JP2002111011A - 圧力センサおよび圧力センサの製造方法 - Google Patents
圧力センサおよび圧力センサの製造方法Info
- Publication number
- JP2002111011A JP2002111011A JP2000298160A JP2000298160A JP2002111011A JP 2002111011 A JP2002111011 A JP 2002111011A JP 2000298160 A JP2000298160 A JP 2000298160A JP 2000298160 A JP2000298160 A JP 2000298160A JP 2002111011 A JP2002111011 A JP 2002111011A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- pressure sensor
- aluminum
- aluminum oxide
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/04—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of resistance-strain gauges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0075—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/06—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サファイアからなる圧力センサを、サファイ
アの持つ特性を損なうことなく安価に形成できるように
する。 【解決手段】 アルミニウムの水酸化鉱物であるベーマ
イト（ＡｌＯ（ＯＨ））の水溶液に二酸化チタンを添加
した塗布溶液を用い、緩衝部材１２０が固定された圧力
センサのチップ１１０に、サファイアからなるカバープ
レート（サファイアからなる板部材）１３０を接合す
る。
アの持つ特性を損なうことなく安価に形成できるように
する。 【解決手段】 アルミニウムの水酸化鉱物であるベーマ
イト（ＡｌＯ（ＯＨ））の水溶液に二酸化チタンを添加
した塗布溶液を用い、緩衝部材１２０が固定された圧力
センサのチップ１１０に、サファイアからなるカバープ
レート（サファイアからなる板部材）１３０を接合す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、サファイアなどα
相の酸化アルミニウム（アルミナ）から構成した圧力セ
ンサチップにやはりサファイアなどのα相アルミナから
なる板部材が接合された圧力センサおよび圧力センサの
製造方法に関する。
相の酸化アルミニウム（アルミナ）から構成した圧力セ
ンサチップにやはりサファイアなどのα相アルミナから
なる板部材が接合された圧力センサおよび圧力センサの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】静電容量を検出することで圧力を検出す
る容量式の圧力センサチップがある。この圧力センサチ
ップは、所定の空間を備えた基体と、基体の空間上に配
置されたダイヤフラムとから筐体が構成され、基体に配
置された固定電極と、ダイヤフラムに固定された可動電
極とを備えている。ここで、ダイヤフラムが圧力を受け
て変形することで、可動電極と固定電極との間隔が変化
してこれらの間の静電容量が変化する。この静電容量の
変化に基づき、ダイヤフラムの受けた圧力が測定でき
る。
る容量式の圧力センサチップがある。この圧力センサチ
ップは、所定の空間を備えた基体と、基体の空間上に配
置されたダイヤフラムとから筐体が構成され、基体に配
置された固定電極と、ダイヤフラムに固定された可動電
極とを備えている。ここで、ダイヤフラムが圧力を受け
て変形することで、可動電極と固定電極との間隔が変化
してこれらの間の静電容量が変化する。この静電容量の
変化に基づき、ダイヤフラムの受けた圧力が測定でき
る。
【０００３】このような圧力センサチップにおいて、筐
体を構成している基体およびダイヤフラムに、サファイ
アを用いたものが提案されている。サファイア、すなわ
ちコランダム（α層酸化アルミニウムの単結晶体）は、
熱的にきわめて安定であり、酸，アルカリにほとんど溶
解せず、耐火物，絶縁体，研磨剤などのような広いよう
とがある。このような特性のサファイアを筐体に用いる
ことで、上記圧力センサチップは、測定対象が腐食性を
有している流体であっても、流体を直接ダイヤフラムに
受けてこの圧力を測定することが可能となる。
体を構成している基体およびダイヤフラムに、サファイ
アを用いたものが提案されている。サファイア、すなわ
ちコランダム（α層酸化アルミニウムの単結晶体）は、
熱的にきわめて安定であり、酸，アルカリにほとんど溶
解せず、耐火物，絶縁体，研磨剤などのような広いよう
とがある。このような特性のサファイアを筐体に用いる
ことで、上記圧力センサチップは、測定対象が腐食性を
有している流体であっても、流体を直接ダイヤフラムに
受けてこの圧力を測定することが可能となる。
【０００４】上記圧力センサチップは、図１０に示すよ
うに台座に固定されて圧力センサとして用いられる。図
１０に示すように、圧力センサのチップ１００１は、例
えばガラスからなる台座１００２の中央部に形成された
凹部１００３に、ダイヤフラム部を図面上方に向けて載
置される。台座１００２の凹部１００３底面には、台座
１００２底面に貫通する電極ピン１００４の端子１００
５があり、チップ１００１の基台裏面に引き出されてい
る各電極の配線と接続している。また、凹部１００３底
面には、台座１００２底面に連通する通気口１００６が
形成されている。
うに台座に固定されて圧力センサとして用いられる。図
１０に示すように、圧力センサのチップ１００１は、例
えばガラスからなる台座１００２の中央部に形成された
凹部１００３に、ダイヤフラム部を図面上方に向けて載
置される。台座１００２の凹部１００３底面には、台座
１００２底面に貫通する電極ピン１００４の端子１００
５があり、チップ１００１の基台裏面に引き出されてい
る各電極の配線と接続している。また、凹部１００３底
面には、台座１００２底面に連通する通気口１００６が
形成されている。
【０００５】チップ１００１は、中央部に開口部を備え
たカバープレート１００７により、上面の周辺部が押さ
えられ、凹部１００３に固定されている。カバープレー
ト１００７は、台座１００２上面に一度溶融させたガラ
スにより接合されて台座１００２に固定されている。ま
た、カバープレート１００７とチップ１００１の当接箇
所は、チップ１００１上面に接触する測定対象の流体
が、チップ１００１周囲の凹部１００３内に侵入しない
ように、気密封止された状態に接続されている。
たカバープレート１００７により、上面の周辺部が押さ
えられ、凹部１００３に固定されている。カバープレー
ト１００７は、台座１００２上面に一度溶融させたガラ
スにより接合されて台座１００２に固定されている。ま
た、カバープレート１００７とチップ１００１の当接箇
所は、チップ１００１上面に接触する測定対象の流体
が、チップ１００１周囲の凹部１００３内に侵入しない
ように、気密封止された状態に接続されている。
【０００６】カバープレート１００７は、圧力測定の精
度を確保するため、チップ１００１の温度による変形の
状態を同一にしてチップ１００１に応力が発生しないよ
うにするため、チップ１００１と同一材料のサファイア
から形成されている。また、異種間接合を極力排除して
上記気密封止状態を得るため、チップ１００１との当接
面は、直接接合により接合されている。このような、サ
ファイア同士の接合では、互いの接合面を鏡面研磨して
当接し、接合する２つのサファイア部材間に圧力をかけ
た状態で加熱することで、接着剤などを用いることな
く、強固な接合状態を得ている。
度を確保するため、チップ１００１の温度による変形の
状態を同一にしてチップ１００１に応力が発生しないよ
うにするため、チップ１００１と同一材料のサファイア
から形成されている。また、異種間接合を極力排除して
上記気密封止状態を得るため、チップ１００１との当接
面は、直接接合により接合されている。このような、サ
ファイア同士の接合では、互いの接合面を鏡面研磨して
当接し、接合する２つのサファイア部材間に圧力をかけ
た状態で加熱することで、接着剤などを用いることな
く、強固な接合状態を得ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記直
接接合では、サファイアからなる２つの部材の当接面の
表面荒さが０．３ｎｍ以下になるまで鏡面研磨する必要
があるため、部材（カバープレート）が非常に高価なも
のとなってしまう。このように、接着剤などを用いずに
直接接合を行おうとすると、一般にはコストの上昇を招
いてしまう。これに対し、一般的にある接着剤などを用
いれば、２つの部材間をより安価に接合し、コストをか
けることなく圧力センサを製造することが可能になる。
しかしながら、一般にある接着剤を用いると、２つの部
材間に異なる材料が間に介在するため、応力が発生した
り、また、接合箇所がサファイアほどの耐食性や熱的安
定性が得られない状態となり、圧力センサの適用範囲が
限られたものとなってしまう。
接接合では、サファイアからなる２つの部材の当接面の
表面荒さが０．３ｎｍ以下になるまで鏡面研磨する必要
があるため、部材（カバープレート）が非常に高価なも
のとなってしまう。このように、接着剤などを用いずに
直接接合を行おうとすると、一般にはコストの上昇を招
いてしまう。これに対し、一般的にある接着剤などを用
いれば、２つの部材間をより安価に接合し、コストをか
けることなく圧力センサを製造することが可能になる。
しかしながら、一般にある接着剤を用いると、２つの部
材間に異なる材料が間に介在するため、応力が発生した
り、また、接合箇所がサファイアほどの耐食性や熱的安
定性が得られない状態となり、圧力センサの適用範囲が
限られたものとなってしまう。
【０００８】以上示したように、従来では、圧力センサ
を構成する筐体の材料特性を１００％発揮させるために
は、筐体を構成する各部材間を直接接合することにな
り、コストが高いという問題があった。これに対し、接
着剤などを利用して部材間を接合する場合、安価に部品
を形成できるが、部材を構成する材料の特性を１００％
生かせないという問題があった。
を構成する筐体の材料特性を１００％発揮させるために
は、筐体を構成する各部材間を直接接合することにな
り、コストが高いという問題があった。これに対し、接
着剤などを利用して部材間を接合する場合、安価に部品
を形成できるが、部材を構成する材料の特性を１００％
生かせないという問題があった。
【０００９】本発明は、以上のような問題点を解消する
ためになされたものであり、サファイアなどα相の酸化
アルミニウムから筐体などが構成された圧力センサを、
材料の持つ特性を損なうことなく安価に形成できるよう
にすることを目的とする。
ためになされたものであり、サファイアなどα相の酸化
アルミニウムから筐体などが構成された圧力センサを、
材料の持つ特性を損なうことなく安価に形成できるよう
にすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の圧力センサは、
α相の酸化アルミニウムからなる基台、この基台主表面
上に配置されたα相の酸化アルミニウムからなるダイヤ
フラム、基台に形成された凹部からなりダイヤフラムで
覆われた容量室、この容量室底部に配置された固定電
極、容量室内部において固定電極に対向してダイヤフラ
ムに固定された可動電極を備えた圧力センサチップと、
この圧力センサチップにα相の酸化アルミニウムからな
る中間体層を介して接続されたα相の酸化アルミニウム
からなる板部材とから構成され、中間体層は、アルミニ
ウムと酸素とを含む化合物が溶解した溶液からなる溶液
を加熱することで、α相以外の酸化アルミニウムもしく
はアモルファス状体の酸化アルミニウムからなる中間体
の状態とされた後、この中間体の状態の酸化アルミニウ
ムを相転移させてα相とされたものである。この発明に
よれば、圧力センサチップと板部材との接合部分も、板
部材と同様の、例えばサファイアなど実質的にα相の酸
化アルミニウムとなっている。
α相の酸化アルミニウムからなる基台、この基台主表面
上に配置されたα相の酸化アルミニウムからなるダイヤ
フラム、基台に形成された凹部からなりダイヤフラムで
覆われた容量室、この容量室底部に配置された固定電
極、容量室内部において固定電極に対向してダイヤフラ
ムに固定された可動電極を備えた圧力センサチップと、
この圧力センサチップにα相の酸化アルミニウムからな
る中間体層を介して接続されたα相の酸化アルミニウム
からなる板部材とから構成され、中間体層は、アルミニ
ウムと酸素とを含む化合物が溶解した溶液からなる溶液
を加熱することで、α相以外の酸化アルミニウムもしく
はアモルファス状体の酸化アルミニウムからなる中間体
の状態とされた後、この中間体の状態の酸化アルミニウ
ムを相転移させてα相とされたものである。この発明に
よれば、圧力センサチップと板部材との接合部分も、板
部材と同様の、例えばサファイアなど実質的にα相の酸
化アルミニウムとなっている。
【００１１】本発明の圧力センサの製造方法は、α相の
酸化アルミニウムからなる基台と、この基台主表面上に
配置されたα相の酸化アルミニウムからなるダイヤフラ
ムと、基台に形成された凹部からなりダイヤフラムで覆
われた容量室と、この容量室底部に配置された固定電極
と、容量室内部において固定電極に対向してダイヤフラ
ムに固定された可動電極とを備えた圧力センサチップに
α相の酸化アルミニウムからなる板部材を接合する圧力
センサの製造方法において、まず、板部材の表面にアル
ミニウムと酸素とを含む化合物が溶解した溶液からなる
溶液層を形成し、この溶液層を加熱してα相以外の酸化
アルミニウムもしくはアモルファス状体の酸化アルミニ
ウムからなる中間体層が板部材の表面に形成された状態
とし、中間体層上に圧力センサチップを配置して板部材
と圧力センサチップとの間に圧力を加えると共に電界を
加え、かつ中間体層に紫外線を照射して加熱し、中間体
層を構成するα相以外の酸化アルミニウムもしくはアモ
ルファス状体の酸化アルミニウムを相転移させてα相と
することで、圧力センサチップに板部材を接合しようと
したものである。この発明によれば、圧力センサチップ
と板部材との接合部分が、例えばサファイアなど実質的
にα相の酸化アルミニウムの状態となる。
酸化アルミニウムからなる基台と、この基台主表面上に
配置されたα相の酸化アルミニウムからなるダイヤフラ
ムと、基台に形成された凹部からなりダイヤフラムで覆
われた容量室と、この容量室底部に配置された固定電極
と、容量室内部において固定電極に対向してダイヤフラ
ムに固定された可動電極とを備えた圧力センサチップに
α相の酸化アルミニウムからなる板部材を接合する圧力
センサの製造方法において、まず、板部材の表面にアル
ミニウムと酸素とを含む化合物が溶解した溶液からなる
溶液層を形成し、この溶液層を加熱してα相以外の酸化
アルミニウムもしくはアモルファス状体の酸化アルミニ
ウムからなる中間体層が板部材の表面に形成された状態
とし、中間体層上に圧力センサチップを配置して板部材
と圧力センサチップとの間に圧力を加えると共に電界を
加え、かつ中間体層に紫外線を照射して加熱し、中間体
層を構成するα相以外の酸化アルミニウムもしくはアモ
ルファス状体の酸化アルミニウムを相転移させてα相と
することで、圧力センサチップに板部材を接合しようと
したものである。この発明によれば、圧力センサチップ
と板部材との接合部分が、例えばサファイアなど実質的
にα相の酸化アルミニウムの状態となる。
【００１２】上記発明において、アルミニウムと酸素と
を含む化合物は、水酸化アルミニウムであり、溶液層は
水溶液であり、アルミニウムと酸素とを含む化合物は、
例えばベーマイトである。また、アルミニウムと酸素と
を含む化合物は、アルミニウムの有機金属化合物であ
り、例えばＡｌ（ＣＨ3ＣＯＯ）3などのアルミニウムの
有機酸塩であればよい。また、アルミニウム有機金属化
合物は、アルミニウムのアルコキシドであってもよく、
またアルミニウムの金属カルボニルであってもよい。
を含む化合物は、水酸化アルミニウムであり、溶液層は
水溶液であり、アルミニウムと酸素とを含む化合物は、
例えばベーマイトである。また、アルミニウムと酸素と
を含む化合物は、アルミニウムの有機金属化合物であ
り、例えばＡｌ（ＣＨ3ＣＯＯ）3などのアルミニウムの
有機酸塩であればよい。また、アルミニウム有機金属化
合物は、アルミニウムのアルコキシドであってもよく、
またアルミニウムの金属カルボニルであってもよい。
【００１３】上記発明において、紫外線の波長は、２０
０ｎｍ以下であればよい。上記発明において、ダイヤフ
ラムの周辺部上にはα相の酸化アルミニウムからなる緩
衝部材を固定して圧力センサチップを構成し、板部材は
緩衝部材に接合するようにしてもよい。また、上記発明
において、α相の酸化アルミニウムは、サファイアであ
り、また、α相以外の酸化アルミニウムは、γ相，θ
相，ι相，κ相，ε相，χ相，δ相，σ相のいずれかも
しくは混合物である。
０ｎｍ以下であればよい。上記発明において、ダイヤフ
ラムの周辺部上にはα相の酸化アルミニウムからなる緩
衝部材を固定して圧力センサチップを構成し、板部材は
緩衝部材に接合するようにしてもよい。また、上記発明
において、α相の酸化アルミニウムは、サファイアであ
り、また、α相以外の酸化アルミニウムは、γ相，θ
相，ι相，κ相，ε相，χ相，δ相，σ相のいずれかも
しくは混合物である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。 ＜実施の形態１＞図１は、本発明の実施の形態における
圧力センサチップの構成を示す構成図である。本実施の
形態では、図１に示すように、緩衝部材１２０が固定さ
れた圧力センサのチップ１１０に、α相の酸化アルミニ
ウム（アルミナ）の単結晶体であるサファイアからなる
カバープレート（α相の酸化アルミニウムからなる板部
材）１３０を接合するようにした。カバープレート１３
０を接合する圧力センサのチップ１１０は、サファイア
からなる基部１０１とサファイアからなるダイヤフラム
１０２とから形成され、基部１０１の中央部に形成され
た凹部で容量室１０３をなし、容量室１０３のダイヤフ
ラム１０２側に可動電極１０４が形成され、容量室１０
３の基部１０１側、すなわち基部１０１の凹部底面に固
定電極１０５が形成されている。なお、図示していない
が、基部１０１裏面には、可動電極１０４に接続する電
極パッドと固定電極１０５に接続する電極パッドが各々
形成されている。
て図を参照して説明する。 ＜実施の形態１＞図１は、本発明の実施の形態における
圧力センサチップの構成を示す構成図である。本実施の
形態では、図１に示すように、緩衝部材１２０が固定さ
れた圧力センサのチップ１１０に、α相の酸化アルミニ
ウム（アルミナ）の単結晶体であるサファイアからなる
カバープレート（α相の酸化アルミニウムからなる板部
材）１３０を接合するようにした。カバープレート１３
０を接合する圧力センサのチップ１１０は、サファイア
からなる基部１０１とサファイアからなるダイヤフラム
１０２とから形成され、基部１０１の中央部に形成され
た凹部で容量室１０３をなし、容量室１０３のダイヤフ
ラム１０２側に可動電極１０４が形成され、容量室１０
３の基部１０１側、すなわち基部１０１の凹部底面に固
定電極１０５が形成されている。なお、図示していない
が、基部１０１裏面には、可動電極１０４に接続する電
極パッドと固定電極１０５に接続する電極パッドが各々
形成されている。
【００１５】上記チップ１１０は、例えば直径４インチ
の円板状のサファイアウエハに複数が形成され、このサ
ファイアウエハを切り出すことで形成する。また、上記
チップ１１０が複数形成された上記サファイアウエハ
は、上記チップ１１０を切り出す前に、複数の緩衝部材
が形成された形成された直径４インチの円板状のサファ
イアウエハと、チップと緩衝部材との形成部を各々位置
あわせして直接接合し、この貼り合わせたウエハをまと
めて切り出すことで、図２に示すように、チップ１１０
に緩衝部材１２０が接合された状態とする。したがっ
て、チップ１１０と緩衝部材１２０とで、１つの圧力セ
ンサチップを構成しているともいえる。
の円板状のサファイアウエハに複数が形成され、このサ
ファイアウエハを切り出すことで形成する。また、上記
チップ１１０が複数形成された上記サファイアウエハ
は、上記チップ１１０を切り出す前に、複数の緩衝部材
が形成された形成された直径４インチの円板状のサファ
イアウエハと、チップと緩衝部材との形成部を各々位置
あわせして直接接合し、この貼り合わせたウエハをまと
めて切り出すことで、図２に示すように、チップ１１０
に緩衝部材１２０が接合された状態とする。したがっ
て、チップ１１０と緩衝部材１２０とで、１つの圧力セ
ンサチップを構成しているともいえる。
【００１６】図２と図３（平面図）とに示すように、緩
衝部材１２０の終端近傍には、表面と裏面とにリング状
の接触領域１２１，１２２が形成され、接触領域１２１
がチップ１１０のダイヤフラム１０２表面に直接接合し
ている。また、緩衝部材１２０の中央部には、開口部１
２３が形成されている。緩衝部材１２０は、カバープレ
ート１３０を接合する際に発生する応力を緩和し、非常
に薄いダイヤフラム１０２の変形を防止するために用い
られる。したがって、接合時に応力が発生しない場合な
どは、緩衝部材１２０を用いなくてもよい。なお、緩衝
部材１２０を用いない場合、以降に説明するカバープレ
ート１３０は、ダイヤフラム１０２表面に接合すること
になる。
衝部材１２０の終端近傍には、表面と裏面とにリング状
の接触領域１２１，１２２が形成され、接触領域１２１
がチップ１１０のダイヤフラム１０２表面に直接接合し
ている。また、緩衝部材１２０の中央部には、開口部１
２３が形成されている。緩衝部材１２０は、カバープレ
ート１３０を接合する際に発生する応力を緩和し、非常
に薄いダイヤフラム１０２の変形を防止するために用い
られる。したがって、接合時に応力が発生しない場合な
どは、緩衝部材１２０を用いなくてもよい。なお、緩衝
部材１２０を用いない場合、以降に説明するカバープレ
ート１３０は、ダイヤフラム１０２表面に接合すること
になる。
【００１７】緩衝部材１２０を直接接合したチップ１１
０を用意したら、一方で、図４の平面図に示すような、
リング状のメタルプレート１４０が接合されたサファイ
アからなるカバープレート１３０を用意する。図４に示
すように、カバープレート１３０は、中央部に開口領域
１３３を備えた枠形状に形成され、メタルプレート１４
０は、カバープレート１３０の主表面１３２の周辺部に
接合されている。このメタルプレート１４０とカバープ
レート１３０との接合について説明すると、まず、カバ
ープレート１３０の接合領域に、予め金属膜をメッキな
どにより形成しておき、この金属膜形成領域にメタルプ
レート１４０を溶接することで接合する。
０を用意したら、一方で、図４の平面図に示すような、
リング状のメタルプレート１４０が接合されたサファイ
アからなるカバープレート１３０を用意する。図４に示
すように、カバープレート１３０は、中央部に開口領域
１３３を備えた枠形状に形成され、メタルプレート１４
０は、カバープレート１３０の主表面１３２の周辺部に
接合されている。このメタルプレート１４０とカバープ
レート１３０との接合について説明すると、まず、カバ
ープレート１３０の接合領域に、予め金属膜をメッキな
どにより形成しておき、この金属膜形成領域にメタルプ
レート１４０を溶接することで接合する。
【００１８】次いで、図１に示すように、緩衝部材１２
０の接触領域１２２に、カバープレート１３０の裏面１
３１を接合する。本実施の形態では、上記カバープレー
ト１３０の接合を、つぎに示すことにより行うことで、
直接接合に比較して非常に安価にサファイアからなる圧
力センサを製造するようにした。まず、アルミニウムの
水酸化鉱物であるベーマイト（ＡｌＯ（ＯＨ））の水溶
液に二酸化チタンを添加した塗布溶液を作成し、図５に
示すように、この塗布溶液を、メタルプレート１４０が
溶接されたカバープレート１３０の表面に塗布し、塗布
膜５０１を形成する。なお、上記塗布溶液に、少量の希
硝酸を溶解して水素イオン濃度（ｐＨ）を４程度として
おくことで、ベーマイトを高濃度としても安定して溶解
した状態とできる。
０の接触領域１２２に、カバープレート１３０の裏面１
３１を接合する。本実施の形態では、上記カバープレー
ト１３０の接合を、つぎに示すことにより行うことで、
直接接合に比較して非常に安価にサファイアからなる圧
力センサを製造するようにした。まず、アルミニウムの
水酸化鉱物であるベーマイト（ＡｌＯ（ＯＨ））の水溶
液に二酸化チタンを添加した塗布溶液を作成し、図５に
示すように、この塗布溶液を、メタルプレート１４０が
溶接されたカバープレート１３０の表面に塗布し、塗布
膜５０１を形成する。なお、上記塗布溶液に、少量の希
硝酸を溶解して水素イオン濃度（ｐＨ）を４程度として
おくことで、ベーマイトを高濃度としても安定して溶解
した状態とできる。
【００１９】次いで、塗布膜５０１が形成されたカバー
プレート１３０を例えば４５０℃に加熱する。加熱によ
り水分が蒸発することで、ベーマイトの水溶液からなる
塗布膜は、まずゲル状の膜となる。このゲル状となった
カバープレート１３０上のベーマイトは、さらに加熱が
加わることにより脱水反応を起こし、γ−アルミナとな
り、サファイアからなるカバープレート１３０と接合し
た状態となる。この結果、図６に示すように、カバープ
レート１３０の表面の接合領域上には、γ−アルミナも
しくはアモルファス状態のアルミナからなる中間体層６
０１が接合した状態で形成される。また、中間体層６０
１は、ベーマイトの水溶液を塗布することで形成してい
るので、中間体層６０１表面はカバープレート１３０表
面の凹凸を吸収して、平坦な状態になっている。これ
は、中間体層６０１がサファイアであった場合、直接接
合ができる程度に平坦化された状態となっている。
プレート１３０を例えば４５０℃に加熱する。加熱によ
り水分が蒸発することで、ベーマイトの水溶液からなる
塗布膜は、まずゲル状の膜となる。このゲル状となった
カバープレート１３０上のベーマイトは、さらに加熱が
加わることにより脱水反応を起こし、γ−アルミナとな
り、サファイアからなるカバープレート１３０と接合し
た状態となる。この結果、図６に示すように、カバープ
レート１３０の表面の接合領域上には、γ−アルミナも
しくはアモルファス状態のアルミナからなる中間体層６
０１が接合した状態で形成される。また、中間体層６０
１は、ベーマイトの水溶液を塗布することで形成してい
るので、中間体層６０１表面はカバープレート１３０表
面の凹凸を吸収して、平坦な状態になっている。これ
は、中間体層６０１がサファイアであった場合、直接接
合ができる程度に平坦化された状態となっている。
【００２０】アルミナは、コランダム型の結晶構造（α
相）をとることにより、サファイアなどのコランダムと
して非常に安定した状態となる。これに対し、立方晶系
スピネル型の結晶構造となっているγ−アルミナでは、
結晶構造に無理があるためなどにより酸素原子が欠落し
ている格子欠陥が多数存在した状態となっている。ま
た、アモルファス状態のアルミナにおいては、この格子
欠陥がより多く存在した状態となっている。このよう
に、酸素原子が欠落している格子欠陥が多数存在した状
態の層がサファイアの上に形成されると、サファイア表
面のサファイアを構成している酸素が格子欠陥内に入り
込み、安定した状態を形成しようとする。このことによ
り、サファイアかなるカバープレート１３０と、この表
面に形成された中間体層６０１とは、化学的に結合した
状態となって接合された状態となる。
相）をとることにより、サファイアなどのコランダムと
して非常に安定した状態となる。これに対し、立方晶系
スピネル型の結晶構造となっているγ−アルミナでは、
結晶構造に無理があるためなどにより酸素原子が欠落し
ている格子欠陥が多数存在した状態となっている。ま
た、アモルファス状態のアルミナにおいては、この格子
欠陥がより多く存在した状態となっている。このよう
に、酸素原子が欠落している格子欠陥が多数存在した状
態の層がサファイアの上に形成されると、サファイア表
面のサファイアを構成している酸素が格子欠陥内に入り
込み、安定した状態を形成しようとする。このことによ
り、サファイアかなるカバープレート１３０と、この表
面に形成された中間体層６０１とは、化学的に結合した
状態となって接合された状態となる。
【００２１】つぎに、図７に示すように、カバープレー
ト１３０上の中間体層６０１表面と緩衝部材１２０の接
触領域１２２表面とを当接させ、この状態で、チップ１
１０とカバープレート１３０との間に例えば１００〜３
００００Ｐａ、好ましくは２０００Ｐａ程度の圧力を加
え、チップ１１０とカバープレート１３０とに荷重がか
かった状態とする。また、中間体層６０１には、約５ｋ
Ｖ／ｍｍの電界を加え、かつ紫外線（１８５ｎｍ）を照
射する。加えて、これらを７００℃程度に加熱する。
ト１３０上の中間体層６０１表面と緩衝部材１２０の接
触領域１２２表面とを当接させ、この状態で、チップ１
１０とカバープレート１３０との間に例えば１００〜３
００００Ｐａ、好ましくは２０００Ｐａ程度の圧力を加
え、チップ１１０とカバープレート１３０とに荷重がか
かった状態とする。また、中間体層６０１には、約５ｋ
Ｖ／ｍｍの電界を加え、かつ紫外線（１８５ｎｍ）を照
射する。加えて、これらを７００℃程度に加熱する。
【００２２】これら荷重，電界の印加や紫外線の照射
は、図７に示すようにして行う。図７に示すように、ま
ず、アルミナなどのセラミックからなる定盤７０１上
に、緩衝部材１２０が接合されたチップ１１０を載置
し、緩衝部材１２０上にカバープレート１３０を配置
し、カバープレート１３０上には加圧枠７０２を載置
し、加圧枠７０２の重量（約２００ｋｇ）の荷重をかけ
る。なお、カバープレート１３０と緩衝部材１２０との
間には、図示していないが中間体層が形成されている。
は、図７に示すようにして行う。図７に示すように、ま
ず、アルミナなどのセラミックからなる定盤７０１上
に、緩衝部材１２０が接合されたチップ１１０を載置
し、緩衝部材１２０上にカバープレート１３０を配置
し、カバープレート１３０上には加圧枠７０２を載置
し、加圧枠７０２の重量（約２００ｋｇ）の荷重をかけ
る。なお、カバープレート１３０と緩衝部材１２０との
間には、図示していないが中間体層が形成されている。
【００２３】定盤７０１上には、緩衝部材１２０が接合
されたチップ１１０の周囲を囲うように下部電極７０３
を配置する。また、遮蔽部材７０４をカバープレート１
３０の開口領域に嵌合させ、遮蔽部材７０４周囲に配置
された枠状の上部電極７０５を、カバープレート１３０
の開口領域端部上に配置する。このとき、加圧枠７０２
の内側と上部電極７０５の外側とには間隙ができるよう
にし、上部よりこの間隙を通してカバープレート１３０
と緩衝部材１２０との接合領域が見える状態とする。
されたチップ１１０の周囲を囲うように下部電極７０３
を配置する。また、遮蔽部材７０４をカバープレート１
３０の開口領域に嵌合させ、遮蔽部材７０４周囲に配置
された枠状の上部電極７０５を、カバープレート１３０
の開口領域端部上に配置する。このとき、加圧枠７０２
の内側と上部電極７０５の外側とには間隙ができるよう
にし、上部よりこの間隙を通してカバープレート１３０
と緩衝部材１２０との接合領域が見える状態とする。
【００２４】以上のように配置した後、雰囲気を真空排
気または減圧した状態とし、加圧枠７０２上部より紫外
線を照射し、下部電極７０３と上部電極７０５との間に
電圧を印加し、また、定盤７０１ないに内蔵されている
伝熱ヒータ（図示せず）に通電することで発熱させて全
体を加熱する。以上のことで、図６に示した中間体層６
０１をα相に転移させてコランダムすなわちサファイア
とし、カバープレート１３０と緩衝部材１２０とが、同
じサファイアからなる層により、境目なく強固に接合し
た状態を得る。
気または減圧した状態とし、加圧枠７０２上部より紫外
線を照射し、下部電極７０３と上部電極７０５との間に
電圧を印加し、また、定盤７０１ないに内蔵されている
伝熱ヒータ（図示せず）に通電することで発熱させて全
体を加熱する。以上のことで、図６に示した中間体層６
０１をα相に転移させてコランダムすなわちサファイア
とし、カバープレート１３０と緩衝部材１２０とが、同
じサファイアからなる層により、境目なく強固に接合し
た状態を得る。
【００２５】この接合に関して考察する。上記γ−アル
ミナは、約１０００℃に加熱することで、立方晶系スピ
ネル型の結晶構造がコランダム型の結晶構造に相転移
し、コランダムとなる。この相転移では、結晶構造に大
きな変化を発生させるため、各原子の大きな移動が必要
となり、例えば、アルミニウムと酸素との結合が部分的
に切れる必要がある。このため、γ−アルミナからα−
アルミナへの相転移には、上記のように１０００℃とい
う高温が必要となる。
ミナは、約１０００℃に加熱することで、立方晶系スピ
ネル型の結晶構造がコランダム型の結晶構造に相転移
し、コランダムとなる。この相転移では、結晶構造に大
きな変化を発生させるため、各原子の大きな移動が必要
となり、例えば、アルミニウムと酸素との結合が部分的
に切れる必要がある。このため、γ−アルミナからα−
アルミナへの相転移には、上記のように１０００℃とい
う高温が必要となる。
【００２６】ここで、前述したように、中間体層に予め
二酸化チタンを添加しておき、加えて、上述したように
電界を加えて紫外線を照射することで、以下に説明する
ように、より低温でもアルミニウムと酸素との結合が切
れやすい状態となり、各原始の移動度を大きくさせるこ
とが可能になるものと考えられる。まず、中間体層中に
添加されている二酸化チタンでは、紫外線が照射される
ことで正孔−電子対が発生する。加えて、この中間体層
には電界が印加されているので、発生した正孔−電子対
は引き離され、各々が消滅せずに存在し続ける。
二酸化チタンを添加しておき、加えて、上述したように
電界を加えて紫外線を照射することで、以下に説明する
ように、より低温でもアルミニウムと酸素との結合が切
れやすい状態となり、各原始の移動度を大きくさせるこ
とが可能になるものと考えられる。まず、中間体層中に
添加されている二酸化チタンでは、紫外線が照射される
ことで正孔−電子対が発生する。加えて、この中間体層
には電界が印加されているので、発生した正孔−電子対
は引き離され、各々が消滅せずに存在し続ける。
【００２７】このような状態の二酸化チタンが陽極近傍
に存在すれば、陽極より電子を受け取り電子過剰の状態
となり、この電子過剰の状態を解消すべく、近傍のアル
ミニウム−酸素結合に電子を放出する。γ−アルミナに
おけるアルミニウム−電子結合は、通常では１０００℃
近くの高温にならないと結合を切ることができないが、
上記に酸化チタンからの電子の攻撃を受けると、より低
い温度であっても結合が切れるようになる。
に存在すれば、陽極より電子を受け取り電子過剰の状態
となり、この電子過剰の状態を解消すべく、近傍のアル
ミニウム−酸素結合に電子を放出する。γ−アルミナに
おけるアルミニウム−電子結合は、通常では１０００℃
近くの高温にならないと結合を切ることができないが、
上記に酸化チタンからの電子の攻撃を受けると、より低
い温度であっても結合が切れるようになる。
【００２８】この結果、放出された電子を受けたアルミ
ニウム−酸素結合は、７００℃程度で切れてＯ2-を発生
させ、結晶格子の中で、酸素原子があるべきところにな
い酸素欠陥を発生させる。一方、上記状態で陰極近傍に
存在する二酸化チタンでは、陰極に電子を奪われて電子
欠乏の状態となっている。分離したＯ2-は、近くに存在
している電子欠乏状態の二酸化チタンに電子を受け渡
し、近傍の酸素欠陥に収まる。なお、二酸化チタンに限
るものではなく、ＺｎＯ2などの他の光触媒を用いるよ
うにしても同様である。
ニウム−酸素結合は、７００℃程度で切れてＯ2-を発生
させ、結晶格子の中で、酸素原子があるべきところにな
い酸素欠陥を発生させる。一方、上記状態で陰極近傍に
存在する二酸化チタンでは、陰極に電子を奪われて電子
欠乏の状態となっている。分離したＯ2-は、近くに存在
している電子欠乏状態の二酸化チタンに電子を受け渡
し、近傍の酸素欠陥に収まる。なお、二酸化チタンに限
るものではなく、ＺｎＯ2などの他の光触媒を用いるよ
うにしても同様である。
【００２９】以上のことにより、予め二酸化チタンを添
加しておき、電界を印加しかつ紫外線を照射しておくこ
とで、約７００℃の加熱で、中間体層６０１をコランダ
ムに転移させることが可能となる。本実施の形態では、
カバープレート１３０の接合工程が最も高温の処理であ
るので、チップ１１０内部に形成されている可動電極１
０４や固定電極１０５を、７００℃に耐えられる金属な
どの導電部材で構成すればよい。なお、加圧して基板間
に所定の圧力を加えて荷重がかかった状態とすること
で、カバープレート１３０のそりを無くし、カバープレ
ート１３０と緩衝部材１２０の接触領域１２２との接合
面全域が互いに接触した状態とする。
加しておき、電界を印加しかつ紫外線を照射しておくこ
とで、約７００℃の加熱で、中間体層６０１をコランダ
ムに転移させることが可能となる。本実施の形態では、
カバープレート１３０の接合工程が最も高温の処理であ
るので、チップ１１０内部に形成されている可動電極１
０４や固定電極１０５を、７００℃に耐えられる金属な
どの導電部材で構成すればよい。なお、加圧して基板間
に所定の圧力を加えて荷重がかかった状態とすること
で、カバープレート１３０のそりを無くし、カバープレ
ート１３０と緩衝部材１２０の接触領域１２２との接合
面全域が互いに接触した状態とする。
【００３０】つぎに、図８に示すように、ガラスからな
り中央部に凹部１５１を形成した基台１５０を用意し、
カバープレート１３０がメタルプレート１４０と共に、
緩衝部材１２０を介して取り付けられたチップ１１０
を、この基台１５０の凹部１５１内に固定する。基台１
５０は、上端が凹部１５１底部に露出し、基台１５０底
部を貫通して下端が底面より突出する電極ピン１５２を
備えている。また、凹部１５１の底部には、基台１５０
下部に貫通する通気口１５３が形成されている。加え
て、基台１５０には、周囲を囲うように、金属製の枠体
１６０が固定されている。
り中央部に凹部１５１を形成した基台１５０を用意し、
カバープレート１３０がメタルプレート１４０と共に、
緩衝部材１２０を介して取り付けられたチップ１１０
を、この基台１５０の凹部１５１内に固定する。基台１
５０は、上端が凹部１５１底部に露出し、基台１５０底
部を貫通して下端が底面より突出する電極ピン１５２を
備えている。また、凹部１５１の底部には、基台１５０
下部に貫通する通気口１５３が形成されている。加え
て、基台１５０には、周囲を囲うように、金属製の枠体
１６０が固定されている。
【００３１】したがって、まず、上記チップ１１０を凹
部１５１内に固定するときは、図示していないチップ１
１０裏面に露出している電極パッドと、対応する電極ピ
ン１４２との上端とが接触するように位置合わせする。
また、チップ１１０の固定は、メタルプレート１４０
を、枠体１６０上面に溶接することで行う。以上のこと
により、チップ１１０のダイヤフラム１０２上面、すな
わち受圧面は、緩衝部材１２０の開口部１２３とカバー
プレート１３０の開口領域１３３を介し、図８の紙面上
方の領域に露出した状態となっている。したがって、基
台１５０と枠体１６０で区切られた図８紙面上部の領域
にある流体は、チップ１１０の受圧面に直接接触する状
態となっている。
部１５１内に固定するときは、図示していないチップ１
１０裏面に露出している電極パッドと、対応する電極ピ
ン１４２との上端とが接触するように位置合わせする。
また、チップ１１０の固定は、メタルプレート１４０
を、枠体１６０上面に溶接することで行う。以上のこと
により、チップ１１０のダイヤフラム１０２上面、すな
わち受圧面は、緩衝部材１２０の開口部１２３とカバー
プレート１３０の開口領域１３３を介し、図８の紙面上
方の領域に露出した状態となっている。したがって、基
台１５０と枠体１６０で区切られた図８紙面上部の領域
にある流体は、チップ１１０の受圧面に直接接触する状
態となっている。
【００３２】しかしながら、枠体１６０とメタルプレー
ト１４０、メタルプレート１４０とカバープレート１３
０、カバープレート１３０と緩衝部材１２０、緩衝部材
１２０とダイヤフラム１０２は、各々隙間なく接合され
ているので、チップ１１０の受圧面に直接接触する流体
が、基台１５０と枠体１６０で区切られた図８紙面下部
の領域に洩れ出すことがない。
ト１４０、メタルプレート１４０とカバープレート１３
０、カバープレート１３０と緩衝部材１２０、緩衝部材
１２０とダイヤフラム１０２は、各々隙間なく接合され
ているので、チップ１１０の受圧面に直接接触する流体
が、基台１５０と枠体１６０で区切られた図８紙面下部
の領域に洩れ出すことがない。
【００３３】本実施の形態の場合、カバープレートの接
合面の表面荒さは、例えば１０ｎｍ程度としておけばよ
く、溶液を塗布して中間体層を形成した段階で、中間体
層表面がサファイア基板の表面荒さを吸収して平坦な状
態となっていればよい。表面荒さが１０ｎｍ程度のサフ
ァイア基板は、例えば、腕時計の窓に用いられているも
のであり、この大きさなら価格が１枚数百円であり、安
価である。同じ寸法で表面荒さが０．３ｎｍ以下と直接
接合できるように加工されたものは、価格が数万円とな
るが、上記実施の形態ではこのような高い精度のものは
必要としない。
合面の表面荒さは、例えば１０ｎｍ程度としておけばよ
く、溶液を塗布して中間体層を形成した段階で、中間体
層表面がサファイア基板の表面荒さを吸収して平坦な状
態となっていればよい。表面荒さが１０ｎｍ程度のサフ
ァイア基板は、例えば、腕時計の窓に用いられているも
のであり、この大きさなら価格が１枚数百円であり、安
価である。同じ寸法で表面荒さが０．３ｎｍ以下と直接
接合できるように加工されたものは、価格が数万円とな
るが、上記実施の形態ではこのような高い精度のものは
必要としない。
【００３４】このように、本実施の形態によれば、コス
トの増大を招く高い精度の加工を必要とせずに、直接接
合と同程度の状態にサファイアからなるカバープレート
を接合できる。この場合、緩衝部材とカバープレートも
しくはチップとカバープレートとは、実質的にチップお
よびカバープレートと同様の、サファイア（α相の酸化
アルミニウム）とされた中間体層を介して接合されたも
のとなっている。なお、上述では、ベーマイトを用いる
ようにしたが、これは水酸化アルミニウムの一形態であ
り、他に、ギブサイトやダイアスポアなどの水酸化アル
ミニウムを用いるようにしても同様である。
トの増大を招く高い精度の加工を必要とせずに、直接接
合と同程度の状態にサファイアからなるカバープレート
を接合できる。この場合、緩衝部材とカバープレートも
しくはチップとカバープレートとは、実質的にチップお
よびカバープレートと同様の、サファイア（α相の酸化
アルミニウム）とされた中間体層を介して接合されたも
のとなっている。なお、上述では、ベーマイトを用いる
ようにしたが、これは水酸化アルミニウムの一形態であ
り、他に、ギブサイトやダイアスポアなどの水酸化アル
ミニウムを用いるようにしても同様である。
【００３５】＜実施の形態２＞つぎに、本発明の他の形
態について説明する。本実施の形態では、サファイアか
らなるカバープレート１３０上に形成する中間体層６０
１（図６）を、つぎに示すように形成した。まず、カバ
ープレート１３０の所定領域（接合領域）に、硝酸アル
ミニウムの水溶液を塗布し、これを加熱して塗布した領
域のカバープレート１３０上にγ−アルミナからなる中
間体層６０１形成するようにした。硝酸アルミニウムの
水溶液は、加熱により水分が蒸発した後、硝酸を失って
塩基性塩となり、最終的にγ相の酸化アルミニウム（γ
−アルミナ）となる。この結果、前述した実施の形態と
同様に、カバープレート１３０上にγ−アルミナからな
る中間体層６０１が形成される。以降は、上記実施の形
態と同様である。
態について説明する。本実施の形態では、サファイアか
らなるカバープレート１３０上に形成する中間体層６０
１（図６）を、つぎに示すように形成した。まず、カバ
ープレート１３０の所定領域（接合領域）に、硝酸アル
ミニウムの水溶液を塗布し、これを加熱して塗布した領
域のカバープレート１３０上にγ−アルミナからなる中
間体層６０１形成するようにした。硝酸アルミニウムの
水溶液は、加熱により水分が蒸発した後、硝酸を失って
塩基性塩となり、最終的にγ相の酸化アルミニウム（γ
−アルミナ）となる。この結果、前述した実施の形態と
同様に、カバープレート１３０上にγ−アルミナからな
る中間体層６０１が形成される。以降は、上記実施の形
態と同様である。
【００３６】なお、本実施の形態では、カバープレート
に硝酸アルミニウムの水溶液を塗布するようにしたが、
カバープレートに強酸もしくは強アルカリ水溶液を塗布
して加熱し、カバープレート表面のサファイア自身に化
学反応を起こさせ、カバープレート表面に硝酸アルミニ
ウムの層を形成するようにしてもよい。
に硝酸アルミニウムの水溶液を塗布するようにしたが、
カバープレートに強酸もしくは強アルカリ水溶液を塗布
して加熱し、カバープレート表面のサファイア自身に化
学反応を起こさせ、カバープレート表面に硝酸アルミニ
ウムの層を形成するようにしてもよい。
【００３７】＜実施の形態３＞つぎに、本発明の他の形
態について説明する。本実施の形態では、アルミニウム
の有機金属化合物の有機溶媒溶液をカバープレート１３
０に塗布し、カバープレート１３０を２００〜６００℃
程度に加熱することで、カバープレート１３０上にγ−
アルミナからなる中間体層６０１（図６）を形成するよ
うにした。アルミニウムの有機金属化合物としては、例
えばエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピ
レートやアルミニウムイソプロピレートを用いればよ
い。
態について説明する。本実施の形態では、アルミニウム
の有機金属化合物の有機溶媒溶液をカバープレート１３
０に塗布し、カバープレート１３０を２００〜６００℃
程度に加熱することで、カバープレート１３０上にγ−
アルミナからなる中間体層６０１（図６）を形成するよ
うにした。アルミニウムの有機金属化合物としては、例
えばエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピ
レートやアルミニウムイソプロピレートを用いればよ
い。
【００３８】アルミニウムの有機金属化合物の有機溶媒
溶液の塗布膜は、加熱によりまず有機溶媒が蒸発する。
この後、上記温度に加熱することで有機金属化合物が分
解して有機成分が気化し、アモルファス状態もしくはγ
相などα相以外の酸化アルミニウムが残る。この分解
は、紫外線を照射したり、また、酸素プラズマ中で行う
ことで、より低温で行えるようになる。この結果、前述
した実施の形態と同様に、カバープレート１３０上にア
モルファス状態のアルミナまたはγ−アルミナからなる
中間体層６０１が形成される。以降は、前述した実施の
形態と同様である。
溶液の塗布膜は、加熱によりまず有機溶媒が蒸発する。
この後、上記温度に加熱することで有機金属化合物が分
解して有機成分が気化し、アモルファス状態もしくはγ
相などα相以外の酸化アルミニウムが残る。この分解
は、紫外線を照射したり、また、酸素プラズマ中で行う
ことで、より低温で行えるようになる。この結果、前述
した実施の形態と同様に、カバープレート１３０上にア
モルファス状態のアルミナまたはγ−アルミナからなる
中間体層６０１が形成される。以降は、前述した実施の
形態と同様である。
【００３９】ところで、上記実施の形態では、圧力を測
定する圧力センサであるチップ内に形成する電極に、金
属を用いるようにしたが、これに限るものではなく、Ｎ
ａ2Ｏ・１１Ａｌ2Ｏ3やＫ2Ｏ・１１Ａｌ2Ｏ3などのβ−
アルミナとよばれている材料から電極を構成するように
してもよい。β−アルミナは、図９に示すように、１１
分子層分のＡｌ2Ｏ3の層９０１と、１分子層分のＮａ2
Ｏの層９０２とが交互に積層した構造となっている。こ
のような構造のβ−アルミナは、導電性を有し、また、
電極形成母体のサファイアと相性がよいので、圧力セン
サ製造過程における熱ストレスや、圧力測定時に加わる
ダイヤフラムの変形ストレスなどによる電極の剥がれが
抑制されるようになる。
定する圧力センサであるチップ内に形成する電極に、金
属を用いるようにしたが、これに限るものではなく、Ｎ
ａ2Ｏ・１１Ａｌ2Ｏ3やＫ2Ｏ・１１Ａｌ2Ｏ3などのβ−
アルミナとよばれている材料から電極を構成するように
してもよい。β−アルミナは、図９に示すように、１１
分子層分のＡｌ2Ｏ3の層９０１と、１分子層分のＮａ2
Ｏの層９０２とが交互に積層した構造となっている。こ
のような構造のβ−アルミナは、導電性を有し、また、
電極形成母体のサファイアと相性がよいので、圧力セン
サ製造過程における熱ストレスや、圧力測定時に加わる
ダイヤフラムの変形ストレスなどによる電極の剥がれが
抑制されるようになる。
【００４０】また、β−アルミナは、融点が２９００℃
と高融点材料であるので、上述したカバープレートの接
合工程においても、何ら問題が発生しない。逆に、カバ
ープレートの接合工程において、より高温の処理が可能
となり、アモルファスもしくはγ−アルミナからなる中
間体層の相転移を、より迅速にかつ確実に行うことが可
能となる。なお、上述では、サファイアを用いるように
したが、これに限るものではなく、α層の酸化アルミニ
ウムからなる部材であれば、上述同様に接合することが
できる。
と高融点材料であるので、上述したカバープレートの接
合工程においても、何ら問題が発生しない。逆に、カバ
ープレートの接合工程において、より高温の処理が可能
となり、アモルファスもしくはγ−アルミナからなる中
間体層の相転移を、より迅速にかつ確実に行うことが可
能となる。なお、上述では、サファイアを用いるように
したが、これに限るものではなく、α層の酸化アルミニ
ウムからなる部材であれば、上述同様に接合することが
できる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
サファイアなどのα相酸化アルミニウムから筐体などの
部材が構成された圧力センサチップに、サファイアなど
のα相酸化アルミニウムからなる板部材を直接接合と同
様の状態に接合できるようになり、サファイアからなる
圧力センサを、サファイアの持つ特性を損なうことなく
安価に形成できるようになるという優れた効果が得られ
る。
サファイアなどのα相酸化アルミニウムから筐体などの
部材が構成された圧力センサチップに、サファイアなど
のα相酸化アルミニウムからなる板部材を直接接合と同
様の状態に接合できるようになり、サファイアからなる
圧力センサを、サファイアの持つ特性を損なうことなく
安価に形成できるようになるという優れた効果が得られ
る。
【図１】 本発明の実施の形態における圧力センサのチ
ップ１１０にカバープレート１３０が接合された状態を
示す構成図である。
ップ１１０にカバープレート１３０が接合された状態を
示す構成図である。
【図２】 緩衝部材１２０が形成された圧力センサのチ
ップ１１０の構成を示す構成図である。
ップ１１０の構成を示す構成図である。
【図３】 緩衝部材１２０の構成を示す平面図である。
【図４】 メタルプレート１４０が接合されたサファイ
アからなるカバープレート１３０の構成を示す平面図で
ある。
アからなるカバープレート１３０の構成を示す平面図で
ある。
【図５】 本発明の実施の形態における圧力センサの製
造方法を説明する工程図である。
造方法を説明する工程図である。
【図６】 本発明の実施の形態における圧力センサの製
造方法を説明する工程図である。
造方法を説明する工程図である。
【図７】 本発明の実施の形態における圧力センサの製
造方法を説明する工程図である。
造方法を説明する工程図である。
【図８】 本発明の実施の形態における圧力センサの一
部構成を示す構成図である。
部構成を示す構成図である。
【図９】 β−アルミナの状態を示す説明図である。
【図１０】 圧力センサの一部構成を示す構成図であ
る。
る。
１０１…基部、１０２…ダイヤフラム、１０３…容量
室、１０４…可動電極、１０５…固定電極、１１０…チ
ップ、１２０…緩衝部材、１２１，１２２…接触領域、
１３０…カバープレート、１３１…裏面、１３２…主表
面、１４０…メタルプレート。
室、１０４…可動電極、１０５…固定電極、１１０…チ
ップ、１２０…緩衝部材、１２１，１２２…接触領域、
１３０…カバープレート、１３１…裏面、１３２…主表
面、１４０…メタルプレート。
Claims (13)
- 【請求項１】 α相の酸化アルミニウムからなる基台、
この基台主表面上に配置されたα相の酸化アルミニウム
からなるダイヤフラム、前記基台に形成された凹部から
なり前記ダイヤフラムで覆われた容量室、この容量室底
部に配置された固定電極、前記容量室内部において前記
固定電極に対向して前記ダイヤフラムに固定された可動
電極を備えた圧力センサチップと、 この圧力センサチップにα相の酸化アルミニウムからな
る中間体層を介して接続されたα相の酸化アルミニウム
からなる板部材とから構成され、 前記中間体層は、アルミニウムと酸素とを含む化合物が
溶解した溶液からなる溶液を加熱することで、α相以外
の酸化アルミニウムもしくはアモルファス状体の酸化ア
ルミニウムからなる中間体の状態とされた後、この中間
体の状態の酸化アルミニウムを相転移させてα相とされ
たものであることを特徴とする圧力センサ。 - 【請求項２】 α相の酸化アルミニウムからなる基台
と、この基台主表面上に配置されたα相の酸化アルミニ
ウムからなるダイヤフラムと、前記基台に形成された凹
部からなり前記ダイヤフラムで覆われた容量室と、この
容量室底部に配置された固定電極と、前記容量室内部に
おいて前記固定電極に対向して前記ダイヤフラムに固定
された可動電極とを備えた圧力センサチップにα相の酸
化アルミニウムからなる板部材を接合する圧力センサの
製造方法において、 前記板部材の表面にアルミニウムと酸素とを含む化合物
が溶解した溶液からなる溶液層を形成する第１の工程
と、 この溶液層を加熱してα相以外の酸化アルミニウムもし
くはアモルファス状体の酸化アルミニウムからなる中間
体層が前記板部材の表面に形成された状態とする第２の
工程と、 前記中間体層上に前記圧力センサチップを配置して前記
板部材と前記圧力センサチップとの間に圧力を加えると
共に電界を加え、かつ前記中間体層に紫外線を照射して
加熱し、前記中間体層を構成するα相以外の酸化アルミ
ニウムもしくはアモルファス状体の酸化アルミニウムを
相転移させてα相とする第３の工程とを備えたことを特
徴とする圧力センサの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の圧力センサの製造方法に
おいて、 前記アルミニウムと酸素とを含む化合物は、水酸化アル
ミニウムであり、前記溶液層は水溶液であることを特徴
とする圧力センサの製造方法。 - 【請求項４】 請求項２記載の圧力センサの製造方法に
おいて、 前記アルミニウムと酸素とを含む化合物は、ベーマイト
であることを特徴とする圧力センサの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の圧力センサの製造方法に
おいて、 前記アルミニウムと酸素とを含む化合物は、アルミニウ
ムの有機酸塩であることを特徴とする圧力センサの製造
方法。 - 【請求項６】 請求項４記載の圧力センサの製造方法に
おいて、 前記アルミニウムと酸素とを含む化合物は、アルミニウ
ムの有機金属化合物であることを特徴とする圧力センサ
の製造方法。 - 【請求項７】 請求項５記載の圧力センサの製造方法に
おいて、 前記アルミニウムの有機酸塩は、Ａｌ（ＣＨ3ＣＯＯ）3
であることを特徴とする圧力センサの製造方法。 - 【請求項８】 請求項４記載の圧力センサの製造方法に
おいて、 前記アルミニウム有機金属化合物は、アルミニウムのア
ルコキシドであることを特徴とする圧力センサの製造方
法。 - 【請求項９】 請求項４記載の圧力センサの製造方法に
おいて、 前記アルミニウムの有機金属化合物は、アルミニウムの
金属カルボニルであることを特徴とする圧力センサの製
造方法。 - 【請求項１０】 請求項１〜８いずれか１項に記載の圧
力センサの製造方法において、 前記紫外線の波長は、２００ｎｍ以下であることを特徴
とする圧力センサの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１〜９いずれか１項に記載の圧
力センサの製造方法において、 前記ダイヤフラムの周辺部上にはα相の酸化アルミニウ
ムからなる緩衝部材が形成されて前記圧力センサチップ
を構成し、 前記板部材は前記緩衝部材に接合することを特徴とする
圧力センサの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１〜１０いずれか１項に記載の
圧力センサの製造方法において、前記α相の酸化アルミ
ニウムは、サファイアであることを特徴とする圧力セン
サの製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１〜１１いずれか１項に記載の
圧力センサの製造方法において、 前記α相以外の酸化アルミニウムは、γ相，θ相，ι
相，κ相，ε相，χ相，δ相，σ相のいずれかもしくは
混合物であることを特徴とする圧力センサの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000298160A JP4091241B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 圧力センサおよび圧力センサの製造方法 |
| US10/381,800 US6904808B2 (en) | 2000-09-29 | 2001-10-01 | Pressure sensor and method for manufacturing pressure sensor |
| CNB018165893A CN1208843C (zh) | 2000-09-29 | 2001-10-01 | 压力传感器和生产压力传感器的方法 |
| DE60142483T DE60142483D1 (de) | 2000-09-29 | 2001-10-01 | Verfahren zur herstellung eines drucksensors |
| PCT/JP2001/008646 WO2002027803A1 (fr) | 2000-09-29 | 2001-10-01 | Capteur de pression et son procede de fabrication |
| EP01970321A EP1329960B1 (en) | 2000-09-29 | 2001-10-01 | Method for manufacturing a pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000298160A JP4091241B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 圧力センサおよび圧力センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002111011A true JP2002111011A (ja) | 2002-04-12 |
| JP4091241B2 JP4091241B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=18780160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000298160A Expired - Fee Related JP4091241B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 圧力センサおよび圧力センサの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6904808B2 (ja) |
| EP (1) | EP1329960B1 (ja) |
| JP (1) | JP4091241B2 (ja) |
| CN (1) | CN1208843C (ja) |
| DE (1) | DE60142483D1 (ja) |
| WO (1) | WO2002027803A1 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006010539A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Yamatake Corp | 容量式圧力センサ及びこの製造方法 |
| JP2008517254A (ja) * | 2004-10-18 | 2008-05-22 | シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド | 微小電気機械圧力センサ |
| JP2010523946A (ja) * | 2007-04-07 | 2010-07-15 | インフィコン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 真空隔膜セルを製造する方法 |
| US7841238B2 (en) | 2004-10-18 | 2010-11-30 | Silverbrook Research Pty Ltd | Pressure sensor with temperature compensation |
| US7854171B2 (en) | 2004-10-18 | 2010-12-21 | Silverbrook Research Pty Ltd | Temperature compensated miniature pressure sensor |
| US7934427B2 (en) | 2004-10-18 | 2011-05-03 | Silverbrook Research Pty Ltd | Capacitative pressure sensor |
| US7980139B2 (en) | 2004-10-18 | 2011-07-19 | Silverbrook Research Pty Ltd | Miniature pressure sensor assembly |
| US8065918B2 (en) | 2004-10-18 | 2011-11-29 | Silverbrook Research Pty Ltd | Air pressure sensor with temperature compensation |
| US8322205B2 (en) | 2004-10-18 | 2012-12-04 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of fabricating a integrated pressure sensor |
| US8656787B2 (en) | 2009-03-30 | 2014-02-25 | Azbil Corporation | Electrostatic capacitive pressure sensor |
| JP2014081266A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Kyocera Corp | 圧力センサ用部品 |
| JP2014126504A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Azbil Corp | 静電容量型圧力センサ |
| EP2921837A1 (en) | 2014-03-20 | 2015-09-23 | Azbil Corporation | Electrostatic capacitance type pressure sensor |
| JP2016024033A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | 株式会社フジクラ | 半導体圧力センサ及び半導体圧力センサ取付構造体 |
| KR20180095450A (ko) | 2017-02-17 | 2018-08-27 | 아즈빌주식회사 | 정전 용량형 압력 센서 |
| KR20180095449A (ko) | 2017-02-17 | 2018-08-27 | 아즈빌주식회사 | 정전 용량형 압력 센서 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3920551B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2007-05-30 | 株式会社山武 | 接合方法 |
| JP3925341B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2007-06-06 | 豊田合成株式会社 | 結晶成長基板及び半導体発光素子の製造方法 |
| JP4014006B2 (ja) * | 2004-06-17 | 2007-11-28 | 株式会社山武 | 圧力センサ |
| CN1764328B (zh) * | 2004-10-18 | 2010-12-15 | 财团法人工业技术研究院 | 动态压力感测装置 |
| EP2212662A4 (en) * | 2007-11-05 | 2015-11-18 | Univ Colorado Regents | METAL FERRITE SPINELLE ENERGY STORAGE DEVICES AND METHOD FOR MANUFACTURING THEM AND USE THEREOF |
| CN101252151B (zh) * | 2008-03-21 | 2010-09-29 | 韦文生 | 一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器 |
| EP2229967B1 (en) | 2009-03-17 | 2020-04-15 | F.Hoffmann-La Roche Ag | Cannula assembly and ambulatory infusion system with a pressure sensor made of stacked coplanar layers |
| US8141429B2 (en) * | 2010-07-30 | 2012-03-27 | Rosemount Aerospace Inc. | High temperature capacitive static/dynamic pressure sensors and methods of making the same |
| EP2920668B1 (en) * | 2012-11-14 | 2021-11-03 | GTAT Corporation | A mobile electronic device comprising an ultrathin sapphire cover plate |
| CN103148977B (zh) * | 2013-02-27 | 2016-01-20 | 东南大学 | 基于柔性基板的具有自封装功能的无源无线压力传感器 |
| JP2015068799A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
| DE102013220735A1 (de) * | 2013-10-14 | 2015-04-16 | Vega Grieshaber Kg | Messanordnung mit einer keramischen Messzelle |
| CN103674399B (zh) * | 2013-12-25 | 2016-04-27 | 北京必创科技有限公司 | 一种应力分散mems塑封压力传感器及其制备方法 |
| CN104931188A (zh) * | 2014-03-20 | 2015-09-23 | 立锜科技股份有限公司 | 微机电压力计以及其制作方法 |
| CN104062045B (zh) * | 2014-06-13 | 2017-09-15 | 江苏英特神斯科技有限公司 | 一种压阻式压力传感器及其制造方法 |
| CN104021843A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-09-03 | 东风电子科技股份有限公司 | NOx传感器用的绝缘层浆料及其用于制备NOx传感器绝缘层的方法 |
| CN104990651A (zh) * | 2015-08-16 | 2015-10-21 | 昆山泰莱宏成传感技术有限公司 | 硅-蓝宝石差分电容式压力传感器及制作方法 |
| US11083902B2 (en) * | 2018-05-29 | 2021-08-10 | International Business Machines Corporation | Biosensor package |
| DE102018114300A1 (de) | 2018-06-14 | 2019-12-19 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Druckmesseinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| WO2024087110A1 (en) * | 2022-10-27 | 2024-05-02 | Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd | Microelectromechanical system pressure sensor with pressure sensing element having phase-change material |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3404262A1 (de) * | 1983-03-09 | 1984-09-13 | Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki | Kapazitiver messfuehler |
| JP2896725B2 (ja) * | 1991-12-26 | 1999-05-31 | 株式会社山武 | 静電容量式圧力センサ |
| JP2896728B2 (ja) * | 1992-12-18 | 1999-05-31 | 株式会社山武 | 静電容量式圧力センサ |
| JP2852593B2 (ja) * | 1993-03-11 | 1999-02-03 | 株式会社山武 | 静電容量式圧力センサ |
| JP2748079B2 (ja) * | 1993-04-12 | 1998-05-06 | 山武ハネウエル株式会社 | 静電容量式圧力センサ |
| JPH0727645A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 静電容量式圧力センサ |
| JP2865552B2 (ja) * | 1994-03-15 | 1999-03-08 | 株式会社山武 | 静電容量式圧力センサ |
| JP3114570B2 (ja) * | 1995-05-26 | 2000-12-04 | オムロン株式会社 | 静電容量型圧力センサ |
| US5954900A (en) | 1996-10-04 | 1999-09-21 | Envec Mess- Und Regeltechnik Gmbh + Co. | Process for joining alumina ceramic bodies |
| US6167761B1 (en) * | 1998-03-31 | 2001-01-02 | Hitachi, Ltd. And Hitachi Car Engineering Co., Ltd. | Capacitance type pressure sensor with capacitive elements actuated by a diaphragm |
| JP3771425B2 (ja) * | 2000-07-04 | 2006-04-26 | 株式会社山武 | 容量式圧力センサおよびその製造方法 |
-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000298160A patent/JP4091241B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-10-01 WO PCT/JP2001/008646 patent/WO2002027803A1/ja active Application Filing
- 2001-10-01 EP EP01970321A patent/EP1329960B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-01 CN CNB018165893A patent/CN1208843C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-01 DE DE60142483T patent/DE60142483D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-01 US US10/381,800 patent/US6904808B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006010539A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Yamatake Corp | 容量式圧力センサ及びこの製造方法 |
| JP4548771B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2010-09-22 | 株式会社山武 | 容量式圧力センサの製造方法 |
| JP2008517254A (ja) * | 2004-10-18 | 2008-05-22 | シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド | 微小電気機械圧力センサ |
| US7841238B2 (en) | 2004-10-18 | 2010-11-30 | Silverbrook Research Pty Ltd | Pressure sensor with temperature compensation |
| US7854171B2 (en) | 2004-10-18 | 2010-12-21 | Silverbrook Research Pty Ltd | Temperature compensated miniature pressure sensor |
| US7934427B2 (en) | 2004-10-18 | 2011-05-03 | Silverbrook Research Pty Ltd | Capacitative pressure sensor |
| US7980139B2 (en) | 2004-10-18 | 2011-07-19 | Silverbrook Research Pty Ltd | Miniature pressure sensor assembly |
| US8065918B2 (en) | 2004-10-18 | 2011-11-29 | Silverbrook Research Pty Ltd | Air pressure sensor with temperature compensation |
| US8322205B2 (en) | 2004-10-18 | 2012-12-04 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of fabricating a integrated pressure sensor |
| JP2010523946A (ja) * | 2007-04-07 | 2010-07-15 | インフィコン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 真空隔膜セルを製造する方法 |
| US8656787B2 (en) | 2009-03-30 | 2014-02-25 | Azbil Corporation | Electrostatic capacitive pressure sensor |
| JP2014081266A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Kyocera Corp | 圧力センサ用部品 |
| JP2014126504A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Azbil Corp | 静電容量型圧力センサ |
| US9228913B2 (en) | 2012-12-27 | 2016-01-05 | Azbil Corporation | Electrostatic pressure sensor |
| EP2921837A1 (en) | 2014-03-20 | 2015-09-23 | Azbil Corporation | Electrostatic capacitance type pressure sensor |
| JP2016024033A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | 株式会社フジクラ | 半導体圧力センサ及び半導体圧力センサ取付構造体 |
| KR20180095450A (ko) | 2017-02-17 | 2018-08-27 | 아즈빌주식회사 | 정전 용량형 압력 센서 |
| KR20180095449A (ko) | 2017-02-17 | 2018-08-27 | 아즈빌주식회사 | 정전 용량형 압력 센서 |
| US10620072B2 (en) | 2017-02-17 | 2020-04-14 | Azbil Corporation | Capacitive pressure sensor |
| US10670481B2 (en) | 2017-02-17 | 2020-06-02 | Azbill Corporation | Capacitive pressure sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6904808B2 (en) | 2005-06-14 |
| DE60142483D1 (de) | 2010-08-12 |
| JP4091241B2 (ja) | 2008-05-28 |
| CN1466780A (zh) | 2004-01-07 |
| EP1329960A1 (en) | 2003-07-23 |
| CN1208843C (zh) | 2005-06-29 |
| EP1329960A4 (en) | 2007-01-24 |
| US20040007071A1 (en) | 2004-01-15 |
| EP1329960B1 (en) | 2010-06-30 |
| WO2002027803A1 (fr) | 2002-04-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4091241B2 (ja) | 圧力センサおよび圧力センサの製造方法 | |
| US5400489A (en) | Method of stabilizing the surface properties of objects to be thermally treated in a vacuum | |
| JP3920551B2 (ja) | 接合方法 | |
| JP4334139B2 (ja) | 容量式の真空測定セルのためのダイヤフラム | |
| JP2009008693A (ja) | 容量式の真空測定セル | |
| JP3866501B2 (ja) | 接合方法 | |
| JP2008032451A (ja) | 容量変化型圧力センサ | |
| JP2001287982A (ja) | サセプタ及びその製造方法 | |
| JP2007019310A (ja) | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法及び電子機器 | |
| JP2002137973A (ja) | 接合剤および接合方法 | |
| JPH0230188A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JP2859294B2 (ja) | 酸素センサ | |
| CN109459143A (zh) | 基于等离激元及压电薄膜温度频率特性的红外传感器 | |
| TWI829316B (zh) | 耐電漿積層體、其製造方法及電漿處理裝置 | |
| TWI388824B (zh) | Ion field - effect transistor with samarium titanium oxide and its ion sensing electrode | |
| JPH0147740B2 (ja) | ||
| JPH06504877A (ja) | 電場−援助接着 | |
| JPH1090073A (ja) | 輻射センサ及びその製造方法 | |
| Klein et al. | Design, assembly and reliability of a hermetic package for a 600° C wireless temperature sensor | |
| CN116230333A (zh) | 一种异形金属基底原位传感器芯片的绝缘层及其制备方法 | |
| JPH035346A (ja) | 陽極接合装置 | |
| JPH0368829A (ja) | 圧力検出器およびその製造方法 | |
| JPH0276237A (ja) | シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法 | |
| JPH02129528A (ja) | 容量形圧力センサ | |
| JPH05234478A (ja) | 半導体圧力スイッチの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040601 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071113 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080107 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080226 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080228 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4091241 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140307 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |