程と、さらに露出しているシリコン層を酸化する工程と、前記基板上に第2の窒化膜を形成する工程と、素子形成領域上以外の窒化膜を除去する工程と、前記第1の窒化膜又は前記第2の窒化膜をマスク材として選択熱酸化により厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層における素子を分離する絶縁膜を同時に形成する工程と、前記第1の窒化膜及び前記第2の窒化膜を除去し、厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層に不純物を注入する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【0024】
また、埋め込み酸化膜上に厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層とを有する半導体装置の製造方法において、SOI基板上に第1の酸化膜を形成し、その上に第1の窒化膜を形成する工程と、前記第1の窒化膜を厚い表面シリコン層における素子形成領域を規定すると同時に表面シリコン層の薄い領域を規定するようにパターニングする工程と、前記第1の窒化膜をマスク材として選択熱酸化により第2の酸化膜を形成する工程と、前記第2の酸化膜を除去した後、選択的に不純物を導入する工程と、さらに露出したシリコン層を選択的に酸化し第3の酸化膜を形成する工程と、前記基板上全面に第2の窒化膜を堆積する工程と、前記第2の窒化膜をパターニングした後、厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層における素子を分離する絶縁膜を同時に形成する工程と、前記第2の窒化膜を除去し、表面シリコン層に不純物を注入する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【0025】
上述した方法によると、表面シリコン層の厚い素子と表面シリコン層の薄い素子に形成する素子分離形成前の表面シリコン層の膜厚がほぼ同じであるため、素子分離形成の際の酸化量は各々の表面シリコン層に対して最適な量とすることが可能となる。
【0026】
そのため、シリコン層の反りによる結晶欠陥が発生しないので、素子の製造歩留まりが向上し、さらにp−n接合リーク電流が減少し、スタンバイ電流の低減が可能となる。
【0027】
また、バーズビークが減少するので、素子の分離面積が減少し、素子の微細化が可能となるとともにバーズビークによる寄生トランジスタが形成されにくくなり、スタンバイ電流の低減が可能となる。
【0028】
さらに、必要以上の膜厚が形成されることによる、素子分離絶縁膜をゲート酸化膜とした寄生トランジスタが形成されにくくなり、スタンバイ電流の低減が可能となる。
【0029】
また、厚い表面シリコン層における素子を分離する領域と薄い表面シリコン層領域を同一の窒化膜により規定しているため、自己整合的に行うことができ、さらには分離面積を増大することがない。
【0030】
また、前記第2の窒化膜をパターニングする際において、厚い表面シリコン層における素子形成領域を規定している前記第1の窒化膜にフォトレジストパターンを残すことを特徴とした半導体装置の製造方法である。
【0031】
この方法によると、第1の窒化膜の膜減り、パターニング時におけるエッチングの終点検出の誤動作を防止することが可能となる。
【0032】
また、前記フォトレジストパターンは厚い表面シリコン層における素子領域を規定している前記第1の窒化膜よりも内側に形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【0033】
この方法によると、第1の窒化膜の膜減りがパターン周辺部のみに限定され第2の窒化膜のエッチング終了時における第1の窒化膜の露出を最小限に抑えることが可能となり、より終点検出の精度の向上が可能となる。
【0034】
また、前記第1の窒化膜をマスク材として薄い表面シリコン層の素子形成領域に不純物を導入すると同時に厚い表面シリコン層における素子を分離する領域及び素子形成領域端部にも不純物を導入することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【0035】
この方法によると、表面シリコン層の薄い素子のチャネル領域への不純物注入と表面シリコン層の厚い素子のチャネル領域の端部への不純物注入を同時に行うことができるので、フォトリソグラフィー工程及び不純物注入工程を増加することなく表面シリコン層の厚い素子領域の端部にい選択的に不純物を導入することができるので、狭チャネル効果により閾値電圧の低下を抑えることが可能となる。
【0036】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【0037】
尚、図面はこの発明が理解できる程度に、各構成成分の寸法、形状および配設位置を概略的に示しているにすぎない。又、以下の説明では、特定の材料および特性の数値的条件を挙げて説明するが、これら材料および条件は単なる好適例にすぎず、従ってこれらに何ら限定されるものではない。
(実施形態1)
図1は本発明の製造方法を経時的に示す摸式断面図である。表面シリコン層1、埋め込み酸化膜2、支持シリコン基板3から構成されるSOI基板に、熱酸化法により酸化膜4を10nm形成し、LPCVD法により窒化膜5は100nm形成し、フォトリソグラフィー技術およびドライエッチング技術を用い表面シリコン層1の薄い素子領域Bおよび表面シリコン層の厚い素子間分離領域A−cの窒化膜5を除去する。表面シリコン層1の初期膜厚は115nmである(図1(1)参照)。
【0038】
続いて、熱酸化を135nm行い、選択的に表面シリコン層1の薄い素子領域B及び表面シリコン層1の厚い素子間分離領域A−cに酸化膜6を形成する(図1(2)参照)。
【0039】
その後、熱リン酸と5%HF液により窒化膜5、酸化膜4,6を除去する。よって、素子形成領域A−a、A−bの表面シリコン層1の膜厚は110nm、表面シリコン層の薄い素子領域B及び素子間分離領域A−cの表面シリコン層1の膜厚は60nmになる(図1(3)参照)。
【0040】
次に、熱酸化法により酸化膜7を10nm形成し、LPCVD法により窒化膜8を100nm形成し、フォトリソグラフィー技術およびドライエッチング技術により素子間分離領域A−c、B−cの窒化膜8を除去する(第1図(4)参照)。
【0041】
続いて、熱酸化法を150nm行い、素子分離の酸化膜9を形成する。従来法の260nmに比べ酸化量は大きく減り、表面シリコン層1の薄い素子のオーバーロコス量は135nmから25nmへと減少する(図2(1)参照)。
【0042】
熱リン酸により窒化膜を8を除去した後、素子形成領域A−a、B−aにフォトリソグラフィー技術及びイオン注入法によりP型不純物を導入し、続いて素子形成領域A−b、B−bにフォトリソグラフィー技術およびイオン注入法によりN型不純物を導入し、処理温度が950℃、処理時間30分の熱処理を行い不純物を活性化させる。ここにおいて、表面シリコン層の厚い素子と薄い素子でフォトリソグラフィー、イオン注入を別工程とし注入深さ、不純物濃度を必要に応じて変えても構わない(図2(2)参照)。
【0043】
この後、周知のSOI素子のプロセス工程により表面シリコン層1の厚い素子と薄い素子を形成する。この段階では表面シリコン層の厚さは部分空乏素子が100nm、完全空乏素子が50nmである(図2(3)参照)。
【0044】
なお、上述においては素子の表面シリコン層の膜厚は2水準であるが、それ以上に対しても第1図の(1)から(3)を繰り返し行うことにより対応することが可能となる。
(実施形態2)
図3は本発明の別の実施形態である製造工程を経時的に示す概略断面図である。表面シリコン層20、埋め込み酸化膜21、支持シリコン基板22から構成されるSOI基板に、熱酸化法により酸化膜23を10nm形成し、LPCVD法により窒化膜24は100nm形成し、フォトリソグラフィー技術およびドライエッチング技術により表面シリコン層の薄い素子領域Bおよび素子間分離領域A−cの窒化膜24を除去する。表面シリコン層20の初期膜厚は115nmである(図3(1)参照)。
【0045】
次に、熱酸化を135nm行い、選択的に表面シリコン層の薄い素子領域B及び素子間分離領域A−cに酸化膜25を形成する(図3(2)参照)。
【0046】
次に、5%HF液により酸化膜25を除去する。よって、素子形成領域A−a、A−bの表面シリコン層20の膜厚は110nm、表面シリコン層の薄い素子領域B及び素子間分離領域A−cの表面シリコン層の膜厚は60nmとなる(図3(3)参照)。
【0047】
その後、熱酸化法により酸化膜26を10nm形成し、LPCVD法により窒化膜27を100nm形成し、フォトリソグラフィー技術を用いて素子形成領域A−a、A−b、B−a、B−bにフォトレジストパターン28を形成する。その際、素子形成領域A−a、A−bには図3(1)で形成したパターンの内側にフォトレジストパターン28を形成する。従って、分離パターンエッジは図3(1)で形成したパターンにより決定される(図3(4)参照)。
【0048】
素子形成領域A−a、A−bにはフォトパターンはなくても構わない。図5(1)にフォトパターンがない場合のフォト後の概略断面図を、図5(2)にはにエッチング後の概略断面図が示されている。
【0049】
次に、ドライエッチング法により素子間分離領域A−c、B−cの窒化膜27を除去する(図4(1)参照)。
【0050】
続いて、フォトレジスト28を除去した後、熱酸化を150nm程度行い、素子分離の酸化膜29を形成する。従来法の260nmに比べ酸化量は大きく減り、表面シリコン層20の薄い素子のオーバーロコス量は従来法の135nmから25nmへと減少している(図4(2)参照)。
【0051】
次に、熱リン酸により窒化膜24、27を除去した後、素子形成領域A−a、B−aにフォトリソグラフィー技術及びイオン注入法によりN型不純物を導入し、続いて素子形成領域A−b、B−bにフォトリソグラフィー技術及びイオン注入法によりN型不純物を導入し、950℃の温度で時間30分の熱処理を行い不純物を活性化させる。必要に応じては表面シリコン層20の厚い素子と表面シリコン層20の薄い素子でフォトリソグラフィー技術およびイオン注入を別々で行うことによりイオン注入の深さや不純物濃度を変えても構わない(図4(3)参照)。この後、通常のSOI素子のプロセス工程により表面シリコン層20の厚い素子と薄い素子を形成する。ここでは、部分空乏素子の表面シリコン層20の厚さは100nmで、完全空乏素子の表面シリコン層20の厚さは50nmである(図4(4)参照)。
【0052】
本実施形態では素子の表面シリコン層の膜厚は2水準としているが、それ以上の水準としても図3(1)から(3)を繰り返し行うことにより対応することができる。
(実施形態3)
図6は本発明の別の実施形態である製造工程の概略断面図である。110nmの膜厚を有する表面シリコン層30、埋め込み酸化膜31、支持シリコン基板32から構成されるSOI基板において、フォトリソグラフィー技術及びドライエッチング技術により表面シリコン層の薄い素子領域B及び素子間分離領域A−cの表面シリコン層30の膜厚を60nmとなるように薄膜化する。ここにおいて、エッチング法はドライエッチングに限らずウエットエッチング法を用いても構わない(図6(1)参照)。
【0053】
その後、熱酸化法により酸化膜33を10nm形成し、LPCVD法により窒化膜34は100nm形成し、フォトリソグラフィー技術およびドライエッチング技術により素子間分離領域A−c及びB−cの窒化膜34を除去する(図6(2)参照)。
【0054】
次に、熱酸化を150nm行い、素子分離の酸化膜35を形成する。ここにおいては、従来法の酸化量の260nmに比べて大きく減り、表面シリコン層30の薄い素子のオーバーロコス量は従来法の135nmから25nmへと減少している(図6(3)参照)。
【0055】
次に、熱リン酸により窒化膜34を除去した後、素子形成領域A−a、B−aにフォトリソグラフィー法及びイオン注入法によりN型不純物濃度を導入し、950℃の温度で時間30分の熱処理を行い不純物の活性化を行う。ここにおいて、必要に応じては表面シリコン層30の厚い素子と薄い素子とでフォトリソグラフィー工程及びイオン注入工程を各々行いイオン注入の深さや不純物濃度を変えるようにしても構わない(図6(4)参照)。
【0056】
この後、通常のSOI素子のプロセス工程により表面シリコン層30の厚い素子と薄い素子を形成する。ここにおける表面シリコン層30の厚さは部分型空乏素子では100nm、完全空乏型素子では50nmである。
【0057】
本実施形態では素子の表面シリコン層の膜厚は2水準としているが、それ以上の水準としても図6(1)を繰り返し行うことにより対応することができる。
(実施形態4)
図7は本発明の別の実施形態である製造工程の概略断面図である。115nmの膜厚を有する表面シリコン層40、埋め込み酸化膜41、支持シリコン基板42から構成されるSOI基板において、熱酸化法により酸化膜43を10nm形成し、さらにLPCVD法により窒化膜44を100nm堆積する。その後、フォトリソグラフィー技術及びドライエッチング技術により表面シリコン層の薄い素子領域B及び素子間分離領域A−cの窒化膜44と酸化膜43を除去するとともに表面シリコン層40を60nmへと薄膜化する。ここにおいて、エッチング法はドライエッチング技術に限らずウェットエッチング技術を用いても構わない(図7(1)参照)。
【0058】
その後、熱酸化法により酸化膜45を10nm堆積し、LPCVD法により窒化膜46を100nm堆積し、フォトリソグラフィー技術により素子形成領域B−a、B−bにフォトレジストパターン47を形成する。その際には、素子形成領域A−a、A−bにおけるフォトレジストパターン47は窒化膜44の内側に形成する。これは窒化膜46をエッチングする際には窒化膜44もエッチングされることを防止するためである。このことより分離パターンエッジは図7(1)で形成したパターンにより決定される(図7(2)参照)。
【0059】
なお、素子形成領域A−a、A−bにはフォトレジストパターン47はなくても構わない。この場合の工程断面図を図9図((1)フォト後、(2)エッチング処理後)に示している。
【0060】
次に、ドライエッチング法により素子間分離領域A−c、B−cの窒化膜46を除去する(図7(3)参照)。
【0061】
さらに、フォトレジストパターン47を除去した後、熱酸化を150nm行い、素子分離としての酸化膜48を形成する。ここにおいては、従来法の酸化量の260nmに比べ大きく減り、表面シリコン層40の薄い素子のオーバーロコス量は従来法の135nmから25nmへと減少している(図8(1)参照)。
【0062】
次に、熱リン酸により窒化膜44、46を除去した後、素子形成領域A−a、B−aにフォトリソグラフィー技術およびイオン注入技術によりP型不純物を導入し、続いて素子形成領域A−b、B−bにフォトリソグラフィー技術およびイオン注入技術によりN型不純物を導入し、950℃、30分の熱処理を行い不純物の活性化処理を施す。ここにおいて、必要に応じて表面シリコン層40の厚い素子と薄い素子でのフォトリソグラフィー工程、イオン注入工程をそれぞれ行いイオン注入の深さや不純物濃度を変えても構わない。
【0063】
この後、通常のSOI素子のプロセス工程により表面シリコン層40の厚い素子と薄い素子を形成する。ここにおける表面シリコン層30の厚さは部分空乏型素子では100nm、完全空乏型素子では50nmである。
【0064】
本実施形態では素子の表面シリコン層の膜厚は2水準としているが、それ以上の水準としても図7(1)を繰り返し行うことにより対応することができる。
(実施形態5)
図10は本発明の別の実施形態である製造工程の概略断面図である。115nmの膜厚を有する表面シリコン層50、埋め込み酸化膜51、支持シリコン基板52から構成されるSOI基板において、熱酸化法により酸化膜53を10nm形成し、さらにLPCVD法により窒化膜54を100nm形成する。。その後、フォトリソグラフィー技術及びドライエッチング技術により表面シリコン層の薄い素子領域B及び素子間分離領域A−cの窒化膜54を除去する。
【0065】
次に、熱酸化を135nm行い、選択的に素子間分離領域A―c及び表面シリコン層の厚い素子領域Bの表面シリコン層50が酸化されて酸化膜55が形成される(図10(2)参照)。
【0066】
次に、5%HF液により酸化膜55を除去する。よって、素子形成領域A−a、A−bの表面シリコン層50の膜厚は110nm、表面シリコン層の薄い素子領域B、素子間分離領域A−cの表面シリコン層の膜厚は60nmとなる(図10(3)参照)。
【0067】
次に、フォトリソグラフィー技術により素子形成領域A−a、B−aを開口し、イオン注入を行う。ここにおいて、イオン注入は斜め注入法を用いるのがよい。これにより、表面シリコン層50の薄いNMOS素子のチャネル領域の不純物濃度が決定され、同時に表面シリコン層の厚いNMOS素子にはチャネル領域エッジ部のみ選択的に不純物が導入される(図10(4)参照)。
【0068】
次に、フォトレジストパターン60を除去した後、フォトリソグラフィー技術を用いて素子形成領域A−b、B−bを開口し、イオン注入を行う。ここでも、イオン注入は斜め注入法を用いる方がよい。これにより、表面シリコン層50の薄いPMOS素子のチャネル領域の不純物濃度が決定され、同時に表面シリコン層50の厚いPMOS素子にはチャネル領域エッジ部のみ選択的に不純物が導入される(図11(1)参照)。
【0069】
次に、フォトレジストパターン56を除去した後、熱酸化法により酸化膜57を10nm形成し、LPCVD法により窒化膜58を100nm形成し、フォトリソグラフィー技術により素子形成領域A−a、A−b、B−a、B−bにフォトレジストパターン59を形成する。その際、素子形成領域A−a、A−bにおけるフォトレジストパターン59は窒化膜54のパターンの内側に形成することにより、分離パターンエッジは図10(1)で形成されたパターンにより決定されることとなる(図11(2)参照)。
【0070】
なお、表面シリコン層50の厚い素子の素子形成領域A−a、A−bにはフォトレジストパターン59はなくても構わない。この場合の工程断面図を図13図((1)フォト後、(2)エッチング処理後)に示している。
【0071】
続いて、ドライエッチング技術により素子間分離領域A―c、B−cの窒化膜58を除去する(図11(3)参照)。
【0072】
次に、フォトレジスト59を除去した後、熱酸化法を150nm行い素子分離としての酸化膜59を形成する。ここにおいては、従来法の酸化量の260nmに比べ大きく減り、表面シリコン層50の薄い素子のオーバーロコス量は従来法の135nmから25nmへと減少している(図12(1)参照)。
【0073】
次に、熱リン酸により窒化膜54、58を除去した後、素子形成領域A−aにフォトリソグラフィー技術およびイオン注入技術によりP型不純物を導入し、続いて素子形成領域A−bにフォトリソグラフィー技術およびイオン注入技術によりN型不純物を導入し、950℃、30分の熱処理を行い不純物の活性化処理を施す(図12(2)参照)。
【0074】
この後、通常のSOI素子のプロセス工程により表面シリコン層50の厚い素子と薄い素子を形成する。ここにおける表面シリコン層50の厚さは部分空乏型素子では100nm、完全空乏型素子では50nmである(図12(3)参照)。
【0075】
本実施形態では素子の表面シリコン層の膜厚は2水準としているが、それ以上の水準としても図10(1)から(3)を繰り返し行うことにより対応することができる。
(実験結果)
図16及び図17には本発明及び従来法を用いて製造した表面シリコン層の薄い素子のソース/ドレイン間の耐圧歩留まりが示されている。図16はNMOSトランジスタで、図17はPMOSトランジスタのものが示されている。
【0076】
評価対象は、ゲート長0.35μm、ゲート幅1μmのトランジスタ素子が1万個から100万個並列接続されたものであり、評価方法は、ソース/ドレイン間に1.5V印加した際において、ソース/ドレイン間の電流値が10−9アンペア/μm以下を良品とする。
【0077】
NMOSトランジスタ、PMOSトランジスタともに従来法においては10万個以上のトランジスタを並列接続したものにおいて耐圧歩留まりの劣化が観測されるが、本発明を実施すると100万個並列接続のトランジスタでも耐圧歩留まりの劣化は観測されない。
【0078】
また、良品トランジスタのソース/ドレイン間の電流値も従来法に比べ、NMOSでは1桁低下しており寄生トランジスタは抑制され、オフ電流は低減されている。
【0079】
さらに、本発明の実施形態5及び従来法(図14,15においてチャネル領域エッジに不純物が注入されていない場合)で製造した表面シリコン層の厚い素子のしき値電圧のゲート幅依存性が図18及び図19に示されている。なお、ゲート長は0.35μmで、図18にはNMOSトランジスタが、図19にはPMOSトランジスタが対象となっている。さらに、従来法の活性領域のイオン注入は表面シリコン層の厚い素子と薄い素子で別々に行っており、表面シリコン層の厚い素子のイオン注入及び熱処理の条件は実施形態5と同じである。
【0080】
図18及び図19より本発明を実施して製造したトランジスタは従来法により製造したトランジスタに比べ狭チャネルでのしきい値電圧低下が改善されていることが分かる。
【0081】
【発明の効果】
本発明によると、表面シリコン層の厚い素子と薄い素子の分離領域の表面シリコン層膜厚が同じであるため素子分離の際の酸化量が両者に対して適切な量となるため、結晶欠陥が発生せず、LSIの歩留まりが向上し、スタンバイリークが低減することが可能となる。
【0082】
また、バーズビークが増大しないので、素子の微細化が可能となるとともにバーズビークによる寄生トランジスタも形成されにくくなるので、スタンバイ電流を低減することが可能となる。
【0083】
また、表面シリコン層の厚い素子の素子分離絶縁膜がSOI基板の埋め込み酸化膜まで達している為、表面シリコン層の厚い素子も完全に分離される。
【0084】
また、表面シリコン層の厚い素子の分離領域表面シリコン層の薄膜化と素子分離を同一の窒化膜をマスク材として行うため、自己整合的に行うことができ、分離面積の増大化を防止できる。
【0085】
さらに、表面シリコン層の薄い素子の活性領域を規定する第2の窒化膜をパターニングのオーバーエッチの際、表面シリコン層の厚い素子の活性領域を規定している第1の窒化膜パターンが露出することに起因する第1の窒化膜の膜減りを防止することができる。
【0086】
また、第2の窒化膜エッチング終了後も第1の窒化膜が露出していることによるエッチング終点検出の誤動作を防止すること可能となる。
【0087】
さらに、第1の窒化膜の膜減りはパターン周辺部のみに限定され第2の窒化膜エッチング終了後の第1の窒化膜の露出は最小限に抑えられ、終点検出の誤動作を防止することが可能となる。
【0088】
また、表面シリコン層の薄い素子のチャネル領域へのイオン注入と表面シリコン層の厚い素子のチャネル領域エッジ部へのイオン注入を兼ねて行うため、フォトリソグラフィー、イオン注入工程数の増加なしに表面シリコン層の厚い素子の活性領域のエッジ部に選択的に不純物の導入が可能となるため、狭チャネルでの閾値電圧の低下を抑えることが可能となる。
【0089】
また、本発明の方法によると、同一SOI基板上において、完全空乏型のトランジスタと部分空乏型のトランジスタ各々の素子分離を同時に行うことが可能となるため、フォト工程を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1を示す製造工程の概略断面図である。
【図2】本発明の実施形態1を示す製造工程の概略断面図である。
【図3】本発明の実施形態2を示す製造工程の概略断面図である。
【図4】本発明の実施形態2を示す製造工程の概略断面図である。
【図5】本発明の実施形態2を示す製造工程の概略断面図である。
【図6】本発明の実施形態3を示す製造工程の概略断面図である。
【図7】本発明の実施形態4を示す製造工程の概略断面図である。
【図8】本発明の実施形態4を示す製造工程の概略断面図である。
【図9】本発明の実施形態4を示す製造工程の概略断面図である。
【図10】本発明の実施形態5を示す製造工程の概略断面図である。
【図11】本発明の実施形態5を示す製造工程の概略断面図である。
【図12】本発明の実施形態5を示す製造工程の概略断面図である。
【図13】本発明の実施形態5を示す製造工程の概略断面図である。
【図14】従来技術の製造工程の概略断面図である。
【図15】従来技術の製造工程の概略断面図である。
【図16】本発明の効果を示す図である。
【図17】本発明の効果を示す図である。
【図18】本発明の効果を示す図である。
【図19】本発明の効果を示す図である。
【符号の説明】
1、20、30、40、50 表面シリコン層
2、21、31、41、51 埋め込み酸化膜
3、22、32、42、52 支持シリコン基板
4、23、33、43、53 酸化膜
5、24、34、44、54 窒化膜
6、25、35、45、55 酸化膜
7、26、57 酸化膜
8、46、58 窒化膜
9 酸化膜
10 ゲート酸化膜
11、12、13、14 ゲート電極
15、16、17、18 ソース/ドレイン
19 サイドウォール
28、59、60 フォトレジストパターン
A 表面シリコン層の厚い素子領域
B 表面シリコン層の薄い素子領域
A−a、A−b、B−a、B−b 素子形成領域
A−c、B−c 素子間分離領域
Claims (8)
- 埋め込み酸化膜上に厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層とを有する半導体装置の製造方法において、
SOI基板上に第1の酸化膜を形成し、その上に第1の窒化膜を形成する工程と、
前記第1の窒化膜を厚い表面シリコン層における素子形成領域を規定すると同時に表面シリコン層の薄い領域を規定するようにパターニングする工程と、
前記第1の窒化膜をマスク材として選択熱酸化により第2の酸化膜を形成する工程と、
前記第1の窒化膜及び前記第2の酸化膜を除去する工程と、
前記基板上に第3の酸化膜を形成し、素子形成領域に第2の窒化膜を形成する工程と、
前記第2の窒化膜をマスク材として選択熱酸化により厚い表面シリコン層及び薄い表面シリコン層に形成される素子を分離する絶縁膜を同時に形成する工程と、
前記第2の窒化膜を除去し、厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層に不純物を注入する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 埋め込み酸化膜上に厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層とを有する半導体装置の製造方法において、
SOI基板上に第1の酸化膜を形成し、その上に第1の窒化膜を堆積する工程と、
前記第1の窒化膜を厚い表面シリコン層における素子形成領域を規定すると同時に表面シリコン層の薄い領域を規定するようにパターニングする工程と、
前記第1の窒化膜をマスク材として選択熱酸化により第2の酸化膜を形成する工程と、
前記第2の酸化膜を除去した後、さらに露出したシリコン層を選択的に酸化し第3の酸化膜を形成する工程と、
前記基板上に第2の窒化膜を堆積する工程と、
前記第2の窒化膜をパターニングした後、厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層に形成する素子を分離する絶縁膜を同時に形成する工程と、
前記第2の窒化膜を除去し、厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層に不純物を注入する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 埋め込み酸化膜上に厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層とを有する半導体装置の製造方法において、
SOI基板を構成する埋め込み酸化膜上のシリコン層を、厚いシリコン層と薄いシリコン層とにパターニングすると同時に厚い表面シリコン層における素子を分離する領域を前記薄い表面シリコン層と同程度の膜厚となるようにパターニングする工程と、
前記基板上に第1の酸化膜を形成した後に、素子形成領域に窒化膜を堆積する工程と、
前記窒化膜をマスク材として選択熱酸化により厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層における素子を分離する絶縁膜を同時に形成する工程と、
前記窒化膜を除去し、厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層に不純物を注入する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 埋め込み酸化膜上に厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層とを有する半導体装置の製造方法において、
SOI基板を構成する埋め込み酸化膜上のシリコン層を、厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層とにパターニングすると同時に厚い表面シリコン層における素子を分離する領域を薄い表面シリコン層と同程度の膜厚となるようにパターニングする工程と、
前記厚い表面シリコン層における素子形成領域に第1の酸化膜及び第1の窒化膜を形成する工程と、
さらに露出しているシリコン層を酸化する工程と、
前記基板上に第2の窒化膜を形成する工程と、
素子形成領域上以外の窒化膜を除去する工程と、
前記第1の窒化膜又は前記第2の窒化膜をマスク材として選択熱酸化により厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層における素子を分離する絶縁膜を同時に形成する工程と、
前記第1の窒化膜及び前記第2の窒化膜を除去し、厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層に不純物を注入する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 埋め込み酸化膜上に厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層とを有する半導体装置の製造方法において、
SOI基板上に第1の酸化膜を形成し、その上に第1の窒化膜を形成する工程と、
前記第1の窒化膜を厚い表面シリコン層における素子形成領域を規定すると同時に表面シリコン層の薄い領域を規定するようにパターニングする工程と、
前記第1の窒化膜をマスク材として選択熱酸化により第2の酸化膜を形成する工程と、
前記第2の酸化膜を除去した後、選択的に不純物を導入する工程と、
さらに露出したシリコン層を選択的に酸化し第3の酸化膜を形成する工程と、
前記基板上全面に第2の窒化膜を堆積する工程と、
前記第2の窒化膜をパターニングした後、厚い表面シリコン層と薄い表面シリコン層における素子を分離する絶縁膜を同時に形成する工程と、
前記第2の窒化膜を除去し、表面シリコン層に不純物を注入する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の窒化膜をパターニングする際において、厚い表面シリコン層における素子形成領域を規定している前記第1の窒化膜にフォトレジストパターンを残すことを特徴とした請求項1、2、4又は5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フォトレジストパターンは厚い表面シリコン層における素子領域を規定している前記第1の窒化膜よりも内側に形成されることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の窒化膜をマスク材として薄い表面シリコン層の素子形成領域に不純物を導入すると同時に厚い表面シリコン層における素子を分離する領域及び素子形成領域端部にも不純物を導入することを特徴とする請求項1、2、4、5、6又は7記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001086771A JP3566938B2 (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002289684A JP2002289684A (ja) | 2002-10-04 |
JP3566938B2 true JP3566938B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=18942101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001086771A Expired - Fee Related JP3566938B2 (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3566938B2 (ja) |
-
2001
- 2001-03-26 JP JP2001086771A patent/JP3566938B2/ja not_active Expired - Fee Related
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