JP3498919B2 - ヒューズ機能を有する金属皮膜抵抗器とその製造方法 - Google Patents
ヒューズ機能を有する金属皮膜抵抗器とその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、優れたヒューズ機能を有するニッケルおよ
びリンを主成分とする合金皮膜抵抗器と、この合金皮膜
抵抗器の製造方法に関するものである。
びリンを主成分とする合金皮膜抵抗器と、この合金皮膜
抵抗器の製造方法に関するものである。
背景技術
電気抵抗器は、電気回路に必須の部品であり、あらゆ
る電気・電子機器に広く利用されている。最近では、電
気・電子機器の精密化が進み、また民生用、産業用電子
機器の安全性が重要視されるようになり、この抵抗器に
おいても、ヒューズ機能を備えるものが要求されてきて
いる。即ち、通常使用時には、抵抗温度係数（TCR）等
において優れた電気特性を示し、一旦過負荷が印加され
た時には、他の電子部品に悪影響を及ぼす前に速やかに
溶断するヒューズ機能を具備する抵抗器が求められてい
るのである。
る電気・電子機器に広く利用されている。最近では、電
気・電子機器の精密化が進み、また民生用、産業用電子
機器の安全性が重要視されるようになり、この抵抗器に
おいても、ヒューズ機能を備えるものが要求されてきて
いる。即ち、通常使用時には、抵抗温度係数（TCR）等
において優れた電気特性を示し、一旦過負荷が印加され
た時には、他の電子部品に悪影響を及ぼす前に速やかに
溶断するヒューズ機能を具備する抵抗器が求められてい
るのである。
従来、優れた溶断特性を備えた抵抗皮膜として、無電
解メッキ法にて得たニッケル−鉄−リン系金属皮膜が提
案されている（日本特公昭57−20687号公報）。周知の
とおりニッケル−リン合金皮膜は優れた抵抗温度係数
（TCR）を誇るのであるが、ニッケル−リンのみの合金
皮膜では溶断に要する時間が大きくなることから、上記
の抵抗器にあっては、溶断特性の向上を図るために、第
三成分として鉄を含有せしめている。
解メッキ法にて得たニッケル−鉄−リン系金属皮膜が提
案されている（日本特公昭57−20687号公報）。周知の
とおりニッケル−リン合金皮膜は優れた抵抗温度係数
（TCR）を誇るのであるが、ニッケル−リンのみの合金
皮膜では溶断に要する時間が大きくなることから、上記
の抵抗器にあっては、溶断特性の向上を図るために、第
三成分として鉄を含有せしめている。
ところが、ニッケル−リン合金皮膜に鉄を添加するこ
とで溶断時間は確かに短縮できるものの、この第三成分
として添加された鉄は、同時に合金皮膜の抵抗温度係数
（TCR）の劣化も招来することになったのである。即
ち、従来のニッケル−リン系合金皮膜抵抗器にあって
は、抵抗温度係数（TCR）の向上と溶断特性の向上とを
同時に達成することはできず、どちらかの特性劣化には
目を瞑るより他なかったのである。
とで溶断時間は確かに短縮できるものの、この第三成分
として添加された鉄は、同時に合金皮膜の抵抗温度係数
（TCR）の劣化も招来することになったのである。即
ち、従来のニッケル−リン系合金皮膜抵抗器にあって
は、抵抗温度係数（TCR）の向上と溶断特性の向上とを
同時に達成することはできず、どちらかの特性劣化には
目を瞑るより他なかったのである。
そこで、本発明は、鉄などの第三成分を含まずとも低
い抵抗温度係数（TCR）特性を保ちながら、優れた溶断
特性を発揮するニッケル−リン系合金皮膜抵抗器と、こ
の抵抗器の製造方法を提供することを目的とする。
い抵抗温度係数（TCR）特性を保ちながら、優れた溶断
特性を発揮するニッケル−リン系合金皮膜抵抗器と、こ
の抵抗器の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、従来の無電解メッキ法に
よるニッケル−鉄−リン合金皮膜抵抗器に特徴的に見ら
れる、溶断直前における電流上昇現象が殆どないニッケ
ル−鉄−リン合金皮膜抵抗器と、この抵抗器の製造方法
を提供することにある。
よるニッケル−鉄−リン合金皮膜抵抗器に特徴的に見ら
れる、溶断直前における電流上昇現象が殆どないニッケ
ル−鉄−リン合金皮膜抵抗器と、この抵抗器の製造方法
を提供することにある。
発明の開示
本発明は、陶磁器等の電気絶縁性基体に対し、エッチ
ング処理、活性化処理、及び無電解メッキ処理を順次行
って当該電気絶縁性基体の表面に導電性を付与した後
に、無電解メッキ法ではなく電解メッキ法という電気化
学的処理を施すことによって、ニッケル−リン合金皮膜
あるいはニッケル−鉄−リン合金皮膜を形成せしめる加
工手段を採用した。電解メッキ法を用いているので、絶
縁性基体の表面中央付近における合金皮膜は、角部や稜
線部よりも薄く成膜されることになり、過負荷印加時に
は、この膜厚の薄い部分が好適な溶断開始部位となる。
ング処理、活性化処理、及び無電解メッキ処理を順次行
って当該電気絶縁性基体の表面に導電性を付与した後
に、無電解メッキ法ではなく電解メッキ法という電気化
学的処理を施すことによって、ニッケル−リン合金皮膜
あるいはニッケル−鉄−リン合金皮膜を形成せしめる加
工手段を採用した。電解メッキ法を用いているので、絶
縁性基体の表面中央付近における合金皮膜は、角部や稜
線部よりも薄く成膜されることになり、過負荷印加時に
は、この膜厚の薄い部分が好適な溶断開始部位となる。
図面の簡単な説明
第１図は、本発明に係るニッケル−リン系合金皮膜抵
抗器を説明する断面図であり、第２図は本発明に係るニ
ッケル−リン系合金皮膜抵抗器の溶断特性図であり、第
３図は従来の無電解メッキ法にて得たニッケル−リン系
合金皮膜抵抗器の溶断特性図である。
抗器を説明する断面図であり、第２図は本発明に係るニ
ッケル−リン系合金皮膜抵抗器の溶断特性図であり、第
３図は従来の無電解メッキ法にて得たニッケル−リン系
合金皮膜抵抗器の溶断特性図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明を第１〜第４実施例に基づいて詳しく説
述する。
述する。
『第１実施例』
まず、セラミック基体１（外径4.5mm、長さ14.0mm）
を、フッ酸及び硝酸、或いはフッ酸のみから成るエッチ
ング液に浸漬しエッチング処理し、次いで塩化第一錫お
よび塩酸を含むセンシタイジング液に浸漬して増感処理
を施し、更に塩化パラジウムおよび塩酸を含むアクチベ
イチング液に浸漬して活性化処理を行う。次いで、下地
メッキとして無電解メッキ法にてニッケル−リン合金メ
ッキを施し、上記セラミック基体１に導電性を付与す
る。
を、フッ酸及び硝酸、或いはフッ酸のみから成るエッチ
ング液に浸漬しエッチング処理し、次いで塩化第一錫お
よび塩酸を含むセンシタイジング液に浸漬して増感処理
を施し、更に塩化パラジウムおよび塩酸を含むアクチベ
イチング液に浸漬して活性化処理を行う。次いで、下地
メッキとして無電解メッキ法にてニッケル−リン合金メ
ッキを施し、上記セラミック基体１に導電性を付与す
る。
上記の常法にて前処理を施したセラミック基体１を、
硫酸ニッケルとしてニッケル 0.571モル/l
塩化ニッケルとしてニッケル 0.337モル/l
燐酸 0.204モル/l
亜燐酸 0.244モル/l
硼酸（緩衝剤） 0.647モル/l
から成るメッキ液に浸漬し、液温50℃、pH1.5、電流
密度0.5A/dm2にて540分間、電解メッキ処理を施したと
ころ、セラミック基体１表面にニッケル87wt％、リン13
wt％のニッケル−リン合金皮膜２が形成された。
密度0.5A/dm2にて540分間、電解メッキ処理を施したと
ころ、セラミック基体１表面にニッケル87wt％、リン13
wt％のニッケル−リン合金皮膜２が形成された。
セラミック基体１円柱面の中央部11における膜厚;20
μｍ、 円柱面の両端部12における膜厚;38
μｍであった。
μｍ、 円柱面の両端部12における膜厚;38
μｍであった。
次いで、210℃にて熱処理を180分間行なった後、抵抗
体にエンドキャップ付け、溝切り処理、及び保護塗装を
順次施して、抵抗値40mΩ、電気容量2W、抵抗温度係数
（TCR）50ppm/℃のニッケル−リン合金皮膜抵抗器を製
作した。
体にエンドキャップ付け、溝切り処理、及び保護塗装を
順次施して、抵抗値40mΩ、電気容量2W、抵抗温度係数
（TCR）50ppm/℃のニッケル−リン合金皮膜抵抗器を製
作した。
『第２実施例』
第１実施例と同様な前処理を行なうことによって、導
電性を付与したセラミック基体１を、 スルファミン酸ニッケルとしてニッケル1.394モル/
l 塩化ニッケルとしてニッケル 0.021モル/l 燐酸 0.204モル/l 亜燐酸 0.244モル/l 硼酸（緩衝剤） 0.645モル/l から成るメッキ液に浸漬し、液温50℃、pH1.5、電流
密度1A/dm2にて270分間、電解メッキ処理を施したとこ
ろ、セラミック基体１表面にニッケル89wt％、リン11wt
％のニッケル−リン合金皮膜が形成された。
電性を付与したセラミック基体１を、 スルファミン酸ニッケルとしてニッケル1.394モル/
l 塩化ニッケルとしてニッケル 0.021モル/l 燐酸 0.204モル/l 亜燐酸 0.244モル/l 硼酸（緩衝剤） 0.645モル/l から成るメッキ液に浸漬し、液温50℃、pH1.5、電流
密度1A/dm2にて270分間、電解メッキ処理を施したとこ
ろ、セラミック基体１表面にニッケル89wt％、リン11wt
％のニッケル−リン合金皮膜が形成された。
セラミック基体１円柱面の中央部11における膜厚;12
μｍ、 円柱面の両端部12における膜厚;22
μｍであった。
μｍ、 円柱面の両端部12における膜厚;22
μｍであった。
次いで、210℃にて熱処理を180分間行なった後、抵抗
体にエンドキャップ付け、溝切り処理、及び保護塗装を
順次施し、抵抗値100mΩ、電気容量2W、抵抗温度係数
（TCR）65ppm/℃のニッケル−リン合金皮膜抵抗器を製
作した。
体にエンドキャップ付け、溝切り処理、及び保護塗装を
順次施し、抵抗値100mΩ、電気容量2W、抵抗温度係数
（TCR）65ppm/℃のニッケル−リン合金皮膜抵抗器を製
作した。
『第３実施例』
第１実施例と同様な前処理を行なうことによって、導
電性を付与したセラミック基体１を、 硫酸ニッケルとしてニッケル 0.571モル/l 塩化ニッケルとしてニッケル 0.337モル/l 硫酸第一鉄として鉄 0.164モル/l 燐酸 0.204モル/l 亜燐酸 0.244モル/l 硼酸（緩衝剤） 0.484モル/l から成るメッキ液に浸漬し、液温50℃、pH1.5、電流
密度0.5A/dm2にて540分間、電解メッキ処理を施したと
ころ、セラミック基体１表面にニッケル87wt％、リン10
wt％、鉄3wt％のニッケル−鉄−リン合金皮膜が形成さ
れた。
電性を付与したセラミック基体１を、 硫酸ニッケルとしてニッケル 0.571モル/l 塩化ニッケルとしてニッケル 0.337モル/l 硫酸第一鉄として鉄 0.164モル/l 燐酸 0.204モル/l 亜燐酸 0.244モル/l 硼酸（緩衝剤） 0.484モル/l から成るメッキ液に浸漬し、液温50℃、pH1.5、電流
密度0.5A/dm2にて540分間、電解メッキ処理を施したと
ころ、セラミック基体１表面にニッケル87wt％、リン10
wt％、鉄3wt％のニッケル−鉄−リン合金皮膜が形成さ
れた。
セラミック基体１円柱面の中央部11における膜厚;16
μｍ、 円柱面の両端部12における膜厚;30
μｍであった。
μｍ、 円柱面の両端部12における膜厚;30
μｍであった。
次いで、210℃にて熱処理を180分間行なった後、抵抗
体にエンドキャップ付け、溝切り処理、及び保護塗装を
順次施し、抵抗値66mΩ、電気容量2W、抵抗温度係数（T
CR）100ppm/℃のニッケル−鉄−リン合金皮膜抵抗器を
製作した。
体にエンドキャップ付け、溝切り処理、及び保護塗装を
順次施し、抵抗値66mΩ、電気容量2W、抵抗温度係数（T
CR）100ppm/℃のニッケル−鉄−リン合金皮膜抵抗器を
製作した。
『第４実施例』
第１実施例と同様な前処理を行なうことによって、導
電性を付与したセラミック基体１を、 スルファミン酸ニッケルとしてニッケル1.394モル/
l 塩化ニッケルとしてニッケル 0.021モル/l 硫酸第一鉄として鉄 0.164モル/l 燐酸 0.204モル/l 亜燐酸 0.244モル/l 硼酸（緩衝剤） 0.645モル/l から成るメッキ液に浸漬し、液温50℃、pH1.5、電流
密度1A/dm2にて270分間、電解メッキ処理を施したとこ
ろ、セラミック基体１表面にニッケル88wt％、リン9wt
％、鉄3wt％のニッケル−鉄−リン合金皮膜が形成され
た。
電性を付与したセラミック基体１を、 スルファミン酸ニッケルとしてニッケル1.394モル/
l 塩化ニッケルとしてニッケル 0.021モル/l 硫酸第一鉄として鉄 0.164モル/l 燐酸 0.204モル/l 亜燐酸 0.244モル/l 硼酸（緩衝剤） 0.645モル/l から成るメッキ液に浸漬し、液温50℃、pH1.5、電流
密度1A/dm2にて270分間、電解メッキ処理を施したとこ
ろ、セラミック基体１表面にニッケル88wt％、リン9wt
％、鉄3wt％のニッケル−鉄−リン合金皮膜が形成され
た。
セラミック基体１円柱面の中央部11における膜厚;9μ
ｍ、 円柱面の両端部12における膜厚;15
μｍであった。
ｍ、 円柱面の両端部12における膜厚;15
μｍであった。
次いで、210℃にて熱処理を180分間行なった後、抵抗
体にエンドキャップ付け、溝切り処理、及び保護塗装を
順次施し、抵抗値150mΩ、電気容量2W、抵抗温度係数
（TCR）125ppm/℃のニッケル−鉄−リン合金皮膜抵抗器
を製作した。
体にエンドキャップ付け、溝切り処理、及び保護塗装を
順次施し、抵抗値150mΩ、電気容量2W、抵抗温度係数
（TCR）125ppm/℃のニッケル−鉄−リン合金皮膜抵抗器
を製作した。
以上、第１実施例〜第４実施例で記載したように、本
発明にあってはニッケル−リン系合金皮膜を電解メッキ
法にて形成しているので、メッキ浴槽中におけるメッキ
電流密度の高低によって、セラミック基体１の角稜部分
には、他の部分よりも厚く成膜されることになる。電解
メッキ法を利用する分野において、この電着の不均一性
は忌避されるのであるが、本発明にあっては、発想の転
換を行ってこの電着不均一性を積極的に利用するのであ
る。上記実施例のように円柱形状のセラミック基体１に
電解メッキ処理を施す場合には、柱面中央部11（第１図
参照）付近の膜厚が最も薄くなる。この膜厚の薄い部分
が、溶断開始の好適なきっかけ部分となるのである。ま
た、この柱面中央部11は抵抗値調整のための溝切り処理
される部位でもあり、膜厚が薄い分この溝切り処理も容
易に行うことができる。
発明にあってはニッケル−リン系合金皮膜を電解メッキ
法にて形成しているので、メッキ浴槽中におけるメッキ
電流密度の高低によって、セラミック基体１の角稜部分
には、他の部分よりも厚く成膜されることになる。電解
メッキ法を利用する分野において、この電着の不均一性
は忌避されるのであるが、本発明にあっては、発想の転
換を行ってこの電着不均一性を積極的に利用するのであ
る。上記実施例のように円柱形状のセラミック基体１に
電解メッキ処理を施す場合には、柱面中央部11（第１図
参照）付近の膜厚が最も薄くなる。この膜厚の薄い部分
が、溶断開始の好適なきっかけ部分となるのである。ま
た、この柱面中央部11は抵抗値調整のための溝切り処理
される部位でもあり、膜厚が薄い分この溝切り処理も容
易に行うことができる。
『溶断試験』
上記実施例により得られたニッケル−リン系合金皮膜
抵抗器について行なった溶断試験の結果を第２図に示
す。なお、第３図は従来の無電解メッキ法によるニッケ
ル−リン系合金皮膜抵抗器の溶断結果である。
抵抗器について行なった溶断試験の結果を第２図に示
す。なお、第３図は従来の無電解メッキ法によるニッケ
ル−リン系合金皮膜抵抗器の溶断結果である。
第２図は、容量2W（外径4.5mm、長さ14.0mm）の、第
１実施例のニッケル−リン合金皮膜抵抗器、及び第３実
施例のニッケル−鉄−リン合金皮膜抵抗器へ各々定格電
力の15倍の直流電圧を連続印加し、各抵抗器が完全断線
するまでの時間を、電流変化と共にみたものである。
１実施例のニッケル−リン合金皮膜抵抗器、及び第３実
施例のニッケル−鉄−リン合金皮膜抵抗器へ各々定格電
力の15倍の直流電圧を連続印加し、各抵抗器が完全断線
するまでの時間を、電流変化と共にみたものである。
第２図と第３図を比較して明らかなように、本発明に
係るニッケル−リン合金皮膜抵抗器およびニッケル−鉄
−リン合金皮膜抵抗器にあっては、印加電圧が定格電力
の15倍と異常電圧として低い場合でも、従来抵抗器に比
べその溶断時間が格段に短縮し、電気回路に悪影響を与
えることはない。しかも、従来の無電解メッキ法による
ニッケル−鉄−リン合金皮膜抵抗器において一般に見ら
れる溶断直前における電流上昇（定格電流の1.6〜2.5
倍）現象も殆ど無くなり、瞬間的にみても電気回路に悪
影響を及ぼすことはないのである。
係るニッケル−リン合金皮膜抵抗器およびニッケル−鉄
−リン合金皮膜抵抗器にあっては、印加電圧が定格電力
の15倍と異常電圧として低い場合でも、従来抵抗器に比
べその溶断時間が格段に短縮し、電気回路に悪影響を与
えることはない。しかも、従来の無電解メッキ法による
ニッケル−鉄−リン合金皮膜抵抗器において一般に見ら
れる溶断直前における電流上昇（定格電流の1.6〜2.5
倍）現象も殆ど無くなり、瞬間的にみても電気回路に悪
影響を及ぼすことはないのである。
以上、説明したように、本発明に係るニッケル−リン
系合金皮膜抵抗器にあっては、電解メッキ法を用いて局
所的に薄い部分をもつニッケル−リン系合金皮膜を積極
的に形成しているので、過負荷印加時にはこの膜厚の薄
い部分において容易に溶断が開始されることになる。従
って、従来のように、合金皮膜に鉄などの第三成分を含
有せしめる必要もないので、抵抗温度係数（TCR）の劣
化を伴うことなく、また溶断直前の電流上昇も殆ど現象
させずに速やかに溶断するニッケル−リン系合金皮膜抵
抗器を提供することができる。
系合金皮膜抵抗器にあっては、電解メッキ法を用いて局
所的に薄い部分をもつニッケル−リン系合金皮膜を積極
的に形成しているので、過負荷印加時にはこの膜厚の薄
い部分において容易に溶断が開始されることになる。従
って、従来のように、合金皮膜に鉄などの第三成分を含
有せしめる必要もないので、抵抗温度係数（TCR）の劣
化を伴うことなく、また溶断直前の電流上昇も殆ど現象
させずに速やかに溶断するニッケル−リン系合金皮膜抵
抗器を提供することができる。
なお、本発明方法を利用しさらに鉄を含有させるよう
にすれば、抵抗温度係数（TCR）は若干悪化することに
なるが、第２図に示すように完全溶断に要する時間は更
に短縮されることになる。
にすれば、抵抗温度係数（TCR）は若干悪化することに
なるが、第２図に示すように完全溶断に要する時間は更
に短縮されることになる。
産業上の利用可能性
以上のように、本発明に係るヒューズ機能を有する金
属皮膜抵抗器にあっては、優れた抵抗温度係数（TCR）
を保証すると同時に、過負荷印加時の溶断特性にも大変
優れているので、安全性が重視される電気・電子機器に
用いる抵抗器として有用であり、優れた抵抗温度係数
（TCR）を示すことから、特に各種精密計測器等に用い
る精密抵抗体として最適である。
属皮膜抵抗器にあっては、優れた抵抗温度係数（TCR）
を保証すると同時に、過負荷印加時の溶断特性にも大変
優れているので、安全性が重視される電気・電子機器に
用いる抵抗器として有用であり、優れた抵抗温度係数
（TCR）を示すことから、特に各種精密計測器等に用い
る精密抵抗体として最適である。
また、本発明に係るヒューズ機能を有する金属皮膜抵
抗器の製造方法にあっては、電解メッキ法を利用してい
るので、多少の浴管理は必要であるけれども、電流値、
時間に比例した成膜を行うことができる。電流値等を調
節することによって、低抵抗領域（0.02オーム以下）か
ら高抵抗領域（１オーム以上）までの抵抗器製作が可能
であり、抵抗温度係数（TCR）等の電気特性と溶断特性
とを兼備した所望の抵抗値のニッケル−リン系合金皮膜
抵抗器の製法として極めて有用である。
抗器の製造方法にあっては、電解メッキ法を利用してい
るので、多少の浴管理は必要であるけれども、電流値、
時間に比例した成膜を行うことができる。電流値等を調
節することによって、低抵抗領域（0.02オーム以下）か
ら高抵抗領域（１オーム以上）までの抵抗器製作が可能
であり、抵抗温度係数（TCR）等の電気特性と溶断特性
とを兼備した所望の抵抗値のニッケル−リン系合金皮膜
抵抗器の製法として極めて有用である。
Claims (6)
- 【請求項１】（補正後）陶磁器等の電気絶縁性基体
（１）に、電解メッキ処理によって、当該電気絶縁性基
体（１）の角部および又は稜部における膜厚が他の部分
の膜厚よりも大きなニッケル−リン合金皮膜を形成さ
せ、このニッケル−リン合金皮膜の薄膜部位に容溶断性
を持たせたことを特徴とするヒューズ機能を有する金属
皮膜抵抗器。 - 【請求項２】（補正後）陶磁器等の電気絶縁性基体
（１）に、電解メッキ処理によって、当該電気絶縁性基
体（１）の角部および又は稜部における膜厚が他の部分
の膜厚よりも大きなニッケル−鉄−リン合金皮膜を形成
させ、このニッケル−鉄−リン合金皮膜の薄膜部位に容
溶断性を持たせたことを特徴とするヒューズ機能を有す
る金属皮膜抵抗器。 - 【請求項３】陶磁器等の電気絶縁性基体（１）に対し、
エッチング処理、活性化処理、及び無電解メッキ処理を
順次行なうことによって当該電気絶縁性基体（１）の表
面に導電性を付与した後、電解メッキ処理にてニッケル
−リン合金皮膜を形成せしめることを特徴とするヒュー
ズ機能を有する金属皮膜抵抗器の製造方法。 - 【請求項４】陶磁器等の電気絶縁性基体（１）に対し、
エッチング処理、活性化処理、及び無電解メッキ処理を
順次行なうことによって当該電気絶縁性基体（１）の表
面に導電性を付与した後、 この導電性を付与した電気絶縁基体（１）を、ニッケル
塩としてニッケル0.5〜4.0モル/lと燐酸あるいは亜燐酸
あるいは次亜燐酸0.1〜1.5モル/lと硼酸0.2〜1.5モル/l
とを含むpH0.5〜5.5、液温20〜70℃のメッキ液に浸漬し
電流密度0.1〜10A/dm2にて電解メッキ処理を行なうこと
によって、電気絶縁基体（１）表面にニッケル−リンの
合金皮膜を形成せしめ、 次いで熱エージング処理を施すことを特徴とするヒュー
ズ機能を有する金属皮膜抵抗器の製造方法。 - 【請求項５】陶磁器等の電気絶縁性基体（１）に対し、
エッチング処理、活性化処理、及び無電解メッキ処理を
順次行なうことによって当該電気絶縁性基体（１）の表
面に導電性を付与した後、電解メッキ処理にてニッケル
−鉄−リン合金皮膜を形成せしめることを特徴とするヒ
ューズ機能を有する金属皮膜抵抗器の製造方法。 - 【請求項６】陶磁器等の電気絶縁性基体（１）に対し、
エッチング処理、活性化処理、及び無電解メッキ処理を
順次行なうことによって当該電気絶縁性基体（１）の表
面に導電性を付与した後、 この導電性を付与した電気絶縁基体（１）を、ニッケル
塩としてニッケル0.5〜4.0モル/lと鉄塩として鉄0.001
〜1.0モル/lと燐酸あるいは亜燐酸あるいは次亜燐酸0.1
〜1.5モル/lと硼酸0.2〜1.5モル/lとを含むpH0.5〜5.
5、液温20〜70℃のメッキ液に浸漬し電流密度0.1〜20A/
dm2にて電解メッキ処理を行なうことによって電気絶縁
基体（１）表面にニッケル−鉄−リンの合金皮膜を形成
せしめ、 次いで熱エージング処理を施すことを特徴とするヒュー
ズ機能を有する金属皮膜抵抗器の製造方法。
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