JP3527015B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の電極
に電気的に接続される配線パターンを絶縁部材表面に有
すると共に、その配線パターンに金属バンプからなる外
部端子を接続した半導体装置に係わり、特に検査性や外
部端子の接続信頼性に優れた半導体装置、及びその半導
体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の高集積化や多ピン化が進む
中で、そのパッケージの外部との接続用の外部端子を、
１次元配列をなす従来のリードから２次元配列をなす金
属バンプに変えて、端子数（ピン数）を大幅に増加させ
る技術が実用化されてきている。

【０００３】具体的な構造の一つとして、プリント基板
上に半導体素子を搭載し、そのプリント基板の裏面に金
属バンプを配置した構造が米国特許５，２１６，２７８
号に開示されている。この構造は一般にボールグリッド
アレイ（ＢＧＡと略される）と呼ばれている。

【０００４】また、別の構造として、パッケージサイズ
を極力半導体素子の寸法まで小さくし、金属バンプを外
部端子としたものがある。これは一般にチップサイズパ
ッケージまたはチップスケールパッケージ（ＣＳＰと略
される）と呼ばれている。ＣＳＰの構造を開示した従来
技術として、特表平６-５０４４０８号公報には、半導
体素子の回路形成面に柔軟材を介して外部端子付きのテ
ープを接合し、その外部端子と半導体素子の電極とを電
気的に接続した構造が開示されている。また、特開平６
-２２４２５９号公報には、スルーホールを設けたセラ
ミック基板に半導体素子を搭載し、セラミック基板の半
導体素子とは反対側の面に電極を設け、その状態でプリ
ント基板に実装する構造が開示されている。さらに、特
開平６-３０２６０４号公報には、半導体素子の回路形
成面に金属配線パターンを形成し、この金属配線パター
ンに外部端子を設けた構造のＣＳＰが開示されている。

【０００５】さらに最近では、端子数を一層増やすため
に、外部端子であるバンプ間の距離、すなわちバンプの
ピッチをできるだけ小さくしようとする試みが盛んに行
われている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術、即ち
米国特許５，２１６，２７８号に開示されたＢＧＡ、特
表平６-５０４４０８号公報、特開平６-２２４２５９号
公報、及び特開平６-３０２６０４号公報に開示された
ＣＳＰ等では、外部端子のピッチが狭くなった場合に、
半導体装置の特性あるいは信頼性を検査する際に、検査
用プローブを検査すべき外部端子に正確に接触させるこ
とが困難になる。これは、検査用プローブがある程度の
太さを有しているのに反して、外部端子のピッチが狭い
ために複数の外部端子に同時に検査用プローブを当てる
ことが不可能になるためである。従って、正確な検査を
行うことが困難になり、半導体装置の高集積化、多ピン
化、及び小型化の障害になる。

【０００７】また、半導体装置の信頼性を調べる検査と
して、高温において長時間にわたり半導体装置を動作さ
せ、半導体装置の特性が劣化しないことを確認するバー
ンインテストが一般に行われているが、上記の従来技術
における半導体装置に高温下の検査であるバーンインテ
ストを行うと、接合に際して生じた金属間化合物が異常
成長して接合強度が低下し、外部端子の接続信頼性が著
しく劣化することがある。特にこれは、外部端子として
の金属バンプがはんだであるか、あるいは他の金属をは
んだで接合する場合に起こり易い。しかも、外部端子と
しての金属バンプの接合を行った後の検査工程で半導体
装置が正常に動作しないことが判明した場合には、金属
バンプの接合工程が全く無駄になってしまう。

【０００８】本発明の第１の目的は、外部端子のピッチ
が狭くなっても、特性あるいは信頼性の検査を正確に行
うことができ、高集積化、多ピン化、及び小型化を障害
なく実現することができる半導体装置、及びその半導体
装置の製造方法を提供することである。

【０００９】本発明の第２の目的は、外部端子のピッチ
が狭くなっても、特性あるいは信頼性の検査を正確に行
うことができ、かつ高温での検査によっても外部端子の
接続信頼性が劣化することがなく、障害なく高集積化、
多ピン化、及び小型化を実現することができる半導体装
置、及びその半導体装置の製造方法を提供することであ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、次のように構成される。 （１） 半導体素子と、表面に配線パターンが設けられた
絶縁部材と、少なくとも前記半導体素子の回路形成面を
覆う封止部材とを有し、前記配線パターンが前記半導体
素子の電極に電気的に接続され、かつ前記配線パターン
には金属バンプからなる外部端子が接続されている半導
体装置において、前記外部端子は、前記絶縁部材上の、
前記半導体素子周囲に配置され、前記外部端子より前記
絶縁部材上外周側に検査用端子が配置され、前記検査用
端子は、前記配線パターンに接続され、前記外部端子を
介して前記半導体素子の電極に接続される。

【００１１】上記のように構成した本発明においては、
配線パターンを介して半導体素子の電極に接続された金
属バンプからなる外部端子に、さらにその配線パターン
を介して検査用端子を電気的に接続するため、外部端子
のピッチが狭くても検査用端子のピッチの方は外部端子
のピッチや配列に係わらず広くすることが可能となる。
従って、半導体装置の特性あるいは信頼性を検査する際
に、検査用プローブを複数の検査用端子に正確に接触さ
せることができ、その検査を正確に行える。

【００１２】

【００１３】（２）また、好ましくは、上記（１）にお
いて、互いに隣接する前記検査用端子間の距離は、互い
に隣接する前記外部端子間の距離より大きい。

【００１４】（３）また、好ましくは、上記（１）にお
いて、前記絶縁部材の一部分は前記半導体素子上に重ね
られており、前記外部端子は、前記半導体素子上に絶縁
部材上の配線パターンに設けられている。

【００１５】

【００１６】（４）また、好ましくは、上記（１）にお
いて、前記絶縁部材における少なくとも前記外部端子と
前記検査用端子との間にスリットが形成され、前記配線
パターンはそのスリットを橋渡しするように設けられて
いる。

【００１７】（５）また、好ましくは、上記（１）にお
いて、前記外部端子は、はんだによりなる。

【００１８】

【００１９】

【００２０】（６）半導体素子と、表面に配線パターン
が設けられた絶縁部材と、少なくとも前記半導体素子の
回路形成面を覆う封止部材とを有し、前記配線パターン
が前記半導体素子の電極に電気的に接続され、かつ前記
配線パターンには金属バンプからなる外部端子が接続さ
れている半導体装置において、前記外部端子は、前記絶
縁部材上の、前記半導体素子周囲に配置され、前記外部
端子より、前記絶縁部材上外周側に検査用端子が配置さ
れ、前記検査用端子は、前記配線パターンに接続され、
前記外部端子を介して前記半導体素子の電極に接続さ
れ、前記検査用端子を介して半導体装置の検査が行われ
た後に、前記検査用端子と外部端子との間を切断して、
検査用端子を取り去り、前記配線パターンが前記部材の
外周端部まで延びている。

【００２１】（７）絶縁部材表面に配線パターンを設
け、前記配線パターンを半導体素子の電極に電気的に接
続し、少なくとも前記半導体素子の回路形成面を封止部
材で覆い、かつ前記配線パターンに金属バンプからなる
外部端子を接続する半導体装置の製造方法において、前
記絶縁部材上の、前記半導体素子周囲に配置され、前記
配線パターンにより前期半導体素子の電極に接続される
検査用端子を接続し、前記検査用端子を介して半導体装
置の検査を行い、前記半導体素子の電極と前記検査用端
子との間の配線パターン上に前記外部端子を接続し、前
記検査用端子と外部端子との間を切断して、検査用端子
を取り去る。

【００２２】（８）好ましくは、上記（７）において、
前記検査用端子を用いた検査は、高温下で半導体装置の
信頼性を検査するバーンインテストである。

【００２３】このような構成によれば、検査を行う時に
は、配線パターンに金属バンプからなる外部端子が接続
されていないため、バーンインテスト等の高温下の検査
を行う場合であっても、従来のように外部端子の接続信
頼性劣化の心配が全くない。また、検査工程で半導体装
置の異常が判明した場合にはその半導体装置自体を不良
品として破棄できるため、外部端子の接続の必要性も全
くなくなり、製造工程の無駄がなくなる。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態につい
て、図１から図３を参照しながら説明する。図１は本実
施形態による半導体装置の平面図、図２は本実施形態の
半導体装置の断面図である。図１及び図２に示すよう
に、絶縁部材２の表面には、例えば銅箔を用いて形成し
た配線パターン３が設けられており、その絶縁部材２の
中央に設けられた矩形の開口には半導体素子１が収納さ
れている。配線パターン３の内方先端は半導体素子１の
電極４に接続されており、半導体素子１の回路形成面及
び側面は封止樹脂７により封止されている。配線パター
ン３の上には、半導体素子１の周囲を２列に取り囲むよ
うに外部端子６が設けられ、絶縁部材２の周辺部分には
検査用端子５が設けられている。外部端子６は金属バン
プよりなり、その材料としては、はんだが適切である。
検査用端子５と外部端子６とは対になっており、互いに
配線パターン３により電気的に接続されている。絶縁部
材２はテープ状の樹脂材料製であって、その両端には位
置決め用のスプロケット穴８が設けられている。なお、
簡単のため、図１では封止樹脂７を除いた状態を示す
（以下、図５及び図７においても同様とする）。また、
配線パターン３表面にめっき層を施しかつそのめっき層
の最外層を金で構成しても良い。

【００２５】半導体装置の特性あるいは信頼性を検査す
る場合、従来では検査用プローブを外部端子に当てて電
気的導通を取る必要があった。このため、半導体装置の
高集積化、多ピン化、及び小型化のために外部端子のピ
ッチが小さくなると、検査用プローブがある程度の太さ
を有しているために、複数の端子に同時に検査用プロー
ブを当てることが不可能になる。このことが金属バンプ
を外部端子として有する半導体装置の端子ピッチを狭く
することを妨げ、従って、半導体装置自体の高集積化、
多ピン化、及び小型化を妨げる一つの原因となってい
た。通常の検査用プローブの寸法から見積もると、外部
端子のピッチが１ｍｍ以下になると上記のような不都合
が無視できなくなる。

【００２６】これに対し、本実施形態では、検査用端子
５が絶縁部材２の周辺部分に設けられるため、検査用端
子５のピッチを外部端子６のピッチとは別個に、しかも
それよりも大きく設定できる。従って、外部端子６のピ
ッチが狭くなっても、その外部端子６のピッチとは無関
係に所望の検査用端子５に検査用プローブを当てて正確
に検査を行うことができ、半導体装置自体の高集積化、
多ピン化、及び小型化を阻害することがない。

【００２７】また、従来のように外部端子で検査を行う
場合には、その外部端子に検査用プローブを当てること
により、本来、外部との実際の電気的接続を行うための
外部端子に傷をつけてしまい、外部の部品との接続の際
（実装時）の信頼性が低下する心配もあったが、本実施
形態では外部端子６と検査用端子５とを別にしているた
め、外部との接続の信頼性の向上も図れる。

【００２８】半導体装置の特性や信頼性の検査が終了す
ると検査用端子５は不要となるが、検査後の全ての検査
用端子５、及びその検査用端子５を載せていた絶縁部材
２の一部（周辺部分）は最終的に切断、除去される。図
３は、その切断、除去が終了した状態の半導体装置の断
面図である。この段階では、図３から明らかなように、
外部端子６と検査用端子５とを接続していた配線パター
ン３が絶縁部材２の外周端部にまで延びた状態となって
おり、その位置で配線パターン３が途切れている。

【００２９】本実施形態のようにテープ状の絶縁部材２
を用いると、半導体装置自体を薄くできるという利点が
ある。このテープ状の絶縁部材２の具体的な樹脂材料と
しては、ポリイミド樹脂等が適している。但し、テープ
状の絶縁部材は薄く、反りが生じやすいため、この反り
が問題になるような場合にはテープ状のものの代わりに
絶縁材料製のプリント基板を用いてもよい。

【００３０】以上のような本実施形態によれば、半導体
素子１の電極４に接続された外部端子６に、配線パター
ン３を介して検査用端子５を電気的に接続し、かつ検査
用端子５を絶縁部材２の周辺部分に設けるので、検査用
端子５のピッチを外部端子６のピッチよりも大きくで
き、外部端子６のピッチが狭くなっても所望の検査用端
子５に検査用プローブを当てて正確に検査を行うことが
できる。従って、半導体装置の高集積化、多ピン化、及
び小型化を阻害することがなく、それらを実現すること
ができる。

【００３１】また、外部端子６と検査用端子５とを別に
しているため、検査用プローブで外部端子６に傷をつけ
ることがなく、外部端子６による外部との接続の信頼性
の向上も図れる。

【００３２】本発明の第２の実施形態について、図４を
参照しながら説明する。但し、本実施形態では半導体装
置の製造方法を中心に説明する。

【００３３】本実施形態ではまず、図４（ａ）に示すよ
うに、外部端子を設ける前までの工程を実施し、配線パ
ターン３の外部端子用ランド６ａには外部端子を設けな
いままにしておく。これ以外の半導体装置の構成は図１
及び図２に示したものと同様であり、図４において図１
及び図２と同等の部材には同じ符号を付してある。その
後図４（ｂ）に示すように、検査用バンプ５に検査用プ
ローブ２０を接触させて検査を行う。この場合の検査と
は、第１の実施形態と同様に半導体装置の特性を調べる
ための検査と信頼性を調べるための検査の両方を含む。
特に信頼性を調べる検査としては、前述のように、高温
において長時間にわたり半導体装置を動作させ、半導体
装置が劣化しないことを確認するバーンインテストが一
般に行われている。この検査が終了した後、図４（ｃ）
に示すように外部端子（金属バンプ）６を外部端子用ラ
ンド６ａ上に設ける。さらにその後、図４（ｄ）に示す
ように検査用端子５、及びその検査用端子５を載せてい
た絶縁部材２の一部（周辺部分）を切断、除去する。

【００３４】以上のような本実施形態においては、配線
パターン３の外部端子用ランド６ａに外部端子６を設け
る前に検査を行うので、その検査がバーンインテスト等
の高温下の検査であっても、従来のように金属間化合物
の異常成長等による外部端子６の接続信頼性の劣化の心
配が全くない。また、もし、外部端子６の接合を行って
から検査工程を行い、その結果半導体装置が正常に動作
しないことが判明した場合には外部端子６の接合工程が
結局無駄になってしまうが、本実施形態では、検査工程
で半導体装置の異常が判明した場合には、その半導体装
置自体を不良品として破棄することができるために外部
端子６の接続の必要性も全くなくなり、無駄な製造工程
を省くことができる。

【００３５】また、検査時に外部端子６を検査用プロー
ブで傷つけることがないので、外部端子６による外部と
の接続の信頼性の向上も図れる。

【００３６】本発明の第３の実施形態について、図５及
び図６を参照しながら説明する。図５は本実施形態によ
る半導体装置の平面図、図６は本実施形態の半導体装置
断面図である。本実施形態では、外部端子６と検査用端
子５の間において、絶縁部材２Ａにスリット９を形成
し、配線パターン３は、上記スリット９を橋渡しするよ
うに設ける。隣り合うスリット９間はわずかに絶縁部材
の連結部９ａで連結された状態となっており、この連結
部９ａは図のようにコーナ部に位置する。これ以外の半
導体装置の構成は図１及び図２に示したものと同様であ
り、図５及び図６において図１及び図２と同等の部材に
は同じ符号を付してある。そして、半導体装置の特性や
信頼性の検査が終了すると、スリット９間を連結してい
た連結部９ａの部分を切断することにより、スリット９
よりも外側の部分、即ち全ての検査用端子５、及びそれ
を載せていた絶縁部材２の周辺部分が除去される。

【００３７】第１及び第２の実施形態では、検査用端子
５及びそれを載せていた絶縁部材２の一部（周辺部分）
を除去する際には、単に切断するだけであったが、その
場合には当然絶縁部材には相当な荷重が加わることにな
るので、例えば配線パターンの絶縁部材からの剥離な
ど、損傷が生じる恐れがある。特に、絶縁部材としてプ
リント基板を使用した場合には、基板がある程度厚いた
めに切断荷重が大きくなり、損傷が生じやすい。

【００３８】これに対し、本実施形態では、外部端子６
と検査用端子５の間の切断すべき部分に予めスリット９
を設るため、検査終了後には連結部９ａのみを切断する
だけでよく、従って切断荷重を少なくでき、切断時の配
線パターン３と絶縁部材２の剥離などの不具合を回避で
きる。特に本実施形態は、絶縁部材２がプリント基板の
ようなある程度厚い材料である場合に有効である。

【００３９】なお、本実施形態の場合は、配線パターン
３がスリット９の位置で宙に浮いた状態であるため、検
査する前に配線パターン３が切れたり、配線パターン３
同士で接触することがないように、さらにスリット９の
部分からの配線パターン３のめくれや剥がれが起こらな
いように、取り扱い上注意を要する。

【００４０】本発明の第４の実施形態について、図７か
ら図９を参照しながら説明する。図７は本実施形態によ
る半導体装置の平面図、図８は本実施形態の半導体装置
断面図である。本実施形態では、テープ状の絶縁部材２
Ｂの中央に設けた矩形の開口が半導体素子１Ａよりも小
さくなっており、絶縁部材２Ｂは半導体素子１Ａに接着
剤１０を介して接合される。絶縁部材２Ｂ中央の開口側
壁の段差部では、配線パターン３の内方先端が、絶縁部
材２Ｂ表面より半導体素子１Ａ表面の方へ（即ち段差部
を降りるように）折り曲げられ、その配線パターン３の
内方先端が半導体素子１Ａの電極４に接続されている。
さらに、半導体素子１Ａの回路形成面が封止樹脂７によ
り封止されている。

【００４１】また、これまでと同様に外部端子６は配線
パターン３上に設けられるが、全ての外部端子６が、絶
縁部材２Ｂの半導体素子１Ａ上に重ねられた部分の上に
配置されるようにする。これ以外の半導体装置の構成は
図１及び図２に示したものと同様であり、図５及び図６
において図１及び図２と同等の部材には同じ符号を付し
てある。

【００４２】半導体装置の特性や信頼性の検査が終了す
ると、第１の実施形態と同様に検査後の全ての検査用端
子５、及びそれを載せていた絶縁部材２の一部（周辺部
分）は最終的に切断、除去されるが、本実施形態では半
導体素子１Ａの寸法に合わせて切断が可能である。図９
は、その切断、除去が終了した状態の半導体装置の断面
図である。

【００４３】以上のような本実施形態によれば、半導体
装置自体の大きさを半導体素子１Ａの大きさとほぼ同程
度にまで小さくすることができ、小型化を図ることがで
きる。

【００４４】なお、以上の第１から第４の実施形態の説
明では、検査用端子の形状を丸形としたが、矩形その他
の形状としても良い。例えば、矩形にした場合には端子
面の面積を広くすることができ、また隣接する検査用端
子間の距離が高集積化や多ピン化のために狭くなるよう
な場合にも端子面の面積を十分確保できる。

【００４５】

【発明の効果】本発明によれば、外部端子に配線パター
ンを介して検査用端子を電気的に接続するので、検査用
端子のピッチを外部端子のピッチや配列に係わらず広く
することができ、半導体装置の特性あるいは信頼性の検
査を正確に行うことができる。従って、半導体装置の高
集積化、多ピン化、及び小型化を障害なく実現すること
ができる。また、検査時に外部端子を傷つけることがな
いので、外部端子による外部との接続の信頼性の向上も
図れる。

【００４６】また、絶縁部材における少なくとも外部端
子と検査用端子との間にスリットを形成するので、検査
後に検査用端子及びそれを載せている絶縁部材の一部を
切除する際の切断荷重を少なくでき、配線パターンと絶
縁部材の剥離などの不具合を回避できる。

【００４７】また、半導体素子上に重ねられた絶縁部材
上の配線パターンに外部端子を設けるので、半導体装置
自体の大きさを半導体素子の大きさとほぼ同程度にまで
小さくすることが可能で、小型化が図れる。

【００４８】さらに、検査用端子による検査後に配線パ
ターンに外部端子を設けるので、バーンインテスト等の
高温下の検査を行う場合でも、従来のように外部端子の
接続信頼性劣化の心配が全くなく、しかも検査工程で異
常が判明した場合にはその半導体装置に外部端子を接続
する必要が全くなくなるので、製造工程の無駄を省くこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態による半導体装置の平
面図である。

【図２】図１に示した半導体装置の断面図である。

【図３】図２の状態での検査後に、切断、除去が終了し
た状態の半導体装置の断面図である。

【図４】本発明の第２の実施形態による半導体装置の製
造方法を示す断面図であって、（ａ）は半導体装置の特
性や信頼性の検査前の状態、（ｂ）は半導体装置の特性
や信頼性の検査中の状態、（ｃ）は外部端子（金属バン
プ）を外部端子用ランド上に設けた状態、（ｄ）は検査
後の切断、除去が終了した状態を示す図である。

【図５】本発明の第３の実施形態による半導体装置の平
面図である。

【図６】図５に示した半導体装置の断面図である。

【図７】本発明の第４の実施形態による半導体装置の平
面図である。

【図８】図７に示した半導体装置の断面図である。

【図９】図８の状態での検査後に、切断、除去が終了し
た状態の半導体装置の断面図である。

【符号の説明】

１，１Ａ 半導体素子 ２，２Ａ，２Ｂ 絶縁部材 ３ 配線パターン ４ （半導体素子の）電極 ５ 検査用端子 ６ 外部端子（金属バンプ） ７ 封止樹脂 ８ スプロケット穴 ９ スリット ９ａ 連結部 １０ 接着剤 ２０ 検査用プローブ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 英樹 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地 株式会社 日立製作所 半導体事業部 内 (72)発明者 西村 朝雄 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地 株式会社 日立製作所 半導体事業部 内 (72)発明者 矢口 昭弘 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所 機械研究所内 (72)発明者 田中 直敬 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所 機械研究所内 (56)参考文献 特開 平８−70024（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−53276（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−244251（ＪＰ，Ａ) 特表 平８−504036（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/66

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体素子と、表面に配線パターンが設け
   られた絶縁部材と、少なくとも前記半導体素子の回路形
   成面を覆う封止部材とを有し、前記配線パターンが前記
   半導体素子の電極に電気的に接続され、かつ前記配線パ
   ターンには金属バンプからなる外部端子が接続されてい
   る半導体装置において、前記外部端子は、前記絶縁部材上の、前記半導体素子周
   囲に配置され、前記外部端子より前記絶縁部材上外周側
   に検査用端子が配置され、前記検査用端子は、前記配線
   パターンに接続され、前記外部端子を介して前記半導体
   素子の電極に接続される ことを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、互い
   に隣接する前記検査用端子間の距離は、互いに隣接する
   前記外部端子間の距離より大きいことを特徴とする半導
   体装置。
3. 【請求項３】請求項１記載の半導体装置において、前記
   絶縁部材の一部分は前記半導体素子上に重ねられてお
   り、前記外部端子は、前記半導体素子上に絶縁部材上の
   配線パターンに設けられていることを特徴とする半導体
   装置。
4. 【請求項４】請求項１記載の半導体装置において、前記
   絶縁部材における少なくとも前記外部端子と前記検査用
   端子との間にスリットが形成され、前記配線パターンは
   そのスリットを橋渡しするように設けられていることを
   特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】請求項１記載の半導体装置において、前記
   外部端子は、はんだによりなることを特徴とする半導体
   装置。
6. 【請求項６】半導体素子と、表面に配線パターンが設け
   られた絶縁部材と、少なくとも前記半導体素子の回路形
   成面を覆う封止部材とを有し、前記配線パターンが前記
   半導体素子の電極に電気的に接続され、かつ前記配線パ
   ターンには金属バンプからなる外部端子が接続されてい
   る半導体装置において、前記外部端子は、前記絶縁部材上の、前記半導体素子周
   囲に配置され、前記外部端子より、前記絶縁部材上外周
   側に検査用端子が配置され、前記検査用端子は、前記配
   線パターンに接続され、前記外部端子を介して前記半導
   体素子の電極に接続され、前記検査用端子を介して半導
   体装置の検査が行われた後に、前記検査用端子と外部端
   子との間を切断して、検査用端子を取り去り、前記配線
   パターンが前記部材の外周端部まで延びている ことを特
   徴とする半導体装置。
7. 【請求項７】絶縁部材表面に配線パターンを設け、前記
   配線パターンを半導体素子の電極に電気的に接続し、少
   なくとも前記半導体素子の回路形成面を封止部材で覆
   い、かつ前記配線パターンに金属バンプからなる外部端
   子を接続する半導体装置の製造方法において、前記絶縁部材上の、前記半導体素子周囲に配置され、前
   記配線パターンにより前期半導体素子の電極に接続され
   る検査用端子を接続し、前記検査用端子を介して半導体
   装置の検査を行い、前記半導体素子の電極と前記検査用
   端子との間の配線パターン上に前記外部端子を接続し、
   前記検査用端子と外部端子との間を切断して、検査用端
   子を取り去る ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】請求項７記載の半導体装置の製造方法にお
   いて、前記検査用端子を用いた検査は、高温下で半導体
   装置の信頼性を検査するバーンインテストであることを
   特徴とする半導体装置の製造方法。