JP2016024033A - 半導体圧力センサ及び半導体圧力センサ取付構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】防水構造を実現する上で基体に加わる応力を軽減して基体の変形を抑制し、正確な動作を可能とする半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ素子と、圧力センサ素子と電気的に接続される配線構成体と、圧力センサ素子及び配線構成体を支持する基体と、基体に一体的に設けられたシール体と、を有し、基体は、上面と、下面と、上面及び下面の間に位置する外周側面とを備え、シール体は、外周側面より外側に延出する鍔部を備える半導体圧力センサ。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体圧力センサ及び半導体圧力センサ取付構造体に関する。

従来、携帯用の機器などには、ＭＥＭＳ（Micro Electro-Mechanical Systems）技術を利用した半導体圧力センサ（以下、単に圧力センサという）が用いられている。この種の圧力センサとしては、例えば、圧力センサ素子と、圧力センサ素子からの信号を受ける制御素子と、これらに電気的に接続されたリードフレームと、制御素子をモールドする基体を備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１３−２９４５号公報

このような圧力センサの圧力センサ素子は、基体に支持されている。また、圧力センサは、基体の一面に配置されたＯリングを押しつぶすことで、防水構造を実現している。

圧力センサ素子は、例えばダイアフラムと、ダイアフラムの歪を測定するための歪ゲージとを備えている。一方基体は、Ｏリングを押しつぶすことで応力が加わりわずかに変形する。基体が変形すると、この変形がダイアフラムを変形させてしまい、圧力センサ素子の誤検知を生じさせる虞があった。

本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであって、防水構造を実現する上で基体に加わる応力を軽減して基体の変形を抑制し、正確な動作を可能とする半導体圧力センサを提供することを目的とする。

本発明の半導体圧力センサは、圧力センサ素子と、前記圧力センサ素子と電気的に接続される配線構成体と、前記圧力センサ素子及び前記配線構成体を支持する基体と、前記基体に一体的に設けられたシール体と、を有し、前記基体は、上面と、下面と、前記上面及び前記下面の間に位置する外周側面とを備え、前記シール体は、前記基体の前記外周側面より外側に延出する鍔部を備える。

この構成によれば、半導体圧力センサは、鍔部を備えたシール体を有する。シール体は基体と一体的に設けられているために、基体とシール体との間は止水される。さらに、シール体の鍔部を上下から圧縮させることで、基体に応力を加えることなくシール体の鍔部の上下で止水できる。したがって、防水構造を実現させるための圧縮力が基体に加わりにくく、基体の変形を抑制しつつ防水構造を実現できる。

上記の半導体圧力センサは、前記シール体が、前記基体の上面又は下面に重ねられ前記基体と固着する重ね部を有しても良い。

上記の半導体圧力センサは、前記シール体は、前記重ね部とその外側に配置される鍔部とが一体的に形成され、前記重ね部に対し前記鍔部が肉厚であっても良い。

上記の半導体圧力センサは、前記鍔部は、上面又は下面に前記基体の前記外周側面に沿って延びる凹溝を有しても良い。

上記の半導体圧力センサは、前記シール体が、前記基体と接着固定されていても良い。

上記の半導体圧力センサは、前記シール体が、前記基体と一体成型されていても良い。

また、上記の半導体圧力センサに係る半導体圧力センサ取付構造体は、半導体圧力センサと、前記半導体圧力センサが収容される収容部を備えた筐体と、前記半導体圧力センサの上方から前記収容部を覆う蓋体と、を有し、前記半導体圧力センサは、圧力センサ素子と、前記圧力センサ素子と電気的に接続される配線構成体と、前記圧力センサ素子及び前記配線構成体を支持する基体と、前記基体に一体的に設けられたシール体と、を有し、前記基体は、上面と、下面と、前記上面及び前記下面の間に位置する外周側面とを備え、前記シール体は、前記基体の前記外周側面より外側に延出する鍔部を備え、前記鍔部が、前記収容部と前記蓋体との間に挟み込まれる。

また、上記の半導体圧力センサ取付構造体は、前記シール体が、前記基体の上面又は下面に重ねられ前記基体と固着する重ね部を有し、前記重ね部及び前記基体が、前記収容部と前記蓋体との間に挟み込まれ、前記シール体において、前記鍔部の圧縮率が前記重ね部の圧縮率より大きくても良い。

また、上記の半導体圧力センサ取付構造体は、前記収容部は、前記基体を収容し底面が形成された凹部と、前記凹部の開口周縁において前記蓋体と対向する対向面と、を有し、前記シール体は、前記基体の上面側に配置され、前記対向面と前記蓋体の間には、前記鍔部が挟み込まれ、前記凹部の底面と蓋体の間には、前記基体及び前記重ね部が挟み込まれても良い。

また、上記の半導体圧力センサ取付構造体は、 前記対向面と前記蓋体との上下方向の距離は、前記基体の上面と前記蓋体との上下方向の距離より短くても良い。

また、上記の半導体圧力センサ取付構造体は、前記収容部は、前記基体を収容し底面が形成された凹部を有し、前記蓋体は、平板部と前記平板部から前記基体の前記外周側面に沿って下方に延びる延出部と、を有し、前記シール体は、前記基体の下面側に配置され、前記延出部と前記凹部の前記底面の間には、前記鍔部が挟み込まれ、前記平板部と前記凹部の前記底面の間には、前記基体及び前記重ね部が挟み込まれても良い。

また、上記の半導体圧力センサ取付構造体は、前記延出部と前記凹部の底面との上下方向距離は、前記基体の下面と前記凹部の前記底面との距離より短くても良い。

また、上記の半導体圧力センサ取付構造体は、前記シール体は、前記重ね部とその外側に配置される鍔部とが一体的に形成され、前記重ね部に対し前記鍔部が肉厚であることにより、前記鍔部の圧縮率を前記重ね部の圧縮率より大きくても良い。

また、上記の半導体圧力センサ取付構造体は、前記鍔部は、上面又は下面に前記基体の前記外周側面に沿って延びる凹溝を有し、前記筐体と前記蓋体とは、前記凹溝の外側を挟み込んでも良い。

本発明によれば、半導体圧力センサは、基体と一体的に設けられたシール体を有し、シール体は基体の外周側面より外側に延出する鍔部を備える。したがって、シール体の鍔部を圧縮させることで、基体に応力を加えることなく防水構造を実現できる。

第１実施形態の半導体圧力センサの平面模式図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う第１実施形態の半導体圧力センサの断面模式図である。 第１実施形態に係る半導体圧力センサ取付構造体の断面模式図である。 第２実施形態の半導体圧力センサの断面模式図である。 第２実施形態に係る半導体圧力センサ取付構造体の断面模式図である。 第２実施形態の変形例である半導体圧力センサのシール体を示す断面模式図である。 第３実施形態の半導体圧力センサの断面模式図である。 第３実施形態に係る半導体圧力センサ取付構造体の断面模式図である。 第３実施形態の変形例である半導体圧力センサのシール体を示す断面模式図である。 第４実施形態の半導体圧力センサの断面模式図である。 第４実施形態に係る半導体圧力センサ取付構造体の断面模式図である。

以下、図面を参照して、実施形態について説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴部分を強調する目的で、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、同様の目的で、特徴とならない部分を省略して図示している場合がある。また、各図にはＸ−Ｙ−Ｚ座標系を示した。以下の説明において、必要に応じてこの座標系に基づいて各方向の説明を行う。

〔第１実施形態〕
図１は、第１実施形態の圧力センサ（半導体圧力センサ）１の平面図である。また、図２は、図１の圧力センサ１におけるＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。本実施形態の圧力センサ１の説明において、「上」とは＋Ｚ方向を意味し、「下」とは−Ｚ方向を意味する。また、「平面視」とは、圧力センサ１を上下方向から見ることを意味する。

図１及び図２に示すように、本実施形態の圧力センサ１は、圧力センサ素子２０と、圧力センサ素子２０と電気的に接続されるリードフレーム（配線構成体）４０と、圧力センサ素子２０及びリードフレーム４０を支持する樹脂製の基体１０と、基体１０に一体的に設けられたシール体８０と、を有する。また、圧力センサ１は、制御素子３０を有する。

＜リードフレーム（配線構成体）＞
図２に示すように、リードフレーム４０は、導電体からなる板状体であり、屈曲されて外部に露出する部分を除き、主にＸ−Ｙ平面に平行に配置されている。
リードフレーム４０の下面４１には、制御素子３０が設置されている。また、リードフレーム４０の下面４１とは、反対側の上面４２側には、基体１０の一部である搭載部１７を介し圧力センサ素子２０が配置されている。

リードフレーム４０は、熱伝導性に優れた材料からなることが好ましい。これにより、圧力センサ素子２０および制御素子３０の過熱または過冷却を防ぐことができる。したがって圧力センサ素子２０および制御素子３０の動作を安定化させるうえで有利となる。
このような材料として、リードフレーム４０は、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）等の金属から形成することが好ましい。

リードフレーム４０は制御素子３０が実装される台座部４６と、圧力センサ素子２０及び制御素子３０に電気接続するための複数のセンサリード部４４と、基体１０に埋設され基体１０の内部で屈曲された複数のターミナル端子４５とから構成されている。なお、本実施形態において、リードフレーム４０は、４つのターミナル端子４５と４つのセンサリード部４４を有するものとするが、これに限定されるものではない。

台座部４６の下面４１には、制御素子３０が実装される。台座部４６の下面４１と制御素子３０との間には、応力緩和層（図示略）を設けることが好ましい。これにより、外力、吸湿、熱膨張等に起因して制御素子３０に加えられる応力を軽減できる。

センサリード部４４は、下面４１において、制御素子３０とボンディングワイヤ５１により電気的に接続される。また、センサリード部４４は、上面４２において、圧力センサ素子２０とボンディングワイヤ５０により電気的に接続される。
センサリード部４４は、制御素子３０と圧力センサ素子２０の間の信号のやり取りを行う中継端子として設けられている。

ターミナル端子４５は、ボンディングワイヤ５１が接続される接続部４５ｂと、接続部４５ｂから下方に折れ曲がった屈曲部４５ａと、屈曲部４５ａの下端から基体１０の外部に露出すると共に折れ曲がって形成された端子部４５ｃと、を有する。
ターミナル端子４５は、接続部４５ｂにおいて、ボンディングワイヤ５１を介し制御素子３０と電気的に接続される。また、ターミナル端子４５は、端子部４５ｃにおいて、外部から延びる端子（図示略）と電気的に接続され入出力を行う。各ターミナル端子４５は、圧力センサ１と外部との信号及び電源のやり取りに用いられる端子であり、例えば、電源端子、接地端子、信号入力端子、信号出力端子等に対応して設けられる。

＜基体＞
図２に示すように、基体１０は、リードフレーム４０、制御素子３０、並びにボンディングワイヤ５１を基体１０の樹脂で埋設させ一体とし支持する。リードフレーム４０と、制御素子３０、ボンディングワイヤ５１を支持するとともに、外気や水分から遮断し保護できる。また、基体１０は、圧力センサ素子２０が搭載される搭載部１７を含み、搭載部１７において、圧力センサ素子２０を支持する。
基体１０は、例えば、エポキシ、PPS（ポリフェニレンサルファイド樹脂）、PBT（ポリブチレンテレフタレート）等のエンジニアリングプラスチックなどの樹脂からなる。
基体１０の構成樹脂のヤング率は、例えば１ＧＰａ〜５０ＧＰａ（好ましくは１０ＧＰａ〜３０ＧＰａ）である。

基体１０は、リードフレーム４０の下面４１側（−Ｚ側）に形成される本体部１６と、本体部１６から、＋Ｚ側に環状に突出する環状壁部１２と、を有する。本体部１６と環状壁部１２とは一体である。
基体１０の本体部１６、及び環状壁部１２は、平面視円形であるであるがこれに限らず、矩形その他の多角形など、任意の形状とすることができる。

環状壁部１２は円筒状に形成され、その内部空間には、圧力センサ素子２０が収容される収容部１９が構成される。収容部１９には、圧力センサ素子２０を保護する保護剤６０が満たされている。
収容部１９の底面の一部には、基体１０の一部として延出する搭載部１７が形成されている。搭載部１７は、リードフレーム４０の上面４２側に形成され、圧力センサ素子２０を搭載する搭載面１７ａが設けられている。
収容部１９の底面であって、搭載部１７が形成されない部分は、リードフレーム４０の一部（センサリード部４４）が露出している。圧力センサ素子２０は、ボンディングワイヤ５０によって、露出したリードフレーム４０と電気的に接続される。

搭載部１７は、基体１０と別体の部材としても良い。その場合には、搭載部１７を構成する材料として、基体１０を構成する樹脂材料より軟らかいものを選択することが好ましい。これにより、外力、吸湿、熱膨張等に起因し基体１０が変形した際に圧力センサ素子２０に加えられる応力を軽減し、圧力センサ１の測定精度を高めることができる。また、前述の搭載部１７は、厚く形成するほどにこの種の応力の影響を軽減でき、より測定精度を高める事ができる。

基体１０は、周囲を構成する面として上面１０ｂと、下面１０ａと、上面１０ｂ及び下面１０ａの間に位置する外周側面１０ｃと、を備える。下面１０ａは本体部１６の下側の面であり、上面１０ｂは環状壁部１２の上側の端面である。また、外周側面１０ｃは、本体部１６及び環状壁部１２の外周に形成される面である。

＜シール体＞
図２に示すように、シール体８０は、基体１０の上面１０ｂに接着剤８５を介して接着固定されており、断面が矩形状の均一な厚みＡ（例えば、０．１〜１ｍｍ）に形成されたパッキンである。シール体８０は、基体１０の上面１０ｂに重ねられ基体１０と固着する重ね部８２と、重ね部８２と一体的に形成され重ね部８２の外側に配置される鍔部８１とを有する。
シール体８０は、アクリレート系の樹脂、シリコーン樹脂、ゴム等からなるものを採用することができる。シール体８０は、弾性を有し、挟圧されることで止水部材（シール部材）として機能する。
止水部材として機能させるためにシール体８０のヤング率は、基体１０の構成樹脂のヤング率の１／１０以下とすることが好ましい。例えばシール体８０のヤング率は、１０ＭＰａ程度が好ましい。

接着剤８５は、特に限定されるものではないが、例えばシール体８０を構成する材料（例えばアクリレート系の樹脂）と同じ材料を未硬化の状態で塗布し、硬化させて用いることができる。シール体８０と基体１０との重ね部８２における固着は、接着剤８５を介して行うものに限らず、基体１０に一体成型することで、固着させたものであっても良い。なお、接着剤８５は、シール体８０に対して十分に薄いため厚みを無視することができる。
シール体８０は、基体１０に一体的に固着させることで、シール体８０と基体１０との間を止水できる。なお、ここで「一体的」とは、シール体８０と基体１０とが互いに隙間なく固着した状態であることを意味する。

＜圧力センサ素子＞
圧力センサ素子２０は、例えば、シリコン等からなる半導体基板の一面側に、ダイアフラム部と、基準圧力室としての密閉空間と、圧力によるダイアフラム部の歪抵抗の変化を測定するための複数の歪ゲージとを有する。各歪ゲージは、ボンディングワイヤ５０を介し異なるセンサリード部４４にそれぞれ電気的に接続されている。

圧力センサ素子２０は、ダイアフラム部が圧力を受けて撓むと、各歪ゲージにダイアフラム部の歪み量に応じた応力が発生し、この応力に応じて歪ゲージの抵抗値が変化し、この抵抗値変化に応じたセンサ信号が出力される。
この圧力センサ素子２０は、ＭＥＭＳ（Micro Electro-Mechanical Systems）技術を利用した圧力センサ素子である。

圧力センサ素子２０は、収容部１９内に収容され搭載部１７上に固定される。
圧力センサ素子２０は、リードフレーム４０の上面４２側に設けられている。また、圧力センサ素子２０は、平面視において、一部領域または全部領域がリードフレーム４０から外れた位置に配置されていても良い。
圧力センサ素子２０は、搭載部１７と反対側の面に接続されたボンディングワイヤ５０を介して、リードフレーム４０のセンサリード部４４に接続されている。

＜保護剤＞
図２に示すように、保護剤６０は、収容部１９内に充填されて圧力センサ素子２０を覆い、圧力センサ素子２０を外気や水分から遮断し保護する。
保護剤６０としては、例えば、シリコーン樹脂やフッ素系の樹脂が使用できる。保護剤６０は液状やゲル状とすることができる。保護剤６０は高い粘性を持つことが好ましい。
保護剤６０としては、例えば、硬さ１未満（タイプＡ硬さ。ＪＩＳ Ｋ ６２５３に準拠）の柔らかいゲル剤を用いることが望ましい。これによって、測定対象から加えられる圧力をそのまま圧力センサ素子２０に伝達できるため、圧力センサ素子２０による圧力検出の精度を低下させることはない。また、基体１０の変形の影響が保護剤を通して圧力センサ素子２０に伝わることも抑制できる。
保護剤６０によって、水や外気の浸入を防ぎ、圧力センサ素子２０への悪影響を防ぐことができる。

上記した保護剤６０は、その表面である被圧面６０ａが下方側に窪むような凹面状に形成されている。圧力センサ１は、保護剤６０の被圧面６０ａに接触する測定媒体（水、又は空気等）の圧力を測定する。

保護剤６０は、光透過性が低く、可視光や紫外線を遮断するものであることが好ましい。これにより、圧力センサ素子２０の劣化を防ぐことができる。保護剤６０に顔料等を含有させて光透過性を低くしても良い。

＜制御素子＞
制御素子３０は、例えば集積回路（integrated circuit、IC）である。制御素子３０は、平面視で矩形状を有する。制御素子３０は、リードフレーム４０の下面４１であって、台座部４６に配置される。制御素子３０は、平面視において少なくとも一部が圧力センサ素子２０に重なる位置にある。このように制御素子３０と圧力センサ素子２０とが平面視で重なるように配置されることで、圧力センサ１を小型化することができる。

制御素子３０の回路は、リードフレーム４０と反対側の面に接続されたボンディングワイヤ５１を介して、リードフレーム４０のセンサリード部４４及びターミナル端子４５に接続されている。
制御素子３０は、圧力センサ素子２０からのセンサ信号が、入力されるとこれを処理して圧力検出信号として出力する。圧力センサ素子２０からのセンサ信号は、ボンディングワイヤ５０、センサリード部４４、ボンディングワイヤ５１を介して、制御素子３０に入力される。

制御素子３０は、外部温度を測定する温度センサと、温度センサからの信号をＡ／Ｄ変換して温度信号として出力するＡ／Ｄ変換器と、前記温度信号が入力される演算処理部とを有する。前記演算処理部では、前記温度信号に基づいて、圧力センサ素子２０からのセンサ信号に補正処理を行うことができる。温度センサとしては、抵抗式（ブリッジ抵抗式）、ダイオード式、熱電対式、赤外線式等を採用できる。温度センサを内蔵することで、制御素子３０は、系内の温度に応じて圧力検出信号を補正することができる。このため、精度の高い圧力測定が可能となる。

＜半導体圧力センサ取付構造体＞
次に、上述の圧力センサ１が組み込まれた圧力センサモジュールの一部である半導体圧力センサ取付構造体（取付構造体）１００について説明を行う。
図３は、取付構造体１００の断面模式図である。取付構造体１００は、上述の圧力センサ１と、圧力センサ１が収容される収容部１１５を備えた筐体１１０と、圧力センサ１の上方から収容部１１５を覆う蓋体１２０と、を有する。また、取付構造体１００は、筐体１１０と蓋体１２０とを固定する複数の固定ボルト１３０を有する。
取付構造体１００は、圧力センサ１の保護剤６０の表面に形成された被圧面６０ａに測定媒体（水、又は空気等）を導入しつつ、筐体内部１１０ｃに水が浸入させない構造とされている。

＜筐体＞
図３に示すように、筐体１１０は、圧力センサ１が組み込まれる圧力センサモジュールの外形をなし、筐体内部１１０ｃを防水、保護する為に設けられている。筐体１１０は、ステンレス合金、アルミニウム合金、樹脂などからなる。
筐体１１０は、外形をなす複数の面の一つとして取付面１１０ａを有している。取付面１１０ａには、圧力センサ１を収容するための収容部１１５と、固定ボルト１３０をねじ込むためのネジ穴１１０ｂが設けられている。

収容部１１５は、基体１０が収容される凹部１１６と、凹部１１６の開口周縁に形成されシール体８０の鍔部８１が収容される段差部１１７と、を有する。

段差部１１７は、凹部１１６の開口周縁に形成され、鍔部８１の外径より若干大きく形成されている。段差部１１７において、蓋体１２０に対向する側には対向面１１７ａが設けられている。対向面１１７ａはシール体８０の鍔部８１を挟圧する為に平坦に形成されている。段差部１１７の高さＨ１（即ち対向面１１７ａと蓋体１２０との上下方向の距離）は、シール体８０の厚みＡより小さく形成されている。

凹部１１６は、基体１０の外周側面１０ｃの形状と平面視で若干大きく形成され、基体１０を上方からスムーズに挿入し収容できる。凹部１１６の底面１１６ａは、基体１０の下面１０ａを支持するために十分な面積が確保されている。
凹部１１６の底面１１６ａから段差部１１７までの高さＪ１は、圧力センサ１の基体１０の高さＪ２より大きく形成されている。したがって、凹部１１６に収容された基体１０の上面１０ｂは、段差部１１７の対向面１１７ａより下方に位置している。また、凹部１１６に収容された基体１０の上面１０ｂから蓋体１２０の下面１２０ａまでの高さ（上下方向の距離）Ｈ２は、段差部１１７の高さＨ１より大きくなっている。

凹部１１６の底面１１６ａには、筐体内部１１０ｃまで貫通する端子接続孔１１８が設けられている。端子接続孔１１８は、基体１０の下面１０ａから露出するターミナル端子４５を筐体内部１１０ｃに開放させるために設けられている。筐体内部１１０ｃからは、ターミナル端子４５に接続させるための端子（図示略）が延びて圧力センサ１への電力供給や信号のやり取りを行う。

＜蓋体＞
図３に示すように、蓋体１２０は、筐体１１０の取付面１１０ａに対向して配置される平板である。蓋体１２０には、圧力センサ１に測定媒体（水、又は空気等）を導入するための圧力導入孔１２１と、固定ボルト１３０が挿通する挿通孔１２０ｂと、が設けられている。また、蓋体１２０は、筐体１１０に対向する平坦な下面１２０ａを有している。下面１２０ａは、筐体１１０の取付面１１０ａと当接する。
蓋体１２０は、例えばステンレス合金、アルミニウム合金、樹脂などから形成されている。

＜固定ボルト＞
図３に示すように、固定ボルト１３０は、蓋体１２０の挿通孔１２０ｂを挿通し、筐体１１０のネジ穴１１０ｂにねじ込まれることで、蓋体１２０を筐体１１０に押し付けて固定する。固定ボルト１３０は、筐体１１０の収容部１１５の周囲に対称に配置することが好ましい。これにより、蓋体１２０と筐体１１０の間で、圧力センサ１を挟み込み、シール体８０を均一に加圧することができる。

＜作用と効果＞
取付構造体１００は、圧力センサ１が筐体１１０の収容部１１５に収容され、上方から蓋体１２０に覆われ、さらに固定ボルト１３０によってシール体８０が圧縮されることで、圧力導入孔１２１や、蓋体１２０の下面１２０ａと筐体１１０との間から筐体内部１１０ｃに水が浸入しない防水構造を実現する。

シール体８０の鍔部８１は、段差部１１７の対向面１１７ａと、蓋体１２０の下面１２０ａとの間で挟み込まれる。これにより鍔部８１は、厚みａ１に圧縮される。厚みａ１は、段差部１１７の高さＨ１と一致する。鍔部８１の圧縮率Ｐ１は、鍔部８１の圧縮前の厚みＡと、圧縮後の厚みａ１と、からＰ１＝（Ａ−ａ１）／Ａと表すことができる。
鍔部８１の圧縮後の厚みａ１（即ち高さＨ１）は、圧縮率Ｐ１が蓋体１２０の下面１２０ａと段差部１１７の対向面１１７ａとの間の防水を確保する圧縮率となるように設定される。
なお、ここで圧縮率とは、所謂つぶし率であり、圧縮前のシール体（パッキン）の厚みに対する圧縮方向の変形量（つぶし代）の比率を意味する。

また、圧力センサ１のシール体８０は、基体１０と一体的に形成されており、基体１０の上面１０ｂとシール体８０の重ね部８２との間は、止水されている。
したがって、取付構造体１００によれば、蓋体１２０の圧力導入孔１２１から浸入する水分、並びに蓋体１２０の下面１２０ａと筐体１１０との間から浸入する水分が、筐体内部１１０ｃに浸入することを防止できる。

シール体８０の重ね部８２及び基体１０は、凹部１１６の底面１１６ａと、蓋体１２０の下面１２０ａとの間で挟み込まれる。基体１０は、シール体８０の重ね部８２と比較して十分な剛性を有するため、重ね部８２は、基体１０の上面１０ｂと蓋体１２０の下面１２０ａとの間の距離Ｈ２と一致する厚みａ２に圧縮される。重ね部８２の圧縮率Ｐ２は、重ね部８２の圧縮前の厚みＡと、圧縮後の厚みａ２と、からＰ２＝（Ａ−ａ２）／Ａと表すことができる。

重ね部８２の圧縮後の厚みａ２は、鍔部８１の圧縮後の厚みａ１より大きいため、重ね部８２の圧縮率Ｐ２は、鍔部８１の圧縮率Ｐ１より小さい。重ね部８２の圧縮率Ｐ２は、基体１０の上面１０ｂに鉛直方向の適度な応力を加え、収容部１１５の内部での位置ズレを抑制できる圧縮率とすることが好ましい。

鍔部８１の圧縮により防水が確保されているため、重ね部８２の圧縮率Ｐ２は、必ずしも防水に必要な圧縮率となっている必要はない。重ね部８２の圧縮率Ｐ２が高いと、基体１０が変形し、圧力センサ素子２０の測定に影響を与える虞がある。したがって、重ね部８２の圧縮後の厚みａ２（即ち、高さＨ２）は、圧縮率Ｐ２が圧力センサ素子２０に影響が及ばない程度の圧縮率Ｐ２となるように設定される。

本実施形態の圧力センサ１は、基体１０と一体的に設けられたシール体８０を有している。また、シール体８０は、基体１０の外周側面１０ｃより外側に延出する鍔部８１を有しており、鍔部８１が防水を確保する程度に圧縮される。したがって、基体１０に防水を確保するための圧縮力が加わることがなく、基体１０の変形を抑制できる。これにより、信頼性の高い圧力センサ１を提供できる。

また、本実施形態の圧力センサ１は、基体１０の上面１０ｂに位置する重ね部８２を有しており、重ね部８２を圧縮させることで、基体１０の位置ずれを抑制できる。また、重ね部８２の圧縮率は、鍔部８１の圧縮率より小さくして基体１０の変形を抑制することで、信頼性の高い圧力センサ１を提供できる。
なお、基体１０の上面１０ｂから蓋体１２０の下面１２０ａの高さを十分な大きさとし、重ね部８２を圧縮しない構成としても良い。

〔第２実施形態〕
次に第２実施形態について説明する。
図４は、第２実施形態の圧力センサ（半導体圧力センサ）２の断面模式図であり、第１実施形態の図２に対応する図である。
第２実施形態の圧力センサ２は、第１実施形態の圧力センサ１と比較し、シール体８０に代えて、凹溝１８３を備えたシール体１８０を採用した点が異なる。なお、上述の第１実施形態と同一態様の構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。

図４に示すように、本実施形態の圧力センサ２は、圧力センサ素子２０と、圧力センサ素子２０と電気的に接続されるリードフレーム（配線構成体）４０と、圧力センサ素子２０及びリードフレーム４０を支持する樹脂製の基体１０と、基体１０に一体的に設けられたシール体１８０と、を有する。また、圧力センサ２は、制御素子３０を有する。

シール体１８０は、基体１０の上面１０ｂに接着剤８５を介して接着固定されているパッキンである。シール体１８０は、基体１０の上面１０ｂに重ねられ基体１０と固着する重ね部１８２と、重ね部１８２と一体的に形成され重ね部１８２の外側に配置される鍔部１８１と、を有する。
シール体１８０は、重ね部１８２及び鍔部１８１において、共に同じ厚みＡである。

鍔部１８１の下面１８１ａには、基体１０の外周側面１０ｃに沿って延びる凹溝１８３が形成されている。凹溝１８３は、鍔部１８１の下面１８１ａから厚み方向に形成されている。凹溝１８３の深さは、シール体１８０自身の強度が確保できる範囲において、できるだけ深いく形成する方が好ましい。

次に、第１実施形態の圧力センサ２が組み込まれた圧力センサモジュールの一部である半導体圧力センサ取付構造体（取付構造体）２００について図５に示す断面模式図を基に説明する。本実施形態に係る取付構造体２００は、第１実施形態に係る取付構造体１００と概略同様の構成を有している。即ち、取付構造体２００は、圧力センサ２と、筐体１１０と、蓋体１２０と、を有する。また、取付構造体２００は、筐体１１０と蓋体１２０とを固定する図示略の固定ボルトを有する。

取付構造体２００は、圧力センサ２が筐体１１０の収容部１１５に収容され、上方から蓋体１２０に覆われ、さらに固定ボルト（図示略）によってシール体１８０が圧縮されることで、防水構造を実現する。
シール体１８０の鍔部１８１において、凹溝１８３の外側部分が収容部１１５の段差部１１７の対向面１１７ａと、蓋体１２０の下面１２０ａとの間で挟み込まれて、厚みａ１に圧縮される。鍔部１８１において、凹溝１８３の外側部分は、蓋体１２０の下面１２０ａと段差部１１７の対向面１１７ａとの間の防水を確保する圧縮率となるように圧縮される。

シール体１８０の重ね部１８２は、基体１０の上面１０ｂと蓋体１２０の下面１２０ａとの間で挟み込まれて、厚みａ１より大きい厚みａ２に圧縮される。重ね部１８２は、基体１０の上面１０ｂに鉛直方向の適度な応力を加え、収容部１１５の内部での位置ズレを抑制できる圧縮率とすることが好ましい。

図５に示すように、シール体１８０は、厚みａ１に圧縮される鍔部１８１の領域と、厚みａ２に圧縮される重ね部１８２の領域とを区画する。凹溝１８３が設けられていることによって鍔部１８１に加わる圧縮力は凹溝１８３で途切れ、重ね部１８２側に伝わりにくくなる。したがって、基体１０に過度な応力が加わることを抑制でき、基体１０の変形を抑えることができる。

本実施形態の圧力センサ２並びに取付構造体２００によれば、第１実施形態の取付構造体１００と同様の効果を得ることができる上に、鍔部１８１に加わる圧縮力の影響が、重ね部１８２に及ぶことを抑制でき、圧力センサ２の測定信頼性をさらに高めることができる。

なお、本実施形態において、鍔部１８１の下面１８１ａに凹溝１８３を設けた場合を例示したが、鍔部１８１の上面１８１ｂに凹溝１８３を設けても同様の効果を得ることができる。

＜第２実施形態の変形例＞
図６は、第２実施形態の変形例である圧力センサ２Ａのシール体１８４を示す図である。
シール体１８４は、基体１０と一体成型されているパッキンである。シール体１８４は、基体１０の上面１０ｂに固着している。シール体１８４は、基体１０の上面１０ｂに重ねられ基体１０と固着する重ね部１８６と、重ね部１８６と一体的に形成され重ね部１８６の外側に配置される鍔部１８５と、を有する。

鍔部１８５の下面１８４ａに第１の凹溝１８８と、第２の凹溝１８９と、を有している。第１の凹溝１８８は、基体１０の外周側面１０ｃに沿って延びている。また、第２の凹溝１８９は、第１の凹溝１８８の外側に第１の凹溝１８８に沿って延びている。第１の凹溝１８８の深さと第２の凹溝１８９の深さとは、同じであっても異なっていても良い。

鍔部１８５は、重ね部１８６側から順に、第１の凹溝１８８と第２の凹溝１８９との間の第１領域１８５ａと、第２の凹溝１８９と鍔部周縁１８４ｃまでの第２領域１８５ｂと、を有する。

シール体１８４は、重ね部１８６、第１領域１８５ａ、第２領域１８５ｂの順で、圧縮率を大きくするように、挟み込まれる。重ね部１８６は、基体１０を保持しつつ、基体１０の変形を抑制する程度に圧縮する。また、鍔部１８５の第２領域１８５ｂは、確実に防水できる程度に圧縮する。鍔部１８５の第１領域１８５ａは、重ね部１８６と第２領域１８５ｂの中間の圧縮率で圧縮する。

鍔部１８５の第２領域１８５ｂは、重ね部１８６から最も遠方に配置されている。したがって、第２領域１８５ｂの圧縮による影響は、基体１０に及びにくく、第２領域１８５ｂの圧縮率を大きくしても、基体１０の変形は起こりにくい。
また、重ね部１８６、第１領域１８５ａ、並びに第２領域１８５ｂの間には、それぞれ凹溝１８８、１８９が設けられていることによって鍔部１８５に加わる圧縮力は、重ね部１８６側に伝達しにくくなる。これにより、基体１０の変形を抑制でき、圧力センサ２Ａの測定信頼性をさらに高めることができる。

また、本変形例のシール体１８４は、基体１０と一体成型されることで、基体１０の上面１０ｂに固着されている。シール体１８４を基体１０と一体成型する場合には、接着固定する場合と比較して、接着剤を塗布する工程並びにシール体１８４を基体１０に重ね合わせる工程を行う必要がない。したがって、製造工程を簡略化でき、コスト削減を図ることができる。

〔第３実施形態〕
次に第３実施形態について説明する。
図７は、第３実施形態の圧力センサ（半導体圧力センサ）３の断面模式図であり、第１実施形態の図２に対応する図である。
第３実施形態の圧力センサ３は、第１実施形態の圧力センサ１と比較し、シール体８０に代えて、鍔部２８１と重ね部２８２とで厚みの異なるシール体２８０を採用した点が異なる。なお、上述の第１実施形態と同一態様の構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。

図７に示すように、本実施形態の圧力センサ３は、圧力センサ素子２０と、圧力センサ素子２０と電気的に接続されるリードフレーム（配線構成体）４０と、圧力センサ素子２０及びリードフレーム４０を支持する樹脂製の基体１０と、基体１０に一体的に設けられたシール体２８０と、を有する。また、圧力センサ３は、制御素子３０を有する。

シール体２８０は、基体１０の上面１０ｂに接着剤８５を介して接着固定されているパッキンである。シール体２８０は、基体１０の上面１０ｂに重ねられ基体１０と固着する重ね部２８２と、重ね部２８２と一体的に形成され重ね部２８２の外側に配置される鍔部２８１と、を有する。シール体２８０において、鍔部２８１と重ね部２８２との間には段差２８３が設けられ、段差２８３を境に鍔部２８１と重ね部２８２との厚みが異なっている。鍔部２８１の厚みＡ１は、重ね部２８２の厚みＡ２より大きい。

次に、第３実施形態の圧力センサ３が組み込まれた圧力センサモジュールの一部である半導体圧力センサ取付構造体（取付構造体）３００について図８に示す断面模式図を基に説明する。
取付構造体３００は、上述の圧力センサ３と、圧力センサ３が収容される収容部３１５を備えた筐体３１０と、圧力センサ３の上方から収容部３１５を覆う蓋体３２０と、を有する。また、取付構造体３００は、筐体３１０と蓋体３２０とを固定する図示略の固定ボルトを有する。

筐体３１０の取付面３１０ａには、圧力センサ３を収容するための収容部３１５が設けられている。収容部３１５は、基体１０が収容される凹部３１６と、凹部３１６の開口周縁に形成されシール体２８０の鍔部２８１が収容される段差部３１７と、を有する。また、凹部３１６の底面３１６ａには、筐体内部３１０ｃまで貫通する端子接続孔３１８が設けられている。

段差部３１７の高さＨ１は、シール体２８０の厚み（即ち、鍔部２８１の厚みＡ１及び重ね部２８２の厚みＡ２）より小さく形成されている。
段差部３１７において、蓋体３２０に対向する側には平坦な面である対向面３１７ａが設けられている。

凹部３１６の底面３１６ａから段差部３１７までの高さＪ１は、圧力センサ３の基体１０の高さＪ２と略同じに形成されている。したがって、凹部３１６に収容された基体１０の上面１０ｂは、段差部３１７の対向面３１７ａと略同じ高さとなる。また、凹部３１６に収容された基体１０の上面１０ｂから蓋体３２０の下面３２０ａまでの高さＨ２は、段差部３１７の高さＨ１と略同じとなる。
なお、シール体２８０と基体１０の上面１０ｂとを接着する接着剤８５は、シール体２８０に対して十分に薄いため厚みを無視しても差しさわりない。

蓋体３２０は、筐体３１０の取付面３１０ａに対向して配置される平板である。蓋体３２０には、測定媒体を導入する圧力導入孔３２１が設けられている。また、蓋体３２０は、筐体３１０に対向する平坦な下面３２０ａを有している。下面３２０ａは、筐体３１０の取付面３１０ａと当接する。

シール体２８０の鍔部２８１は、段差部３１７の対向面３１７ａと、蓋体３２０の下面３２０ａとの間で挟み込まれ圧縮される。
また、シール体２８０の重ね部２８２及び基体１０は、凹部３１６の底面３１６ａと、蓋体３２０の下面３２０ａとの間で挟み込まれ圧縮される。
上述したように、凹部３１６に収容された基体１０の上面１０ｂから蓋体３２０の下面３２０ａまでの高さＨ２は、段差部３１７の高さＨ１と略同じである。したがって、圧縮後のシール体２８０は、鍔部２８１と重ね部２８２とが同じ厚みａとなる。
鍔部２８１の圧縮前の厚みＡ１は、重ね部２８２の圧縮前の厚みＡ２より大きいため、圧縮後は鍔部２８１の圧縮率が、重ね部２８２の圧縮率よりおおきくなる。

より具体的には、鍔部２８１の圧縮率Ｐ１は、鍔部２８１の圧縮前の厚みＡ１と、圧縮後の厚みａと、からＰ１＝（Ａ１−ａ）／Ａ１と表される。一方、重ね部２８２の圧縮率Ｐ２は、重ね部２８２の圧縮前の厚みＡ２と、圧縮後の厚みａと、からＰ２＝（Ａ２−ａ）／Ａ２と表される。

鍔部２８１の圧縮前後の厚みＡ１、ａは、圧縮率Ｐ１が蓋体３２０の下面３２０ａと段差部３１７の対向面３１７ａとの間の防水を確保する圧縮率となるように設定される。また、圧力センサ３のシール体２８０は、基体１０と一体的に形成されており、基体１０の上面１０ｂとシール体２８０の重ね部２８２との間は、止水されている。したがって、蓋体３２０の圧力導入孔３２１から浸入する水分、並びに蓋体３２０と筐体３１０の間から浸入する水分が、筐体内部３１０ｃに浸入することを防止できる。

重ね部２８２の圧縮前後の厚みＡ２、ａは、重ね部２８２の圧縮により基体１０の上面１０ｂに鉛直方向の適度な応力を加え、収容部３１５の内部での位置ズレを抑制する圧縮率Ｐ１となるように設定することが好ましい。また、重ね部２８２の圧縮前後の厚みＡ２、ａは、重ね部２８２の圧縮に伴う基体１０の変形により、圧力センサ素子２０に影響が及ばない圧縮率Ｐ２となるように設定することが好ましい。
なお、重ね部２８２の圧縮率Ｐ２は、必ずしも防水に必要な圧縮率となっている必要はない。

第３実施形態の圧力センサ３並びに取付構造体３００によれば、鍔部２８１と重ね部２８２との厚みを変えることで、鍔部２８１と重ね部２８２との圧縮率を異ならせることができる。これにより、第１実施形態の圧力センサ１並びに取付構造体１００と同様の効果を得ることができる。
＜第３実施形態の変形例＞
図９は、第３実施形態の変形例である圧力センサ３Ａのシール体２８４を示す図である。
シール体２８４は、基体１０の上面１０ｂに接着剤８５を介して接着固定されているパッキンである。シール体２８４は、基体１０の上面１０ｂに重ねられ基体１０と固着する重ね部２８６と、重ね部２８６と一体的に形成され重ね部２８６の外側に配置される鍔部２８５と、を有する。

上述した第３実施形態の圧力センサ３におけるシール体２８０は、段差２８３により鍔部２８１と重ね部２８２との厚みを異ならせている。これに対し、変形例の圧力センサ３Ａにおけるシール体２８４は、鍔部２８５から重ね部２８６に掛けて連続的に厚みを異ならせている。

シール体２８４は、シール体２８４の内周側面２８４ｄ（厚みＡ２）側から外周側面２８４ｃ（厚みＡ１）側に向かって連続的に厚みが増す。シール体２８４の下面２８４ａは、水平に配置されており、これに対しシール体２８４の上面２８４ｂは傾斜する。

シール体２８４の厚みを鍔部２８５から重ね部２８６に掛けて連続的に変える場合であっても、第３実施形態と同様の効果を得ることができる。加えて、変形例の圧力センサ３Ａは、シール体２８４の鍔部２８５は、外周側面２８４ｃの近傍が最も圧縮率が高くなり、内周側面２８４ｄに近づくにつれて圧縮率が低くなる。即ち鍔部２８５は、基体１０に近接するにつれて圧縮率が小さくなり、鍔部２８５の圧縮に伴う応力が、基体１０の変形に影響を与えにくい。これにより、圧力センサ３Ａの測定信頼性をさらに高めることができる。

〔第４実施形態〕
次に第４実施形態について説明する。
図１０は、第４実施形態の圧力センサ（半導体圧力センサ）４の断面模式図であり、第１実施形態の図２に対応する図である。
第４実施形態の圧力センサ４は、第１実施形態の圧力センサ１と比較し、シール体３８０が、基体３５０の下面３５０ａに設けられている点が主に異なる。なお、上述の第１実施形態と同一態様の構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。

図１０に示すように、本実施形態の圧力センサ４は、圧力センサ素子２０と、圧力センサ素子２０と電気的に接続されるリードフレーム（配線構成体）４０と、圧力センサ素子２０及びリードフレーム４０を支持する樹脂製の基体３５０と、基体３５０に一体的に設けられたシール体３８０と、を有する。また、圧力センサ４は、制御素子３０を有する。

基体３５０は、周囲を構成する面として上面３５０ｂと、下面３５０ａと、上面３５０ｂ及び下面３５０ａの間に位置する外周側面３５０ｃと、を備える。基体３５０の下面３５０ａには、接着剤８５を介してシール体３８０が固着されている。
基体３５０は、第１実施形態の基体１０と比較して、シール体３８０を下面３５０ａに接着させる面積を確保する為に、外形が大きく形成されている。

シール体３８０は、基体３５０に一体的に設けられた、断面が矩形状の均一な厚みＡのパッキンである。シール体３８０は、基体３５０の下面３５０ａに重ねられ基体３５０と固着する重ね部３８２と、重ね部３８２と一体的に形成され重ね部３８２の外側に配置される鍔部３８１と、を有する。

次に、第４実施形態の圧力センサ４が組み込まれた圧力センサモジュールの一部である半導体圧力センサ取付構造体（取付構造体）４００について図１１に示す断面模式図を基に説明する。
取付構造体４００は、上述の圧力センサ４と、圧力センサ４が収容される収容部４１５を備えた筐体４１０と、圧力センサ４の上方から収容部４１５を覆う蓋体４２０と、を有する。また、取付構造体４００は、筐体４１０と蓋体４２０とを固定する図示略の固定ボルトを有する。

筐体４１０の取付面４１０ａには、圧力センサ４を収容するための収容部４１５が設けられている。収容部４１５は、鍔部３８１の外径より若干大きく形成された凹部４１６を有する。また、凹部４１６の底面４１６ａには、筐体内部４１０ｃまで貫通する端子接続孔４１８が設けられている。

蓋体４２０は、筐体４１０の取付面４１０ａに対向して配置される。蓋体４２０には、測定媒体を導入する圧力導入孔４２１が設けられている。また、蓋体４２０は、平坦な下面４２０ａが設けられており、下面４２０ａは、筐体４１０の取付面４１０ａ、及び基体３５０の上面３５０ｂと当接する。
また、蓋体４２０は、下面４２０ａが形成された平板部４２３と、下面４２０ａから下方に延びる延出部４２２と、を有している。延出部４２２は、基体３５０の外周側面３５０ｃに沿って、外周側面３５０ｃを覆うように、基体３５０と凹部４１６の間に挿入される。また、延出部４２２の先端は、鍔部３８１の上面３８１ｂに当接する。

蓋体４２０の延出部４２２の高さＫ１は、圧力センサ４の基体３５０の高さＫ２より大きく形成されている。したがって、延出部４２２の下端４２２ａは、基体３５０の下面３５０ａより下方に位置している。即ち、延出部４２２の下端４２２ａと凹部４１６の底面４１６ａの上下方向の距離Ｈ１は、基体３５０の下面３５０ａから凹部４１６の底面４１６ａまでの上下方向の距離Ｈ２より小さくなる。

シール体３８０の鍔部３８１は、延出部４２２の下端４２２ａと凹部４１６の底面４１６ａとの間で挟み込まれる。これにより鍔部３８１は、厚みａ１（＝距離Ｈ１）に圧縮される。鍔部３８１の圧縮率Ｐ１は、鍔部３８１の圧縮前の厚みＡと、圧縮後の厚みａ１と、からＰ１＝（Ａ−ａ１）／Ａと表すことができる。鍔部３８１の圧縮後の厚みａ１は、圧縮率Ｐ１が延出部４２２の下端４２２ａと凹部４１６の底面４１６ａの間の防水を確保する圧縮率となるように設定される。

また、圧力センサ４のシール体３８０は、基体３５０と一体的に形成されており、基体３５０の上面３５０ｂとシール体３８０の重ね部３８２との間は、止水されている。
したがって、取付構造体４００によれば、蓋体４２０の圧力導入孔４２１から浸入する水分、並びに蓋体４２０と筐体４１０の間から浸入する水分が、筐体内部４１０ｃに浸入することを防止できる。

シール体３８０の重ね部３８２及び基体３５０は、凹部４１６の底面４１６ａと、蓋体４２０の下面４２０ａとの間で挟み込まれる。これにより重ね部３８２は、基体３５０の下面３５０ａと凹部４１６の底面４１６ａとの間で厚みａ２（＝距離Ｈ２）に圧縮される。重ね部３８２の圧縮率Ｐ２は、重ね部３８２の圧縮前の厚みＡと、圧縮後の厚みａ２と、からＰ２＝（Ａ−ａ２）／Ａと表すことができる。

重ね部３８２の圧縮後の厚みａ２は、鍔部３８１の圧縮後の厚みａ１より大きいため、重ね部３８２の圧縮率Ｐ２は、鍔部３８１の圧縮率Ｐ１より小さい。重ね部３８２の圧縮率Ｐ２は、基体３５０の下面３５０ａに鉛直方向の適度な応力を加え、収容部４１５の内部での位置ズレを抑制できる圧縮率とすることが好ましい。

鍔部３８１の圧縮により防水が確保されているため、重ね部３８２の圧縮率Ｐ２は、必ずしも防水に必要な圧縮率となっている必要はない。重ね部３８２の圧縮率Ｐ２が高いと、基体３５０が変形し、圧力センサ素子２０の測定に影響を与える虞がある。したがって、重ね部３８２の圧縮後の厚みａ２（即ち、距離Ｈ２）は、圧縮率Ｐ２が圧力センサ素子２０に影響が及ばない程度の圧縮率Ｐ２となるように設定される。

以上に説明したように、第４実施形態の圧力センサ４並びに取付構造体４００によれば、第１実施形態の圧力センサ１並びに取付構造体１００と同様の効果を得ることができる。

以上、本発明の詳細について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。

例えば、配線構成体は、リードフレームに限らず、配線パターンを有するＰＣＢ（Printed Circuit Board）、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などのプリント配線基板であってもよい。

また、圧力センサ素子は、基体に直接的に支持される構成に限らず、リードフレームを介して支持される構成であっても良い。

１、２、２Ａ、３、３Ａ、４…圧力センサ（半導体圧力センサ）、１０、３５０…基体、１０ａ、１２０ａ、１８１ａ、２８４ａ、３２０ａ、３５０ａ、４２０ａ…下面、１０ｂ、１８１ａ、１８４ａ、２８４ｂ、３５０ｂ、３８１ｂ…上面、１０ｃ、３５０ｃ…外周側面、２０…圧力センサ素子、３０…制御素子、４０…リードフレーム（配線構成体）、５０、５１…ボンディングワイヤ、６０…保護剤、６０ａ…被圧面、８０、１８０、１８４、２８０、２８４、３８０…シール体、８１、１８１、１８５、２８１、２８５、３８１…鍔部、８２、１８２、１８６、２８２、２８６、３８２…重ね部、８５…接着剤、１００、２００、３００、４００…取付構造体（半導体圧力センサ取付構造体）、１１０、３１０、４１０…筐体、１１０ａ、３１０ａ、４１０ａ…取付面、１１０ｃ、３１０ｃ、４１０ｃ…筐体内部、１１５、３１５、４１５…収容部、１１６、３１６、４１６…凹部、１１６ａ、３１６ａ、４１６ａ…底面、１１７、３１７…段差部、１１７ａ、３１７ａ…対向面、１２０、３２０、４２０…蓋体、１２１、３２１、４２１…圧力導入孔、１３０…固定ボルト、１８３、１８８、１８９…凹溝、１８５ａ…第１領域、１８５ｂ…第２領域、４２２…延出部、４２２ａ…下端、４２３…平板部、Ａ、Ａ１、Ａ２…厚み（圧縮前）、ａ、ａ１、ａ２…厚み（圧縮後）、Ｈ、Ｈ１、Ｈ２、Ｊ１、Ｊ２、Ｋ１、Ｋ２…高さ（上下方向距離）

Claims (14)

1. 圧力センサ素子と、
   前記圧力センサ素子と電気的に接続される配線構成体と、
   前記圧力センサ素子及び前記配線構成体を支持する基体と、
   前記基体に一体的に設けられたシール体と、を有し、
   前記基体は、上面と、下面と、前記上面及び前記下面の間に位置する外周側面とを備え、
   前記シール体は、前記基体の前記外周側面より外側に延出する鍔部を備える半導体圧力センサ。
2. 前記シール体が、前記基体の上面又は下面に重ねられ前記基体と固着する重ね部を有する請求項１に記載の半導体圧力センサ。
3. 前記シール体は、前記重ね部とその外側に配置される鍔部とが一体的に形成され、前記重ね部に対し前記鍔部が肉厚である請求項２に記載の半導体圧力センサ。
4. 前記鍔部は、上面又は下面に前記基体の前記外周側面に沿って延びる凹溝を有する請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体圧力センサ。
5. 前記シール体が、前記基体と接着固定されている請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体圧力センサ。
6. 前記シール体が、前記基体と一体成型されている請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体圧力センサ。
7. 半導体圧力センサと、
   前記半導体圧力センサが収容される収容部を備えた筐体と、
   前記半導体圧力センサの上方から前記収容部を覆う蓋体と、
   を有し、
   前記半導体圧力センサは、
   圧力センサ素子と、
   前記圧力センサ素子と電気的に接続される配線構成体と、
   前記圧力センサ素子及び前記配線構成体を支持する基体と、
   前記基体に一体的に設けられたシール体と、を有し、
   前記基体は、上面と、下面と、前記上面及び前記下面の間に位置する外周側面とを備え、
   前記シール体は、前記基体の前記外周側面より外側に延出する鍔部を備え、
   前記鍔部が、前記収容部と前記蓋体との間に挟み込まれる半導体圧力センサ取付構造体。
8. 前記シール体が、前記基体の上面又は下面に重ねられ前記基体と固着する重ね部を有し、
   前記重ね部及び前記基体が、前記収容部と前記蓋体との間に挟み込まれ、
   前記シール体において、前記鍔部の圧縮率が前記重ね部の圧縮率より大きい請求項７に記載の半導体圧力センサ取付構造体。
9. 前記収容部は、前記基体を収容し底面が形成された凹部と、前記凹部の開口周縁において前記蓋体と対向する対向面と、を有し、
   前記シール体は、前記基体の上面側に配置され、
   前記対向面と前記蓋体の間には、前記鍔部が挟み込まれ、
   前記凹部の底面と蓋体の間には、前記基体及び前記重ね部が挟み込まれる請求項８に記載の半導体圧力センサ取付構造体。
10. 前記対向面と前記蓋体との上下方向の距離は、前記基体の上面と前記蓋体との上下方向の距離より短い請求項９に記載の半導体圧力センサ取付構造体。
11. 前記収容部は、前記基体を収容し底面が形成された凹部を有し、
    前記蓋体は、平板部と前記平板部から前記基体の前記外周側面に沿って下方に延びる延出部と、を有し、
    前記シール体は、前記基体の下面側に配置され、
    前記延出部と前記凹部の前記底面の間には、前記鍔部が挟み込まれ、
    前記平板部と前記凹部の前記底面の間には、前記基体及び前記重ね部が挟み込まれる請求項８に記載の半導体圧力センサ取付構造体。
12. 前記延出部と前記凹部の底面との上下方向距離は、前記基体の下面と前記凹部の前記底面との距離より短い請求項１１に記載の半導体圧力センサ取付構造体。
13. 前記シール体は、前記重ね部とその外側に配置される鍔部とが一体的に形成され、前記重ね部に対し前記鍔部が肉厚であることにより、前記鍔部の圧縮率を前記重ね部の圧縮率より大きくする請求項８〜１２の何れか一項に記載の半導体圧力センサ取付構造体。
14. 前記鍔部は、上面又は下面に前記基体の前記外周側面に沿って延びる凹溝を有し、
    前記筐体と前記蓋体とは、前記凹溝の外側を挟み込む請求項７〜１３の何れか一項に記載の半導体圧力センサ取付構造体。

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