JP3494594B2 - 圧力検出器の取付け構造 - Google Patents

圧力検出器の取付け構造

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JP3494594B2
JP3494594B2 JP22236799A JP22236799A JP3494594B2 JP 3494594 B2 JP3494594 B2 JP 3494594B2 JP 22236799 A JP22236799 A JP 22236799A JP 22236799 A JP22236799 A JP 22236799A JP 3494594 B2 JP3494594 B2 JP 3494594B2
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    • G01L19/147Details about the mounting of the sensor to support or covering means

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、主としてセンサー
チップ(感圧素子)を利用した圧力検出器の取付け構造
の改良に関するものであり、半導体製造設備に於ける強
腐食性ガスの供給系等で主に使用されるものである。
【0002】
【従来の技術】管路内の流体圧の検出には従前からセン
サーチップ(感圧素子)やストレンゲージを利用したダ
イヤフラム型の圧力検出器が広く利用されている。図9
及び図10はダイヤフラム型圧力検出器の構造の一例を
示すものであり、本件出願人が特開平10−82070
7号及び特願平10−008841号として公開してい
るものである。即ち、図9及び図10に於いて、1はセ
ンサーベース、2はセンサーチップ(感圧素子)、3は
ダイヤフラム、4はダイヤフラムベース、5は圧力伝達
用媒体(シリコンオイル)、6は封止用ボール、7はリ
ードピン、8は溶接部、10は流体圧であり、流体圧1
0がダイヤフラム3及び圧力伝達用媒体5を介してセン
サーチップ2へ加わると、センサーチップ2を形成する
半導体圧力トランスジューサから圧力に比例した電圧信
号が、リードピン7を通して外部へ出力される。
【0003】図11及び図12は、前記図9及び図10
に示したダイヤフラム型圧力検出器の管路等への取付け
構造の一例を示すものであり、また、図13は図12の
A部の拡大断面図である。図11乃至図13に於いて、
11は取付具本体、12・13は押え部材、14はベア
リング、15・16は固定具、17はメタルガスケット
であり、押え部材12・13に加えた押圧力により、メ
タルガスケット17を介してダイヤフラムベース4と取
付具本体11との間の気密性が保持されている。
【0004】前記図9及び図10に示した構造のダイヤ
フラム型圧力検出器は、管路等へ取付けした状態に於け
る所謂デッドスペースを極めて小さくすることができ、
ガスの置換性を高める上で好都合なだけでなく、ダイヤ
フラム3の接ガス面に所望の不働態膜を比較的容易に、
しかも斑の無い均一な厚みに形成することができ、優れ
た実用的効用を奏するものである。しかし、当該ダイヤ
フラム型圧力検出器にも解決すべき問題が多く残されて
おり、その中でも最も大きな問題は、管路等へ取付けし
た場合におけるダイヤフラム3の応力歪等に起因する測
定値の変動の点である。
【0005】即ち、圧力の検出感度を高めるため、ダイ
ヤフラム3の厚みは0.05〜0.06mm程度の極薄
に選定されている。その結果、図11に示すような形態
でもって、ダイヤフラムベース4の本体部下面4fへガ
スケット17の接当面を当てた場合には、固定ボルト1
5による締込み時にダイヤフラム3に生じる応力歪みが
不可避となり、これによってシリコンオイル5を介して
センサー素子2にかかる応力が大きく変化することにな
る。例えば、ダイヤフラム3の厚さ‥0.05〜0.0
6mm、内径約‥10mmφ、検出圧力‥数Torr〜
7kgf/cm2 absの圧力検出器を用いた試験によ
れば、ダイヤフラム3に加わる圧力PがPS =7kgf
/cm2 abs程度の高圧力の場合には、圧力検出器を
圧力検出器取付具本体11へ組み付けたときでも、圧力
検出器がフリーな状態下にある場合に比較して出力VS
(mv)及び温度特性STC(%FS/℃)に大きな差
異は見られない。
【0006】しかし、ダイヤフラム3に加わる圧力Pが
低圧、例えば圧力P0 =0kgf/cm2 absのとき
には、圧力検出器の組み付けにより出力V0 に5.2m
v(組み付け前の出力16.66mv、組み付け後の出
力21.86mv)以上の大きな変動が表れると共に、
温度特性ZTC(%FS/℃)の値も0.162〜0.
719のように大きく変動する。即ち、出力の点からは
測定値のバラツキが大き過ぎるうえ、温度特性の点でも
補償可能な範囲外の大きな変動となり、圧力検出器とし
ての実用化に問題がある。
【0007】これに対して、ダイヤフラムベース4の外
周縁部の形態を図10の如き形態とし、図13に示すよ
うに、ダイヤフラムベース4の本体部外周面4dとメタ
ルガスケット17の内周面17dとを非接触の状態とし
て締付け固定した場合には、圧力P0 =0kgf/cm
absに於ける組み付け前・後の出力変動量△V0
を±約3.5mv以下に引下げることができる。同様
に、温度特性ZTC(%FS/℃)の方も0.052〜
0.259の範囲内の値となり、現実の管路等へ当該圧
力検出器を組み付けても、所定の校正操作により十分実
用化に対応することができる。
【0008】尚、図12及び図13の圧力検出器の取付
け構造に於いて、組み付け前後の出力変動量△V0 が小
さくなるのは、ダイヤフラムベース4に設けた鍔部4a
の下面4cと、ダイヤフラムベース4の厚肉(約2m
m)の本体部4bの外周面4dとの間にガスケット17
が配設されており、且つガスケット17の内周面17d
と本体部4bの外周面4dとは非接触の状態となってい
るため、センサー押え部材13によって下方向の押圧力
がセンサーベース1及びダイヤフラムベース4を介して
ガスケット17にかかっても、ガスケット17の上・下
方向の反力は全てダイヤフラムベース4の鍔部4aによ
って受け止められ、ダイヤフラムベース4の本体部4b
に一体的に形成したダイヤフラム3には、締め込み時の
歪み応力が殆どかからないからである。
【0009】しかし、前記圧力検出器の組み付け前後の
出力変動量△V0 や温度特性ZTC(%FS/℃)等は
小さいほど好都合であり、前記図13の如き構造の組み
付けに於いても、未だ出力変動量△V0 が大き過ぎると
云う難点がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記特開平
10−82707号や特願平10−8841号に開示し
た図9〜図13に示す如き構成のダイヤフラム型圧力検
出器を、実際に配管路等へ適用した場合に於ける上述の
如き問題、即ち圧力検出器を圧力検出器取付具本体へ組
み込みした場合に生ずるダイヤフラムの応力歪みのバラ
ツキにより、出力や温度特性に大きな変動が生じて圧力
測定器の測定精度が低下すると云う問題を解決せんとす
るものであり、圧力検出器取付具本体への圧力検出器の
取付け構造に改良を加えることにより、取付具本体へ圧
力検出器を固定した場合に於いても、出力や温度特性が
フリーの状態下に於ける出力や温度特性と殆んど差異を
生せず、しかも流体通路のデッドスペースの増加を招く
ことなしに圧力検出器を配管路等へ適用できるようにす
ることを、発明の主たる目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項の発明は、ダイ
ヤフラムを備えたダイヤフラムベースと、前記ダイヤフ
ラムベースの変位により作動するセンサー素子を内蔵し
たセンサーベースとを組み合せ固着して成る圧力検出器
を、配管路や機械装置に取付けした取付具本体の挿着孔
内へガスケットを介設して挿着し、上方より内へ挿入し
た押え部材により圧力検出器を気密状に押圧固定するよ
うにした圧力検出器の取付け構造に於いて、前記取付具
本体11の挿着孔11aの下方部に第1段部19と第2
段部20を設け、当該第2段部20の水平面20bとガ
スケット17の下部接当面17bの間をシール部とし、
また前記圧力検出器のセンサーベース1及びダイヤフラ
ムベース4の上方部に鍔部1a及び鍔部4aを設け、両
鍔部1a、4aを対向状に組み合せ固着すると共に、前
記ダイヤフラムベース4の鍔部4aの下面4cとガスケ
ット17の上部接当面17aの間をシール部とし、更
に、前記センサーベース1の鍔部上面1bの内側位置に
浅溝18cを、ダイヤフラムベース4の鍔部下面4cの
内側位置に浅溝18dを夫々リング状に形成すると共
に、前記ガスケット17を断面形状がほぼ矩形の上部接
当面17aと下部接当面17bを備えた金属製ガスケッ
ト13とし、押え部材13によるセンサーベース1の鍔
部上面1bの押圧により生じた歪を浅溝18c、18b
により吸収するようにしたことを、発明の基本構成とす
るものである。
【0012】請求項の発明は、ダイヤフラムを備えた
ダイヤフラムベースと、前記ダイヤフラムベースの変位
により作動するセンサー素子を内蔵したセンサーベース
とを組み合せ固着して成る圧力検出器を、配管路や機械
装置に取付けした取付具本体の挿着孔内へガスケットを
介設して挿着し、上方より挿着孔内へ挿入した押え部材
により圧力検出器を気密状に押圧固定するようにした圧
力検出器の取付け構造に於いて、前記取付具本体11の
挿着孔11aの下方部に第1段部19と第2段部20を
設け、当該第2段部20の水平面20bとガスケット1
7の下部接当面17bの間をシール部とし、また前記圧
力検出器のセンサーベース1に鍔部1aを設け、当該鍔
部1aとダイヤフラムベース4の本体部上面4eとを対
向状に組み合せ固着すると共に、ダイヤフラムベース4
の本体部下面4fより下方へ突出せしめてシール面4g
を形成し、当該シール面4gとガスケット17の上部接
当面17aの間をシール部とし、更に、前記センサーベ
ース1の鍔部1aの上面1bの内側位置に浅溝18e
を、ダイヤフラムベース4の本体部下面4fの内側位置
に浅溝18fを、下方へ突出せしめたシール面4gの上
方位置に対向状浅溝18g、18hを夫々リング状に形
成すると共に、前記ガスケット17を断面形状がほぼ矩
形の上部接当面17aと下部接当面17bを備えた金属
製ガスケット13とし、押え部材13によるセンサーベ
ース1の鍔部上面1bの押圧により生じた歪を浅溝18
e、18f、18g、18hにより吸収するようにした
ことを、発明の基本構成とするものである。
【0013】請求項の発明は、請求項又は請求項
の発明に於いて、センサーベース1の鍔部1aの外周部
分24及びダイヤフラムベース4の本体部4bの外周部
分25を高硬度を有する材質としたものである。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の各
実施態様を説明する。図1は本発明の第1実施態様に係
る圧力検出器の断面概要図であり、図2は第1実施態様
に係る圧力検出器の取付構造を示す部分拡大断面図であ
る。尚、以下の説明に於いて、前記図9乃至図13に於
いて使用した部材と同じ部材には、これと同一の参照番
号を使用するものとする。
【0015】図1乃至図2に於いて、1はセンサーベー
ス、2はセンサーチップ、3はダイヤフラム、4はダイ
ヤフラムベース、5は圧力伝達用媒体、7はリードピ
ン、8は溶接部、10は取付具本体、12は押え部材、
14はベアリング、15は固定具、17はメタルガスケ
ットである。前記センサーベース1はステンレス鋼から
厚円盤状に形成されており、下面中央にはチップ収納部
1cが形成されており、更にオイル注入孔1d及びリー
ドピン貫挿孔(図示省略)が形成されている。また、前
記センサーチップ(感圧素子)には、公知の拡散形半導
体圧力トランスジューサが使用されている。即ち、セン
サーチップ2は圧力を受けると変形をするダイヤフラム
構造を有しており、これにICと同じ製法で4本の抵抗
体が形成されていて、ブリッジ状に接続された4本の抵
抗の抵抗値が加圧によって変化することにより、圧力に
比例した電圧信号がブリッジの出力端に出力される。
【0016】前記ダイヤフラム3はダイヤフラムベース
4と一体的に形成されており、ステンレス鋼を用いて厚
さ約50μm、内径約10mmφに形成されている。当
該ダイヤフラム3の厚さは検出器の検出圧力範囲に応じ
て適宜に変るものであり、数torrから7kgf/c
2 の絶対圧力値の測定を目的とする本実施態様の圧力
検出器では、φ=10mmのダイヤフラム3の厚さを5
0μm程度とするのが望ましい。尚、ダイヤフラム3を
ダイヤフラムベース4と別に形成し、両者を溶接により
一体化することも可能である。また、当該ダイヤフラム
3の接ガス面には、公知の方法により所謂不働態膜の形
成処理が施されており、接ガス面の外表層部には厚さ約
200Åの略100%酸化クロムから成る不働態膜又は
厚さ約1000〜3000Åの弗化不働態膜若しくは厚
さ約200Åの主としてアルミニウム酸化物とクロム酸
化物の混合酸化不働態膜が形成されている。
【0017】前記圧力伝達用媒体であるシリコンオイル
5はダイヤフラム3に加わった圧力10をセンサーチッ
プ2へ伝達する。尚、ここでは温度膨張係数や圧縮係数
が小さく且つ化学的にも安定したシリコンオイルが使用
されている。前記封止用ボール6は、オイル注入孔1d
内のシリコンオイル5を密封するためのものであり、こ
こでは軸受鋼のボール6が使用されている。上記ダイヤ
フラム型圧力検出器の構成そのものは公知であるため、
ここではその詳細な説明は省略する。
【0018】本発明で使用するダイヤフラム型圧に於い
ては、図1に示すように、ダイヤフラムベース4の本体
部4bの上面4eと下面4fとに所謂歪み逃し用の浅溝
18a、18bがリング状に形成されている。即ち、当
該浅溝18a、18bは、押え部材12及びメタルガス
ケット17の接当部分よりも内側位置に夫々形成されて
おり、その断面形状はV字形(逆V形)又はU字形(逆
U字形)に、またその深さは、ダイヤフラムベース4の
厚みが1.5〜2.5mmの場合、約0.3〜0.5m
mに選定されている。
【0019】図2に於いて、固定具15が締め込まれる
と、押え部材12及びメタルガスケット17を介してダ
イヤフラムベース4の本体部4bの外側部分に上・下方
向の圧縮力(上・下方向の反力)が掛かる。万一、固定
具15の締め込み時に、このダイヤフラムベース4の本
体部4bにかかる上・下方向の圧縮力が原因となって、
ダイヤフラム3に歪力(例えば、上・下方向の圧縮力の
分力が生じて、これがダイヤフラム3に掛ったような場
合)が加わる場合でも、前記ダイヤフラムベース4の本
体部上面4e及び本体部下面4fに対向状に設けた浅溝
18a、18bによりこの部分Pの肉厚が薄くなってい
るため、歪力による変位は前記薄肉部Pの近傍に於いて
吸収される。これにより、歪力が直接にダイヤフラム3
へ伝達されなくなり、結果としてダイヤフラム3に歪み
が生ずるのが防止されることになる。
【0020】図3及び図4は本発明の第2実施態様に係
る圧力検出器の断面概要図及びその取付構造を示す部分
拡大断面図である。当該第2実施態様に於いては、セン
サーベース1とダイヤフラムベース4の上方部に夫々鍔
部1aと鍔部4aとが形成されており、両鍔部1a、4
aを対向せしめた状態でその外周部が溶接8されてい
る。又、前記ダイヤフラムベース4は、リング状の本体
部4bと鍔部4aとから形成されており、鍔部4aの下
面4cが、第4図に示すようにガスケット17の上部接
当面17aと当接するシール面になっている。従って、
鍔部4aの下面4cは高精度な平滑面に仕上げられてい
る。
【0021】更に、本第2実施態様に於いては、ダイヤ
フラムベース4の直径が13mmφ、ダイヤフラム受圧
面の直径11mmφ、ダイヤフラム3の厚さ0.06m
m、不働態膜が厚さ約200Åの酸化クロム皮膜、全厚
さ4mm、リードピン7本(内1本はアース極)に夫々
選定されており、入力回路(図示省略)へはDC1.5
mAが印加され、センサー素子(センサーチップ)に加
わる圧力が変化することにより、センサーチップより形
成した4ケの抵抗値が変わり、出力端子間の出力電圧V
が変化する。
【0022】本第2実施態様で用いる圧力検出器に於い
ては、図3に示すようにセンサーベース1の鍔部上面1
bの内側寄り位置と、ダイヤフラムベース4の鍔部下面
4cの内側寄り位置に夫々浅溝18c、18dが形成さ
れており、前者の浅溝18cの断面形状は皿形に、また
後者の浅溝18dは逆U字形(又は逆V字形)に形成さ
れている。
【0023】この第2実施態様に於いては、図4に示す
ように、ステンレス製の取付具本体11の挿着孔11a
内へメタルガスケット17及び圧力検出器を挿入し、固
定具16により押え部材13を介してセンサーベース1
の鍔部上面1bを押圧することにより、メタルガスケッ
ト17を介して圧力検出器が気密状に取り付けされる。
【0024】取付具本体11の上部中央には円筒形の検
出器挿着孔11aが形成されており、また、この挿着孔
11aの底部は第1段部19と第2段部20の2段に亘
って縮径されており、第1段部19の周壁面19aが押
え部材13のガイド面となっている。また、第2段部2
0の周壁面20aは、ガスケット17の外周面17c
に、水平面19bはガスケット17の下部接当面17b
に夫々接しており、周壁面20aと水平面20bにより
ガスケット17の嵌合部が形成されている。尚、第2段
部20の水平面20bの内側部分はテーパー部21に形
成されており、また挿入孔11aの底面の中央には、流
体通路22が穿設されている。
【0025】前記ガスケット17はリング状を呈してお
り、そのシート部の断面形状は矩形の四隅部を面取りし
た横長の四角形に形成されている。当該ガスケット17
の内周面17dは前記ダイヤフラムベース4の本体部4
bの外周面4dと非接触の状態となっている。また、ガ
スケット17の上部接当面17aはダイヤフラムベース
4の鍔部4aの下面4cへ接当している。更に、ガスケ
ット17の外周面17cは第2段部20の周壁面20a
へ接触した状態となっている。即ち、ダイヤフラムベー
ス4の鍔部下面4cと第2段部20の周壁面20aと水
平面20bとでガスケット17の嵌合部が形成されてお
り、検出器挿着孔11aの第2段部20の周壁面20a
と鍔部本体部の外周面4dとの間隔長さは、ガスケット
17の横幅長さとほぼ同じか、又は僅かに大きな長さに
設定されている。
【0026】尚、図4に於いては、ガスケット17は外
径14.7mmφ、内径13.0mm、シート部の横幅
1.5mm、シート部の厚さ(高さ)0.9mm、シー
ト部の接当面17a・17bの横幅0.8mmに夫々形
成されており、またガスケット17の材質としてはSU
S316L−P(wメルト)が使用されている。
【0027】前記浅溝18c・18dの作用は図2に示
した第1実施例の場合と同様であり、押え部材13を介
して加えられた上・下方向の圧縮力(反力)によって生
ずる歪力を両浅溝18c・18d及び両者の間の薄肉部
Pで吸収することにより、ダイヤフラム3へ直接に歪力
が加わるのが防止される。
【0028】図5及び図6は、本発明の第3実施態様に
係る圧力検出器の断面概要図及び取付構造を示す部分拡
大断面図である。当該第3実施態様に於いては、ダイヤ
フラム3とダイヤフラムベース4とが別個に形成されて
おり、溶接部23を設けることにより両者が一体化され
ている。また、当該第3実施態様に於いては、ダイヤフ
ラムベース4の下面側にシール面4gが、ダイヤフラム
3より下方位置まで突出せしめた状態(即ち、ダイヤフ
ラムベース4の本体部下面4fより下方へ突出せしめた
状態)で形成されており、この突出せしめたシール面4
gより上方のダイヤフラム取付レベルとほぼ水平な高さ
位置に、断面U字形(又はV字形)の浅溝18g・18
hが対向状に形成されている。更に、センサーベース1
の鍔部上面1bの内側寄り及びダイヤフラムベース4の
本体部下面4fの中間位置には夫々断面U字形(又はV
字形)の浅溝18e・18fが形成されている。
【0029】当該第3実施態様に於いては、前記浅溝1
8e・18fによっても、押え部材13を介してダイヤ
フラムベース4にかかる上・下方向の押圧力によって生
ずる歪力が吸収され、固定具16の締め込み時にダイヤ
フラム3に直接かかる歪力の影響がより少なくなる。
【0030】図7及び図8は、本発明の第4実施態様に
係る圧力検出器の断面概要図と要部を示す部分拡大断面
図である。当該第4実施態様に係る圧力検出器の構造並
びにその取付構造は、前記図5及び図6に示した第3実
施態様の場合と基本的に同一であるが、円盤状のセンサ
ーベース1の鍔部1aの外周部分24及びダイヤフラム
ベース4の外周部分25(図7及び図8の点線の外側部
分)が、硬化処理を施した高硬度な部分に形成されてい
る。
【0031】センサーベース1及びダイヤフラムベース
4の外側部分を高硬度の材質とすることにより、押え部
材13による締め込み時に上・下方向に加わる圧縮力に
よって生ずる半径方向の歪力そのものがより小さくなる
と共に、浅溝18e〜18fによって歪力が吸収される
ため、ダイヤフラム3の歪みそのものが一層抑制される
ことになる。尚、硬化部分24・25を形成した構成
は、前記図3及び図4に示した圧力検出器にも適用でき
ることは勿論である。
【0032】前記第2実施態様に係る圧力検出器及びそ
の取付構造を用いた試験によれば、圧力P0 =0kgf
/cm2 ・absに於ける組み付け前後の出力変動量△
0 が約±1.0mv以下となり、従前の場合よりも約
60〜70%程度出力変動量△V0 を減少させることが
できる。同様に、第3実施態様の場合には、前記出力変
動量△V0 が約±1.0mv以下に減少させることがで
きる。また、第4実施態様の場合には、上記第3実施態
様の場合よりもより一層出力変動量△V0 を減少させ得
ることが判明している。
【0033】
【発明の効果】請求項の発明に於いては、圧力検出器
取付具本体の検出器挿着孔12の下方部に複数の段部を
形成すると共に、圧力検出器のダイヤフラムベースを鍔
部と厚肉の本体部とから形成し、断面ほぼ矩形状のガス
ケット13を、前記第2段部の周壁面と水平面及びダイ
ヤフラムベースの鍔部下面とで形成した嵌合部内へ配置
する構成としている。その結果、センサー押えを検出器
挿着孔内へ挿入してセンサーベースの鍔部上方を下方へ
押圧しても、ガスケット13を介してダイヤフラムベー
ス4にかかる反力が全てダイヤフラムベース4の鍔部4
aと厚肉の本体部4bによって受け止められ、本体部4
bと一体になっているダイヤフラム3には前記反力によ
る歪みが殆んど生じない。そのため、請求項1の場合と
同様に浅溝18c・18dによる歪応力の吸収効果とも
相俟って圧力検出器の取付具本体への取付前と取付後に
於ける出力や温度特性の変動が、流体の低圧領域に於い
ても極く小さくなり、実用上の障害となることが無くな
って、この種のダイヤフラム型圧力検出器の配管路等へ
の適用が可能となる。
【0034】請求項の発明に於いては、ダイヤフラム
ベース4のシール面4gの上方に浅溝18g・18hを
形成する構成としているため、請求項2の発明に於ける
作用効果に更に前記浅溝18g・18hによる歪応力の
吸収効果が加わることになり、取付け前・後に於ける出
力変動がより一層減少する。
【0035】請求項の発明に於いては、押え部材13
による締込み力のかかる部分の部材を高硬度部材として
いるため、締込み時の応力による材料変形がより少なく
なる。その結果、ダイヤフラムに生ずる歪量が大幅に減
少し、出力変動量がより低減されることになる。本発明
は上述の通り優れた実用的効用を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施態様に係る圧力検出器の断面
概要図である。
【図2】第1実施態様に係る圧力検出器の取付構造を示
す部分拡大断面図である。
【図3】本発明の第2実施態様に係る圧力検出器の断面
概要図である。
【図4】第2実施態様に係る圧力検出器の取付構造を示
す部分拡大断面図である。
【図5】第3実施態様に係る圧力検出器の断面概要図で
ある。
【図6】第3実施態様に係る圧力検出器の取付構造を示
す部分拡大断面図である。
【図7】第4実施態様に係る圧力検出器の断面概要図で
ある。
【図8】第4実施態様に係る圧力検出器の取付構造を示
す部分拡大断面図である。
【図9】従前の圧力検出器の構造の一例を示す縦断面図
である。
【図10】従前の圧力検出器の構造の他の例を示す縦断
面図である。
【図11】従前の図9に係る圧力検出器の取付け構造を
示す縦断面図である。
【図12】従前の図10に係る圧力検出器の取付け構造
を示す縦断面図である。
【図13】図12のA部の拡大断面図である。
【符号の説明】
1はセンサーベース、1aは鍔部、1bは鍔部上面、1
cはチップ収納部、1dはオイル注入孔、2はセンサー
チップ、3はダイヤフラム、4はダイヤフラムベース、
4aは鍔部、4bは本体部、4cは鍔部下面、4dは本
体部外周面、4eは本体部上面、4fは本体部下面、4
gはシール面、5は圧力伝達用媒体、6は封止用ボー
ル、7はリードピン、8は溶接部、10は流体圧、11
は取付具本体、11aは挿着孔、12・13は押え部
材、14はベアリング、15は固定具、17はメタルガ
スケット、17aは上部接当面、17bは下部接当面、
17cはガスケット外周面、17dはガスケット内周
面、18a・18bは浅溝、18c・18dは浅溝、1
8e・18fは浅溝、18g・18hは浅溝、19は第
1段部、20は第2段部、21はテーパー部、22は流
体通路、23は溶接部、24は硬化部分(センサーベー
ス)、25は硬化部分(ダイヤフラムベース)。
フロントページの続き (72)発明者 廣瀬 隆 大阪府大阪市西区立売堀2丁目3番2号 株式会社フジキン内 (72)発明者 出田 英二 大阪府大阪市西区立売堀2丁目3番2号 株式会社フジキン内 (72)発明者 池田 信一 大阪府大阪市西区立売堀2丁目3番2号 株式会社フジキン内 (72)発明者 土肥 亮介 大阪府大阪市西区立売堀2丁目3番2号 株式会社フジキン内 (72)発明者 西野 功二 大阪府大阪市西区立売堀2丁目3番2号 株式会社フジキン内 (72)発明者 吉川 和博 大阪府大阪市西区立売堀2丁目3番2号 株式会社フジキン内 (72)発明者 加賀爪 哲 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の1 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 廣瀬 潤 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の1 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 深澤 和夫 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の1 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 小泉 浩 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の1 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 長岡 秀樹 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の1 東京エレクトロン山梨株式会社内 (56)参考文献 特開 平10−82707(JP,A) 特開 昭52−107787(JP,A) 実開 平3−63834(JP,U) 実公 平5−26983(JP,Y2) 特表 平2−501593(JP,A) 米国特許5693887(US,A) 米国特許4006640(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01L 9/00 - 9/04 G01L 19/00

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ダイヤフラムを備えたダイヤフラムベー
    スと前記ダイヤフラムベースの変位により作動するセン
    サー素子を内蔵したセンサーベースとを組み合せ固着し
    て成る圧力検出器を、配管路や機械装置に取付けした取
    付具本体の挿着孔内へガスケットを介設して挿着し、上
    方より挿着孔内へ挿入した押え部材により圧力検出器を
    気密状に押圧固定するようにした圧力検出器の取付け構
    造に於いて、前記取付具本体(11)の挿着孔(11
    a)の下方部に第1段部(19)と第2段部(20)を
    設け、当該第2段部(20)の水平面(20b)とガス
    ケット(17)の下部接当面(17b)の間をシール部
    とし、また前記圧力検出器のセンサーベース(1)及び
    ダイヤフラムベース(4)の上方部に鍔部(1a)及び
    鍔部(4a)を設け、両鍔部(1a)、(4a)を対向
    状に組み合せ固着すると共に、前記ダイヤフラムベース
    (4)の鍔部下面(4c)とガスケット(17)の上部
    接当面(17a)の間をシール部とし、更に、前記セン
    サーベース(1)の鍔部上面(1b)の内側位置に浅溝
    (18c)を、ダイヤフラムベース(4)の鍔部下面
    (4c)の内側位置に浅溝(18d)を夫々リング状に
    形成すると共に、前記ガスケット(17)を断面形状が
    ほぼ矩形の上部接当面(17a)と下部接当面(17
    b)を備えた金属製ガスケット(13)とし、押え部材
    (13)によるセンサーベース(1)の鍔部上面(1
    b)の押圧により生じた歪を浅溝(18c)、(18
    b)により吸収する構成としたことを特徴とする圧力検
    出器の取付け構造。
  2. 【請求項2】 ダイヤフラムを備えたダイヤフラムベー
    スと、前記ダイヤフラムベースの変位により作動するセ
    ンサー素子を内蔵したセンサーベースとを組み合せ固着
    して成る圧力検出器を、配管路や機械装置に取付けした
    取付具本体の挿着孔内へガスケットを介設して挿着し、
    上方より挿着孔内へ挿入した押え部材により圧力検出器
    を気密状に押圧固定するようにした圧力検出器の取付け
    構造に於いて、前記取付具本体(11)の挿着孔(11
    a)の下方部に第1段部(19)と第2段部(20)を
    設け、当該第2段部(20)の水平面(20b)とガス
    ケット(17)の下部接当面(17b)の間をシール部
    とし、また前記圧力検出器のセンサーベース(1)に鍔
    部(1a)を設け、当該鍔部(1a)とダイヤフラムベ
    ース(4)の本体部上面(4e)とを対向状に組み合せ
    固着すると共に、ダイヤフラムベース(4)の本体部下
    面(4f)より下方へ突出せしめてシール面(4g)を
    形成し、当該シール面(4g)とガスケット(17)の
    上部接当面(17a)の間をシール部とし、更に、前記
    センサーベース(1)の鍔部上面(1b)の内側位置に
    浅溝(18e)を、ダイヤフラムベース(4)の本体部
    下面(4f)の内側位置に浅溝(18f)を、下方へ突
    出せしめたシール面(4g)の上方位置に対向状浅溝
    (18g)、(18h)を夫々リング状に形成すると共
    に、前記ガスケット(17)を断面形状がほぼ矩形の上
    部接当面(17a)と下部接当面(17b)を備えた金
    属製ガスケット(13)とし、押え部材(13)による
    センサーベース(1)の鍔部上面(1b)の押圧により
    生じた歪を浅溝(18e)、(18f)、(18g)、
    (18h)により吸収する構成としたことを特徴とする
    圧力検出器の取付け構造。
  3. 【請求項3】 センサーベース(1)の鍔部(1a)の
    外周部分(24)及びダイヤフラムベース(4)の本体
    部(4b)の外周部分(25)を高硬度を有する材質と
    した請求項1又は請求項2に記載の圧力検出器の取付け
    構造。
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