JP3541682B2 - 圧電振動子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電振動子片をパッケージに内蔵した圧電振動子、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）、モバイルコンピュータ、あるいはＩＣカード等の小型の情報機器や、携帯電話、自動車電話、あるいはページングシステム等の移動体通信機器において装置の小型薄型化がめざましく、それらに用いられる圧電振動子等の圧電デバイスも小型薄型化が要求されている。
【０００３】
またそれとともに、装置の回路基板に両面実装が可能な表面実装タイプの圧電振動子が求められている。
【０００４】
そこで、従来の圧電振動子の一例を、圧電振動子片に音叉型の水晶振動子片を用いた図２３（ａ）、（ｂ）の構造図で示される低中周波水晶振動子を用いて説明する。低中周波水晶振動子とは、代表的な時計用の３２．７６８ＫＨｚ及びＩＣカードやページャ等に用いられる数ＫＨｚ〜数百ＫＨｚの周波数を有する水晶振動子である。
【０００５】
図２３（ａ）、（ｂ）の従来の水晶振動子の構成において、水晶基板から音叉型に形成され、その表面に駆動用の金属電極を形成された水晶振動子片２０１が、セラミックの積層基板で形成されたベース２０２の台座部に導電性の接着剤等でマウント接合され、透明なガラス材で形成されたリッド２０３により真空雰囲気中で封止されている。更に封止後レーザー等によりガラス製のリッド２０３越しにトリミング加工がされ、周波数の調整がされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述の圧電振動子は、パッケージが３層のセラミックベースと、ガラスリッドから構成され真空封止されている。ここで、リッド（蓋）は封止後に周波数調整が可能なように透明で高品質なホウケイ酸ガラス等のガラス材で作られている。
【０００７】
しかしながら、このガラスリッドはその材料費や、ガラス基板から矩形形状のリッドに高精度にカットするためのコストが高く、そのため圧電振動子の価格を高価なものにしている。また、このガラスリッドから発生する微細なダスト等が水晶振動子の特性に影響を与えている。更に、ベースが３層のセラミック基板から構成されており、その積層間の気密性が問題となり、高真空の維持が必要な振動子の特性を悪化させる原因となっている。
【０００８】
本発明の目的は、以上の従来技術の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは高真空で気密性の高い圧電振動子を安価に提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、圧電振動子片をパッケージに内蔵した表面実装型の圧電振動子において、前記パッケージのベースが前記パッケージの外部側に位置する第１のセラミック基板および前記パッケージの内部側に位置する第２のセラミック基板の少なくとも２層のセラミック基板を積層してなり、前記第１のセラミック基板には第１の貫通穴が形成され、前記第２のセラミック基板には前記第１の貫通穴より径が小さい第２の貫通穴が形成され、前記第１の貫通穴と前記第２の貫通穴との間に形成された段差部が金属により被覆（メタライズ）され、前記第２のセラミック基板の前記段差部と対向する面まで達しないように、前記段差部から延長して前記第２の貫通穴の内周縁部に金属が被覆されて形成された金属被覆部を有していることを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の発明は、前記金属被覆部は、前記第２の貫通穴の周囲が他の領域よりも厚くなるようにメタライズされていることを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２の構成において、前記開口部を封止する前記封止材が融点２５０℃〜５００℃の金属合金であることを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかの構成において、前記開口部を封止する前記封止材は、Ａｕ−Ｓｎ半田合金系、Ｓｎ半田合金系、Ｐｂ−Ｓｎ半田合金系のいずれかをひとつ又は複数選択して使用されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載の発明は、請求項１の構成において、前記開口部を封止する前記封止材は、銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）を含む合金であることを特徴とする。
【００１４】
請求項６記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかの構成において、前記第２の貫通穴が円形に形成され、前記開口部を封止する封止材が球形の金属合金であることを特徴とする。
【００１５】
請求項７記載の発明は、請求項６の構成において、前記開口部を封止する封止材の溶融前の直径が前記開口部の直径の１．１ないし１．３倍であることを特徴とする。
【００３６】
【発明の実施の形態】
本発明の圧電振動子の実施の形態を、圧電振動子片に音叉型の水晶振動子片を用いた、時計用の３２．７６８ＫＨｚ水晶振動子を例として、図面を参照して説明する。
【００３７】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本実施形態にかかる圧電振動子１１の平面図、図１（ｂ）は圧電振動子１１の正面図である。
【００３８】
これらの図に示すように、２層のセラミック基板１ａ，１ｂが積層されたベース１に、金属でメタライズされ表面にＮｉ及びＡｕメッキが施された電極部２ａ、２ｂが間隔ｄを有して形成されている。このベース１の電極部２ａ、２ｂ上に、表面に駆動用の金属電極が形成された圧電振動子片としての例えば音叉型の水晶振動子片３の電極部４ａ、４ｂを、アライメントしてマウントし、導電性の接着剤５で電気的に接続固定している。その後金属製のリッド（蓋）６をベース１にアライメントして封止剤７を用いて、加熱手段としてのビームの照射手段，例えばレーザー装置あるいは電子ビーム装置等により、封止剤７を溶かして第一の封止加工をする。これにより、水晶振動子片３をベース１とリッド６でなるパッケージ４１に封入している。
【００３９】
このベース１の底面には、図１（ｂ）に示されているように、後述するパッケージの内部と、外部を連通する開口部８が形成されている。
【００４０】
図２では、ベース１の裏面を上に向けて、次の加工する工程が示されている。図２に示すようにベース１に設けられた円形の開口部８を用いて、周波数調整手段としての高温の光ビーム等を集束させる手段，例えばレーザー装置あるいは電子ビーム装置１３により、音叉型の水晶振動子片３の一部の金属電極部分をトリミング加工して、周波数調整を行う。
【００４１】
そして最後に、真空雰囲気中で、開口部８に図１（ｂ）に示すような封止用の金属製等の小片９を搭載し、封止剤１０を用いて、第一の封止と同様にレーザー装置あるいは電子ビーム装置等により、封止剤１０を溶かして第二の真空封止加工をする。
【００４２】
以上により、小型薄型の表面実装パッケージの水晶振動子１１が完成する。
【００４３】
このように、音叉型の水晶振動子片３を内蔵する真空領域Ｓは、ベース１の単一層部１２（上側の基板１ｂ）と金属製の絞り加工されたリッド６から構成されており、その気密性は非常に高いものとなる。つまり、真空領域Ｓは、ベース１の単一層部１２と金属製の絞り加工されたリッド６とだけから仕切られいるので、この真空領域Ｓ内に例えばベースを構成する複数のセラミック基板の継ぎ目等がなく、その分気密性を保持しやすい。
【００４４】
ここで、図３は、本発明の実施形態による水晶振動子１１の裏面側の構造図であり、上述した音叉型の水晶振動子片３の周波数調整として行われるレーザー加工あるいは電子ビーム加工によるトリミング部分と、開口部８の関係を示している。
【００４５】
ここで水晶振動子片３は、フォトリソ加工により、ひとつの水晶基板から、同一の外形を備えるように、各振動子片が多数配列された状態で形成されて、さらに、各振動子片の表面に、Ｃｒ＋Ａｕ等（例えば、Ｃｒ膜の上にＡｕ膜をスパッタ加工する）の金属膜を電極として形成している。この金属膜の一部にＡｕあるいはＡｇ等の金属膜を更に薄く精度良く形成し、重み効果により周波数をある一定の量で低くしている。
【００４６】
その後、水晶振動子片３は水晶基板から折り取られ、図１に示すベース１にマウントされ、リッド６を用いて封止される。このようにマウント、封止という加工プロセスによる熱履歴や、それによる応力の発生、あるいは封止剤からでるアウトガス等の影響で、水晶振動子片３の共振周波数が変化してしまう。そのため封止後の周波数調整が必要であり、その周波数調整は精度良く行わなければならない。
【００４７】
そこで、図３に示すように、水晶振動子片３の二股にわかれた２つの振動腕３ａ，３ｂのうち少なくとも１つの振動腕３ａの周波数調整部３ｃが、開口部８からレーザー加工あるいは電子ビーム加工できるように、開口部８がベース１の裏側に形成されている。つまり、開口部８は、音叉型水晶振動子片３の２つある振動腕３ａ，３ｂの片方３ａの一部を周波数調整部３ｄ，３ｅとして露出するように位置決めされている。そして、この開口部８を通してレーザー光あるいは電子ビームを照射し、振動腕２１の周波数調整部３ｃのＡｕあるいはＡｇ等の金属膜を溶かして、周波数調整部３ｃの重みを減らし周波数を高くして狙った周波数（例えば３２．７６８ＫＨｚ）になるよう周波数調整を行う。
【００４８】
さらに、その開口部８に金属製等の小片９を搭載し、レーザー装置あるいは電子ビーム装置により封止剤１０を溶かして真空封止を行う。
【００４９】
このように少なくとも１つの振動腕３ａの周波数調整部３ｃのみを加工できる大きさの開口部８を封止するだけなので、その封止による周波数の影響は非常に少ない。
【００５０】
（第２の実施形態）
図４は、本発明の他の実施形態にかかる圧電振動子４２であり、この圧電振動子４２の第１の実施形態と共通する構成には同一の符号を付して、重複する説明は省略する。圧電振動子４２では、図１に示す金属製のリッド６の変わりにセラミックのリッド３１を用いている点が第１の実施形態と異なっている。したがって、第２の実施形態にかかる圧電振動子４２も第１の実施形態と同一の作用効果を奏することができる。
【００５１】
（第３の実施形態）
図５は、本発明のさらに他の実施形態にかかる圧電振動子４３でありこの圧電振動子４３の第２の実施形態と共通する構成には同一の符号を付して、重複する説明は省略する。この圧電振動子４３では、開口部３２が図４で示したリッド３１に形成された点が第２の実施形態と異なっている。したがって、第３の実施形態にかかる圧電振動子４３も第１及び第２の実施形態と同一の作用効果を奏することができる。
【００５２】
（第４の実施形態）
図６は本発明の第４の実施形態を示している。この図６は、圧電振動子４４の図３に対応する図であり、ベース１の底面から見た状態を示している。
【００５３】
図６において、第１の実施形態と共通する構成には同一の符号を付して、重複する説明は省略する。ベース１には、開口部４５が設けられている。この開口部４５は、パッケージ内部に収容されている音叉型水晶振動子片３の２つある振動腕３ａ，３ｂのそれぞれについて、これらの一部を周波数調整部３ｄ，３ｅとして露出するように位置決めされている。そして、この開口部４５の大きさ（内径）は、音叉型水晶振動子片３の外形を越えないようにされている。
【００５４】
そして、この開口部４５を通して、周波数調整手段としてのレーザー光あるいは電子ビームが、各振動腕３ａ，３ｂの周波数調整部３ｄ，３ｅのＡｕあるいはＡｇ等の金属膜を溶かして、周波数調整部３ｃの重みを減らし周波数を高くして狙った周波数（例えば３２．７６８ＫＨｚ）になるよう周波数調整を行うようになっている。したがって、第４の実施形態では、周波数調整に際して、各振動腕３ａ，３ｂの両方をバラス良く重みを減らすことができる。そして、この圧電振動子４４は上記以外の作用効果は第１の実施形態と同じである。
【００５５】
上述の各実施形態において、封止剤７、１０については、その成分はＡｕ−Ｓｎ系、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ａｇロウ系等の金属材料や、有機系の接着剤等でよい。また、封止剤７、１０の形態は、クラッドされたものやプリフォームされたものでもよい。
【００５６】
以上のような構成によれば、第一の封止工程と周波数調整工程及び第二の封止工程は、レーザー装置あるいは電子ビーム装置での共通加工が可能となり、同一装置による一貫加工が行える。
【００５７】
また、加工するセラミックのベース１やリッド６の形態は単品、あるいは複数個が並んだプレート形態のどちらでもよい。
【００５８】
以上、セラミック及び金属といった高品質ガラスに比較して安価な構成部品を用いることにより、横５ｍｍ、幅２ｍｍ、厚み０．８ｍｍという小型薄型の水晶振動子が安価に得られる。
【００５９】
次に、本発明の圧電振動子の第５の実施形態を、圧電振動子片に音叉型の水晶振動子片を用いた、時計用の３２．７６８ＫＨｚ水晶振動子を例として、図面を参照して説明する。
【００６０】
（第５の実施形態）
図７（ａ）は、本実施形態にかかる圧電振動子５１の平面図、図７（ｂ）は圧電振動子５１の正面図である。
【００６１】
これらの図に示すように、２層のセラミック基板１ａ，１ｂが積層されたベース１に、Ｗ（タングステン）等の金属でメタライズされ表面にＮｉ及びＡｕメッキが施された電極部５２ａ、５２ｂが形成されている。その電極部５２ａ、５２ｂ上に、表面に駆動用の金属電極が形成された音叉型の水晶振動子片５３の電極部５４ａ、５４ｂを、アライメントしてマウントし導電性接着剤５５で電気的に接続固定している。その後金属製の（蓋）リッド５６をベース６５にアライメントして封止剤５７を用いてレーザー装置あるいは電子ビーム装置等により、封止剤５７を溶かして第一の封止加工をする。これにより、水晶振動子片５３をベース６５とリッド５６でなるパッケージ６１に封入している。
【００６２】
このベース６５の底面には、図７（ｂ）に示されているように、後述するパッケージの内部と、外部を連通する開口部５８が形成されている。
【００６３】
更に図８に示すようにベース６５に設けられた円形あるいは長円形あるいは楕円等の開口部５８を用いて、周波数調整手段としてのレーザー装置あるいは電子ビーム装置６３により、音叉型の水晶振動子片５３の一部の金属電極部分をトリミング加工して、周波数調整を行う。
【００６４】
そして最後に、開口部５８に封止材として、Ａｕ−Ｓｎ半田系あるいは９：１半田等の高融点Ｐｂ−Ｓｎ半田系材料等で形成された、例えば球体の封止材５９を搭載し、真空雰囲気中でバッチ式の真空封止装置やレーザー装置あるいは電子ビーム装置等により封止材５９を溶かして第二の真空封止加工をする。この第二の封止加工に関しては、さらに詳しく後述する。
【００６５】
以上により、小型薄型の表面実装パッケージの水晶振動子５１が完成する。
【００６６】
このように、音叉型の水晶振動子片５３を内蔵する真空領域は、ベース６５の単一層部５２と金属製の絞り加工されたリッド５６から構成されており、その気密性は非常に高いものとなる。つまり、真空領域Ｓは、ベース１の単一層部５２と金属製の絞り加工されたリッド５６とだけから仕切られているので、この真空領域Ｓ内に例えばベースを構成する複数のセラミック基板の継ぎ目等がなく、その分気密性を保持しやすい。
【００６７】
ここで、上記封止材５９は、金属合金であり、上記の他、Ｓｎ半田系材料や、銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）の合金、あるいは金属ロウ材で構成してもよい。この封止材５９の形状については、さらに後述する。
【００６８】
図９は、本実施形態の水晶振動子５１の裏面側の構造図であり、音叉型の水晶振動子片５３のレーザー加工あるいは電子ビーム加工によるトリミング部分と、開口部５８の関係を示している。
【００６９】
ここで本実施形態の水晶振動子片５３は、水晶基板に多数配列された状態でフォトリソ加工により形成されており、Ｃｒ＋Ａｕ等（例えば、Ｃｒ膜の上にＡｕ膜をスパッタ加工する）の金属膜を電極として形成している。この金属膜の一部にＡｕあるいはＡｇ等の金属膜を更に薄く精度良く形成し、重み効果により周波数をある一定の量で低くしている。
【００７０】
その後、水晶振動子片５３は水晶基板から折り取られ、図７に示すベース６５にマウントされ、リッド５６を用いて封止される。このようにマウント、封止という加工プロセスによる熱履歴や、それによる応力の発生、あるいは導電性接着剤５５や封止剤５７からでるアウトガス等の影響で、水晶振動子片５３の共振周波数が変化してしまう。そのため封止後の周波数調整が必要であり、その周波数調整は精度良く行わなければならない。
【００７１】
図９に示すように、水晶振動子片５３の少なくとも１つの振動腕５３ａの周波数調整部５３ｃが、開口部５８からレーザー加工あるいは電子ビーム加工できるように、開口部５８がベース６５の裏側に形成されている。この開口部５８を通してレーザー光あるいは電子ビームが、振動腕５３ａの周波数調整部５３ｃのＡｕあるいはＡｇ等の金属膜を溶かして、周波数調整部５３ｃの重みを減らし周波数を高くして狙った周波数（３２．７６８ＫＨｚ）になるよう周波数調整を行う。
【００７２】
そして、その開口部５８に封止材５９を搭載し、真空封止装置やレーザー装置あるいは電子ビーム装置により封止材５９を溶かして真空封止を行う。
【００７３】
このように少なくとも１つの振動腕５３ａの周波数調整部５３ｃのみを加工できる大きさの開口部５８を封止するだけなので、その封止による周波数の影響は非常に少ない。
【００７４】
次に、開口部５８に封止材としての封止材５９を搭載し、真空封止を行う上述の第２の封止加工のプロセスについて詳細に説明する。
【００７５】
図１０（ａ）は、圧電振動子５１をベース６５の裏面から見たときに、その開口部５８のみを表した図であり、図１０（ｂ）は、圧電振動子５１の側断面図である。
【００７６】
図１０（ａ）、（ｂ）に示すようにベース６５に直径φ０．３ｍｍの穴７６とφ０．６ｍｍの段差部７４からなる開口部５８が形成されている。つまり、ベース６５を構成する第１の基板１ａには貫通穴７３が形成され、第２の基板１ｂには、この貫通穴７３より小さい別の貫通穴７６が形成されていて、両貫通穴７３と７６の間には、段差部７４が形成されている。
【００７７】
そして段差部７４の表面には、ベース６５に形成された電極部５２ａ、５２ｂと同様に、Ｗ（タングステン）でメタライズされ表面にＮｉ及びＡｕメッキが施された高い熱伝導性を有するメタライズ部である金属被覆部７４ａが形成されている。これにより、メタライズされた金属（金属被覆部７４ａ）をパッケージ６１に設けられた開口部５８周辺に配置しているので、後述するように、ここを加熱することで、封止時の熱を効率良く封止部に伝導することが可能となり、非常に高い真空度を達成することができる。
【００７８】
又、開口部５８の周囲には複数個の直径が例えばφ０．２ｍｍ〜０．２５ｍｍのＷ（タングステン）等を埋め込んで構成したメタライズ部である金属埋め込み部７５が設けられている。そして、この金属埋め込み部７５と段差部７４の金属被覆部７４ａが電気的に接続されている。これにより、後述するように、開口部５８周辺に埋設されている金属埋め込み部７５を加熱することにより、微小な穴で形成された開口部５８を直接加熱することが可能となる。そのため信頼性の高い真空封止が瞬時に行うことが可能となる。又、封止部以外の部分に直接熱が伝導しないため、特に圧電振動子片５３のマウント部への熱の影響がなくなり、封止後の周波数偏差等がなく精度の高い圧電振動子を得ることができる。
【００７９】
次に、図１０（ｂ）に示すように周波数調整のされた圧電振動子５１をバッチ式の真空封止装置等（図１０（ｂ）には図示せず）にセットし、開口部５８に封止材５９としての金属部材をセットする。
【００８０】
ここで、図１１は、封止材５９を示す拡大断面図である。
【００８１】
図において、この封止材５９は、例えば、Ａｕ−Ｓｎ半田系あるいは９：１半田等の高融点Ｐｂ−Ｓｎ半田系材料等で形成された、例えば直径φ０．３５ｍｍ程度の球形の金属合金である。また、封止材５９としては、例えば、融点２５０℃〜５００℃の金属合金なら利用しやすく、また、上記の他、Ｓｎ半田系材料や、銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）の合金、あるいは金属ロウ材で構成してもよい。
【００８２】
封止材５９をこのように構成することで、低い温度での封止が可能であり、信頼性の高い真空封止を瞬時に行うことが可能となる。またφ０．３〜０．４ｍｍ程度と非常に小さい球形（ボール形状）の金属合金であるため、封止部材の加工もし易く安価に製作可能である。
【００８３】
開口部５８の穴形状は、円形や楕円形，あるいは長円形等の形状が適している。そして、例えば楕円形や長円形の場合には、封止材５９は複数個を同時に適用してもよい。
【００８４】
ここで、図１１に示すように、球体の封止剤５９を用いる場合に、封止材５９の直径Ｌ１とし、貫通穴７６の穴径Ｌ２とすると、Ｌ１は、好ましくはＬ２の１．１倍ないし１．３倍に設定される。この範囲よりＬ１が小さいと、封止材５９がパッケージ６１内に落ちてしまう可能性がある。この範囲よりＬ１が大きいと、開口部５８から大きくはみ出してしまう。また、封止材５９の熱容量が課題となり加熱作業が適切に行えない場合があり、その分材料コストも過大となる。
【００８５】
このため、金属被覆部７４ａは、段差部７４表面において、溶けた封止材５９の溶融金属が、図１１のＡの面及びＢの面からはみ出さないように、その被覆の面積を決定することが好ましい。Ａの面から溶融金属が出てしまうと、圧電振動子５１を基板等に実装する際に困難を生じる。また、Ｂの面から出てしまうと、パッケージ６１内の圧電振動子片５３と接触して短絡を生じる可能性がある。このため、金属被覆部７４ａは、図示されているように、開口部５８の貫通穴７６の周囲（Ｃの面）と次の箇所である。つまり、図１１においては、開口部５８の周辺部に形成する金属被覆部７４ａは、貫通穴７６の周囲だけでなく、内周縁部に延長された延長部７６ａを有している。これにより、後述するようにして、封止材５９を加熱溶融したときに、溶けた金属が延長部７６ａ部分に付着して、封止効果を向上させることができる。この場合、延長部７６ａは、貫通穴７６の内周縁部にとどめて、穴の反対側まで達しないようにすることが好ましい。そのようにすると、封止材５９の溶融工程において、溶けた金属がパッケージ６１の内側に達するおそれがあるからである。したがって、延長部７６ａは、貫通穴７６の穴の深さの１／３ないし１／２に設定するのが好ましい。
【００８６】
さらに、図１２に示されているように、金属被覆部７４ａは、貫通穴７６に近接した周辺領域において、その周囲よりも特に被覆厚を厚くした厚膜被覆部７４ｂを設けるようにすると好ましい。これにより、封止材５９を加熱溶融したときに、特に溶融金属との濡れ性が向上し、封止効果が向上する。
【００８７】
このようにして、開口部５８に適用した封止材５９は、更に、開口部５８の周辺に配置された図１０に示す金属埋め込み部７５をヒーター等の先端部で加熱して、その熱伝導により段差部７４が加熱され、更に封止材５９が加熱溶融する。そして、段差部７４のメタライズに封止材５９が溶融し、同時に穴７６が封止されて第二の真空封止プロセスが完了する。
【００８８】
この第二の真空封止を行うための真空封止手段について、図１３を参照して詳しく説明する。
【００８９】
図１３において、真空封止手段１００は、熱源１０１と熱伝導体８１と当接治具８２とを備える加熱治具８０を有している。熱伝導体８１は、熱源１０１に接続された熱伝導体であり、この熱伝導体８１には、熱が伝達されるように当接治具８２（第１の加熱手段）が取り付けられている。
【００９０】
この熱伝導体８１と当接治具８２により加熱治具８０が構成されている。好ましくは、この当接治具８２は、所定の間隔をおいて、複数個熱伝導部８１に取付けられていてもよい。また、熱伝導部８１はそれ自体を熱源としての電気ヒータ（カーボンヒータ）等で構成してもよく、また熱源１０１に接続されていてもよい。加熱治具８０は、例えば図示しない水平なＸＹ方向と上下のＺ方向に３軸ロボット等の駆動手段により駆動されるようになっている。
【００９１】
当接治具８２は、図１３のように開口部５８の上に位置したときに、封止材５９に当接されるように、中心付近に配置した第１のピン８３と、金属被覆部７４ａの上面に当接するように、第１のピン８３の周囲に設けた第２のピン８４，８４を備えている。
【００９２】
これにより、加熱治具８０とパッケージ６１をともに真空雰囲気内に配置し、加熱治具８０が開口部５８に対して位置決めされ、少なくとも当接治具８２部分を下降させて、図示するように、第１のピン８３を封止材５９に当接させ、第２のピン８４を金属被覆部７４ａに同時に当接させる。この時、図１３には示されていない金属埋め込み部７５も第２のピン８４により当接されるようにしてもよい。
【００９３】
次いで、電気ヒータ等の熱源１０１から熱伝導部８１に熱が伝えられ、この熱は当接治具８２を介して、封止材５９と金属被覆部７４ａとに伝えられる。また、上記したように埋め込み金属部７５が設けられている場合には、この埋め込み金属部７５にも熱が伝えられる。
【００９４】
これにより、封止材５９に対しては、第１のピン８３からだけでなく、金属被覆部７４ａと埋め込み金属部７５とから同時に熱が伝えられて、きわめて効率良く加熱溶融される。そして、溶融金属が図２０に示すように、開口部５８の貫通穴７６を塞ぐことにより、真空雰囲気中で、第２の封止加工が行われる。
【００９５】
尚、図２０には、封止後の開口部５８の断面図が示されており、この図では、パッケージ６１の裏面から封止材５９が突き出ないように封止材５９の直径が設定されている。
【００９６】
ここで、真空封止装置の真空引きのプロファイルと、上述した熱源としてのヒーターの加熱温度のプロファイルについては、封止材５９が完全に溶融する以前に圧電振動子１１のパッケージ内が充分に高い真空度に到達しているように設定している。
【００９７】
図１４は、第二の真空封止を行うための他の例を示している。
【００９８】
図示されているように、この真空封止手段１１０は、真空チャンバー９１と、加熱手段９３を備えている。
【００９９】
真空チャンバー９１内にはパッケージ６１が収容されている。この状態で真空チャンバー９１内は高真空にされている。
【０１００】
この真空チャンバー９１の図１４に示す一部の隔壁またはカバー９２は、透明になっている。そして、このカバー９２側に、パッケージ６１の開口部５８が対向するように配置収容されている。
【０１０１】
これに対して、真空チャンバー９１の外部には、加熱手段９３が配置されている。加熱手段９３は、例えば図示しない水平なＸＹ方向と上下のＺ方向に３軸ロボット等の駆動手段により駆動されるようになっている。この加熱手段９３は、例えば、駆動源９４とこの駆動源９４に接続されたビームの照射手段９５を備えている。ビームの照射手段９５は、大容量レーザのレーザビーム等の高温の光ビームを真空チャンバー９１のカバー９２に対して照射するようになっている。
【０１０２】
これにより、加熱手段９３を移動させて、図１４に示すように、真空チャンバー９１に対して位置合わせし、駆動手段９４を駆動して、ビームの照射手段９５から例えばレーザ光ビームを照射する。この光ビームは、透明なカバー９２を透過して、封止材５９に照射され、これを加熱溶融させる。
【０１０３】
このようにして、封止材５９は、加熱溶融され、溶融金属が図２０に示すように、開口部５８の貫通穴７６を塞ぐことにより、真空雰囲気中で、第２の封止加工が行われる。
【０１０４】
したがって、封止材５９は、金属被覆部７４ａや金属埋め込み部７５を加熱することなく、この封止材５９だけを加熱することにより、溶融されるようにしてもよい。
【０１０５】
図１５は、上述した第二の真空封止を行うための真空封止手段１２０を示している。
【０１０６】
この真空封止手段１２０に関して図１３にて説明した真空封止手段１００と同一の符号を付した箇所は同様の構成であり、重複する説明は省略し、相違点を中心に説明する。真空封止手段１２０は、図１３の真空封止手段１００と比べると、パッケージ６１の例えばリッド５６に接触するように配置された第２の加熱手段１２１と、熱源１０１及びこの第２の加熱手段１２１に接続された加熱制御手段１０２とを備える点で異なる。この第２の加熱手段１２１は、例えばそれ自体熱源としてカーボンヒータ等のヒータブロックで構成されていてもよく、その場合には、図１５の熱源１０１と熱伝導部８１は同じものとなる。
【０１０７】
このような真空封止手段１２０を用いると、パッケージ６１を封止材５９の融点以下に加熱して、第二の真空封止を行うことができる。
【０１０８】
具体的には、図１６及び図１７に示すように加熱して、真空封止が行われる。
先ず、図１５に示されている状態と異なり、当接治具８２は、封止材５９の上方に保持されていて、当接治具８２の各当接ピン８３，８４は封止材５９に接触しない状態とされている。そして、加熱制御手段１０２は、第２の加熱手段１２１を駆動して、パッケージ６１を加熱する。この熱はパッケージ６１に接触している封止材５９に伝えられ、この封止材５９が図１７に示すように、例えば摂氏２００度程度になるまで昇温させる。この場合、封止材５９の温度を計測して、加熱制御手段１０２に与えるようにしてもよいし、加熱制御手段は、予め実験したデータを保持していて、加熱時間と昇温スピードから封止材５９の温度を知るようにしてもよい。そして、上記パッケージ６１の加熱時間は、後述する封止材９１の加熱溶融に先立って、５分ないし１０分程度が好ましい。この時間設定によれば、リッド５６の封止剤５７や接着剤５５から発生する有害なアウトガスを真空引きしてしまうことができる。尚、図１８には、この時の真空引きのプロファイルを示している。
【０１０９】
一方、加熱制御手段１０２は、熱源１０１に指示を出して、熱伝導部（ヒータ）８１を加熱駆動し、この熱が当接治具８２に伝わって、当接治具８２（第１の加熱手段）の温度が例えば摂氏３２０度程度になるまで、昇温させる（図１６参照）。
【０１１０】
そして、上記したように、封止材５９が例えば摂氏２００度程度で、当接治具８２が、例えば摂氏３２０度となったときに、図示しない駆動手段を駆動させて、当接治具８２を下降させ、図１５に示す状態とする。
【０１１１】
すなわち、当接治具８２の第１のピン８３は、封止部材５９の中央付近に当接し、第２のピン８４，８４は、金属被覆部７４ａ及び／又は埋め込み金属部に当接して、図１７（ａ）の符号Ａに示すように、封止材５９の温度を急激に上昇させ、封止材５９の融点以上の温度にする。この温度上昇に要する時間は短いほどよく、好ましくは、１０秒以下、さらに好ましくは、３ないし５秒以下で、１．５秒とした時に最もよい結果が得られた。
【０１１２】
特にこの封止材５９の温度上昇に関しては、図１７（ａ）の符号Ａで示した箇所を、図１７（ｂ）に拡大して示している。この図によると、温度の立ち上がり部分Ａ１に関しては、温度変化は急峻であり、立ち下がりＡ２では、温度変化はややゆるやかになっている。
【０１１３】
この場合、パッケージ６１の温度を封止材５９の融点より低い温度にするために、例えば封止材としてＡｕ−Ｓｎ半田合金を用いた場合に、封止材５９の温度を上述のように摂氏約２００度まで昇温させている。しかしながら、封止材５９の材質によっては、より融点が高い場合には、もっと高い温度とし、融点が低い場合にはもっと低い温度としてもよい。しかしながら、パッケージ６１の温度を摂氏２４０度以上とすると、リッド５６の封止剤５７や接着剤５５等が溶けて、有害なガスが発生する場合があり、好ましくない。
【０１１４】
このように、図１５に示す真空封止手段１２０により、パッケージ６１を封止材５９の融点以下に予め加熱してから、封止材５９と溶融すると、封止材５９が開口部５８の周辺へ溶融して流れやすくなる。これにより、パッケージ６１の安定した真空封止が可能となる。
【０１１５】
さらに、図１７のように、パッケージ６１を封止材５９の融点以下に予め加熱してから、封止材５９を融点以上に急激に加熱することにより、封止材５９は瞬時に加熱溶融して、パッケージ６１内の高い真空度を実現できる。尚、この封止材５９の加熱時間が上述より長く、例えば１分以上かかると、リッド５６の封止剤５７や接着剤５５等が溶けて、有害なガスが発生する場合があり、好ましくない。このため、加熱時間は短いほどよく、封止材５９の溶融に要する時間を考慮すると、上述の範囲となることが本発明者等により確認されている。
【０１１６】
図１９は、上述した第二の真空封止を行うためのさらに他の手段としての真空封止手段１３０を示している。
【０１１７】
この真空封止手段１３０に関して、図１４にて説明した真空封止手段１１０と同一の符号を付した箇所は同様の構成であり、重複する説明は省略し、相違点を中心に説明する。真空封止手段１３０は、図１４の真空封止手段１１０と比べると、パッケージ６１の例えばリッド５６に接触するように配置された第２の加熱手段１２１と、駆動源９４及びこの第２の加熱手段１２１に接続された加熱制御手段１０２とを備える点で異なる。
【０１１８】
したがって、この真空封止手段１３０によれば、図１４で説明した真空封止手段１１０の作用効果に加えて、封止材５９が開口部５８の周辺へ溶融して流れやすくなり、これにより、パッケージ６１の安定した真空封止が可能となるという作用効果を発揮する。
【０１１９】
尚、金属埋め込み部７５の形状や配置は上述の実施形態に限定されず、その形状や配置はベース６５の強度を損なうことがない範囲で自由に設定可能である。また、上述したように、金属被覆部７４ａと金属埋め込み部７５は、必ずしも両方設ける必要はない。どちらか一方設けてもよい。
【０１２０】
更に、開口部のメタライズあるいは金属埋め込み部７５と電気的に接続された電極パターンをパッケージ６１の側面等に延長して配線してもよい。
【０１２１】
（第６の実施形態）
図２１は、本発明の第６の実施形態にかかる圧電振動子９５であり、この圧電振動子９５の第５の実施形態と共通する構成には同一の符号を付して、重複する説明は省略する。圧電振動子９５では、図７に示す金属製のリッド５６の変わりにセラミックのリッド９６を用いている点が第５の実施形態と異なっている。したがって、第６の実施形態にかかる圧電振動子９５も第５の実施形態と同一の作用効果を奏することができる。
【０１２２】
（第７の実施形態）
図２２は、本発明の第７実施形態にかかる圧電振動子９７でありこの圧電振動子９７の第５の実施形態と共通する構成には同一の符号を付して、重複する説明は省略する。この圧電振動子９７では、開口部９９が図２１で示したリッド９６に形成された点が第６の実施形態と異なっている。したがって、第７の実施形態にかかる圧電振動子９７も第５及び第６の実施形態と同一の作用効果を奏することができる。
【０１２３】
本発明は上述の各実施形態に限定されず、その構成部品の組み合わせは自由である。
【０１２４】
更に、封止剤５７については、その成分はＡｕ−Ｓｎ系、Ｓｎ系、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ａｇロウ系等の金属材料や、有機系の接着剤等でよい。又、封止剤５７の形態は、クラッドされたものやプリフォームされたものでもよい。
【０１２５】
以上のような構成によれば、第一の封止工程と周波数調整工程及び第二の封止工程は、レーザー装置等での共通加工することも可能であり、同一装置による一貫加工が行える。
【０１２６】
又、加工するセラミックのベース６５やリッド５６の形態は単品、あるいは複数個が並んだプレート形態のどちらでもよい。
【０１２７】
又、パッケージに発振回路等を有するＩＣチップと水晶振動子を内蔵した水晶発振器や、リアルタイムクロックオシレータ等にも本構造は適用可能である。
【０１２８】
以上、セラミック及び金属といった高品質ガラスに比較して安価な構成部品を用いることにより、横５ｍｍ、幅２ｍｍ、厚み０．８ｍｍという小型薄型の水晶振動子が安価に得られる。
【０１２９】
【発明の効果】
請求項１〜７記載の発明によれば、圧電振動子をパッケージに内蔵した圧電振動子において、メタライズされた金属をパッケージに設けられた開口部周辺に配置することにより、封止時の熱を効率良く封止部に伝導することが可能となり、非常に高い真空度を達成することができるという効果を有する。これにより内蔵された圧電振動子片が安定して振動し高品質の圧電振動子が得られる。
【０１３７】
請求項３の発明によれば、開口部を封止する前記封止材が融点２５０℃〜５００℃の金属合金で構成されているので、封止材を溶融温度に加熱しても、振動片や接着剤に熱的な悪影響を与えなくて済む。
【０１３８】
請求項５記載の発明によれば、開口部を封止する封止材が融点２５０℃〜５００℃の球形の金属合金であることにより、低い温度での封止が可能であり、信頼性の高い真空封止を瞬時に行うことが可能となる。またφ０．３〜０．４ｍｍ程度と非常に小さい球形（ボール形状）の金属合金であるため、封止部材の加工もし易く安価に製作可能である。
【０１３９】
請求項６、７記載の発明によれば、パッケージの開口部が円形で形成され、この開口部を封止する封止材が球形に形成されることにより、開口部の形状に合わせて、封止材を適用しやすく、加熱封止作業が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の圧電振動子の構造を示す図であり、（ａ）は圧電振動子の概略平面図、（ｂ）は圧電振動子の概略側断面図。
【図２】図１の圧電振動子の周波数調整工程を示す概略図。
【図３】図１の圧電振動子の概略裏面図。
【図４】本発明の第２の実施形態の圧電振動子を示す概略正面断面図。
【図５】本発明の第３の実施形態の圧電振動子を示す概略正面断面図。
【図６】本発明の第４の実施形態の圧電振動子を示す概略裏面図。
【図７】本発明の第５の実施形態の圧電振動子の構造を示す図であり、（ａ）は圧電振動子の概略平面図、（ｂ）は圧電振動子の概略正面断面図。
【図８】図７の圧電振動子の周波数調整工程を示す概略図。
【図９】図７の圧電振動子の概略裏面図。
【図１０】（ａ）は図７の圧電振動子の裏面における開口部周辺を示す図、（ｂ）は、図７の圧電振動子の概略正面断面図。
【図１１】図７の圧電振動子の開口部の側面から見た概略拡大図。
【図１２】図７の圧電振動子の開口部の変形例を側面から見た概略拡大図。
【図１３】図７の圧電振動子の第二の封止工程の一例を示す説明図。
【図１４】図７の圧電振動子の第二の封止工程の他の例を示す説明図。
【図１５】図７の圧電振動子の第二の封止工程のさらに異なる例を示す説明図。
【図１６】図１５の第二の封止工程の第１の加熱手段の昇温状態を示す図。
【図１７】図１５の第二の封止工程の第２の加熱手段の昇温状態を示す図。
【図１８】図１５の第二の封止工程の真空引きのプロファイルを示す図。
【図１９】図７の圧電振動子の第二の封止工程のさらに異なる例を示す説明図。
【図２０】図７の圧電振動子の開口部の封止状態を示す概略正面断面図。
【図２１】本発明の第６の実施形態の圧電振動子を示す概略正面断面図。
【図２２】本発明の第７の実施形態の圧電振動子を示す概略正面断面図。
【図２３】従来の圧電振動子の構造図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその概略側断面図。
【符号の説明】
１，６５ ベース
２ａ，２ｂ，５２ａ，５２ｂ 電極部
３，５３ 水晶振動子片
５４ａ、５４ｂ 電極部
５，５５ 接着剤
６，５６ リッド
７，５７ 封止剤
８，４５，５８ 開口部
１１，５１ 圧電振動子
１２，５２ 単一層部
１３，６３ 周波数調整手段（レーザー装置あるいは電子ビーム装置）
５９ 封止材
７３ 貫通穴
７４ 段差部
７４ａ 金属被覆部（メタライズ部）
７６ 貫通穴
８０ 加熱治具
８２ 当接治具
９１ 真空チャンバー
９３ 加熱手段
２０１ 水晶振動子片
２０２ ベース
２０３ リッド
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電振動子片をパッケージに内蔵した圧電振動子、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）、モバイルコンピュータ、あるいはＩＣカード等の小型の情報機器や、携帯電話、自動車電話、あるいはページングシステム等の移動体通信機器において装置の小型薄型化がめざましく、それらに用いられる圧電振動子等の圧電デバイスも小型薄型化が要求されている。
【０００３】
またそれとともに、装置の回路基板に両面実装が可能な表面実装タイプの圧電振動子が求められている。
【０００４】
そこで、従来の圧電振動子の一例を、圧電振動子片に音叉型の水晶振動子片を用いた図２３（ａ）、（ｂ）の構造図で示される低中周波水晶振動子を用いて説明する。低中周波水晶振動子とは、代表的な時計用の３２．７６８ＫＨｚ及びＩＣカードやページャ等に用いられる数ＫＨｚ〜数百ＫＨｚの周波数を有する水晶振動子である。
【０００５】
図２３（ａ）、（ｂ）の従来の水晶振動子の構成において、水晶基板から音叉型に形成され、その表面に駆動用の金属電極を形成された水晶振動子片２０１が、セラミックの積層基板で形成されたベース２０２の台座部に導電性の接着剤等でマウント接合され、透明なガラス材で形成されたリッド２０３により真空雰囲気中で封止されている。更に封止後レーザー等によりガラス製のリッド２０３越しにトリミング加工がされ、周波数の調整がされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述の圧電振動子は、パッケージが３層のセラミックベースと、ガラスリッドから構成され真空封止されている。ここで、リッド（蓋）は封止後に周波数調整が可能なように透明で高品質なホウケイ酸ガラス等のガラス材で作られている。
【０００７】
しかしながら、このガラスリッドはその材料費や、ガラス基板から矩形形状のリッドに高精度にカットするためのコストが高く、そのため圧電振動子の価格を高価なものにしている。また、このガラスリッドから発生する微細なダスト等が水晶振動子の特性に影響を与えている。更に、ベースが３層のセラミック基板から構成されており、その積層間の気密性が問題となり、高真空の維持が必要な振動子の特性を悪化させる原因となっている。
【０００８】
本発明の目的は、以上の従来技術の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは高真空で気密性の高い圧電振動子を安価に提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、圧電振動子片をパッケージに内蔵した表面実装型の圧電振動子において、前記パッケージのベースが前記パッケージの外部側に位置する第１のセラミック基板および前記パッケージの内部側に位置する第２のセラミック基板の少なくとも２層のセラミック基板を積層してなり、前記第１のセラミック基板には第１の貫通穴が形成され、前記第２のセラミック基板には前記第１の貫通穴より径が小さい第２の貫通穴が形成され、前記第１の貫通穴と前記第２の貫通穴との間に形成された段差部が金属により被覆（メタライズ）され、前記第２のセラミック基板の前記段差部と対向する面まで達しないように、前記段差部から延長して前記第２の貫通穴の内周縁部に金属が被覆されて形成された金属被覆部を有していることを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の発明は、前記金属被覆部は、前記第２の貫通穴の周囲が他の領域よりも厚くなるようにメタライズされていることを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２の構成において、前記開口部を封止する前記封止材が融点２５０℃〜５００℃の金属合金であることを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかの構成において、前記開口部を封止する前記封止材は、Ａｕ−Ｓｎ半田合金系、Ｓｎ半田合金系、Ｐｂ−Ｓｎ半田合金系のいずれかをひとつ又は複数選択して使用されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載の発明は、請求項１の構成において、前記開口部を封止する前記封止材は、銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）を含む合金であることを特徴とする。
【００１４】
請求項６記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかの構成において、前記第２の貫通穴が円形に形成され、前記開口部を封止する封止材が球形の金属合金であることを特徴とする。
【００１５】
請求項７記載の発明は、請求項６の構成において、前記開口部を封止する封止材の溶融前の直径が前記開口部の直径の１．１ないし１．３倍であることを特徴とする。
【００３６】
【発明の実施の形態】
本発明の圧電振動子の実施の形態を、圧電振動子片に音叉型の水晶振動子片を用いた、時計用の３２．７６８ＫＨｚ水晶振動子を例として、図面を参照して説明する。
【００３７】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本実施形態にかかる圧電振動子１１の平面図、図１（ｂ）は圧電振動子１１の正面図である。
【００３８】
これらの図に示すように、２層のセラミック基板１ａ，１ｂが積層されたベース１に、金属でメタライズされ表面にＮｉ及びＡｕメッキが施された電極部２ａ、２ｂが間隔ｄを有して形成されている。このベース１の電極部２ａ、２ｂ上に、表面に駆動用の金属電極が形成された圧電振動子片としての例えば音叉型の水晶振動子片３の電極部４ａ、４ｂを、アライメントしてマウントし、導電性の接着剤５で電気的に接続固定している。その後金属製のリッド（蓋）６をベース１にアライメントして封止剤７を用いて、加熱手段としてのビームの照射手段，例えばレーザー装置あるいは電子ビーム装置等により、封止剤７を溶かして第一の封止加工をする。これにより、水晶振動子片３をベース１とリッド６でなるパッケージ４１に封入している。
【００３９】
このベース１の底面には、図１（ｂ）に示されているように、後述するパッケージの内部と、外部を連通する開口部８が形成されている。
【００４０】
図２では、ベース１の裏面を上に向けて、次の加工する工程が示されている。図２に示すようにベース１に設けられた円形の開口部８を用いて、周波数調整手段としての高温の光ビーム等を集束させる手段，例えばレーザー装置あるいは電子ビーム装置１３により、音叉型の水晶振動子片３の一部の金属電極部分をトリミング加工して、周波数調整を行う。
【００４１】
そして最後に、真空雰囲気中で、開口部８に図１（ｂ）に示すような封止用の金属製等の小片９を搭載し、封止剤１０を用いて、第一の封止と同様にレーザー装置あるいは電子ビーム装置等により、封止剤１０を溶かして第二の真空封止加工をする。
【００４２】
以上により、小型薄型の表面実装パッケージの水晶振動子１１が完成する。
【００４３】
このように、音叉型の水晶振動子片３を内蔵する真空領域Ｓは、ベース１の単一層部１２（上側の基板１ｂ）と金属製の絞り加工されたリッド６から構成されており、その気密性は非常に高いものとなる。つまり、真空領域Ｓは、ベース１の単一層部１２と金属製の絞り加工されたリッド６とだけから仕切られいるので、この真空領域Ｓ内に例えばベースを構成する複数のセラミック基板の継ぎ目等がなく、その分気密性を保持しやすい。
【００４４】
ここで、図３は、本発明の実施形態による水晶振動子１１の裏面側の構造図であり、上述した音叉型の水晶振動子片３の周波数調整として行われるレーザー加工あるいは電子ビーム加工によるトリミング部分と、開口部８の関係を示している。
【００４５】
ここで水晶振動子片３は、フォトリソ加工により、ひとつの水晶基板から、同一の外形を備えるように、各振動子片が多数配列された状態で形成されて、さらに、各振動子片の表面に、Ｃｒ＋Ａｕ等（例えば、Ｃｒ膜の上にＡｕ膜をスパッタ加工する）の金属膜を電極として形成している。この金属膜の一部にＡｕあるいはＡｇ等の金属膜を更に薄く精度良く形成し、重み効果により周波数をある一定の量で低くしている。
【００４６】
その後、水晶振動子片３は水晶基板から折り取られ、図１に示すベース１にマウントされ、リッド６を用いて封止される。このようにマウント、封止という加工プロセスによる熱履歴や、それによる応力の発生、あるいは封止剤からでるアウトガス等の影響で、水晶振動子片３の共振周波数が変化してしまう。そのため封止後の周波数調整が必要であり、その周波数調整は精度良く行わなければならない。
【００４７】
そこで、図３に示すように、水晶振動子片３の二股にわかれた２つの振動腕３ａ，３ｂのうち少なくとも１つの振動腕３ａの周波数調整部３ｃが、開口部８からレーザー加工あるいは電子ビーム加工できるように、開口部８がベース１の裏側に形成されている。つまり、開口部８は、音叉型水晶振動子片３の２つある振動腕３ａ，３ｂの片方３ａの一部を周波数調整部３ｄ，３ｅとして露出するように位置決めされている。そして、この開口部８を通してレーザー光あるいは電子ビームを照射し、振動腕２１の周波数調整部３ｃのＡｕあるいはＡｇ等の金属膜を溶かして、周波数調整部３ｃの重みを減らし周波数を高くして狙った周波数（例えば３２．７６８ＫＨｚ）になるよう周波数調整を行う。
【００４８】
さらに、その開口部８に金属製等の小片９を搭載し、レーザー装置あるいは電子ビーム装置により封止剤１０を溶かして真空封止を行う。
【００４９】
このように少なくとも１つの振動腕３ａの周波数調整部３ｃのみを加工できる大きさの開口部８を封止するだけなので、その封止による周波数の影響は非常に少ない。
【００５０】
（第２の実施形態）
図４は、本発明の他の実施形態にかかる圧電振動子４２であり、この圧電振動子４２の第１の実施形態と共通する構成には同一の符号を付して、重複する説明は省略する。圧電振動子４２では、図１に示す金属製のリッド６の変わりにセラミックのリッド３１を用いている点が第１の実施形態と異なっている。したがって、第２の実施形態にかかる圧電振動子４２も第１の実施形態と同一の作用効果を奏することができる。
【００５１】
（第３の実施形態）
図５は、本発明のさらに他の実施形態にかかる圧電振動子４３でありこの圧電振動子４３の第２の実施形態と共通する構成には同一の符号を付して、重複する説明は省略する。この圧電振動子４３では、開口部３２が図４で示したリッド３１に形成された点が第２の実施形態と異なっている。したがって、第３の実施形態にかかる圧電振動子４３も第１及び第２の実施形態と同一の作用効果を奏することができる。
【００５２】
（第４の実施形態）
図６は本発明の第４の実施形態を示している。この図６は、圧電振動子４４の図３に対応する図であり、ベース１の底面から見た状態を示している。
【００５３】
図６において、第１の実施形態と共通する構成には同一の符号を付して、重複する説明は省略する。ベース１には、開口部４５が設けられている。この開口部４５は、パッケージ内部に収容されている音叉型水晶振動子片３の２つある振動腕３ａ，３ｂのそれぞれについて、これらの一部を周波数調整部３ｄ，３ｅとして露出するように位置決めされている。そして、この開口部４５の大きさ（内径）は、音叉型水晶振動子片３の外形を越えないようにされている。
【００５４】
そして、この開口部４５を通して、周波数調整手段としてのレーザー光あるいは電子ビームが、各振動腕３ａ，３ｂの周波数調整部３ｄ，３ｅのＡｕあるいはＡｇ等の金属膜を溶かして、周波数調整部３ｃの重みを減らし周波数を高くして狙った周波数（例えば３２．７６８ＫＨｚ）になるよう周波数調整を行うようになっている。したがって、第４の実施形態では、周波数調整に際して、各振動腕３ａ，３ｂの両方をバラス良く重みを減らすことができる。そして、この圧電振動子４４は上記以外の作用効果は第１の実施形態と同じである。
【００５５】
上述の各実施形態において、封止剤７、１０については、その成分はＡｕ−Ｓｎ系、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ａｇロウ系等の金属材料や、有機系の接着剤等でよい。また、封止剤７、１０の形態は、クラッドされたものやプリフォームされたものでもよい。
【００５６】
以上のような構成によれば、第一の封止工程と周波数調整工程及び第二の封止工程は、レーザー装置あるいは電子ビーム装置での共通加工が可能となり、同一装置による一貫加工が行える。
【００５７】
また、加工するセラミックのベース１やリッド６の形態は単品、あるいは複数個が並んだプレート形態のどちらでもよい。
【００５８】
以上、セラミック及び金属といった高品質ガラスに比較して安価な構成部品を用いることにより、横５ｍｍ、幅２ｍｍ、厚み０．８ｍｍという小型薄型の水晶振動子が安価に得られる。
【００５９】
次に、本発明の圧電振動子の第５の実施形態を、圧電振動子片に音叉型の水晶振動子片を用いた、時計用の３２．７６８ＫＨｚ水晶振動子を例として、図面を参照して説明する。
【００６０】
（第５の実施形態）
図７（ａ）は、本実施形態にかかる圧電振動子５１の平面図、図７（ｂ）は圧電振動子５１の正面図である。
【００６１】
これらの図に示すように、２層のセラミック基板１ａ，１ｂが積層されたベース１に、Ｗ（タングステン）等の金属でメタライズされ表面にＮｉ及びＡｕメッキが施された電極部５２ａ、５２ｂが形成されている。その電極部５２ａ、５２ｂ上に、表面に駆動用の金属電極が形成された音叉型の水晶振動子片５３の電極部５４ａ、５４ｂを、アライメントしてマウントし導電性接着剤５５で電気的に接続固定している。その後金属製の（蓋）リッド５６をベース６５にアライメントして封止剤５７を用いてレーザー装置あるいは電子ビーム装置等により、封止剤５７を溶かして第一の封止加工をする。これにより、水晶振動子片５３をベース６５とリッド５６でなるパッケージ６１に封入している。
【００６２】
このベース６５の底面には、図７（ｂ）に示されているように、後述するパッケージの内部と、外部を連通する開口部５８が形成されている。
【００６３】
更に図８に示すようにベース６５に設けられた円形あるいは長円形あるいは楕円等の開口部５８を用いて、周波数調整手段としてのレーザー装置あるいは電子ビーム装置６３により、音叉型の水晶振動子片５３の一部の金属電極部分をトリミング加工して、周波数調整を行う。
【００６４】
そして最後に、開口部５８に封止材として、Ａｕ−Ｓｎ半田系あるいは９：１半田等の高融点Ｐｂ−Ｓｎ半田系材料等で形成された、例えば球体の封止材５９を搭載し、真空雰囲気中でバッチ式の真空封止装置やレーザー装置あるいは電子ビーム装置等により封止材５９を溶かして第二の真空封止加工をする。この第二の封止加工に関しては、さらに詳しく後述する。
【００６５】
以上により、小型薄型の表面実装パッケージの水晶振動子５１が完成する。
【００６６】
このように、音叉型の水晶振動子片５３を内蔵する真空領域は、ベース６５の単一層部５２と金属製の絞り加工されたリッド５６から構成されており、その気密性は非常に高いものとなる。つまり、真空領域Ｓは、ベース１の単一層部５２と金属製の絞り加工されたリッド５６とだけから仕切られているので、この真空領域Ｓ内に例えばベースを構成する複数のセラミック基板の継ぎ目等がなく、その分気密性を保持しやすい。
【００６７】
ここで、上記封止材５９は、金属合金であり、上記の他、Ｓｎ半田系材料や、銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）の合金、あるいは金属ロウ材で構成してもよい。この封止材５９の形状については、さらに後述する。
【００６８】
図９は、本実施形態の水晶振動子５１の裏面側の構造図であり、音叉型の水晶振動子片５３のレーザー加工あるいは電子ビーム加工によるトリミング部分と、開口部５８の関係を示している。
【００６９】
ここで本実施形態の水晶振動子片５３は、水晶基板に多数配列された状態でフォトリソ加工により形成されており、Ｃｒ＋Ａｕ等（例えば、Ｃｒ膜の上にＡｕ膜をスパッタ加工する）の金属膜を電極として形成している。この金属膜の一部にＡｕあるいはＡｇ等の金属膜を更に薄く精度良く形成し、重み効果により周波数をある一定の量で低くしている。
【００７０】
その後、水晶振動子片５３は水晶基板から折り取られ、図７に示すベース６５にマウントされ、リッド５６を用いて封止される。このようにマウント、封止という加工プロセスによる熱履歴や、それによる応力の発生、あるいは導電性接着剤５５や封止剤５７からでるアウトガス等の影響で、水晶振動子片５３の共振周波数が変化してしまう。そのため封止後の周波数調整が必要であり、その周波数調整は精度良く行わなければならない。
【００７１】
図９に示すように、水晶振動子片５３の少なくとも１つの振動腕５３ａの周波数調整部５３ｃが、開口部５８からレーザー加工あるいは電子ビーム加工できるように、開口部５８がベース６５の裏側に形成されている。この開口部５８を通してレーザー光あるいは電子ビームが、振動腕５３ａの周波数調整部５３ｃのＡｕあるいはＡｇ等の金属膜を溶かして、周波数調整部５３ｃの重みを減らし周波数を高くして狙った周波数（３２．７６８ＫＨｚ）になるよう周波数調整を行う。
【００７２】
そして、その開口部５８に封止材５９を搭載し、真空封止装置やレーザー装置あるいは電子ビーム装置により封止材５９を溶かして真空封止を行う。
【００７３】
このように少なくとも１つの振動腕５３ａの周波数調整部５３ｃのみを加工できる大きさの開口部５８を封止するだけなので、その封止による周波数の影響は非常に少ない。
【００７４】
次に、開口部５８に封止材としての封止材５９を搭載し、真空封止を行う上述の第２の封止加工のプロセスについて詳細に説明する。
【００７５】
図１０（ａ）は、圧電振動子５１をベース６５の裏面から見たときに、その開口部５８のみを表した図であり、図１０（ｂ）は、圧電振動子５１の側断面図である。
【００７６】
図１０（ａ）、（ｂ）に示すようにベース６５に直径φ０．３ｍｍの穴７６とφ０．６ｍｍの段差部７４からなる開口部５８が形成されている。つまり、ベース６５を構成する第１の基板１ａには貫通穴７３が形成され、第２の基板１ｂには、この貫通穴７３より小さい別の貫通穴７６が形成されていて、両貫通穴７３と７６の間には、段差部７４が形成されている。
【００７７】
そして段差部７４の表面には、ベース６５に形成された電極部５２ａ、５２ｂと同様に、Ｗ（タングステン）でメタライズされ表面にＮｉ及びＡｕメッキが施された高い熱伝導性を有するメタライズ部である金属被覆部７４ａが形成されている。これにより、メタライズされた金属（金属被覆部７４ａ）をパッケージ６１に設けられた開口部５８周辺に配置しているので、後述するように、ここを加熱することで、封止時の熱を効率良く封止部に伝導することが可能となり、非常に高い真空度を達成することができる。
【００７８】
又、開口部５８の周囲には複数個の直径が例えばφ０．２ｍｍ〜０．２５ｍｍのＷ（タングステン）等を埋め込んで構成したメタライズ部である金属埋め込み部７５が設けられている。そして、この金属埋め込み部７５と段差部７４の金属被覆部７４ａが電気的に接続されている。これにより、後述するように、開口部５８周辺に埋設されている金属埋め込み部７５を加熱することにより、微小な穴で形成された開口部５８を直接加熱することが可能となる。そのため信頼性の高い真空封止が瞬時に行うことが可能となる。又、封止部以外の部分に直接熱が伝導しないため、特に圧電振動子片５３のマウント部への熱の影響がなくなり、封止後の周波数偏差等がなく精度の高い圧電振動子を得ることができる。
【００７９】
次に、図１０（ｂ）に示すように周波数調整のされた圧電振動子５１をバッチ式の真空封止装置等（図１０（ｂ）には図示せず）にセットし、開口部５８に封止材５９としての金属部材をセットする。
【００８０】
ここで、図１１は、封止材５９を示す拡大断面図である。
【００８１】
図において、この封止材５９は、例えば、Ａｕ−Ｓｎ半田系あるいは９：１半田等の高融点Ｐｂ−Ｓｎ半田系材料等で形成された、例えば直径φ０．３５ｍｍ程度の球形の金属合金である。また、封止材５９としては、例えば、融点２５０℃〜５００℃の金属合金なら利用しやすく、また、上記の他、Ｓｎ半田系材料や、銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）の合金、あるいは金属ロウ材で構成してもよい。
【００８２】
封止材５９をこのように構成することで、低い温度での封止が可能であり、信頼性の高い真空封止を瞬時に行うことが可能となる。またφ０．３〜０．４ｍｍ程度と非常に小さい球形（ボール形状）の金属合金であるため、封止部材の加工もし易く安価に製作可能である。
【００８３】
開口部５８の穴形状は、円形や楕円形，あるいは長円形等の形状が適している。そして、例えば楕円形や長円形の場合には、封止材５９は複数個を同時に適用してもよい。
【００８４】
ここで、図１１に示すように、球体の封止剤５９を用いる場合に、封止材５９の直径Ｌ１とし、貫通穴７６の穴径Ｌ２とすると、Ｌ１は、好ましくはＬ２の１．１倍ないし１．３倍に設定される。この範囲よりＬ１が小さいと、封止材５９がパッケージ６１内に落ちてしまう可能性がある。この範囲よりＬ１が大きいと、開口部５８から大きくはみ出してしまう。また、封止材５９の熱容量が課題となり加熱作業が適切に行えない場合があり、その分材料コストも過大となる。
【００８５】
このため、金属被覆部７４ａは、段差部７４表面において、溶けた封止材５９の溶融金属が、図１１のＡの面及びＢの面からはみ出さないように、その被覆の面積を決定することが好ましい。Ａの面から溶融金属が出てしまうと、圧電振動子５１を基板等に実装する際に困難を生じる。また、Ｂの面から出てしまうと、パッケージ６１内の圧電振動子片５３と接触して短絡を生じる可能性がある。このため、金属被覆部７４ａは、図示されているように、開口部５８の貫通穴７６の周囲（Ｃの面）と次の箇所である。つまり、図１１においては、開口部５８の周辺部に形成する金属被覆部７４ａは、貫通穴７６の周囲だけでなく、内周縁部に延長された延長部７６ａを有している。これにより、後述するようにして、封止材５９を加熱溶融したときに、溶けた金属が延長部７６ａ部分に付着して、封止効果を向上させることができる。この場合、延長部７６ａは、貫通穴７６の内周縁部にとどめて、穴の反対側まで達しないようにすることが好ましい。そのようにすると、封止材５９の溶融工程において、溶けた金属がパッケージ６１の内側に達するおそれがあるからである。したがって、延長部７６ａは、貫通穴７６の穴の深さの１／３ないし１／２に設定するのが好ましい。
【００８６】
さらに、図１２に示されているように、金属被覆部７４ａは、貫通穴７６に近接した周辺領域において、その周囲よりも特に被覆厚を厚くした厚膜被覆部７４ｂを設けるようにすると好ましい。これにより、封止材５９を加熱溶融したときに、特に溶融金属との濡れ性が向上し、封止効果が向上する。
【００８７】
このようにして、開口部５８に適用した封止材５９は、更に、開口部５８の周辺に配置された図１０に示す金属埋め込み部７５をヒーター等の先端部で加熱して、その熱伝導により段差部７４が加熱され、更に封止材５９が加熱溶融する。そして、段差部７４のメタライズに封止材５９が溶融し、同時に穴７６が封止されて第二の真空封止プロセスが完了する。
【００８８】
この第二の真空封止を行うための真空封止手段について、図１３を参照して詳しく説明する。
【００８９】
図１３において、真空封止手段１００は、熱源１０１と熱伝導体８１と当接治具８２とを備える加熱治具８０を有している。熱伝導体８１は、熱源１０１に接続された熱伝導体であり、この熱伝導体８１には、熱が伝達されるように当接治具８２（第１の加熱手段）が取り付けられている。
【００９０】
この熱伝導体８１と当接治具８２により加熱治具８０が構成されている。好ましくは、この当接治具８２は、所定の間隔をおいて、複数個熱伝導部８１に取付けられていてもよい。また、熱伝導部８１はそれ自体を熱源としての電気ヒータ（カーボンヒータ）等で構成してもよく、また熱源１０１に接続されていてもよい。加熱治具８０は、例えば図示しない水平なＸＹ方向と上下のＺ方向に３軸ロボット等の駆動手段により駆動されるようになっている。
【００９１】
当接治具８２は、図１３のように開口部５８の上に位置したときに、封止材５９に当接されるように、中心付近に配置した第１のピン８３と、金属被覆部７４ａの上面に当接するように、第１のピン８３の周囲に設けた第２のピン８４，８４を備えている。
【００９２】
これにより、加熱治具８０とパッケージ６１をともに真空雰囲気内に配置し、加熱治具８０が開口部５８に対して位置決めされ、少なくとも当接治具８２部分を下降させて、図示するように、第１のピン８３を封止材５９に当接させ、第２のピン８４を金属被覆部７４ａに同時に当接させる。この時、図１３には示されていない金属埋め込み部７５も第２のピン８４により当接されるようにしてもよい。
【００９３】
次いで、電気ヒータ等の熱源１０１から熱伝導部８１に熱が伝えられ、この熱は当接治具８２を介して、封止材５９と金属被覆部７４ａとに伝えられる。また、上記したように埋め込み金属部７５が設けられている場合には、この埋め込み金属部７５にも熱が伝えられる。
【００９４】
これにより、封止材５９に対しては、第１のピン８３からだけでなく、金属被覆部７４ａと埋め込み金属部７５とから同時に熱が伝えられて、きわめて効率良く加熱溶融される。そして、溶融金属が図２０に示すように、開口部５８の貫通穴７６を塞ぐことにより、真空雰囲気中で、第２の封止加工が行われる。
【００９５】
尚、図２０には、封止後の開口部５８の断面図が示されており、この図では、パッケージ６１の裏面から封止材５９が突き出ないように封止材５９の直径が設定されている。
【００９６】
ここで、真空封止装置の真空引きのプロファイルと、上述した熱源としてのヒーターの加熱温度のプロファイルについては、封止材５９が完全に溶融する以前に圧電振動子１１のパッケージ内が充分に高い真空度に到達しているように設定している。
【００９７】
図１４は、第二の真空封止を行うための他の例を示している。
【００９８】
図示されているように、この真空封止手段１１０は、真空チャンバー９１と、加熱手段９３を備えている。
【００９９】
真空チャンバー９１内にはパッケージ６１が収容されている。この状態で真空チャンバー９１内は高真空にされている。
【０１００】
この真空チャンバー９１の図１４に示す一部の隔壁またはカバー９２は、透明になっている。そして、このカバー９２側に、パッケージ６１の開口部５８が対向するように配置収容されている。
【０１０１】
これに対して、真空チャンバー９１の外部には、加熱手段９３が配置されている。加熱手段９３は、例えば図示しない水平なＸＹ方向と上下のＺ方向に３軸ロボット等の駆動手段により駆動されるようになっている。この加熱手段９３は、例えば、駆動源９４とこの駆動源９４に接続されたビームの照射手段９５を備えている。ビームの照射手段９５は、大容量レーザのレーザビーム等の高温の光ビームを真空チャンバー９１のカバー９２に対して照射するようになっている。
【０１０２】
これにより、加熱手段９３を移動させて、図１４に示すように、真空チャンバー９１に対して位置合わせし、駆動手段９４を駆動して、ビームの照射手段９５から例えばレーザ光ビームを照射する。この光ビームは、透明なカバー９２を透過して、封止材５９に照射され、これを加熱溶融させる。
【０１０３】
このようにして、封止材５９は、加熱溶融され、溶融金属が図２０に示すように、開口部５８の貫通穴７６を塞ぐことにより、真空雰囲気中で、第２の封止加工が行われる。
【０１０４】
したがって、封止材５９は、金属被覆部７４ａや金属埋め込み部７５を加熱することなく、この封止材５９だけを加熱することにより、溶融されるようにしてもよい。
【０１０５】
図１５は、上述した第二の真空封止を行うための真空封止手段１２０を示している。
【０１０６】
この真空封止手段１２０に関して図１３にて説明した真空封止手段１００と同一の符号を付した箇所は同様の構成であり、重複する説明は省略し、相違点を中心に説明する。真空封止手段１２０は、図１３の真空封止手段１００と比べると、パッケージ６１の例えばリッド５６に接触するように配置された第２の加熱手段１２１と、熱源１０１及びこの第２の加熱手段１２１に接続された加熱制御手段１０２とを備える点で異なる。この第２の加熱手段１２１は、例えばそれ自体熱源としてカーボンヒータ等のヒータブロックで構成されていてもよく、その場合には、図１５の熱源１０１と熱伝導部８１は同じものとなる。
【０１０７】
このような真空封止手段１２０を用いると、パッケージ６１を封止材５９の融点以下に加熱して、第二の真空封止を行うことができる。
【０１０８】
具体的には、図１６及び図１７に示すように加熱して、真空封止が行われる。
先ず、図１５に示されている状態と異なり、当接治具８２は、封止材５９の上方に保持されていて、当接治具８２の各当接ピン８３，８４は封止材５９に接触しない状態とされている。そして、加熱制御手段１０２は、第２の加熱手段１２１を駆動して、パッケージ６１を加熱する。この熱はパッケージ６１に接触している封止材５９に伝えられ、この封止材５９が図１７に示すように、例えば摂氏２００度程度になるまで昇温させる。この場合、封止材５９の温度を計測して、加熱制御手段１０２に与えるようにしてもよいし、加熱制御手段は、予め実験したデータを保持していて、加熱時間と昇温スピードから封止材５９の温度を知るようにしてもよい。そして、上記パッケージ６１の加熱時間は、後述する封止材９１の加熱溶融に先立って、５分ないし１０分程度が好ましい。この時間設定によれば、リッド５６の封止剤５７や接着剤５５から発生する有害なアウトガスを真空引きしてしまうことができる。尚、図１８には、この時の真空引きのプロファイルを示している。
【０１０９】
一方、加熱制御手段１０２は、熱源１０１に指示を出して、熱伝導部（ヒータ）８１を加熱駆動し、この熱が当接治具８２に伝わって、当接治具８２（第１の加熱手段）の温度が例えば摂氏３２０度程度になるまで、昇温させる（図１６参照）。
【０１１０】
そして、上記したように、封止材５９が例えば摂氏２００度程度で、当接治具８２が、例えば摂氏３２０度となったときに、図示しない駆動手段を駆動させて、当接治具８２を下降させ、図１５に示す状態とする。
【０１１１】
すなわち、当接治具８２の第１のピン８３は、封止部材５９の中央付近に当接し、第２のピン８４，８４は、金属被覆部７４ａ及び／又は埋め込み金属部に当接して、図１７（ａ）の符号Ａに示すように、封止材５９の温度を急激に上昇させ、封止材５９の融点以上の温度にする。この温度上昇に要する時間は短いほどよく、好ましくは、１０秒以下、さらに好ましくは、３ないし５秒以下で、１．５秒とした時に最もよい結果が得られた。
【０１１２】
特にこの封止材５９の温度上昇に関しては、図１７（ａ）の符号Ａで示した箇所を、図１７（ｂ）に拡大して示している。この図によると、温度の立ち上がり部分Ａ１に関しては、温度変化は急峻であり、立ち下がりＡ２では、温度変化はややゆるやかになっている。
【０１１３】
この場合、パッケージ６１の温度を封止材５９の融点より低い温度にするために、例えば封止材としてＡｕ−Ｓｎ半田合金を用いた場合に、封止材５９の温度を上述のように摂氏約２００度まで昇温させている。しかしながら、封止材５９の材質によっては、より融点が高い場合には、もっと高い温度とし、融点が低い場合にはもっと低い温度としてもよい。しかしながら、パッケージ６１の温度を摂氏２４０度以上とすると、リッド５６の封止剤５７や接着剤５５等が溶けて、有害なガスが発生する場合があり、好ましくない。
【０１１４】
このように、図１５に示す真空封止手段１２０により、パッケージ６１を封止材５９の融点以下に予め加熱してから、封止材５９と溶融すると、封止材５９が開口部５８の周辺へ溶融して流れやすくなる。これにより、パッケージ６１の安定した真空封止が可能となる。
【０１１５】
さらに、図１７のように、パッケージ６１を封止材５９の融点以下に予め加熱してから、封止材５９を融点以上に急激に加熱することにより、封止材５９は瞬時に加熱溶融して、パッケージ６１内の高い真空度を実現できる。尚、この封止材５９の加熱時間が上述より長く、例えば１分以上かかると、リッド５６の封止剤５７や接着剤５５等が溶けて、有害なガスが発生する場合があり、好ましくない。このため、加熱時間は短いほどよく、封止材５９の溶融に要する時間を考慮すると、上述の範囲となることが本発明者等により確認されている。
【０１１６】
図１９は、上述した第二の真空封止を行うためのさらに他の手段としての真空封止手段１３０を示している。
【０１１７】
この真空封止手段１３０に関して、図１４にて説明した真空封止手段１１０と同一の符号を付した箇所は同様の構成であり、重複する説明は省略し、相違点を中心に説明する。真空封止手段１３０は、図１４の真空封止手段１１０と比べると、パッケージ６１の例えばリッド５６に接触するように配置された第２の加熱手段１２１と、駆動源９４及びこの第２の加熱手段１２１に接続された加熱制御手段１０２とを備える点で異なる。
【０１１８】
したがって、この真空封止手段１３０によれば、図１４で説明した真空封止手段１１０の作用効果に加えて、封止材５９が開口部５８の周辺へ溶融して流れやすくなり、これにより、パッケージ６１の安定した真空封止が可能となるという作用効果を発揮する。
【０１１９】
尚、金属埋め込み部７５の形状や配置は上述の実施形態に限定されず、その形状や配置はベース６５の強度を損なうことがない範囲で自由に設定可能である。また、上述したように、金属被覆部７４ａと金属埋め込み部７５は、必ずしも両方設ける必要はない。どちらか一方設けてもよい。
【０１２０】
更に、開口部のメタライズあるいは金属埋め込み部７５と電気的に接続された電極パターンをパッケージ６１の側面等に延長して配線してもよい。
【０１２１】
（第６の実施形態）
図２１は、本発明の第６の実施形態にかかる圧電振動子９５であり、この圧電振動子９５の第５の実施形態と共通する構成には同一の符号を付して、重複する説明は省略する。圧電振動子９５では、図７に示す金属製のリッド５６の変わりにセラミックのリッド９６を用いている点が第５の実施形態と異なっている。したがって、第６の実施形態にかかる圧電振動子９５も第５の実施形態と同一の作用効果を奏することができる。
【０１２２】
（第７の実施形態）
図２２は、本発明の第７実施形態にかかる圧電振動子９７でありこの圧電振動子９７の第５の実施形態と共通する構成には同一の符号を付して、重複する説明は省略する。この圧電振動子９７では、開口部９９が図２１で示したリッド９６に形成された点が第６の実施形態と異なっている。したがって、第７の実施形態にかかる圧電振動子９７も第５及び第６の実施形態と同一の作用効果を奏することができる。
【０１２３】
本発明は上述の各実施形態に限定されず、その構成部品の組み合わせは自由である。
【０１２４】
更に、封止剤５７については、その成分はＡｕ−Ｓｎ系、Ｓｎ系、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ａｇロウ系等の金属材料や、有機系の接着剤等でよい。又、封止剤５７の形態は、クラッドされたものやプリフォームされたものでもよい。
【０１２５】
以上のような構成によれば、第一の封止工程と周波数調整工程及び第二の封止工程は、レーザー装置等での共通加工することも可能であり、同一装置による一貫加工が行える。
【０１２６】
又、加工するセラミックのベース６５やリッド５６の形態は単品、あるいは複数個が並んだプレート形態のどちらでもよい。
【０１２７】
又、パッケージに発振回路等を有するＩＣチップと水晶振動子を内蔵した水晶発振器や、リアルタイムクロックオシレータ等にも本構造は適用可能である。
【０１２８】
以上、セラミック及び金属といった高品質ガラスに比較して安価な構成部品を用いることにより、横５ｍｍ、幅２ｍｍ、厚み０．８ｍｍという小型薄型の水晶振動子が安価に得られる。
【０１２９】
【発明の効果】
請求項１〜７記載の発明によれば、圧電振動子をパッケージに内蔵した圧電振動子において、メタライズされた金属をパッケージに設けられた開口部周辺に配置することにより、封止時の熱を効率良く封止部に伝導することが可能となり、非常に高い真空度を達成することができるという効果を有する。これにより内蔵された圧電振動子片が安定して振動し高品質の圧電振動子が得られる。
【０１３７】
請求項３の発明によれば、開口部を封止する前記封止材が融点２５０℃〜５００℃の金属合金で構成されているので、封止材を溶融温度に加熱しても、振動片や接着剤に熱的な悪影響を与えなくて済む。
【０１３８】
請求項５記載の発明によれば、開口部を封止する封止材が融点２５０℃〜５００℃の球形の金属合金であることにより、低い温度での封止が可能であり、信頼性の高い真空封止を瞬時に行うことが可能となる。またφ０．３〜０．４ｍｍ程度と非常に小さい球形（ボール形状）の金属合金であるため、封止部材の加工もし易く安価に製作可能である。
【０１３９】
請求項６、７記載の発明によれば、パッケージの開口部が円形で形成され、この開口部を封止する封止材が球形に形成されることにより、開口部の形状に合わせて、封止材を適用しやすく、加熱封止作業が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の圧電振動子の構造を示す図であり、（ａ）は圧電振動子の概略平面図、（ｂ）は圧電振動子の概略側断面図。
【図２】図１の圧電振動子の周波数調整工程を示す概略図。
【図３】図１の圧電振動子の概略裏面図。
【図４】本発明の第２の実施形態の圧電振動子を示す概略正面断面図。
【図５】本発明の第３の実施形態の圧電振動子を示す概略正面断面図。
【図６】本発明の第４の実施形態の圧電振動子を示す概略裏面図。
【図７】本発明の第５の実施形態の圧電振動子の構造を示す図であり、（ａ）は圧電振動子の概略平面図、（ｂ）は圧電振動子の概略正面断面図。
【図８】図７の圧電振動子の周波数調整工程を示す概略図。
【図９】図７の圧電振動子の概略裏面図。
【図１０】（ａ）は図７の圧電振動子の裏面における開口部周辺を示す図、（ｂ）は、図７の圧電振動子の概略正面断面図。
【図１１】図７の圧電振動子の開口部の側面から見た概略拡大図。
【図１２】図７の圧電振動子の開口部の変形例を側面から見た概略拡大図。
【図１３】図７の圧電振動子の第二の封止工程の一例を示す説明図。
【図１４】図７の圧電振動子の第二の封止工程の他の例を示す説明図。
【図１５】図７の圧電振動子の第二の封止工程のさらに異なる例を示す説明図。
【図１６】図１５の第二の封止工程の第１の加熱手段の昇温状態を示す図。
【図１７】図１５の第二の封止工程の第２の加熱手段の昇温状態を示す図。
【図１８】図１５の第二の封止工程の真空引きのプロファイルを示す図。
【図１９】図７の圧電振動子の第二の封止工程のさらに異なる例を示す説明図。
【図２０】図７の圧電振動子の開口部の封止状態を示す概略正面断面図。
【図２１】本発明の第６の実施形態の圧電振動子を示す概略正面断面図。
【図２２】本発明の第７の実施形態の圧電振動子を示す概略正面断面図。
【図２３】従来の圧電振動子の構造図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその概略側断面図。
【符号の説明】
１，６５ ベース
２ａ，２ｂ，５２ａ，５２ｂ 電極部
３，５３ 水晶振動子片
５４ａ、５４ｂ 電極部
５，５５ 接着剤
６，５６ リッド
７，５７ 封止剤
８，４５，５８ 開口部
１１，５１ 圧電振動子
１２，５２ 単一層部
１３，６３ 周波数調整手段（レーザー装置あるいは電子ビーム装置）
５９ 封止材
７３ 貫通穴
７４ 段差部
７４ａ 金属被覆部（メタライズ部）
７６ 貫通穴
８０ 加熱治具
８２ 当接治具
９１ 真空チャンバー
９３ 加熱手段
２０１ 水晶振動子片
２０２ ベース
２０３ リッド
Claims (7)
- 圧電振動子片をパッケージに内蔵した表面実装型の圧電振動子において、前記パッケージのベースが前記パッケージの外部側に位置する第１のセラミック基板および前記パッケージの内部側に位置する第２のセラミック基板の少なくとも２層のセラミック基板を積層してなり、前記第１のセラミック基板には第１の貫通穴が形成され、前記第２のセラミック基板には前記第１の貫通穴より径が小さい第２の貫通穴が形成され、前記第１の貫通穴と前記第２の貫通穴との間に形成された段差部が金属により被覆（メタライズ）され、前記第２のセラミック基板の前記段差部と対向する面まで達しないように、前記段差部から延長して前記第２の貫通穴の内周縁部に金属が被覆されて形成された金属被覆部を有し、前記第２の貫通穴および前記段差部からなる開口部に適用した封止材を溶融することにより、封止されていることを特徴とする圧電振動子。
- 前記金属被覆部は、前記第２の貫通穴の周囲が他の領域よりも厚くなるようにメタライズされていることを特徴する請求項１に記載の圧電振動子。
- 前記開口部を封止する前記封止材が融点２５０℃〜５００℃の金属合金であることを特徴とする請求項１または２に記載の圧電振動子。
- 前記開口部を封止する前記封止材は、Ａｕ−Ｓｎ半田合金系、Ｓｎ半田合金系、Ｐｂ−Ｓｎ半田合金系のいずれかをひとつ又は複数選択して使用されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電振動子。
- 前記開口部を封止する前記封止材は、銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）を含む合金であることを特徴とする請求項１に記載の圧電振動子。
- 前記第２の貫通穴が円形に形成され、前記開口部を封止する封止材が球形の金属合金であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電振動子。
- 前記開口部を封止する封止材の溶融前の直径が前記開口部の直径の１．１ないし１．３倍であることを特徴とする請求項６に記載の圧電振動子。
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