JPH0276237A - シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法 - Google Patents
シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法Info
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- JPH0276237A JPH0276237A JP22931288A JP22931288A JPH0276237A JP H0276237 A JPH0276237 A JP H0276237A JP 22931288 A JP22931288 A JP 22931288A JP 22931288 A JP22931288 A JP 22931288A JP H0276237 A JPH0276237 A JP H0276237A
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、半導体デバイスの製作におけるシリコンウ
ェハとガラス基板の陽極接合法に関するものである。
ェハとガラス基板の陽極接合法に関するものである。
[従来の技術]
第2図は、例えば特公昭53−28747号公報(D、
1.ポメランツの発明)に示された接合法を示す構成断
面図である。 図において(1)はシリコンウェハ、(
2)はガラス基板、(4)は陽極導体板、(5〉は加熱
ヒータ、(6)は陰極導体板である。
1.ポメランツの発明)に示された接合法を示す構成断
面図である。 図において(1)はシリコンウェハ、(
2)はガラス基板、(4)は陽極導体板、(5〉は加熱
ヒータ、(6)は陰極導体板である。
従来の半導体デバイス、側光ばシリコンのピエゾ抵抗効
果を利用する半導体圧力センサー等は、その製作工程に
おいてシリコンウニ)1とガラス基板を接合した構造体
として構成されるが、この構造体の接続方法として、陽
極接合法は極めて有効であることが知られている。シリ
コンウエノ1(1)とガラス基板(2)を加熱ヒータ(
5)で加熱し、シリコンウェハ側を陽極導体板(4〉を
通して陽極とし、ガラス基板側を同じ(陰極導体板(6
)を通して陰極として直流電圧を印加し、接合する方法
が行われている。
果を利用する半導体圧力センサー等は、その製作工程に
おいてシリコンウニ)1とガラス基板を接合した構造体
として構成されるが、この構造体の接続方法として、陽
極接合法は極めて有効であることが知られている。シリ
コンウエノ1(1)とガラス基板(2)を加熱ヒータ(
5)で加熱し、シリコンウェハ側を陽極導体板(4〉を
通して陽極とし、ガラス基板側を同じ(陰極導体板(6
)を通して陰極として直流電圧を印加し、接合する方法
が行われている。
[発明が解決しようとする課題]
上記のような、従来のシリコンウエノ1とガラス基板の
陽極接合法においては、陰極導体板(6)の真下のガラ
ス基板面が接合の完結後、参考写真に示すようなりレー
タ−状の腐食性損傷を受ける。
陽極接合法においては、陰極導体板(6)の真下のガラ
ス基板面が接合の完結後、参考写真に示すようなりレー
タ−状の腐食性損傷を受ける。
二のような損傷は、接合体ウェハのハンドリングによる
損傷及びチップ分割時のダイシングによるクラックがし
ばしば発生し、歩留まり低下の原因となるという問題点
があった。
損傷及びチップ分割時のダイシングによるクラックがし
ばしば発生し、歩留まり低下の原因となるという問題点
があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、シリコンウェハとガラス基板の接合時に発
生するガラス基板の損傷を防止することを目的とする。
れたもので、シリコンウェハとガラス基板の接合時に発
生するガラス基板の損傷を防止することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明は、シリコンウェハとガラス基板の陽極接合時
における上記課題を解決するため、ガラス基板の主面に
シリコンウェハを当接し、このガラス基板の他生面に陰
極導体板を当接し、上記シリコンウェハな陽極、上記陰
極導体板を陰極として、直流電圧を印加すると同時に加
熱し、上記シリコンウェハとガラス基板を接合するもの
において、上記ガラス基板と陰極導体板との間に、ダミ
ーガラス板を介在させ、上記ダミーガラス板を通じて電
圧を印加し、接合を達成することを特徴とするシリコン
ウェハとガラス基板の陽極接合法である。
における上記課題を解決するため、ガラス基板の主面に
シリコンウェハを当接し、このガラス基板の他生面に陰
極導体板を当接し、上記シリコンウェハな陽極、上記陰
極導体板を陰極として、直流電圧を印加すると同時に加
熱し、上記シリコンウェハとガラス基板を接合するもの
において、上記ガラス基板と陰極導体板との間に、ダミ
ーガラス板を介在させ、上記ダミーガラス板を通じて電
圧を印加し、接合を達成することを特徴とするシリコン
ウェハとガラス基板の陽極接合法である。
[作 用]
この発明による陽極接合法は、ガラス基板と陰極導体板
の間に、ダミーガラス板を介在させ、上記ダミーガラス
板を通じて電圧を印可し、接合時におけるガラス損傷を
ダミーガラス板に受は持たせることにより、従来発生し
ていたガラス基板の損傷を防ぐことができる。
の間に、ダミーガラス板を介在させ、上記ダミーガラス
板を通じて電圧を印可し、接合時におけるガラス損傷を
ダミーガラス板に受は持たせることにより、従来発生し
ていたガラス基板の損傷を防ぐことができる。
[実施例]
第1図はこの発明の一実施例を示す構成断面図であり、
シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法において、加
熱ヒータ(5)上に同ヒータから電気的に絶縁された陽
極導体板(4)を設置し、その上に通常の半導体プロセ
スを経て回路を形成している4インチシリコンウェハ(
1)、または未処理の4インチシリコンウニハク1〉を
載せ、シリコンと熱膨張係数が近似する同サイズのポウ
ケイ酸ガラス基板(2)〈例えば商品名: パイレック
スガラス)を重ね、さらにその上に陰極導体板(6)と
同サイズか、またはそれより大きい(ただし、ガラス基
板より小さい)ダミーガラス板<3) 1合されるガ
ラス基板と同材質か、またはそれよりもアルカリ含有量
の多いガラス、例えば汎用のソーダライムガラス)と陰
極導体板(6)をガラス基板(2〉の中央部に設置し、
接合されるシリコンウェハ(1)及びガラス基板(2)
を接合に必要な所定の温度(例えば400〜450℃)
に加熱ヒータで加熱、陽極導体板(4〉と陰極導体板(
6)の間に、直流電圧(例えば50ON1000■)を
所定時間(例えば10〜60分間)印加し、接合を達成
して陽極導体板(4〉、ダミーガラス板(3〉、及び陰
極導体板(6)を取りはずし、シリコンウェハとガラス
Ili板の接合を完成させる。
シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法において、加
熱ヒータ(5)上に同ヒータから電気的に絶縁された陽
極導体板(4)を設置し、その上に通常の半導体プロセ
スを経て回路を形成している4インチシリコンウェハ(
1)、または未処理の4インチシリコンウニハク1〉を
載せ、シリコンと熱膨張係数が近似する同サイズのポウ
ケイ酸ガラス基板(2)〈例えば商品名: パイレック
スガラス)を重ね、さらにその上に陰極導体板(6)と
同サイズか、またはそれより大きい(ただし、ガラス基
板より小さい)ダミーガラス板<3) 1合されるガ
ラス基板と同材質か、またはそれよりもアルカリ含有量
の多いガラス、例えば汎用のソーダライムガラス)と陰
極導体板(6)をガラス基板(2〉の中央部に設置し、
接合されるシリコンウェハ(1)及びガラス基板(2)
を接合に必要な所定の温度(例えば400〜450℃)
に加熱ヒータで加熱、陽極導体板(4〉と陰極導体板(
6)の間に、直流電圧(例えば50ON1000■)を
所定時間(例えば10〜60分間)印加し、接合を達成
して陽極導体板(4〉、ダミーガラス板(3〉、及び陰
極導体板(6)を取りはずし、シリコンウェハとガラス
Ili板の接合を完成させる。
なお、ダミーガラス板(3)は接合毎に取り替えるか、
又は十分洗浄した後、破損に至るまで再使用することが
できる。
又は十分洗浄した後、破損に至るまで再使用することが
できる。
[発明の効果コ
以上のようにこの発明によれば、ガラス基板と陰極導体
板との間にダミーガラス板を介在させ、上記ガラス基板
を通じて電圧を印加し、接合を達成することにより、ダ
ミーガラス板は陰極導体板(6)の真下で損傷を受ける
が、ガラス基板(2〉は何等の外的損傷を受けることな
(シリコンウェハ(1)との接合が達成される。これは
後プロセスにおける同接合体のクラッチ及び破損を防止
することができ、また、同構造体のシリコンデバイスの
歩留まりを改善できる。
板との間にダミーガラス板を介在させ、上記ガラス基板
を通じて電圧を印加し、接合を達成することにより、ダ
ミーガラス板は陰極導体板(6)の真下で損傷を受ける
が、ガラス基板(2〉は何等の外的損傷を受けることな
(シリコンウェハ(1)との接合が達成される。これは
後プロセスにおける同接合体のクラッチ及び破損を防止
することができ、また、同構造体のシリコンデバイスの
歩留まりを改善できる。
第1図はこの発明による一実施例によるシリコンウェハ
とガラス基板の陽極接合法を説明する構成断面図。第2
図は従来のシリコンウェハとガラス基板の陽極接合法を
示す構成断面図である。 図において(1)はシリコンウェハ、(2)はガラス基
板、(3)はダミーガラス板、(4〉は陽極導体板、(
5〉は加熱ヒータ、(6)は陰極導体板である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
とガラス基板の陽極接合法を説明する構成断面図。第2
図は従来のシリコンウェハとガラス基板の陽極接合法を
示す構成断面図である。 図において(1)はシリコンウェハ、(2)はガラス基
板、(3)はダミーガラス板、(4〉は陽極導体板、(
5〉は加熱ヒータ、(6)は陰極導体板である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- ガラス基板の主面にシリコンウェハを当接し、このガラ
ス基板の他生面に陰極導体板を当接し、上記シリコンウ
ェハを陽極、上記陰極導体板を陰極として、直流電圧を
印加すると同時に加熱し、上記シリコンウェハとガラス
基板を接合するものにおいて、上記ガラス基板と陰極導
体板との間に、ダミーガラス板を介在させ、上記ダミー
ガラス板を通じて電圧を印加し、接合を達成することを
特徴とするシリコンウェハとガラス基板の陽極接合法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22931288A JPH0779110B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22931288A JPH0779110B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0276237A true JPH0276237A (ja) | 1990-03-15 |
JPH0779110B2 JPH0779110B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=16890168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22931288A Expired - Fee Related JPH0779110B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0779110B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02148713A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Toyoda Mach Works Ltd | シリコンとガラスの接合方法 |
US20100206475A1 (en) * | 2007-09-05 | 2010-08-19 | Nobuhiro Ueno | Anode bonding method and producing method od liquid droplet discharging head |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP22931288A patent/JPH0779110B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02148713A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Toyoda Mach Works Ltd | シリコンとガラスの接合方法 |
US20100206475A1 (en) * | 2007-09-05 | 2010-08-19 | Nobuhiro Ueno | Anode bonding method and producing method od liquid droplet discharging head |
US8366861B2 (en) * | 2007-09-05 | 2013-02-05 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Anode bonding method and producing method of liquid droplet discharging head |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0779110B2 (ja) | 1995-08-23 |
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Legal Events
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