JP2000239074A - 窒化アルミニウム焼結体用接合剤、それを用いる窒化アルミニウム焼結体の接合方法、並びにそれを用いるプレートヒータ及び静電チャックの製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体用接合剤、それを用いる窒化アルミニウム焼結体の接合方法、並びにそれを用いるプレートヒータ及び静電チャックの製造方法Info
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- JP2000239074A JP2000239074A JP4381399A JP4381399A JP2000239074A JP 2000239074 A JP2000239074 A JP 2000239074A JP 4381399 A JP4381399 A JP 4381399A JP 4381399 A JP4381399 A JP 4381399A JP 2000239074 A JP2000239074 A JP 2000239074A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相
のＡｌＮ焼結体同士の接合に際し、ＡｌＮ焼結体に変形
を生じないＡｌＮ焼結体用接合剤を提供する。 【解決手段】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相のＡｌＮ焼結体同士を接合するものであって、Ａｌ
Ｎ粉末１００重量部、Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ化合物粉末０．
５〜３０重量部、及びＬｉ2 Ｏ換算でＬｉ化合物粉末が
上記Ｙ2 Ｏ3 換算量に対して外率で０．１〜１００wt％
の混合粉末からなる。
のＡｌＮ焼結体同士の接合に際し、ＡｌＮ焼結体に変形
を生じないＡｌＮ焼結体用接合剤を提供する。 【解決手段】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相のＡｌＮ焼結体同士を接合するものであって、Ａｌ
Ｎ粉末１００重量部、Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ化合物粉末０．
５〜３０重量部、及びＬｉ2 Ｏ換算でＬｉ化合物粉末が
上記Ｙ2 Ｏ3 換算量に対して外率で０．１〜１００wt％
の混合粉末からなる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、粒界成分が酸化イ
ットリウムアルミニウム相の窒化アルミニウム焼結体同
士の接合に用いる接合剤、それを用いる窒化アルミニウ
ム焼結体の接合方法、並びにそれを用いるプレートヒー
ター及び静電チャックの製造方法に関する。
ットリウムアルミニウム相の窒化アルミニウム焼結体同
士の接合に用いる接合剤、それを用いる窒化アルミニウ
ム焼結体の接合方法、並びにそれを用いるプレートヒー
ター及び静電チャックの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造装置であるエッチャー
やＣＶＤ装置等においては、半導体ウェーハを加熱する
プレートヒーター、又は半導体ウェーハを保持するサセ
プターや静電チャック等を熱伝導性や高温での剛性又は
急速昇降温に対する耐熱衝撃性、耐プラズマ性等を高め
るため、粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相の
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体によって形成するこ
とが行われている。従来、上記プレートヒーターやサセ
プター、静電チャックを製作するための、粒界成分が酸
化イットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなる
複雑な形状の部品を接合するＡｌＮ焼結体用接合剤とし
ては、ＡｌＮ焼結体の粒界成分と同一成分からなる粉末
が知られている。この接合剤は、ペースト状又はシート
状としてＡｌＮ焼結体の接合部間に介装し、ＡｌＮ焼結
体の焼成雰囲気と同様の雰囲気においてその焼結温度と
同程度の焼成温度（１８５０℃以上）で熱処理し、Ａｌ
Ｎ焼結体同士を接合するものである。
やＣＶＤ装置等においては、半導体ウェーハを加熱する
プレートヒーター、又は半導体ウェーハを保持するサセ
プターや静電チャック等を熱伝導性や高温での剛性又は
急速昇降温に対する耐熱衝撃性、耐プラズマ性等を高め
るため、粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相の
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体によって形成するこ
とが行われている。従来、上記プレートヒーターやサセ
プター、静電チャックを製作するための、粒界成分が酸
化イットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなる
複雑な形状の部品を接合するＡｌＮ焼結体用接合剤とし
ては、ＡｌＮ焼結体の粒界成分と同一成分からなる粉末
が知られている。この接合剤は、ペースト状又はシート
状としてＡｌＮ焼結体の接合部間に介装し、ＡｌＮ焼結
体の焼成雰囲気と同様の雰囲気においてその焼結温度と
同程度の焼成温度（１８５０℃以上）で熱処理し、Ａｌ
Ｎ焼結体同士を接合するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＡｌＮ
焼結体用接合剤では、粒界成分が酸化イットリウムアル
ミニウム相のＡｌＮ焼結体同士の接合に際し、１８５０
℃以上の温度で熱処理しなければならないので、ＡｌＮ
焼結体に反り等の変形を生じ、精密な形状の接合体とす
るには、接合後再度大幅に加工しなければならない不具
合がある。又、接合後に再度の加工を施したとしても、
発熱回路を埋設したプレートヒーターでは、発熱回路か
ら加熱面までの間隔が加熱面内で不均一になり、加熱時
の温度むらを生ずる一方、電極又はそれと発熱回路を埋
設した静電チャックでは、電極又はそれと発熱回路から
吸着面までの間隔が吸着面内で不均一になり、吸着時の
静電吸着力又はそれと温度のむらを生ずる不具合があ
る。そこで、本発明は、粒界成分が酸化イットリウムア
ルミニウム相のＡｌＮ焼結体同士の接合に際し、ＡｌＮ
焼結体に変形が生じないＡｌＮ焼結体用接合剤、それを
用いるＡｌＮ焼結体の接合方法、並びにそれを用いるプ
レートヒーター及び静電チャックの製造方法を提供する
ことを目的とする。
焼結体用接合剤では、粒界成分が酸化イットリウムアル
ミニウム相のＡｌＮ焼結体同士の接合に際し、１８５０
℃以上の温度で熱処理しなければならないので、ＡｌＮ
焼結体に反り等の変形を生じ、精密な形状の接合体とす
るには、接合後再度大幅に加工しなければならない不具
合がある。又、接合後に再度の加工を施したとしても、
発熱回路を埋設したプレートヒーターでは、発熱回路か
ら加熱面までの間隔が加熱面内で不均一になり、加熱時
の温度むらを生ずる一方、電極又はそれと発熱回路を埋
設した静電チャックでは、電極又はそれと発熱回路から
吸着面までの間隔が吸着面内で不均一になり、吸着時の
静電吸着力又はそれと温度のむらを生ずる不具合があ
る。そこで、本発明は、粒界成分が酸化イットリウムア
ルミニウム相のＡｌＮ焼結体同士の接合に際し、ＡｌＮ
焼結体に変形が生じないＡｌＮ焼結体用接合剤、それを
用いるＡｌＮ焼結体の接合方法、並びにそれを用いるプ
レートヒーター及び静電チャックの製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明のＡｌＮ焼結体用接合剤は、粒界成分が酸化
イットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体同士を接合
するものであって、ＡｌＮ粉末１００重量部、イットリ
ア（Ｙ2 Ｏ3 ）換算でイットリウム（Ｙ）化合物粉末
０．５〜３０重量部、及び酸化リチウム（Ｌi2Ｏ）換算
でリチウム（Ｌi ）化合物粉末が上記Ｙ2 Ｏ3 換算量に
対し外率で０．１〜１００wt％の混合粉末からなること
を特徴とする。前記ＡｌＮ粉末は、粒径０．１〜１０μ
ｍであることが好ましい。ＡｌＮ焼結体の接合方法は、
粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼
結体同士の接合部間にペースト状、溶液又はシート状と
した前記接合剤を介装し、不活性ガス又は真空雰囲気に
おいて１５５０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理す
ることを特徴とする。第１のプレートヒーターの製造方
法は、粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡ
ｌＮ焼結体からなるカバー用プレート及びベース用プレ
ートにおけるカバー用プレートの一方の面又はベース用
プレートの一方の面のいずれかに発熱回路用ペーストを
塗布し、その面の残余部分にペースト状とした前記接合
剤を塗布し、又、残る面にペースト状とした前記接合剤
を塗布した後、両プレートを一方の面同士が当接するよ
うに積層して不活性ガス又は真空雰囲気において１５５
０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理することを特徴
とする。又、第２のプレートヒーターの製造方法は、粒
界成分が酸化イットリウムアルミニウム相の窒化アルミ
ニウム焼結体からなるカバー用プレート及びベース用プ
レートにおけるカバー用プレートの一方の面又はベース
用プレートの一方の面のいずれかに発熱回路用ペースト
を塗布し、その面の残余部分にペースト状とした前記接
合剤を塗布し、又、それらの上にペースト状とした前記
接合剤を塗布した後、両プレートを一方の面同士が当接
するように積層して不活性ガス又は真空雰囲気において
１５５０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理すること
を特徴とする。第１の静電チャックの製造方法は、粒界
成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体
からなる誘電層用プレート及びベース用プレートにおけ
る誘電層用プレートの一方の面又はベース用プレートの
一方の面のいずれかに電極用ベーストを塗布し、その面
の残余部分にペースト状とした前記接合剤を塗布し、
又、残る面にペースト状とした前記接合剤を塗布した
後、両プレートを一方の面同士が当接するように積層し
て不活性ガス又は真空雰囲気において１５５０℃以上１
８５０℃未満の温度で熱処理することを特徴とする。第
２の静電チャックの製造方法は、粒界成分が酸化イット
リウムアルミニウム相の窒化アルミニウム焼結体からな
る誘電層用プレート及びベース用プレートにおける誘電
層用プレートの一方の面又はベース用プレートの一方の
面のいずれかに電極用ペーストを塗布し、その面の残余
部分にペースト状とした前記接合剤を塗布し、又、それ
らの上にペースト状とした前記接合剤を塗布した後、両
プレートを一方の面同士が当接するように積層して不活
性ガス又は真空雰囲気において１５５０℃以上１８５０
℃未満の温度で熱処理することを特徴とする。第３の静
電チャックの製造方法は、粒界成分が酸化イットリウム
アルミニウム相の窒化アルミニウム焼結体からなる誘電
層用プレート、中間層用プレート及びベース用プレート
における誘電層用プレートの一方の面又は中間層用プレ
ートの他方の面のいずれかに電極用ペーストを塗布し、
その面の残余部分にペースト状とした前記接合剤を塗布
する一方、残る面にペースト状とした前記接合剤を塗布
し、又、中間層用プレートの一方の面又はベース用プレ
ートの一方の面いずれかに発熱回路用ペーストを塗布
し、その面の残余部分にペースト状とした前記接合剤を
塗布する一方、残る面にペースト状とした前記接合剤を
塗布した後、各プレートを誘電層用プレートの一方の面
と中間層用プレートの他方の面同士、及び中間層用プレ
ートの一方の面とベース用プレートの一方の面同士が当
接するように積層して不活性ガス又は真空雰囲気におい
て１５５０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理するこ
とを特徴とする。又、第４の静電チャックの製造方法
は、粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌ
Ｎ焼結体からなる誘電層プレート、中間層用プレート及
びベース用プレートにおける誘電層用プレートの一方の
面又は中間層用プレートの他方の面のいずれかに電極用
ペーストを塗布し、その面の残余部分にペースト状とし
た前記接合剤を塗布する一方、それらの上にペースト状
とした前記接合剤を塗布し、又、中間層用プレートの一
方の面又はベース用プレートの一方の面のいずれかに発
熱回路用ペーストを塗布し、その面の残余部分にペース
ト状とした前記接合剤を塗布する一方、それらの上にペ
ースト状とした前記接合剤を塗布した後、各プレートを
誘電層用プレートの一方の面と中間層用プレートの他方
の面同士、及び中間層用プレートの一方の面とベース用
プレートの一方の面同士が当接するように積層して不活
性ガス又は真空雰囲気において１５５０℃以上１８５０
℃未満の温度で熱処理することを特徴とする。
め、本発明のＡｌＮ焼結体用接合剤は、粒界成分が酸化
イットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体同士を接合
するものであって、ＡｌＮ粉末１００重量部、イットリ
ア（Ｙ2 Ｏ3 ）換算でイットリウム（Ｙ）化合物粉末
０．５〜３０重量部、及び酸化リチウム（Ｌi2Ｏ）換算
でリチウム（Ｌi ）化合物粉末が上記Ｙ2 Ｏ3 換算量に
対し外率で０．１〜１００wt％の混合粉末からなること
を特徴とする。前記ＡｌＮ粉末は、粒径０．１〜１０μ
ｍであることが好ましい。ＡｌＮ焼結体の接合方法は、
粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼
結体同士の接合部間にペースト状、溶液又はシート状と
した前記接合剤を介装し、不活性ガス又は真空雰囲気に
おいて１５５０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理す
ることを特徴とする。第１のプレートヒーターの製造方
法は、粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡ
ｌＮ焼結体からなるカバー用プレート及びベース用プレ
ートにおけるカバー用プレートの一方の面又はベース用
プレートの一方の面のいずれかに発熱回路用ペーストを
塗布し、その面の残余部分にペースト状とした前記接合
剤を塗布し、又、残る面にペースト状とした前記接合剤
を塗布した後、両プレートを一方の面同士が当接するよ
うに積層して不活性ガス又は真空雰囲気において１５５
０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理することを特徴
とする。又、第２のプレートヒーターの製造方法は、粒
界成分が酸化イットリウムアルミニウム相の窒化アルミ
ニウム焼結体からなるカバー用プレート及びベース用プ
レートにおけるカバー用プレートの一方の面又はベース
用プレートの一方の面のいずれかに発熱回路用ペースト
を塗布し、その面の残余部分にペースト状とした前記接
合剤を塗布し、又、それらの上にペースト状とした前記
接合剤を塗布した後、両プレートを一方の面同士が当接
するように積層して不活性ガス又は真空雰囲気において
１５５０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理すること
を特徴とする。第１の静電チャックの製造方法は、粒界
成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体
からなる誘電層用プレート及びベース用プレートにおけ
る誘電層用プレートの一方の面又はベース用プレートの
一方の面のいずれかに電極用ベーストを塗布し、その面
の残余部分にペースト状とした前記接合剤を塗布し、
又、残る面にペースト状とした前記接合剤を塗布した
後、両プレートを一方の面同士が当接するように積層し
て不活性ガス又は真空雰囲気において１５５０℃以上１
８５０℃未満の温度で熱処理することを特徴とする。第
２の静電チャックの製造方法は、粒界成分が酸化イット
リウムアルミニウム相の窒化アルミニウム焼結体からな
る誘電層用プレート及びベース用プレートにおける誘電
層用プレートの一方の面又はベース用プレートの一方の
面のいずれかに電極用ペーストを塗布し、その面の残余
部分にペースト状とした前記接合剤を塗布し、又、それ
らの上にペースト状とした前記接合剤を塗布した後、両
プレートを一方の面同士が当接するように積層して不活
性ガス又は真空雰囲気において１５５０℃以上１８５０
℃未満の温度で熱処理することを特徴とする。第３の静
電チャックの製造方法は、粒界成分が酸化イットリウム
アルミニウム相の窒化アルミニウム焼結体からなる誘電
層用プレート、中間層用プレート及びベース用プレート
における誘電層用プレートの一方の面又は中間層用プレ
ートの他方の面のいずれかに電極用ペーストを塗布し、
その面の残余部分にペースト状とした前記接合剤を塗布
する一方、残る面にペースト状とした前記接合剤を塗布
し、又、中間層用プレートの一方の面又はベース用プレ
ートの一方の面いずれかに発熱回路用ペーストを塗布
し、その面の残余部分にペースト状とした前記接合剤を
塗布する一方、残る面にペースト状とした前記接合剤を
塗布した後、各プレートを誘電層用プレートの一方の面
と中間層用プレートの他方の面同士、及び中間層用プレ
ートの一方の面とベース用プレートの一方の面同士が当
接するように積層して不活性ガス又は真空雰囲気におい
て１５５０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理するこ
とを特徴とする。又、第４の静電チャックの製造方法
は、粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌ
Ｎ焼結体からなる誘電層プレート、中間層用プレート及
びベース用プレートにおける誘電層用プレートの一方の
面又は中間層用プレートの他方の面のいずれかに電極用
ペーストを塗布し、その面の残余部分にペースト状とし
た前記接合剤を塗布する一方、それらの上にペースト状
とした前記接合剤を塗布し、又、中間層用プレートの一
方の面又はベース用プレートの一方の面のいずれかに発
熱回路用ペーストを塗布し、その面の残余部分にペース
ト状とした前記接合剤を塗布する一方、それらの上にペ
ースト状とした前記接合剤を塗布した後、各プレートを
誘電層用プレートの一方の面と中間層用プレートの他方
の面同士、及び中間層用プレートの一方の面とベース用
プレートの一方の面同士が当接するように積層して不活
性ガス又は真空雰囲気において１５５０℃以上１８５０
℃未満の温度で熱処理することを特徴とする。
【０００５】ＡｌＮ焼結体用接合剤は、その使用時にＬ
ｉ化合物が、先ず、Ｙ又はアルミニウム（Ａｌ）と複合
酸化物を作り、その複合酸化物から酸化イットリウムア
ルミニウム相（ほとんどＹＡＧ（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）だ
が、ＹＡＭ（２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ 2 Ｏ3 又はＹ4 Ａｌ2 Ｏ
9 ）、ＹＡＰ（Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 又はＹＡｌＯ3 ）
等を含む。）を生成し、その融点を低下させる。又、Ｌ
ｉ化合物は、高温で高い蒸気圧を有するため、酸化イッ
トリウムアルミニウム相生成後、接合部分から蒸発し、
接合体中に残留しない。このため、ＡｌＮ焼結体同士が
１８５０℃未満の温度で従来と同等の純度と接合強度で
接合され、又、両ＡｌＮ焼結体に変形を生じない。
ｉ化合物が、先ず、Ｙ又はアルミニウム（Ａｌ）と複合
酸化物を作り、その複合酸化物から酸化イットリウムア
ルミニウム相（ほとんどＹＡＧ（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）だ
が、ＹＡＭ（２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ 2 Ｏ3 又はＹ4 Ａｌ2 Ｏ
9 ）、ＹＡＰ（Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 又はＹＡｌＯ3 ）
等を含む。）を生成し、その融点を低下させる。又、Ｌ
ｉ化合物は、高温で高い蒸気圧を有するため、酸化イッ
トリウムアルミニウム相生成後、接合部分から蒸発し、
接合体中に残留しない。このため、ＡｌＮ焼結体同士が
１８５０℃未満の温度で従来と同等の純度と接合強度で
接合され、又、両ＡｌＮ焼結体に変形を生じない。
【０００６】粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム
相のＡｌＮ焼結体は、例えばＡｌＮ粉末にＹ化合物粉
末、適量の有機バインダー（ＰＶＢ）及び有機溶媒（メ
タノール）を添加してボールミル中で混合し、得られた
スラリーをスプレードライヤーを用いて造粒した後、造
粒粉を成形して成形体を得（例えば一軸金型成形し、更
に静水圧プレスで加圧して成形体を得ることができ
る）、しかる後に、成形体を空気中又は非酸化性雰囲気
において脱脂し（例えば４００℃以上の温度で行うこと
ができる）、非酸化性雰囲気（不活性ガス又は真空雰囲
気）において１８００〜２０００℃以上の温度（好まし
くは１８５０〜１９００℃）で焼成して得られるもので
ある。又、ＡｌＮ焼結体は、少なくとも接合面に研削加
工を施し、表面粗さをＲａ＝０．２〜１．０μｍ、Ｒｍ
ａｘ＝２〜８μｍとしておくことが好ましい。上記範囲
とすることにより、接合剤とＡｌＮ焼結体の密着性が向
上する。Ｙ化合物粉末は、ＡｌＮ粉末１００重量部に対
し、Ｙ2 Ｏ3 換算で０．５〜２０重量部添加することが
好ましい。Ｙ化合物粉末の添加量がＡｌＮ粉末１００重
量部に対し、Ｙ2 Ｏ3 換算で０．５重量部未満である
と、液相成分が不足し緻密な焼結体を得難い。一方、２
０重量部を越えると、未反応の焼結助剤が残存するおそ
れがある。Ｙ化合物としては、後述する接合剤に用いら
れるものと同様のものを用いることができる。又、前述
したように接合剤に含まれるＬｉ化合物は蒸発し、接合
体中に残留しないため（残留したとしても数ｐｐｍに抑
えられる）、ＡｌＮ焼結体に含まれるＬｉ量を低減する
ことにより、得られる接合体のＬｉ含有量を１０ｐｐｍ
以下に抑えることができる。
相のＡｌＮ焼結体は、例えばＡｌＮ粉末にＹ化合物粉
末、適量の有機バインダー（ＰＶＢ）及び有機溶媒（メ
タノール）を添加してボールミル中で混合し、得られた
スラリーをスプレードライヤーを用いて造粒した後、造
粒粉を成形して成形体を得（例えば一軸金型成形し、更
に静水圧プレスで加圧して成形体を得ることができ
る）、しかる後に、成形体を空気中又は非酸化性雰囲気
において脱脂し（例えば４００℃以上の温度で行うこと
ができる）、非酸化性雰囲気（不活性ガス又は真空雰囲
気）において１８００〜２０００℃以上の温度（好まし
くは１８５０〜１９００℃）で焼成して得られるもので
ある。又、ＡｌＮ焼結体は、少なくとも接合面に研削加
工を施し、表面粗さをＲａ＝０．２〜１．０μｍ、Ｒｍ
ａｘ＝２〜８μｍとしておくことが好ましい。上記範囲
とすることにより、接合剤とＡｌＮ焼結体の密着性が向
上する。Ｙ化合物粉末は、ＡｌＮ粉末１００重量部に対
し、Ｙ2 Ｏ3 換算で０．５〜２０重量部添加することが
好ましい。Ｙ化合物粉末の添加量がＡｌＮ粉末１００重
量部に対し、Ｙ2 Ｏ3 換算で０．５重量部未満である
と、液相成分が不足し緻密な焼結体を得難い。一方、２
０重量部を越えると、未反応の焼結助剤が残存するおそ
れがある。Ｙ化合物としては、後述する接合剤に用いら
れるものと同様のものを用いることができる。又、前述
したように接合剤に含まれるＬｉ化合物は蒸発し、接合
体中に残留しないため（残留したとしても数ｐｐｍに抑
えられる）、ＡｌＮ焼結体に含まれるＬｉ量を低減する
ことにより、得られる接合体のＬｉ含有量を１０ｐｐｍ
以下に抑えることができる。
【０００７】Ｙ化合物としては、Ｙ2 Ｏ3 、フッ化イッ
トリウム（ＹＦ）、ＹＡＧ又はＹ2Ｏ3 とアルミナ（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）をＹＡＧとなる配合比で混合した混合物が用
いられる。Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ化合物粉末の添加量が、
０．５重量部未満であると、液相成分が不足して接合で
きない。一方、３０重量部を超えると、接合できない。
好ましい添加量は、１〜１０重量部である。Ｙ化合物粉
末の粒径は、接合剤をペースト状として使用する場合、
０．１〜５０μｍとすることによって、分散性が向上す
る。又、粒径が０．１μｍ未満であると、ペーストの粘
性が上がり易く、ペースト化が困難となる。一方、５０
μｍを超えると、ペースト中で粉末が沈降し易くなり分
散性が低下し、又、後述するスクリーン印刷により接合
剤を接合部間に介装させる場合には、使用するスクリー
ンのメッシュが限定される等の不具合も生じる。より好
ましい粒径は、０．１〜１０μｍである。なお、ペース
ト状以外の形態とする場合には、上記粒径範囲を外れて
もよい。
トリウム（ＹＦ）、ＹＡＧ又はＹ2Ｏ3 とアルミナ（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）をＹＡＧとなる配合比で混合した混合物が用
いられる。Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ化合物粉末の添加量が、
０．５重量部未満であると、液相成分が不足して接合で
きない。一方、３０重量部を超えると、接合できない。
好ましい添加量は、１〜１０重量部である。Ｙ化合物粉
末の粒径は、接合剤をペースト状として使用する場合、
０．１〜５０μｍとすることによって、分散性が向上す
る。又、粒径が０．１μｍ未満であると、ペーストの粘
性が上がり易く、ペースト化が困難となる。一方、５０
μｍを超えると、ペースト中で粉末が沈降し易くなり分
散性が低下し、又、後述するスクリーン印刷により接合
剤を接合部間に介装させる場合には、使用するスクリー
ンのメッシュが限定される等の不具合も生じる。より好
ましい粒径は、０．１〜１０μｍである。なお、ペース
ト状以外の形態とする場合には、上記粒径範囲を外れて
もよい。
【０００８】Ｌｉ化合物としては、Ｌｉ2 Ｏ、炭酸リチ
ウム（Ｌｉ2 ＣＯ3 ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、硝
酸リチウム（ＬｉＮＯ3 ）、水酸化リチウム（ＬｉＯ
Ｈ）、塩化リチウム（ＬｉＣｌ）、酢酸リチウム（Ｌｉ
ＣＨ3 ＣＯＯ）、Ｙとの複合酸化物及びＡｌとの複合酸
化物の１種以上が用いられる。Ｌｉ2 Ｏ換算でＬｉ化合
物粉末の添加量が、前述したＹ2 Ｏ3 換算量の０．１wt
％未満であると、１８５０℃未満の温度での接合ができ
ない。一方、１００wt％を超えると、接合できない。好
ましい添加量は、５〜５０wt％である。Ｌｉ化合物粉末
の粒径は、接合剤をペースト状として使用する場合、
０．１〜５０μｍとすることによって、分散性が向上す
る。又、粒径が０．１μｍ未満であると、ペーストの粘
性が上がり易く、ペースト化が困難となる。一方、５０
μｍを超えると、ペースト中で粉末が沈降し易くなり分
散性が低下し、又、後述するスクリーン印刷により接合
剤を接合部間に介装させる場合には、使用するスクリー
ンのメッシュが限定される等の不具合も生じる。より好
ましい粒径は、０．１〜１０μｍである。なお、ペース
ト状以外の形態とする場合には、上記粒径範囲を外れて
もよい。又、ＬｉＣｌやＬｉＮＯ3 、ＬｉＯＨ、ＬｉＣ
Ｈ3 ＣＯＯ等は、エタノールやアセトン等の有機溶媒に
溶解するので、それらの有機溶剤可溶性Ｌｉ化合物が有
機溶媒に溶解した溶液と、Ｙ化合物粉末及びＡｌＮ粉末
とを混合し、溶媒を除去後、不活性ガス又は真空雰囲気
において４００〜８００℃の温度（８００℃を超えると
Ｌｉが揮発し、低温接合が困難となるおそれがある。）
で仮焼すると、それらが均一に混合した仮焼粉が得ら
れ、接合剤となる。仮焼粉は、通常、粉砕して使用され
る（好ましくは４００メッシュ以下に粉砕する）。Ｌｉ
Ｃｌ、ＬｉＮＯ3 は有機溶媒に対する溶解度が高くこの
方法に適しており、特にＬｉＣｌは潮解性を有し粉末の
取り扱いが困難であるためこの方法が有効である。
ウム（Ｌｉ2 ＣＯ3 ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、硝
酸リチウム（ＬｉＮＯ3 ）、水酸化リチウム（ＬｉＯ
Ｈ）、塩化リチウム（ＬｉＣｌ）、酢酸リチウム（Ｌｉ
ＣＨ3 ＣＯＯ）、Ｙとの複合酸化物及びＡｌとの複合酸
化物の１種以上が用いられる。Ｌｉ2 Ｏ換算でＬｉ化合
物粉末の添加量が、前述したＹ2 Ｏ3 換算量の０．１wt
％未満であると、１８５０℃未満の温度での接合ができ
ない。一方、１００wt％を超えると、接合できない。好
ましい添加量は、５〜５０wt％である。Ｌｉ化合物粉末
の粒径は、接合剤をペースト状として使用する場合、
０．１〜５０μｍとすることによって、分散性が向上す
る。又、粒径が０．１μｍ未満であると、ペーストの粘
性が上がり易く、ペースト化が困難となる。一方、５０
μｍを超えると、ペースト中で粉末が沈降し易くなり分
散性が低下し、又、後述するスクリーン印刷により接合
剤を接合部間に介装させる場合には、使用するスクリー
ンのメッシュが限定される等の不具合も生じる。より好
ましい粒径は、０．１〜１０μｍである。なお、ペース
ト状以外の形態とする場合には、上記粒径範囲を外れて
もよい。又、ＬｉＣｌやＬｉＮＯ3 、ＬｉＯＨ、ＬｉＣ
Ｈ3 ＣＯＯ等は、エタノールやアセトン等の有機溶媒に
溶解するので、それらの有機溶剤可溶性Ｌｉ化合物が有
機溶媒に溶解した溶液と、Ｙ化合物粉末及びＡｌＮ粉末
とを混合し、溶媒を除去後、不活性ガス又は真空雰囲気
において４００〜８００℃の温度（８００℃を超えると
Ｌｉが揮発し、低温接合が困難となるおそれがある。）
で仮焼すると、それらが均一に混合した仮焼粉が得ら
れ、接合剤となる。仮焼粉は、通常、粉砕して使用され
る（好ましくは４００メッシュ以下に粉砕する）。Ｌｉ
Ｃｌ、ＬｉＮＯ3 は有機溶媒に対する溶解度が高くこの
方法に適しており、特にＬｉＣｌは潮解性を有し粉末の
取り扱いが困難であるためこの方法が有効である。
【０００９】ＡｌＮ粉末が、０．１〜１０μｍの粒径で
あることによって、Ｙ化合物粉末、Ｌｉ化合物粉末の粒
径や接合部間への接合剤の介在方法のいかんにかかわら
ず、低温での接合強度が向上する。又、ＡｌＮ粉末の粒
径が、０．１μｍ未満であると、接合剤をペースト状と
して使用する場合、ペーストの粘性が上がり易く、ペー
スト化が困難となる。一方、１０μｍを超えると、緻密
な接合剤層の形成が困難となり、接合強度が低下するお
それがある。より好ましい粒径は、０．４〜２．９μｍ
である。
あることによって、Ｙ化合物粉末、Ｌｉ化合物粉末の粒
径や接合部間への接合剤の介在方法のいかんにかかわら
ず、低温での接合強度が向上する。又、ＡｌＮ粉末の粒
径が、０．１μｍ未満であると、接合剤をペースト状と
して使用する場合、ペーストの粘性が上がり易く、ペー
スト化が困難となる。一方、１０μｍを超えると、緻密
な接合剤層の形成が困難となり、接合強度が低下するお
それがある。より好ましい粒径は、０．４〜２．９μｍ
である。
【００１０】接合剤をペースト状とするには、混合粉末
をペースト用有機溶剤（例えばブチルカルビトール、ア
クリル樹脂及びフタル酸ジブチルの混合物）に分散さ
せ、溶液とするには、混合粉末をアルコールやアセトン
等の有機溶剤に分散させ、又、シート状とするには、混
合粉末にバインダーを加えてドクターブレート法等によ
り成形する。ＡｌＮ焼結体同士の接合部間へのペースト
状とした接合剤の介装は、印刷、刷毛塗り、エアースプ
レー等の吹き付けによる塗布により、溶液とした接合剤
の介装は、吹き付け、刷毛塗り等による塗布により、
又、シート状とした接合剤の介装は、挟み込みによって
行われる。ＡｌＮ焼結体同士の接合部間への介装は、単
なる接合ではどの方法でもよいが、プレートヒーター、
静電チャックの場合には、発熱回路、電極と逆のパター
ンの形成や接合剤層の厚さの制御（発熱回路等の間に接
合剤を介装する場合、それらと逆のパターンを形成する
こととなる。又、接合剤層の厚さは、それらと同等の厚
みとする必要がある。）が容易なペースト状とした接合
剤の印刷によるのが望ましい。なお、接合剤の塗布によ
る介装の場合、２つのＡｌＮ焼結体の少なくとも一方の
接合面にすればよい。
をペースト用有機溶剤（例えばブチルカルビトール、ア
クリル樹脂及びフタル酸ジブチルの混合物）に分散さ
せ、溶液とするには、混合粉末をアルコールやアセトン
等の有機溶剤に分散させ、又、シート状とするには、混
合粉末にバインダーを加えてドクターブレート法等によ
り成形する。ＡｌＮ焼結体同士の接合部間へのペースト
状とした接合剤の介装は、印刷、刷毛塗り、エアースプ
レー等の吹き付けによる塗布により、溶液とした接合剤
の介装は、吹き付け、刷毛塗り等による塗布により、
又、シート状とした接合剤の介装は、挟み込みによって
行われる。ＡｌＮ焼結体同士の接合部間への介装は、単
なる接合ではどの方法でもよいが、プレートヒーター、
静電チャックの場合には、発熱回路、電極と逆のパター
ンの形成や接合剤層の厚さの制御（発熱回路等の間に接
合剤を介装する場合、それらと逆のパターンを形成する
こととなる。又、接合剤層の厚さは、それらと同等の厚
みとする必要がある。）が容易なペースト状とした接合
剤の印刷によるのが望ましい。なお、接合剤の塗布によ
る介装の場合、２つのＡｌＮ焼結体の少なくとも一方の
接合面にすればよい。
【００１１】不活性ガス雰囲気としては、アルゴン（Ａ
ｒ）ガス雰囲気や窒素ガス（Ｎ2 ）雰囲気が用いられ、
又、真空雰囲気としては、例えば１０-1〜１０-3Torrの
真空雰囲気が用いられる。Ｌｉ化合物の蒸発除去効果を
上げるため、又、接合剤とＡｌＮ焼結体との密着性を上
げるため、真空雰囲気であることが好ましい。
ｒ）ガス雰囲気や窒素ガス（Ｎ2 ）雰囲気が用いられ、
又、真空雰囲気としては、例えば１０-1〜１０-3Torrの
真空雰囲気が用いられる。Ｌｉ化合物の蒸発除去効果を
上げるため、又、接合剤とＡｌＮ焼結体との密着性を上
げるため、真空雰囲気であることが好ましい。
【００１２】熱処理温度が、１５５０℃未満であると、
接合が行われない。一方、１８５０℃以上であると、Ａ
ｌＮ焼結体の変形が大きくなり、特に真空雰囲気の場
合、ＡｌＮ焼結体の粒界成分の移動、蒸発を生じて所定
形状の保持が困難となる。ＡｌＮ焼結体の変形量は、そ
の大きさや厚みによって異なるため一概にいえないが、
例えば直径１５０mm、厚み５mm、平面度１０μｍのＡｌ
Ｎ焼結体を１８５０℃以上の熱処理温度で接合した場
合、接合後の平面度が３０倍の３００μｍになってしま
う。これに対し、熱処理温度を１６００℃とし他を同一
条件で接合した後の平面度は３０μｍ以下である。よっ
て、熱処理温度は、１５５０℃以上１８５０℃未満と
し、好ましくは、１６５０〜１７５０℃とする。この熱
処理により、接合剤は焼結し、接合部間にＡｌＮと酸化
イットリウムアルミニウムを主成分とする接合剤層を形
成してＡｌＮ焼結体と接合する。その結果、ＡｌＮ焼結
体同士が強固に接合される。
接合が行われない。一方、１８５０℃以上であると、Ａ
ｌＮ焼結体の変形が大きくなり、特に真空雰囲気の場
合、ＡｌＮ焼結体の粒界成分の移動、蒸発を生じて所定
形状の保持が困難となる。ＡｌＮ焼結体の変形量は、そ
の大きさや厚みによって異なるため一概にいえないが、
例えば直径１５０mm、厚み５mm、平面度１０μｍのＡｌ
Ｎ焼結体を１８５０℃以上の熱処理温度で接合した場
合、接合後の平面度が３０倍の３００μｍになってしま
う。これに対し、熱処理温度を１６００℃とし他を同一
条件で接合した後の平面度は３０μｍ以下である。よっ
て、熱処理温度は、１５５０℃以上１８５０℃未満と
し、好ましくは、１６５０〜１７５０℃とする。この熱
処理により、接合剤は焼結し、接合部間にＡｌＮと酸化
イットリウムアルミニウムを主成分とする接合剤層を形
成してＡｌＮ焼結体と接合する。その結果、ＡｌＮ焼結
体同士が強固に接合される。
【００１３】なお、接合剤とＡｌＮ焼結体との密着性を
高めるため、ＡｌＮ焼結体に荷重をかけることが望まし
い。ホットプレスによる加熱加圧でもよいが、６g/cm2
以上の荷重をかけられれば、ホットプレスに限定するも
のではない。又、接合に要する熱処理時間は、接合剤と
ＡｌＮ焼結体が十分接合し、かつ、Ｌｉ化合物を十分除
去し得ればよく、通常、１〜１０時間でよく、好ましく
は１〜５時間である。
高めるため、ＡｌＮ焼結体に荷重をかけることが望まし
い。ホットプレスによる加熱加圧でもよいが、６g/cm2
以上の荷重をかけられれば、ホットプレスに限定するも
のではない。又、接合に要する熱処理時間は、接合剤と
ＡｌＮ焼結体が十分接合し、かつ、Ｌｉ化合物を十分除
去し得ればよく、通常、１〜１０時間でよく、好ましく
は１〜５時間である。
【００１４】粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム
相のＡｌＮ焼結体からなるプレートの少なくとも接合面
には、研削加工を施し、平面度を１０μｍ以下としてお
くことが望ましい。又、プレートの接合面は、表面粗さ
をＲａ＝０．２〜１．０μｍ、Ｒｍａｘ＝２〜８μｍと
しておくことが好ましい。電極用ペーストや発熱回路用
ペーストを塗布する場合には、Ｒａ＜０．２μｍ、Ｒｍ
ａｘ＜２μｍの場合には、電極や発熱回路の剥離が生じ
るおそれがある一方、Ｒａ＞１．０μｍ、Ｒｍａｘ＞８
μｍの場合には、電極や発熱回路の形成に不具合を生じ
る。また、電極用ペーストや発熱回路用ペーストを塗布
しない場合でも上記範囲とすることにより接合剤との密
着性が向上する。
相のＡｌＮ焼結体からなるプレートの少なくとも接合面
には、研削加工を施し、平面度を１０μｍ以下としてお
くことが望ましい。又、プレートの接合面は、表面粗さ
をＲａ＝０．２〜１．０μｍ、Ｒｍａｘ＝２〜８μｍと
しておくことが好ましい。電極用ペーストや発熱回路用
ペーストを塗布する場合には、Ｒａ＜０．２μｍ、Ｒｍ
ａｘ＜２μｍの場合には、電極や発熱回路の剥離が生じ
るおそれがある一方、Ｒａ＞１．０μｍ、Ｒｍａｘ＞８
μｍの場合には、電極や発熱回路の形成に不具合を生じ
る。また、電極用ペーストや発熱回路用ペーストを塗布
しない場合でも上記範囲とすることにより接合剤との密
着性が向上する。
【００１５】発熱回路用ペースト及び電極用ペースト
は、それぞれ導電性粉末にペースト用有機溶剤（例えば
ブチルカルビトール、アクリル樹脂及びフタル酸ジブチ
ルの混合物）を添加して調製され、２００〜５００ポイ
ズの粘度が好ましい。又、ペースト状とした接合剤の粘
度も２００〜５００ポイズが好ましい。粘度が、２００
ポイズ未満であると、塗布物がだれる（形を保てな
い）。一方、５００ポイズを超えると、塗布が良好に行
われず、スクリーン印刷の場合、スクリーンにペースト
が残留し、転写が行われない。導電性粉末としては、タ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔ
ａ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）等の金属粉末若しくは
それらの混合物又は導電性セラミックスを用いることが
できるが、ＡｌＮと熱膨張率が最も近いＷが発熱回路、
電極の剥離防止の観点から好ましい。又、ＷにＭｏ、ニ
ッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）の１種以上を添加
すると、低温接合においてＡｌＮ焼結体との密着性を向
上でき、好ましい。ペースト用有機溶剤の除去は用いた
ペースト用有機溶剤の特性に合わせて行えばよく、例え
ば、ブチルカルビトール、アクリル樹脂、フタル酸ジブ
チルの混合物を用いた場合では、十分除去できる温度
（例えば４００℃以上）で不活性ガス雰囲気中（窒素、
アルゴン等）で脱脂を行えばよい。ペースト状とした接
合剤、発熱回路用ペースト、電極用ペーストは均一な厚
さとなるよう塗布する。
は、それぞれ導電性粉末にペースト用有機溶剤（例えば
ブチルカルビトール、アクリル樹脂及びフタル酸ジブチ
ルの混合物）を添加して調製され、２００〜５００ポイ
ズの粘度が好ましい。又、ペースト状とした接合剤の粘
度も２００〜５００ポイズが好ましい。粘度が、２００
ポイズ未満であると、塗布物がだれる（形を保てな
い）。一方、５００ポイズを超えると、塗布が良好に行
われず、スクリーン印刷の場合、スクリーンにペースト
が残留し、転写が行われない。導電性粉末としては、タ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔ
ａ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）等の金属粉末若しくは
それらの混合物又は導電性セラミックスを用いることが
できるが、ＡｌＮと熱膨張率が最も近いＷが発熱回路、
電極の剥離防止の観点から好ましい。又、ＷにＭｏ、ニ
ッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）の１種以上を添加
すると、低温接合においてＡｌＮ焼結体との密着性を向
上でき、好ましい。ペースト用有機溶剤の除去は用いた
ペースト用有機溶剤の特性に合わせて行えばよく、例え
ば、ブチルカルビトール、アクリル樹脂、フタル酸ジブ
チルの混合物を用いた場合では、十分除去できる温度
（例えば４００℃以上）で不活性ガス雰囲気中（窒素、
アルゴン等）で脱脂を行えばよい。ペースト状とした接
合剤、発熱回路用ペースト、電極用ペーストは均一な厚
さとなるよう塗布する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的な実施例及び比較例を参照して説明する。 実施例１〜４５、比較例１〜１３ ＡｌＮ焼結体を接合するため、先ず、ＡｌＮ粉末１００
重量部、Ｙ2 Ｏ3 粉末１重量部、バインダーとしてＰＶ
Ｂ３重量部及び有機溶媒として適量のメタノールをボー
ルミルで１７時間混合し、得られたスラリーをスプレー
ドライヤーを用いて造粒した後、造粒粉を３０ＭＰａの
圧力で一軸金型成形し、更に１００ＭＰａの圧力で冷間
静水圧プレスして成形体を得、しかる後、成形体を空気
中において６００℃の温度で脱脂し、窒素ガス雰囲気に
おいて１９００℃の焼成して直径１５０mm、厚み５mmの
円板状の２枚のＡｌＮ焼結体を得、両面を研削加工し、
Ｒａ＝０．６５μｍ、Ｒmax ＝５．２５μｍ、平面度１
０μｍとした。一方、粒径０．４〜２．９μｍのＡｌＮ
粉末１００重量部に対し、粒径０．１〜１０μｍのＹ化
合物粉末と粒径０．１〜１０μｍのＬｉ化合物粉末をそ
れぞれ表１〜表４に示す割合（Ｌｉ化合物粉末は、Ｌｉ
2 Ｏ換算でＹ化合物粉末のＹ2Ｏ3 換算量に対し外率のw
t％で表示する。）で添加した混合粉末からなる接合剤
をイソプロピルアルコールに分散（混合粉末：イソプロ
ピルアルコール＝１：１（重量比））させて溶液とした
接合剤を調製した。なお、実施例３８〜４０の混合粉末
からなる接合剤は、エタノールにＬｉＮＯ 3 粉末を溶解
させた溶液に、Ｙ2 Ｏ3 粉末とＡｌＮ粉末を混合し、溶
媒を除去した後、窒素ガス雰囲気において６００℃の温
度で仮焼して得られた仮焼粉を粉砕し、４００メッシュ
以下に分粒して得た。又、比較例１，２の接合剤は、Ｙ
ＡＧ粉末のみからなり、同様にイソプロピルアルコール
に分散させて調製した。次に、１枚のＡｌＮ焼結体の接
合面に接合剤が分散した溶液をエアースプレーによる吹
き付けにより後述する熱処理後の厚みが１００μｍとな
るように塗布し、その上にもう１枚のＡｌＮ焼結体を重
ね、乾燥後、６g/cm2 に調整した荷重をかけ、それぞれ
表１〜表４に示す温度、保持時間及び雰囲気（真空雰囲
気は１０ -2Torr）で熱処理を施したところ、ＡｌＮ焼結
体の接合体の接合状態（表中、「良好」は、接合したと
いう意味である。）、平面度（ＪＩＳ Ｂ０６２１−１
９８４）及び４点曲げ強度は、それぞれ表１〜表４に示
すようになった。又、接合後のＬｉ残量を調べるため、
実施例１３、実施例２８及び比較例１と同一条件で、縦
４０mm、横４０mm、厚み５mmのＡｌＮ焼結体を１００μ
ｍの厚みの接合剤層を介在して接合したサンプルをそれ
ぞれ作製し、化学分析（ＩＣＰ）によって測定したとこ
ろ、比較例１と同一条件で作製したもののＬｉ量は１pp
m（このことからＡｌＮ焼結体には、もともと１ppm 位
のＬｉを含有していることがわかる。）、実施例１３と
同一条件で作製したものは、１．５ppm 、実施例２８と
同一条件で作製したものは３ppm であった。したがっ
て、接合剤にＬｉ化合物を添加しても、接合体にはほと
んどＬｉが残存しないことがわかる。
て具体的な実施例及び比較例を参照して説明する。 実施例１〜４５、比較例１〜１３ ＡｌＮ焼結体を接合するため、先ず、ＡｌＮ粉末１００
重量部、Ｙ2 Ｏ3 粉末１重量部、バインダーとしてＰＶ
Ｂ３重量部及び有機溶媒として適量のメタノールをボー
ルミルで１７時間混合し、得られたスラリーをスプレー
ドライヤーを用いて造粒した後、造粒粉を３０ＭＰａの
圧力で一軸金型成形し、更に１００ＭＰａの圧力で冷間
静水圧プレスして成形体を得、しかる後、成形体を空気
中において６００℃の温度で脱脂し、窒素ガス雰囲気に
おいて１９００℃の焼成して直径１５０mm、厚み５mmの
円板状の２枚のＡｌＮ焼結体を得、両面を研削加工し、
Ｒａ＝０．６５μｍ、Ｒmax ＝５．２５μｍ、平面度１
０μｍとした。一方、粒径０．４〜２．９μｍのＡｌＮ
粉末１００重量部に対し、粒径０．１〜１０μｍのＹ化
合物粉末と粒径０．１〜１０μｍのＬｉ化合物粉末をそ
れぞれ表１〜表４に示す割合（Ｌｉ化合物粉末は、Ｌｉ
2 Ｏ換算でＹ化合物粉末のＹ2Ｏ3 換算量に対し外率のw
t％で表示する。）で添加した混合粉末からなる接合剤
をイソプロピルアルコールに分散（混合粉末：イソプロ
ピルアルコール＝１：１（重量比））させて溶液とした
接合剤を調製した。なお、実施例３８〜４０の混合粉末
からなる接合剤は、エタノールにＬｉＮＯ 3 粉末を溶解
させた溶液に、Ｙ2 Ｏ3 粉末とＡｌＮ粉末を混合し、溶
媒を除去した後、窒素ガス雰囲気において６００℃の温
度で仮焼して得られた仮焼粉を粉砕し、４００メッシュ
以下に分粒して得た。又、比較例１，２の接合剤は、Ｙ
ＡＧ粉末のみからなり、同様にイソプロピルアルコール
に分散させて調製した。次に、１枚のＡｌＮ焼結体の接
合面に接合剤が分散した溶液をエアースプレーによる吹
き付けにより後述する熱処理後の厚みが１００μｍとな
るように塗布し、その上にもう１枚のＡｌＮ焼結体を重
ね、乾燥後、６g/cm2 に調整した荷重をかけ、それぞれ
表１〜表４に示す温度、保持時間及び雰囲気（真空雰囲
気は１０ -2Torr）で熱処理を施したところ、ＡｌＮ焼結
体の接合体の接合状態（表中、「良好」は、接合したと
いう意味である。）、平面度（ＪＩＳ Ｂ０６２１−１
９８４）及び４点曲げ強度は、それぞれ表１〜表４に示
すようになった。又、接合後のＬｉ残量を調べるため、
実施例１３、実施例２８及び比較例１と同一条件で、縦
４０mm、横４０mm、厚み５mmのＡｌＮ焼結体を１００μ
ｍの厚みの接合剤層を介在して接合したサンプルをそれ
ぞれ作製し、化学分析（ＩＣＰ）によって測定したとこ
ろ、比較例１と同一条件で作製したもののＬｉ量は１pp
m（このことからＡｌＮ焼結体には、もともと１ppm 位
のＬｉを含有していることがわかる。）、実施例１３と
同一条件で作製したものは、１．５ppm 、実施例２８と
同一条件で作製したものは３ppm であった。したがっ
て、接合剤にＬｉ化合物を添加しても、接合体にはほと
んどＬｉが残存しないことがわかる。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】
【表３】
【００２０】
【表４】
【００２１】実施例４６ 図１は本発明に係るプレートヒータの製造方法の実施の
形態の一例によって得たプレートヒータの要部の概念図
である。プレートヒータは、粒界成分が酸化イットリウ
ムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなる２枚のプレー
ト（直径１５０ｍｍ、厚み１ｍｍのカバープレート１と
直径１５０ｍｍ、厚さ５ｍｍのベースプレート２）が、
Ｗからなる発熱回路３を介在して接合剤層４によって接
合されると共に、発熱回路３の周辺に隙間を生じるのを
防止するため、その周辺にもそれと同等の厚みで接合剤
層４が形成されている。プレートヒーターを製造するた
め、先ず、実施例１〜４５、比較例１〜１３と同様にし
て得た直径１５０mm、厚み５mmの円板状のＡｌＮ焼結体
をベース用プレートとし、又、直径１５０mm、厚み２mm
の円板状のＡｌＮ焼結体をカバー用プレートとし、同様
に両プレートの接合面（一方の面）のみならず、他方の
面も、すなわち両面を研削加工し、Ｒａ＝０．６５μ
ｍ、Ｒmax ＝５．２５μｍ、平面度１０μｍとした。次
に、発熱回路用ペーストとしてのＷペーストをＷ粉末に
ペースト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリル樹
脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポイズ
の粘度に調製し、このＷペーストをカバー用プレートの
接合面にスクリーン印刷により後述する熱処理後の厚み
が２０μｍとなるように発熱回路パターンで塗布して乾
燥し、かつ、その接合面の残余部分に実施例２と同一の
混合粉末からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチル
カルビトール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混合
物）を用いて３００ポイズの粘度に調製したペースト状
の接合剤をスクリーン印刷によりＷペーストと同等の厚
みで発熱回路パターンと逆パターンで塗布して乾燥し
た。一方、ベース用プレートの接合面に実施例２と同一
の混合粉末からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチ
ルカルビトール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混
合物）を用いて３００ポイズの粘度に調製したペースト
状の接合剤をスクリーン印刷により後述する熱処理後の
厚みが１００μｍとなるように塗布して乾燥した。次い
で、所定の端子等を取り付け、両プレートを接合面同士
が当接するように積層し、窒素ガス（Ｎ2 ）雰囲気にお
いて４５０℃の温度で１時間かけて脱脂し、実施例２と
同一条件で熱処理して両プレートを接合した後、カバー
用プレートに研削加工を施してその厚みを１mmとしてプ
レートヒーターを得た。プレートヒーターの加熱面１ａ
の平面度は、接合後で３１μｍ、研削加工後で１０μｍ
以下であり、又、加熱面１ａと発熱回路３との間隔は、
１ｍｍ±１０μｍであり、プレートヒーターの面内温度
分布は、６００℃で±１℃であった。
形態の一例によって得たプレートヒータの要部の概念図
である。プレートヒータは、粒界成分が酸化イットリウ
ムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなる２枚のプレー
ト（直径１５０ｍｍ、厚み１ｍｍのカバープレート１と
直径１５０ｍｍ、厚さ５ｍｍのベースプレート２）が、
Ｗからなる発熱回路３を介在して接合剤層４によって接
合されると共に、発熱回路３の周辺に隙間を生じるのを
防止するため、その周辺にもそれと同等の厚みで接合剤
層４が形成されている。プレートヒーターを製造するた
め、先ず、実施例１〜４５、比較例１〜１３と同様にし
て得た直径１５０mm、厚み５mmの円板状のＡｌＮ焼結体
をベース用プレートとし、又、直径１５０mm、厚み２mm
の円板状のＡｌＮ焼結体をカバー用プレートとし、同様
に両プレートの接合面（一方の面）のみならず、他方の
面も、すなわち両面を研削加工し、Ｒａ＝０．６５μ
ｍ、Ｒmax ＝５．２５μｍ、平面度１０μｍとした。次
に、発熱回路用ペーストとしてのＷペーストをＷ粉末に
ペースト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリル樹
脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポイズ
の粘度に調製し、このＷペーストをカバー用プレートの
接合面にスクリーン印刷により後述する熱処理後の厚み
が２０μｍとなるように発熱回路パターンで塗布して乾
燥し、かつ、その接合面の残余部分に実施例２と同一の
混合粉末からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチル
カルビトール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混合
物）を用いて３００ポイズの粘度に調製したペースト状
の接合剤をスクリーン印刷によりＷペーストと同等の厚
みで発熱回路パターンと逆パターンで塗布して乾燥し
た。一方、ベース用プレートの接合面に実施例２と同一
の混合粉末からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチ
ルカルビトール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混
合物）を用いて３００ポイズの粘度に調製したペースト
状の接合剤をスクリーン印刷により後述する熱処理後の
厚みが１００μｍとなるように塗布して乾燥した。次い
で、所定の端子等を取り付け、両プレートを接合面同士
が当接するように積層し、窒素ガス（Ｎ2 ）雰囲気にお
いて４５０℃の温度で１時間かけて脱脂し、実施例２と
同一条件で熱処理して両プレートを接合した後、カバー
用プレートに研削加工を施してその厚みを１mmとしてプ
レートヒーターを得た。プレートヒーターの加熱面１ａ
の平面度は、接合後で３１μｍ、研削加工後で１０μｍ
以下であり、又、加熱面１ａと発熱回路３との間隔は、
１ｍｍ±１０μｍであり、プレートヒーターの面内温度
分布は、６００℃で±１℃であった。
【００２２】比較例１４ プレートヒーターを製造するため、先ず、実施例１〜４
５、比較例１〜１３と同様にして得た直径１５０mm、厚
み５mmの円板状のＡｌＮ焼結体をベース用プレートと
し、又、直径１５０mm、厚み４mmの円板状のＡｌＮ焼結
体をカバー用プレートとし、同様に両プレートの両面を
研削加工し、Ｒａ＝０．６５μｍ、Ｒmax＝５．２５μ
ｍ、平面度１０μｍとした。次に、発熱回路用ペースト
としてのＷペーストをＷ粉末に実施例４６と同様のペー
スト用有機溶剤を用いて３００ポイズの粘度に調製し、
このＷペーストをカバー用プレートの接合面にスクリー
ン印刷により後述する熱処理後の厚みが２０μｍとなる
ように発熱回路パターンで塗布して乾燥し、かつ、その
接合面の残余部分に比較例１と同一の粉末からなる接合
剤をペースト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリ
ル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポ
イズの粘度に調製したペースト状の接合剤をスクリーン
印刷によりＷペーストと同様の厚みで発熱回路パターン
と逆のパターンで塗布して乾燥した。一方、ベース用プ
レートの接合面に比較例１と同一の粉末からなる接合剤
をペースト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリル
樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポイ
ズの粘度に調製したペースト状の接合剤をスクリーン印
刷により後述する熱処理後の厚みが１００μｍとなるよ
うに塗布して乾燥した。次いで、所定の端子等を取り付
け、両プレートを接合面同士が当接するように積層し、
Ｎ2 雰囲気において４５０℃の温度で１時間かけて脱脂
し、比較例１と同一条件で熱処理して両プレートを接合
した後、カバー用プレートに研削加工を施してその厚み
を１mmとしてプレートヒーターを得た。プレートヒータ
ーの加熱面の平面度は、接合後で３０１μｍ、研削加工
後で１０μｍ以下であり、又、加熱面と発熱回路との間
隔は、１ｍｍ±１６０μｍであり、プレートヒーターの
面内温度分布は、６００℃で±３０℃であった。
５、比較例１〜１３と同様にして得た直径１５０mm、厚
み５mmの円板状のＡｌＮ焼結体をベース用プレートと
し、又、直径１５０mm、厚み４mmの円板状のＡｌＮ焼結
体をカバー用プレートとし、同様に両プレートの両面を
研削加工し、Ｒａ＝０．６５μｍ、Ｒmax＝５．２５μ
ｍ、平面度１０μｍとした。次に、発熱回路用ペースト
としてのＷペーストをＷ粉末に実施例４６と同様のペー
スト用有機溶剤を用いて３００ポイズの粘度に調製し、
このＷペーストをカバー用プレートの接合面にスクリー
ン印刷により後述する熱処理後の厚みが２０μｍとなる
ように発熱回路パターンで塗布して乾燥し、かつ、その
接合面の残余部分に比較例１と同一の粉末からなる接合
剤をペースト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリ
ル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポ
イズの粘度に調製したペースト状の接合剤をスクリーン
印刷によりＷペーストと同様の厚みで発熱回路パターン
と逆のパターンで塗布して乾燥した。一方、ベース用プ
レートの接合面に比較例１と同一の粉末からなる接合剤
をペースト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリル
樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポイ
ズの粘度に調製したペースト状の接合剤をスクリーン印
刷により後述する熱処理後の厚みが１００μｍとなるよ
うに塗布して乾燥した。次いで、所定の端子等を取り付
け、両プレートを接合面同士が当接するように積層し、
Ｎ2 雰囲気において４５０℃の温度で１時間かけて脱脂
し、比較例１と同一条件で熱処理して両プレートを接合
した後、カバー用プレートに研削加工を施してその厚み
を１mmとしてプレートヒーターを得た。プレートヒータ
ーの加熱面の平面度は、接合後で３０１μｍ、研削加工
後で１０μｍ以下であり、又、加熱面と発熱回路との間
隔は、１ｍｍ±１６０μｍであり、プレートヒーターの
面内温度分布は、６００℃で±３０℃であった。
【００２３】実施例４７ 図２は本発明に係る静電チャックの製造方法の実施の形
態の一例によって得た静電チャックの要部の概念図であ
る。静電チャックは、粒界成分が酸化イットリウムアル
ミニウム相のＡｌＮ焼結体からなる２枚のプレート（直
径１５０ｍｍ、厚み３００μｍの誘電層プレート５と直
径１５０ｍｍ、厚さ５ｍｍのベースプレート６）が、Ｗ
からなる電極７を介在して接合剤層８によって接合され
ると共に、電極７の周辺に隙間を生じるのを防止するた
め、その周辺にもそれと同等の厚みで接合剤層８が形成
されている。静電チャックを製造するため、先ず、実施
例１〜４５、比較例１〜１３と同様にして得た直径１５
０mm、厚み５mmの円板状のＡｌＮ焼結体をベース用プレ
ートとし、又、直径１５０mm、厚み２mmの円板状のＡｌ
Ｎ焼結体を誘電層用プレートとし、同様に両プレートの
両面を研削加工し、Ｒａ＝０．６５μｍ、Ｒmax ＝５．
２５μｍ、平面度１０μｍとした。次に、電極用ペース
トとしてのＷペーストをＷ粉末に実施例４６と同様のペ
ースト用有機溶剤を用いて３００ポイズの粘度に調製
し、このＷペーストを誘電層用プレートの接合面にスク
リーン印刷により後述する熱処理後の厚みが２０μｍと
なるように電極パターン（単極型）で塗布して乾燥し、
かつ、その接合面の残余部分に実施例２と同一の混合粉
末からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチルカルビ
トール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を
用いて３００ポイズの粘度に調製したペースト状の接合
剤をスクリーン印刷によりＷペーストと同等の厚みで電
極パターンと逆のパターンで塗布して乾燥した。一方、
ベース用プレートの接合面に実施例２と同一の混合粉末
からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチルカルビト
ール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用
いて３００ポイズの粘度に調製したペースト状の接合剤
をスクリーン印刷により後述する熱処理後の厚みが１０
０μｍとなるように塗布して乾燥した。次いで、所定の
端子等を取り付け、両プレートを接合面同士が当接する
ように積層し、Ｎ2 雰囲気において４５０℃の温度で１
時間かけて脱脂し、実施例２と同一条件で熱処理して両
プレートを接合した後、誘電層用プレートに研削加工を
施してその厚みを３００μｍとして静電チャックを得
た。静電チャックの吸着面５ａの平面度は、接合後で３
０μｍ、研削加工後で１０μｍ以下であり、又、誘電層
厚み（吸着面と電極との間隔）は、３００μｍ±１３μ
ｍであり、更に、吸着面５ａにおける吸着力の最大値と
最小値の差は、印加電圧２ＫＶで４．９g/cm2 であっ
た。
態の一例によって得た静電チャックの要部の概念図であ
る。静電チャックは、粒界成分が酸化イットリウムアル
ミニウム相のＡｌＮ焼結体からなる２枚のプレート（直
径１５０ｍｍ、厚み３００μｍの誘電層プレート５と直
径１５０ｍｍ、厚さ５ｍｍのベースプレート６）が、Ｗ
からなる電極７を介在して接合剤層８によって接合され
ると共に、電極７の周辺に隙間を生じるのを防止するた
め、その周辺にもそれと同等の厚みで接合剤層８が形成
されている。静電チャックを製造するため、先ず、実施
例１〜４５、比較例１〜１３と同様にして得た直径１５
０mm、厚み５mmの円板状のＡｌＮ焼結体をベース用プレ
ートとし、又、直径１５０mm、厚み２mmの円板状のＡｌ
Ｎ焼結体を誘電層用プレートとし、同様に両プレートの
両面を研削加工し、Ｒａ＝０．６５μｍ、Ｒmax ＝５．
２５μｍ、平面度１０μｍとした。次に、電極用ペース
トとしてのＷペーストをＷ粉末に実施例４６と同様のペ
ースト用有機溶剤を用いて３００ポイズの粘度に調製
し、このＷペーストを誘電層用プレートの接合面にスク
リーン印刷により後述する熱処理後の厚みが２０μｍと
なるように電極パターン（単極型）で塗布して乾燥し、
かつ、その接合面の残余部分に実施例２と同一の混合粉
末からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチルカルビ
トール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を
用いて３００ポイズの粘度に調製したペースト状の接合
剤をスクリーン印刷によりＷペーストと同等の厚みで電
極パターンと逆のパターンで塗布して乾燥した。一方、
ベース用プレートの接合面に実施例２と同一の混合粉末
からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチルカルビト
ール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用
いて３００ポイズの粘度に調製したペースト状の接合剤
をスクリーン印刷により後述する熱処理後の厚みが１０
０μｍとなるように塗布して乾燥した。次いで、所定の
端子等を取り付け、両プレートを接合面同士が当接する
ように積層し、Ｎ2 雰囲気において４５０℃の温度で１
時間かけて脱脂し、実施例２と同一条件で熱処理して両
プレートを接合した後、誘電層用プレートに研削加工を
施してその厚みを３００μｍとして静電チャックを得
た。静電チャックの吸着面５ａの平面度は、接合後で３
０μｍ、研削加工後で１０μｍ以下であり、又、誘電層
厚み（吸着面と電極との間隔）は、３００μｍ±１３μ
ｍであり、更に、吸着面５ａにおける吸着力の最大値と
最小値の差は、印加電圧２ＫＶで４．９g/cm2 であっ
た。
【００２４】比較例１５ 静電チャックを製造するため、先ず、実施例１〜４５、
比較例１〜１３と同様にして得た直径１５０mm、厚み５
mmの円板状のＡｌＮ焼結体をベース用プレートとし、
又、直径１５０mm、厚み４mmの円板状のＡｌＮ焼結体を
誘電層プレートとし、同様に両プレートの両面を研削加
工し、Ｒａ＝０．６５μｍ、Ｒmax ＝５．２５μｍ、平
面度１０μｍとした。次に、電極用ペーストとしてＷペ
ーストをＷ粉末に実施例４６と同様のペースト用有機溶
剤を用いて３００ポイズの粘度に調製し、このＷペース
トを誘電層用プレートの接合面にスクリーン印刷により
後述する熱処理後の厚みが２０μｍとなるように電極パ
ターン（単極型）で塗布して乾燥し、かつ、その接合面
の残余部分に比較例１と同一の粉末からなる接合剤をペ
ースト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリル樹
脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポイズ
の粘度に調製したペースト状の接合剤をスクリーン印刷
によりＷペーストと同等の厚みで電極パターンと逆のパ
ターンで塗布して乾燥した。一方、ベース用プレートの
接合面に比較例１と同一の粉末からなる接合剤をペース
ト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリル樹脂、フ
タル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポイズの粘度
に調製したペースト状の接合剤をスクリーン印刷により
後述する熱処理後の厚みが１００μｍとなるように塗布
して乾燥した。次いで、所定の端子等を取り付け、両プ
レートを接合面同士が当接するように積層し、Ｎ2 雰囲
気において４５０℃の温度で１時間かけて脱脂し、比較
例１と同一条件で熱処理して両プレートを接合した後、
誘電層用プレートに研削加工を施してその厚みを３００
μｍとして静電チャックを得た。静電チャックの吸着面
の平面度は、接合後で３１０μｍ、研削加工後で１０μ
ｍ以下であり、又、誘電層厚みは３００μｍ±１６０μ
ｍであり、更に、吸着面における吸着力の最大値と最小
値の差は、印加電圧２ＫＶで７０g/cm2 であった。
比較例１〜１３と同様にして得た直径１５０mm、厚み５
mmの円板状のＡｌＮ焼結体をベース用プレートとし、
又、直径１５０mm、厚み４mmの円板状のＡｌＮ焼結体を
誘電層プレートとし、同様に両プレートの両面を研削加
工し、Ｒａ＝０．６５μｍ、Ｒmax ＝５．２５μｍ、平
面度１０μｍとした。次に、電極用ペーストとしてＷペ
ーストをＷ粉末に実施例４６と同様のペースト用有機溶
剤を用いて３００ポイズの粘度に調製し、このＷペース
トを誘電層用プレートの接合面にスクリーン印刷により
後述する熱処理後の厚みが２０μｍとなるように電極パ
ターン（単極型）で塗布して乾燥し、かつ、その接合面
の残余部分に比較例１と同一の粉末からなる接合剤をペ
ースト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリル樹
脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポイズ
の粘度に調製したペースト状の接合剤をスクリーン印刷
によりＷペーストと同等の厚みで電極パターンと逆のパ
ターンで塗布して乾燥した。一方、ベース用プレートの
接合面に比較例１と同一の粉末からなる接合剤をペース
ト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリル樹脂、フ
タル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポイズの粘度
に調製したペースト状の接合剤をスクリーン印刷により
後述する熱処理後の厚みが１００μｍとなるように塗布
して乾燥した。次いで、所定の端子等を取り付け、両プ
レートを接合面同士が当接するように積層し、Ｎ2 雰囲
気において４５０℃の温度で１時間かけて脱脂し、比較
例１と同一条件で熱処理して両プレートを接合した後、
誘電層用プレートに研削加工を施してその厚みを３００
μｍとして静電チャックを得た。静電チャックの吸着面
の平面度は、接合後で３１０μｍ、研削加工後で１０μ
ｍ以下であり、又、誘電層厚みは３００μｍ±１６０μ
ｍであり、更に、吸着面における吸着力の最大値と最小
値の差は、印加電圧２ＫＶで７０g/cm2 であった。
【００２５】実施例４８ 図３は本発明に係る静電チャックの製造方法の実施の形
態の他の例によって得た静電チャックの要部の概念図で
ある。静電チャックはヒータ内蔵のもので、粒界成分が
酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からな
る３枚のプレート（直径１５０ｍｍ、厚み３００μｍの
誘電層プレート９、直径１５０ｍｍ，厚さ２ｍｍの中間
層プレート１０、直径１５０ｍｍ、厚み５ｍｍのベース
プレート１１）が、誘電層プレート９と中間層プレート
１０がＷからなる電極１２を介在して接合剤層１３によ
って接合されると共に、電極１２の周辺に隙間を生じる
のを防止するため、その周辺にもそれと同等の厚みで接
合剤層１３が形成され、又、中間層プレート１０とベー
スプレート１１がＷからなる発熱回路１４を介在して接
合剤層１５によって接合されると共に、発熱回路１４の
周辺に隙間が生じるのを防止するため、その周辺にもそ
れと同等の厚みで接合剤層１５が形成されている。ヒー
ター内蔵の静電チャックを製造するため、先ず、実施例
１〜４５、比較例１〜１３と同様にして得た直径１５０
mm、厚み５mmの円板状のＡｌＮ焼結体をベース用プレー
トとし、又、直径１５０mm、厚み２mmの円板状の２枚の
ＡｌＮ焼結体をそれぞれ中間層用プレート、誘電層用プ
レートとし、同様に各プレートの両面を研削加工し、Ｒ
ａ＝０．６５μｍ、Ｒmax ＝５．２５μｍ、平面度１０
μｍとした。次に、電極用ペースト及び発熱回路用ペー
ストとしてのＷペーストをＷ粉末に実施例４６と同様の
ペースト用有機溶剤を用いて３００ポイズの粘度に調製
した。そして、Ｗペーストを誘電層用プレートの接合面
にスクリーン印刷により後述する熱処理後の厚みが２０
μｍとなるように電極パターン（単極型）で塗布して乾
燥し、かつ、その接合面の残余部分に実施例２と同一の
混合粉末からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチル
カルビトール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混合
物）を用いて３００ポイズの粘度に調製したペースト状
の接合剤をスクリーン印刷によりＷペーストと同等の厚
みで電極パターンと逆のパターンで塗布して乾燥した。
又、Ｗペーストを中間層用プレートの一方の接合面にス
クリーン印刷により後述する熱処理後の厚みが２０μｍ
となるように発熱回路パターンで塗布して乾燥し、か
つ、その接合面の残余部分に実施例２と同一の混合粉末
からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチルカルビト
ール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用
いて３００ポイズの粘度に調製したペースト状の接合剤
をスクリーン印刷によりＷペーストと同等の厚みで発熱
回路パターンと逆のパターンで塗布して乾燥する一方、
他方の接合面に実施例２と同一の混合粉末からなる接合
剤をペースト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリ
ル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポ
イズの粘度に調製したペースト状の接合剤をスクリーン
印刷により後述する熱処理後の厚みが１００μｍとなる
ように塗布して乾燥した。更に、ベース用プレートの接
合面に実施例２と同一の混合粉末からなる接合剤をペー
スト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリル樹脂、
フタル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポイズの粘
度に調製したペースト状の接合剤をスクリーン印刷によ
り後述する熱処理後の厚みが１００μｍとなるように塗
布して乾燥した。次いで、所定の端子等を取り付け、各
プレートを誘電層用プレートの接合面と中間層用プレー
トの他方の接合面同士、及び中間層用プレートの一方の
接合面とベース用プレートの接合面同士が当接するよう
に積層し（各プレートをベース用プレートと中間層用プ
レートとの間に発熱回路が、中間層用プレートと誘電層
用プレートとの間に電極が形成される順序に接合面同士
が当接するように積層し）、Ｎ2 雰囲気において４５０
℃の温度で１時間かけて脱脂し、実施例２と同一条件で
熱処理して各プレートを接合した後、誘電層用プレート
に研削加工を施してその厚みを３００μｍとしてヒータ
ー内蔵の静電チャックを得た。ヒーター内蔵の静電チャ
ックの吸着面９ａの平面度は、接合後で４９μｍ、研削
加工後で１０μｍ以下であり、又、誘電層厚み（吸着面
と電極との間隔）は、３００μｍ±１５μｍ、更に、吸
着面９ａと発熱回路１４との間隔は、２．３mm±１７μ
ｍであり、更に又、吸着面９ａにおける吸着力の最大値
と最小値の差は、印加電圧２ＫＶで４．９g/cm2 であ
り、又、面内温度分布は、６００℃で±１℃であった。
態の他の例によって得た静電チャックの要部の概念図で
ある。静電チャックはヒータ内蔵のもので、粒界成分が
酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からな
る３枚のプレート（直径１５０ｍｍ、厚み３００μｍの
誘電層プレート９、直径１５０ｍｍ，厚さ２ｍｍの中間
層プレート１０、直径１５０ｍｍ、厚み５ｍｍのベース
プレート１１）が、誘電層プレート９と中間層プレート
１０がＷからなる電極１２を介在して接合剤層１３によ
って接合されると共に、電極１２の周辺に隙間を生じる
のを防止するため、その周辺にもそれと同等の厚みで接
合剤層１３が形成され、又、中間層プレート１０とベー
スプレート１１がＷからなる発熱回路１４を介在して接
合剤層１５によって接合されると共に、発熱回路１４の
周辺に隙間が生じるのを防止するため、その周辺にもそ
れと同等の厚みで接合剤層１５が形成されている。ヒー
ター内蔵の静電チャックを製造するため、先ず、実施例
１〜４５、比較例１〜１３と同様にして得た直径１５０
mm、厚み５mmの円板状のＡｌＮ焼結体をベース用プレー
トとし、又、直径１５０mm、厚み２mmの円板状の２枚の
ＡｌＮ焼結体をそれぞれ中間層用プレート、誘電層用プ
レートとし、同様に各プレートの両面を研削加工し、Ｒ
ａ＝０．６５μｍ、Ｒmax ＝５．２５μｍ、平面度１０
μｍとした。次に、電極用ペースト及び発熱回路用ペー
ストとしてのＷペーストをＷ粉末に実施例４６と同様の
ペースト用有機溶剤を用いて３００ポイズの粘度に調製
した。そして、Ｗペーストを誘電層用プレートの接合面
にスクリーン印刷により後述する熱処理後の厚みが２０
μｍとなるように電極パターン（単極型）で塗布して乾
燥し、かつ、その接合面の残余部分に実施例２と同一の
混合粉末からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチル
カルビトール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混合
物）を用いて３００ポイズの粘度に調製したペースト状
の接合剤をスクリーン印刷によりＷペーストと同等の厚
みで電極パターンと逆のパターンで塗布して乾燥した。
又、Ｗペーストを中間層用プレートの一方の接合面にス
クリーン印刷により後述する熱処理後の厚みが２０μｍ
となるように発熱回路パターンで塗布して乾燥し、か
つ、その接合面の残余部分に実施例２と同一の混合粉末
からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチルカルビト
ール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用
いて３００ポイズの粘度に調製したペースト状の接合剤
をスクリーン印刷によりＷペーストと同等の厚みで発熱
回路パターンと逆のパターンで塗布して乾燥する一方、
他方の接合面に実施例２と同一の混合粉末からなる接合
剤をペースト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリ
ル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポ
イズの粘度に調製したペースト状の接合剤をスクリーン
印刷により後述する熱処理後の厚みが１００μｍとなる
ように塗布して乾燥した。更に、ベース用プレートの接
合面に実施例２と同一の混合粉末からなる接合剤をペー
スト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリル樹脂、
フタル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポイズの粘
度に調製したペースト状の接合剤をスクリーン印刷によ
り後述する熱処理後の厚みが１００μｍとなるように塗
布して乾燥した。次いで、所定の端子等を取り付け、各
プレートを誘電層用プレートの接合面と中間層用プレー
トの他方の接合面同士、及び中間層用プレートの一方の
接合面とベース用プレートの接合面同士が当接するよう
に積層し（各プレートをベース用プレートと中間層用プ
レートとの間に発熱回路が、中間層用プレートと誘電層
用プレートとの間に電極が形成される順序に接合面同士
が当接するように積層し）、Ｎ2 雰囲気において４５０
℃の温度で１時間かけて脱脂し、実施例２と同一条件で
熱処理して各プレートを接合した後、誘電層用プレート
に研削加工を施してその厚みを３００μｍとしてヒータ
ー内蔵の静電チャックを得た。ヒーター内蔵の静電チャ
ックの吸着面９ａの平面度は、接合後で４９μｍ、研削
加工後で１０μｍ以下であり、又、誘電層厚み（吸着面
と電極との間隔）は、３００μｍ±１５μｍ、更に、吸
着面９ａと発熱回路１４との間隔は、２．３mm±１７μ
ｍであり、更に又、吸着面９ａにおける吸着力の最大値
と最小値の差は、印加電圧２ＫＶで４．９g/cm2 であ
り、又、面内温度分布は、６００℃で±１℃であった。
【００２６】比較例１６ ヒーター内蔵の静電チャックを製造するため、先ず、実
施例１〜４５、比較例１〜１３と同様にして得た直径１
５０mm、厚み５mmの円板状のＡｌＮ焼結体をベース用プ
レートとし、又、直径１５０mm、厚み２mmの円板状のＡ
ｌＮ焼結体を中間層用プレートとし、更に、直径１５０
mm、厚み４mmの円板状のＡｌＮ焼結体を誘電層用プレー
トとし、同様に各プレートの両面を研削加工し、Ｒａ＝
０．６５μｍ、Ｒmax ＝５．２５μｍ、平面度１０μｍ
とした。次に、電極用ペースト及び発熱回路用ペースト
としてのＷペーストをＷ粉末に実施例４６と同様のペー
スト用有機溶剤を用いて３００ポイズの粘度に調製し
た。そして、Ｗペーストを誘電層用プレートの接合面に
スクリーン印刷により後述する熱処理の厚みが２０μｍ
となるように電極用パターン（単極型）で塗布して乾燥
し、かつ、その接合面の残余部分に比較例１と同一の粉
末からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチルカルビ
トール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を
用いて３００ポイズの粘度に調製したペースト状の接合
剤をスクリーン印刷によりＷペーストと同様の厚みで電
極パターンと逆のパターンで塗布して乾燥した。又、Ｗ
ペーストを中間層用ペーストの一方の接合面にスクリー
ン印刷により後述する熱処理後の厚みが２０μｍとなる
ように発熱回路パターンで塗布して乾燥し、かつ、その
接合面の残余部分に比較例１と同一の粉末からなる接合
剤をペースト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリ
ル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポ
イズの粘度に調製したペースト状の接合剤をスクリーン
印刷によりＷペーストと同等の厚みで発熱回路パターン
と逆のパターンで塗布して乾燥する一方、他方の接合面
に比較例１と同一の粉末からなる接合剤をペースト用有
機溶剤（ブチルカルビトール、アクリル樹脂、フタル酸
ジブチルの混合物）を用いて３００ポイズの粘度に調製
したペースト状の接合剤をスクリーン印刷により後述す
る熱処理後の厚みが１００μｍとなるように塗布して乾
燥した。更に、ベース用プレートの接合面に比較例１と
同一の粉末からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチ
ルカルビトール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混
合物）を用いて３００ポイズの粘度に調製したペースト
状の接合剤をスクリーン印刷により後述する熱処理後の
厚みが１００μｍとなるように塗布して乾燥した。次い
で、所定の端子等を取り付け、各プレートを誘電層用プ
レートの接合面と中間層用プレートの他方の接合面同
士、及び中間層用プレートの一方の接合面とベース用プ
レートの接合面同士が当接するように積層し、Ｎ2 雰囲
気において４５０℃の温度で１時間かけて脱脂し、比較
例１と同一条件で熱処理して各プレートを接合した後、
誘電層用プレートに研削加工を施してその厚みを３００
μｍとしてヒーター内蔵の静電チャックを得た。ヒータ
ー内蔵の静電チャックの吸着面の平面度は、接合後で５
１９μｍ、研削加工後で１０μｍ以下であり、又、誘電
層厚みは、３００μｍ±１９７μｍ、更に、吸着面と発
熱回路との間隔は、２．３mm±３９７μｍであり、更に
又、吸着面における吸着力の最大値と最小値の差は、印
加電圧２ＫＶで７０g/cm2 であり、又、面内温度分布は
６００℃で±３５℃であった。ここで、上述した誘電層
厚み、発熱回路と加熱面、吸着面との間隔は渦電流式膜
厚計により、面内温度分布は赤外線画像装置により測定
した。
施例１〜４５、比較例１〜１３と同様にして得た直径１
５０mm、厚み５mmの円板状のＡｌＮ焼結体をベース用プ
レートとし、又、直径１５０mm、厚み２mmの円板状のＡ
ｌＮ焼結体を中間層用プレートとし、更に、直径１５０
mm、厚み４mmの円板状のＡｌＮ焼結体を誘電層用プレー
トとし、同様に各プレートの両面を研削加工し、Ｒａ＝
０．６５μｍ、Ｒmax ＝５．２５μｍ、平面度１０μｍ
とした。次に、電極用ペースト及び発熱回路用ペースト
としてのＷペーストをＷ粉末に実施例４６と同様のペー
スト用有機溶剤を用いて３００ポイズの粘度に調製し
た。そして、Ｗペーストを誘電層用プレートの接合面に
スクリーン印刷により後述する熱処理の厚みが２０μｍ
となるように電極用パターン（単極型）で塗布して乾燥
し、かつ、その接合面の残余部分に比較例１と同一の粉
末からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチルカルビ
トール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を
用いて３００ポイズの粘度に調製したペースト状の接合
剤をスクリーン印刷によりＷペーストと同様の厚みで電
極パターンと逆のパターンで塗布して乾燥した。又、Ｗ
ペーストを中間層用ペーストの一方の接合面にスクリー
ン印刷により後述する熱処理後の厚みが２０μｍとなる
ように発熱回路パターンで塗布して乾燥し、かつ、その
接合面の残余部分に比較例１と同一の粉末からなる接合
剤をペースト用有機溶剤（ブチルカルビトール、アクリ
ル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）を用いて３００ポ
イズの粘度に調製したペースト状の接合剤をスクリーン
印刷によりＷペーストと同等の厚みで発熱回路パターン
と逆のパターンで塗布して乾燥する一方、他方の接合面
に比較例１と同一の粉末からなる接合剤をペースト用有
機溶剤（ブチルカルビトール、アクリル樹脂、フタル酸
ジブチルの混合物）を用いて３００ポイズの粘度に調製
したペースト状の接合剤をスクリーン印刷により後述す
る熱処理後の厚みが１００μｍとなるように塗布して乾
燥した。更に、ベース用プレートの接合面に比較例１と
同一の粉末からなる接合剤をペースト用有機溶剤（ブチ
ルカルビトール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混
合物）を用いて３００ポイズの粘度に調製したペースト
状の接合剤をスクリーン印刷により後述する熱処理後の
厚みが１００μｍとなるように塗布して乾燥した。次い
で、所定の端子等を取り付け、各プレートを誘電層用プ
レートの接合面と中間層用プレートの他方の接合面同
士、及び中間層用プレートの一方の接合面とベース用プ
レートの接合面同士が当接するように積層し、Ｎ2 雰囲
気において４５０℃の温度で１時間かけて脱脂し、比較
例１と同一条件で熱処理して各プレートを接合した後、
誘電層用プレートに研削加工を施してその厚みを３００
μｍとしてヒーター内蔵の静電チャックを得た。ヒータ
ー内蔵の静電チャックの吸着面の平面度は、接合後で５
１９μｍ、研削加工後で１０μｍ以下であり、又、誘電
層厚みは、３００μｍ±１９７μｍ、更に、吸着面と発
熱回路との間隔は、２．３mm±３９７μｍであり、更に
又、吸着面における吸着力の最大値と最小値の差は、印
加電圧２ＫＶで７０g/cm2 であり、又、面内温度分布は
６００℃で±３５℃であった。ここで、上述した誘電層
厚み、発熱回路と加熱面、吸着面との間隔は渦電流式膜
厚計により、面内温度分布は赤外線画像装置により測定
した。
【００２７】なお、前述した実施例４６ではカバー用プ
レートに発熱回路を形成したが、ベース用プレートに形
成してもよく、又、カバー用プレートの一方の面又はベ
ース用プレートの一方の面のいずれかに発熱回路を形成
し、その面の残余部分に接合剤を塗布して乾燥した後、
それらの上に接合剤を塗布して、その一方の面と残る接
合剤が塗布されていない一方の面同士が当接するように
積層して接合を行ってもよい。又、前述した実施例４７
では誘電層用プレートに電極を形成したが、ベース用プ
レートに形成してもよく、又、誘電層用プレートの一方
の面又はベース用プレートの一方の面のいずれかに電極
を形成し、その面の残余部分に接合剤を塗布して乾燥し
た後、それらの上に接合剤を塗布して、その一方の面と
残る接合剤が塗布されていない一方の面同士が当接する
ように積層して接合を行ってもよい。更に、前述した実
施例４８では誘電層用プレートに電極を、中間層用プレ
ートに発熱回路を形成したが、中間層用プレートに電極
を、ベース用プレートに発熱回路を形成してもよく、
又、誘電層用プレートの一方の面又は中間層用プレート
の他方の面のいずれかに電極を形成し、その面の残余部
分に接合剤を塗布して乾燥した後、それらの上に接合剤
を塗布する一方、中間層用プレートの一方の面又はベー
ス用プレートの一方の面のいずれかに発熱回路を形成
し、その面の残余部分に接合剤を塗布して乾燥した後、
それらの上に接合剤を塗布し、しかる後に、各プレート
を誘電層用プレートの一方の面と中間層用プレートの他
方の面同士、及び中間層用プレートの一方の面とベース
用プレートの一方の面同士が当接するように積層して接
合を行ってもよい。要するに各プレートをベース用プレ
ートと中間層用プレートとの間に発熱回路が、中間層用
プレートと誘電層用プレートとの間に電極が形成される
順序に接合面同士が当接するように積層すればよい。
レートに発熱回路を形成したが、ベース用プレートに形
成してもよく、又、カバー用プレートの一方の面又はベ
ース用プレートの一方の面のいずれかに発熱回路を形成
し、その面の残余部分に接合剤を塗布して乾燥した後、
それらの上に接合剤を塗布して、その一方の面と残る接
合剤が塗布されていない一方の面同士が当接するように
積層して接合を行ってもよい。又、前述した実施例４７
では誘電層用プレートに電極を形成したが、ベース用プ
レートに形成してもよく、又、誘電層用プレートの一方
の面又はベース用プレートの一方の面のいずれかに電極
を形成し、その面の残余部分に接合剤を塗布して乾燥し
た後、それらの上に接合剤を塗布して、その一方の面と
残る接合剤が塗布されていない一方の面同士が当接する
ように積層して接合を行ってもよい。更に、前述した実
施例４８では誘電層用プレートに電極を、中間層用プレ
ートに発熱回路を形成したが、中間層用プレートに電極
を、ベース用プレートに発熱回路を形成してもよく、
又、誘電層用プレートの一方の面又は中間層用プレート
の他方の面のいずれかに電極を形成し、その面の残余部
分に接合剤を塗布して乾燥した後、それらの上に接合剤
を塗布する一方、中間層用プレートの一方の面又はベー
ス用プレートの一方の面のいずれかに発熱回路を形成
し、その面の残余部分に接合剤を塗布して乾燥した後、
それらの上に接合剤を塗布し、しかる後に、各プレート
を誘電層用プレートの一方の面と中間層用プレートの他
方の面同士、及び中間層用プレートの一方の面とベース
用プレートの一方の面同士が当接するように積層して接
合を行ってもよい。要するに各プレートをベース用プレ
ートと中間層用プレートとの間に発熱回路が、中間層用
プレートと誘電層用プレートとの間に電極が形成される
順序に接合面同士が当接するように積層すればよい。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＡｌＮ焼
結体用接合剤によれば、粒界成分が酸化イットリウムア
ルミニウム相のＡｌＮ焼結体同士の接合に際し、Ｌｉ化
合物が、先ず、Ｙ又はＡｌと複合酸化物を作り、その複
合酸化物から酸化イットリウムアルミニウム相を生成
し、その融点を下げ、Ｌｉ化合物は、高温で高い蒸気圧
を有するため、酸化イットリウムアルミニウム相生成
後、接合部分から蒸発し、接合体中に残留しないので、
ＡｌＮ焼結体同士を１８５０℃未満の温度で従来と同等
の純度と接合強度で接合することができ、両ＡｌＮ焼結
体に変形を生じることがない。ＡｌＮ粉末の粒径を０．
１〜１０μｍとすることにより、接合強度を高めること
ができる。
結体用接合剤によれば、粒界成分が酸化イットリウムア
ルミニウム相のＡｌＮ焼結体同士の接合に際し、Ｌｉ化
合物が、先ず、Ｙ又はＡｌと複合酸化物を作り、その複
合酸化物から酸化イットリウムアルミニウム相を生成
し、その融点を下げ、Ｌｉ化合物は、高温で高い蒸気圧
を有するため、酸化イットリウムアルミニウム相生成
後、接合部分から蒸発し、接合体中に残留しないので、
ＡｌＮ焼結体同士を１８５０℃未満の温度で従来と同等
の純度と接合強度で接合することができ、両ＡｌＮ焼結
体に変形を生じることがない。ＡｌＮ粉末の粒径を０．
１〜１０μｍとすることにより、接合強度を高めること
ができる。
【００２９】ＡｌＮ焼結体の接合方法によれば、１８５
０℃未満の温度での熱処理で従来と同等の純度と接合強
度で接合でき、かつ、各ＡｌＮ焼結体に変形を生じない
ので、所望の形状の接合体とするため、接合後の再加工
が不要とすることができ、若しくは再加工とするとして
も、加工量を少なくすることができる。
０℃未満の温度での熱処理で従来と同等の純度と接合強
度で接合でき、かつ、各ＡｌＮ焼結体に変形を生じない
ので、所望の形状の接合体とするため、接合後の再加工
が不要とすることができ、若しくは再加工とするとして
も、加工量を少なくすることができる。
【００３０】第１、第２のプレートヒーターの製造方法
によれば、１８５０℃未満の温度での熱処理で従来と同
等の純度と接合強度で接合でき、かつ、ベース及びカバ
ーとなるＡｌＮ焼結体からなるプレートに変形を生じな
いので、プレートヒーターの発熱回路から加熱面までの
間隔を加熱面内で均一にすることができ、加熱時の温度
むらを極めて小さくすることができる。
によれば、１８５０℃未満の温度での熱処理で従来と同
等の純度と接合強度で接合でき、かつ、ベース及びカバ
ーとなるＡｌＮ焼結体からなるプレートに変形を生じな
いので、プレートヒーターの発熱回路から加熱面までの
間隔を加熱面内で均一にすることができ、加熱時の温度
むらを極めて小さくすることができる。
【００３１】第１、第２の静電チャックの製造方法によ
れば、１８５０℃未満の温度での熱処理で従来と同等の
純度と接合強度で接合でき、かつ、ベース及び誘電層と
なるＡｌＮ焼結体からなるプレートに変形を生じないの
で、静電チャックの電極から吸着面までの間隔を吸着面
内で均一にすることができ、吸着時の静電吸着力のむら
を極めて小さくすることができる。
れば、１８５０℃未満の温度での熱処理で従来と同等の
純度と接合強度で接合でき、かつ、ベース及び誘電層と
なるＡｌＮ焼結体からなるプレートに変形を生じないの
で、静電チャックの電極から吸着面までの間隔を吸着面
内で均一にすることができ、吸着時の静電吸着力のむら
を極めて小さくすることができる。
【００３２】又、第２、第３の静電チャックの製造方法
によれば、１８５０℃未満の温度での熱処理で従来と同
等の純度と接合強度で接合でき、かつ、ベース、中間層
及び誘電層となるＡｌＮ焼結体からなるプレートに変形
を生じないので、ヒーター内蔵の静電チャックの発熱回
路及び電極から吸着面までの間隔をそれぞれ均一にする
ことができ、加熱、吸着時の温度むら及び静電吸着力の
むらを極めて小さくすることができる。
によれば、１８５０℃未満の温度での熱処理で従来と同
等の純度と接合強度で接合でき、かつ、ベース、中間層
及び誘電層となるＡｌＮ焼結体からなるプレートに変形
を生じないので、ヒーター内蔵の静電チャックの発熱回
路及び電極から吸着面までの間隔をそれぞれ均一にする
ことができ、加熱、吸着時の温度むら及び静電吸着力の
むらを極めて小さくすることができる。
【図１】本発明に係るプレートヒータの製造方法の実施
の形態の一例によって得たプレートヒータの要部の概念
図である。
の形態の一例によって得たプレートヒータの要部の概念
図である。
【図２】本発明に係る静電チャックの製造方法の実施の
形態の一例によって得た静電チャックの要部の概念図で
ある。
形態の一例によって得た静電チャックの要部の概念図で
ある。
【図３】本発明に係る静電チャックの製造方法の実施の
形態の他の例によって得た静電チャックの要部の概念図
である。
形態の他の例によって得た静電チャックの要部の概念図
である。
１ カバープレート １ａ 加熱面 ２ ベースプレート ３ 発熱回路 ４ 接合剤層 ５ 誘電層プレート ５ａ 吸着面 ６ ベースプレート ７ 電極 ８ 接合剤層 ９ 誘電層プレート ９ａ 吸着面 １０ 中間層プレート １１ ベースプレート １２ 電極 １３ 接合剤層 １４ 発熱回路 １５ 接合剤層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K034 AA02 AA10 AA20 AA34 BB06 BB14 BC03 BC04 BC16 CA02 CA22 CA27 HA01 HA10 JA01 4G026 BA16 BB16 BF04 BF06 BF43 BF44 BG05 BG23 BG26 BH06 5F004 AA01 BB22 BB26 BB29 5F031 HA02 HA03 HA16
Claims (9)
- 【請求項１】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相の窒化アルミニウム焼結体同士を接合するものであ
って、窒化アルミニウム粉末１００重量部、イットリア
換算でイットリウム化合物粉末０．５〜３０重量部、及
び酸化リチウム換算でリチウム化合物粉末が上記イット
リア換算量に対して外率で０．１〜１００wt％の混合粉
末からなることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体用
接合剤。 - 【請求項２】 前記窒化アルミニウム粉末が、粒径０．
１〜１０μｍであることを特徴とする請求項１記載の窒
化アルミニウム焼結体用接合剤。 - 【請求項３】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相の窒化アルミニウム焼結体同士の接合部間にペース
ト状、溶液又はシート状とした請求項１又は２記載の接
合剤を介装し、不活性ガス又は真空雰囲気において１５
５０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理することを特
徴とする窒化アルミニウム焼結体の接合方法。 - 【請求項４】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相の窒化アルミニウム焼結体からなるカバー用プレー
ト及びベース用プレートにおけるカバー用プレートの一
方の面又はベース用プレートの一方の面のいずれかに発
熱回路用ペーストを塗布し、その面の残余部分にペース
ト状とした請求項１又は２記載の接合剤を塗布し、又、
残る面にペースト状とした請求項１又は２記載の接合剤
を塗布した後、両プレートを一方の面同士が当接するよ
うに積層して不活性ガス又は真空雰囲気において１５５
０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理することを特徴
とするプレートヒータの製造方法。 - 【請求項５】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相の窒化アルミニウム焼結体からなるカバー用プレー
ト及びベース用プレートにおけるカバー用プレートの一
方の面又はベース用プレートの一方の面のいずれかに発
熱回路用ペーストを塗布し、その面の残余部分にペース
ト状とした請求項１又は２記載の接合剤を塗布し、又、
それらの上にペースト状とした請求項１又は２記載の接
合剤を塗布した後、両プレートを一方の面同士が当接す
るように積層して不活性ガス又は真空雰囲気において１
５５０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理することを
特徴とするプレートヒータの製造方法。 - 【請求項６】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相の窒化アルミニウム焼結体からなる誘電層用プレー
ト及びベース用プレートにおける誘電層用プレートの一
方の面又はベース用プレートの一方の面のいずれかに電
極用ペーストを塗布し、その面の残余部分にペースト状
とした請求項１又は２記載の接合剤を塗布し、又、残る
面にペースト状とした請求項１又は２記載の接合剤を塗
布した後、両プレートを一方の面同士が当接するように
積層して不活性ガス又は真空雰囲気において１５５０℃
以上１８５０℃未満の温度で熱処理することを特徴とす
る静電チャックの製造方法。 - 【請求項７】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相の窒化アルミニウム焼結体からなる誘電層用プレー
ト及びベース用プレートにおける誘電層用プレートの一
方の面又はベース用プレートの一方の面のいずれかに電
極用ペーストを塗布し、その面の残余部分にペースト状
とした請求項１又は２記載の接合剤を塗布し、又、それ
らの上にペースト状とした請求項１又は２記載の接合剤
を塗布した後、両プレートを一方の面同士が当接するよ
うに積層して不活性ガス又は真空雰囲気において１５５
０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理することを特徴
とする静電チャックの製造方法。 - 【請求項８】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相の窒化アルミニウム焼結体からなる誘電層用プレー
ト、中間層用プレート及びベース用プレートにおける誘
電層用プレートの一方の面又は中間層用プレートの他方
の面のいずれかに電極用ペーストを塗布し、その面の残
余部分にペースト状とした請求項１又は２記載の接合剤
を塗布する一方、残る面にペースト状とした請求項１又
は２記載の接合剤を塗布し、又、中間層層プレートの一
方の面又はベース用プレートの一方の面のいずれかに発
熱回路用ペーストを塗布し、その面の残余部分にペース
ト状とした請求項１又は２記載の接合剤を塗布する一
方、残る面にペースト状とした請求項１又は２記載の接
合剤を塗布した後、各プレートを誘電層用プレートの一
方の面と中間層用プレートの他方の面同士、及び中間層
用プレートの一方の面とベース用プレートの一方の面同
士が当接するように積層して不活性ガス又は真空雰囲気
において１５５０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理
することを特徴とする静電チャックの製造方法。 - 【請求項９】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相の窒化アルミニウム焼結体からなる誘電層用プレー
ト、中間層用プレート及びベース用プレートにおける誘
電層用プレートの一方の面又は中間層用プレートの他方
の面のいずれかに電極用ペーストを塗布し、その面の残
余部分にペースト状とした請求項１又は２記載の接合剤
を塗布する一方、それらの上にペースト状とした請求項
１又は２記載の接合剤をを塗布し、又、中間層用プレー
トの一方の面又はベース用プレートの一方の面のいずれ
かに発熱回路用ペーストを塗布し、その面の残余部分に
ペースト状とした請求項１又は２記載の接合剤を塗布す
る一方、それらの上にペースト状とした請求項１又は２
記載の接合剤を塗布した後、各プレートを誘電層用プレ
ートの一方の面と中間層用プレートの他方の面同士、及
び中間層用プレートの一方の面とベース用プレートの一
方の面同士が当接するように積層して不活性ガス又は真
空雰囲気において１５５０℃以上１８５０℃未満の温度
で熱処理することを特徴とする静電チャックの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4381399A JP4023944B2 (ja) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法並びにプレートヒーター又は静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4381399A JP4023944B2 (ja) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法並びにプレートヒーター又は静電チャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000239074A true JP2000239074A (ja) | 2000-09-05 |
| JP4023944B2 JP4023944B2 (ja) | 2007-12-19 |
Family
ID=12674194
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4381399A Expired - Fee Related JP4023944B2 (ja) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法並びにプレートヒーター又は静電チャック |
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|---|---|
| JP (1) | JP4023944B2 (ja) |
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-
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