JP3555820B2 - バイポーラトランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はバイポーラトランジスタを含む集積回路装置およびその製造方法に係わり、特に低電力高速動作に好適なデジタルICおよびアナログICに関する。
【0002】
【従来の技術】
本発明に関連する従来技術については、特開昭63−289863号公報に記載されており、この従来のバイポーラトランジスタを図7によって説明する。本図は従来のバイポーラトランジスタの主要部分の縦断面構造を示したものである。本図において符号3はn型シリコン層、5はSiO2膜、6はSi3N4膜、8はp型多結晶シリコン膜、10はSiO2膜、12はp型単結晶SiGe膜、13はp型多結晶SiGe膜、14はn+型拡散層、15はSiO2膜、16はSi3N4膜、17はn型多結晶シリコン膜である。n型シリコンコレクタ層3上に、エミッタ用開口部が形成されたSiO2膜10、p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜8、Si3N4膜6、SiO2膜5の4層膜を有し、かつその開口部内のn型半導体コレクタ層上にp型単結晶SiGe膜12、p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜側面にp型多結晶SiGe膜13がそれぞれ形成され、かつその開口部側壁のさらに内側にSiO2膜15とSi3N4膜16が形成されされている。その開口部は、n型多結晶シリコン膜17が埋め込まれエミッタとなっている。このバイポーラトランジスタでは、開口部側壁の前記p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜8の側面とそこに形成した前記p型多結晶SiGe膜13の上方のSi3N4膜16側壁表面との間隔aと、前記p型SiGe膜13側壁表面とそこに形成したSi3N4膜側壁表面との最小間隔bがほぼ同じ大きさになっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
図7に上述の従来型のバイポーラトランジスタの主要部分の断面構造を示す。従来型のバイポーラトランジスタでは、エミッタ開口部側壁に、そこに形成されたp型多結晶SiGe膜13の厚みcに相当するステップが生じている。開口部側壁のSiO2膜15、Si3N4膜16は、p型多結晶SiGe膜13とエミッタのn型多結晶シリコン膜17を電気的に絶縁するためのもので、 Si3N4膜16の堆積後開口部側壁以外の部分は異方性ドライエッチングにより除去される。この従来型のバイポーラトランジスタでは、図8に示す問題点があった。すなわち、絶縁膜15、16の堆積膜厚を小さくすると、図8に示すように側壁の前記ステップの部分で膜厚が非常に薄くなり、またこの膜厚がcよりも小さくなると穴が開いてしまう。その結果エミッタとベースがショートしたりエミッタ−ベース間容量が増大する問題があった。またこれらの問題を避けるためにこの絶縁膜15、16の膜厚を大きくした場合には、エミッタ拡散層14とベース引き出しp型多結晶シリコン膜8の距離が大きくなりベース抵抗やベース−コレクタ間容量が増大する問題があった。
【0004】
また、開口部側壁の前記p型多結晶SiGe膜13の厚みcは制御が難しいためにばらつきが大きいという性質がある。エミッタ面積はこのcに依存しているため、cのばらつきが大きいことによりエミッタ面積のばらつきも大きいという問題があった。
【0005】
本発明の目的は、ベース引き出しのp型多結晶SiGe膜8とエミッタのn型多結晶シリコン膜を電気的に絶縁するための開口部側壁の絶縁膜15、16の膜厚を小さくしてもエミッタとベースのショートやエミッタ−ベース間容量の増大が起こらないようにしその結果、ベース抵抗やベース−コレクタ間容量を低減できるようにすることである。本発明の他の目的は、エミッタ面積のばらつきを小さくすることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
課題を解決するための手段を図2に基づいて説明する。図2は本発明の一実施例のバイポーラトランジスタの主要部分の縦断面構造を示したものである。本図における符号は前記第7図の場合と同じものを指している。上記のエミッタとベースのショートやエミッタ−ベース間容量の増大が起こらないようにするという目的を達成するために、本発明では、前記p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜8側面とそこに形成した前記p型多結晶SiGe膜13の上方の絶縁膜16側壁表面との間隔a(図2参照)が、前記p型多結晶SiGe膜13側壁表面とそこに形成した絶縁膜16側壁表面との最小間隔b(図2参照)よりも大きくなるようにした。これによってエミッタ開口部側壁のステップの幅が前記p型多結晶SiGe膜13の厚みc(図2参照)よりも小さくなるので、p型多結晶SiGe膜13とエミッタのn型多結晶シリコン膜17を電気的に絶縁するための開口部側壁の絶縁膜の膜厚15、16を小さくしても、エミッタ−ベース間のショートやエミッタ−ベース間寄生容量増大は起こりにくくなる。
【0007】
また上記のエミッタ面積のばらつきを小さくするという目的を達成するために、本発明では、上記間隔aと間隔bに関して、(間隔a−間隔b)が前記p型多結晶SiGe膜13の厚さcより大きくなるようにした。これによってエミッタ開口部側壁にはステップがなくなる。その結果、エミッタ寸法はエミッタ開口部側壁上部の絶縁膜16の側壁表面の位置によって決まり、前記p型多結晶SiGe膜13の厚さcには依存しなくなる。その結果cがばらついてもエミッタ面積がばらつかないようにできる。
【0008】
(間隔a−間隔b)を正の値あるいは、cよりも大きい値にするためには以下の方法を用いる。まず、コレクタ層3上の、絶縁膜5、6、p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜8、絶縁膜10の多層膜の少なくとも上方2層にエミッタ用開口部を形成した後、第1の絶縁膜11と第2の絶縁膜を堆積し、第2の絶縁膜のうちエミッタ用開口部の側壁のみを残して残りの部分を除去する。次に、第1の絶縁膜11を第2の絶縁膜をマスクにして等方的にエッチング除去し、p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜8の少なくとも一部を露出させる。さらに、第2の絶縁膜を選択的に除去する。次に、コレクタ層上にp型単結晶SiGe層12を、p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜上にp型多結晶SiGe膜13を選択的に成長させる。その後、エミッタとベース引き出し用多結晶シリコン膜8を電気的に分離するための絶縁膜15、16を堆積し、次に異方性ドライエッチによりエミッタ用開口部の側壁以外のその絶縁膜を除去する。以上の方法により、(間隔a−間隔b)を正の値にすることができる。また、上記第1の絶縁膜11の厚さをcよりも大きくすれば(間隔a−間隔b)をcよりも大きくすることができる。
【0009】
(間隔a−間隔b)を正の値あるいは、cよりも大きい値にするためには以下の方法を用いることもできる。まず、コレクタ層3上の、絶縁膜10、p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜8、絶縁膜6、5の多層膜のうち絶縁膜6に達するエミッタ用開口部を形成する。次に、p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜8を等方エッチングにより後退させる。次にコレクタ層3上の絶縁膜5、6を除去した後、コレクタ層上にp型単結晶SiGe層12を、p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜8上にp型多結晶SiGe膜13を選択的に成長させる。その後、エミッタとベース引き出し用多結晶シリコン膜8を電気的に分離するための絶縁膜15、16を堆積し、次に異方性ドライエッチによりエミッタ用開口部の側壁以外のその絶縁膜を除去する。以上の方法により、(間隔a−間隔b)を正の値にすることができる。また、上記のp型ベース引き出し用多結晶シリコン膜8を等方エッチングにより後退させる量をcよりも大きくすれば、(間隔a−間隔b)をcよりも大きくすることができる。
【0010】
また、上記p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜8に、結晶粒が<111>軸に優先的に配向した構造のものを用いることにより、コレクタ層上に一定の厚みの上記p型単結晶SiGe層12を成長させた場合の、p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜側壁上に成長するp型多結晶SiGe膜13の厚みcを小さくすることができる。なぜならば、<111>軸に配向した多結晶シリコン膜の側壁、すなわち<111>軸に平行な面上への単結晶SiGe層の成長速度は、通常用いられている(100)基板の(100)面上への成長速度よりも小さいからである。cを小さくできることによって、(間隔a−間隔b)をcよりも大きくするための上記第1の絶縁膜の厚みを小さくすることができる。上記第1の絶縁膜の厚みを小さくすることができれば、第1の絶縁膜のための上記等方性エッチングの時間を短くでき、トランジスタ構造の他の部分の絶縁膜の膜減りを最小限にすることが可能となる。
【0011】
以上に説明した本発明によるバイポーラトランジスタの構成上の特徴を図2を参照してまとめると以下のとおりである。即ち、第1導電型の半導体層(コレクタ層)3の主面上に第1絶縁膜5,6、当該第1導電型とは逆の第2導電型の第1多結晶半導体膜(ベース引き出し用半導体層)8、第2絶縁膜10をこの順に積層してなる多層膜を有し、当該多層膜には当該第1導電型の半導体層の主面を露出する開口部が形成され、且つ当該開口部には当該第1導電型の半導体層主面上に第2導電型の単結晶半導体膜(ベース領域)12が、当該第2導電型の単結晶半導体膜12上に第2導電型の第2多結晶半導体膜13と第3絶縁膜15,16(ここには第2導電型の単結晶半導体膜に直接接合されない絶縁膜11も含まれる)が夫々形成されてなるバイポーラトランジスタにおいて、上記第2多結晶半導体膜は上記第1多結晶半導体膜の上記開口部内壁に接合されて当該開口部を形成し、且つ上記第3絶縁膜は上記第1並びに第2多結晶半導体膜及び第2絶縁膜の上記開口部内壁に接合されて当該開口部を形成し、且つ上記第1多結晶半導体膜8と上記第3絶縁膜11との接合面とこれに対向する当該第3絶縁膜16の開口部壁面(内壁)との間隔aは、上記第2多結晶半導体膜13と上記第3絶縁膜15との接合面とこれに対向する当該第3絶縁膜16の開口部壁面との間隔b(場合によってはその最小値)より大となる(広くして)ように構成されたものとなる。この構成を換言すれば、第2導電型の単結晶半導体膜12の上面(第1導電型の拡散層14が形成されている面)を露出するように上述の多層膜に形成された開口部の内壁には、さらに上述の第2多結晶半導体膜13と第3絶縁膜15,16が積層され、この第3絶縁膜16からなる内壁に接合して形成される第1導電型の領域17により当該開口部が埋め込まれるものである。当該開口部の特徴を更に論じるならば、開口部の面積は上述の第1多結晶半導体膜壁面と第2多結晶半導体膜壁面とで段階的に制限される。そして、上述のaは第1多結晶半導体膜により面積を制限された開口領域の内壁を形成する絶縁層の厚さとして、上述のbは第2多結晶半導体膜により面積を制限された開口領域の内壁を形成する絶縁層の厚さとして夫々定義することもできる。上述の第1導電型の半導体層3は、所謂縦型バイポーラトランジスタを順方向に形成する場合にはコレクタ層となり、逆方向に形成する場合にはエミッタ層となる。上述の第3絶縁膜が接合される第1多結晶半導体膜の開口部壁面とこの接合面に対向する当該第3絶縁膜の開口部壁面との間隔aと、第3絶縁膜が接合される第2多結晶半導体膜の開口部壁面とこの接合面に対向する当該第3絶縁膜の開口部壁面との間隔bとの関係は、既に説明したように当該第1多結晶半導体膜と上記第2多結晶半導体膜との接合面(第2多結晶半導体膜が接合される第1多結晶半導体膜の開口部壁面)とこれに対向する当該第2多結晶半導体膜の開口部壁面との間隔cに対し、a−b>cなる関係を持たせてもよい。上述の各絶縁膜、半導体膜は単層の膜に限らず、プロセス等の要請に応じて複数の膜を積層して構成してもよい(この実施態様を含めて本発明の素子の構成上の特徴を記すに当たり、絶縁膜及び半導体膜は絶縁体領域及び半導体領域とも表現できる)。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明によるバイポーラトランジスタ及びその製造方法について以下に示す3つの実施例に沿って、詳細に説明する。本発明のバイポーラトランジスタの製造方法は、概ね次の2態様に分けられる。
【0013】
その1つは、第1導電型の半導体コレクタ層3上に第1の絶縁膜5,6、当該第1導電型とは逆の第2導電型の第1多結晶半導体膜8、及び第2の絶縁膜10をこの順に積層する第1の工程と、上記第1多結晶半導体膜及び第2の絶縁膜にエミッタ用開口部を形成する第2の工程と、上記エミッタ用開口部内壁に第3の絶縁膜11及び第4の絶縁膜22をこの順に堆積する第3の工程と、上記第4の絶縁膜22のうちエミッタ用開口部の側壁のみを残して残りの部分を除去する第4の工程と、上記第3の絶縁膜11を等方的にエッチング除去する第5の工程と、
上記第4の絶縁膜22を除去する第6の工程と、上記エミッタ開口部において上記第5又は第6の工程において露出された上記第1導電型の半導体コレクタ層3の主面上に第2導電型の単結晶半導体膜12を上記第1多結晶半導体膜8側面に第2導電型の第2多結晶半導体膜13を夫々形成する第7の工程とを含むことを特徴とする(図4,5参照)。この製造方法の主な特徴は、第3の工程乃至第6の工程のプロセスフローにある。
【0014】
もう1つは、第1導電型の半導体コレクタ層3上に第1の絶縁膜5,6、当該第1導電型とは逆の第2導電型の第1多結晶半導体膜8、及び第2の絶縁膜10をこの順に積層する第1の工程と、上記第1多結晶半導体膜及び第2の絶縁膜にエミッタ用開口部を形成する第2の工程と、上記第1多結晶半導体膜のエミッタ用開口部内壁をエッチングにより後退させる第3の工程と、上記エミッタ開口部において上記第1導電型の半導体コレクタ層3の主面を露出させた後、第2導電型の半導体膜12,13を形成する第4の工程とを含むことを特徴とする(図6参照)。この製造方法の主な特徴は、第3の工程のプロセス・ステップにある。
【0015】
これらの製造方法の特徴を含めて、以下の実施例では本発明のバイポーラトランジスタに関する詳細が説明される。
【0016】
なお、図1乃至6における同一の記号は同一物又は類似物を示すものとする。
【0017】
(実施例)
図1は本発明の第1の実施例を示す図であり、バイポーラトランジスタの縦断面構造を示す。本図において符号1はp型シリコン基板、2はn型シリコン埋込層、3はn−型シリコンエピタキシャル成長層、4はn+型シリコン拡散層、5はSiO2膜、6はSi3N4膜、7はSiO2膜、8は結晶粒が<111>軸に優先的に配向したp+型多結晶シリコン膜、9はn+型多結晶シリコン膜、10はSiO2膜、11はSiO2膜、12はp型エピタキシャルSiGe層、13はp型多結晶SiGe層、14はn+型拡散層、15はSiO2膜、16はSi3N4膜、17はn+型多結晶シリコン膜、18はSiO2膜、19〜21は金属電極となっている。ここで、19はバイポーラトランジスタのベース電極、20はエミッタ電極、21はコレクタ電極となっている。図1のバイポーラトランジスタの主要部分を拡大したものが図2である。図2における数字符号は図1の場合と同じものを指している。図2におけるaは前記p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜8の側面とそこに形成した前記p型多結晶SiGe膜の上方のSi3N4膜16側壁表面との間隔、bは前記p型多結晶SiGe膜13の側壁表面とそこに形成したSi3N4膜16側壁表面との最小間隔b、cは前記p型多結晶SiGe膜13の厚みである。本実施例の場合、aが100nm、bが70nm、cが40nmとなっている。開口部側壁の絶縁膜に穴が開かないようにするためには、Si3N4膜16の堆積膜厚がc−(a−b)よりも大きくなければならない。
【0018】
本実施例では、a−b>0となっており、従来の場合(a−b<0)と比較するとSi3N4膜16の膜厚をより小さくすることができ、その結果、エミッタとベース取り出し電極の距離を小さくでき、ベース抵抗が小さくできるという効果がある。さらに、エミッタ寸法はSi3N4膜16の膜厚のばらつきによってばらつくが、Si3N4膜16の膜厚が小さいほどそのばらつきの絶対値が小さくなるので、本実施例では従来の場合よりもエミッタ寸法のばらつきを小さくすることができる。また、 Si3N4膜16の堆積膜厚が同じ場合には、従来の場合では側壁のステップの部分でSi3N4膜16の膜厚が局所的に薄くなるためエミッタ−ベース間容量CTEが大幅に増大するのに対して、本実施例の場合はSi3N4膜16の膜厚の減少は少なく、またp型ベース引き出し用多結晶シリコン膜8のエミッタ開口部側壁の上半分が厚いSiO2膜15によって覆われているので、CTEを従来の場合よりも小さくすることができる。
【0019】
図3は、本発明の第2の実施例のバイポーラトランジスタの主要部分の断面構造を示す図である。図3の各符号は図1、図2の場合と同じものを指している。本実施例では、aが130nm、bが70nm、cが40nmで、a−b>cとなっており、上記第1の実施例と同じ効果の他に次の効果がある。すなわち、前記p型多結晶SiGe膜13がSiO2膜15のひさしの下に完全に隠れるため、エミッタの寸法はp型多結晶SiGe膜13の厚さcには無関係でp型ベース引き出し用多結晶シリコン膜8の開口部の寸法とSiO2膜15の膜厚とSi3N4膜16の膜厚によって決まる。従って、cにばらつきがある場合でもエミッタ寸法のばらつきにはつながらず、従来の場合と比較してエミッタ寸法ばらつきを小さくすることができる。
【0020】
次に、上記第1の実施例の第1の製造方法を図4(a)〜(h)をもとにして説明する。図4(a)〜(h)は第1の実施例のバイポーラトランジスタの第1の製造方法における主要な工程での主要部分の縦断面構造を示したものである。図4の各符号は図1、図2の場合と同じものを指している図4(a)に至るまでの工程は、従来型バイポーラトランジスタの場合と同じであるので説明を省略する。ただし、p型多結晶シリコン膜8は通常の化学気相成長(CVD)法により非晶質構造で堆積しその後加熱することにより結晶粒が<111>軸に優先的に配向した構造とした。(b)は(a)の主要部分(破線の部分)を拡大したものである。通常のホトリソグラフィと異方性ドライエッチングによってn−コレクタ層3上のSiO2膜10、p型多結晶シリコン膜8、Si3N4膜6をエッチング除去して、SiO2膜5に到達する開口部を形成する(c)。次に、SiO2膜11(膜厚30nm)とSi3N4膜22を通常のCVD法により堆積した後、異方性ドライエッチングによって開口部側壁以外の部分のSi3N4膜22を除去する(d)。次に、 その側壁のSi3N4膜22をマスクとしてフッ酸水溶液によってSiO2膜11を等方的にエッチング除去し、p型多結晶シリコン膜8の側面の少なくとも一部とn−コレクタ層3を露出させる(e)。次に、リン酸水溶液によってSi3N4膜22をエッチング除去する(f)。次に、通常の選択エピタキシャル成長法により、n−コレクタ層3上に厚さ70nmのp型単結晶SiGeベース層12を成長させる。その場合に、p型多結晶シリコン膜8の側面の露出した部分には厚さ40nmのp型多結晶SiGe膜13が成長する(g)。次に、SiO2膜15とSi3N4膜16(膜厚50nm)を堆積した後、通常のドライエッチングによって開口部側壁以外の部分のSi3N4膜16を除去し、さらにフッ酸水溶液によりp型単結晶SiGeベース層上のSiO2膜15をエッチング除去する。次に、通常のCVD法によりn+型多結晶シリコン膜17を堆積した後、ホトリソグラフィとエッチングによりその膜をエミッタとしてパターニングし、さらに加熱することによりベース層上にn+型拡散層14を形成する(h)。この後は、通常の配線層形成工程によって電極、配線を形成し図1に示すバイポーラトランジスタが形成される。この場合に前記の(間隔a−間隔b)は30nmとなっている。
【0021】
上記第2の実施例の製造方法は基本的に第1の実施例と同じである。ただしSiO2膜11の堆積膜厚が60nmと第1の実施例よりも大きくなっている。この場合に前記の(間隔a−間隔b)は60nmとなっており、c(40nm)よりも大きくなっている。
【0022】
次に、上記第1と第2実施例の第2の製造方法を図5(a)〜(e)をもとにして説明する。図5(a)〜(e)は第1の実施例のバイポーラトランジスタの第2の製造方法における主要な工程での主要部分の縦断面構造を示したものである。エミッタの開口を形成するまでの工程は上記第1の製造方法と同じである。通常のホトリソグラフィと異方性ドライエッチングによってn−コレクタ層3上のSiO2膜10とp型多結晶シリコン膜8をエッチング除去して、Si3N4膜6に到達する開口部を形成する(a)。次に、SiO2膜11(膜厚50nm)とSi3N4膜22を通常の化学気相成長(CVD)法により堆積した後、異方性ドライエッチングによって開口部側壁以外の部分のSi3N4膜22を除去する(b)。次に、 その側壁のSi3N4膜22をマスクとしてフッ酸水溶液によってSiO2膜11を等方的にエッチング除去し、p型多結晶シリコン膜8の側面の少なくとも一部を露出させる(c)。次に、リン酸水溶液によってSi3N4膜22、6をエッチング除去し、さらにフッ酸水溶液によってn−コレクタ層3上のSiO2膜5をエッチング除去する(d)。次に、通常の選択エピタキシャル成長法により、n−コレクタ層3上に厚さ70nmのp型単結晶SiGeベース層12を成長させる。その場合に、p型多結晶シリコン膜8の側面の露出した部分には厚さ40nmのp型多結晶SiGe膜13が成長する(e)。この後は、第1の製造方法と同じ工程を経て図1に示すものと同様なバイポーラトランジスタが形成される。この場合に前記の(間隔a−間隔b)は30nmとなっている。
【0023】
上記第2の実施例も、上記第1の実施例の第2の製造方法と基本的に同じ方法により製造できる。ただしSiO2膜11の堆積膜厚が80nmと第1の実施例よりも大きくなっている。この場合に前記の(間隔a−間隔b)は60nmとなっており、c(40nm)よりも大きくなっている。
【0024】
次に本発明の第3の実施例とその製造方法を図6(a)〜(d)をもとにして説明する。図6(a)〜(d)は第3の実施例のバイポーラトランジスタの製造方法における主要な工程での主要領域の縦断面構造を示したものである。エミッタの開口を形成するまでの工程は上記第1の実施例の第1の製造方法と同じである。通常のホトリソグラフィと異方性ドライエッチングによってn−コレクタ層3上のSiO2膜10とp型多結晶シリコン膜8をエッチング除去して、Si3N4膜6に到達する開口部を形成する(a)。次に、フッ硝酸により、p型多結晶シリコン膜8をエッチングし開口部側壁に露出したその側面を80nm後退させる。その後、リン酸水溶液によってSi3N4膜6をエッチング除去する(b)。次に、フッ酸水溶液によってSiO2膜5をエッチング除去した後、通常の選択エピタキシャル成長法により、n−コレクタ層3上に厚さ70nmのp型単結晶SiGeベース層12を成長させる。その場合に、p型多結晶シリコン膜8の側面の露出した部分には厚さ40nmのp型多結晶SiGe膜13が成長する(c)。この後は、第1の製造方法と同じ工程を経て(d)に示す主要領域が形成され、さらに図1に示すものと同様なバイポーラトランジスタが形成される。この場合に前記の(間隔a−間隔b)は60nmとなっており、c(40nm)よりも大きくなっている。
【0025】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明を用いると、エミッタとp型ベース引き出し用多結晶シリコン膜を分離するための絶縁膜を従来型バイポーラトランジスタの場合と比較してより薄くしても、エミッタ開口部側壁にできたステップの部分でその絶縁膜に穴が開くことがなくなる。その絶縁膜を薄くできることによって、ベース抵抗と、ベース−コレクタ間容量を低減できる効果がある。一例として、従来の技術の項で述べた従来型バイポーラトランジスタと、本発明の第1の実施例とを比較すると、その絶縁膜に穴が開かないようにするためには、従来型バイポーラトランジスタでは上記絶縁膜の膜厚が90nm以上必要であるのに対し、本発明の第1の実施例では、50nm以上でよい。その結果、本発明の第1の実施例では従来型バイポーラトランジスタと比較して、ベース抵抗で25%、ベース−コレクタ間容量で30%低減できる。
【0026】
また本発明によると、エミッタとp型ベース引き出し用多結晶シリコン膜を分離するための絶縁膜を薄くしても、p型ベース引き出し用多結晶膜の側面の上半分は100nm以上の厚い絶縁膜で覆われることになるため、その絶縁膜の一部が極端に薄くなる従来型バイポーラトランジスタと比較するとエミッタ−ベース間容量をむしろ低減することができるという効果もある。
【0027】
また、本発明によると従来型バイポーラトランジスタと比較してエミッタ面積のばらつきを低減できる効果がある。すなわち、上記a、b、cの寸法がa−b>cの関係にある場合は、上記説明によりエミッタ寸法はcのばらつきの影響をうけなくなる。その結果、従来型バイポーラトランジスタではエミッタ面積のばらつきが3σで20%であったのが、本発明によって1%にまで低減できる。
【0028】
また、上記p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜8に、結晶粒が<111>軸に優先的に配向した構造のものを用いることによって、上記説明により、コレクタ層上に一定の厚みの上記p型単結晶SiGe層12を成長させた場合の、p型ベース引き出し用多結晶シリコン膜側壁上に成長するp型多結晶SiGe膜13の厚みcを小さくすることができる。それにより(a−b)>cとするための絶縁膜(図3符号11)の厚みを小さくすることができる。その結果、その絶縁膜の等方性エッチングの時間を短くでき、トランジスタ構造の他の部分の絶縁膜の膜減りを最小限にすることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例のバイポーラトランジスタの縦断面構造を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施例のバイポーラトランジスタの主要部分の縦断面構造を示す図である。
【図3】本発明の第2の実施例のバイポーラトランジスタの主要部分の縦断面構造を示す図である。
【図4】本発明の第1、第2の実施例のバイポーラトランジスタの第1の製造方法における主要な工程での主要部分の断面構造を示す図である。
【図5】本発明の第1、第2の実施例のバイポーラトランジスタの第2の製造方法における主要な工程での主要部分の断面構造を示す図である。
【図6】本発明の第3の実施例のバイポーラトランジスタの製造方法における主要な工程での主要部分の断面構造を示す図である。
【図7】従来型バイポーラトランジスタの主要部分の縦断面構造を示す図である。
【図8】従来型バイポーラトランジスタの問題点を説明するための当該トランジスタの主要部分の縦断面構造を示す図である。
【符号の説明】
1…p型シリコン基板、2…n型シリコン埋込層、3…n−型シリコンエピタキシャル成長層、4…n+型シリコン拡散層、5…SiO2膜、6…Si3N4膜、7…SiO2膜、8…結晶粒が<111>軸に優先的に配向したp+型多結晶シリコン膜、9…n+型多結晶シリコン膜、10…SiO2膜、11…SiO2膜、12…p型エピタキシャルSiGe層、13…p型多結晶SiGe層、14…n+型拡散層、15…SiO2膜、16…Si3N4膜、17…n+型多結晶シリコン膜、18…SiO2膜、19〜21…金属電極、22…Si3N4膜。
Claims (3)
- 第1導電型の半導体層の主面上に第1絶縁膜、該第1導電型とは逆の第2導電型の第1多結晶半導体膜、第2絶縁膜をこの順に積層してなる多層膜を有し、該多層膜には該第1導電型の半導体層の主面を露出する開口部が形成され、且つ該開口部には該第1導電型の半導体層主面上に第2導電型の単結晶半導体膜が、該第2導電型の単結晶半導体膜上に第2導電型の第2多結晶半導体膜と第3絶縁膜が夫々形成されてなるバイポーラトランジスタにおいて、上記第2多結晶半導体膜は上記第1多結晶半導体膜の上記開口部内壁に接合されて該開口部を形成し、且つ上記第3絶縁膜は上記第1多結晶半導体膜並びに第2多結晶半導体膜及び第2絶縁膜の上記開口部内壁に接合されて該開口部を形成し、且つ上記第1多結晶半導体膜と上記第3絶縁膜との接合面と該接合面に対向する該第3絶縁膜の開口部壁面との間隔は、上記第2多結晶半導体膜と上記第3絶縁膜との接合面と該接合面に対向する該第3絶縁膜の開口部壁面との間隔より大となるように構成されており、上記第1多結晶半導体膜と上記第3絶縁膜との接合面と該接合面に対向する該第3絶縁膜の開口部壁面との間隔と上記第2多結晶半導体膜と上記第3絶縁膜との接合面と該接合面に対向する該第3絶縁膜の開口部壁面との間隔との差は、該第1多結晶半導体膜と該第2多結晶半導体膜との接合面と該接合面に対向する該第2多結晶半導体膜の開口部壁面との間隔cより大となるように構成されていることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
- 上記第1導電型の半導体層の少なくとも一部がシリコンで、上記第1多結晶半導体膜が多結晶シリコン膜で夫々形成され、該多結晶シリコン膜の結晶粒は < 111 > 軸に優先的に配向していることを特徴とする請求項1に記載のバイポーラトランジスタ。
- 第1導電型の半導体コレクタ層上に第1の絶縁膜、該第1導電型とは逆の第2導電型の第1多結晶半導体膜、及び第2の絶縁膜をこの順に積層する第1の工程と、上記第1多結晶半導体膜及び第2の絶縁膜にエミッタ用開口部を形成する第2の工程と、上記エミッタ用開口部内壁に第3の絶縁膜及び第4の絶縁膜をこの順に堆積する第3の工程と、上記第4の絶縁膜のうちエミッタ用開口部の側壁のみを残して残りの部分を除去する第4の工程と、上記第3の絶縁膜を等方的にエッチング除去する第5の工程と、上記第4の絶縁膜を除去する第6の工程と、上記エミッタ開口部において上記第5又は第6の工程において露出された上記第1導電型の半導体コレクタ層の主面上に第2導電型の単結晶半導体膜を上記第1多結晶半導体膜側面に第2導電型の第2多結晶半導体膜を夫々形成する第7の工程とを含むことを特徴としたバイポーラトランジスタの製造方法。
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