JP3551489B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、相補型バイポーラトランジスタの製造に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、超高速、低消費電力のLSIの実現が可能な素子として、npnトランジスタとpnpトランジスタとを組み合わせた相補型バイポーラトランジスタが注目されている。
【0003】
図7〜図11に従来の相補型バイポーラトランジスタの製造方法を示す。
この従来の相補型バイポーラトランジスタの製造方法においては、図7に示すように、まず、p型Si基板101中にn+ 型埋め込み層102およびp+ 型埋め込み層103を形成した後、p型Si基板101上にn型Siエピタキシャル層104を形成する。次に、pnpトランジスタ形成領域のn型Siエピタキシャル層104中にp型不純物を選択的にイオン注入することによりpウエル105を形成する。次に、npnトランジスタ形成領域のn型Siエピタキシャル層104中にn型不純物を選択的にイオン注入することによりn+ 型層106を形成するとともに、pnpトランジスタ形成領域のpウエル105中にp型不純物を選択的にイオン注入することによりp+ 型層107を形成する。
【0004】
次に、図8に示すように、n型Siエピタキシャル層104の表面にSiO2 膜から成るフィールド絶縁膜108を選択的に形成して素子間分離を行った後、このフィールド絶縁膜108の直下の部分におけるn型Siエピタキシャル層104中に素子間分離用のp+ 型層109を形成する。次に、全面にSiO2 膜のような絶縁膜110を形成した後、npnトランジスタ形成領域およびpnpトランジスタ形成領域のこの絶縁膜110の所定部分をエッチング除去して開口110a、110bを形成する。
【0005】
次に、全面に多結晶Si膜を形成した後、例えばイオン注入法により、npnトランジスタのベース電極形成領域を含む所定部分のこの多結晶Si膜中にp型不純物を導入するとともに、pnpトランジスタのベース電極形成領域を含む所定部分のこの多結晶Si膜中にn型不純物を導入する。次に、この多結晶Si膜をエッチング法により加工して、図9に示すように、npnトランジスタのベース電極に対応する形状を有するp+ 型多結晶Si膜111およびpnpトランジスタのベース電極に対応した形状を有するn+ 型多結晶Si膜112をそれぞれ形成する。この後、SiO2 膜のような絶縁膜113を全面に形成する。
【0006】
次に、図10に示すように、npnトランジスタのベース層およびエミッタ層形成領域のこの絶縁膜113およびp+ 型多結晶Si膜111をエッチング法により順次エッチング除去して開口114を形成するとともに、pnpトランジスタのベース層およびエミッタ層形成領域のこの絶縁膜113およびn+ 型多結晶Si膜112をエッチング法により順次エッチング除去して開口115を形成する。この開口114が形成された後のp+ 型多結晶Si膜111によりベース電極116が構成され、開口115が形成された後のn+ 型多結晶Si膜112によりベース電極117が構成される。次に、少なくとも開口114の部分のn型Siエピタキシャル層104および開口115の部分のpウエル105の上に薄い絶縁膜(図示せず)を形成した後、この絶縁膜を介して開口114を通じてn型Siエピタキシャル層104中にp型不純物をイオン注入することによりp型ベース層118を形成するとともに、この絶縁膜を介して開口115を通じてpウエル105中にn型不純物をイオン注入することによりn型ベース層119を形成する。次に、全面に絶縁膜を形成した後、この絶縁膜を異方性ドライエッチング法によって基板表面と垂直方向にエッチバックする。これによって、開口114、115の側壁に絶縁膜から成るサイドウォールスペーサ120が形成される。このサイドウォールスペーサ120は、ベース電極116と後述のエミッタ電極121との分離およびベース電極117と後述のエミッタ電極122との分離のためのものである。
【0007】
次に、全面に多結晶Si膜を形成した後、例えばイオン注入法により、npnトランジスタのエミッタ電極形成領域を含む所定部分のこの多結晶Si膜中にn型不純物を導入するとともに、pnpトランジスタのエミッタ電極形成領域を含む所定部分のこの多結晶Si膜中にp型不純物を導入する。次に、この多結晶Si膜をエッチング法により加工して、npnトランジスタのn+ 型多結晶Si膜から成るエミッタ電極121およびpnpトランジスタのp+ 型多結晶Si膜から成るエミッタ電極122を形成する。
【0008】
次に、図11に示すように、熱処理を行うことにより、n+ 型多結晶Si膜から成るエミッタ電極121中のn型不純物をp型ベース領域118中に拡散させてn+ 型エミッタ層123を形成するとともに、p+ 型多結晶Si膜から成るベース電極116中のp型不純物をn型Siエピタキシャル層104中に拡散させて、p型ベース層118と接続されたp+ 型ベースコンタクト層124を形成する。また、p+ 型多結晶Si膜から成るエミッタ電極122中のp型不純物をn型ベース層119中に拡散させてp+ 型エミッタ層125を形成するとともに、n+ 型多結晶Si膜から成るベース電極117中のn型不純物をpウエル105中に拡散させてn型ベース層119と接続されたn+ 型ベースコンタクト層126を形成する。
【0009】
この場合、n+ 型エミッタ層123、p型ベース層118、p+ 型ベースコンタクト層124、n型Siエピタキシャル層104から成るコレクタ層、ベース電極116、エミッタ電極121などにより二層多結晶Si構造のnpnトランジスタが構成され、また、p+ 型エミッタ層125、n型ベース層119、n+ 型ベースコンタクト層126、pウエル105から成るコレクタ層、ベース電極117、エミッタ電極122などにより二層多結晶Si構造のpnpトランジスタが構成される。
【0010】
この後、図示は省略するが、層間絶縁膜の形成、この層間絶縁膜へのコンタクトホールの形成、Alなどから成る配線の形成などの工程を経て、目的とする相補型バイポーラトランジスタを完成させる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、相補型バイポーラトランジスタは、それを構成するnpnトランジスタおよびpnpトランジスタのうちの特性の悪い方のトランジスタによりその性能が決定されるため、これらのnpnトランジスタおよびpnpトランジスタの特性を合わせることが望ましい。この点に関し、上述の従来の相補型バイポーラトランジスタにおいては、npnトランジスタおよびpnpトランジスタがほぼ完全に対称な形を有していることから、有利である。
【0012】
しかしながら、上述の従来の相補型バイポーラトランジスタの製造方法においては、npnトランジスタのエミッタ層およびpnpトランジスタのエミッタ層を、多結晶Si膜を形成した後にこの多結晶Si膜中に不純物をイオン注入し、この不純物がイオン注入された多結晶Si膜を不純物拡散源として用いて不純物を拡散させることにより形成しているため、高性能のnpnトランジスタの製造プロセスにおいて使用されているIn−situ Phosphorus Doped Poly Si Emitter技術、すなわち、CVD法により多結晶Si膜を形成する際にn型不純物としてリン(P)をドープし、このPドープのn+ 型多結晶Si膜を不純物拡散源として用いてエミッタ層を形成する技術との整合性が悪い。このため、エミッタ層の不純物濃度Qe の増大、エミッタ抵抗Re の低減、熱処理温度の低下などの点で限界があり、相補型バイポーラトランジスタの性能向上やサブハーフミクロンのバイポーラ−CMOSの製造プロセスへの適合性などの点で問題があった。
【0013】
したがって、この発明の目的は、その形成時に不純物がドープされた半導体膜を不純物拡散源として用いてエミッタ層を形成する技術との整合性が良好である半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明による半導体装置の製造方法は、
半導体基板(4)上に第1の絶縁膜(10)を形成する工程と、
第1の絶縁膜(10)を形成した後、第1の絶縁膜(10)の所定部分に第1の開口(10a、10b)を形成する工程と、
第1の開口(10a、10b)を形成した後、第1の絶縁膜(10)上および第1の開口(10a、10b)の部分の半導体基板(4)上に第1の電気伝導膜を形成する工程と、
第1の電気伝導膜を形成した後、第2の開口(14)が形成される部分を含む所定部分の第1の電気伝導膜に第1伝導型の不純物を導入するとともに、第3の開口(20)が形成される部分を含む所定部分の第1の電気伝導膜に第2伝導型の不純物を導入する工程と、
第1の電気伝導膜に第1伝導型の不純物および第2伝導型の不純物を導入した後、第1の電気伝導膜をベース電極に対応する所定形状に加工する工程と、
第1の電気伝導膜を所定形状に加工した後、第1の電気伝導膜(11、12)を覆うように第2の絶縁膜(13)を形成する工程と、
第2の絶縁膜(13)を形成した後、第2の絶縁膜(13)および第1の電気伝導膜(11)の所定部分に第2の開口(14)を形成する工程と、
第2の開口(14)を形成した後、第2の開口(14)を通じて第1伝導型の不純物を半導体基板(4)中にイオン注入することにより第1伝導型のベース層を形成する工程と、
第1伝導型の不純物をイオン注入した後、第2の開口(14)の側壁に第3の絶縁膜(17)を形成する工程と、
第3の絶縁膜(17)を形成した後、第2伝導型の不純物がドープされた第2の電気伝導膜を全面に形成する工程と、
第2の電気伝導膜を全面に形成した後、第2の電気伝導膜を第2の開口(14)を覆う、エミッタ電極に対応する所定形状に加工する工程と、
第2の電気伝導膜を所定形状に加工した後、第2の電気伝導膜(18)上に第4の絶縁膜(19)を形成する工程と、
第4の絶縁膜(19)を形成した後、第2の絶縁膜(13)、第4の絶縁膜(19)および第1の電気伝導膜(12)の所定部分に第3の開口(20)を形成する工程と、
第3の開口(20)を形成した後、第3の開口(20)を通じて第2伝導型の不純物を半導体基板(4)中にイオン注入することにより第2伝導型のベース層を形成する工程と、
第2伝導型の不純物をイオン注入した後、第3の開口(20)の側壁に第5の絶縁膜(23)を形成する工程と、
第5の絶縁膜(23)を形成した後、第1伝導型の不純物がドープされた第3の電気伝導膜を全面に形成する工程と、
第3の電気伝導膜を全面に形成した後、第3の電気伝導膜を第3の開口(20)を覆う、エミッタ電極に対応する所定形状に加工する工程と、
第3の電気伝導膜を所定形状に加工した後、熱処理を行うことにより、第1の電気伝導膜(11)中の第1伝導型の不純物、第1の電気伝導膜(12)中の第2伝導型の不純物、第2の電気伝導膜(18)中の第2伝導型の不純物および第3の電気伝導膜(24)中の第1伝導型の不純物を半導体基板(4)中に拡散させて、第1伝導型のベース層(16)と接続された第1伝導型のベースコンタクト層(26)、第2伝導型のベース層(22)と接続された第2伝導型のベースコンタクト層(28)、第1伝導型のベース層(16)中の第2伝導型のエミッタ層(25)および第2伝導型のベース層(22)中の第1伝導型のエミッタ層(27)を形成する工程とを有する。
【0017】
この発明による半導体装置の製造方法において、第1の電気伝導膜、第2の電気伝導膜および第3の電気伝導膜は、典型的には、単結晶Si膜、多結晶Si膜または非晶質Si膜、あるいは、単結晶Si膜、多結晶Si膜および非晶質Si膜から成る群より選ばれた少なくとも二種類の膜から成る積層膜である。さらにまた、第2の電気伝導膜および/または第3の電気伝導膜は、好適には、その形成時に不純物がドープされた単結晶Si膜、多結晶Si膜または非晶質Si膜、あるいは、その形成時に不純物がドープされた単結晶Si膜、多結晶Si膜および非晶質Si膜から成る群より選ばれた少なくとも二種類の膜から成る積層膜である。
【0018】
【作用】
上述のように構成されたこの発明による半導体装置の製造方法によれば、第2の開口の形成と第3の開口の形成とを独立に行うようにしていることにより、第2の開口の部分への第2の電気伝導膜の形成と第3の開口の部分への第3の電気伝導膜の形成とを独立に行うことができる。したがって、例えば、第2の開口をnpnトランジスタのエミッタ層形成領域上に形成し、第3の開口をpnpトランジスタのエミッタ層形成領域上に形成すれば、その形成時にn型不純物がドープされた第2の電気伝導膜を不純物拡散源として用いて半導体基板中にn型不純物を拡散させることによりnpnトランジスタのエミッタ層を形成することができるとともに、その形成時にp型不純物がドープされた第3の電気伝導膜を不純物拡散源として用いて半導体基板中にp型不純物を拡散させることによりpnpトランジスタのエミッタ層を形成することができる。すなわち、この発明による半導体装置の製造方法によれば、その形成時に不純物がドープされた半導体膜を不純物拡散源として用いてエミッタ層を形成する技術との整合性が良好である。そして、これによって、相補型バイポーラトランジスタの高性能化を図ることができ、サブハーフミクロンのバイポーラ−CMOSの製造プロセスへの適合性を良好とし、高性能の相補型バイポーラLSI、高性能の相補型バイポーラ−CMOSLSIの実現が可能となる。
【0019】
【実施例】
以下、この発明の一実施例について図面を参照しながら説明する。なお、実施例の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
図1〜図6はこの発明の一実施例による相補型バイポーラトランジスタの製造方法を示す。
【0020】
この一実施例による相補型バイポーラトランジスタの製造方法においては、図1に示すように、まず、p型Si基板1中にn+ 型埋め込み層2およびp+ 型埋め込み層3を形成する。これらのn+ 型埋め込み層2およびp+ 型埋め込み層3は、例えば、p型Si基板1中に例えばアンチモン(Sb)のようなn型不純物および例えばホウ素(B)のようなp型不純物をそれぞれ選択的に拡散させることにより形成される。次に、p型Si基板1上に例えば0.5〜1.0μmの厚さのn型Siエピタキシャル層4を形成する。次に、pnpトランジスタ形成領域のn型Siエピタキシャル層4中に例えばBのようなp型不純物を選択的にイオン注入することによりpウエル5を形成する。次に、npnトランジスタ形成領域のn型Siエピタキシャル層4中に例えばリン(P)やヒ素(As)のようなn型不純物を選択的にイオン注入することによりn+ 型層6を形成するとともに、pnpトランジスタ形成領域のpウエル5中に例えばBのようなp型不純物を選択的にイオン注入することによりp+ 型層7を形成する。
【0021】
次に、図2に示すように、例えば選択酸化法(LOCOS法)によりn型Siエピタキシャル層4の表面に例えば400〜800nmの厚さのSiO2 膜から成るフィールド絶縁膜8を選択的に形成して素子間分離を行った後、このフィールド絶縁膜8の直下の部分におけるn型Siエピタキシャル層4中に素子間分離用のp+ 型層9を形成する。なお、このp+ 型層9は、pウエル5と同時に形成するようにしてもよい。次に、例えばCVD法により全面に例えば100nm程度の厚さのSiO2 膜のような絶縁膜10を形成した後、npnトランジスタ形成領域およびpnpトランジスタ形成領域のこの絶縁膜10の所定部分を例えば反応性イオンエッチング(RIE)法のようなドライエッチング法によりエッチング除去して開口10a、10bを形成する。
【0022】
次に、例えばCVD法により全面に例えば100〜200nmの厚さの多結晶Si膜を形成した後、例えばイオン注入法により、npnトランジスタのベース電極形成領域を含む所定部分のこの多結晶Si膜中に例えばBのようなp型不純物を導入するとともに、pnpトランジスタのベース電極形成領域を含む所定部分のこの多結晶Si膜中に例えばPやAsのようなn型不純物を導入する。次に、この多結晶Si膜を例えばRIE法のようなドライエッチング法により加工して、図3に示すように、npnトランジスタのベース電極に対応する形状を有するp+ 型多結晶Si膜11およびpnpトランジスタのベース電極に対応した形状を有するn+ 型多結晶Si膜12をそれぞれ形成する。この後、例えばCVD法により全面に例えば200〜400nmの厚さのSiO2 膜のような絶縁膜13を形成する。
【0023】
次に、図4に示すように、npnトランジスタのベース層およびエミッタ層形成領域のこの絶縁膜13およびp+ 型多結晶Si膜11を例えばRIE法のようなドライエッチング法により順次エッチング除去して開口14を形成する。この開口14が形成された後のp+ 型多結晶Si膜11によりベース電極15が構成される。次に、例えばCVD法により全面に例えば10〜20nmの厚さの絶縁膜(図示せず)を形成した後、この絶縁膜を介して開口14を通じてn型Siエピタキシャル層4中に例えばBのようなp型不純物をイオン注入することによりp型ベース領域16を形成する。次に、例えばCVD法により全面に例えば400〜600nmの厚さの絶縁膜を形成した後、この絶縁膜を例えばRIE法のような異方性ドライエッチング法によって基板表面と垂直方向にエッチバックする。これによって、開口14の側壁に絶縁膜から成るサイドウォールスペーサ17が形成される。このサイドウォールスペーサ17は、ベース電極15と後述のエミッタ電極18との分離のためのものである。次に、例えばCVD法により全面に例えばPがドープされたn+ 型多結晶Si膜を形成した後、このn+ 型多結晶Si膜を例えばRIE法のようなドライエッチング法により加工して、このn+ 型多結晶Si膜から成るエミッタ電極18を形成する。この後、例えばCVD法により全面に例えば100〜200nmの厚さのSiO2 膜のような絶縁膜19を形成する。
【0024】
次に、図5に示すように、pnpトランジスタのベース層およびエミッタ層形成領域の絶縁膜19、絶縁膜13およびn+ 型多結晶Si膜12を例えばRIE法のようなドライエッチング法により順次エッチング除去して開口20を形成する。この開口20が形成された後のn+ 型多結晶Si膜12によりベース電極21が構成される。次に、例えばCVD法により全面に例えば10〜20nmの厚さの絶縁膜(図示せず)を形成した後、この絶縁膜を介して開口20を通じてpウエル5中に例えばPやAsのようなn型不純物をイオン注入することによりn型ベース層22を形成する。次に、例えばCVD法により全面に例えば400〜600nmの厚さの絶縁膜を形成した後、この絶縁膜を例えばRIE法のような異方性ドライエッチング法によって基板表面と垂直方向にエッチバックする。これによって、開口20の側壁に絶縁膜から成るサイドウォールスペーサ23が形成される。このサイドウォールスペーサ23は、ベース電極21と後述のエミッタ電極24との分離のためのものである。次に、例えばCVD法により全面に例えばBがドープされたp+ 型多結晶Si膜を形成した後、このp+ 型多結晶Si膜を例えばRIE法のようなドライエッチング法により加工して、このp+ 型多結晶Si膜から成るエミッタ電極24を形成する。
【0025】
ここで、このエミッタ電極24を形成するためのドライエッチング時には、npnトランジスタのエミッタ電極18の上に形成された絶縁膜19が保護膜として機能するため、このエミッタ電極18はエッチングされない。なお、絶縁膜19は、pnpトランジスタのエミッタ電極24とベース電極21との分離用のサイドウォールスペーサ23の形成時にオーバーエッチングが行われるために、その膜種や厚さなどを適切に設定する必要がある。例えば、絶縁膜19をSiO2 膜により形成し、サイドウォールスペーサ23をSiN膜により形成する場合には、サイドウォールスペーサ23を形成する際のRIEをSiO2 に対するSiNのエッチング選択比が高い条件で行うことにより、サイドウォールスペーサ23の形成時のオーバーエッチングによる絶縁膜19の厚さの減少を防止することができる。
【0026】
次に、図6に示すように、熱処理を行うことにより、n+ 型多結晶Si膜から成るエミッタ電極18中の例えばPやAsのようなn型不純物をp型ベース層16中に拡散させてn+ 型エミッタ層25を形成するとともに、p+ 型多結晶Si膜から成るベース電極15中の例えばBのようなp型不純物をn型Siエピタキシャル層4中に拡散させて、p型ベース層16と接続されたp+ 型ベースコンタクト層26を形成する。また、p+ 型多結晶Si膜から成るエミッタ電極24中の例えばBのようなp型不純物をn型ベース層22中に拡散させてp+ 型エミッタ層27を形成するとともに、n+ 型多結晶Si膜から成るベース電極21中の例えばPやAsのようなn型不純物をpウエル5中に拡散させてn型ベース層22と接続されたn+ 型ベースコンタクト層28を形成する。
【0027】
この場合、n+ 型エミッタ層25、p型ベース層16、p+ 型ベースコンタクト層26、n型Siエピタキシャル層4から成るコレクタ層、ベース電極15、エミッタ電極18などにより二層多結晶Si構造のnpnトランジスタが構成され、また、p+ 型エミッタ層27、n型ベース層22、n+ 型ベースコンタクト層28、pウエル5から成るコレクタ層、ベース電極21、エミッタ電極24などにより二層多結晶Si構造のpnpトランジスタが構成される。
【0028】
この後、図示は省略するが、層間絶縁膜の形成、この層間絶縁膜へのコンタクトホールの形成、Alなどから成る配線の形成などの工程を経て、目的とする相補型バイポーラトランジスタを完成させる。
【0029】
以上のように、この一実施例によれば、npnトランジスタのエミッタ層形成領域上への開口14の形成とpnpトランジスタのエミッタ層形成領域上への開口20の形成とを独立に行っていることにより、npnトランジスタのエミッタ層形成用の不純物拡散源およびエミッタ電極として機能するn+ 型多結晶Si膜の形成とpnpトランジスタのエミッタ層形成用の不純物拡散源およびエミッタ電極として機能するp+ 型多結晶Si膜の形成とを独立に行うことができる。このため、この一実施例においては、CVD法による多結晶Si膜の形成時に不純物をドープし、この不純物がドープされた多結晶Si膜を不純物拡散源として用いてエミッタ層を形成する技術との整合性が良好であり、この技術が支障なく相補型バイポーラトランジスタの製造プロセスに採り入れられている。これによって、相補型バイポーラトランジスタの高性能化を図ることができるとともに、熱処理温度の低温化を図り、サブハーフミクロンのバイポーラ−CMOSの製造プロセスへの適合性を良好とし、高性能の相補型バイポーラLSI、高性能の相補型バイポーラ−CMOSLSIの実現が可能となる。
【0030】
以上、この発明の一実施例について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【0031】
例えば、上述の一実施例において、n+ 型多結晶Si膜11およびp+ 型多結晶Si膜12の形成用の多結晶Si膜を形成した後に、この多結晶Si膜の大粒径化を行うことにより、npnトランジスタおよびpnpトランジスタのベース抵抗の低減を図ることが可能である。この大粒径化は、具体的には、多結晶Si膜にSiをイオン注入した後、熱処理により固相成長を行わせる方法や、CVD法により非晶質Si膜を形成した後、熱処理により固相成長を行わせる方法などにより行うことができる。
【0032】
【発明の効果】
以上述べたように、この発明によれば、第2の開口の形成と第3の開口の形成とを独立に行っているので、その形成時に不純物がドープされた半導体膜を不純物拡散源として用いてエミッタ層を形成する技術との整合性が良好である。これによって、高性能の相補型バイポーラトランジスタを製造することができるなどの利点を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による相補型バイポーラトランジスタの製造方法を説明するための断面図である。
【図2】この発明の一実施例による相補型バイポーラトランジスタの製造方法を説明するための断面図である。
【図3】この発明の一実施例による相補型バイポーラトランジスタの製造方法を説明するための断面図である。
【図4】この発明の一実施例による相補型バイポーラトランジスタの製造方法を説明するための断面図である。
【図5】この発明の一実施例による相補型バイポーラトランジスタの製造方法を説明するための断面図である。
【図6】この発明の一実施例による相補型バイポーラトランジスタの製造方法を説明するための断面図である。
【図7】従来の相補型バイポーラトランジスタの製造方法を説明するための断面図である。
【図8】従来の相補型バイポーラトランジスタの製造方法を説明するための断面図である。
【図9】従来の相補型バイポーラトランジスタの製造方法を説明するための断面図である。
【図10】従来の相補型バイポーラトランジスタの製造方法を説明するための断面図である。
【図11】従来の相補型バイポーラトランジスタの製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
2 n+ 型埋め込み層
3 p+ 型埋め込み層
4 n型Siエピタキシャル層
5 pウエル
8 フィールド絶縁膜
10、13、19 絶縁膜
11 p+ 型多結晶Si膜
12 n+ 型多結晶Si膜
10a、10b、14、20 開口
15、21 ベース電極
16 p型ベース領域
17、23 サイドウォールスペーサ
18、24 エミッタ電極
22 n型ベース領域
25 n+ 型エミッタ層
26 p+ 型ベースコンタクト層
27 p+ 型エミッタ層
28 n+ 型ベースコンタクト層
Claims (3)
- 半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
上記第1の絶縁膜を形成した後、上記第1の絶縁膜の所定部分に第1の開口を形成する工程と、
上記第1の開口を形成した後、上記第1の絶縁膜上および上記第1の開口の部分の上記半導体基板上に第1の電気伝導膜を形成する工程と、
上記第1の電気伝導膜を形成した後、第2の開口が形成される部分を含む所定部分の上記第1の電気伝導膜に第1伝導型の不純物を導入するとともに、第3の開口が形成される部分を含む所定部分の上記第1の電気伝導膜に第2伝導型の不純物を導入する工程と、
上記第1の電気伝導膜に上記第1伝導型の不純物および上記第2伝導型の不純物を導入した後、上記第1の電気伝導膜をベース電極に対応する所定形状に加工する工程と、
上記第1の電気伝導膜を所定形状に加工した後、上記第1の電気伝導膜を覆うように第2の絶縁膜を形成する工程と、
上記第2の絶縁膜を形成した後、上記第2の絶縁膜および上記第1の電気伝導膜の所定部分に上記第2の開口を形成する工程と、
上記第2の開口を形成した後、上記第2の開口を通じて第1伝導型の不純物を上記半導体基板中にイオン注入することにより第1伝導型のベース層を形成する工程と、
上記第1伝導型の不純物をイオン注入した後、上記第2の開口の側壁に第3の絶縁膜を形成する工程と、
上記第3の絶縁膜を形成した後、第2伝導型の不純物がドープされた第2の電気伝導膜を全面に形成する工程と、
上記第2の電気伝導膜を全面に形成した後、上記第2の電気伝導膜を上記第2の開口を覆う、エミッタ電極に対応する所定形状に加工する工程と、
上記第2の電気伝導膜を所定形状に加工した後、上記第2の電気伝導膜上に第4の絶縁膜を形成する工程と、
上記第4の絶縁膜を形成した後、上記第2の絶縁膜、上記第4の絶縁膜および上記第1の電気伝導膜の所定部分に第3の開口を形成する工程と、
上記第3の開口を形成した後、上記第3の開口を通じて第2伝導型の不純物を上記半導体基板中にイオン注入することにより第2伝導型のベース層を形成する工程と、
上記第2伝導型の不純物をイオン注入した後、上記第3の開口の側壁に第5の絶縁膜を形成する工程と、
上記第5の絶縁膜を形成した後、第1伝導型の不純物がドープされた第3の電気伝導膜を全面に形成する工程と、
上記第3の電気伝導膜を全面に形成した後、上記第3の電気伝導膜を上記第3の開口を覆う、エミッタ電極に対応する所定形状に加工する工程と、
上記第3の電気伝導膜を所定形状に加工した後、熱処理を行うことにより、上記第1の電気伝導膜中の上記第1伝導型の不純物、上記第1の電気伝導膜中の上記第2伝導型の不純物、上記第2の電気伝導膜中の上記第2伝導型の不純物および上記第3の電気伝導膜中の上記第1伝導型の不純物を上記半導体基板中に拡散させて、上記第1伝導型のベース層と接続された第1伝導型のベースコンタクト層、上記第2伝導型のベース層と接続された第2伝導型のベースコンタクト層、上記第1伝導型のベース層中の第2伝導型のエミッタ層および上記第2伝導型のベース層中の第1伝導型のエミッタ層を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。 - 上記第1の電気伝導膜、上記第2の電気伝導膜および上記第3の電気伝導膜は単結晶Si膜、多結晶Si膜または非晶質Si膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 上記第1伝導型はp型であり、上記第2伝導型はn型であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
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