JPH02148713A - シリコンとガラスの接合方法 - Google Patents
シリコンとガラスの接合方法Info
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- JPH02148713A JPH02148713A JP30210588A JP30210588A JPH02148713A JP H02148713 A JPH02148713 A JP H02148713A JP 30210588 A JP30210588 A JP 30210588A JP 30210588 A JP30210588 A JP 30210588A JP H02148713 A JPH02148713 A JP H02148713A
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- Die Bonding (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、シリコンとガラスの接合方法に関する。
近年、各種のセンナやメカニカルデバイスがマイクロマ
シーニング技術で製作されるようにｔ５ってきた。単結
晶シリコンは結晶異方性エツチングによる加工ができ、
この材料として適している。 加工した基板同士を張り合わせる接合技術もこれに開運
し重要な役割を果たしている。従来、接合技術の一つと
して、熱膨張係数がシリコンに近似したパイレックスガ
ラスとシリコンを４００℃程度に加熱し、シリコン側に
正の直流高電圧５００〜１０００Ｖを印加する陽極接合
が用いられてきた。 具体例として、圧力変換器を構成するシリコンから成る
半導体圧力変換素子と絶縁性部材であるパイレックスガ
ラス等から成る台座との陽極接合について述べる。先ず
、第５図に示した前工程としての台座同士の陽極接合に
ついて説明する。パイレックスガラスから成るガラス台
座１７とシリコンから成るシリコン台座１９とをＦｓ＋
面にて当接させる。次に、シリコン台座１９のＦｓ２面
に金属材料から成る陽極電極板１１、ガラス台座１７の
Ｆｓｓ面に同じく金属材料から成る陰極電極板１３をそ
れぞれ当接させる。その後、加熱し陽極電極板１１と陰
極電極板１３間に電圧を電源１５により印加することに
より、ガラス台座１７とシリコン台座１９とがクーロン
力からなる静電引力により密着され陽極接合される。次
に、第６図に示した配置により、Ｆ ｉ＋面（第５図の
Ｆｓ＋面に同じ）にて陽極接合されたガラス台座１７と
シリコン台座１９の内、ガラス台座１７の２６２面に半
導体圧力変換素子２１を当接させ、その半導体圧力変換
素子２１に陽極電極板１１を当接させる。そして、シリ
コン台座１９のＦ ｓｓ面に陰極電極板１３を当接させ
、前工程にて陽極接合されたガラス台座１７とシリコン
台座１９とからなる台座と半導体圧力変換素子２１とを
更に陽極接合する。すると、ガラス台座１７とシリコン
台座１９との接合面であるＦ ６１面にガラス台座１７
中の成分であるＮａ＋イオンが析出することになる。そ
の析出したＮａ”イオンは、空気中の水分と化学反応を
するとＮａＯＨとなり、この接合された物に対して耐湿
試験を行うと、ガラス台座１７とシリコン台座１９とが
剥離してしまうという現象が生ずる。 又、第７図に示したように、陽極電極板１１を当接した
シリコンから成る半導体圧力変換素子２１と陰極電極板
１３を当接したパイレックスガラスから成るガラス台座
１７のみをＦ７１面にて陽極接合する場合には、この陽
極接合の後、圧力変換器を構成するために、更に、接合
される全屈部材（例えばコバール、４２アロイ等のシリ
コンに類似した線膨張率を有する材料）から成る基台（
図示略）との接合面となるガラス台座１７の陰極電極板
１３と当接しているＦ ７２面に、小さな窪み或いは突
起物が形成され、この接合面の粗面化により、ガラス台
座１７と基台（図示略）とを接合しようとしても、その
接合強度が不十分となり、破壊圧力が低下したり、その
接合されたＦ ｔｔ面からリークが生じたりする。
シーニング技術で製作されるようにｔ５ってきた。単結
晶シリコンは結晶異方性エツチングによる加工ができ、
この材料として適している。 加工した基板同士を張り合わせる接合技術もこれに開運
し重要な役割を果たしている。従来、接合技術の一つと
して、熱膨張係数がシリコンに近似したパイレックスガ
ラスとシリコンを４００℃程度に加熱し、シリコン側に
正の直流高電圧５００〜１０００Ｖを印加する陽極接合
が用いられてきた。 具体例として、圧力変換器を構成するシリコンから成る
半導体圧力変換素子と絶縁性部材であるパイレックスガ
ラス等から成る台座との陽極接合について述べる。先ず
、第５図に示した前工程としての台座同士の陽極接合に
ついて説明する。パイレックスガラスから成るガラス台
座１７とシリコンから成るシリコン台座１９とをＦｓ＋
面にて当接させる。次に、シリコン台座１９のＦｓ２面
に金属材料から成る陽極電極板１１、ガラス台座１７の
Ｆｓｓ面に同じく金属材料から成る陰極電極板１３をそ
れぞれ当接させる。その後、加熱し陽極電極板１１と陰
極電極板１３間に電圧を電源１５により印加することに
より、ガラス台座１７とシリコン台座１９とがクーロン
力からなる静電引力により密着され陽極接合される。次
に、第６図に示した配置により、Ｆ ｉ＋面（第５図の
Ｆｓ＋面に同じ）にて陽極接合されたガラス台座１７と
シリコン台座１９の内、ガラス台座１７の２６２面に半
導体圧力変換素子２１を当接させ、その半導体圧力変換
素子２１に陽極電極板１１を当接させる。そして、シリ
コン台座１９のＦ ｓｓ面に陰極電極板１３を当接させ
、前工程にて陽極接合されたガラス台座１７とシリコン
台座１９とからなる台座と半導体圧力変換素子２１とを
更に陽極接合する。すると、ガラス台座１７とシリコン
台座１９との接合面であるＦ ６１面にガラス台座１７
中の成分であるＮａ＋イオンが析出することになる。そ
の析出したＮａ”イオンは、空気中の水分と化学反応を
するとＮａＯＨとなり、この接合された物に対して耐湿
試験を行うと、ガラス台座１７とシリコン台座１９とが
剥離してしまうという現象が生ずる。 又、第７図に示したように、陽極電極板１１を当接した
シリコンから成る半導体圧力変換素子２１と陰極電極板
１３を当接したパイレックスガラスから成るガラス台座
１７のみをＦ７１面にて陽極接合する場合には、この陽
極接合の後、圧力変換器を構成するために、更に、接合
される全屈部材（例えばコバール、４２アロイ等のシリ
コンに類似した線膨張率を有する材料）から成る基台（
図示略）との接合面となるガラス台座１７の陰極電極板
１３と当接しているＦ ７２面に、小さな窪み或いは突
起物が形成され、この接合面の粗面化により、ガラス台
座１７と基台（図示略）とを接合しようとしても、その
接合強度が不十分となり、破壊圧力が低下したり、その
接合されたＦ ｔｔ面からリークが生じたりする。
上記陽極接合において、陰極電極板が当接したパイレッ
クスガラスから成るパイレックス台座面或いは、陰極電
極板側と対向したパイレックス台座面には、Ｎ ａ ＋
イオンが析出する。このＮａ＋イオンは、上述のように
、陽極接合した面や陽極接合しようとする面に対して、
悪影晋を及ぼし、破壊圧力の低下や接合面からのリーク
を生じさせていた。 本発明は、上記の課題を解決するために成されたもので
あり、その目的とするところは、シリコンとガラスの接
合方法において、Ｎａ＋イオンを接合した面や接合しよ
うとする面に析出させることなく、接合強度の低下によ
る破壊圧力の低下や接合面からリークを生じることのな
い接合方法を提供することである。
クスガラスから成るパイレックス台座面或いは、陰極電
極板側と対向したパイレックス台座面には、Ｎ ａ ＋
イオンが析出する。このＮａ＋イオンは、上述のように
、陽極接合した面や陽極接合しようとする面に対して、
悪影晋を及ぼし、破壊圧力の低下や接合面からのリーク
を生じさせていた。 本発明は、上記の課題を解決するために成されたもので
あり、その目的とするところは、シリコンとガラスの接
合方法において、Ｎａ＋イオンを接合した面や接合しよ
うとする面に析出させることなく、接合強度の低下によ
る破壊圧力の低下や接合面からリークを生じることのな
い接合方法を提供することである。
上記課題を解決するための発明の構成における第１の特
徴は、シリコンとガラスの接合方法において、前記シリ
コン側に陽極電極板を当接させ、前記ガラスの側面周囲
に陰極電極板を当接させ、加熱状態で前記陽極電極板と
前記陰極電極板間に電圧を印加して接合するこ２であり
、第２の特徴は、シリコンとガラスの接合方法において
、前記シリコン側に陽極電極板を当接させ、前記シリコ
ンとガラスの接合面と反対側のガラスの端面にガラス板
を介在させて陰極電極板を当接させ、加熱状態で前記陽
極電極板と前記陰極電極板間に電圧を印加して接合する
こ止である。
徴は、シリコンとガラスの接合方法において、前記シリ
コン側に陽極電極板を当接させ、前記ガラスの側面周囲
に陰極電極板を当接させ、加熱状態で前記陽極電極板と
前記陰極電極板間に電圧を印加して接合するこ２であり
、第２の特徴は、シリコンとガラスの接合方法において
、前記シリコン側に陽極電極板を当接させ、前記シリコ
ンとガラスの接合面と反対側のガラスの端面にガラス板
を介在させて陰極電極板を当接させ、加熱状態で前記陽
極電極板と前記陰極電極板間に電圧を印加して接合する
こ止である。
シリコンとガラスの接合では、シリコン側の陽極電極板
に対して、ガラスの側面周囲に陰極電極板を当接させ、
その陰極電極板の方向にＮａ”イオンを吸引させる。又
、シリコンとガラスの接合では、シリコン側の陽極電極
板に対して、ガラスにガラス板を介在させて陰極電極板
を当接させ、そのガラス板にＮａ＋イオンを吸い込ませ
る。このように電極等を配置し、シリコンとガラスを接
合することにより、接合した面や接合しようとする面が
犯されるような不都合を生じることがない。
に対して、ガラスの側面周囲に陰極電極板を当接させ、
その陰極電極板の方向にＮａ”イオンを吸引させる。又
、シリコンとガラスの接合では、シリコン側の陽極電極
板に対して、ガラスにガラス板を介在させて陰極電極板
を当接させ、そのガラス板にＮａ＋イオンを吸い込ませ
る。このように電極等を配置し、シリコンとガラスを接
合することにより、接合した面や接合しようとする面が
犯されるような不都合を生じることがない。
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明に係るシリコンとガラスの接合方法を説
明するため、具体例として圧力変換器を構成するシリコ
ンから成る半導体圧力変換素子と絶縁性部材であるガラ
ス等から成る台座とを陽極接合する場合の配置を示した
縦断面図である。この第１図は、前辺ってパイレックス
ガラスから成るガラス台座１７とシリコンから成るシリ
コン台座１９とがＦ１８面にて陽極接合された後、パイ
レックスガラスから成るガラス台座１７とシリコンから
成る半導体圧力変換素子２１とをＦ １２面にて陽極接
合する場合を示している。ガラス台座１７とシリコン台
座１９とがＦ１面にて陽極接合され、その一方のガラス
台座１７側に設けられた圧力導入穴１８が開口している
Ｆ １２面に半導体圧力変換素子２１の受圧ダイヤフラ
ム部２２を対向させて当接させる。その半導体圧力変換
素子２１に金属材料から成る陽極電極板１１を当接させ
、又、陰極電極板１３は、上記ガラス台座１７とシリコ
ン台座１９とが陽極接合されたＦ １１面側を避け、つ
まり、ガラス台座１７側に設けられた圧力導入穴１８と
連通したシリコン台座１９側に設けられた圧力導入穴２
０が開口しているＦ１５面側に当接させるのではなく、
ガラス台座１７の側面周囲に当接させる。そして、陽極
電極板１１と陰極電極板１３とはそれぞれ電源１５の陽
極及び陰極に接続する。 このような配置により、加熱して、電源１５から陽極電
極板１１と陰極電極板１３とに電圧が印加されると、半
導体圧力変換素子２１とガラス台座１７とは陽極接合さ
れる。この場合においては、ガラス台座１７中のＮａ”
イオンはガラス台座１７の側面周囲に当接された陰極電
極板１３側に吸引される。従って、ガラス台座１７とシ
リコン台座１９との前工程における接合面であるＦ１面
側にはＮａ＋イオンは析出することがないので、その接
合界面であるガラス台座１７０Ｆ１面が犯されることが
ない。従って、ガラス台座１７とシリコン台座１９とが
、耐湿試験により剥離現象を呈することはない。 第２図（ａ）は本発明に係るシリコンとガラスの接合方
法を説明するため、他の具体例として圧力変換器を構成
するシリコンから成る半導体圧力変換素子２１と絶縁部
材であるパイレックスガラスがら戊るガラス台座１７を
Ｆ２１面にて陽極接合する場合の配置を示した縦断面図
である。ガラス台座１７のＦ ２１面に半導体圧力変換
素子２１を当接させる。その半導体圧力変換素子２１に
金属材料から成る陽極電極板１１を当接させ、又、上記
ガラス台座１７のＦ ２２面にパイレックスガラスから
成るガラス板２３を介して陰極電極板１３を当接させる
。そして、陽極電極板１１と陰極電極板１３はそれぞれ
電源１５の陽極及び陰極に接続する。 このような配置により、加熱して、電源１５から陽極電
極板１１と陰極電極板１３とに電圧が印加されると、第
１図と同様に、ガラス台座１７中のＮａ“イオンが陰極
電極板１３方向に吸引されるが、その中間にガラス板２
３を介しているので、ガラス台座１７のＦ２□面に析出
するＮａ＋イオンはガラス板２３に吸い込まれることに
なる。第２図（ｂ）は、この時のガラス台座１７及びガ
ラス板２３中のＮａ＋イオンの割合を、その位置につい
て示している。この第２図（ｂ）で明らかなように、半
導体圧力変換素子２１とガラス台座１７とがＦ、１面に
て陽極接合された後、ガラス台座１７の陰極電極板１３
側であるＦ ２２面側にＮａ＋イオンは析出することが
ないので、第１図と同様に、その接合界面のガラス台座
１７のＦ２２面が犯されることがない。 従って、このガラス台座１７と基台（図示略）とが、こ
の工程の後にＦ２２面にて接合され、圧力変換器（図示
略）が構成されても何ら問題を生じることがない。 尚、第５図で説明した前工程に対して、第３図に示した
ように陰極電極板１３を配置してパイレックスガラスか
ら成るガラス台座１７とシリコンから成るシリコン台座
１９とのＦ ３１面を陽極接合する。すると、この工程
の後に半導体圧力変換素子２１が陽極接合されるＦ３２
面に、第１図と同様に、Ｎａ＋イオンが析出されること
がない。或いは第４図に示したように陰極電極板１３と
の間にパイレックスガラスから成るガラス板２３を配置
してガラス台座１７とシリコン台座１９とのＦ４１面を
陽極接合する。すると、この工程の後に半導体圧力変換
素子２１が陽極接合されるＦ ４２面に、第２図と同様
に、Ｎ ａ＋イオンが析出されることがない。従って、
第３図及び第４図の陰極電極板１３及びガラス板２３等
の配置は、半導体圧力変換素子２１が陽極接合される前
工程として、より好ましい陽極接合の電極配置と言える
。
明するため、具体例として圧力変換器を構成するシリコ
ンから成る半導体圧力変換素子と絶縁性部材であるガラ
ス等から成る台座とを陽極接合する場合の配置を示した
縦断面図である。この第１図は、前辺ってパイレックス
ガラスから成るガラス台座１７とシリコンから成るシリ
コン台座１９とがＦ１８面にて陽極接合された後、パイ
レックスガラスから成るガラス台座１７とシリコンから
成る半導体圧力変換素子２１とをＦ １２面にて陽極接
合する場合を示している。ガラス台座１７とシリコン台
座１９とがＦ１面にて陽極接合され、その一方のガラス
台座１７側に設けられた圧力導入穴１８が開口している
Ｆ １２面に半導体圧力変換素子２１の受圧ダイヤフラ
ム部２２を対向させて当接させる。その半導体圧力変換
素子２１に金属材料から成る陽極電極板１１を当接させ
、又、陰極電極板１３は、上記ガラス台座１７とシリコ
ン台座１９とが陽極接合されたＦ １１面側を避け、つ
まり、ガラス台座１７側に設けられた圧力導入穴１８と
連通したシリコン台座１９側に設けられた圧力導入穴２
０が開口しているＦ１５面側に当接させるのではなく、
ガラス台座１７の側面周囲に当接させる。そして、陽極
電極板１１と陰極電極板１３とはそれぞれ電源１５の陽
極及び陰極に接続する。 このような配置により、加熱して、電源１５から陽極電
極板１１と陰極電極板１３とに電圧が印加されると、半
導体圧力変換素子２１とガラス台座１７とは陽極接合さ
れる。この場合においては、ガラス台座１７中のＮａ”
イオンはガラス台座１７の側面周囲に当接された陰極電
極板１３側に吸引される。従って、ガラス台座１７とシ
リコン台座１９との前工程における接合面であるＦ１面
側にはＮａ＋イオンは析出することがないので、その接
合界面であるガラス台座１７０Ｆ１面が犯されることが
ない。従って、ガラス台座１７とシリコン台座１９とが
、耐湿試験により剥離現象を呈することはない。 第２図（ａ）は本発明に係るシリコンとガラスの接合方
法を説明するため、他の具体例として圧力変換器を構成
するシリコンから成る半導体圧力変換素子２１と絶縁部
材であるパイレックスガラスがら戊るガラス台座１７を
Ｆ２１面にて陽極接合する場合の配置を示した縦断面図
である。ガラス台座１７のＦ ２１面に半導体圧力変換
素子２１を当接させる。その半導体圧力変換素子２１に
金属材料から成る陽極電極板１１を当接させ、又、上記
ガラス台座１７のＦ ２２面にパイレックスガラスから
成るガラス板２３を介して陰極電極板１３を当接させる
。そして、陽極電極板１１と陰極電極板１３はそれぞれ
電源１５の陽極及び陰極に接続する。 このような配置により、加熱して、電源１５から陽極電
極板１１と陰極電極板１３とに電圧が印加されると、第
１図と同様に、ガラス台座１７中のＮａ“イオンが陰極
電極板１３方向に吸引されるが、その中間にガラス板２
３を介しているので、ガラス台座１７のＦ２□面に析出
するＮａ＋イオンはガラス板２３に吸い込まれることに
なる。第２図（ｂ）は、この時のガラス台座１７及びガ
ラス板２３中のＮａ＋イオンの割合を、その位置につい
て示している。この第２図（ｂ）で明らかなように、半
導体圧力変換素子２１とガラス台座１７とがＦ、１面に
て陽極接合された後、ガラス台座１７の陰極電極板１３
側であるＦ ２２面側にＮａ＋イオンは析出することが
ないので、第１図と同様に、その接合界面のガラス台座
１７のＦ２２面が犯されることがない。 従って、このガラス台座１７と基台（図示略）とが、こ
の工程の後にＦ２２面にて接合され、圧力変換器（図示
略）が構成されても何ら問題を生じることがない。 尚、第５図で説明した前工程に対して、第３図に示した
ように陰極電極板１３を配置してパイレックスガラスか
ら成るガラス台座１７とシリコンから成るシリコン台座
１９とのＦ ３１面を陽極接合する。すると、この工程
の後に半導体圧力変換素子２１が陽極接合されるＦ３２
面に、第１図と同様に、Ｎａ＋イオンが析出されること
がない。或いは第４図に示したように陰極電極板１３と
の間にパイレックスガラスから成るガラス板２３を配置
してガラス台座１７とシリコン台座１９とのＦ４１面を
陽極接合する。すると、この工程の後に半導体圧力変換
素子２１が陽極接合されるＦ ４２面に、第２図と同様
に、Ｎ ａ＋イオンが析出されることがない。従って、
第３図及び第４図の陰極電極板１３及びガラス板２３等
の配置は、半導体圧力変換素子２１が陽極接合される前
工程として、より好ましい陽極接合の電極配置と言える
。
本発明は、シリコン側に陽極電極板を当接させ、ガラス
の側面周囲に陰極電極板を当接或いはシリコンとガラス
の接合面と反対側のガラスの端面にガラス板を介在させ
て陰極電極板を当接させ、加熱状態で前記陽極電極板と
前記陰極電極板間に電圧を印加して接合するので、前辺
って接合した面やこれから接合しようとする面に対して
、Ｎａ◆イオンが析出することがない。従って、接合し
た後において、破壊圧力の低下や接合面からのリークを
生じることがない。
の側面周囲に陰極電極板を当接或いはシリコンとガラス
の接合面と反対側のガラスの端面にガラス板を介在させ
て陰極電極板を当接させ、加熱状態で前記陽極電極板と
前記陰極電極板間に電圧を印加して接合するので、前辺
って接合した面やこれから接合しようとする面に対して
、Ｎａ◆イオンが析出することがない。従って、接合し
た後において、破壊圧力の低下や接合面からのリークを
生じることがない。
第１図は本発明の具体的な一実施例に係るシリコンとガ
ラスの接合方法を用いた接合時における電極等の配置を
示した縦断面図。第２図（ａ）は同実施例に係るシリコ
ンとガラスの接合方法を用いた接合時における電極等の
配置を示した縦断面図。 第２図（ｂ）は第２図（ａ）の実施例におけるＮａ◆イ
オンの位置に対する割合を示した説明図。第３図は前工
程の接合において、本発明の接合方法の利用を示した縦
断面図。第４図は第３図と同様、本発明の接合方法の利
用を示した縦断面図。第５図は前工程における接合方法
を示した縦断面図。第６図は従来の接合方法を示した縦
断面図。第７図は従来の他の接合方法を示した縦断面図
。 １１°゛陽極電極板 １３°゛・陰極電極板１５ “電
源 １７゛・ガラス台座 １９・・シリコン台座 ２１°・半導体圧力変換素子２
３−−ガラス板 特許出願人 豊田工機株式会社 代 理 人 弁理士 藤谷 修 第１図 第３図 第４図 第６図 第７図
ラスの接合方法を用いた接合時における電極等の配置を
示した縦断面図。第２図（ａ）は同実施例に係るシリコ
ンとガラスの接合方法を用いた接合時における電極等の
配置を示した縦断面図。 第２図（ｂ）は第２図（ａ）の実施例におけるＮａ◆イ
オンの位置に対する割合を示した説明図。第３図は前工
程の接合において、本発明の接合方法の利用を示した縦
断面図。第４図は第３図と同様、本発明の接合方法の利
用を示した縦断面図。第５図は前工程における接合方法
を示した縦断面図。第６図は従来の接合方法を示した縦
断面図。第７図は従来の他の接合方法を示した縦断面図
。 １１°゛陽極電極板 １３°゛・陰極電極板１５ “電
源 １７゛・ガラス台座 １９・・シリコン台座 ２１°・半導体圧力変換素子２
３−−ガラス板 特許出願人 豊田工機株式会社 代 理 人 弁理士 藤谷 修 第１図 第３図 第４図 第６図 第７図
Claims (2)
- （１） シリコンとガラスの接合方法において、前記シ
リコン側に陽極電極板を当接させ、前記ガラスの側面周
囲に陰極電極板を当接させ、加熱状態で前記陽極電極板
と前記陰極電極板間に電圧を印加して接合するシリコン
とガラスの接合方法。 - （２） シリコンとガラスの接合方法において、前記シ
リコン側に陽極電極板を当接させ、前記シリコンとガラ
スの接合面と反対側のガラスの端面にガラス板を介在さ
せて陰極電極板を当接させ、加熱状態で前記陽極電極板
と前記陰極電極板間に電圧を印加して接合するシリコン
とガラスの接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30210588A JPH02148713A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | シリコンとガラスの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30210588A JPH02148713A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | シリコンとガラスの接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02148713A true JPH02148713A (ja) | 1990-06-07 |
Family
ID=17904993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30210588A Pending JPH02148713A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | シリコンとガラスの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02148713A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04280840A (ja) * | 1991-03-05 | 1992-10-06 | Hoya Corp | ケイ素化合物とガラスとからなる接合体及び接合方法 |
| KR100752616B1 (ko) * | 2000-07-18 | 2007-08-29 | 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 | 동박의 심관 권취방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6085568A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 静電接合方法 |
| JPH0276237A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法 |
-
1988
- 1988-11-29 JP JP30210588A patent/JPH02148713A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6085568A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 静電接合方法 |
| JPH0276237A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04280840A (ja) * | 1991-03-05 | 1992-10-06 | Hoya Corp | ケイ素化合物とガラスとからなる接合体及び接合方法 |
| KR100752616B1 (ko) * | 2000-07-18 | 2007-08-29 | 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 | 동박의 심관 권취방법 |
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