WO2002027803A1 - Capteur de pression et son procede de fabrication - Google Patents

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aluminum
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Takashi Masuda
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Yamatake Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a pressure sensor in which a plate member made of high-phase alumina such as sapphire is joined to a pressure sensor chip formed of ⁇ -phase aluminum oxide (alumina) such as sapphire, and a method of manufacturing the pressure sensor.
  • a plate member made of high-phase alumina such as sapphire
  • a pressure sensor chip formed of ⁇ -phase aluminum oxide (alumina) such as sapphire
  • This pressure sensor chip has a housing composed of a base having a predetermined space and a diaphragm disposed in the space of the base, and has a fixed electrode disposed on the base, a movable electrode fixed to the diaphragm, It has.
  • the diaphragm is deformed under pressure, the distance between the movable electrode and the fixed electrode changes, and the capacitance between them changes. Based on this change in capacitance, the pressure received by the diaphragm can be measured.
  • a pressure sensor chip As such a pressure sensor chip, one using sapphire for a base and a diaphragm constituting a housing has been proposed.
  • Sapphire or corundum (a single crystal of ct phase aluminum oxide), is thermally very stable, hardly soluble in acids and alkalis, and can be used in a wide range of materials such as refractories, insulators, and abrasives. is there.
  • the pressure sensor chip can measure the pressure by directly receiving the fluid on the diaphragm even if the measurement target is a corrosive fluid. Becomes possible.
  • the pressure sensor chip is fixed to a pedestal as shown in FIG. 10 and used as a pressure sensor.
  • the pressure sensor chip 1001 is placed in a recess 1003 formed in the center of a pedestal 1002 made of, for example, glass, with the diaphragm portion facing upward in the drawing. Is placed.
  • recess 1 A vent hole 106 communicating with the pedestal 1002 bottom surface is formed on the bottom surface of the 003.
  • the chip 1001 is fixed to the recess 1003 by pressing the peripheral portion of the upper surface by the cover plate 1007 having an opening at the center.
  • the cover plate 1007 is fixed to the pedestal 1002 by being joined to the upper surface of the pedestal 1002 with glass once melted. At the contact point between the cover plate 1007 and the chip 1001, the fluid to be measured in contact with the upper surface of the chip 1001 enters the recess 1003 around the chip 1001. They are connected in a hermetically sealed state so that they do not.
  • the cover plate 1007 has the same shape as the chip 1001 in the state of deformation due to temperature. It is made of sapphire made of the same material as that of 001.
  • the contact surface with the chip 1001 is bonded by direct bonding.
  • the joining surfaces of the sapphire are mirror-polished and brought into contact, and the two sapphire members to be joined are heated with a pressure applied between them, without using an adhesive or the like. A strong joint has been obtained.
  • the present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and a pressure sensor in which a housing or the like is made of ⁇ -phase aluminum oxide such as sapphire without deteriorating the characteristics of the material. It is intended to be able to be formed at low cost.
  • the pressure sensor according to one embodiment of the present invention includes a base made of ⁇ -phase aluminum oxide, a diaphragm made of ⁇ -phase aluminum oxide disposed on the main surface of the base, and a diaphragm made of a concave part formed in the base.
  • a pressure sensor chip having a covered capacity chamber, a fixed electrode disposed at the bottom of the capacity chamber, a movable electrode fixed to the diaphragm facing the fixed electrode inside the capacity chamber, and an ⁇ -phase A plate member made of ⁇ -phase aluminum oxide connected via an intermediate layer made of aluminum oxide, and the intermediate layer contains a solution containing a solution containing a compound containing aluminum and oxygen. After being heated, it becomes an intermediate state made of aluminum oxide other than the ct phase or amorphous aluminum oxide. Aluminum oxide state between bodies by phase transition Ru der those with c-phase.
  • the joint between the pressure sensor chip and the plate member is substantially the same as the plate member, for example, substantially ⁇ -phase aluminum oxide such as sapphire.
  • a method of manufacturing a pressure sensor comprising the steps of: forming a base made of single-phase aluminum oxide; a diaphragm made of single-phase aluminum oxide disposed on the main surface of the base; Pressure sensor chip comprising: a capacity chamber composed of a concave portion covered with a diaphragm; a fixed electrode disposed at the bottom of the capacity chamber; and a movable electrode fixed to the diaphragm in the capacity chamber so as to face the fixed electrode.
  • a solution layer made of a solution in which a compound containing aluminum and oxygen is dissolved is formed on the surface of the plate member. Is heated to form a state in which an intermediate layer made of aluminum oxide other than the ⁇ -phase or amorphous aluminum oxide is formed on the surface of the plate member.
  • an electric field is applied, and the intermediate layer is irradiated with ultraviolet rays and heated to cause a phase transition of aluminum oxide other than the ⁇ -phase or amorphous aluminum oxide constituting the intermediate layer.
  • the joining portion between the pressure sensor chip and the plate member is substantially in the state of ⁇ -phase aluminum oxide such as sapphire.
  • the compound containing aluminum and oxygen is aluminum hydroxide
  • the solution layer is an aqueous solution
  • the compound containing aluminum and oxygen is, for example, boehmite.
  • the compound containing aluminum and oxygen is an aluminum-metal organic metal compound, and may be an organic acid salt of aluminum such as A 1 (CHaCOO).
  • the aluminum organometallic compound may be an aluminum alkoxide or an aluminum metal carbonyl.
  • the wavelength of the ultraviolet light may be 200 nm or less.
  • a pressure sensor chip may be formed by fixing a buffer member made of ⁇ -phase aluminum oxide on the periphery of the diaphragm, and the plate member may be in contact with the buffer member.
  • the ⁇ phase aluminum oxide is sapphire
  • the aluminum oxide other than the ⁇ phase is ⁇ phase, ⁇ phase, t phase, ⁇ phase, ⁇ phase, ⁇ phase, Either ⁇ phase or ⁇ phase or a mixture.
  • FIG. 1 is a configuration diagram showing a state where a cover plate 130 is joined to a chip 110 of a pressure sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a configuration diagram showing the configuration of the chip 110 of the pressure sensor in which the buffer member 120 is formed.
  • FIG. 3 is a plan view showing the configuration of the buffer member 120.
  • FIG. 4 is a plan view showing a configuration of a cover plate 130 made of sapphire to which a metal plate 140 is joined.
  • FIG. 5 is a process chart illustrating a method for manufacturing a pressure sensor according to an example of the present invention.
  • FIG. 6 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a pressure sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a configuration diagram illustrating a partial configuration of the pressure sensor according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a configuration diagram illustrating a partial configuration of the pressure sensor according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram showing the state of] 3-alumina.
  • FIG. 10 is a configuration diagram showing a partial configuration of the pressure sensor. Detailed description of the embodiment
  • FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a configuration of a pressure sensor chip according to an embodiment of the present invention.
  • a chip 110 of the pressure sensor to which the buffer member 120 is fixed is made of a sapphire which is a single crystal of aluminum oxide (alumina) of ⁇ phase.
  • the cover plate (a plate member made of ⁇ -phase aluminum oxide) 130 was joined.
  • the pressure sensor chip 110 joining the cover plate 130 is formed of a base 101 made of sapphire and a diaphragm 102 made of sapphire, and is formed by a recess formed in the center of the base 101.
  • the capacity chamber 103 is formed, and the movable electrode 104 is formed on the diaphragm 102 side of the capacity chamber 103, on the base 101 side of the capacity chamber 103, that is, on the bottom of the concave portion of the base 101.
  • a fixed electrode 105 is formed. Although not shown, an electrode pad connected to the movable electrode 104 and an electrode pad connected to the fixed electrode 105 are formed on the back surface of the base 101.
  • a plurality of the chips 110 are formed on a disk-shaped sapphire wafer having a diameter of 4 inches, for example, and are formed by cutting out the sapphire wafer.
  • the sapphire wafer on which a plurality of the chips 110 are formed has a disk-shaped safari having a diameter of 4 inches formed with a plurality of buffer members.
  • the wafer and the formation part of the chip and the buffer member are aligned and directly joined, and the bonded wafer is cut out at a time, as shown in Fig. 2.
  • the buffer member 120 is joined to 110. Therefore, it can be said that the chip 110 and the cushioning member 120 constitute one pressure sensor chip.
  • ring-shaped contact areas 1 2 1 and 1 2 2 are formed on the front surface and the back surface, respectively.
  • 21 is directly bonded to the surface of the diaphragm 102 of the chip 110.
  • An opening 123 is formed in the center of the cushioning member 120.
  • the buffer member 120 is used to relieve stress generated when the cover plate 130 is joined, and to prevent deformation of the very thin diaphragm 102. Therefore, when no stress is generated at the time of joining, the buffer member 120 need not be used. When the buffer member 120 is not used, the cover plate 130 described below is joined to the surface of the diaphragm 102.
  • a metal film is formed in advance in a joining region of the cover plate 130 by a plating method and the like.
  • the metal plate 140 is joined by welding.
  • the back surface 13 1 of the cover plate 130 is joined to the contact area 122 of the cushioning member 120.
  • a pressure sensor made of sapphire was manufactured at a very low cost as compared with direct joining.
  • a coating solution was prepared by adding titanium dioxide to an aqueous solution of boehmite (A 1 O (OH)), a hydroxide mineral of aluminum, and as shown in Fig. 5, this coating solution was The plate 140 is applied to the surface of the welded cover plate 130 to form a coating film 501.
  • the cover plate 130 on which the coating film 501 is formed is heated to, for example, 450 ° C.
  • the coating film composed of the boehmite aqueous solution first becomes a gel-like film.
  • the gel-like boehmite on the cover plate 130 undergoes a dehydration reaction by further heating, becomes ⁇ _alumina, and is in a state of being joined to the cover plate 130 made of sapphire. .
  • an intermediate layer 61 made of ⁇ -alumina or alumina in an amorphous state is formed on the bonding region on the surface of the cover plate 130 in a bonded state. .
  • the intermediate layer 600 is formed by applying an aqueous solution of boehmite, the surface of the intermediate layer 600 absorbs irregularities on the surface of the cover plate 130 and is flat. It has become. This is a state where the intermediate layer 601 is sapphire and is flattened to the extent that it can be directly joined.
  • Alumina has a very stable state as a corundum such as sapphire by having a corundum type crystal structure ( ⁇ phase).
  • mono-alumina which has a cubic spinel-type crystal structure, is in a state in which a number of lattice defects lacking oxygen atoms exist due to an unreasonable crystal structure. In the amorphous alumina, more lattice defects are present.
  • oxygen constituting the sapphire on the sapphire surface enters the lattice defects and becomes stable. Try to form a state that has been.
  • the cover plate 130 made of sapphire and the intermediate layer 61 formed on this surface are in a state of being chemically bonded to each other.
  • the surface of the intermediate layer 60 1 on the cover plate 130 is brought into contact with the surface of the contact area 122 of the buffer member 120, and in this state, the chip 1 1 1
  • a pressure of about 100 to 300 Pa, preferably about 2000 Pa is applied between 0 and the cover plate 130, so that the chip 110 and the cover plate 130 Load is applied.
  • An electric field of about 5 kVZmm is applied to the intermediate layer 601, and ultraviolet rays (185 nm) are irradiated. In addition, these are heated to about 700 ° C.
  • FIG. Fig. 7 As shown in (1), first, a chip 110 to which a buffer member 120 is bonded is placed on a surface plate 701 made of ceramic such as alumina, and a cover plate 1 is placed on the buffer member 120. 30 is placed, and a pressure frame 720 is placed on the cover plate 130, and a load of a weight (about 200 kg) of the pressure frame 720 is applied. An intermediate layer (not shown) is formed between the cover plate 130 and the cushioning member 120. On the surface plate 701, a lower electrode 703 is arranged so as to surround the periphery of the chip 110 to which the buffer member 120 is bonded.
  • the shielding member 704 is fitted into the opening area of the cover plate 130, and the frame-shaped upper electrode 705 disposed around the shielding member 704 is connected to the edge of the opening area of the cover plate 130. Place on the part. At this time, a gap is formed between the inside of the pressurizing frame 720 and the outside of the upper electrode 705, and the joining area between the cover plate 130 and the cushioning member 120 can be seen through the gap from above. State.
  • the atmosphere is evacuated or depressurized, ultraviolet light is irradiated from the upper part of the pressurizing frame 702, and a voltage is applied between the lower electrode 703 and the upper electrode 705.
  • heat is generated by applying heat to a heat transfer heater (not shown) built in the platen 701, thereby heating the entire board.
  • the intermediate layer 600 shown in FIG. 6 is transformed into the ⁇ phase to form corundum, that is, sapphire, and the cover plate 130 and the cushioning member 120 are formed of the same sapphire. As a result, a tightly joined state without boundaries can be obtained.
  • titanium dioxide is preliminarily added to the intermediate layer, and in addition, by applying an electric field as described above and irradiating ultraviolet rays, as described below, even at a lower temperature, aluminum is added. It is considered that the bond between oxygen and oxygen is easily broken, and it is possible to increase the mobility of each primitive.
  • the titanium dioxide added to the intermediate layer generates a hole-electron pair when irradiated with ultraviolet rays.
  • the generated hole-electron * f is separated, and each of them continues to exist without disappearing. If titanium dioxide in such a state exists near the anode, it receives electrons from the anode and becomes in a state of excess electrons.
  • the aluminum-oxygen bond that has received the emitted electrons breaks at about 700 ° C., generating ⁇ 2 _, causing oxygen defects in the crystal lattice where oxygen atoms should not be located where they should not be. generate.
  • the intermediate layer 601 is corundum-transformed by heating at about 700 ° C. It becomes possible.
  • the joining process of the cover plate 130 is the highest temperature treatment, the movable electrode 104 and the fixed electrode 105 formed inside the chip 110 are heated to 700 ° C. What is necessary is just to comprise with a conductive member, such as a metal which can endure.
  • a conductive member such as a metal which can endure.
  • a base 150 made of glass and formed with a concave portion 151 at the center is prepared, and the cover plate 130 is provided together with the metal plate 140 together with the buffer member 120.
  • the chip 110 mounted via the base 150 is fixed in the recessed part 151 of the base 150.
  • the base 150 has an upper end exposed at the bottom of the recess 1501, and the base 150
  • An electrode pin 152 is provided that penetrates the portion and has a lower end protruding from the bottom surface.
  • a vent hole 153 penetrating below the base 150 is formed.
  • a metal frame 160 is fixed to the base 150 so as to surround the periphery.
  • the chip 110 is fixed by welding a metal plate 140 to the upper surface of the frame 160.
  • the upper surface of the diaphragm 102 of the chip 110 passes through the opening portion 123 of the buffer member 120 and the opening region 133 of the cover plate 130, as shown in FIG. It is in a state of being exposed in a region above the paper surface. Therefore, base 1
  • the fluid in the upper region of FIG. 8 separated by 50 and the frame 160 is in direct contact with the pressure receiving surface of the chip 110.
  • the frame 16 0 and the metal plate 14 0, the metal plate 14 0 and the cover plate 13 3 °, the cover plate 13 0 and the cushioning member 12 0, the cushioning member 12 0 and the diaphragm 10 0 2 are joined without any gaps, so the fluid that comes into direct contact with the pressure receiving surface of the chip 110 leaks into the area at the bottom of FIG. 8 separated by the base 150 and the frame 160. I will not give it out.
  • the surface roughness of the joining surface of the cover plate may be set to, for example, about 10 nm.
  • the surface of the intermediate layer becomes the surface roughness of the sapphire substrate. It is only necessary that the state be absorbed and be flat.
  • a sapphire substrate having a surface roughness of about 10 nm is used, for example, in a window of a wristwatch, and at this size, the price is one hundred yen, and it is inexpensive.
  • such high precision is not required in the above embodiment.
  • the cover plate made of sapphire can be joined in a state similar to that of direct joining without requiring high-precision processing that causes an increase in cost.
  • the cushioning member and the cover plate or the chip and the cover plate It is joined through an intermediate layer of sapphire (aluminum oxide in phase), substantially similar to a chip and cover plate.
  • boehmite is used.
  • this is one form of aluminum hydroxide, and the same applies to the use of aluminum hydroxide such as gibbsite or diaspore.
  • the intermediate layer 61 (FIG. 6) formed on the cover plate 130 made of sapphire was formed as follows.
  • an aqueous solution of aluminum nitrate is applied to a predetermined area (joining area) of the cover plate 130, and the intermediate layer made of 7 _ alumina is applied onto the cover plate 130 in the area where the aqueous solution is heated and applied. 1 was formed.
  • the aqueous solution of aluminum nitrate loses nitric acid after the water evaporates due to the heating, becomes a basic salt, and finally becomes a phase aluminum oxide ( ⁇ / -alumina).
  • an intermediate layer 601 made of ⁇ -alumina is formed on the cover plate 130 as in the above-described embodiment. Subsequent steps are the same as in the above embodiment.
  • an aqueous solution of aluminum nitrate was applied to the cover plate.However, a strong acid or strong alkaline aqueous solution was applied to the cover plate and heated to cause a chemical reaction on the sapphire itself on the surface of the cover plate. An aluminum nitrate layer may be formed on the surface of the cover plate.
  • an organic solvent solution of an organometallic compound of aluminum is applied to the cover plate 130, and the cover plate 130 is heated to about 200 to 600 ° C.
  • An intermediate layer 600 (FIG. 6) made of ⁇ -alumina was formed on 130.
  • the organometallic compound of aluminum include, for example, ethyl acetate, benzodiamine, dimethylisopropylate, and aluminum isopropylate.
  • the coating film of an organic solvent solution of an organometallic compound of aluminum is first turned on by heating.
  • the solvent evaporates.
  • the organometallic compound is decomposed and the organic components are vaporized, leaving aluminum oxide in an amorphous state or in a ⁇ phase other than the ⁇ phase.
  • This decomposition can be performed at a lower temperature by irradiating ultraviolet rays or in an oxygen plasma.
  • an intermediate layer 61 made of amorphous alumina or ⁇ -alumina is formed on the force bar plate 130 as in the above-described embodiment. Subsequent steps are the same as in the above-described embodiment.
  • the electrode formed in the chip is a pressure sensor for measuring pressure, but to use a metal is not limited thereto, N a 2 0 * 1
  • 1 A 1 2 O 3 K 2 0 ⁇ 1 1 A 1 2 0 3 may be a material which is called i3- alumina such as to constitute the electrodes.
  • i3- alumina such as to constitute the electrodes.
  • This type of / 3_alumina has conductivity 14 and is compatible with the sapphire of the electrode forming base, so that the thermal stress in the pressure sensor manufacturing process and the deformation stress of the diaphragm applied at the time of pressure measurement, etc. As a result, the peeling of the electrode due to the above is suppressed.
  • alumina is a high melting point material having a melting point of 900 ° C.
  • cover plate joining step a higher temperature treatment can be performed, and the phase transition of the intermediate layer made of amorphous or ⁇ -alumina can be performed more quickly and reliably.
  • sapphire is used.
  • the present invention is not limited to this. Any member made of ⁇ -phase aluminum oxide can be joined in the same manner as described above.
  • a plate member made of ⁇ -phase aluminum oxide such as sapphire is directly applied to a pressure sensor chip in which a member such as a housing is made of ⁇ -phase aluminum oxide such as sapphire. It is possible to join in a state similar to joining, and an excellent effect is obtained that a pressure sensor made of sapphire can be formed at low cost without impairing the characteristics of sapphire.
  • a plate member made of a-phase aluminum oxide, such as sapphire, can be joined to a pressure sensor chip that is made of ⁇ -phase aluminum oxide, such as iron, with a member such as a housing, in a state similar to that of direct joining. It is suitable for forming a pressure sensor at low cost without deteriorating the characteristics of the sapphire.

Description

明 細 書 圧力センサおよび圧力センサの製造方法 発明の背景
本発明は、 サファイアなど α相の酸化アルミユウム (アルミナ) から構成した 圧力センサチップにやはりサファイアなどのひ相アルミナからなる板部材が接合 された圧力センサおよび圧力センサの製造方法に関する。
静電容量を検出することで圧力を検出する容量式の圧力センサチップがある。 この圧力センサチップは、 所定の空間を備えた基体と、 基体の空間上に配置され たダイヤフラムとから筐体が構成され、 基体に配置された固定電極と、 ダイヤフ ラムに固定された可動電極とを備えている。 ここで、 ダイヤフラムが圧力を受け て変形することで、 可動電極と固定電極との間隔が変化してこれらの間の静電容 量が変化する。 この静電容量の変化に基づき、 ダイヤフラムの受けた圧力が測定 できる。
このような圧力センサチップにおいて、 筐体を構成している基体およびダイヤ フラムに、 サファイアを用いたものが提案されている。 サファイア、 すなわちコ ランダム (ct相酸化アルミニウムの単結晶体) は、 熱的にきわめて安定であり、 酸, アルカリにほとんど溶解せず、 耐火物, 絶縁体, 研磨剤などのような広いよ うとがある。 このような特性のサファイアを筐体に用いることで、 上記圧力セン サチップは、 測定対象が腐食性を有している流体であっても、 流体を直接ダイヤ フラムに受けてこの圧力を測定することが可能となる。
上記圧力センサチップは、 図 1 0に示すように台座に固定されて圧力センサと して用いられる。 図 1 0に示すように、 圧力センサのチップ 1 0 0 1は、 例えば ガラスからなる台座 1 0 0 2の中央部に形成された凹部 1 0 0 3に、 ダイヤフラ ム部を図面上方に向けて載置される。 台座 1 0 0 2の凹部 1 0 0 3底面には、 台 座 1 0 0 2底面に貫通する電極ピン 1 0 0 4の端子 1 0 0 5があり、 チップ 1 0 0 1の基台裏面に引き出されている各電極の配線と接続している。 また、 凹部 1 0 0 3底面には、 台座 1 0 0 2底面に連通する通気口 1 0 0 6が形成されている。 チップ 1 0 0 1は、 中央部に開口部を備えたカバープレート 1 0 0 7により、 上面の周辺部が押さえられ、 凹部 1 0 0 3に固定されている。 カバープレート 1 0 0 7は、 台座 1 0 0 2上面に一度溶融させたガラスにより接合されて台座 1 0 0 2に固定されている。 また、 カバープレート 1 0 0 7とチップ 1 0 0 1の当接 箇所は、 チップ 1 0 0 1上面に接触する測定対象の流体が、 チップ 1 0 0 1周囲 の凹部 1 0 0 3内に侵入しないように、 気密封止された状態に接続されている。 カバ一プレート 1 0 0 7は、 圧力測定の精度を確保するため、 チップ 1 0 0 1 の温度による変形の状態を同一にしてチップ 1 0 0 1に応力が発生しないように するため、 チップ 1 0 0 1と同一材料のサファイアから形成されている。 また、 異種間接合を極力排除して上記気密封止状態を得るため、 チップ 1 0 0 1との当 接面は、 直接接合により接合されている。 このような、 サファイア同士の接合で は、 互いの接合面を鏡面研磨して当接し、 接合する 2つのサファイア部材間に圧 力をかけた状態で加熱することで、 接着剤などを用いることなく、 強固な接合状 態を得ている。
しかしながら、 上記直接接合では、 サファイアからなる 2つの部材の当接面の 表面荒さが 0 . 3 n m以下になるまで鏡面研磨する必要があるため、 部材 (カバ 一プレート) が非常に高価なものとなってしまう。 このように、 接着剤などを用 いずに直接接合を行おうとすると、 一般にはコストの上昇を招いてしまう。 これ に対し、 一般的にある接着剤などを用いれば、 2つの部材間をより安価に接合し、 コストをかけることなく圧力センサを製造することが可能になる。 しかしながら、 一般にある接着剤を用いると、 2つの部材間に異なる材料が間に介在するため、 応力が発生したり、 また、 接合箇所がサファイアほどの耐食性や熱的安定性が得 られない状態となり、 圧力センサの適用範囲が限られたものとなってしまう。 以上示したように、 従来では、 圧力センサを構成する筐体の材料特性を 1 0 0 %発揮させるためには、 筐体を構成する各部材間を直接接合することになり、 コ ストが高いという問題があった。 これに対し、 接着剤などを利用して部材間を接 合する場合、 安価に部品を形成できるが、 部材を構成する材料の特性を 1 0 0 % 生かせないという問題があつた。 発明の概要
本発明は、 以上のような問題点を解消するためになされたものであり、 サファ ィァなど α相の酸化アルミニウムから筐体などが構成された圧力センサを、 材料 の持つ特性を損なうことなく安価に形成できるようにすることを目的とする。 本発明の一形態における圧力センサは、 α相の酸化アルミニウムからなる基台、 この基台主表面上に配置された α相の酸化アルミニゥムからなるダイヤフラム、 基台に形成された凹部からなりダイヤフラムで覆われた容量室、 この容量室底部 に配置された固定電極、 容量室内部において固定電極に対向してダイヤフラムに 固定された可動電極を備えた圧力センサチップと、 この圧力センサチップに α相 の酸化アルミニゥムからなる中間体層を介して接続された α相の酸化アルミニゥ ムからなる板部材とから構成され、 中間体層は、 アルミニウムと酸素とを含む化 合物が溶解した溶液からなる溶液を加熱することで、 ct相以外の酸化アルミニゥ ムもしくはアモルファス状体の酸化アルミニウムからなる中間体の状態とされた 後、 この中間体の状態の酸化アルミニウムを相転移させて c相とされたものであ る。
この圧力センサによれば、 圧力センサチップと板部材との接合部分も、 板部材 と同様の、 例えばサファイアなど実質的に α相の酸化アルミニウムとなっている。 本発明の一形態における圧力センサの製造方法は、 ひ相の酸化アルミニウムか らなる基台と、 この基台主表面上に配置されたひ相の酸化アルミニウムからなる ダイヤフラムと、 基台に形成された凹部からなりダイヤフラムで覆われた容量室 と、 この容量室底部に配置された固定電極と、 容量室内部において固定電極に対 向してダイヤフラムに固定された可動電極とを備えた圧力センサチップにひ相の 酸化アルミニウムからなる板部材を接合する圧力センサの製造方法において、 ま ず、 板部材の表面にアルミニゥムと酸素とを含む化合物が溶解した溶液からなる 溶液層を形成し、 この溶液層を加熱して α相以外の酸化アルミニウムもしくはァ モルファス状体の酸化アルミニウムからなる中間体層が板部材の表面に形成され た状態とし、 中間体層上に圧力センサチップを配置して板部材と圧力センサチッ プとの間に圧力を加えると共に電界を加え、 かつ中間体層に紫外線を照射して加 熱し、 中間体層を構成する α相以外の酸化アルミニウムもしくはアモルファス状 体の酸化アルミニウムを相転移させてひ相とすることで、 圧力センサチップに板 部材を接合しようとしたものである。
この製造方法によれば、 圧力センサチップと板部材との接合部分が、 例えばサ ファイアなど実質的に α相の酸化アルミニウムの状態となる。
上記製造方法において、 アルミニウムと酸素とを含む化合物は、 水酸化アルミ ニゥムであり、 溶液層は水溶液であり、 アルミニウムと酸素とを含む化合物は、 例えばべ一マイ トである。 また、 アルミニウムと酸素とを含む化合物は、 アルミ -ゥムの有機金属化合物であり、 例えば A 1 ( C H a C O O) などのアルミニゥ ムの有機酸塩であればよい。 また、 アルミニウム有機金属化合物は、 アルミニゥ ムのアルコキシドであってもよく、 またアルミニウムの金属カルボニルであって もよい。
上記製造方法において、 紫外線の波長は、 2 0 0 n m以下であればよい。 上記製造方法において、 ダイヤフラムの周辺部上には α相の酸化アルミニゥム からなる緩衝部材を固定して圧力センサチップを構成し、 板部材は緩衝部材に接 合するようにしてもよレ、。
また、 上記圧力センサおよびこの製造方法において、 α相の酸化アルミニウム は、 サファイアであり、 また、 α相以外の酸化アルミニウムは、 γ相, Θ相, t 相, κ相, ε相, χ相, δ相, σ相のいずれかもしくは混合物である。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の実施例における圧力センサのチップ 1 1 0にカバ一プレート 1 3 0が接合された状態を示す構成図である。
図 2は、 緩衝部材 1 2 0が形成された圧力センサのチップ 1 1 0の構成を示す 構成図である。
図 3は、 緩衝部材 1 2 0の構成を示す平面図である。
図 4は、 メタルプレート 1 4 0が接合されたサファイアからなるカバープレー ト 1 3 0の構成を示す平面図である。 図 5は、 本発明の実施例における圧力センサの製造方法を説明する工程図であ る。
図 6は、 本発明の実施例における圧力センサの製造方法を説明する工程図であ る。
図 7は、 本発明の実施例における圧力センサの一部構成を示す構成図である。 図 8は、 本発明の実施例における圧力センサの一部構成を示す構成図である。 図 9は、 ]3—アルミナの状態を示す説明図である。
図 1 0は、 圧力センサの一部構成を示す構成図である。 実施例の詳細な説明
以下、 本発明の実施例について図を参照して説明する。
ぐ実施例 1 >
図 1は、 本発明の実施例における圧力センサチップの構成を示す構成図である。 本実施例では、 図 1に示すように、 緩衝部材 1 2 0が固定された圧力センサのチ ップ 1 1 0に、 α相の酸化アルミニウム (アルミナ) の単結晶体であるサフアイ ァからなるカバープレート (α相の酸化アルミニウムからなる板部材) 1 3 0を 接合するようにした。 カバープレート 1 3 0を接合する圧力センサのチップ 1 1 0は、 サファイアからなる基部 1 0 1とサファイアからなるダイヤフラム 1 0 2 とから形成され、 基部 1 0 1の中央部に形成された凹部で容量室 1 0 3をなし、 容量室 1 0 3のダイヤフラム 1 0 2側に可動電極 1 0 4が形成され、 容量室 1 0 3の基部 1 0 1側、 すなわち基部 1 0 1の凹部底面に固定電極 1 0 5が形成され ている。 なお、 図示していないが、 基部 1 0 1裏面には、 可動電極 1 0 4に接続 する電極パッドと固定電極 1 0 5に接続する電極パッドが各々形成されている。 上記チップ 1 1 0は、 例えば直径 4インチの円板状のサファイアウェハに複数 が形成され、 このサファイアウェハを切り出すことで形成する。 また、 上記チッ プ 1 1 0が複数形成された上記サファイアウェハは、 上記チップ 1 1 0を切り出 す前に、 複数の緩衝部材が形成された形成された直径 4インチの円板状のサファ ィァウェハと、 チップと緩衝部材との形成部を各々位置合わせして直接接合し、 この貼り合わせたウェハをまとめて切り出すことで、 図 2に示すように、 チップ 1 1 0に緩衝部材 1 2 0が接合された状態とする。 したがって、 チップ 1 1 0と 緩衝部材 1 2 0とで、 1つの圧力センサチップを構成しているともいえる。
図 2と図 3 (平面図) とに示すように、 緩衝部材 1 2 0の終端近傍には、 表面 と裏面とにリング状の接触領域 1 2 1 , 1 2 2が形成され、 接触領域 1 2 1がチ ップ 1 1 0のダイヤフラム 1 0 2表面に直接接合している。 また、 緩衝部材 1 2 0の中央部には、 開口部 1 2 3が形成されている。 緩衝部材 1 2 0は、 カバープ レート 1 3 0を接合する際に発生する応力を緩和し、 非常に薄いダイヤフラム 1 0 2の変形を防止するために用いられる。 したがって、 接合時に応力が発生しな い場合などは、 緩衝部材 1 2 0を用いなくてもよレ、。 なお、 緩衝部材 1 2 0を用 いない場合、 以降に説明するカバープレート 1 3 0は、 ダイヤフラム 1 0 2表面 に接合することになる。
緩衝部材 1 2 0を直接接合したチップ 1 1 0を用意したら、 一方で、 図 4の平 面図に示すような、 リング状のメタルプレート 1 4 0が接合されたサファイアか らなるカバープレート 1 3 0を用意する。 図 4に示すように、 カバープレート 1
3 0は、 中央部に開口領域 1 3 3を備えた枠形状に形成され、 メタルプレート 1
4 0は、 カバープレート 1 3 0の主表面 1 3 2の周辺部に接合されている。 この メタルプレート 1 4 0とカバープレート 1 3 0との接合について説明すると、 ま ず、 カバープレート 1 3 0の接合領域に、 予め金属膜をメツキなどにより形成し ておき、 この金属膜形成領域にメタルプレート 1 4 0を溶接することで接合する。 次いで、 図 1に示すように、 緩衝部材 1 2 0の接触領域 1 2 2に、 カバープレ ート 1 3 0の裏面 1 3 1を接合する。 本実施例では、 上記カバープレート 1 3 0 の接合を、 つぎに示すことにより行うことで、 直接接合に比較して非常に安価に サファイアからなる圧力センサを製造するようにした。
まず、 アルミユウムの水酸化鉱物であるべ一マイ ト (A 1 O ( O H) ) の水溶 液に二酸化チタンを添加した塗布溶液を作成し、 図 5に示すように、 この塗布溶 液を、 メタルプレート 1 4 0が溶接されたカバープレート 1 3 0の表面に塗布し、 塗布膜 5 0 1を形成する。 なお、 上記塗布溶液に、 少量の希硝酸を溶解して水素 イオン濃度 (p H) を 4程度としておくことで、 ベーマイ トを高濃度としても安 定して溶解した状態とできる。 次いで、 塗布膜 5 0 1が形成されたカバープレート 1 3 0を例えば 4 5 0 °Cに 加熱する。 加熱により水分が蒸発することで、 ベーマイ トの水溶液からなる塗布 膜は、 まずゲル状の膜となる。 このゲル状となったカバープレート 1 3 0上のベ 一マイ トは、 さらに加熱が加わることにより脱水反応を起こし、 γ _アルミナと なり、 サファイアからなるカバープレート 1 3 0と接合した状態となる。 この結 果、 図 6に示すように、 カバープレート 1 3 0の表面の接合領域上には、 γ—ァ ルミナもしくはァモルファス状態のアルミナからなる中間体層 6 0 1が接合した 状態で形成される。 また、 中間体層 6 0 1は、 ベーマイ トの水溶液を塗布するこ とで形成しているので、 中間体層 6 0 1表面はカバープレート 1 3 0表面の凹凸 を吸収して、 平坦な状態になっている。 これは、 中間体層 6 0 1がサファイアで あった場合、 直接接合ができる程度に平坦化された状態となっている。
アルミナは、 コランダム型の結晶構造 (α相) をとることにより、 サファイア などのコランダムとして非常に安定した状態となる。 これに対し、 立方晶系スピ ネル型の結晶構造となっている 一アルミナでは、 結晶構造に無理があるためな どにより酸素原子が欠落している格子欠陥が多数存在した状態となっている。 ま た、 アモルファス状態のアルミナにおいては、 この格子欠陥がより多く存在した 状態となっている。 このように、 酸素原子が欠落している格子欠陥が多数存在し た状態の層がサファイアの上に形成されると、 サファイア表面のサファイアを構 成している酸素が格子欠陥内に入り込み、 安定した状態を形成しょうとする。 こ のことにより、 サファイアかなるカバープレート 1 3 0と、 この表面に形成され た中間体層 6 0 1とは、 化学的に結合した状態となって接合された状態となる。 つぎに、 図 7に示すように、 カバープレート 1 3 0上の中間体層 6 0 1表面と 緩衝部材 1 2 0の接触領域 1 2 2表面とを当接させ、 この状態で、 チップ 1 1 0 とカバ一プレート 1 3 0との間に例えば 1 0 0〜3 0 0 0 0 P a、 好ましくは 2 0 0 0 P a程度の圧力を加え、 チップ 1 1 0とカバープレート 1 3 0とに荷重が かかった状態とする。 また、 中間体層 6 0 1には、 約 5 k VZmmの電界を加え、 かつ紫外線 (1 8 5 n m) を照射する。 加えて、 これらを 7 0 0 °C程度に加熱す る。
これら荷重, 電界の印加や紫外線の照射は、 図 7に示すようにして行う。 図 7 に示すように、 まず、 アルミナなどのセラミックからなる定盤 7 0 1上に、 緩衝 部材 1 2 0が接合されたチップ 1 1 0を載置し、 緩衝部材 1 2 0上にカバープレ ート 1 3 0を配置し、 カバープレート 1 3 0上には加圧枠 7 0 2を載置し、 加圧 枠 7 0 2の重量 (約 2 0 0 k g ) の荷重をかける。 なお、 カバ一プレート 1 3 0 と緩衝部材 1 2 0との間には、 図示していないが中間体層が形成されている。 定盤 7 0 1上には、 緩衝部材 1 2 0が接合されたチップ 1 1 0の周囲を囲うよ うに下部電極 7 0 3を配置する。 また、 遮蔽部材 7 0 4をカバープレート 1 3 0 の開口領域に嵌合させ、 遮蔽部材 7 0 4周囲に配置された枠状の上部電極 7 0 5 を、 カバープレート 1 3 0の開口領域端部上に配置する。 このとき、 加圧枠 7 0 2の内側と上部電極 7 0 5の外側とには間隙ができるようにし、 上部よりこの間 隙を通してカバープレート 1 3 0と緩衝部材 1 2 0との接合領域が見える状態と する。
以上のように配置した後、 雰囲気を真空排気または減圧した状態とし、 加圧枠 7 0 2上部より紫外線を照射し、 下部電極 7 0 3と上部電極 7 0 5との間に電圧 を印加し、 また、 定盤 7 0 1ないに内蔵されている伝熱ヒータ (図示せず) に通 電することで発熱させて全体を加熱する。
以上のことで、 図 6に示した中間体層 6 0 1を α相に転移させてコランダムす なわちサファイアとし、 カバープレート 1 3 0と緩衝部材 1 2 0とが、 同じサフ アイァからなる層により、 境目なく強固に接合した状態を得る。
この接合に関して考察する。 上記 γ _アルミナは、 約 1 0 0 0 °Cに加熱するこ とで、 立方晶系スピネル型の結晶構造がコランダム型の結晶構造に相転移し、 コ ランダムとなる。 この相転移では、 結晶構造に大きな変化を発生させるため、 各 原子の大きな移動が必要となり、 例えば、 アルミニウムと酸素との結合が部分的 に切れる必要がある。 このため、 γ —アルミナから α—アルミナへの相転移には、 上記のように 1 0 0 0 °Cという高温が必要となる。
ここで、 前述したように、 中間体層に予め二酸化チタンを添加しておき、 加え て、 上述したように電界を加えて紫外線を照射することで、 以下に説明するよう に、 より低温でもアルミニウムと酸素との結合が切れやすい状態となり、 各原始 の移動度を大きくさせることが可能になるものと考えられる。 まず、 中間体層中に添加されている二酸化チタンでは、 紫外線が照射されるこ とで正孔ー電子対が発生する。 加えて、 この中間体層には電界が印加されている ので、 発生した正孔一電子 *fは引き離され、 各々が消滅せずに存在し続ける。 このような状態の二酸化チタンが陽極近傍に存在すれば、 陽極より電子を受け 取り電子過剰の状態となり、 この電子過剰の状態を解消すべく、 近傍のアルミ二 ゥムー酸素結合に電子を放出する。 γ—アルミナにおけるアルミニウム一電子結 合は、 通常では 1 0 0 0 °C近くの高温にならないと結合を切ることができないが、 上記に酸化チタンからの電子の攻撃を受けると、 より低い温度であっても結合が 切れるようになる。
この結果、 放出された電子を受けたアルミユウム一酸素結合は、 7 0 0 °C程度 で切れて〇2_を発生させ、 結晶格子の中で、 酸素原子があるべきところにない酸 素欠陥を発生させる。
一方、 上記状態で陰極近傍に存在する二酸化チタンでは、 陰極に電子を奪われ て電子欠乏の状態となっている。 分離した O 2—は、 近くに存在している電子欠乏 状態の二酸化チタンに電子を受け渡し、 近傍の酸素欠陥に収まる。 なお、 二酸化 チタンに限るものではなく、 Z n 02などの他の光触媒を用いるようにしても同様 である。
以上のことにより、 予め二酸化チタンを添加しておき、 電界を印加しかつ紫外 線を照射しておくことで、 約 7 0 0 °Cの加熱で、 中間体層 6 0 1をコランダムに 転移させることが可能となる。 本実施例では、 カバープレート 1 3 0の接合工程 が最も高温の処理であるので、 チップ 1 1 0内部に形成されている可動電極 1 0 4や固定電極 1 0 5を、 7 0 0 °Cに耐えられる金属などの導電部材で構成すれば よい。 なお、 加圧して基板間に所定の圧力を加えて荷重がかかった状態とするこ とで、 カバープレート 1 3 0のそりを無く し、 カバープレート 1 3 0と緩衝部材 1 2 0の接触領域 1 2 2との接合面全域が互いに接触した状態とする。
つぎに、 図 8に示すように、 ガラスからなり中央部に凹部 1 5 1を形成した基 台 1 5 0を用意し、 カバープレート 1 3 0がメタルプレート 1 4 0と共に、 緩衝 部材 1 2 0を介して取り付けられたチップ 1 1 0を、 この基台 1 5 0の凹部 1 5 1内に固定する。 基台 1 5 0は、 上端が凹部 1 5 1底部に露出し、 基台 1 5 0底 部を貫通して下端が底面より突出する電極ピン 1 5 2を備えている。 また、 凹部 1 5 1の底部には、 基台 1 5 0下部に貫通する通気口 1 5 3が形成されている。 加えて、 基台 1 5 0には、 周囲を囲うように、 金属製の枠体 1 6 0が固定されて いる。
したがって、 まず、 上記チップ 1 1 0を凹部 1 5 1内に固定するときは、 図示 していないチップ 1 1 0裏面に露出している電極パッドと、 対応する電極ピン 1
4 2との上端とが接触するように位置合わせする。
また、 チップ 1 1 0の固定は、 メタルプレート 1 4 0を、 枠体 1 6 0上面に溶 接することで行う。
以上のことにより、 チップ 1 1 0のダイヤフラム 1 0 2上面、 すなわち受圧面 は、 緩衝部材 1 2 0の開口部 1 2 3とカバープレート 1 3 0の開口領域 1 3 3を 介し、 図 8の紙面上方の領域に露出した状態となっている。 したがって、 基台 1
5 0と枠体 1 6 0で区切られた図 8紙面上部の領域にある流体は、 チップ 1 1 0 の受圧面に直接接触する状態となっている。
し力 しながら、 枠体 1 6 0とメタルプレート 1 4 0、 メタルプレート 1 4 0と カバープレート 1 3◦、 カバープレート 1 3 0と緩衝部材 1 2 0、 緩衝部材 1 2 0とダイヤフラム 1 0 2は、 各々隙間なく接合されているので、 チップ 1 1 0の 受圧面に直接接触する流体が、 基台 1 5 0と枠体 1 6 0で区切られた図 8紙面下 部の領域に洩れ出すことがない。
本実施例の場合、 カバープレートの接合面の表面荒さは、 例えば 1 0 n m程度 としておけばよく、 溶液を塗布して中間体層を形成した段階で、 中間体層表面が サファイア基板の表面荒さを吸収して平坦な状態となっていればよい。 表面荒さ が 1 0 n m程度のサファイア基板は、 例えば、 腕時計の窓に用いられているもの であり、 この大きさなら価格が 1枚数百円であり、 安価である。 同じ寸法で表面 荒さが 0 . 3 n m以下と直接接合できるように加工されたものは、 価格が数万円 となるが、 上記実施例ではこのような高い精度のものは必要としない。
このように、 本実施例によれば、 コストの増大を招く高い精度の加工を必要と せずに、 直接接合と同程度の状態にサファイアからなるカバ一プレートを接合で きる。 この場合、 緩衝部材とカバープレートもしくはチップとカバープレートと は、 実質的にチップおよびカバ一プレートと同様の、 サファイア (ひ相の酸化ァ ルミ-ゥム) とされた中間体層を介して接合されたものとなっている。
なお、 上述では、 ベーマイ トを用いるようにしたが、 これは水酸化アルミユウ ムの一形態であり、 他に、 ギブサイ トやダイァスポアなどの水酸化アルミニウム を用いるようにしても同様である。
く実施例 2 >
つぎに、 本発明の他の形態について説明する。
本実施例では、 サファイアからなるカバープレート 1 3 0上に形成する中間体 層 6 0 1 (図 6 ) を、 つぎに示すように形成した。
まず、 カバープレート 1 3 0の所定領域 (接合領域) に、 硝酸アルミニウムの 水溶液を塗布し、 これを加熱して塗布した領域のカバープレート 1 3 0上に7 _ アルミナからなる中間体層 6 0 1形成するようにした。 硝酸アルミニウムの水溶 液は、 加熱により水分が蒸発した後、 硝酸を失って塩基性塩となり、 最終的に 相の酸化アルミニウム (τ/ーアルミナ) となる。 この結果、 前述した実施例と同 様に、 カバープレート 1 3 0上に γ—アルミナからなる中間体層 6 0 1が形成さ れる。 以降は、 上記実施例と同様である。
なお、 本実施例では、 カバープレートに硝酸アルミニウムの水溶液を塗布する ようにしたが、 カバープレートに強酸もしくは強アルカリ水溶液を塗布して加熱 し、 カバープレート表面のサファイア自身に化学反応を起こさせ、 カバープレー ト表面に硝酸アルミニウムの層を形成するようにしてもよレ、。
<実施例 3〉
つぎに、 本発明の他の形態について説明する。
本実施例では、 アルミニウムの有機金属化合物の有機溶媒溶液をカバープレー ト 1 3 0に塗布し、 カバープレート 1 3 0を 2 0 0〜 6 0 0 °C程度に加熱するこ とで、 カバープレート 1 3 0上に γ—アルミナからなる中間体層 6 0 1 (図 6 ) を形成するようにした。 アルミニウムの有機金属化合物としては、 例えばェチル ァセトァセテ一トァノレミニゥムジィソプロビレートゃアルミニウムィソプロピレ
―トを用いればよい。
アルミニウムの有機金属化合物の有機溶媒溶液の塗布膜は、 加熱によりまず有 機溶媒が蒸発する。 この後、 上記温度に加熱することで有機金属化合物が分解し て有機成分が気化し、 アモルファス状態もしくは γ相など α相以外の酸化アルミ 二ゥムが残る。 この分解は、 紫外線を照射したり、 また、 酸素プラズマ中で行う ことで、 より低温で行えるようになる。 この結果、 前述した実施例と同様に、 力 バープレート 1 3 0上にアモルファス状態のアルミナまたは γ —アルミナからな る中間体層 6 0 1が形成される。 以降は、 前述した実施例と同様である。
ところで、 上記実施例では、 圧力を測定する圧力センサであるチップ内に形成 する電極に、 金属を用いるようにしたが、 これに限るものではなく、 N a 20 * 1
1 A 1 2 O 3 K 20 · 1 1 A 1 20 3などの i3—アルミナとよばれている材料から電 極を構成するようにしてもよい。 一アルミナは、 図 9に示すように、 1 1分子 層分の A 1 2 O 3の層 9 0 1と、 1分子層分の N a 20の層 9 0 2とが交互に積層し た構造となっている。 このような構造の /3 _アルミナは、 導電 14を有し、 また、 電極形成母体のサファイアと相性がよいので、 圧力センサ製造過程における熱ス トレスや、 圧力測定時に加わるダイヤフラムの変形ス トレスなどによる電極の剥 がれが抑制されるようになる。
また、 _アルミナは、 融点が 2 9 0 0 °Cと高融点材料であるので、 上述した カバープレートの接合工程においても、 何ら問題が発生しない。 逆に、 カバープ レートの接合工程において、 より高温の処理が可能となり、 アモルファスもしく は γ—アルミナからなる中間体層の相転移を、 より迅速にかつ確実に行うこと力 S 可能となる。
なお、 上述では、 サファイアを用いるようにしたが、 これに限るものではなく、 α相の酸化アルミニウムからなる部材であれば、 上述同様に接合することができ る。
以上説明したように、 上述した実施例によれば、 サファイアなどの α相酸化ァ ルミニゥムから筐体などの部材が構成された圧力センサチップに、 サファイアな どの α相酸化アルミニゥムからなる板部材を直接接合と同様の状態に接合できる ようになり、 サファイアからなる圧力センサを、 サファイアの持つ特性を損なう ことなく安価に形成できるようになるという優れた効果が得られる。
以上のように、 本発明に係る圧力センサおよび圧力センサの製造方法は、 サフ アイァなどの α相酸化アルミニゥムから筐体などの部材が構成された圧力センサ チップに、 サファイアなどの a相酸化アルミニウムからなる板部材を直接接合と 同様の状態に接合できるようになるので、 サファイアからなる圧力センサを、 サ フアイァの持つ特性を損なうことなく安価に形成することに適している。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . α相の酸化アルミニウムからなる基台、 この基台主表面上に配置された α 相の酸化アルミニゥムからなるダイヤフラム、 前記基台に形成された凹部からな り前記ダイャフラムで覆われた容量室、 この容量室底部に配置された固定電極、 前記容量室内部において前記固定電極に対向して前記ダイヤフラムに固定された 可動電極を備えた圧力センサチップと、
この圧力センサチップに α相の酸化アルミニゥムからなる中間体層を介して接 続された α相の酸化アルミニゥムからなる板部材と
から構成され、
前記中間体層は、 アルミニウムと酸素とを含む化合物が溶解した溶液からなる 溶液を加熱することで、 c相以外の酸化アルミニウムもしくはアモルファス状体 の酸化アルミニゥムからなる中間体の状態とされた後、 この中間体の状態の酸化 アルミニウムを相転移させて α相とされたものである
ことを特徴とする圧力センサ。
2 . ct相の酸化アルミニウムからなる基台と、 この基台主表面上に配置された α相の酸化アルミニゥムからなるダイヤフラムと、 前記基台に形成された凹部か らなり前記ダイヤフラムで覆われた容量室と、 この容量室底部に配置された固定 電極と、 前記容量室内部において前記固定電極に対向して前記ダイャフラムに固 定された可動電極とを備えた圧力センサチップに α相の酸化アルミニウムからな る板部材を接合する圧力センサの製造方法において、
前記板部材の表面にアルミニゥムと酸素とを含む化合物が溶解した溶液からな る溶液層を形成する第 1の工程と、
この溶液層を加熱して α相以外の酸化アルミニウムもしくはアモルファス状体 の酸化アルミニゥムからなる中間体層が前記板部材の表面に形成された状態とす る第 2の工程と、
前記中間体層上に前記圧力センサチップを配置して前記板部材と前記圧力セン サチップとの間に圧力を加えると共に電界を加え、 かつ前記中間体層に紫外線を 照射して加熱し、 前記中間体層を構成する C相以外の酸化アルミニウムもしくは アモルファス状体の酸化アルミニウムを相転移させて α相とする第 3の工程と を備えたことを特徴とする圧力センサの製造方法。
3 . 請求の範囲第 2項記載の圧力センサの製造方法において、
前記アルミニウムと酸素とを含む化合物は、 水酸化アルミニウムであり、 前記 溶液層は水溶液であることを特徴とする圧力センサの製造方法。
4 . 請求の範囲第 2項記載の圧力センサの製造方法において、
前記アルミニウムと酸素とを含む化合物は、 ベーマイ トであることを特徴とす る圧力センサの製造方法。
5 . 請求の範囲第 2項記載の圧力センサの製造方法において、
前記アルミニゥムと酸素とを含む化合物は、 アルミ二ゥムの有機酸塩であるこ とを特徴とする圧力センサの製造方法。
6 . 請求の範囲第 2項記載の圧力センサの製造方法において、
前記アルミニゥムと酸素とを含む化合物は、 アルミ-ゥムの有機金属化合物で あることを特徴とする圧力センサの製造方法。
7 . 請求の範囲第 5項記載の圧力センサの製造方法において、
前記アルミニウムの有機酸塩は、 A l ( C H a C O O) 3であることを特徴とす る圧力センサの製造方法。
8 . 請求の範囲第 6項記載の圧力センサの製造方法において、
前記アルミニウムの有機金属化合物は、 アルミニウムのアルコキシドであるこ とを特徴とする圧力センサの製造方法。
9 . 請求の範囲第 6項記載の圧力センサの製造方法において、
前記アルミニウムの有機金属化合物は、 アルミニウムの金属カルボニルである ことを特徴とする圧力センサの製造方法。
1 0 . 請求の範囲第 2項記載の圧力センサの製造方法において、
前記紫外線の波長は、 2 0 0 n m以下であることを特徴とする圧力センサの製 造方法。
1 1 . 請求の範囲第 2項記載の圧力センサの製造方法において、
前記ダイヤフラムの周辺部上には α相の酸化アルミニウムからなる緩衝部材が 形成されて前記圧力センサチップを構成し、
前記板部材は前記緩衝部材に接合することを特徴とする圧力センサの製造方法。
1 2 . 請求の範囲第 2項記載の圧力センサの製造方法において、 前記ひ相の酸 化アルミニウムは、 サファイアであることを特徴とする圧力センサの製造方法。
1 3 . 請求の範囲第 2項記載の圧力センサの製造方法において、
前記 α相以外の酸化アルミニウムは、 · 相, 0相, t相, κ相, f 相, χ相, δ相, σ相のいずれかもしくは混合物であることを特徴とする圧力センサの製造 方法。
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