JP3531835B2 - 光学用フィルムおよびその製造方法 - Google Patents
光学用フィルムおよびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本願発明は光学用フィルムに関し、更に具体的には光
学的に透明でかつ滑り性に優れた芳香族ポリカーボネー
トフィルムの製造方法に関する。
学的に透明でかつ滑り性に優れた芳香族ポリカーボネー
トフィルムの製造方法に関する。
背景技術
芳香族ポリカーボネート樹脂からなるポリカーボネー
トフィルムはその耐熱性、透明性、並びに光学弾性係数
が高い等のために液晶表示装置の電極基板並びに位相差
板用として使用されている。特に流延法によって製膜さ
れた芳香族ポリカーボネートフィルムが好ましく使用さ
れている。
トフィルムはその耐熱性、透明性、並びに光学弾性係数
が高い等のために液晶表示装置の電極基板並びに位相差
板用として使用されている。特に流延法によって製膜さ
れた芳香族ポリカーボネートフィルムが好ましく使用さ
れている。
表面の平坦な芳香族ポリカーボネートフィルムのよう
に、滑り性に劣るフィルムを製膜する場合においては、
製膜フィルムが搬送ロール系を走行する際にスクラッチ
を発生し、微小な表面傷を発生したり、製膜フィルムが
巻き取り性に劣るために巻き取り時にフィルムに皺が発
生したり、強く巻き過ぎるとフィルム間の擦れにより傷
が入るなど実用上重大な問題があった。そのため滑り性
の劣るフィルムに対しては滑材を混入せしめたり（例え
ば、特開平８−334607号公報）、滑り性の良好な表面保
護フィルムを貼り合わせたり、スペーサーを介在させて
巻き取るなどの対策を講じているのが現状である。しか
し、滑材を混入せしめると得られるフィルムの透明性が
低下するため光学的用途には致命的な問題が発生する。
一方、表面保護フィルム−スペーサーを用いる方式では
生産工程が複雑になるとともに、必要部材が増加すると
いう生産上の問題が伴うこととなる。
に、滑り性に劣るフィルムを製膜する場合においては、
製膜フィルムが搬送ロール系を走行する際にスクラッチ
を発生し、微小な表面傷を発生したり、製膜フィルムが
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生したり、強く巻き過ぎるとフィルム間の擦れにより傷
が入るなど実用上重大な問題があった。そのため滑り性
の劣るフィルムに対しては滑材を混入せしめたり（例え
ば、特開平８−334607号公報）、滑り性の良好な表面保
護フィルムを貼り合わせたり、スペーサーを介在させて
巻き取るなどの対策を講じているのが現状である。しか
し、滑材を混入せしめると得られるフィルムの透明性が
低下するため光学的用途には致命的な問題が発生する。
一方、表面保護フィルム−スペーサーを用いる方式では
生産工程が複雑になるとともに、必要部材が増加すると
いう生産上の問題が伴うこととなる。
これらの問題を解決するために、例えば特開平８−17
5708号公報には、滑材を含有しないフィルムの巻き取り
において、フィルムの両端部の少なくとも片面に凹凸部
を形成して凸部の高さを当該フィルムの平均高さより高
くした後、巻き取り機によってロール状に巻き取る方法
が開示されている。この方法は、溶融法により形成され
た延伸フィルムに、内部加熱された粗面加工ロールを押
圧することによりフィルム両端部に凹凸を形成するもの
である。しかしながら、この方法で得られるフィルム
は、熱劣化物、炭化物等の異物といった溶融法に伴う固
有の欠点を有しており光学用途としては好ましくなく、
また粗面加工ロールを積極的に加熱するためエネルギー
コストが増加する問題があるばかりでなく、両端部に凹
凸が形成された巻き取りフィルムを巻き出して加工する
場合、例えば、搬送ロール面上でフィルム面の接触が不
均一になる場合が起こるため凹凸を付与した両端部を加
工前に切り捨てる必要がでてくる場合もある。更に両端
の凹凸付与部分は正常な品質のフィルムとしては使用で
きないため無駄になる部分が多くなる。
5708号公報には、滑材を含有しないフィルムの巻き取り
において、フィルムの両端部の少なくとも片面に凹凸部
を形成して凸部の高さを当該フィルムの平均高さより高
くした後、巻き取り機によってロール状に巻き取る方法
が開示されている。この方法は、溶融法により形成され
た延伸フィルムに、内部加熱された粗面加工ロールを押
圧することによりフィルム両端部に凹凸を形成するもの
である。しかしながら、この方法で得られるフィルム
は、熱劣化物、炭化物等の異物といった溶融法に伴う固
有の欠点を有しており光学用途としては好ましくなく、
また粗面加工ロールを積極的に加熱するためエネルギー
コストが増加する問題があるばかりでなく、両端部に凹
凸が形成された巻き取りフィルムを巻き出して加工する
場合、例えば、搬送ロール面上でフィルム面の接触が不
均一になる場合が起こるため凹凸を付与した両端部を加
工前に切り捨てる必要がでてくる場合もある。更に両端
の凹凸付与部分は正常な品質のフィルムとしては使用で
きないため無駄になる部分が多くなる。
このように、従来の技術である、フィルムに滑材を添
加して滑り性を改善して本目的を達成しようとする方法
やフィルムの端部に凹凸を付与して巻き取る方法には問
題が残されている。
加して滑り性を改善して本目的を達成しようとする方法
やフィルムの端部に凹凸を付与して巻き取る方法には問
題が残されている。
発明の開示
本願発明は上記実状に鑑みなされたものであり、その
目的は光学用途用芳香族ポリカーボネートフィルムの製
造工程および加工工程におけるスクラッチ、皺、傷等の
欠点を解消し、光学用途に有用な透明性と表面平坦性に
優れかつ良好な滑り性を有する芳香族ポリカーボネート
フィルムを提供することにある。
目的は光学用途用芳香族ポリカーボネートフィルムの製
造工程および加工工程におけるスクラッチ、皺、傷等の
欠点を解消し、光学用途に有用な透明性と表面平坦性に
優れかつ良好な滑り性を有する芳香族ポリカーボネート
フィルムを提供することにある。
本願発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討し
た結果、芳香族ポリカーボネート溶液の流延製膜法にお
いて、溶液からのキャスト後の乾燥工程において特定の
条件下、表面に凹凸を付与できることを見い出し、本願
発明に到達したものである。
た結果、芳香族ポリカーボネート溶液の流延製膜法にお
いて、溶液からのキャスト後の乾燥工程において特定の
条件下、表面に凹凸を付与できることを見い出し、本願
発明に到達したものである。
すなわち本願発明によれば、以下の光学用途に有用な
芳香族ポリカーボネートフィルムおよびその製造方法が
提供される。
芳香族ポリカーボネートフィルムおよびその製造方法が
提供される。
1. 溶液流延法によって製膜された芳香族ホリカーボネ
ートフィルムにおいて下記要件（ａ）〜（ｄ）を同時に
満足することを特徴とする光学用フィルム。
ートフィルムにおいて下記要件（ａ）〜（ｄ）を同時に
満足することを特徴とする光学用フィルム。
（ａ）フィルムが延伸されていないこと。
（ｂ）フィルムのヘーズ値が1.0％以下であること。
（ｃ）フィルムの一方の表面の中心線平均表面粗さが3n
m以下で、かつ、他方の表面の中心線平均表面粗さが３
〜10nmであること。
m以下で、かつ、他方の表面の中心線平均表面粗さが３
〜10nmであること。
（ｄ）フィルムのいずれの表面についても、その表面突
起のうち、突起の円相当径が30μｍ以上、その最大高さ
が３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在しないこ
と。
起のうち、突起の円相当径が30μｍ以上、その最大高さ
が３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在しないこ
と。
2. フィルムに滑材が添加されていないことを特徴とす
る上記１記載の光学用フィルム。
る上記１記載の光学用フィルム。
3. 芳香族ポリカーボネートを溶媒に溶解し、得られた
溶液を支持体上に流延してフィルムを形成しこれを乾燥
してフィルムを作製するに当たり、流延によるフィルム
形成後、（Ｙ＋５）℃以下の雰囲気温度による乾燥によ
りフィルム中の溶媒濃度Ｘを25重量％＜Ｘ≦45重量％の
状態とする工程と、これに続いて、該フィルムを、雰囲
気温度が（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下の温度
で、フィルム中の溶媒濃度が25重量％になるまで支持体
に接触させた状態に保つ工程とを含み、かつ、当該（Ｙ
＋５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下の温度で処理する工程
における当該フィルムの保持時間が３分以上であること
を特徴とする未延伸光学用フィルムの製造方法（ここで
Ｙは摂氏単位で表した溶媒の沸点である。）。
溶液を支持体上に流延してフィルムを形成しこれを乾燥
してフィルムを作製するに当たり、流延によるフィルム
形成後、（Ｙ＋５）℃以下の雰囲気温度による乾燥によ
りフィルム中の溶媒濃度Ｘを25重量％＜Ｘ≦45重量％の
状態とする工程と、これに続いて、該フィルムを、雰囲
気温度が（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下の温度
で、フィルム中の溶媒濃度が25重量％になるまで支持体
に接触させた状態に保つ工程とを含み、かつ、当該（Ｙ
＋５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下の温度で処理する工程
における当該フィルムの保持時間が３分以上であること
を特徴とする未延伸光学用フィルムの製造方法（ここで
Ｙは摂氏単位で表した溶媒の沸点である。）。
ここで、本願明細書を通して「溶媒の沸点」と言う場
合は、当該溶媒が一つの化合物より成る場合はその沸点
を意味し、当該溶媒が一つの主溶媒を構成する化合物と
副溶媒とよりなる場合には当該主溶媒を構成する化合物
の沸点を意味し、当該溶媒（主溶媒と副溶媒とよりなる
場合は当該溶媒中の主溶媒）がいくつかの化合物の混合
物である場合は、それらの化合物の全体に対する比率が
10重量％を越える化合物の内、最も低い沸点を持つ化合
物の沸点を意味する。
合は、当該溶媒が一つの化合物より成る場合はその沸点
を意味し、当該溶媒が一つの主溶媒を構成する化合物と
副溶媒とよりなる場合には当該主溶媒を構成する化合物
の沸点を意味し、当該溶媒（主溶媒と副溶媒とよりなる
場合は当該溶媒中の主溶媒）がいくつかの化合物の混合
物である場合は、それらの化合物の全体に対する比率が
10重量％を越える化合物の内、最も低い沸点を持つ化合
物の沸点を意味する。
なお、当該（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下（望
ましくは（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋25）℃以下）の温度
で処理する工程は８分以下、長くとも15分以下でこの工
程を終えることがより望ましい。また、使用される芳香
族ポリカーボネートとしては粘度平均分子量が3x104〜7
x104であるものが望ましく、粘度平均分子量が3x104〜7
x104であるビスフェノールＡポリカーボネート重合体が
より望ましい。
ましくは（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋25）℃以下）の温度
で処理する工程は８分以下、長くとも15分以下でこの工
程を終えることがより望ましい。また、使用される芳香
族ポリカーボネートとしては粘度平均分子量が3x104〜7
x104であるものが望ましく、粘度平均分子量が3x104〜7
x104であるビスフェノールＡポリカーボネート重合体が
より望ましい。
4. 溶媒がメチレンクロライドを95重量％以上含有する
ものであることを特徴とする上記３記載の光学用未延伸
フィルムの製造方法。
ものであることを特徴とする上記３記載の光学用未延伸
フィルムの製造方法。
この場合、メチレンクロライドの沸点は40℃であるか
ら、（Ｙ＋５）℃＝45℃、（Ｙ＋35）℃＝75℃である。
ら、（Ｙ＋５）℃＝45℃、（Ｙ＋35）℃＝75℃である。
5. 溶媒が、メチルアルコール、エチルアルコールまた
はプロピルアルコールの内の１つまたは２つ以上を全体
として５重量％以下含有するものであることを特徴とす
る上記３または４記載の未延伸光学用フィルムの製造方
法。
はプロピルアルコールの内の１つまたは２つ以上を全体
として５重量％以下含有するものであることを特徴とす
る上記３または４記載の未延伸光学用フィルムの製造方
法。
なお、メチルアルコール、エチルアルコールまたはプ
ロピルアルコールの内の１つまたは２つ以上を含有する
場合のその全体の含有量は、より好ましくは0.1〜５重
量％である。
ロピルアルコールの内の１つまたは２つ以上を含有する
場合のその全体の含有量は、より好ましくは0.1〜５重
量％である。
6. 溶媒に溶解して得られた溶液を、支持体上に流延す
る前に、目開きが0.3〜30μｍのフィルターで濾過する
ことを特徴とする上記３、４または５記載の未延伸光学
用フィルムの製造方法。
る前に、目開きが0.3〜30μｍのフィルターで濾過する
ことを特徴とする上記３、４または５記載の未延伸光学
用フィルムの製造方法。
7. 支持体の表面が、中心線平均表面粗さ1.0〜3.0nmで
かつ、最大長50μｍ以上、最大深さ５μｍ以上の傷がな
いことを特徴とする上記３、４、５または６記載の未延
伸光学用フィルムの製造方法。
かつ、最大長50μｍ以上、最大深さ５μｍ以上の傷がな
いことを特徴とする上記３、４、５または６記載の未延
伸光学用フィルムの製造方法。
8. 芳香族ポリカーボネートフィルムの溶液流延法によ
る製膜方法であって、当該溶液が支持体上にフィルムと
してキャストされ乾燥される工程を含み、当該フィルム
の表面状態が下記要件（ｅ）および（ｆ）を同時に満た
すまで、当該フィルムの表面の内当該支持体と接触して
いる表面を当該支持体と接触したままに保つことを特徴
とする芳香族ポリカーボネート未延伸フィルムの溶液流
延法による製膜方法。
る製膜方法であって、当該溶液が支持体上にフィルムと
してキャストされ乾燥される工程を含み、当該フィルム
の表面状態が下記要件（ｅ）および（ｆ）を同時に満た
すまで、当該フィルムの表面の内当該支持体と接触して
いる表面を当該支持体と接触したままに保つことを特徴
とする芳香族ポリカーボネート未延伸フィルムの溶液流
延法による製膜方法。
（ｅ）当該フィルムの表面の内当該支持体と接触してい
ない表面が、その中心線平均表面粗さが3nm以下で、フ
ィルムの表面突起のうちその円相当径が30μｍ以上、そ
の最大高さが３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在
しない状態であること。
ない表面が、その中心線平均表面粗さが3nm以下で、フ
ィルムの表面突起のうちその円相当径が30μｍ以上、そ
の最大高さが３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在
しない状態であること。
（ｆ）当該フィルムの表面の内当該支持体と接触してい
る表面が、その中心線平均表面粗さが３〜10nmで、か
つ、フィルムの表面突起のうち、その円相当径が30μｍ
以上、その最大高さが３μｍ以上であるものが３個/m2
以上存在しない状態であること。
る表面が、その中心線平均表面粗さが３〜10nmで、か
つ、フィルムの表面突起のうち、その円相当径が30μｍ
以上、その最大高さが３μｍ以上であるものが３個/m2
以上存在しない状態であること。
9. 溶液流延法によって製膜された芳香族ポリカーボネ
ートフィルムであって、上記３〜８の製造方法によるこ
とを特徴とする未延伸光学用フィルム 10. 溶液流延法によって製膜された芳香族ポリカーボ
ネートフィルムであって、上記１、２または９記載の未
延伸フィルムを一軸延伸して成ることを特徴とする光学
用フィルム。
ートフィルムであって、上記３〜８の製造方法によるこ
とを特徴とする未延伸光学用フィルム 10. 溶液流延法によって製膜された芳香族ポリカーボ
ネートフィルムであって、上記１、２または９記載の未
延伸フィルムを一軸延伸して成ることを特徴とする光学
用フィルム。
11. 一軸延伸する条件が、延伸温度（Tg−５）℃〜（T
g＋30）℃において、延伸倍率が1.05〜3.2であることを
特徴とする上記10記載の光学用フィルム。
g＋30）℃において、延伸倍率が1.05〜3.2であることを
特徴とする上記10記載の光学用フィルム。
ここで、Tgとは当該フィルムを形成するポリカーボネ
ートのガラス転移温度を意味し、具体的には、一軸延伸
直前の未延伸フィルムについて測定した値である。当該
フィルムの溶媒が残存している場合は、その溶媒を含ん
だまま測定する。
ートのガラス転移温度を意味し、具体的には、一軸延伸
直前の未延伸フィルムについて測定した値である。当該
フィルムの溶媒が残存している場合は、その溶媒を含ん
だまま測定する。
一軸延伸の温度条件を（Tg−５）℃〜（Tg＋30）℃と
する理由は、一軸延伸の温度条件が（Tg−５）℃より低
い場合は、延伸されたフィルムが白濁する傾向があり、
透明性を損なうため光学用途のフィルムとしては使用で
きないからであり、また一軸延伸の温度条件が（Tg＋3
0）℃を超える場合は、フロー延伸状態となり、ポリマ
ーの配向が妨げられ、均一な光学特性（レターデーショ
ン等）を持つフィルムを得ることができないからであ
る。より好ましい一軸延伸の温度条件はTg Ｃ〜（Tg＋
30）℃である。
する理由は、一軸延伸の温度条件が（Tg−５）℃より低
い場合は、延伸されたフィルムが白濁する傾向があり、
透明性を損なうため光学用途のフィルムとしては使用で
きないからであり、また一軸延伸の温度条件が（Tg＋3
0）℃を超える場合は、フロー延伸状態となり、ポリマ
ーの配向が妨げられ、均一な光学特性（レターデーショ
ン等）を持つフィルムを得ることができないからであ
る。より好ましい一軸延伸の温度条件はTg Ｃ〜（Tg＋
30）℃である。
延伸倍率が1.05〜3.2であることが必要なのは、光学
用途に必要なレターデーション値である100〜1000nmを
得るにはこの範囲の延伸倍率が必要であるからである。
用途に必要なレターデーション値である100〜1000nmを
得るにはこの範囲の延伸倍率が必要であるからである。
12. 溶液流延法によって製膜された芳香族ポリカーボ
ネートフィルムにおいて下記要件（ｇ）〜（ｊ）を同時
に満足することを特徴とする延伸光学用フィルム。
ネートフィルムにおいて下記要件（ｇ）〜（ｊ）を同時
に満足することを特徴とする延伸光学用フィルム。
（ｇ）フィルムが一軸方向に延伸されていること。
（ｈ）フィルムのヘーズ値が0.1〜8.0％であること。
（ｉ）フィルムの一方の表面の中心線平均表面粗さが5n
m以下で、かつ、他方の表面の中心線平均表面粗さが５
〜40nmであること。
m以下で、かつ、他方の表面の中心線平均表面粗さが５
〜40nmであること。
（ｊ）フィルムのいずれの表面についても、その表面突
起のうち、突起の円相当径が30μｍ以上、その最大高さ
が３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在しないこ
と。
起のうち、突起の円相当径が30μｍ以上、その最大高さ
が３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在しないこ
と。
なお、当該製膜後のフィルムのヘーズ値は、0.1％以
上でもあることが望ましいまた、上記の製膜後のフィル
ムの当該支持体と接触しない表面の中心線平均表面粗さ
は、未延伸フィルムについては１〜3nmであることがよ
り望ましく、延伸フィルムについては１〜5nmであるこ
とがより望ましい。また、製膜乾燥後の未延伸フィルム
の厚さとしては30〜200μｍであることが望ましく、70
〜150μｍであることがより望ましい。延伸フィルムの
厚さとしては20〜140μｍであることが望ましく、30〜6
0μｍであることがより望ましい。
上でもあることが望ましいまた、上記の製膜後のフィル
ムの当該支持体と接触しない表面の中心線平均表面粗さ
は、未延伸フィルムについては１〜3nmであることがよ
り望ましく、延伸フィルムについては１〜5nmであるこ
とがより望ましい。また、製膜乾燥後の未延伸フィルム
の厚さとしては30〜200μｍであることが望ましく、70
〜150μｍであることがより望ましい。延伸フィルムの
厚さとしては20〜140μｍであることが望ましく、30〜6
0μｍであることがより望ましい。
ここで、フィルムのヘーズ値が0.1％以上でもあるこ
とがより望ましいのは、後述するごとく、支持体と接触
したフィルム面近傍における芳香族ホリカーボネートの
結晶化（ヘーズの上昇原因となる）によると思われるフ
ィルム表面の凹凸付与がある程度必要なためであり、上
記３で（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下（望ましく
は（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋25）℃以下）の温度で処理
する工程が８分以下長くとも15分以下であることが好ま
しいのは、この工程をあまり長くすると、別の生成機構
によると思われる芳香族ポリカーボネートの結晶が、当
該フィルムが支持体と接触している近傍のみならずそれ
以外の部分にも多く発生し、いたずらにフィルムヘーズ
を上昇させることになるのためである。また、上記５で
メチルアルコール、エチルアルコールまたはプロピルア
ルコールの内の１つまたは２つ以上を含有する場合のそ
の全体の含有量が0.1重量％以上でもあることが望まし
いのは、これらアルコールによる後述する芳香族ポリカ
ーボネートの結晶促進効果を確保するためである。ま
た、当該フィルムの表面の内当該支持体と接触していな
い表面の中心線平均表面粗さ（Ra）が、未延伸フィルム
については１〜3nmであることがより望ましく、延伸フ
ィルムについては１〜5nmであることがより望ましいの
は、当該Raが大きくなりすぎると光学的透明性が不十分
となる場合があること、当該Raが小さくなりすぎると滑
り性が不十分となる場合があることによる。
とがより望ましいのは、後述するごとく、支持体と接触
したフィルム面近傍における芳香族ホリカーボネートの
結晶化（ヘーズの上昇原因となる）によると思われるフ
ィルム表面の凹凸付与がある程度必要なためであり、上
記３で（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下（望ましく
は（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋25）℃以下）の温度で処理
する工程が８分以下長くとも15分以下であることが好ま
しいのは、この工程をあまり長くすると、別の生成機構
によると思われる芳香族ポリカーボネートの結晶が、当
該フィルムが支持体と接触している近傍のみならずそれ
以外の部分にも多く発生し、いたずらにフィルムヘーズ
を上昇させることになるのためである。また、上記５で
メチルアルコール、エチルアルコールまたはプロピルア
ルコールの内の１つまたは２つ以上を含有する場合のそ
の全体の含有量が0.1重量％以上でもあることが望まし
いのは、これらアルコールによる後述する芳香族ポリカ
ーボネートの結晶促進効果を確保するためである。ま
た、当該フィルムの表面の内当該支持体と接触していな
い表面の中心線平均表面粗さ（Ra）が、未延伸フィルム
については１〜3nmであることがより望ましく、延伸フ
ィルムについては１〜5nmであることがより望ましいの
は、当該Raが大きくなりすぎると光学的透明性が不十分
となる場合があること、当該Raが小さくなりすぎると滑
り性が不十分となる場合があることによる。
なお、上記３および本願明細書において「雰囲気温
度」とは、支持体下部やフィルム上部から吹き付けられ
る温風の温度を意味する。
度」とは、支持体下部やフィルム上部から吹き付けられ
る温風の温度を意味する。
また、本願明細書において、フィルムのヘーズ値、中
心線平均表面粗さ（Ra）、表面突起の円相当径および表
面突起最大高さの測定は下記〜の方法によるもので
ある。
心線平均表面粗さ（Ra）、表面突起の円相当径および表
面突起最大高さの測定は下記〜の方法によるもので
ある。
フィルムのヘーズ値
JIS−K7105に準拠して測定した。
中心線平均表面粗さ（Ra）
JIS−B0601によった。
表面突起の円相当径
測定対象のフィルムの測定すべき表面と反対の表面を
コロジオンによって清浄なスライドグラスに貼り付け、
これを１日乾燥させた後、測定対象の表面をアルミニウ
ム蒸着処理し、この蒸着面を光学顕微鏡により、落射暗
視野法で、546nmの波長を用いて観察し、現れる突起部
分（明暗の差で表れる）の領域の円相当径を求める。
コロジオンによって清浄なスライドグラスに貼り付け、
これを１日乾燥させた後、測定対象の表面をアルミニウ
ム蒸着処理し、この蒸着面を光学顕微鏡により、落射暗
視野法で、546nmの波長を用いて観察し、現れる突起部
分（明暗の差で表れる）の領域の円相当径を求める。
表面突起最大高さ
上記のアルミニウム蒸着サンプルの蒸着面を、多重
干渉顕微鏡または二光束干渉顕微鏡により、546nmの波
長を用いて測定し、個々の表面突起によって現れる干渉
縞の重なりの内、最も高い部分（すなわち突起を示す干
渉縞の重なりの内最も小さい干渉縞部分）と最も低い部
分（すなわち突起を示す干渉縞の重なりの内最も大きい
干渉縞部分）との間に現れる干渉縞部分の数（ｎ）（当
該最も高い部分と最も低い部分とに該当するものも算入
する）を数え、（ｎ）＊0.27μｍをその表面突起につい
ての最大高さとする。
干渉顕微鏡または二光束干渉顕微鏡により、546nmの波
長を用いて測定し、個々の表面突起によって現れる干渉
縞の重なりの内、最も高い部分（すなわち突起を示す干
渉縞の重なりの内最も小さい干渉縞部分）と最も低い部
分（すなわち突起を示す干渉縞の重なりの内最も大きい
干渉縞部分）との間に現れる干渉縞部分の数（ｎ）（当
該最も高い部分と最も低い部分とに該当するものも算入
する）を数え、（ｎ）＊0.27μｍをその表面突起につい
ての最大高さとする。
発明を実施するための最良の形態
以下に本願発明について更に詳しく説明する。
ａ）芳香族ポリカーボネートおよび粘度平均分子量
本願発明で用いられる芳香族ポリカーボネートは希望
するフィルムの諸特性が得られる芳香族ポリカーボネー
トであれば特に制限はない。一般に芳香族ポリカーボネ
ートと総称される高分子材料は、フェノール誘導体と、
ホスゲン、ジフェニルカーボネート等からの重縮合で得
られるものを意味する。通常、ビスフェノールＡと呼称
されている2,2−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロ
ハンをビスフェノール成分とする繰り返し単位で表され
る芳香族ポリカーボネート（本願明細書においては、こ
のビスフェノールＡをビスフェノール成分とする芳香族
ポリカーボネートをビスフェノールＡポリカーボネート
と呼称する）が好ましく選ばれるが、2,2−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）プロパンと共に適宜他の各種ビス
フェノール誘導体を選択することで、芳香族ポリカーボ
ネート共重合体を構成することができる。
するフィルムの諸特性が得られる芳香族ポリカーボネー
トであれば特に制限はない。一般に芳香族ポリカーボネ
ートと総称される高分子材料は、フェノール誘導体と、
ホスゲン、ジフェニルカーボネート等からの重縮合で得
られるものを意味する。通常、ビスフェノールＡと呼称
されている2,2−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロ
ハンをビスフェノール成分とする繰り返し単位で表され
る芳香族ポリカーボネート（本願明細書においては、こ
のビスフェノールＡをビスフェノール成分とする芳香族
ポリカーボネートをビスフェノールＡポリカーボネート
と呼称する）が好ましく選ばれるが、2,2−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）プロパンと共に適宜他の各種ビス
フェノール誘導体を選択することで、芳香族ポリカーボ
ネート共重合体を構成することができる。
かかる共重合成分としては、ビス（４ヒドロキシフェ
ニル）メタン、1,1−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサン（ビスフェノール−Ｚとも言われる）、
9,9−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（ビ
スフェノールFLとも言われる）、1,1−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−3,3,5−トリメチルシクロヘキサ
ン、2,2−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニ
ル）−２−フェニルエタン、2,2−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−1,1,1,3,3,3−ヘキサフロロプロパン、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）サルファイド、ビス（４
−ヒドロキシフェニル）サルファイド、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）スルフォン等をあげることができる。
また、炭酸成分についてその一部にテレフタル酸および
／またはイソフタル酸成分を含むポリエステルカーボネ
ートを使用することも可能である。このようにビスフェ
ノールＡと炭酸成分の一部を他の構造単位に置換するこ
とにより芳香族ポリカーボネートの性質、例えば耐熱
性、溶解性を改良することができる。
ニル）メタン、1,1−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサン（ビスフェノール−Ｚとも言われる）、
9,9−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（ビ
スフェノールFLとも言われる）、1,1−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−3,3,5−トリメチルシクロヘキサ
ン、2,2−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニ
ル）−２−フェニルエタン、2,2−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−1,1,1,3,3,3−ヘキサフロロプロパン、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）サルファイド、ビス（４
−ヒドロキシフェニル）サルファイド、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）スルフォン等をあげることができる。
また、炭酸成分についてその一部にテレフタル酸および
／またはイソフタル酸成分を含むポリエステルカーボネ
ートを使用することも可能である。このようにビスフェ
ノールＡと炭酸成分の一部を他の構造単位に置換するこ
とにより芳香族ポリカーボネートの性質、例えば耐熱
性、溶解性を改良することができる。
本願発明で用いられる芳香族ポリカーボネートの粘度
平均分子量は20,000以上200,000以下であれば好適に用
いられる。粘度平均分子量が20,000以下の場合は、溶液
の粘度が低すぎて膜厚の制御が困難となるので好ましく
ない。また、粘度平均分子量が200,000以上の場合には
溶液粘度が高くなりすぎて膜厚の制御が困難となり好ま
しくない。特に好ましい粘度平均分子量は30,000以上7
0,000以下である。
平均分子量は20,000以上200,000以下であれば好適に用
いられる。粘度平均分子量が20,000以下の場合は、溶液
の粘度が低すぎて膜厚の制御が困難となるので好ましく
ない。また、粘度平均分子量が200,000以上の場合には
溶液粘度が高くなりすぎて膜厚の制御が困難となり好ま
しくない。特に好ましい粘度平均分子量は30,000以上7
0,000以下である。
ｂ）溶解用溶剤
本願発明において上記芳香族ホリカーボネートの溶解
に使用する溶媒は、流延可能な溶液粘度が得られる溶解
性、得られる溶液の結晶析出についての安定性（結晶が
析出しにくいこと）および溶液調製時の安全性（人体に
対する衛生性）の面を考慮して適宜選択される。
に使用する溶媒は、流延可能な溶液粘度が得られる溶解
性、得られる溶液の結晶析出についての安定性（結晶が
析出しにくいこと）および溶液調製時の安全性（人体に
対する衛生性）の面を考慮して適宜選択される。
芳香族ポリカーボネートの溶解用溶剤としては、メチ
レンクロライド、1,3−ジオキソラン、クロロホルム、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、テトラクロロエタ
ン、および1,2−ジクロロエタンの単独あるいは２以上
の混合物を挙げることができる。
レンクロライド、1,3−ジオキソラン、クロロホルム、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、テトラクロロエタ
ン、および1,2−ジクロロエタンの単独あるいは２以上
の混合物を挙げることができる。
また、好ましくはメチレンクロライドや1,3−ジオキ
ソランの単独物あるいは混合物に、メチールアルコー
ル、エチルアルコール、プロピルアルコール（ｎ−プロ
ピルアルコール、イソプロピルアルコールまたはこれら
の混合物），ブチルアルコール（ｎ−ブチルアルコー
ル、イソブチルアルコールまたはこれらの混合物）等の
副溶媒を単独あるいは２以上加えて使用することができ
る。この場合の上記アルコールの量は、５重量％以下で
あることが好ましく、0.1〜５重量％であることがより
好ましい。なお、本願明細書においては、上記アルコー
ルまたはこれらの混合物を使用する場合には、これらの
アルコールまたはこれらの混合物を副溶媒と呼称し、こ
れらの副溶媒と共に使用する場合には、これら副溶媒以
外の上記溶媒を主溶媒と呼称している。
ソランの単独物あるいは混合物に、メチールアルコー
ル、エチルアルコール、プロピルアルコール（ｎ−プロ
ピルアルコール、イソプロピルアルコールまたはこれら
の混合物），ブチルアルコール（ｎ−ブチルアルコー
ル、イソブチルアルコールまたはこれらの混合物）等の
副溶媒を単独あるいは２以上加えて使用することができ
る。この場合の上記アルコールの量は、５重量％以下で
あることが好ましく、0.1〜５重量％であることがより
好ましい。なお、本願明細書においては、上記アルコー
ルまたはこれらの混合物を使用する場合には、これらの
アルコールまたはこれらの混合物を副溶媒と呼称し、こ
れらの副溶媒と共に使用する場合には、これら副溶媒以
外の上記溶媒を主溶媒と呼称している。
ｃ）溶液の作成
本願発明の溶液の作製においては、溶媒が単独の場合
には溶媒を攪拌しつつ芳香族ポリカーボネートのペレッ
トを投入し溶解させる。溶媒が主溶媒と副溶媒とより成
る混合溶液の場合、例えばメチレンクロライド（主溶
媒）とエチルアルコール（副溶媒）との混合溶媒の場合
は、予め混合溶媒を準備しておき攪拌しつつ芳香族ポリ
カーボネートペレットを投入し溶解させる。
には溶媒を攪拌しつつ芳香族ポリカーボネートのペレッ
トを投入し溶解させる。溶媒が主溶媒と副溶媒とより成
る混合溶液の場合、例えばメチレンクロライド（主溶
媒）とエチルアルコール（副溶媒）との混合溶媒の場合
は、予め混合溶媒を準備しておき攪拌しつつ芳香族ポリ
カーボネートペレットを投入し溶解させる。
この場合アルコールは、本来の溶媒としての機能より
も、流延されたフィルムの乾燥中の結晶化を促進し、フ
ィルムの形状保持性を確保するために使用されるもの
で、芳香族ポリカーボネートの溶解性が低いため、例え
ば主溶媒であるメチレンクロライドに芳香族ポリカーボ
ネートを溶解した後に添加すると芳香族ポリカーボネー
トが結晶化して白濁し易く、このように溶液が白濁する
までアルコールを加えるとキャスト後の乾燥されたフィ
ルムのヘーズが高くなりすぎるので好ましくない場合が
多い。従って、このような意味で主溶媒と副溶媒とを使
用する場合には当該混合溶媒に芳香族ポリカーボネート
のペレットを投入して溶解させる方が望ましく、また、
主溶媒に芳香族ポリカーボネートを溶解した後に副溶媒
を添加するにしても主溶媒と副溶媒との混合溶媒に芳香
族ポリカーボネートを加えて溶解させるにしても、その
副溶媒添加量は溶液を白濁させない程度の量を添加する
のが望ましい。
も、流延されたフィルムの乾燥中の結晶化を促進し、フ
ィルムの形状保持性を確保するために使用されるもの
で、芳香族ポリカーボネートの溶解性が低いため、例え
ば主溶媒であるメチレンクロライドに芳香族ポリカーボ
ネートを溶解した後に添加すると芳香族ポリカーボネー
トが結晶化して白濁し易く、このように溶液が白濁する
までアルコールを加えるとキャスト後の乾燥されたフィ
ルムのヘーズが高くなりすぎるので好ましくない場合が
多い。従って、このような意味で主溶媒と副溶媒とを使
用する場合には当該混合溶媒に芳香族ポリカーボネート
のペレットを投入して溶解させる方が望ましく、また、
主溶媒に芳香族ポリカーボネートを溶解した後に副溶媒
を添加するにしても主溶媒と副溶媒との混合溶媒に芳香
族ポリカーボネートを加えて溶解させるにしても、その
副溶媒添加量は溶液を白濁させない程度の量を添加する
のが望ましい。
主溶媒に加える副溶媒の量は溶液の結晶化挙動（溶液
の白濁度）を調べて試行錯誤で決めることができる。こ
の場合のアルコールの添加割合は５重量％以下であるこ
とが望ましい。アルコールの混合割合が５重量％を越え
る場合はフィルムのヘーズが高くなり過ぎるからであ
る。更に望ましくは、0.1重量％以上５重量％以下であ
る。アルコールの混合割合が0.1重量％よりも少ない場
合には本願発明で期待する乾燥中の結晶化が起こりにく
くなるため製膜条件に制約を受ける場合があるからであ
る。
の白濁度）を調べて試行錯誤で決めることができる。こ
の場合のアルコールの添加割合は５重量％以下であるこ
とが望ましい。アルコールの混合割合が５重量％を越え
る場合はフィルムのヘーズが高くなり過ぎるからであ
る。更に望ましくは、0.1重量％以上５重量％以下であ
る。アルコールの混合割合が0.1重量％よりも少ない場
合には本願発明で期待する乾燥中の結晶化が起こりにく
くなるため製膜条件に制約を受ける場合があるからであ
る。
なお、副溶媒として使用されるアルコールは上記のよ
うに流延されたフィルムの乾燥中の結晶化を促進するも
のであるから、その揮発速度が主溶媒のそれより大きい
場合は、本来の目的を達成することが困難となる。それ
故、使用されるアルコールの沸点は、少なくとも主溶媒
の沸点より高いものであることが望ましく、当該主溶媒
が混合物である場合は、使用されるアルコールの沸点
は、当該主溶媒を構成する化合物の全体に対する比率が
10重量％を越える化合物の内、最も低い沸点を持つ化合
物の沸点より高いものであることが望ましい。各種実験
の結果、主溶媒（当該主溶媒が混合物である場合は、当
該主溶媒を構成する化合物の全体に対する比率が10重量
％を越える化合物の内、最も低い沸点を持つ化合物）の
沸点と副溶媒の沸点との差が２℃以上であるもの、更に
好ましくは５℃以上であるものが本願発明の目的である
結晶析出によると思われるフィルム表面の凹凸付与に好
適であることが判明した。
うに流延されたフィルムの乾燥中の結晶化を促進するも
のであるから、その揮発速度が主溶媒のそれより大きい
場合は、本来の目的を達成することが困難となる。それ
故、使用されるアルコールの沸点は、少なくとも主溶媒
の沸点より高いものであることが望ましく、当該主溶媒
が混合物である場合は、使用されるアルコールの沸点
は、当該主溶媒を構成する化合物の全体に対する比率が
10重量％を越える化合物の内、最も低い沸点を持つ化合
物の沸点より高いものであることが望ましい。各種実験
の結果、主溶媒（当該主溶媒が混合物である場合は、当
該主溶媒を構成する化合物の全体に対する比率が10重量
％を越える化合物の内、最も低い沸点を持つ化合物）の
沸点と副溶媒の沸点との差が２℃以上であるもの、更に
好ましくは５℃以上であるものが本願発明の目的である
結晶析出によると思われるフィルム表面の凹凸付与に好
適であることが判明した。
流延製膜に使用される溶液中の芳香族ポリカーボネー
トの濃度は10〜25重量％に設定することが望ましい。溶
液中の芳香族ポリカーボネートの濃度が10重量％未満の
場合は流延フィルムの乾燥負担が大きすぎて平坦性の良
好なフィルムを得ることが非常に困難になり、25重量％
を越えると、芳香族ポリカーボネートの分子量が大きい
場合には溶液粘度が高くなり過ぎて膜厚の制御が困難と
なり、芳香族ポリカーボネートの分子量が小さい場合に
は初期の溶媒の蒸発時にその蒸発の影響がフィルムの表
面平坦性に悪影響を及ぼすことになるため不都合であ
る。より好ましい濃度は15〜20重量％である。
トの濃度は10〜25重量％に設定することが望ましい。溶
液中の芳香族ポリカーボネートの濃度が10重量％未満の
場合は流延フィルムの乾燥負担が大きすぎて平坦性の良
好なフィルムを得ることが非常に困難になり、25重量％
を越えると、芳香族ポリカーボネートの分子量が大きい
場合には溶液粘度が高くなり過ぎて膜厚の制御が困難と
なり、芳香族ポリカーボネートの分子量が小さい場合に
は初期の溶媒の蒸発時にその蒸発の影響がフィルムの表
面平坦性に悪影響を及ぼすことになるため不都合であ
る。より好ましい濃度は15〜20重量％である。
溶液は、ゴミやゲル状物等を除去するため市販のフィ
ルターを用いて濾過する。フィルタのエレメントの平均
目開きは0.3〜30μｍのものを好適に用いることができ
ることが見出された。また、平均目開きの異なるものを
いくつか組み合わせて用いることもできる。
ルターを用いて濾過する。フィルタのエレメントの平均
目開きは0.3〜30μｍのものを好適に用いることができ
ることが見出された。また、平均目開きの異なるものを
いくつか組み合わせて用いることもできる。
キャスト直前の溶液は、その後の溶媒の揮散挙動の変
動を最小に抑えるためには、その変動幅はできるだけ小
さく抑えるのが望ましい。例えば15℃設定の場合通常は
±0.5℃で加温（または冷却）制御するの適当であるこ
とが見出された。
動を最小に抑えるためには、その変動幅はできるだけ小
さく抑えるのが望ましい。例えば15℃設定の場合通常は
±0.5℃で加温（または冷却）制御するの適当であるこ
とが見出された。
ｄ）キャストおよび乾燥
キャストされた芳香族ポリカーボネート溶液の温度
は、液膜またはフィルムからの溶媒の急速な蒸発を防止
するため、乾燥当初は溶媒の沸点よりあまり高いもので
あることは望ましくなく、溶媒の沸点をＹで表した場
合、本願発明においては（Ｙ＋５℃）以下の温度、望ま
しくは５℃〜（Ｙ＋５℃）の温度、で温度調節された雰
囲気下支持体上にダイを介してキャストされる。この温
度は更に望ましくは（Ｙ℃）以下、より更に望ましくは
５℃〜（Ｙ℃）の温度である。
は、液膜またはフィルムからの溶媒の急速な蒸発を防止
するため、乾燥当初は溶媒の沸点よりあまり高いもので
あることは望ましくなく、溶媒の沸点をＹで表した場
合、本願発明においては（Ｙ＋５℃）以下の温度、望ま
しくは５℃〜（Ｙ＋５℃）の温度、で温度調節された雰
囲気下支持体上にダイを介してキャストされる。この温
度は更に望ましくは（Ｙ℃）以下、より更に望ましくは
５℃〜（Ｙ℃）の温度である。
支持体としては、ガラス、ステンレス、フェロタイプ
板または場合によりポリエチレンテレフタレート、ポリ
エチレン2,6−ナフタレート等のプラスチックフィルム
を用いることができる。
板または場合によりポリエチレンテレフタレート、ポリ
エチレン2,6−ナフタレート等のプラスチックフィルム
を用いることができる。
工業的には一般にエンドレスの金属板の支持体が使用
される。本願発明の目的のためにはエンドレスの金属板
の支持体が、安定したフィルム面の凹凸を得る上で望ま
しい。フィルムの膜厚は上記のダイの開度によって調整
される。また、ドクターブレードで掃引する方法、リバ
ースロールコーター法など通常の厚塗り方法を使用する
ことも可能である。最も好ましい方法は押し出しダイよ
り溶液をエンドレスの金属ベルト支持体上に流延する方
法である。なお、本願明細書において「フィルム」と
は、ダイよりキャストされた液膜状態のものから溶媒の
除去によりいわゆる通常の固体としてのフィルムの形態
を有するものまでを含む意味で使用されている。
される。本願発明の目的のためにはエンドレスの金属板
の支持体が、安定したフィルム面の凹凸を得る上で望ま
しい。フィルムの膜厚は上記のダイの開度によって調整
される。また、ドクターブレードで掃引する方法、リバ
ースロールコーター法など通常の厚塗り方法を使用する
ことも可能である。最も好ましい方法は押し出しダイよ
り溶液をエンドレスの金属ベルト支持体上に流延する方
法である。なお、本願明細書において「フィルム」と
は、ダイよりキャストされた液膜状態のものから溶媒の
除去によりいわゆる通常の固体としてのフィルムの形態
を有するものまでを含む意味で使用されている。
芳香族ポリカーボネート溶液がキャストされる支持体
としては、中心線平均表面粗さ（Ra）が1.0〜3.0nmでか
つ最大長50μｍ以上、最大深さ５μｍ以上の傷がない特
性を有する鏡面研磨したものを用いるのが好ましいこと
が判明した。これらの範囲をはずれると、支持体表面が
より平坦になる場合にはフィルムの滑り性が十分に得ら
れなくなり、逆に支持体表面が粗面になる場合には結晶
化によると思われるフィルム表面の凹凸付与に加え、当
該支持体表面の荒れに起因するフィルム表面の荒れが起
こり、全体としてのフィルム表面の荒れが所望の程度を
越えることになって望ましくない。ここで、支持体表面
が平坦になる場合にフィルムの滑り性が十分でなくなる
のはフィルムの結晶化の最初のきっかけとなる種晶の発
生が抑制されるためではないかと考えられている。
としては、中心線平均表面粗さ（Ra）が1.0〜3.0nmでか
つ最大長50μｍ以上、最大深さ５μｍ以上の傷がない特
性を有する鏡面研磨したものを用いるのが好ましいこと
が判明した。これらの範囲をはずれると、支持体表面が
より平坦になる場合にはフィルムの滑り性が十分に得ら
れなくなり、逆に支持体表面が粗面になる場合には結晶
化によると思われるフィルム表面の凹凸付与に加え、当
該支持体表面の荒れに起因するフィルム表面の荒れが起
こり、全体としてのフィルム表面の荒れが所望の程度を
越えることになって望ましくない。ここで、支持体表面
が平坦になる場合にフィルムの滑り性が十分でなくなる
のはフィルムの結晶化の最初のきっかけとなる種晶の発
生が抑制されるためではないかと考えられている。
通常、キャスト後のフィルムの乾燥の目的は、フィル
ムの形態を変化させることなく短時間に多量の溶媒を蒸
発させることにある。急激に溶媒を蒸発させると液膜面
あるいはフィルム面から発泡したり、フィルムが変形を
受けて厚み斑が悪化するなど好ましくない現象（このよ
うな現象をレベリング不良という）を呈するので、乾燥
温度、風量など乾燥速度を制御する要因には細心の注意
を払う必要がある。通常、乾燥の初期には使用する溶媒
の沸点よりも下かあるいはそれよりあまり高くない温度
で乾燥し、ある程度溶媒が揮散した後、乾燥温度を上昇
させて、最終的に溶媒濃度が20重量％以下好ましくは15
重量％以下になるまでに加熱乾燥を行ない、支持体より
半乾燥のフィルムを剥ぎ取る。
ムの形態を変化させることなく短時間に多量の溶媒を蒸
発させることにある。急激に溶媒を蒸発させると液膜面
あるいはフィルム面から発泡したり、フィルムが変形を
受けて厚み斑が悪化するなど好ましくない現象（このよ
うな現象をレベリング不良という）を呈するので、乾燥
温度、風量など乾燥速度を制御する要因には細心の注意
を払う必要がある。通常、乾燥の初期には使用する溶媒
の沸点よりも下かあるいはそれよりあまり高くない温度
で乾燥し、ある程度溶媒が揮散した後、乾燥温度を上昇
させて、最終的に溶媒濃度が20重量％以下好ましくは15
重量％以下になるまでに加熱乾燥を行ない、支持体より
半乾燥のフィルムを剥ぎ取る。
本願発明方法におけるキャスト後の乾燥工程におい
て、本願発明の目的である光学的に透明でかつ滑り性に
優れた芳香族ポリカーボネートフィルムを得るには、キ
ャストされたフィルムの表面の内支持体に接触する方の
表面部分において結晶化（溶液から芳香族ポリカーボネ
ートが結晶化する現象と現在推定している）が起こり、
これによって表面が荒れるものと推察されているため、
この微細な表面凹凸を適当に形成するように乾燥条件を
制御することが極めて有効であることが見出された。す
なわち、一般には乾燥によって溶媒が減少すれば、フィ
ルム中の芳香族ポリカーボネート濃度が上昇し、一定濃
度以上になればその結晶化が始まるはずである。しか
し、支持体上でフィルムを乾燥したところ、意外にも、
フィルムヘーズをそれほど上げず、支持体と接触するフ
ィルム表面上には微細な凹凸を与え、かつ、支持体と接
触しないフィルム表面は平坦に保ちうる乾燥条件が存在
することが見出された。
て、本願発明の目的である光学的に透明でかつ滑り性に
優れた芳香族ポリカーボネートフィルムを得るには、キ
ャストされたフィルムの表面の内支持体に接触する方の
表面部分において結晶化（溶液から芳香族ポリカーボネ
ートが結晶化する現象と現在推定している）が起こり、
これによって表面が荒れるものと推察されているため、
この微細な表面凹凸を適当に形成するように乾燥条件を
制御することが極めて有効であることが見出された。す
なわち、一般には乾燥によって溶媒が減少すれば、フィ
ルム中の芳香族ポリカーボネート濃度が上昇し、一定濃
度以上になればその結晶化が始まるはずである。しか
し、支持体上でフィルムを乾燥したところ、意外にも、
フィルムヘーズをそれほど上げず、支持体と接触するフ
ィルム表面上には微細な凹凸を与え、かつ、支持体と接
触しないフィルム表面は平坦に保ちうる乾燥条件が存在
することが見出された。
現段階においては、このフィルム表面の凹凸は芳香族
ポリカーボネートの結晶化によるものと考えられている
が、このように、支持体に接触するフィルム表面である
ため溶媒の揮散が抑制される条件で芳香族ポリカーボネ
ートの結晶化が促進される点や、この結晶化がフィルム
の厚さにそれほど影響されないところを見ると、支持体
との接触自体が、（当該支持体が芳香族ポリカーボネー
トの結晶の種晶を発生させ易いという意味で）、表面で
の結晶発生、ひいては凹凸形成に寄与している可能性も
考えられる。さらに、アルコールを副溶媒として使用し
た場合には、支持体と接触していないフィルム面に比し
て、支持体と接触しているフィルム面は副溶媒の揮発が
ないため、主溶媒の減少に伴い、相対的に副溶媒濃度が
上昇することも役立っているとも考えられている。
ポリカーボネートの結晶化によるものと考えられている
が、このように、支持体に接触するフィルム表面である
ため溶媒の揮散が抑制される条件で芳香族ポリカーボネ
ートの結晶化が促進される点や、この結晶化がフィルム
の厚さにそれほど影響されないところを見ると、支持体
との接触自体が、（当該支持体が芳香族ポリカーボネー
トの結晶の種晶を発生させ易いという意味で）、表面で
の結晶発生、ひいては凹凸形成に寄与している可能性も
考えられる。さらに、アルコールを副溶媒として使用し
た場合には、支持体と接触していないフィルム面に比し
て、支持体と接触しているフィルム面は副溶媒の揮発が
ないため、主溶媒の減少に伴い、相対的に副溶媒濃度が
上昇することも役立っているとも考えられている。
この結晶化によると思われる表面凹凸がキャスト後の
乾燥の工程で起こるためには、当該フィルム表面部分に
おける溶媒中の芳香族ポリカーボネートの濃度、副溶媒
濃度、結晶化時の温度並びにその温度に曝される時間
（滞留時間）とが影響を与えるものと考えられるが、本
願発明者らはキャストされたフィルムを乾燥させるとき
のフィルム面の結晶化挙動について検討した結果、芳香
族ポリカーボネートを溶媒に溶解し、得られた溶液を支
持体上に流延しこれを乾燥してフィルムを作製する場合
には、溶媒の沸点をＹとした場合、流延によるフィルム
形成後、第１段階として、（Ｙ＋５）℃以下（望ましく
はＹ℃以下）の雰囲気温度による乾燥によりフィルム中
の溶媒濃度Ｘを、25重量％＜Ｘ≦45重量％の状態とする
工程と、これに続いて、第２段階として、該フィルム
を、雰囲気温度が（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下
（望ましくは（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋25）℃以下）の
温度で、フィルム中の溶媒濃度が25重量％になるまで支
持体に接触させた状態に保つ工程とを含み、かつ、当該
（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下（望ましくは（Ｙ
＋５）℃を越え（Ｙ＋25）℃以下）の温度で処理する工
程における当該フィルムの保持時間が３分以上である
と、本願発明の光学的に透明でかつ滑り性に優れた芳香
族ポリカーボネートフィルムとして好適なフィルム表面
が得られることを見出した。
乾燥の工程で起こるためには、当該フィルム表面部分に
おける溶媒中の芳香族ポリカーボネートの濃度、副溶媒
濃度、結晶化時の温度並びにその温度に曝される時間
（滞留時間）とが影響を与えるものと考えられるが、本
願発明者らはキャストされたフィルムを乾燥させるとき
のフィルム面の結晶化挙動について検討した結果、芳香
族ポリカーボネートを溶媒に溶解し、得られた溶液を支
持体上に流延しこれを乾燥してフィルムを作製する場合
には、溶媒の沸点をＹとした場合、流延によるフィルム
形成後、第１段階として、（Ｙ＋５）℃以下（望ましく
はＹ℃以下）の雰囲気温度による乾燥によりフィルム中
の溶媒濃度Ｘを、25重量％＜Ｘ≦45重量％の状態とする
工程と、これに続いて、第２段階として、該フィルム
を、雰囲気温度が（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下
（望ましくは（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋25）℃以下）の
温度で、フィルム中の溶媒濃度が25重量％になるまで支
持体に接触させた状態に保つ工程とを含み、かつ、当該
（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下（望ましくは（Ｙ
＋５）℃を越え（Ｙ＋25）℃以下）の温度で処理する工
程における当該フィルムの保持時間が３分以上である
と、本願発明の光学的に透明でかつ滑り性に優れた芳香
族ポリカーボネートフィルムとして好適なフィルム表面
が得られることを見出した。
すなわち、得られた溶液を支持体上に流延してフィル
ムを形成したのち、雰囲気温度を（Ｙ＋５）℃（望まし
くはＹ℃以下）以下に保ち、フィルム中の溶媒濃度Ｘが
25重量％＜Ｘ≦45重量％の状態になるまで乾燥した場合
には、フィルム中の溶媒の発泡等による欠点は生じず、
また、支持体と接触したフィルム面も含めて、フィルム
中には実質的に芳香族ポリカーボネートの結晶化は起こ
らず、また、その後該フィルムを、雰囲気温度が（Ｙ＋
５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下（望ましくは（Ｙ＋５）
℃を越え（Ｙ＋25）℃以下）の温度で、フィルム中の溶
媒濃度が25重量％になるまで支持体に接触させた状態に
保つ工程に当該フィルムを３分以上保持できれば、当該
支持体と接触するフィルム面近傍の芳香族ポリカーボネ
ートの結晶化によると思われるフィルム表面の凹凸付与
を実現でき、これによって、フィルム内部の芳香族ポリ
カーボネートの結晶化によるヘーズ上昇の問題を回避し
つつ当該フィルム表面に、良好な滑り性を付与するため
の凹凸を与えることができ、かつ、このようにすること
によって、その後の乾燥工程ではもはやフィルム中の芳
香族ポリカーボネートに結晶化は実質的に進行せず、従
って、これ以上のヘーズ増大の問題もないことを見出し
たものである。例えば、97重量％のメチレンクロライド
と３重量％のエチルアルコールを使用した場合には、メ
チレンクロライドの沸点が40℃であるから、第１段階で
は45℃（望ましくは40℃）、第２段階では45℃を越え75
℃以下（望ましくは45℃を越え65℃以下）の温度で処理
することとなる。
ムを形成したのち、雰囲気温度を（Ｙ＋５）℃（望まし
くはＹ℃以下）以下に保ち、フィルム中の溶媒濃度Ｘが
25重量％＜Ｘ≦45重量％の状態になるまで乾燥した場合
には、フィルム中の溶媒の発泡等による欠点は生じず、
また、支持体と接触したフィルム面も含めて、フィルム
中には実質的に芳香族ポリカーボネートの結晶化は起こ
らず、また、その後該フィルムを、雰囲気温度が（Ｙ＋
５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下（望ましくは（Ｙ＋５）
℃を越え（Ｙ＋25）℃以下）の温度で、フィルム中の溶
媒濃度が25重量％になるまで支持体に接触させた状態に
保つ工程に当該フィルムを３分以上保持できれば、当該
支持体と接触するフィルム面近傍の芳香族ポリカーボネ
ートの結晶化によると思われるフィルム表面の凹凸付与
を実現でき、これによって、フィルム内部の芳香族ポリ
カーボネートの結晶化によるヘーズ上昇の問題を回避し
つつ当該フィルム表面に、良好な滑り性を付与するため
の凹凸を与えることができ、かつ、このようにすること
によって、その後の乾燥工程ではもはやフィルム中の芳
香族ポリカーボネートに結晶化は実質的に進行せず、従
って、これ以上のヘーズ増大の問題もないことを見出し
たものである。例えば、97重量％のメチレンクロライド
と３重量％のエチルアルコールを使用した場合には、メ
チレンクロライドの沸点が40℃であるから、第１段階で
は45℃（望ましくは40℃）、第２段階では45℃を越え75
℃以下（望ましくは45℃を越え65℃以下）の温度で処理
することとなる。
なお、この場合、芳香族ポリカーボネートの粘度平均
分子量が3x104〜7x104であることが望ましいことも見出
された。粘度平均分子量が7x104を越えると、恐らくそ
の高い粘度のために結晶化速度が低下し、3x104を切る
場合にはその低い粘度のため、レベリング不良の問題が
発生しやすくなるためであろうと考えられている。
分子量が3x104〜7x104であることが望ましいことも見出
された。粘度平均分子量が7x104を越えると、恐らくそ
の高い粘度のために結晶化速度が低下し、3x104を切る
場合にはその低い粘度のため、レベリング不良の問題が
発生しやすくなるためであろうと考えられている。
更に、芳香族ポリカーボネートとしてビスフェノール
Ａポリカーボネート重合体を使用した場合には本願発明
の光学的に透明でかつ滑り性に優れた芳香族ポリカーボ
ネートフィルムをより短時間に安定した品質で得られる
ことも判明した。これは、恐らく、ビスフェノールＡポ
リカーボネート重合体の対称性の良い化学構造と上記粘
度の影響によるものと考えられている。
Ａポリカーボネート重合体を使用した場合には本願発明
の光学的に透明でかつ滑り性に優れた芳香族ポリカーボ
ネートフィルムをより短時間に安定した品質で得られる
ことも判明した。これは、恐らく、ビスフェノールＡポ
リカーボネート重合体の対称性の良い化学構造と上記粘
度の影響によるものと考えられている。
この後このフィルムは第３段階として適当な温度に冷
却し、第４段階の剥離工程に移行する。通常は、溶媒除
去効率や作業効率を考慮して、溶媒濃度Ｘが15重量％≦
Ｘ＜25重量％の状態になるまで、この第３段階で更に乾
燥が進められる。
却し、第４段階の剥離工程に移行する。通常は、溶媒除
去効率や作業効率を考慮して、溶媒濃度Ｘが15重量％≦
Ｘ＜25重量％の状態になるまで、この第３段階で更に乾
燥が進められる。
ｅ）剥離工程およびその後の工程
上記のごとく冷却されたフィルは、第４段階の剥離工
程で支持体より剥離する。
程で支持体より剥離する。
ついで当該フィルムを、通常溶媒含有量が数重量％以
下になるまで、本乾燥する。この際、通常は連続的に処
理されるが、一旦フィルムを巻き取ってからこれを本乾
燥工程に供することも可能である。
下になるまで、本乾燥する。この際、通常は連続的に処
理されるが、一旦フィルムを巻き取ってからこれを本乾
燥工程に供することも可能である。
剥離工程と本乾燥工程とは従来公知の方法を用いるこ
とができ、ピンテンター方式の乾燥機、ロール懸垂型の
乾燥機、空気浮遊式の乾燥機等を用いてフィルムの光学
特性（レターデーション、屈折率等）を制御して液晶用
基板等に適するフィルムとなすことができる。要すれば
こうして得られたフィルムを一軸または二軸延伸して液
晶表示装置用の位相差フィルムとすることもできる。
とができ、ピンテンター方式の乾燥機、ロール懸垂型の
乾燥機、空気浮遊式の乾燥機等を用いてフィルムの光学
特性（レターデーション、屈折率等）を制御して液晶用
基板等に適するフィルムとなすことができる。要すれば
こうして得られたフィルムを一軸または二軸延伸して液
晶表示装置用の位相差フィルムとすることもできる。
上記の処理で得られるフィルム表面の特性について詳
細に検討した結果、本願発明の用途とする光学用フィル
ムとしては、 （ａ）フィルムが延伸されていないこと。
細に検討した結果、本願発明の用途とする光学用フィル
ムとしては、 （ａ）フィルムが延伸されていないこと。
（ｂ）フィルムのヘーズ値が1.0％以下であること。
（ｃ）フィルムの一方の表面の中心線平均表面粗さが3n
m以下で、かつ、他方の表面の中心線平均表面粗さが３
〜10nmであること。
m以下で、かつ、他方の表面の中心線平均表面粗さが３
〜10nmであること。
（ｄ）フィルムのいずれの表面についても、その表面突
起のうち、突起の円相当径が30μｍ以上、その最大高さ
が３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在しないこ
と、 をすべて充足し、あるいは、 （ｇ）フィルムが一軸方向に延伸されていること。
起のうち、突起の円相当径が30μｍ以上、その最大高さ
が３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在しないこ
と、 をすべて充足し、あるいは、 （ｇ）フィルムが一軸方向に延伸されていること。
（ｈ）フィルムのヘーズ値が0.1〜8.0％であること。
（ｉ）フィルムの一方の表面の中心線平均表面粗さが5n
m以下で、かつ、他方の表面の中心線平均表面粗さが５
〜40nmであること。
m以下で、かつ、他方の表面の中心線平均表面粗さが５
〜40nmであること。
（ｊ）フィルムのいずれの表面についても、その表面突
起のうち、突起の円相当径が30μｍ以上、その最大高さ
が３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在しないこ
と、 をすべて充足すれば良いこと、フィルムのヘーズ値は、
0.1％以上であることがより望ましいことが判明した。
起のうち、突起の円相当径が30μｍ以上、その最大高さ
が３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在しないこ
と、 をすべて充足すれば良いこと、フィルムのヘーズ値は、
0.1％以上であることがより望ましいことが判明した。
すなわち、ヘーズ値が8.0％を超えると、本願発明品
の用途である光学用フィルムとしては透明性が不足する
一方、ヘーズ値は小さければ小さいほど良く、光学的用
途では特に１％以下のニーズが大きいこと、適当なフィ
ルム表面の凹凸を得るには、ある程度の芳香族ポリカー
ボネートの結晶化によるものと思われる凹凸付与が必要
であり、それに伴うヘーズ上昇があるため、実用的には
ヘーズが0.1％以上あることが、必要な表面凹凸の程度
を確保するため望ましいことが分かった。また、フィル
ムの一方の表面の中心線平均表面粗さ（Ra）と他方の表
面の中心線平均表面粗さ（Ra）についてそれぞれ特定の
範囲内にあることが必要とされるのは、当該フィルムに
適当な滑り性を付与するためにある程度の大きさのRaが
必要である一方、この値が大きすぎるとフィルムの表面
が粗面になりすぎ、フィルムのヘーズが光学用フィルム
としては高くなりすぎるためである。当該粗面ではない
方のフィルム面については光学用用途の本来の目的のた
めには平坦であればあるほど望ましいが、フィルム同士
の滑りを確保するには、この面もある程度の粗面である
ことがより望ましい。
の用途である光学用フィルムとしては透明性が不足する
一方、ヘーズ値は小さければ小さいほど良く、光学的用
途では特に１％以下のニーズが大きいこと、適当なフィ
ルム表面の凹凸を得るには、ある程度の芳香族ポリカー
ボネートの結晶化によるものと思われる凹凸付与が必要
であり、それに伴うヘーズ上昇があるため、実用的には
ヘーズが0.1％以上あることが、必要な表面凹凸の程度
を確保するため望ましいことが分かった。また、フィル
ムの一方の表面の中心線平均表面粗さ（Ra）と他方の表
面の中心線平均表面粗さ（Ra）についてそれぞれ特定の
範囲内にあることが必要とされるのは、当該フィルムに
適当な滑り性を付与するためにある程度の大きさのRaが
必要である一方、この値が大きすぎるとフィルムの表面
が粗面になりすぎ、フィルムのヘーズが光学用フィルム
としては高くなりすぎるためである。当該粗面ではない
方のフィルム面については光学用用途の本来の目的のた
めには平坦であればあるほど望ましいが、フィルム同士
の滑りを確保するには、この面もある程度の粗面である
ことがより望ましい。
滑り性の確保と光学用途としての平坦性の要求から、
未延伸フィルムと延伸フィルムとのそれぞれについて検
討した結果、上記の範囲が光学的用フィルムとして優れ
ていることが見出されたものである。
未延伸フィルムと延伸フィルムとのそれぞれについて検
討した結果、上記の範囲が光学的用フィルムとして優れ
ていることが見出されたものである。
さらに、フィルムの表面突起のうち、その円相当径が
30μｍ以上、その最大高さが３μｍ以上であるものが３
個/m2以上存在しないことが必要なのは、これが存在す
ると例えば液晶表示装置用基板フィルムとして用いる場
合に、薄膜上の電極をフィルム面上に形成した場合に、
この電極薄膜がこの大きな突起の部分で不連続となり電
極基板としての働きが損なわれることがあるからであ
る。
30μｍ以上、その最大高さが３μｍ以上であるものが３
個/m2以上存在しないことが必要なのは、これが存在す
ると例えば液晶表示装置用基板フィルムとして用いる場
合に、薄膜上の電極をフィルム面上に形成した場合に、
この電極薄膜がこの大きな突起の部分で不連続となり電
極基板としての働きが損なわれることがあるからであ
る。
本願発明に於ける検討の結果、このようなフィルム表
面は、その製膜方法が、芳香族ポリカーボネートフィル
ムの溶液流延法による製膜方法であって、当該溶液が支
持体上にフィルムとしてキャストされ乾燥される工程を
含み、当該フィルムの表面状態が下記要件（ｅ）および
（ｆ）を同時に満たすまで、当該フィルムの表面の内当
該支持体と接触している表面を当該支持体と接触したま
まに保つことを特徴とする芳香族未延伸ポリカーボネー
トフィルムの溶液流延法による製膜方法である場合に得
られることが判明した。
面は、その製膜方法が、芳香族ポリカーボネートフィル
ムの溶液流延法による製膜方法であって、当該溶液が支
持体上にフィルムとしてキャストされ乾燥される工程を
含み、当該フィルムの表面状態が下記要件（ｅ）および
（ｆ）を同時に満たすまで、当該フィルムの表面の内当
該支持体と接触している表面を当該支持体と接触したま
まに保つことを特徴とする芳香族未延伸ポリカーボネー
トフィルムの溶液流延法による製膜方法である場合に得
られることが判明した。
（ｅ）当該フィルムの表面の内当該支持体と接触してい
ない表面が、その中心線平均表面粗さが3nm以下で、フ
ィルムの表面突起のうちその円相当径が30μｍ以上、そ
の最大高さが３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在
しない状態であること。
ない表面が、その中心線平均表面粗さが3nm以下で、フ
ィルムの表面突起のうちその円相当径が30μｍ以上、そ
の最大高さが３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在
しない状態であること。
（ｆ）当該フィルムの表面の内当該支持体と接触してい
る表面が、その中心線平均表面粗さが３〜10nmで、か
つ、フィルムの表面突起のうち、その円相当径が30μｍ
以上、その最大高さが３μｍ以上であるものが３個/m2
以上存在しない状態であること。
る表面が、その中心線平均表面粗さが３〜10nmで、か
つ、フィルムの表面突起のうち、その円相当径が30μｍ
以上、その最大高さが３μｍ以上であるものが３個/m2
以上存在しない状態であること。
すなわち、本願発明の滑り性の良いフィルム表面は、
前述したごとく、このフィルムと支持体とが接触してい
る状態下における芳香族ポリカーボネートの結晶化によ
るものと思われる凹凸によって大きく左右されるのであ
る。なお、ここで、当該支持体と接触しているフィルム
面の中心線平均表面粗さ（Ra）は当該フィルムを当該支
持体から剥離して測定した値である。
前述したごとく、このフィルムと支持体とが接触してい
る状態下における芳香族ポリカーボネートの結晶化によ
るものと思われる凹凸によって大きく左右されるのであ
る。なお、ここで、当該支持体と接触しているフィルム
面の中心線平均表面粗さ（Ra）は当該フィルムを当該支
持体から剥離して測定した値である。
本願発明に係るフィルムは無延伸（未延伸ともいう）
フィルムまたは延伸フィルムにおいてその片方の面が適
当な程度に微細に荒れているため、特にフィルムを搬送
ロールで走行させる時や延伸の前の各種処理時に搬送ロ
ールを通す時等、そのロール面の転写やロール面上でフ
ィルムが時として不均一滑りのために発生するスクラッ
チ等が極めて生じにくくなる。また、フィルムが比較的
厚手の場合にはナーリングやマスキングフィルム共巻等
のロール巻き取りのための補助手段を用いなくとも巻き
取りが可能である。
フィルムまたは延伸フィルムにおいてその片方の面が適
当な程度に微細に荒れているため、特にフィルムを搬送
ロールで走行させる時や延伸の前の各種処理時に搬送ロ
ールを通す時等、そのロール面の転写やロール面上でフ
ィルムが時として不均一滑りのために発生するスクラッ
チ等が極めて生じにくくなる。また、フィルムが比較的
厚手の場合にはナーリングやマスキングフィルム共巻等
のロール巻き取りのための補助手段を用いなくとも巻き
取りが可能である。
本願発明のフィルムはこのように、未延伸フィルムの
みならず延伸フィルムにも使用することができる。この
結果延伸したフィルムでは厚みが薄いにもかかわらず滑
り性に優れ、搬送ロールで傷がついたり皺がよったりし
ないと言う大きな利点を持っている。
みならず延伸フィルムにも使用することができる。この
結果延伸したフィルムでは厚みが薄いにもかかわらず滑
り性に優れ、搬送ロールで傷がついたり皺がよったりし
ないと言う大きな利点を持っている。
実施例
以下に実施例により本願発明を詳細に説明するが、本
願発明はこれらに限定されるものではない。なお実施例
中および本願明細書中の各特性値は以下の測定法による
ものである。
願発明はこれらに限定されるものではない。なお実施例
中および本願明細書中の各特性値は以下の測定法による
ものである。
１）表面粗さ（Ra）の測定
中心線平均粗さ（Ra）とはJIS−B0601で定義される値
であり、本願明細書における数値は、（株）小坂研究所
の接触式表面粗さ計（Surfcorder、SE−30C）を用いて
測定した。
であり、本願明細書における数値は、（株）小坂研究所
の接触式表面粗さ計（Surfcorder、SE−30C）を用いて
測定した。
フィルム表面と支持体表面とのRaをこの方法で測定し
た。測定条件は下記の通りであった。
た。測定条件は下記の通りであった。
・触針先端半径 :2μｍ
・測定圧力 :30mg
・カットオフ :0.08mm
・測定長 :1.0mm
・データのまとめ方：同一試料について５回繰り返し測
定した測定値（μｍ単位による少数点以下４桁目までの
値）について、最も大きい値を一つ除き、残りの４つの
データの平均値の小数点以下５桁目を四捨五入し、小数
点以下４桁目までをnm単位で表示した。
定した測定値（μｍ単位による少数点以下４桁目までの
値）について、最も大きい値を一つ除き、残りの４つの
データの平均値の小数点以下５桁目を四捨五入し、小数
点以下４桁目までをnm単位で表示した。
２）粘度平均分子量
20℃のメチレンクロライド溶液の固有粘度［η］（g/
dl）をウベローデ粘度計を用いて測定し、次式を用いて
（Schnellの方法）粘度平均分子量Mvを計算した。
［η］＝1.23＊Mv0.83。
dl）をウベローデ粘度計を用いて測定し、次式を用いて
（Schnellの方法）粘度平均分子量Mvを計算した。
［η］＝1.23＊Mv0.83。
３）溶媒濃度
約5gのフィルムサンプルを化学天秤で重量測定し、つ
いで170℃の熱風乾燥炉で１時間乾燥させた後、室温ま
で冷却し、これを重量測定して、（乾燥前重量−乾燥後
重量）＊100/（乾燥前重量）を溶媒濃度（重量％）とし
た。なお、本願明細書においては、特に断らない限り、
この濃度はサンプルの断面上における勾配を無視した平
均値を意味する。
いで170℃の熱風乾燥炉で１時間乾燥させた後、室温ま
で冷却し、これを重量測定して、（乾燥前重量−乾燥後
重量）＊100/（乾燥前重量）を溶媒濃度（重量％）とし
た。なお、本願明細書においては、特に断らない限り、
この濃度はサンプルの断面上における勾配を無視した平
均値を意味する。
なお、本願明細書中、芳香族ポリカーボネートの濃度
とは、（100−上記溶媒濃度）（重量％）を意味するも
のである。
とは、（100−上記溶媒濃度）（重量％）を意味するも
のである。
４）ヘーズ
フィルムのヘーズは日本電色工業（株）製濁度測定器
（モデルCOH−300A）を用いて測定した。
（モデルCOH−300A）を用いて測定した。
５）フィルムの突起の観察並びに計測
フィルムからＡ−４版サイズのカットシートをランダ
ムに10枚切り出し、表面突起について、表面突起の円相
当径と表面突起最大高さとを本願明細書にて前記した方
法により計測した。なお、表面突起最大高さの計測には
二光束干渉顕微鏡を使用した。表面突起の数はm2当たり
で表示した。
ムに10枚切り出し、表面突起について、表面突起の円相
当径と表面突起最大高さとを本願明細書にて前記した方
法により計測した。なお、表面突起最大高さの計測には
二光束干渉顕微鏡を使用した。表面突起の数はm2当たり
で表示した。
６）フィルム面の擦れ傷（スクラッチ）の観察
巻き上げたロールフィルムから長手方向に長さ1.5mの
サンフルを採取した。検査は、暗幕付きのスクラッチ検
査台にフィルムを貼り付け、斜め方向からカドニカライ
トで照らし反射光でスクラッチの有無を調べることによ
って行った。
サンフルを採取した。検査は、暗幕付きのスクラッチ検
査台にフィルムを貼り付け、斜め方向からカドニカライ
トで照らし反射光でスクラッチの有無を調べることによ
って行った。
実施例１
ポリカーボネート樹脂（帝人化成（株）製の商品名
「パンライト（登録商標）グレードＣ−1400QJ、粘度平
均分子量38,000」）をメチレンクロライドに溶解させ、
18重量％の溶液を作成した。
「パンライト（登録商標）グレードＣ−1400QJ、粘度平
均分子量38,000」）をメチレンクロライドに溶解させ、
18重量％の溶液を作成した。
この溶液をフィルター（アドヴァンテック（株）製の
フィルター、商品名デフスカートリッジフィルター、TC
PD−05A、平均孔径0.5μｍ）に通し異物を除去した。更
にこの溶液の温度を15±0.5℃に調節して500mm幅のコー
トハンガーダイに導入した。続いて中心線平均粗さ（R
a）が1.8nmでかつ、最大長50μｍ以上、最大深さ５μｍ
以上の傷の無い表面を有するステンレス製の支持体上に
約780μｍのフィルムとして流延した。流延を開始する
直前の支持体の表面温度を５℃に設定した。流延された
フィルムは次のようにして乾燥した。なお、支持体自身
には温度調節機能はなく、上記５℃は当該支持体を外部
から吹き付ける温風または冷風の温度調節により設定し
たものである。
フィルター、商品名デフスカートリッジフィルター、TC
PD−05A、平均孔径0.5μｍ）に通し異物を除去した。更
にこの溶液の温度を15±0.5℃に調節して500mm幅のコー
トハンガーダイに導入した。続いて中心線平均粗さ（R
a）が1.8nmでかつ、最大長50μｍ以上、最大深さ５μｍ
以上の傷の無い表面を有するステンレス製の支持体上に
約780μｍのフィルムとして流延した。流延を開始する
直前の支持体の表面温度を５℃に設定した。流延された
フィルムは次のようにして乾燥した。なお、支持体自身
には温度調節機能はなく、上記５℃は当該支持体を外部
から吹き付ける温風または冷風の温度調節により設定し
たものである。
（第１段階）
乾燥の初期段階においては支持体裏面に30℃の温風を
吹きつけて加熱し、フィルムの雰囲気温度を26℃として
６分間乾燥させた。本工程は本願発明に係るフィルム表
面の凹凸を発現させるための前処理に該当するものであ
る。この工程の終了点における溶媒濃度は38重量％であ
った。なお、上記条件はフィルムの変形（レベリング不
良）が起こらないようにするためのものである。
吹きつけて加熱し、フィルムの雰囲気温度を26℃として
６分間乾燥させた。本工程は本願発明に係るフィルム表
面の凹凸を発現させるための前処理に該当するものであ
る。この工程の終了点における溶媒濃度は38重量％であ
った。なお、上記条件はフィルムの変形（レベリング不
良）が起こらないようにするためのものである。
（第２段階）
ついで、支持体の裏面およびフィルムを、温風によ
り、雰囲気温度50℃で４分、更に引き続き60℃で３分間
乾燥し、フィルム中の溶媒濃度を25重量％とした。本工
程は本願発明にかかるフィルム表面の凹凸を発現させる
ためのものである。
り、雰囲気温度50℃で４分、更に引き続き60℃で３分間
乾燥し、フィルム中の溶媒濃度を25重量％とした。本工
程は本願発明にかかるフィルム表面の凹凸を発現させる
ためのものである。
（第３段階）
ついで、15℃の空気中で４分間冷却した。この工程の
終了点における溶媒濃度は20重量％であった。
終了点における溶媒濃度は20重量％であった。
（第４段階）
上記フィルムを支持体より剥離した。剥離したフィル
ムを、更にピンテンター方式の乾燥機とロール懸垂型乾
燥機により本乾燥しフィルムをロール状に巻き取った。
本乾燥後のフィルム中の溶媒濃度は0.5重量％であっ
た。
ムを、更にピンテンター方式の乾燥機とロール懸垂型乾
燥機により本乾燥しフィルムをロール状に巻き取った。
本乾燥後のフィルム中の溶媒濃度は0.5重量％であっ
た。
かくして得られたフィルムの特性値は、フィルムの厚
みが140μｍ、当該フィルムの中心線平均表面粗さ（R
a）については、支持体に接触した方のフィルム面が8.0
nm、支持体に接触しなかった方のフィルム面が2.0nmで
あり、フィルムのヘーズ値が0.6％、表面突起の内円相
当径が30μｍ以上でその最大高さが３μｍ以上であるも
のが２個/m2であった。上記工程においてフィルムの滑
り不良による擦り傷（スクラッチ）、皺の発生はなく、
またその後の液晶表示装置用電極基板および位相差板と
して使用されるまでの巻き戻し、巻き取り工程において
擦り傷、皺の発生は皆無であった。
みが140μｍ、当該フィルムの中心線平均表面粗さ（R
a）については、支持体に接触した方のフィルム面が8.0
nm、支持体に接触しなかった方のフィルム面が2.0nmで
あり、フィルムのヘーズ値が0.6％、表面突起の内円相
当径が30μｍ以上でその最大高さが３μｍ以上であるも
のが２個/m2であった。上記工程においてフィルムの滑
り不良による擦り傷（スクラッチ）、皺の発生はなく、
またその後の液晶表示装置用電極基板および位相差板と
して使用されるまでの巻き戻し、巻き取り工程において
擦り傷、皺の発生は皆無であった。
このように本願発明で得られた芳香族ポリカーボネー
トフィルムは光学的透明性に優れかつ巻き取り性に優れ
たものであり、特に液晶表示装置の電極用基板または位
相差板として優れた機能を発揮するものであった。
トフィルムは光学的透明性に優れかつ巻き取り性に優れ
たものであり、特に液晶表示装置の電極用基板または位
相差板として優れた機能を発揮するものであった。
比較例１
第２段階の乾燥条件を下記のように変える以外は実施
例１と同様にして流延、乾燥、剥離、本乾燥を行い140
μｍ厚みのフィルムを製膜した。
例１と同様にして流延、乾燥、剥離、本乾燥を行い140
μｍ厚みのフィルムを製膜した。
すなわち、第２段階の乾燥条件において、温風吹き付
けにより、雰囲気温度78℃で３分間乾燥し、フィルム中
の溶媒濃度を25重量％とした。
けにより、雰囲気温度78℃で３分間乾燥し、フィルム中
の溶媒濃度を25重量％とした。
このようにして得られた第３段階終了点での溶媒濃度
は16重量％であり、最終フィルムの特性値は、中心線平
均表面粗さ（Ra）は支持体に接触した方のフィルム面が
2.3nm、支持体に接触しなかった方のフィルム面が2.0nm
であった。また、フィルムのヘーズ値は0.3％、突起は
２個/m2であった。この結果は乾燥速度が速すぎたため
に支持体に接触した方のフィルム面近傍でポリカーボネ
ートの充分大きな結晶が生成しなかったためと推測され
る。
は16重量％であり、最終フィルムの特性値は、中心線平
均表面粗さ（Ra）は支持体に接触した方のフィルム面が
2.3nm、支持体に接触しなかった方のフィルム面が2.0nm
であった。また、フィルムのヘーズ値は0.3％、突起は
２個/m2であった。この結果は乾燥速度が速すぎたため
に支持体に接触した方のフィルム面近傍でポリカーボネ
ートの充分大きな結晶が生成しなかったためと推測され
る。
このフィルムでは滑り不良によるスリ傷が発生した。
これは光学用途のフィルムとしては品質の劣ったもので
あり、液晶表示装置の電極用基板または位相差板として
使用できなかった。
これは光学用途のフィルムとしては品質の劣ったもので
あり、液晶表示装置の電極用基板または位相差板として
使用できなかった。
比較例２
第２段階の乾燥条件を下記のように変える以外は実施
例１と同様にして流延、乾燥、剥離、本乾燥を行い140
μｍ厚みのフィルムを製膜した。
例１と同様にして流延、乾燥、剥離、本乾燥を行い140
μｍ厚みのフィルムを製膜した。
すなわち、第２段階の乾燥条件において、温風吹き付
けにより雰囲気温度が32℃で10分、更に引き続き42℃で
３分間乾燥し、フィルム中の溶媒濃度を25重量％とし
た。
けにより雰囲気温度が32℃で10分、更に引き続き42℃で
３分間乾燥し、フィルム中の溶媒濃度を25重量％とし
た。
このようにして得られた第３段階終了点での溶媒濃度
は18重量％であり、最終フィルムの特性値は、中心線平
均表面粗さ（Ra）は支持体に接触した方のフィルム面が
2.2nm、支持体に接触しなかった方のフィルム面が2.0nm
であった。また、フィルムのヘーズ値は0.3％、突起は
２個/m2であった。この結果は乾燥速度が比較例１とは
逆に遅すぎたために支持体に接触した方のフィルム面近
傍でポリカーボネートの充分な結晶が発生しなかったた
めと推測される。
は18重量％であり、最終フィルムの特性値は、中心線平
均表面粗さ（Ra）は支持体に接触した方のフィルム面が
2.2nm、支持体に接触しなかった方のフィルム面が2.0nm
であった。また、フィルムのヘーズ値は0.3％、突起は
２個/m2であった。この結果は乾燥速度が比較例１とは
逆に遅すぎたために支持体に接触した方のフィルム面近
傍でポリカーボネートの充分な結晶が発生しなかったた
めと推測される。
このフィルムでは滑り不良によるスリ傷が発生した。
これは光学用途のフィルムとしては品質の劣ったもので
あり、液晶表示装置の電極用基板または位相差板として
使用できなかった。
これは光学用途のフィルムとしては品質の劣ったもので
あり、液晶表示装置の電極用基板または位相差板として
使用できなかった。
実施例２
ビスフェノールＡポリカーボネートにおいて、粘度平
均分子量が60,000のものを準備し、混合溶媒としてメチ
レンクロライドにエチルアルコールを2.0重量％添加し
たものを準備した。この混合溶媒中にそれぞれのポリマ
ーを溶解させ溶液濃度18重量％の溶液を作成した。この
溶液を実施例１と同様にして濾過し、実施例１に示した
のと同じ支持体上に流延した。流延されるフィルムの厚
みは690μｍとした。流延を開始する直前の支持体の温
度（表面温度）を８℃に設定した。流延されたフィルム
を次のようにして乾燥させた。
均分子量が60,000のものを準備し、混合溶媒としてメチ
レンクロライドにエチルアルコールを2.0重量％添加し
たものを準備した。この混合溶媒中にそれぞれのポリマ
ーを溶解させ溶液濃度18重量％の溶液を作成した。この
溶液を実施例１と同様にして濾過し、実施例１に示した
のと同じ支持体上に流延した。流延されるフィルムの厚
みは690μｍとした。流延を開始する直前の支持体の温
度（表面温度）を８℃に設定した。流延されたフィルム
を次のようにして乾燥させた。
（第１段階） 乾燥の初期段階においては支持体裏面
に35℃の温風を吹きつけて加熱し、フィルムの雰囲気温
度を25℃としてフィルムの変形（レベリング不良）が起
こらないように注意して、フィルムの変形が起こらなく
なるまで４分間乾燥させた。この工程の終了点における
溶媒濃度は42重量％であった。
に35℃の温風を吹きつけて加熱し、フィルムの雰囲気温
度を25℃としてフィルムの変形（レベリング不良）が起
こらないように注意して、フィルムの変形が起こらなく
なるまで４分間乾燥させた。この工程の終了点における
溶媒濃度は42重量％であった。
（第２段階） 温風により雰囲気温度が50℃で４分、
更に引き続き60℃で２分間乾燥し、フィルム中の溶媒濃
度を25重量％とした。
更に引き続き60℃で２分間乾燥し、フィルム中の溶媒濃
度を25重量％とした。
（第３段階） 上記フィルムを15℃の空気中で2.5分
間冷却した。この工程の終了点における溶媒濃度は20重
量％であった。
間冷却した。この工程の終了点における溶媒濃度は20重
量％であった。
（第４段階） 上記フィルムを支持体より剥離した。
剥離したフィルムは、更にピンテンター方式の乾燥機と
ロール懸垂型乾燥機により乾燥した。
剥離したフィルムは、更にピンテンター方式の乾燥機と
ロール懸垂型乾燥機により乾燥した。
その後、引き続いて空気浮遊式の加熱装置で当該フィ
ルムを175℃に予熱し、ついで、延伸温度180℃にて2.8
倍に走行方向に一軸延伸した後、ロール状に巻き取っ
た。フィルムの厚みは45μｍであった。巻き取り後のフ
ィルム中の溶媒濃度は0.5重量％であった。なお、予熱
直後、延伸直前に測定したTgは158℃であった。
ルムを175℃に予熱し、ついで、延伸温度180℃にて2.8
倍に走行方向に一軸延伸した後、ロール状に巻き取っ
た。フィルムの厚みは45μｍであった。巻き取り後のフ
ィルム中の溶媒濃度は0.5重量％であった。なお、予熱
直後、延伸直前に測定したTgは158℃であった。
かくして得られたフィルムの特性値は下記の表１の通
りであった。
りであった。
表１に示したように本願発明に係る一軸延伸芳香族ポ
リカーボネートフィルムは光学的透明性に優れ、表面欠
点の極めて少ない、製膜のロール系に接触しても微細な
スクラッチのほとんど発生しない巻き取り性に優れたフ
ィルムであり、特に液晶表示装置の位相差フィルムとし
て優れた性能を発揮するものであった。
リカーボネートフィルムは光学的透明性に優れ、表面欠
点の極めて少ない、製膜のロール系に接触しても微細な
スクラッチのほとんど発生しない巻き取り性に優れたフ
ィルムであり、特に液晶表示装置の位相差フィルムとし
て優れた性能を発揮するものであった。
実施例３
芳香族ポリカーボネート樹脂（帝人化成（株）製の商
品名「パンライト（登録商標）グレードＣ−1400Q
J」）、粘度平均分子量38,000をエタノールとメチレン
クロライドの混合溶媒（エタノール3.0重量％、メチレ
ンクロライド97.0重量％）に溶解させ、18重量％の溶液
を作成した。
品名「パンライト（登録商標）グレードＣ−1400Q
J」）、粘度平均分子量38,000をエタノールとメチレン
クロライドの混合溶媒（エタノール3.0重量％、メチレ
ンクロライド97.0重量％）に溶解させ、18重量％の溶液
を作成した。
この溶液を実施例１の場合と同様のフィルターに通し
異物を除去した。更にこの溶液の温度を15±0.5℃に調
節して1500mm幅のコートハンガーダイに導入した。続い
て中心線平均粗さ1.8nmでかつ、最大長50μｍ以上、最
大深さ５μｍ以上の傷の無い表面を有するステンレス製
の支持体上に約420μｍのフィルムとして流延した。流
延を開始する直前の支持体の温度（表面温度）を９℃に
設定した。
異物を除去した。更にこの溶液の温度を15±0.5℃に調
節して1500mm幅のコートハンガーダイに導入した。続い
て中心線平均粗さ1.8nmでかつ、最大長50μｍ以上、最
大深さ５μｍ以上の傷の無い表面を有するステンレス製
の支持体上に約420μｍのフィルムとして流延した。流
延を開始する直前の支持体の温度（表面温度）を９℃に
設定した。
流延されたフィルムは次のようにして乾燥した。
（第１段階） 乾燥の初期段階においては支持体裏面
を45℃の温風を吹きつけて加熱し、フィルムの雰囲気温
度を20℃としてフィルムの変形（レベリング不良）が起
こらないように注意して、フィルムの変形が起こらなく
なるまで４分間乾燥させた。この工程の終了点における
溶媒濃度は30重量％であった。
を45℃の温風を吹きつけて加熱し、フィルムの雰囲気温
度を20℃としてフィルムの変形（レベリング不良）が起
こらないように注意して、フィルムの変形が起こらなく
なるまで４分間乾燥させた。この工程の終了点における
溶媒濃度は30重量％であった。
（第２段階） ついで、温風吹き付けにより、雰囲気
温度が50℃で2.8分、更に引き続き60℃で２分間乾燥
し、フィルム中の溶媒濃度を25重量％とした。
温度が50℃で2.8分、更に引き続き60℃で２分間乾燥
し、フィルム中の溶媒濃度を25重量％とした。
（第３段階） 上記フィルムを15℃の空気中で2.8分
間冷却した。この工程の終了点における溶媒濃度は17重
量％であった。
間冷却した。この工程の終了点における溶媒濃度は17重
量％であった。
（第４段階） 上記フィルムをフィルムを支持体より
剥離した。剥離したフィルムは、更にピンテンター方式
の乾燥機とロール懸垂型乾燥機により乾燥した。
剥離した。剥離したフィルムは、更にピンテンター方式
の乾燥機とロール懸垂型乾燥機により乾燥した。
その後、引き続いて空気浮遊式の加熱装置でフィルム
を155℃に予熱し、ついで160℃にて1.28倍に走行方向に
一軸延伸した後、マスキングフィルムと重ねてロール状
に巻き取った。フィルムの厚みは58μｍであった。巻き
取り後のフィルム中の溶媒濃度は0.5重量％であった。
を155℃に予熱し、ついで160℃にて1.28倍に走行方向に
一軸延伸した後、マスキングフィルムと重ねてロール状
に巻き取った。フィルムの厚みは58μｍであった。巻き
取り後のフィルム中の溶媒濃度は0.5重量％であった。
かくして得られた本発明に係るフィルムの特性値は表
１の通りであり、フィルムの滑り不良による擦り傷（ス
クラッチ）はなく、光学的透明性に優れかつ巻き取り性
に優れたものであった。なお、予熱直後、延伸直前に測
定したTgは135℃であった。
１の通りであり、フィルムの滑り不良による擦り傷（ス
クラッチ）はなく、光学的透明性に優れかつ巻き取り性
に優れたものであった。なお、予熱直後、延伸直前に測
定したTgは135℃であった。
実施例４
芳香族ポリカーボネート樹脂（帝人化成（株）製の商
品名「ハンライト（登録商標）グレードＣ−1400Q
J」）、粘度平均分子量38,000をエタノールとメチレン
クロライドの混合溶媒（エタノール3.0重量％、メチレ
ンクロライド97.0重量％）に溶解させ、18重量％の溶液
を作成した。
品名「ハンライト（登録商標）グレードＣ−1400Q
J」）、粘度平均分子量38,000をエタノールとメチレン
クロライドの混合溶媒（エタノール3.0重量％、メチレ
ンクロライド97.0重量％）に溶解させ、18重量％の溶液
を作成した。
この溶液を実施例１の場合と同様のフィルターに通し
異物を除去した。更にこの溶液の温度を15±0.5℃に調
節して1500mm幅のコートハンガーダイに導入した。続い
て中心線平均粗さ1.8nmでかつ、最大長50μｍ以上、最
大深さ５μｍ以上の傷の無い表面を有するステンレス製
の支持体上に約670μｍのフィルムとして流延した。流
延を開始する直前の支持体の温度（表面温度）を９℃に
設定した。
異物を除去した。更にこの溶液の温度を15±0.5℃に調
節して1500mm幅のコートハンガーダイに導入した。続い
て中心線平均粗さ1.8nmでかつ、最大長50μｍ以上、最
大深さ５μｍ以上の傷の無い表面を有するステンレス製
の支持体上に約670μｍのフィルムとして流延した。流
延を開始する直前の支持体の温度（表面温度）を９℃に
設定した。
流延されたフィルムは次のようにして乾燥した。な
お、支持体自身には温度調節機能はなく、上記５℃は当
該支持体を外部から吹き付ける温風または冷風の温度調
節により設定したものである。
お、支持体自身には温度調節機能はなく、上記５℃は当
該支持体を外部から吹き付ける温風または冷風の温度調
節により設定したものである。
（第１段階）
乾燥の初期段階においては支持体裏面に30℃の温風を
吹きつけて加熱し、フィルムの雰囲気温度を26℃として
６分間乾燥させた。本工程は本願発明に係るフィルム表
面の凹凸を発現させるための前処理に該当するものであ
る。この工程の終了点における溶媒濃度は36重量％であ
った。なお、上記条件はフィルムの変形（レベリング不
良）が起こらないようにするためのものである。
吹きつけて加熱し、フィルムの雰囲気温度を26℃として
６分間乾燥させた。本工程は本願発明に係るフィルム表
面の凹凸を発現させるための前処理に該当するものであ
る。この工程の終了点における溶媒濃度は36重量％であ
った。なお、上記条件はフィルムの変形（レベリング不
良）が起こらないようにするためのものである。
（第２段階）
ついで、支持体の裏面およびフィルムを、温風によ
り、雰囲気温度48℃で４分、更に引き続き57℃で３分間
乾燥し、フィルム中の溶媒温度を24重量％とした。本工
程は本願発明にかかるフィルム表面の凹凸を発現させる
ためのものである。
り、雰囲気温度48℃で４分、更に引き続き57℃で３分間
乾燥し、フィルム中の溶媒温度を24重量％とした。本工
程は本願発明にかかるフィルム表面の凹凸を発現させる
ためのものである。
（第３段階）
ついで、15℃の空気中で４分間冷却した。この工程の
終了点における溶媒濃度は20重量％であった。
終了点における溶媒濃度は20重量％であった。
（第４段階）
上記フィルムを支持体より剥離した。剥離したフィル
ムを、更にピンテンター方式の乾燥機とロール懸垂型乾
燥機により本乾燥した。本乾燥後のフィルム中の溶媒濃
度は1.6重量％であった。
ムを、更にピンテンター方式の乾燥機とロール懸垂型乾
燥機により本乾燥した。本乾燥後のフィルム中の溶媒濃
度は1.6重量％であった。
かくして得られたフィルムの特性値は、フィルムの厚
みが120μｍ、当該フィルムの中心線平均表面粗さ（R
a）については、支持体に接触した方のフィルム面が3.2
nm、支持体に接触しなかった方のフィルム面が1.7nmで
あり、フィルムのヘーズ値が0.7％、表面突起の内円相
当径が30μｍ以上でその最大高さが３μｍ以上であるも
のが２個/m2であった。上記工程においてフィルムの滑
り不良による擦り傷（スクラッチ）、皺の発生はなかっ
た。
みが120μｍ、当該フィルムの中心線平均表面粗さ（R
a）については、支持体に接触した方のフィルム面が3.2
nm、支持体に接触しなかった方のフィルム面が1.7nmで
あり、フィルムのヘーズ値が0.7％、表面突起の内円相
当径が30μｍ以上でその最大高さが３μｍ以上であるも
のが２個/m2であった。上記工程においてフィルムの滑
り不良による擦り傷（スクラッチ）、皺の発生はなかっ
た。
その後、引き続いて空気浮遊式加熱装置で当該フィル
ムを175℃に予熱し、ついで、延伸温度180℃にて、2.75
倍の延伸倍率で、走行方向に一軸延伸後、冷却ロールに
接触させて室温まで冷却し、ロール状に巻き取った。な
お、予熱直後延伸直前に測定したTgは155℃であった。
ムを175℃に予熱し、ついで、延伸温度180℃にて、2.75
倍の延伸倍率で、走行方向に一軸延伸後、冷却ロールに
接触させて室温まで冷却し、ロール状に巻き取った。な
お、予熱直後延伸直前に測定したTgは155℃であった。
巻き取られたフィルムの厚みは44μｍであり、その溶
媒濃度は0.2重量％であった。
媒濃度は0.2重量％であった。
かくして得られた延伸フィルムの特性値は、当該フィ
ルムの中心線平均表面粗さ（Ra）については、当該フィ
ルムの中心線平均表面粗さ（Ra）については、支持体に
接触した方のフィルム面が28.0nm、支持体に接触しなか
った方のフィルム面が5.0nmであり、フィルムのヘーズ
値が5.0％、表面突起の内円相当径が30μｍ以上でその
最大高さが３μｍ以上であるものが0.5個/m2であった。
上記工程においてフィルムの滑り不良による擦り傷（ス
クラッチ）、皺の発生はなかった。
ルムの中心線平均表面粗さ（Ra）については、当該フィ
ルムの中心線平均表面粗さ（Ra）については、支持体に
接触した方のフィルム面が28.0nm、支持体に接触しなか
った方のフィルム面が5.0nmであり、フィルムのヘーズ
値が5.0％、表面突起の内円相当径が30μｍ以上でその
最大高さが３μｍ以上であるものが0.5個/m2であった。
上記工程においてフィルムの滑り不良による擦り傷（ス
クラッチ）、皺の発生はなかった。
このフィルムは、液晶表示装置用電極基板および位相
差板として使用されるまでの巻き戻し、巻き取り工程に
おいて擦り傷、皺の発生は皆無であった。
差板として使用されるまでの巻き戻し、巻き取り工程に
おいて擦り傷、皺の発生は皆無であった。
このように本願発明で得られた芳香族ポリカーボネー
トフィルムは光学的透明性に優れかつ巻き取り性に優れ
たものであり、特に液晶表示装置の電極用基板または位
相差板として優れた機能を発揮するものであった。
トフィルムは光学的透明性に優れかつ巻き取り性に優れ
たものであり、特に液晶表示装置の電極用基板または位
相差板として優れた機能を発揮するものであった。
産業上の利用可能性
本願発明のフィルムは片方の面にフィルムの透明性を
損なうことなく良好な滑り性を与えるための微細な凹凸
が付与されており、光学用途として優れた性能を発揮す
る。電極基板用フィルム、延伸した位相差用フィルム、
延伸しないでその上に液晶を塗布して使用する等の各種
のベースフィルムとしての光学用フィルムとして特に有
用である。
損なうことなく良好な滑り性を与えるための微細な凹凸
が付与されており、光学用途として優れた性能を発揮す
る。電極基板用フィルム、延伸した位相差用フィルム、
延伸しないでその上に液晶を塗布して使用する等の各種
のベースフィルムとしての光学用フィルムとして特に有
用である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｂ２９Ｌ 11:00 Ｂ２９Ｌ 11:00
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B29C 41/24
B29C 55/06
C08J 5/18
B29K 69:00
B29L 7:00
B29L 11:00
Claims (12)
- 【請求項１】溶液流延法によって製膜された芳香族ポリ
カーボネートフィルムにおいて下記要件（ａ）〜（ｄ）
を同時に満足することを特徴とする光学用フィルム。 （ａ）フィルムが延伸されていないこと。 （ｂ）フィルムのヘーズ値が1.0％以下であること。 （ｃ）フィルムの一方の表面の中心線平均表面粗さが3n
m以下で、かつ、他方の表面の中心線平均表面粗さが３
〜10nmであること。 （ｄ）フィルムのいずれの表面についても、その表面突
起のうち、突起の円相当径が30μｍ以上、その最大高さ
が３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在しないこ
と。 - 【請求項２】フィルムに滑材が添加されていないことを
特徴とする請求項１記載の光学用フィルム。 - 【請求項３】芳香族ポリカーボネートを溶媒に溶解し、
得られた溶液を支持体上に流延してフィルムを形成しこ
れを乾燥してフィルムを作製するに当たり、流延による
フィルム形成後、（Ｙ＋５）℃以下の雰囲気温度による
乾燥によりフィルム中の溶媒濃度Ｘを25重量％＜Ｘ≦45
重量％の状態とする工程と、これに続いて、該フィルム
を、雰囲気温度が（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下
の温度で、フィルム中の溶媒濃度が25重量％になるまで
支持体に接触させた状態に保つ工程とを含み、かつ、当
該（Ｙ＋５）℃を越え（Ｙ＋35）℃以下の温度で処理す
る工程における当該フィルムの保持時間が３分以上であ
ることを特徴とする未延伸光学用フィルムの製造方法
（ここでＹは摂氏単位で表した溶媒の沸点である。）。 - 【請求項４】溶媒がメチレンクロライドを95重量％以上
含有するものであることを特徴とする請求項３記載の光
学用未延伸フィルムの製造方法。 - 【請求項５】溶媒が、メチルアルコール、エチルアルコ
ールまたはプロピルアルコールの内の１つまたは２つ以
上を全体として５重量％以下含有するものであることを
特徴とする請求項３または４記載の未延伸光学用フィル
ムの製造方法。 - 【請求項６】溶媒に溶解して得られた溶液を、支持体上
に流延する前に、目開きが0.3〜30μｍのフィルターで
濾過することを特徴とする請求項３、４または５記載の
未延伸光学用フィルムの製造方法。 - 【請求項７】支持体の表面が、中心線平均表面粗さ1.0
〜3.0nmでかつ、最大長50μｍ以上、最大深さ５μｍ以
上の傷がないことを特徴とする請求項３、４、５または
６記載の未延伸光学用フィルムの製造方法。 - 【請求項８】芳香族ポリカーボネートフィルムの溶液流
延法による製膜方法であって、当該溶液が支持体上にフ
ィルムとしてキャストされ乾燥される工程を含み、当該
フィルムの表面状態が下記要件（ｅ）および（ｆ）を同
時に満たすまで、当該フィルムの表面の内当該支持体と
接触している表面を当該支持体と接触したままに保つこ
とを特徴とする芳香族ポリカーボネート未延伸フィルム
の溶液流延法による製膜方法。 （ｅ）当該フィルムの表面の内当該支持体と接触してい
ない表面が、その中心線平均表面粗さが3nm以下で、フ
ィルムの表面突起のうちその円相当径が30μｍ以上、そ
の最大高さが３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在
しない状態であること。 （ｆ）当該フィルムの表面の内当該支持体と接触してい
る表面が、その中心線平均表面粗さが３〜10nmで、か
つ、フィルムの表面突起のうち、その円相当径が30μｍ
以上、その最大高さが３μｍ以上であるものが３個/m2
以上存在しない状態であること。 - 【請求項９】溶液流延法によって製膜された芳香族ポリ
カーボネートフィルムであって、請求項３〜８の製造方
法によることを特徴とする未延伸光学用フィルム - 【請求項１０】溶液流延法によって製膜された芳香族ポ
リカーボネートフィルムであって、請求項１、２または
９記載の未延伸フィルムを一軸延伸して成ることを特徴
とする光学用フィルム。 - 【請求項１１】一軸延伸する条件が、延伸温度（Tg−
５）℃〜（Tg＋30）℃において、延伸倍率が1.05〜3.2
であることを特徴とする請求項10記載の光学用フィル
ム。 - 【請求項１２】溶液流延法によって製膜された芳香族ホ
リカーボネートフィルムにおいて下記要件（ｇ）〜
（ｊ）を同時に満足することを特徴とする延伸光学用フ
ィルム。 （ｇ）フィルムが一軸方向に延伸されていること。 （ｈ）フィルムのヘーズ値が0.1〜8.0％であること。 （ｉ）フィルムの一方の表面の中心線平均表面粗さが5n
m以下で、かつ、他方の表面の中心線平均表面粗さが５
〜40nmであること。 （ｊ）フィルムのいずれの表面についても、その表面突
起のうち、突起の円相当径が30μｍ以上、その最大高さ
が３μｍ以上であるものが３個/m2以上存在しないこ
と。
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| US20030209834A1 (en) * | 2002-05-02 | 2003-11-13 | Grant Hay | Solvent cast films and process made thereby |
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| US7085444B2 (en) * | 2003-02-25 | 2006-08-01 | Eastman Kodak Company | Porous optical switch films |
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| US7280170B2 (en) * | 2004-05-25 | 2007-10-09 | General Electric Company | Optical film, light-diffusing film, and methods of making and using the same |
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| JP5034897B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2012-09-26 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 芳香族ポリカーボネートフィルムの製造方法、芳香族ポリカーボネートフィルム、及び有機エレクトロルミネッセンス素子用基板 |
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