JP3525034B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
- Publication number
- JP3525034B2 JP3525034B2 JP20557997A JP20557997A JP3525034B2 JP 3525034 B2 JP3525034 B2 JP 3525034B2 JP 20557997 A JP20557997 A JP 20557997A JP 20557997 A JP20557997 A JP 20557997A JP 3525034 B2 JP3525034 B2 JP 3525034B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- electron spin
- organic compound
- electroluminescence device
- per
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 17
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 21
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 20
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 12
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 12
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 3
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 claims description 2
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 claims description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 14
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 5
- CRDZYJSQHCXHEG-SFVBTVKNSA-N protectin D1 Chemical compound CC\C=C/C[C@H](O)\C=C/C=C/C=C/[C@H](O)C\C=C/C\C=C/CCC(O)=O CRDZYJSQHCXHEG-SFVBTVKNSA-N 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- -1 2,2-diphenylvinyl-1-yl Chemical group 0.000 description 2
- TWPMMLHBHPYSMT-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=CC=CC=2)=C1 TWPMMLHBHPYSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- HHEAADYXPMHMCT-UHFFFAOYSA-N dpph Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC([N+](=O)[O-])=CC([N+]([O-])=O)=C1[N]N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 HHEAADYXPMHMCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 2
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSSUKEXJAHZQPJ-UHFFFAOYSA-N 4-amino-2,3-diphenylbenzaldehyde Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=1C(N)=CC=C(C=O)C=1C1=CC=CC=C1 YSSUKEXJAHZQPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQGZDWJFOYXGAA-UHFFFAOYSA-N 4-iodo-n,n-bis(4-iodophenyl)aniline Chemical compound C1=CC(I)=CC=C1N(C=1C=CC(I)=CC=1)C1=CC=C(I)C=C1 AQGZDWJFOYXGAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003077 Ti−O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- RZTAMFZIAATZDJ-UHFFFAOYSA-N felodipine Chemical compound CCOC(=O)C1=C(C)NC(C)=C(C(=O)OC)C1C1=CC=CC(Cl)=C1Cl RZTAMFZIAATZDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- ZXZKYYHTWHJHFT-UHFFFAOYSA-N quinoline-2,8-diol Chemical compound C1=CC(=O)NC2=C1C=CC=C2O ZXZKYYHTWHJHFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- 238000004809 thin layer chromatography Methods 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
ミネッセンス素子(エレクトロルミネッセンスを以下
「EL」と略記する)に関する。更には、長時間の駆動
に対しても発光輝度が減衰することがなく、耐久性にも
優れた有機EL素子に関する。
光の為視認性が高く、かつ完全固体素子である為、耐衝
撃性に優れる等の特徴を有することから、各種表示装置
における発光素子としての利用が注目されている。この
EL素子には、発光材料として無機化合物を用いる無機
EL素子と、有機化合物を用いる有機EL素子とがあ
り、このうち、有機EL素子は、印加電圧を大幅に低く
し得るので小型化が容易であり、その為次世代の表示素
子としてその実用化研究が積極的になされている。
究における最大の課題は、長時間の駆動に伴う有機EL
素子の発光輝度の減衰を抑制し、実用的にも耐え得るも
のとする技術を確立することである。この点、「月刊デ
ィスプレイ、9月号、15頁(1995)」や、「応用
物理、第66巻、第2号、114〜115頁(199
7)」によれば、有機EL素子を作成する為に用いる各
種有機化合物の純度が、発光効率や発光輝度の減衰に強
く影響を及ぼすことが知られている。しかしながら、有
機EL素子に用いられる各種有機化合物の構造・性質等
が有機EL素子の性能に与える影響は未だ明らかでな
く、これらを定量的に調べる方法は知られていなかっ
た。
合、この発光輝度が減衰する理由の詳細は、現在のとこ
ろ不明である。
従来技術の課題を解決し、長時間の駆動に対しても発光
輝度が減衰することがなく、耐久性にも優れ、実用に耐
え得る有機EL素子を提供するにある。
を解決するために鋭意研究を重ねた。その中で、有機E
L素子の有機化合物層の形成に用いられる有機化合物中
に存在する電子スピン数を測定したところ、この電子ス
ピン数と有機EL素子の性能との間に強い相関関係のあ
ることを見出した。即ち、有機化合物中に存在する電子
スピン数の多い有機化合物を用いて作製した有機EL素
子は、発光輝度の減衰が大きく、長時間の駆動に耐え得
る実用的な性能を有するものではなかった。
スピンが多数存在すると、これが注入された正孔や電子
に対するトラップとなって駆動電圧の上昇を引き起こし
たり、発光層の励起状態の消光を引き起こしたりするこ
とが考えられる。その結果、長時間の駆動に伴う発光輝
度の減衰を抑制する為には、有機化合物層形成に用いる
材料のうち、少なくとも一つは、1mg当たりの電子ス
ピン数が1013個以下であることが必要であることを見
出した。
ものである。即ち、本発明の要旨は以下の通りである。 (1) 少なくとも有機発光層を有する有機化合物層を
陽極と陰極とからなる一対の電極で挟持してなる有機エ
レクトロルミネッセンス素子において、前記有機化合物
層を形成する為に用いる有機化合物のうち、少なくとも
一つは1mg当たりの電子スピン数が1013個以下であ
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
作製されたものであることを特徴とする前記(1)に記
載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 (3) 有機発光層を形成する為に用いる有機化合物の
1mg当たりの電子スピン数が1013個以下であること
を特徴とする前記(1)又は(2)に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。
化合物層を形成する為に用いる有機化合物の1mg当た
りの電子スピン数が1013個以下であることを特徴とす
る前記(1)又は(2)に記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。 (5) 電子を注入もしくは輸送する有機化合物層を形
成する為に用いる有機化合物の1mg当たりの電子スピ
ン数が1013個以下であることを特徴とする前記(1)
又は(2)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
本発明の有機EL素子は、有機EL素子の有機化合物層
の形成に用いられる有機化合物のうち、少なくとも一つ
が、その化合物1mg当たりの電子スピン数が1013個
以下であることを特徴とする。
極との間に介在する有機化合物層は、少なくとも発光層
を含む。この有機化合物層は、発光層のみからなる層で
あっても良く、又、発光層とともに、正孔注入輸送層等
を積層した多層構造のものであっても良い。この有機E
L素子において、発光層は(1)電界印加時に、陽極又
は正孔輸送層により正孔を注入することができ、かつ電
子注入層より電子を注入することができる機能、(2)
注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる輸
送機能、(3)電子と正孔の再結合の場を発光層内部に
提供し、これを発光につなげる発光機能等を有してい
る。前記(1)の電子注入層は、特に陰極から有機化合
物層に良好に電子注入ができる機能を有する。
ついては特に制限はなく、従来から知られている有機E
L素子において公知のものを用いることができる。又、
正孔注入輸送層は、正孔伝達化合物からなる層であっ
て、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を
有し、この正孔注入輸送層を陽極と発光層との間に介在
させることにより、より低い電界で多くの正孔が発光層
に注入される。その上、電子注入層より発光層に注入さ
れた電子は、発光層と正孔注入輸送層の界面に存在する
電子の障壁により、この発光層内の界面近くに蓄積され
たEL素子の発光効率を向上させ、その結果発光性能の
優れたEL素子となる。この正孔注入輸送層に用いられ
る正孔伝達化合物については特に制限はなく、従来から
有機EL素子において使用されてきた、正孔伝達化合物
として公知のものを使用することができる。又、正孔注
入輸送層は、単層のみでなく多層とすることもできる。
これら以外にも、各層に微量の添加物等を混入すること
も可能であるが、それらも有機化合物で形成されてい
る。
呼ばれるが、各層の電荷注入性を向上させたり、あるい
はそれ自身が発光種となったりして、有機EL素子の性
能を向上させる目的の為に用いるものである。本発明に
おいて、有機化合物層を形成する為に用いる有機化合物
のうち、少なくとも一つが1mg当たりの電子スピン数
が1013個以下であるとは、通常は、有機化合物層の少
なくとも一つの層を形成する有機化合物、又は有機発光
層等に添加されるドーパントの電子スピン数が、1mg
当たり1013個以下であることを意味する。
中の電子スピン数の測定方法は、電子スピン共鳴法(El
ectorn Spin Resonance Measurement ;以下、ESR法
と略記する)で行う。この方法を次に述べる。先ず、ク
ォーツ製のサンプル管の空の重量を秤量する。次に、有
機化合物層形成に用いられる有機化合物をクォーツ製の
サンプル管に適量入れ秤量する。そして、後者から前者
を控除することにより、有機化合物層形成に用いられる
有機化合物の重量が求められ、これをχmgとする。
SR信号より面積を求め、これをEとする。次に、予め
電子スピン数が判明している標準試料(例えば、1,1
−ジフェニル−2−ピクリルヒドラジル、以下DPPH
と略記する)を同様に測定し、その際のESR信号より
面積を求め、電子スピン数と面積を、それぞれns 、E
s とする。
られる有機化合物中の電子スピン数をnとすると、次の
関係式が成立する。
化合物1mg当たりの電子スピン数αは、
有機化合物中の物質に由来するかについては、現時点で
はその詳細は不明であるが、有機化合物自身のラジカル
体、もしくは溶媒及び混入物に由来するイオン種もしく
はラジカル種であると思われる。そして、これらイオン
種やラジカル種が有機EL素子中の有機化合物層に存在
することにより、トラップや励起状態の失活因子とな
り、その結果駆動電圧の上昇や消光を引き起こしている
と考えられる。
の精製方法として有効な方法であることは良く知られて
いるが、特に電子スピン数を減少させるという点におい
ても優れていることを我々は見出している。それ故、減
圧下、蒸着によって形成された有機化合物層を有する有
機EL素子内の電子スピン数は、蒸着ボート内の各種有
機化合物に比べて、ある程度減少することが予想され
る。
各種有機化合物中に多量の電子スピンが存在すれば、有
機EL素子内の電子スピン数もある程度残存することと
なり、その結果として有機EL素子の性能劣化を引き起
こすことになる。従って、蒸着源として用いる各種有機
化合物の電子スピン数を昇華精製法により減少させ、そ
してこの精製された有機化合物を用いて、有機化合物層
を蒸着することにより有機EL素子を作製することは、
有機EL素子の性能劣化を抑制するには極めて有効な方
法である。
素子の発光輝度の減衰を抑制する為には、前記のαが1
013個以下である様な有機化合物を少なくとも一つ用い
ることが重要である。特に好ましくは、発光層に用いら
れる有機化合物のα値が、1013個以下であることが重
要である。有機EL素子の作製に用いる各種有機化合物
の精製方法としては、上記昇華精製法の他に、従来から
知られている、再結晶法、再沈殿法、ゾーンメルティン
グ法、カラム精製法、吸着法等がある。
行うだけでは、有機化合物1mg当たりの電子スピン数
αは1013〜1015個の範囲が精製の限度であり、この
精製度では本発明の目的を充分に達成することはできな
い。そこで、本発明が必要とするα≦1013個/1mg
を実現するにあたり、蒸着源として用いる各種有機化合
物の電子スピン数を減少させる為には、上記従来の精製
方法を適宜組み合わせ又は繰り返して精製を行う必要が
ある。
製を行う場合は、次の、、に代表される様な方法
を採用すると、蒸着源として用いる各種有機化合物中の
電子スピン数をより効果的に減少させることができる。 化合物の熱分解温度よりも30℃以上低い温度で昇
華させる。 昇華温度よりも20〜50℃低い温度域で初留カッ
トを行う。
囲で行うが、好ましくは10-5〜10-8torrの範囲
で昇華する。 実際の精製方法は、各種の有機化合物の性質に応じて適
宜選択されるが、α≦1013個/1mgが実現されるな
らばその方法は特に限定はされない。
発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。 〔合成例1〕 発光材料の合成 発光材料として用いた、4,4”−ビス(2,2−ジフ
ェニルビニル−1−イル)−p−ターフェニレン(以
下、DPVTPと略記する)の合成例を次に示す。
するものである。
口フラスコにベンゾフェノン1.0g、及び次式で示さ
れる構造を有するホスホン酸エステル1.2gをモレキ
ュラーシーブを用いて乾燥させたジメチルスルホキシド
30mlに懸濁させた。
トキシド0.5gを加えて反応させたところ、反応物は
直ちに赤茶色の懸濁液となった。その後、反応温度を2
7℃に保持し約一時間攪拌すると、この反応物は黄色の
懸濁液となった。更に、2時間攪拌した後、メタノール
40mlを加えて黄色沈殿を濾取した。次いで、この黄
色沈殿物をトルエン100mlに懸濁させ、目的物を加
熱抽出した後、トルエンを留去することにより白色粉末
を得た。更に得られた白色粉末をボート温度320℃、
10-2torrの条件で昇華精製することにより、0.
45gの精製粉末を得た。これをDPVTP−1とし
た。
10-5torrの条件で昇華精製することにより、0.
38gの精製粉末を得た。これをDPVTP−2とし
た。 〔合成例2〕 正孔注入材料の合成 正孔注入材料として用いた、4,4’,4”−トリス−
〔N−(m−トリル)N−フェニルアミノ〕トリフェニ
ルアミン(以下、MTDATAと略記する)の合成例を
次に示す。
を有するものである。
4’’−トリヨードトリフェニルアミン1.0g、N−
(3−トリル)−N−フェニルアミン(アルドリッチ社
製)1.0g、無水炭酸カリウム3g及び銅粉1.0g
を加え、200mlのジメチルスルホキシドに溶解し2
00℃で8時間攪拌して反応させた。反応終了後、濾液
を濾過し、母液を塩化メチレンで抽出した。そして、ロ
ータリーエバポレーターで溶媒を留去し、残渣をシリカ
ゲル(広島和光純薬社製)を充填したカラムクロマトで
トルエンを展開溶媒として精製し淡黄色粉末0.3gを
得た。これを、MTDATA−1とした。
torrの条件で3回昇華精製することにより、0.2
4gの淡黄色粉末を得た。これを、MTDATA−2と
した。 〔合成例3〕 正孔輸送材料の合成 正孔輸送材料として用いた、N,N’−ジ−(ナフチル
−1−イル)−N,N’−ジフェニル−4,4”−ベン
ジジン(以下、NPDと略記する)の合成例を次に示
す。
を有するものである。
ルアミンの代わりに1−ヨードナフタレン(東京化成社
製)2.0gを、そして、N−(3−トリル)−N−フ
ェニルアミン(アルドリッチ社製)の代わりにN,N’
ジフェニルベンジジン(広島和光純薬社製)1.0gを
用いた以外は、合成例2と同様に反応・精製を行い0.
37gの淡黄色粉末を得た。これを、NPD−1とし
た。
torrの条件で2回昇華精製することにより、0.3
1gの淡黄色粉末を得た。これを、NPD−2とした。 〔合成例4〕 ドーパントの合成 ドーパントとして用いた、4,4’−ビス−[2−〔4
−(N,N−ジフェニルアミノ)フェニル−1−イル〕
−ビニル−1−イル]−1,1’−ビフェニル(以下、
DPAVBiと略記する)の合成例を次に示す。
有するものである。
用いたスルホン酸エステル1.9g、及び、N,Nジフ
ェニル−4−アミノベンズアルデヒド3.0gを加え、
モレキュラーシーブで乾燥させたジメチルスルホキシド
50mlに溶解させた。これをアゴンガス雰囲気以下、
室温にてマグネチックスタラーで攪拌しながら、カリウ
ム−t−ブトキシド(関東化学社製)1.0gを粉末の
状態で少量ずつ加えた。反応液は、直ちに赤黒色を呈
し、やがて退色し、緑黄色、後に黄土色の析出物となっ
た。
た。これを室温にて一晩放置した後、80重量%メタノ
ール水溶液50mlを徐々に加えた後、生成した黄色沈
殿物を濾取し、80重量%メタノール水溶液50mlに
て2回洗浄し、更にメタノール50mlにて2回洗浄し
た。これを50℃にて3時間真空乾燥を行ったところ、
黄色粉末2.8gが得られた。
製、商品名BW−820MH)140gをトルエンにて
充填したカラムクロマトに、前記黄色粉末をトルエンを
用いて展開し、最初に展開する画分を集めた。尚、この
時の薄層クロマトグラフィー(展開溶媒トルエン:n−
ヘキサン=2:1 V/V、シリカゲル薄層)では、移
動率(Rate of flow)Rf =0.8であった。
をエバポレーターにて留去し乾固させた。そして、この
ようにして得られた黄色粉末をトルエン60mlに熱溶
解させ、不溶解物はメンブラインフィルター(ADVA
NTEC社製、1μm、25mm)にて濾過した。この
トルエン溶液を室温にて放置し、得られた析出物を濾取
し、50℃で2時間乾燥することにより黄色粉末2.3
gを得た。これを、DPAVBi−1とした。
熱溶解させ、3回再結晶を繰り返した。その結果、黄色
粉末1.6gを得た。これを、DPAVBi−2とし
た。 〔合成例5〕 電子輸送材料の精製 電子輸送材料として、同仁化学社製の、アルミニウム−
トリス(8−ヒドロキシキノリノール)(以下、Alq
と略記する)を用いた。
を有するものである。
した)1.0gをボート温度300℃、10-5torr
の条件で2回昇華精製することにより、0.7gの黄色
粉末を得た。これをAlq−2とした。 〔電子スピン数αの測定〕合成例1〜5において合成し
た各種有機化合物のESR測定を行った。
一昼夜乾燥した後、その適量を内径4.0mmのクォー
ツ製のESR用試料管に入れ、大気圧にてESR測定を
行った。次に、標準試料として、6.9×1015個/1
mgの電子スピンを有するDPPHを各種有機化合物の
測定に使用した試料管と同質、同寸法の試料管に入れ、
各種有機化合物の測定と同じ測定条件でESRを測定し
た。
JES−FE3XG:X−バンド、波長3cm)を用い
た。ESR測定条件は、次の通りである。即ち、検出器
はTE011 モード円筒型共振器を用い、マイクロ波出力
は1.00mW、変調幅は4.00G、増幅率は1×1
03 とした。温度変化による測定試料への影響を避ける
為、検出器の外側は水道水を流して水温に保ち、検出器
の内部は乾燥窒素ガスを流し一定温度に保った。
スペクトルは、微分形で記録されているので、これを積
分した値をそれぞれのESR強度とし、これらの値を用
いて前記数式2、数式3に基づき各種有機化合物の電子
スピン数αを求めた。その結果を第1表に示した。
mmのガラス基板上に蒸着法により、厚さ100nmの
インジウム−錫−酸化物膜(In−Ti−O膜、以下I
TO膜と略記する)(陽極に相当)を設け、これを透明
支持基板とした。この透明支持基板をイソプロピルアル
コールで5分間超音波洗浄し、更に純粋中で5分間超音
波洗浄した後、UVイオン洗浄器(サムコインターナシ
ョナル社製)を用いて基板温度150℃で20分間洗浄
した。
て市販の蒸着装置(日本真空技術社製)の基板ホルダー
に固定した。又、この市販の蒸着装置には複数のモリブ
デン製の抵抗加熱ボートが配設され、それぞれ独立した
抵抗加熱ボートにMTDATA−1を200mg、NP
D−1を200mg、DPVTP−2を200mg、D
PAVBi−1を200mg、Alq−1を200mg
入れ、これらを蒸着用有機化合物とした。
た後、真空槽を4×10-6torr迄減圧し、MTDA
TA−1の入った前記加熱ボートに通電して360℃迄
加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基
板上に蒸着して60nmのMTDATA−1層を設け
た。そして、NPD−1の入った前記加熱ボートに通電
して260℃迄加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/
秒で、上記MTDATA−1層の上に、NPD−1を蒸
着して膜厚20nmのMTDATA−1層を設けた。
ボートとDPAVBi−1の入った前記加熱ボートを同
時に通電し、DPVTP−2とDPAVBi−1から成
る膜厚40nmの発光層を形成した。この時の蒸着速度
は、DPVTP−2が2.8〜3.0nm/秒であり、
DPAVBi−1が0.1〜0.13nm/秒であっ
た。
電して、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で上記発光層
の上にAlq−1層を蒸着して、膜厚20nmのAlq
−1層を設けた。次に、これを真空槽から取り出し、上
記電子注入層の上にステンレススチール製のマスクを設
置し、再度基板ホルダー上に固定した。次いで、アルミ
ニウム及びリチウム(Al−Li)から成るリチウム濃
度5原子%の合金母材を陰極形成用の蒸着材料として用
い、蒸着時の真空度1×10-6torr、蒸着速度0.
5〜1.0nm/秒の条件で蒸着し、膜厚150nmの
陰極を形成した。
ITO電極を正、Al−Li合金電極を負にし、6Vの
直流電圧を印加したところ、均一な青色発光が得られ
た。この有機EL素子の半減寿命(初期輝度300cd
/m2 が150cd/m2へと減衰する迄の時間)は、
窒素気流下、定電流駆動することにより測定した。この
有機EL素子の半減寿命を第2表に示した。
P−2をDPVTP−1に、そしてMTDATA−1を
MTDATA−2に変えた以外は全く同様にして有機E
L素子を作製した。得られた有機EL素子に、ITO電
極を正、Al−Li合金電極を負にし、6Vの直流電圧
を印加したところ、均一な青色発光が得られた。この有
機EL素子の半減寿命を第2表に示した。
P−2をDPVTP−1に、そしてNPD−1をNPD
−2に変えた以外は全く同様にして有機EL素子を作製
した。得られた有機EL素子に、ITO電極を正、Al
−Li合金電極を負にし、6Vの直流電圧を印加したと
ころ、均一な青色発光が得られた。この有機EL素子の
半減寿命を第2表に示した。
P−2をDPVTP−1に、そしてDPAVBi−1を
DPAVBi−2に変えた以外は全く同様にして有機E
L素子を作製した。得られた有機EL素子に、ITO電
極を正、Al−Li合金電極を負にし、6Vの直流電圧
を印加したところ、均一な青色発光が得られた。この有
機EL素子の半減寿命を第2表に示した。
P−2をDPVTP−1に、そしてAlq−1をAlq
−2に変えた以外は全く同様にして有機EL素子を作製
した。得られた有機EL素子に、ITO電極を正、Al
−Li合金電極を負にし、6Vの直流電圧を印加したと
ころ、均一な青色発光が得られた。この有機EL素子の
半減寿命を第2表に示した。
TA−1をMTDATA−2に、NPD−1をNPD−
2に、DPAVBi−1をDPAVBi−2に、更にA
lq−1をAlq−2に変えた以外は全く同様にして有
機EL素子を作製した。得られた有機EL素子に、IT
O電極を正、Al−Li合金電極を負にし、6Vの直流
電圧を印加したところ、均一な青色発光が得られた。こ
の有機EL素子の半減寿命を第2表に示した。
P−2をDPVTP−1に変えた以外は全く同様にして
有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子に、I
TO電極を正、Al−Li合金電極を負にし、6Vの直
流電圧を印加したところ、均一な青色発光が得られた。
この有機EL素子の半減寿命を第2表に示した。
機EL素子を構成する有機材料化合物のいずれか一つ
を、電子スピン数αが1013個以下である材料を用いた
場合は、それを用いない比較例1の有機EL素子と比べ
て、半減寿命が2倍以上改善された。又、有機EL素子
を構成する全ての有機材料化合物のそれぞれの電子スピ
ン数αを1013個以下とすることにより、著しい半減寿
命の改善がなされた。
り作製され、電子スピン数が規定値以下の有機化合物を
用いたことにより、長時間の駆動に対しても、発光効率
が良く、半減寿命の著しい改善等を得ることができる。
又、耐久性にも優れる。この為、本発明の有機EL素子
は、例えば情報機器のディスプレイ等に好適に用いられ
る。
Claims (9)
- 【請求項1】 少なくとも有機発光層を有する有機化合
物層を陽極と陰極とからなる一対の電極で挟持してなる
有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機
化合物層を形成する為に用いる有機化合物のうち、少な
くとも一つは1mg当たりの電子スピン数が1013個以
下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス素子。 - 【請求項2】 電子スピン数が、電子スピン共鳴法によ
り測定されてなる請求項1に記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。 - 【請求項3】 1mg当たりの電子スピン数が10 13 個
以下である有機化合物が、昇華精製法、再結晶法、再沈
殿法、ゾーンメルティング法、カラム精製法及び吸着法
の中から選ばれる方法を組み合わせ又は繰り返して精製
されたものである請求項1に記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。 - 【請求項4】 1mg当たりの電子スピン数が10 13 個
以下である有機化合物が、該有機化合物の熱分解温度よ
りも30℃以上低い温度で昇華精製されたものである請
求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項5】 1mg当たりの電子スピン数が1013個
以下である有機化合物が、真空度10-5〜10-8 Tor
rで昇華精製されたものである請求項1に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項6】 前記有機化合物層が蒸着法により作製さ
れたものであることを特徴とする請求項1に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項7】 有機発光層を形成する為に用いる有機化
合物の1mg当たりの電子スピン数が1013個以下であ
ることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項8】 正孔を注入もしくは輸送する有機化合物
層を形成する為に用いる有機化合物の1mg当たりの電
子スピン数が1013個以下であることを特徴とする請求
項1〜6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。 - 【請求項9】 電子を注入もしくは輸送する有機化合物
層を形成する為に用いる有機化合物の1mg当たりの電
子スピン数が1013個以下であることを特徴とする請求
項1〜6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20557997A JP3525034B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP98113813A EP0895442B1 (en) | 1997-07-31 | 1998-07-23 | Organic electroluminescent device |
DE69809849T DE69809849T2 (de) | 1997-07-31 | 1998-07-23 | Organische elektrolumineszente Vorrichtung |
US09/121,831 US6259203B1 (en) | 1997-07-31 | 1998-07-24 | Organic electroluminescent device |
US09/773,691 US6504300B2 (en) | 1997-07-31 | 2001-02-02 | Organic electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20557997A JP3525034B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1154271A JPH1154271A (ja) | 1999-02-26 |
JP3525034B2 true JP3525034B2 (ja) | 2004-05-10 |
Family
ID=16509225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20557997A Expired - Lifetime JP3525034B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6259203B1 (ja) |
EP (1) | EP0895442B1 (ja) |
JP (1) | JP3525034B2 (ja) |
DE (1) | DE69809849T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8436172B2 (en) | 2009-08-31 | 2013-05-07 | Udc Ireland Limited | Material selecting method upon purifying iridium complex by sublimation |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1213127C (zh) * | 1998-09-09 | 2005-08-03 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光器件与苯二胺衍生物 |
KR100274871B1 (ko) * | 1998-11-12 | 2000-12-15 | 김순택 | 발광 화합물 및 이를 발색 재료로서 채용하고 있는 표시소자2 |
US6392339B1 (en) * | 1999-07-20 | 2002-05-21 | Xerox Corporation | Organic light emitting devices including mixed region |
JP4718670B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2011-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置 |
US6641933B1 (en) | 1999-09-24 | 2003-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting EL display device |
TWI262034B (en) * | 2002-02-05 | 2006-09-11 | Semiconductor Energy Lab | Manufacturing system, manufacturing method, method of operating a manufacturing apparatus, and light emitting device |
TWI285515B (en) * | 2002-02-22 | 2007-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus |
KR20060135801A (ko) * | 2004-03-05 | 2006-12-29 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 표시 장치 |
EP1863105B1 (en) * | 2006-06-02 | 2020-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
EP1876658A3 (en) | 2006-07-04 | 2014-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
KR20090128427A (ko) * | 2007-02-28 | 2009-12-15 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 el 소자 |
EP2075860A3 (en) * | 2007-12-28 | 2013-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
CN102027614B (zh) | 2008-05-16 | 2013-05-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置和电子设备 |
EP2352016A4 (en) * | 2008-10-06 | 2016-04-27 | Univ Tsukuba | DEVICE AND METHOD FOR MEASURING ELECTRON SPIN |
JP2011199263A (ja) | 2010-02-25 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、撮像素子、撮像素子の製造方法、撮像装置 |
JP2011256129A (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機金属錯体材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機el表示装置及び有機el照明 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3932291A (en) * | 1973-01-10 | 1976-01-13 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Preparation and doping of semiconducting forms of CuAlS2 |
US5336546A (en) * | 1991-07-12 | 1994-08-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
US5420288A (en) * | 1992-04-14 | 1995-05-30 | Ricoh Company, Ltd. | Electroluminescent device comprising oxadiazole compounds luminescent material, oxadiazole compounds for the device, and method of producing oxadiazole compounds |
EP0579151B1 (en) * | 1992-07-13 | 1996-10-09 | Eastman Kodak Company | An internal junction organic electroluminescent device with a novel composition |
EP1056140B1 (en) * | 1992-08-28 | 2005-07-06 | Idemitsu Kosan Company Limited | Charge injection auxiliary material |
DE69526614T2 (de) * | 1994-09-12 | 2002-09-19 | Motorola, Inc. | Lichtemittierende Vorrichtungen die Organometallische Komplexe enthalten. |
US5948552A (en) * | 1996-08-27 | 1999-09-07 | Hewlett-Packard Company | Heat-resistant organic electroluminescent device |
JPH10183112A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-14 | Sony Corp | 電界発光素子 |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP20557997A patent/JP3525034B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-07-23 EP EP98113813A patent/EP0895442B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-23 DE DE69809849T patent/DE69809849T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-24 US US09/121,831 patent/US6259203B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-02-02 US US09/773,691 patent/US6504300B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8436172B2 (en) | 2009-08-31 | 2013-05-07 | Udc Ireland Limited | Material selecting method upon purifying iridium complex by sublimation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6259203B1 (en) | 2001-07-10 |
US6504300B2 (en) | 2003-01-07 |
JPH1154271A (ja) | 1999-02-26 |
DE69809849D1 (de) | 2003-01-16 |
EP0895442A1 (en) | 1999-02-03 |
US20010015617A1 (en) | 2001-08-23 |
DE69809849T2 (de) | 2003-09-11 |
EP0895442B1 (en) | 2002-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3525034B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
TWI357404B (ja) | ||
EP0906947B1 (en) | Indolocarbazole electroluminescent devices | |
JP3691101B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
WO2003000661A1 (fr) | Compose de coordination metallique et dispositif electroluminescent | |
JPH11162650A (ja) | エレクトロルミネセントデバイス | |
KR100538608B1 (ko) | 유기 전기발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
JP3845941B2 (ja) | イミダゾール金属錯体及びそれを用いた有機電界発光素子 | |
JP3274939B2 (ja) | 電界発光素子 | |
JP2000178548A (ja) | 発光材料 | |
JPH07331238A (ja) | 電界発光素子 | |
JP2004186158A (ja) | パラシクロファンを用いる有機発光デバイス | |
JP3840003B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP3757583B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP3471910B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP2004059556A (ja) | テトラアリールメタン誘導体、及びその製造方法 | |
JP3490879B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH10231479A (ja) | 赤色発光有機el素子 | |
JPH10231476A (ja) | 有機el素子 | |
JP4256556B2 (ja) | 発光素子材料、それを使用した発光素子およびアミン化合物 | |
JP2007299825A (ja) | 有機el素子 | |
JP3745296B2 (ja) | 電界発光素子 | |
JP4308560B2 (ja) | 有機金属錯体、その配位子、および有機el素子 | |
JP3988327B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH11312586A (ja) | 有機電界発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040109 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040216 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080220 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090220 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090220 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100220 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100220 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110220 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110220 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 10 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |