JP6605991B2 - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法に関する。

従来より、ベース基板とリッド基板とを接合することで形成されたキャビティ内に電子素子が封入された電子デバイスが知られている。また、このような電子デバイスの製造方法において、陽極接合方法によってベースウェハとリッドウェハとを接合し、接合後、電子デバイスごとに個片化する技術が提案されている。

陽極接合方法によれば、ベースウェハとリッドウェハのそれぞれの接合面の間に接合膜を介在させた状態で、ベースウェハ又はリッドウェハと、接合膜とに電圧を印加することにより、ベースウェハとリッドウェハとを接合することが可能になる（特許文献１、２）。

特開２００９−１５２８２４号公報 特開２０１１−１０１４３号公報

しかしながら、上記従来技術には次の課題がある。
ベースウェハに対して外部電極を複数形成する際に、それぞれの外部電極の厚みが不均一になる場合がある。例えば、外部電極をめっきで形成する場合が挙げられる。
この場合、接合工程の際に、ベースウェハに対して外部電極側から陽極接合装置の陽極側治具を当接させ、外部電極を介して接合膜に電圧を印加すると、外部電極の厚みが不均一なので、一部の外部電極と、陽極側治具とが十分に当接しない。その結果、陽極側治具が当接しなかった外部電極と電気的に接続する電子素子が、接合工程の際に破損するといった課題がある。

そこで本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、不均一な厚みを有する外部電極が複数形成されているベースウェハと、リッドウェハとを陽極接合する接合工程を有する電子デバイスの製造方法において、接合工程の際に、ベースウェハに形成された外部電極に確実に電圧を印加可能な電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明にあっては、
第１ウェハに対して、少なくとも一つの貫通電極と、前記貫通電極の両端にそれぞれ接続する内部電極と外部電極とを形成し、少なくとも前記外部電極をめっきによって形成する電極形成工程と、
第１ウェハにおいて前記内部電極が形成される側の表面に接合膜を形成する接合膜形成工程と、
前記内部電極に対して電子素子を実装する実装工程と、
第１ウェハと第２ウェハとの間に形成されるキャビティ内に前記電子素子が収容されるように第１ウェハと第２ウェハとを接合する接合工程と、
接合された第１ウェハと第２ウェハとを、前記電子素子が収容されたパッケージごとに切断して個片化する切断工程と、
を備え、
前記接合膜形成工程では、
前記キャビティの周囲に形成される第１接合膜と、
第１接合膜と電気的に接続しつつ、前記内部電極のうち特定の内部電極と電気的に接続する第２接合膜と、を形成すると共に、
前記接合工程では、
前記外部電極に対してシート状の陽極部材を当接させ、第２ウェハに対して陰極部材を当接させた状態で前記陽極部材と前記陰極部材とに電圧を印加して陽極接合を行うことを特徴とする。

また、上記発明において、前記陽極部材は、前記外部電極よりも厚く、かつ可撓性部材によって形成されていることを特徴とする。

また、上記発明において、前記特定の内部電極を介して第２接合膜と電気的に接続する貫通電極が第１ウェハに複数形成されていることを特徴とする。

また、上記発明において、前記陽極部材はカーボン材料によって形成されていることを特徴とする。

また、上記発明において、前記電極形成工程では、前記貫通電極、前記特定の内部電極、前記内部電極、及び前記外部電極を同時に形成することを特徴とする。

また、上記発明において、前記陽極部材が電気的に接地されていることを特徴とする。

また、上記発明において、前記接合工程を真空下で行うことを特徴とする。

以上説明したように、本発明によれば、不均一な厚みを有する外部電極が複数形成されているベースウェハと、リッドウェハとを陽極接合する接合工程を有する電子デバイスの製造方法において、接合工程の際に、ベースウェハに形成された外部電極に確実に電圧を印加可能な電子デバイスの製造方法を提供する。

第１実施形態における電子デバイスの概略図。 第１実施形態における電子デバイスの概略図。 第１実施形態における電子デバイスの概略図。 第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法のフロー図 第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法のフロー図 第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法のフロー図 第１実施形態における陽極接合装置の概略構成図。 第１実施形態における第１ウェハの概略図。 第１実施形態における第１ウェハと第２ウェハの概略図。 第１実施形態における特定の内部電極の概略図。 第２実施形態における第１ウェハの概略図。 第２実施形態における特定の内部電極の概略図。

以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を例示的に詳しく説明する。ただし、以下の実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

＜第１実施形態＞
図１〜図１０を参照して、第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法について説明する。

（１−１：電子デバイスの概略構成）
図１〜図３を参照して、本実施形態における電子デバイス１の概略構成について説明する。本実施形態に係る電子デバイス１は、ベース基板２０と、リッド基板１０との間に形成されたキャビティ内に電子素子２が収容されたものである。

なお、本実施形態では、平板状のベース基板２０に対して、凹部が形成されているリッド基板１０が接合されていることにより、内部にキャビティが形成されているが、リッド基板１０を平板状とし、ベース基板２０に凹部を形成してもよい。また、ベース基板２０とリッド基板１０の両方に凹部を形成してキャビティを形成してもよい。

図１に示すように、ベース基板２０とリッド基板１０とは、第１接合膜２１を介して接合されている。第１接合膜２１は、ベース基板２０の周縁部に形成されている。即ち、キャビティを囲むように第１接合膜２１が形成されている。また、第１接合膜２１は、腐食による劣化を防止するために、表面がＳｉ等の保護膜（不図示）で覆われている。

図２に、電子デバイス１の概略図として、ベース基板２０の上面図を示す。ベース基板２０は、平板状に形成されており、４つの貫通電極２４が形成されている。それぞれの貫通電極２４の端面には、内部電極２３が形成されている。図示するように、内部電極２３と第１接合膜２１とは電気的に接続されておらず、互いに絶縁状態になるように構成されている。なお、本実施形態では、キャビティ１１内のそれぞれの角部近傍に計４つの貫通電極２４、内部電極２３が形成されているが、貫通電極２４と内部電極２３の数、位置はこれに限られるものではない。

図３に、電子デバイス１の概略断面図を示す。図示するように、ベース基板２０には、一方の表面に外部電極２５が形成されており、他方の表面には内部電極２３が形成されている。そして、外部電極２５と内部電極２３とが貫通電極２４によって電気的に接続されている。また、内部電極２３上には、Ａｕ等のバンプにより電子素子２が実装されている。また、上述したように、キャビティ１１の周縁には第１接合膜２１が形成されている。

なお、本実施形態に係る電子デバイス１は、赤外線センサ、温度センサなどの各種センサ部品、その他半導体部品等に広く応用することができ、電子素子２としては、各種ＩＣチップなどを採用することができる。

（１−２：ベースウェハ、リッドウェハの概略構成）
図８、図９を参照して、本実施形態におけるベースウェハ２００（第１ウェハ）、リッドウェハ１００（第２ウェハ）の概略構成について説明する。図８（ａ）は、ベースウェハ２００の上面図、図８（ｂ）は、ベースウェハ２００に形成されている各キャビティ１１の上面図である。

図８（ａ）に示すように、ベースウェハ２００は、円形の一部を直線状に切り欠いた外周形状を有しており、外周から径方向に向かって所定の領域は非製品領域として形成されている。なお、本実施形態では、非製品領域に内部電極２３は形成されていないが、アライメントマーク２９が計４か所形成されている。このアライメントマーク２９は、後述する接合工程において、ベースウェハ２００とリッドウェハ１００の位置決めに利用されるものである。アライメントマーク２９の数、位置はこれに限定されるものではない。

さらに、非製品領域よりも内側には、製品領域が形成されており、複数のパッケージ領域（リッドウェハ１００と接合した後にキャビティ１１になり得る領域）が形成されている。そして、それらのパッケージ領域内には、複数の内部電極２３が形成されている。なお、本実施形態では、製品領域のうちの最外領域に、「特定の内部電極２７」が複数形成されている。ここで特定の内部電極２７とは、後述する第２接合膜２２を介して、第１接合膜２１と電気的に接続される内部電極のことであり、第２接合膜２２、第１接合膜２１とは電気的に接続しない内部電極２３とは異なる電極といえる。

また、図８（ｂ）に示すように、パッケージ領域の周縁には、後述するリッドウェハ１００と接合する第１接合膜２１が形成されている。これにより、後述する接合工程の後では、キャビティ１１を囲むように、第１接合膜２１においてベースウェハ２００とリッドウェハ１００とを接合できるので、各キャビティ１１を確実に封止することが可能になる。

図９を参照して、ベースウェハ２００、リッドウェハ１００の概略構成について説明する。上述のベースウェハ２００に対して、リッドウェハ１００には、キャビティ１１に対応する凹部が形成されている。後述する接合工程では、ベースウェハ２００とリッドウェハ１００のそれぞれに形成されたアライメントマークを合わせるようにして両ウェハを重ねることで、各々のキャビティ１１内に電子素子２を封入した状態で、両ウェハを接合することが可能になる。なお、内部電極２３には電子素子２が実装されているが、上述の特定の内部電極２７には、電子素子２は実装されていない。

（１−３：特定の内部電極２７の概略構成）
図１０を参照して、特定の内部電極２７の概略構成について説明する。図１０（ａ）は、特定の内部電極２７が形成されたパッケージ領域の上面図であり、図１０（ｂ）は、特定の内部電極２７が形成されたパッケージ概略構成図である。

図１０（ａ）に示すように、特定の内部電極２７は、貫通電極２４の端面を覆うように形成されていると共に、キャビティ１１の周囲の形成される第１接合膜２１に対して、第２接合膜２２を介して電気的に接続されている。即ち、貫通電極２４、特定の内部電極２７、第２接合膜２２、第１接合膜２１は、電気的に接続されている。

これにより、後述の陽極接合装置によって、外部電極２５に電圧が印加されることにより、貫通電極２４、特定の内部電極２７、第２接合膜２２を介して第１接合膜２１に電圧を印加することが可能になるので、ベースウェハ２００とリッドウェハ１００とを陽極接合することが可能になる。

なお、本実施形態では、図１０（ａ）、図１０（ｂ）に図示するように、キャビティ１１の全面に第２接合膜２２が形成されているが、第２接合膜２２のパターンは、特定の内部電極２７と第１接合膜２１とを電気的に接続可能なパターンであればこれに限られるものではない。しかしながら、このようにキャビティ１１の全面に第２接合膜２２を形成することで、電圧の印加経路を十分に広く確保することが可能になる。よって、電圧を印加した際に、第２接合膜２２が焼切れるなどの虞がなく、生産性の向上、歩留り低下を実現することが可能になる。

（１−４：陽極接合装置の概略構成）
次に、図７を参照して、陽極接合装置３００の概略構成について説明する。
陽極接合装置３００は、板状の陽極側治具３１と、陰極側治具３２（陰極部材）とを有しており、それぞれの治具が電源電圧に接続されている。また、本実施形態では、陽極側治具３１が接地されている。

また、陽極側治具３１の一方の面には、シート状の陽極部材３３が設けられている。陽極部材３３は、導電性を有する可撓性部材によって形成されている。本実施形態では、カーボンシートが用いられているが、耐熱性、導電性と可撓性を具備していれば、他の材料であってもよい。
このような構成によれば、接合工程において、互いに位置決めされた状態のベースウェハ２００とリッドウェハ１００とを陽極部材３３と陰極側治具３２によって挟持することで、ベースウェハ２００、リッドウェハ１００の両方に対して所望の電圧を印加し、両ウェハを陽極接合することが可能になる。

また、陽極部材３３の厚みは、外部電極２５のよりも厚くなるように設定されている。上述したように、本実施形態の外部電極２５は、めっきによって形成されており、その厚さにはばらつきが生じるが、陽極部材３３は、外部電極２５の最大厚さよりも十分に厚くなるように形成されているものとする。

これにより、陽極部材３３をベースウェハ２００に対して当接させた状態において、全ての外部電極２５と陽極部材３３とを確実に接触させることができる。即ち、外部電極２５の厚みにばらつきがあったとしても、可撓性を有し、かつ外部電極２５よりも厚い陽極部材３３によって、全ての外部電極２５に確実に電圧を印加することが可能になる。

その結果、外部電極２５から貫通電極２４、特定の内部電極２７、第２接合膜２２、を介して第１接合膜２１に電圧を印加することができるので、ベースウェハ２００とリッドウェハ１００とを陽極接合できる。なお、本実施形態では、陽極側治具３１が接地されているので、電子素子２が接地状態と等価である。即ち、電圧を印加した場合に、過大電流が電子素子２の端子に印加される虞がなく、接合工程における電子素子２の損傷を防止できる。

（１−５：電子デバイスの製造方法）
次に、図４〜６を参照して、本実施形態に係る電子デバイス１の製造方法について説明する。なお、図４〜図６では、Ｓ１：研磨、洗浄、エッチング工程、Ｓ２：貫通孔形成工程、Ｓ３：電極形成工程、Ｓ４：接合膜形成工程、Ｓ５：研磨、洗浄、エッチング工程、Ｓ６：凹部形成工程、Ｓ７：素子実装工程、Ｓ８：接合工程、Ｓ９：切断工程、Ｓ１０：検査工程、を図示しているが、図番が異なっていても、対応する工程には同一符号を付している。また、Ｓ１〜Ｓ４がベースウェハ２００に対するプロセスＳ１００であり、Ｓ５、Ｓ６が、リッドウェハ１００に対するプロセスＳ２００である。

（Ｓ１：研磨、洗浄、エッチング工程）
まず、ベースウェハ２００を研磨・洗浄・エッチングを行う。ベースウェハ２００の両面のうち、少なくともリッドウェハ１００が接合される側の面に対しては、さらにポリッシュ加工を行う。これにより、ベースウェハ２００の表面が鏡面出しされ、陽極接合を好適に行うことが可能な平坦度を確保できる。

ベースウェハ２００、リッドウェハ１００には、ガラス基板やシリコン基板等を適用可能であるが、陽極接合を行う際の熱膨張を考慮すると、ベースウェハ２００、リッドウェハ１００として、加熱・冷却時に割れない材料を選択するのが望ましい。そこで本実施形態では、ベースウェハ２００にシリコン材料を、リッドウェハ１００にテンパックスガラスを用いるものとする。

（Ｓ２：貫通孔形成工程）
次に、ベースウェハ２００に対して複数の貫通孔２６を形成する。貫通孔２６を形成する際は、ブラスト加工、エッチング加工等の加工方法を用いる。なお、本実施形態では、ベースウェハ２００としてシリコン材料を使用しているので、貫通孔２６を形成した後に、ベースウェハ２００の表面にシリコン酸化膜や窒化膜等による絶縁層（不図示）を形成することで、以降の工程でそれぞれの貫通孔２６及びベースウェハ２００表面に電極を形成した際に互いの電極が電気的に絶縁出来るようにしている。

（Ｓ３：電極形成工程）
次に、ベースウェハ２００に対して、内部電極２３、特定の内部電極２７、貫通電極２４、外部電極２５を形成する。まず、上述の貫通孔形成工程で形成した貫通孔２６に対して、気密を保つ為にＣｕめっきを施して貫通電極２４を形成する。具体的には、スパッタ等によって貫通孔２６に対してＴｉ、Ｃｒ等の薄膜を形成し、さらにＣｕを連続して形成して下地層を作成する。

その後、内部電極２３、外部電極２５のパターンをドライフィルムで形成した後、Ｃｕめっきを行い、内部電極２３、特定の内部電極２７、外部電極２５、貫通電極２４を同時に作成する。そして、Ｃｕめっきを行った後、これらの電極の酸化を防ぎ、密着性を向上すべくＮｉめっき、及びＡｕめっきを行う。即ち、本実施形態では、めっきによる同時形成によって、内部電極２３、特定の内部電極２７、貫通電極２４、外部電極２５を形成しているので、貫通孔２６を確実に封止出来ると共に、生産性の向上を図ることが可能になる。

（Ｓ４：接合膜形成工程）
次に、ベースウェハ２００において内部電極２３、特定の内部電極２７が形成される側の表面に対して、第１接合膜２１と第２接合膜２２とを形成する。これらの接合膜は、内部電極２３、特定の内部電極２７をフォトレジスト等で保護をした後、ＡｌやＡｌ合金、Ｃｒ、Ｓｉの積層構造をスパッタ等の材料で一括形成し、その後、保護部をリフトオフ等の工程で取り除くことで同時に形成することができる。

ここで、第１接合膜２１は、ベースウェハ２００に形成されているパッケージ領域の周囲に形成されている。また、第２接合膜２２は、ベースウェハ２００に形成されている特定の内部電極２７と、その内部電極２７を囲む第１接合膜２１とを電気的に接続する領域に形成されている。

このように第２接合膜２２を形成することにより、ベースウェハ２００において、外部電極２５、貫通電極２４、特定の内部電極２７、第２接合膜２２、第１接合膜２１の順に電気的な接続を確保できる。即ち、外部電極２５に電圧を印加することで、第１接合膜２１全体に電圧を印加することできる。

（Ｓ５：研磨、洗浄、エッチング工程）
一方、リッドウェハ１００のプロセスＳ２００においては、まず、リッドウェハ１００を研磨・洗浄・エッチングを行う。また、リッドウェハ１００の両面のうち、少なくともベースウェハ２００と接合される側の面に対しては、さらにポリッシュ加工を行う。これにより、リッドウェハ１００の表面が鏡面出しされ、陽極接合を行える程度の平坦度を確保できる。

（Ｓ６：キャビティ形成工程）
次に、リッドウェハ１００に対してキャビティ１１用の凹部を形成する。凹部を形成する際は、まず凹部を形成しない部分をマスキングした後、ブラスト加工やエッチング加工等によって凹部を形成する。

また、ガラス等の基板で加工が容易な場合は、プレス加工等により凹部を形成した後、研磨により接合部を鏡面出ししてもよい。なお、ベースウェハ２００においてＳ４工程で説明したように内部電極２３、特定の内部電極２７を形成した部分は、これらの電極が接合面に対して突出するため、リッドウェハ１００の対応する部分には、少なくとも凹部を作成しておく必要がある。

（Ｓ７：素子実装工程）
次に、ベースウェハ２００上に電子素子２を実装する工程を行う。素子実装工程では、まず、電子素子２の端子部にＡｕ等のバンプを作成し、内部電極２３上にフリップチップ実装を行い、電子素子２を実装する。なお、実装方法としては、他にダイボンド材等で電子素子２をダイボンドし、電子素子２の端子部と内部電極２３とをワイヤーボンディング等で配線する方法も採用可能である。

（Ｓ８：接合工程）
次に、ベースウェハ２００とリッドウェハ１００とを陽極接合する接合工程を行う。なお、本実施形態の接合工程は真空下で行われる。接合工程を行う際は、まず、ベースウェハ２００とリッドウェハ１００との位置合わせを行う。具体的には、上述したように、陽極接合装置３００において、ベースウェハ２００の接合部（第１接合膜２１）とリッドウェハ１００の凹部側を対向させ、互いのウェハに形成されているアライメントマーク２９を利用して位置合わせを行う。

位置合わせを行った後、ベースウェハ２００の外部電極２５側に、外部電極２５の厚みよりも厚く、かつ可撓性材料で形成される陽極部材３３を配置する。これにより、ベースウェハ２００に対して加重を加えたときに、陽極部材３３が撓むことで、ベースウェハ２００を破損、変形させることなくベースウェハ２００をホールドすることが出来る。
また、外部電極２５の厚みにばらつきがあっても、陽極部材３３の厚みが外部電極２５よりも十分に厚いために、陽極部材３３と、それぞれの外部電極２５とを確実に接触させることができる。よって、全ての外部電極２５と陽極部材３３とを電気的に確実に接続することが出来る。

そして、陽極接合装置３００に対して、ベースウェハ２００とリッドウェハ１００とをセットし、真空引き、加熱、加重印加を行い、電圧を印加する。この際、数百Ｖの電圧を印加することで、各ウェハの接合部には数〜数十ｍＡ程度の電流が流れることになる。
なお、本実施形態では、特定の内部電極２７が、第２接合膜２２を介して第１接合膜２１と電気的に接続されており、第２接合膜２２は充分な面積を有しているので、接合時に
電圧を印加する際、これらの接合膜と特定の内部電極２７との導通部分が焼き切れる虞がない。

また、接合工程では、ベースウェハ２００、リッドウェハ１００に印加される電圧の大きさによっては、キャビティ１１内に実装されている電子素子２の端子に電圧負荷がかかり、電子素子２が破損する可能性がある。

これに対して本実施形態では、上述のように全ての外部電極２５に対して陽極部材３３が当接して確実に電圧を印加でき、さらには特定の内部電極２７を介して、外部電極２５と第１接合膜２１とが電気的に接続されており、また、陽極接合装置３００の陽極側が電気的に接地されている。

その結果、陰極側治具３２に電圧を加えると、第１接合膜２１の接合部が陽極となり、陰極側に配置されたリッドウェハ１００と接合部が陽極接合により接合されるとともに、電子素子２と接続された外部電極２５を接地できる。
また、リッドウェハ１００側に作成した凹部により、キャビティ１１の空間によって電子素子２を空間的に分離できる。
よって、これらの効果から、電子素子２の端子に過大な電圧負荷が掛かることは無く、接合工程における電子素子２の破損を防ぐことができる。

（Ｓ９：切断工程）
接合工程の後、接合状態にあるウェハを、切断部５０において、電子デバイス１のパッケージごとに切断する。具体的には、ベースウェハ２００、又はリッドウェハ１００のスクライブラインを、ブレードダイシングやレーザースクライブ等の加工によって切断、割断する。これにより、１つ１つに個片化された電子デバイス１を得ることができる。

（Ｓ１０：検査工程）
個片化された後、それぞれの電子デバイス１の検査工程を行う。それぞれ個片化を行いパッケージ化された電子デバイス１の電気的特性、パッケージ気密検査等、必要な検査を行い、問題が無ければ電子デバイス１を梱包し、製品として出荷する。

以上より、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法によれば、ベースウェハにおいて、不均一な厚さを有する外部電極が形成されている場合であっても、陽極接合時にこれらの外部電極に対して確実に電圧を印加することができるので、電子素子の破損を招くことなく、確実に陽極接合することができる。よって、生産効率の向上、製造コストの低下を達成できる。

＜第２実施形態＞
図１１、図１２を参照して、第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法について説明する。なお、陽極接合装置３００の構成、製造プロセスは、上述の第１実施形態と同様であるのでここではその説明を省略する。

（２−１：特定の内部電極の構成）
図１１に、本実施形態におけるベースウェハ２００の上面図を示す。本実施形態では、製品領域の最外領域に特定の内部電極２７が複数設けられている。電子素子２が実装される内部電極２３は、第１実施形態と同様にパッケージ領域の４隅に形成されているのに対し、特定の内部電極２７は、４つの電極が近接領域に集合したパターンに構成されている。

そして、４つの電極が近接領域に集合したパターンが、製品領域の最外領域に８カ所形成されている。なお、特定の内部電極２７の構成はこの構成に限られるものではなく、４つの電極からなるパターンではなく、例えば少なくとも１つの電極を有していればよい。

図１２に、本実施形態における電子デバイス１の概略構成を示す。図１２（ａ）は、ベース基板の上面図であり、図示するように、４つの特定の内部電極２７が近接領域に集合したパターンが形成されている。そして、これらの内部電極２７と第１接合膜２１とが、第２接合膜２２を介して電気的に接続されている。なお、第２接合膜２２は、キャビティ１１内の全面に形成されているが、第２接合膜２２のパターンはこれに限られるものではない。また、特定の内部電極２７に接続する外部電極２５は、それぞれ特定の内部電極２７の端面ごとに形成するのではなく、全ての特定の内部電極２７電極の端面を覆うように形成してもよい（図１２（ｂ））。以上、本実施形態であっても、第１実施形態と同様の効果を得ることが可能である。

＜その他の実施形態＞
上記実施形態では、特定の内部電極２７、内部電極２３、貫通電極２４、外部電極２５をめっきで形成しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、外部電極２５のみをめっきで形成し、貫通電極２４には金属製の芯材（金属ピンや金属ワイヤなど）を用い、内部電極２７には周知の金属パッド等を用いてもよい。即ち、電極形成工程において、めっき法以外の形成手法を採用したとしても、本発明を適用することで、上述と同様の効果を得ることが可能になる。

１…電子デバイス、２…電子素子、１０…リッド基板、１１…キャビティ、２０…ベース基板、２１…第１接合膜、２２…第２接合膜、２３…内部電極、２４…貫通電極、２５…外部電極、２６…貫通孔、２７…特定の内部電極、２８…パッケージ領域、２９…アライメント部、３１…陽極側治具、３２…陰極側治具、３３…陽極部材、５０…切断部、１００…リッドウェハ、２００…ベースウェハ、３００…陽極接合装置

Claims (7)

1. 第１ウェハに対して、少なくとも一つの貫通電極と、前記貫通電極の両端にそれぞれ接続する内部電極と外部電極とを形成し、少なくとも前記外部電極をめっきによって形成する電極形成工程と、
   第１ウェハにおいて前記内部電極が形成される側の表面に接合膜を形成する接合膜形成工程と、
   前記内部電極に対して電子素子を実装する実装工程と、
   第１ウェハと第２ウェハとの間に形成されるキャビティ内に前記電子素子が収容されるように第１ウェハと第２ウェハとを接合する接合工程と、
   接合された第１ウェハと第２ウェハとを、前記電子素子が収容されたパッケージごとに切断して個片化する切断工程と、
   を備え、
   前記接合膜形成工程では、
   前記キャビティの周囲に形成される第１接合膜と、
   第１接合膜と電気的に接続しつつ、前記内部電極のうち特定の内部電極と電気的に接続する第２接合膜と、を形成すると共に、
   前記接合工程では、
   前記外部電極に対してシート状の陽極部材を当接させ、第２ウェハに対して陰極部材を当接させた状態で前記陽極部材と前記陰極部材とに電圧を印加して陽極接合を行うことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
2. 前記陽極部材は、前記外部電極よりも厚く、かつ可撓性部材によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
3. 前記特定の内部電極を介して第２接合膜と電気的に接続する貫通電極が、第１ウェハに複数形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子デバイスの製造方法。
4. 前記陽極部材はカーボン材料によって形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
5. 前記電極形成工程では、前記貫通電極、前記特定の内部電極、前記内部電極、及び前記外部電極を同時に形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
6. 前記陽極部材が電気的に接地されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
7. 前記接合工程を真空下で行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。

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