JP3403294B2 - 圧力検出器 - Google Patents
圧力検出器Info
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- G01L19/14—Housings
- G01L19/142—Multiple part housings
- G01L19/143—Two part housings
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術的分野】本発明はセンサーチップ
（感圧素子）やストレンゲージを利用した圧力検出器の
改良に係り、主として半導体製造プロセスに於ける強腐
食性ガスライン等の圧力検出に利用されるものである。 【０００２】 【従来の技術】配管路内等の流体圧の検出には、従前か
らセンサーチップ（感圧素子）やストレンゲージを利用
した圧力検出器が広く利用されている。図７はこの種圧
力検出器Ａの一例を示すものであり、ステンレス鋼（Ｓ
ＵＳ３１６Ｌ）製のセンサーベース１、センサーチップ
（感圧素子若しくは半導体ストレンゲージ）２、ダイヤ
フラム（ＳＵＳ３１６Ｌ）３、シリコンオイル５、ボー
ル６及びリードピン７等より圧力検出器が構成されてい
る。 【０００３】即ち、図７の圧力検出器Ａに於いては、厚
さ約５０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）より成
るダイヤフラム３の外周縁部が、レーザー溶接によりセ
ンサーベース１の下端面へ溶接されており、このダイヤ
フラム３の接ガス面３ａに加わる流体圧Ｂがシリコンオ
イル５を介してセンサーチップ２へ加わることによりセ
ンサーチップ２に形成された４個の歪抵抗の値が変化
し、４個の歪抵抗からなるブリッジ回路の出力端に受圧
力に比例した信号が出力される。尚、図６に於いて１６
はダイヤフラムの溶接部、１０はボール４の溶接部であ
る。 【０００４】上記図７の圧力検出器は配管路内の流体圧
を比較的高感度で精度良く検出することができ、優れた
実用的効用を有するものである。しかし、当該圧力検出
器にも解決すべき多くの問題が残されており、その中で
も最も重要な問題は、ダイヤフラム３の接ガス面３ａの
腐食や触媒活性等の問題である。即ち、図７の圧力検出
器では、ダイヤフラム３がステンレス鋼（ＳＵＳ３１６
Ｌ）により形成されており、且つ電解研磨されたその接
ガス面３ａの外表層部には厚さ約３０ÅのＦｅとＣｒと
の混合酸化皮膜が形成されている。しかし、半導体製造
プロセスに於いて使用される塩化水素（ＨＣｌ）や臭化
水素（ＨＢｒ）等のハロゲン系ガスや、弗素ガス
（Ｆ2 ）や弗化水素（ＨＦ）等の弗素系ガスのような強
腐食性ガスの場合には、ガス自身に含まれる水分等によ
って著しく腐食が進行し、所謂金属コンタミネーション
が起生する原因となる。 【０００５】また、半導体製造プロセスの配管路に於い
ては、上記ダイヤフラムの接ガス面３ａの腐食性のみな
らず、接ガス面３ａからのアウトガスや触媒活性も重要
な問題となり、所謂アウトガスフリーで且つ非触媒性の
接ガス面３ａであることが要求される。 【０００６】しかし、前記ダイヤフラム３の接ガス面３
ａの外表層に形成されているＦｅとＣｒとの混合酸化皮
膜は、アウトガスの防止機能が不十分であって多量のア
ウトガスが生ずるうえ、その触媒作用によって半導体製
造用特殊ガスの自己分解が促進されることになり、製品
品質の低下を招く等の様々な不都合が起生する。 【０００７】そのため、前記ハロゲン系や弗素系の強腐
食性ガスを取り扱う配管路の圧力検出に図７の如き構成
の圧力検出器を使用する場合には、ダイヤフラム３の接
ガス面３ａに数１００Åの厚さを有するＦｅを含まない
Ｃｒのみから成る所謂酸化クロム不働態膜（Ｃｒ2 Ｏ3
・ハロゲン系ガスの場合）や弗化不働態膜（ＣｒＦ2、
ＣｒＦ3 、ＦｅＦ2 、ＦｅＦ3 等・弗素系ガスの場
合）、主としてアルミニウム酸化物とクロム酸化物の混
合酸化不働態膜（Ａｌ2 Ｏ3 ／Ｃｒ2 Ｏ3 ・オゾンガ
ス）を形成し、接ガス面３ａの保護を図る必要がある。
何故なら、上記酸化クロム不働態膜はハロゲン系強腐食
性ガスに対する耐食性やアウトガスの防止、非触媒性等
に優れているからであり、また、弗化不働態膜は弗素系
の強腐食性ガスやオゾンに対する耐食性が高いうえ、ア
ウトガスの防止や非触媒性にも優れており、さらに主と
してアルミニウム酸化物とクロム酸化物の混合酸化不働
態膜は非常に酸化力の強いオゾンガスに対する耐食性が
優れているからである。 【０００８】而して、上記１００％酸化クロムから成る
不働態膜を形成するためには、オーステナイト系ステン
レス鋼（例えばＳＵＳ３１６Ｌ）製のダイヤフラム３の
場合には、ダイヤフラム３をラッピング研磨法等によ
り研磨してその外表面を微結晶構造（所謂ベイルビ層）
とすると共に、強還元性雰囲気中の極微量の水分を含
む酸化種による熱処理（４００°〜５００℃、１〜１０
時間）を必要とする。同様に、弗化不働態膜を形成する
ためには、弗素ガス雰囲気に於ける２００〜２５０℃
・１〜１０時間の不働態膜形成処理と、３５０°〜４
００℃・１〜１０時間の不働態膜のアニール処理を夫々
必要とする。また、アルミニウム酸化物とクロム酸化物
の混合酸化不働態膜を形成するためには、アルミニウム
を約４％程度含むステンレス鋼を用いて、強還元性雰囲
気中の極微量の水分を含む酸化種による熱処理（４００
°〜６００℃、１〜１０時間）を必要とする。 【０００９】ところが、センサーチップ（感圧素子）は
その耐熱温度が約１５０℃位であるため、図７の如き従
前の圧力検出器では、これを望ましい高温度下で熱処理
をすることができない。また、従来の圧力検出器ではセ
ンサーベース１とダイヤフラム３が既に溶接されている
ため、ダイヤフラム３の接ガス面３ａを最大突起値が
０．７μｍ以下位いの表面粗さに均一に研磨することが
困難となり、ダイヤフラム３の接ガス面３ａの研磨度が
均一になり難い。更に、従来の圧力検出器では、ダイヤ
フラム３の接ガス面３ａに溶接部９が位置しているた
め、溶接部９の研磨が非溶接部の研磨と異なった状態と
なり、溶接部１６の均一な研磨仕上げが困難となる。 【００１０】その結果、従前の圧力検出器では、ダイヤ
フラム３の接ガス面３ａに１００％酸化クロムから成る
不働態膜や弗化不働態膜を形成することが困難となり、
半導体の集積度が上るにつれて、圧力検出器の接ガス面
３ａの腐食に起因する金属パーティクルやダイヤフラム
面からの水分放出、ダイヤフラム面の触媒作用による様
々な不都合が顕著になり、製品品質の向上を図ることが
困難となる。 【００１１】 【発明が解決しようとする課題】本発明は従前の圧力検
出器に於ける上述の如き問題、即ち圧力検出器のダイ
ヤフラムの接ガス面に不働態膜を形成することができな
いため、ダイヤフラムの接ガス面の腐食や接ガス面の触
媒作用、接ガス面からの水分放出を防止することができ
ないと云う問題を解決せんとするものであり、圧力検出
器のダイヤフラムを、接ガス面に酸化クロム不働態膜又
は弗化不働態膜若しくは主としてアルミニウム酸化物と
クロム酸化物の混合酸化不働態膜を備えたダイヤフラム
とすることにより、半導体製造プロセスに適用しても製
品品質の低下を招く虞れの全くない圧力検出器を提供せ
んとするものである。 【００１２】 【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は
厚さが５０〜２００μｍの平板状のダイヤフラム３を短
円筒体の底面に一体的に形成すると共に、前記ダイヤフ
ラム３の接ガス面３ａに不働態膜３ｂを形成して成るス
テンレス鋼製のダイヤフラムベース４と、センサーチッ
プ２を内部に収納固着したセンサーベース１とを対向状
に組み合せて両者をその側壁面に於いて溶接８し、更に
前記センサーベース１とダイヤフラムベース４との空隙
内へ圧力伝達用媒体５を密封する構成としたことを発明
の基本構成とするものである。 【００１３】 【００１４】 【００１５】 【００１６】 【００１７】 【００１８】本発明に係る圧力検出器では、ダイヤフラ
ムの接ガス面に予かじめ所望の不働態膜を形成すると共
に、接ガス面に不働態膜を形成したダイヤフラムを有す
るダイヤフラムベースと、内部にセンサーチップを収納
固定したセンサーベースとを組み合せ固定するようにし
ているため、両者を側壁面で溶接固定するような場合で
も、センサーチップやストレンゲージのストレンゲージ
部に加熱による悪影響を与えることなしにダイヤフラム
の接ガス面に所望の不働態膜を形成することができる。
その結果、接ガス面の腐食や接ガス面からの水分放出、
接ガス面の触媒作用が押えられ、半導体製造プロセスに
於ける製品品質の大幅な向上が可能となる。 【００１９】 【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の各
実施の形態を説明する。尚、図１乃至図６に於いて、前
記図７で示した部材と同じ部材にはこれと同じ参照番号
が付されている。図１は本発明の第１実施形態に係る圧
力検出器Ａの平面図であり、図２はその縦断面図であ
る。図に於いて１はセンサーベース、２はセンサーチッ
プ（感圧素子）、３はダイヤフラム、４はダイヤフラム
ベース、５は圧力伝達用媒体であるシリコンオイル、６
は封止体であるボール、７はリードピン、８はセンサー
ベースとダイヤフラムベースとの溶接部である。 【００２０】前記センサーベース１はステンレス鋼から
形成されており、下面中央にはチップ収納部１ａが形成
されており、更にオイル注入孔１ｂ及びリードピン貫挿
孔１ｃ等が穿孔されている。 【００２１】また、前記センサーチップ（感圧素子）に
は、公知の拡散形半導体圧力トランスジューサが使用さ
れており、圧力を受けると抵抗値が変化する半導体のピ
エゾ抵抗効果が利用されている。即ち、センサーチップ
２は、圧力を受けると変形をするダイヤフラム構造を有
しており、これにＩＣと同じ製法で４本の抵抗体が形成
されていて、ブリッジ状に接続された４本の抵抗の抵抗
値が加圧によって変化することにより、圧力に比例した
電圧信号がブリッジの出力端に出力されることになる。
尚、本実施形態ではセンサーチップ２として拡散形半導
体圧力トランスジューサを利用しているが、その他の構
造の圧力検出用センサーチップ２であってもよいことは
勿論である。 【００２２】前記ダイヤフラム３はダイヤフラムベース
４と一体的に形成されており、ステンレス鋼を用いて厚
さ約５０μｍ、内径約１０ｍｍφに形成されている。
尚、ダイヤフラム３の厚さは検出器の検出圧力範囲に応
じて適宜に変るものであり、数ｔｏｒｒから１１ｋｇｆ
／ｃｍ2 の絶対圧力値の測定を目的とする本実施形態の
圧力検出器では、φ＝１０ｍｍのダイヤフラム３の厚さ
を５０μｍ程度とするのが望ましい。 【００２３】また、当該ダイヤフラム３の接ガス面３ａ
には、公知の方法により所謂不働態膜の形成処理が施さ
れており、接ガス面３ａの外表層部には厚さ約２００Å
の略１００％酸化クロムから成る不働態膜３ｂ又は厚さ
約１０００〜３０００Åの弗化不働態膜３ｂ若しくは厚
さ約２００Åの主としてアルミニウム酸化物とクロム酸
化物の混合酸化不働態膜が形成されている。 【００２４】即ち、酸化クロム不働態膜３ｂを形成する
場合には、先ずダイヤフラム接ガス面３ａをラッピング
研磨し、その外表面を微結晶構造にすることにより内層
部からのＣｒの移動を容易にする。その後、Ｈ2Ｏ・約
１００ｐｐｍとＨ2 ・約３％とＡｒとの混合ガス内で、
ダイヤフラム接ガス面３ａを４００°〜５００℃の温度
下で数時間加熱処理する。これにより、厚さ約２００Å
のほぼ１００％酸化クロムから成る不働態膜３ｂが形成
されることになる。尚、ダイヤフラム３を形成するステ
ンレス鋼がＣｒ含有量の高いフエライト系ステンレス鋼
の場合には、前記研磨処理を省略する場合もある。フエ
ライト系ステンレス鋼の場合には、内層部からのクロム
の移動が比較的容易に行なわれるからである。 【００２５】また、弗化不働態膜３ｂをダイヤフラム接
ガス面３ａに形成する場合には、先ず希弗素ガス雰囲気
内で且つ２００°〜２５０℃の温度下で数時間加熱処理
をすることにより弗化不働態膜を形成する。次に、３５
０°〜４００℃の温度下で数時間前記弗化不働態膜をア
ニール処理することにより、弗化不働態膜を安定化させ
る。 【００２６】前記圧力伝達用媒体であるシリコンオイル
５はダイヤフラム３に加わった圧力Ｂをセンサーチップ
２へ伝達する。尚、ここでは温度膨張係数や圧縮係数が
小さく且つ化学的にも安定したシリコンオイルが使用さ
れているが、その他の圧力伝達媒体であってもよいこと
は勿論である。 【００２７】前記封止体であるボール６は、オイル注入
孔１ｂ内のシリコンオイル５を密封するためのものであ
り、ここでは軸受鋼のボール６が使用されている。 【００２８】図６は、センサーチップ（感圧素子若しく
は半導体ストレンゲージ）２に代えて所謂金属ストレン
ゲージ１６を使用した圧力検出器を示すものである。即
ち、厚さ約２００μｍのダイヤフラム３の内側外表面に
は、金属細線若しくは金属箔の抵抗線を絶縁物で覆って
フィルム状に形成したストレンゲージ部１６ａが固着さ
れており、また、センサーベース１の内方には抵抗変化
を検出するブリッジ回路部（変換器）１６ｂが取り付け
されている。 【００２９】尚、図６の圧力検出器では、ダイヤフラム
ベース４等の内部空間にはシリコンオイル等が充填され
ていない。また、図６の圧力検出器ではストレンゲージ
部１６ａと変換器１６ｂを別体とした金属ストレンゲー
ジ１６が使用されているが、両者を合体せしめた構成の
ストレンゲージ１６をダイヤフラム３の内側外表面へ固
着するようにしてもよい。 【００３０】次に、図１及び図２に記載の実施態様に係
る圧力検出器の組立について説明する。先ず、ダイヤフ
ラム３をダイヤフラムベース４と一体に形成し、その後
ダイヤフラム３の接ガス面３ａに酸化クロム不働態膜又
は弗化不働態膜若しくは主としてアルミニウム酸化物と
クロム酸化物の混合酸化不働態膜を形成する。同様に、
センサーベース１を形成し、そのチップ挿入孔１ａ内へ
センサーチップ２を挿入固着する。 【００３１】次に、接ガス面３ａに不働態膜３ｂを形成
したダイヤフラムベース４とセンサーベース１とを図２
のように対接せしめ、その側壁面の全周をＴＩＧ溶接法
により溶接８する。また、前記溶接８が完了すると、オ
イル注入孔１ｂ内へ圧力伝達媒体（シリコンオイル）５
を充填し、その後封止体（ボール）６をセンサーベース
１へ溶接１０することにより、オイル５を密封する。 【００３２】本実施態様の圧力検出器Ａに於いては、溶
接部８がダイヤフラム３の接ガス面３ａに無いため、接
ガス面３ａの研磨を極めて均一に行なうことができ、そ
の結果、クロム１００％の酸化不働態膜の形成が可能と
なる。また、ダイヤフラム３とダイヤフラムベース４と
を一体的に形成しているため、溶接部８が１ケ所のみと
なり、圧力検出器Ａの組立てが極めて容易なものにな
る。 【００３３】図３は、本発明の第２実施形態に係る圧力
検出器Ａの縦断面図であり、ダイヤフラム３とダイヤフ
ラムベース４とが別体となっている点が、第１実施態様
の場合と異なっている。即ち、ダイヤフラム３は厚さ約
５０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）によって皿
形に形成されており、圧力検出器の組立てに際しては、
先ずダイヤフラムベース４とダイヤフラム３とを図３の
ように組み合せ、その後ダイヤフラムベース４の側部に
於ける両者の接合面をレーザー溶接等によって溶接９す
る。その後、ダイヤフラムベース４へ溶接したダイヤフ
ラム３の接ガス面３ａに不働態膜３ｂを形成する。尚、
その後の組立順序は、第１実施態様の場合と同様であ
る。 【００３４】また、第２実施形態ではダイヤフラムベー
ス４へダイヤフラム３を溶接した後に、その接ガス面３
ａへ不働態膜３ｂを形成するようにしているが、先にダ
イヤフラム３の接ガス面３ａへ不働態膜３ｂを形成し、
その後にこれをダイヤフラムベース４へ溶接９するよう
にしてもよい。 【００３５】第２実施形態に於いては、ダイヤフラム３
を別体として形成する構成としているため、溶接部が２
ケ所になると云う不利はあるものの、ダイヤフラムの形
成が比較的容易なものになる。 【００３６】図４は本発明の第３実施形態に係る圧力検
出器の縦断面図であり、ダイヤフラム３の外周縁部とダ
イヤフラムベース４との対接面にろう材１１を介在せし
め、両者をろう付けにより固着するようにした点のみが
前記第２実施形態の場合と異なっており、その他の構成
は第２実施形態の場合と同じである。 【００３７】即ち、前記図３の第２実施形態の場合に
は、ダイヤフラムベース４とダイヤフラム３の間隙内へ
シリコンオイル５が侵入する場合がある。その結果、オ
イル５の侵入量の変化によって、圧力検出器の初期校正
値が狂うことになり、様々な不都合が起生する。そのた
め、第３実施形態に於いては、ダイヤフラム３とダイヤ
フラムベース４を組み合せる際に、両者の間にろう材１
１を予かじめ介存せしめておき、ろう材１１を加熱して
これを溶融せしめ、ダイヤフラム３の外周縁部をベース
４へろう付けする。 【００３８】当該第３実施形態に於いては、ダイヤフラ
ム３の外周縁部がダイヤフラムベース４へろう付けされ
ているため、両者の間隙内へオイル５が侵入せず、従っ
てセンサーチップ２への加圧力に変動（狂い）を生ずる
ことが皆無となる。 【００３９】図５は、本発明に係る圧力検出器をガスラ
インへ組み付けて流体圧の検出を行なっている状態を示
すものであり、圧力検出器Ａは、固定具１４をボデイー
１５へ締込むことにより、押え部材１２及びベアリング
１３を介してボデイー１５の取付孔１５ａ内へ気密状に
固着されている。尚、１７は接ガス面をクロム不働態処
理又はフッ化不働態処理若しくは主としてアルミニウム
酸化物とクロム酸化物の混合酸化不働態処理されたメタ
ルガスケットである。 【００４０】而して、流通孔１５ｂ内の流体圧Ｂは孔１
５ｃを通してダイヤフラム３の接ガス面３ａへ加えら
れ、シリコンオイル５を介してセンサーチップ２へ伝え
られて行く。 【００４１】図６に示した金属ストレンゲージ１６を用
いた圧力検出器の組立に際しては、ダイヤフラムベース
４に設けたダイヤフラム３の接ガス面３ａに不働態膜３
ｂを形成したあと、ダイヤフラム３の内側外表面にスト
レンゲージ部１６ａを固着し、次に当該ダイヤフラムベ
ース４とセンサーベース１とを組み合せて両者をその側
壁面に於いて溶接８する。 【００４２】尚、ダイヤフラムベース４にダイヤフラム
３を溶接固定する場合でも同様であり、先ずダイヤフラ
ム３の接ガス面３ａに不働態膜３ｂを形成し、次にダイ
ヤフラム３の内側外表面にストレンゲージ部１６ａを固
着し、最後にダイヤフラムベース４とセンサーベース１
とを組み合せ固定する。 【００４３】 【発明の効果】請求項１及び請求項２の発明では、ダイ
ヤフラムベースに設けたダイヤフラムの接ガス面に酸化
クロム不働態膜又は弗化不働態膜若しくは主としてアル
ミニウム酸化物とクロム酸化物の混合酸化不働態膜を形
成したあと、ダイヤフラムベースとセンサーベースとを
組み合せ固定する構成としている。その結果、センサー
ベース側に固定したセンサーチップに高温による悪影響
を全く与えることなしに、ダイヤフラムの接ガス面によ
り良質の不働態膜を形成することが可能となり、半導体
製造プロセスに於ける製品品質の一層の向上が可能とな
る。 【００４４】また、請求項３及び請求項４の発明に於い
ては、ダイヤフラムを皿形に形成し、ダイヤフラムベー
スの側壁面に於いてダイヤフラムをダイヤフラムベース
へ溶接すると共に、ダイヤフラムの接ガス面に不働態膜
を形成したあと、ダイヤフラムベースとセンサーベース
とを組み合せ、ダイヤフラムベースの側壁面に於いて両
者を溶接する構成としている。その結果、ダイヤフラム
の製作が著しく容易になると共に、センサーチップに高
温による悪影響を与えることなしにダイヤフラムの接ガ
ス面に良質の不働態膜を形成することが可能となり、半
導体製造プロセスに於ける製品品質の一層の向上が可能
となる。 【００４５】更に、請求項８の発明に於いては、センサ
ーベースとダイヤフラム外周縁との間をろう材によりろ
う付けする構成としているため、オイルの間隙内への侵
入等による圧力検出値の変動が皆無となり、圧力検出器
の校正等の作業が大幅に減少することになる。本発明は
上述の通り優れた実用的効用を奏するものである。
（感圧素子）やストレンゲージを利用した圧力検出器の
改良に係り、主として半導体製造プロセスに於ける強腐
食性ガスライン等の圧力検出に利用されるものである。 【０００２】 【従来の技術】配管路内等の流体圧の検出には、従前か
らセンサーチップ（感圧素子）やストレンゲージを利用
した圧力検出器が広く利用されている。図７はこの種圧
力検出器Ａの一例を示すものであり、ステンレス鋼（Ｓ
ＵＳ３１６Ｌ）製のセンサーベース１、センサーチップ
（感圧素子若しくは半導体ストレンゲージ）２、ダイヤ
フラム（ＳＵＳ３１６Ｌ）３、シリコンオイル５、ボー
ル６及びリードピン７等より圧力検出器が構成されてい
る。 【０００３】即ち、図７の圧力検出器Ａに於いては、厚
さ約５０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）より成
るダイヤフラム３の外周縁部が、レーザー溶接によりセ
ンサーベース１の下端面へ溶接されており、このダイヤ
フラム３の接ガス面３ａに加わる流体圧Ｂがシリコンオ
イル５を介してセンサーチップ２へ加わることによりセ
ンサーチップ２に形成された４個の歪抵抗の値が変化
し、４個の歪抵抗からなるブリッジ回路の出力端に受圧
力に比例した信号が出力される。尚、図６に於いて１６
はダイヤフラムの溶接部、１０はボール４の溶接部であ
る。 【０００４】上記図７の圧力検出器は配管路内の流体圧
を比較的高感度で精度良く検出することができ、優れた
実用的効用を有するものである。しかし、当該圧力検出
器にも解決すべき多くの問題が残されており、その中で
も最も重要な問題は、ダイヤフラム３の接ガス面３ａの
腐食や触媒活性等の問題である。即ち、図７の圧力検出
器では、ダイヤフラム３がステンレス鋼（ＳＵＳ３１６
Ｌ）により形成されており、且つ電解研磨されたその接
ガス面３ａの外表層部には厚さ約３０ÅのＦｅとＣｒと
の混合酸化皮膜が形成されている。しかし、半導体製造
プロセスに於いて使用される塩化水素（ＨＣｌ）や臭化
水素（ＨＢｒ）等のハロゲン系ガスや、弗素ガス
（Ｆ2 ）や弗化水素（ＨＦ）等の弗素系ガスのような強
腐食性ガスの場合には、ガス自身に含まれる水分等によ
って著しく腐食が進行し、所謂金属コンタミネーション
が起生する原因となる。 【０００５】また、半導体製造プロセスの配管路に於い
ては、上記ダイヤフラムの接ガス面３ａの腐食性のみな
らず、接ガス面３ａからのアウトガスや触媒活性も重要
な問題となり、所謂アウトガスフリーで且つ非触媒性の
接ガス面３ａであることが要求される。 【０００６】しかし、前記ダイヤフラム３の接ガス面３
ａの外表層に形成されているＦｅとＣｒとの混合酸化皮
膜は、アウトガスの防止機能が不十分であって多量のア
ウトガスが生ずるうえ、その触媒作用によって半導体製
造用特殊ガスの自己分解が促進されることになり、製品
品質の低下を招く等の様々な不都合が起生する。 【０００７】そのため、前記ハロゲン系や弗素系の強腐
食性ガスを取り扱う配管路の圧力検出に図７の如き構成
の圧力検出器を使用する場合には、ダイヤフラム３の接
ガス面３ａに数１００Åの厚さを有するＦｅを含まない
Ｃｒのみから成る所謂酸化クロム不働態膜（Ｃｒ2 Ｏ3
・ハロゲン系ガスの場合）や弗化不働態膜（ＣｒＦ2、
ＣｒＦ3 、ＦｅＦ2 、ＦｅＦ3 等・弗素系ガスの場
合）、主としてアルミニウム酸化物とクロム酸化物の混
合酸化不働態膜（Ａｌ2 Ｏ3 ／Ｃｒ2 Ｏ3 ・オゾンガ
ス）を形成し、接ガス面３ａの保護を図る必要がある。
何故なら、上記酸化クロム不働態膜はハロゲン系強腐食
性ガスに対する耐食性やアウトガスの防止、非触媒性等
に優れているからであり、また、弗化不働態膜は弗素系
の強腐食性ガスやオゾンに対する耐食性が高いうえ、ア
ウトガスの防止や非触媒性にも優れており、さらに主と
してアルミニウム酸化物とクロム酸化物の混合酸化不働
態膜は非常に酸化力の強いオゾンガスに対する耐食性が
優れているからである。 【０００８】而して、上記１００％酸化クロムから成る
不働態膜を形成するためには、オーステナイト系ステン
レス鋼（例えばＳＵＳ３１６Ｌ）製のダイヤフラム３の
場合には、ダイヤフラム３をラッピング研磨法等によ
り研磨してその外表面を微結晶構造（所謂ベイルビ層）
とすると共に、強還元性雰囲気中の極微量の水分を含
む酸化種による熱処理（４００°〜５００℃、１〜１０
時間）を必要とする。同様に、弗化不働態膜を形成する
ためには、弗素ガス雰囲気に於ける２００〜２５０℃
・１〜１０時間の不働態膜形成処理と、３５０°〜４
００℃・１〜１０時間の不働態膜のアニール処理を夫々
必要とする。また、アルミニウム酸化物とクロム酸化物
の混合酸化不働態膜を形成するためには、アルミニウム
を約４％程度含むステンレス鋼を用いて、強還元性雰囲
気中の極微量の水分を含む酸化種による熱処理（４００
°〜６００℃、１〜１０時間）を必要とする。 【０００９】ところが、センサーチップ（感圧素子）は
その耐熱温度が約１５０℃位であるため、図７の如き従
前の圧力検出器では、これを望ましい高温度下で熱処理
をすることができない。また、従来の圧力検出器ではセ
ンサーベース１とダイヤフラム３が既に溶接されている
ため、ダイヤフラム３の接ガス面３ａを最大突起値が
０．７μｍ以下位いの表面粗さに均一に研磨することが
困難となり、ダイヤフラム３の接ガス面３ａの研磨度が
均一になり難い。更に、従来の圧力検出器では、ダイヤ
フラム３の接ガス面３ａに溶接部９が位置しているた
め、溶接部９の研磨が非溶接部の研磨と異なった状態と
なり、溶接部１６の均一な研磨仕上げが困難となる。 【００１０】その結果、従前の圧力検出器では、ダイヤ
フラム３の接ガス面３ａに１００％酸化クロムから成る
不働態膜や弗化不働態膜を形成することが困難となり、
半導体の集積度が上るにつれて、圧力検出器の接ガス面
３ａの腐食に起因する金属パーティクルやダイヤフラム
面からの水分放出、ダイヤフラム面の触媒作用による様
々な不都合が顕著になり、製品品質の向上を図ることが
困難となる。 【００１１】 【発明が解決しようとする課題】本発明は従前の圧力検
出器に於ける上述の如き問題、即ち圧力検出器のダイ
ヤフラムの接ガス面に不働態膜を形成することができな
いため、ダイヤフラムの接ガス面の腐食や接ガス面の触
媒作用、接ガス面からの水分放出を防止することができ
ないと云う問題を解決せんとするものであり、圧力検出
器のダイヤフラムを、接ガス面に酸化クロム不働態膜又
は弗化不働態膜若しくは主としてアルミニウム酸化物と
クロム酸化物の混合酸化不働態膜を備えたダイヤフラム
とすることにより、半導体製造プロセスに適用しても製
品品質の低下を招く虞れの全くない圧力検出器を提供せ
んとするものである。 【００１２】 【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は
厚さが５０〜２００μｍの平板状のダイヤフラム３を短
円筒体の底面に一体的に形成すると共に、前記ダイヤフ
ラム３の接ガス面３ａに不働態膜３ｂを形成して成るス
テンレス鋼製のダイヤフラムベース４と、センサーチッ
プ２を内部に収納固着したセンサーベース１とを対向状
に組み合せて両者をその側壁面に於いて溶接８し、更に
前記センサーベース１とダイヤフラムベース４との空隙
内へ圧力伝達用媒体５を密封する構成としたことを発明
の基本構成とするものである。 【００１３】 【００１４】 【００１５】 【００１６】 【００１７】 【００１８】本発明に係る圧力検出器では、ダイヤフラ
ムの接ガス面に予かじめ所望の不働態膜を形成すると共
に、接ガス面に不働態膜を形成したダイヤフラムを有す
るダイヤフラムベースと、内部にセンサーチップを収納
固定したセンサーベースとを組み合せ固定するようにし
ているため、両者を側壁面で溶接固定するような場合で
も、センサーチップやストレンゲージのストレンゲージ
部に加熱による悪影響を与えることなしにダイヤフラム
の接ガス面に所望の不働態膜を形成することができる。
その結果、接ガス面の腐食や接ガス面からの水分放出、
接ガス面の触媒作用が押えられ、半導体製造プロセスに
於ける製品品質の大幅な向上が可能となる。 【００１９】 【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の各
実施の形態を説明する。尚、図１乃至図６に於いて、前
記図７で示した部材と同じ部材にはこれと同じ参照番号
が付されている。図１は本発明の第１実施形態に係る圧
力検出器Ａの平面図であり、図２はその縦断面図であ
る。図に於いて１はセンサーベース、２はセンサーチッ
プ（感圧素子）、３はダイヤフラム、４はダイヤフラム
ベース、５は圧力伝達用媒体であるシリコンオイル、６
は封止体であるボール、７はリードピン、８はセンサー
ベースとダイヤフラムベースとの溶接部である。 【００２０】前記センサーベース１はステンレス鋼から
形成されており、下面中央にはチップ収納部１ａが形成
されており、更にオイル注入孔１ｂ及びリードピン貫挿
孔１ｃ等が穿孔されている。 【００２１】また、前記センサーチップ（感圧素子）に
は、公知の拡散形半導体圧力トランスジューサが使用さ
れており、圧力を受けると抵抗値が変化する半導体のピ
エゾ抵抗効果が利用されている。即ち、センサーチップ
２は、圧力を受けると変形をするダイヤフラム構造を有
しており、これにＩＣと同じ製法で４本の抵抗体が形成
されていて、ブリッジ状に接続された４本の抵抗の抵抗
値が加圧によって変化することにより、圧力に比例した
電圧信号がブリッジの出力端に出力されることになる。
尚、本実施形態ではセンサーチップ２として拡散形半導
体圧力トランスジューサを利用しているが、その他の構
造の圧力検出用センサーチップ２であってもよいことは
勿論である。 【００２２】前記ダイヤフラム３はダイヤフラムベース
４と一体的に形成されており、ステンレス鋼を用いて厚
さ約５０μｍ、内径約１０ｍｍφに形成されている。
尚、ダイヤフラム３の厚さは検出器の検出圧力範囲に応
じて適宜に変るものであり、数ｔｏｒｒから１１ｋｇｆ
／ｃｍ2 の絶対圧力値の測定を目的とする本実施形態の
圧力検出器では、φ＝１０ｍｍのダイヤフラム３の厚さ
を５０μｍ程度とするのが望ましい。 【００２３】また、当該ダイヤフラム３の接ガス面３ａ
には、公知の方法により所謂不働態膜の形成処理が施さ
れており、接ガス面３ａの外表層部には厚さ約２００Å
の略１００％酸化クロムから成る不働態膜３ｂ又は厚さ
約１０００〜３０００Åの弗化不働態膜３ｂ若しくは厚
さ約２００Åの主としてアルミニウム酸化物とクロム酸
化物の混合酸化不働態膜が形成されている。 【００２４】即ち、酸化クロム不働態膜３ｂを形成する
場合には、先ずダイヤフラム接ガス面３ａをラッピング
研磨し、その外表面を微結晶構造にすることにより内層
部からのＣｒの移動を容易にする。その後、Ｈ2Ｏ・約
１００ｐｐｍとＨ2 ・約３％とＡｒとの混合ガス内で、
ダイヤフラム接ガス面３ａを４００°〜５００℃の温度
下で数時間加熱処理する。これにより、厚さ約２００Å
のほぼ１００％酸化クロムから成る不働態膜３ｂが形成
されることになる。尚、ダイヤフラム３を形成するステ
ンレス鋼がＣｒ含有量の高いフエライト系ステンレス鋼
の場合には、前記研磨処理を省略する場合もある。フエ
ライト系ステンレス鋼の場合には、内層部からのクロム
の移動が比較的容易に行なわれるからである。 【００２５】また、弗化不働態膜３ｂをダイヤフラム接
ガス面３ａに形成する場合には、先ず希弗素ガス雰囲気
内で且つ２００°〜２５０℃の温度下で数時間加熱処理
をすることにより弗化不働態膜を形成する。次に、３５
０°〜４００℃の温度下で数時間前記弗化不働態膜をア
ニール処理することにより、弗化不働態膜を安定化させ
る。 【００２６】前記圧力伝達用媒体であるシリコンオイル
５はダイヤフラム３に加わった圧力Ｂをセンサーチップ
２へ伝達する。尚、ここでは温度膨張係数や圧縮係数が
小さく且つ化学的にも安定したシリコンオイルが使用さ
れているが、その他の圧力伝達媒体であってもよいこと
は勿論である。 【００２７】前記封止体であるボール６は、オイル注入
孔１ｂ内のシリコンオイル５を密封するためのものであ
り、ここでは軸受鋼のボール６が使用されている。 【００２８】図６は、センサーチップ（感圧素子若しく
は半導体ストレンゲージ）２に代えて所謂金属ストレン
ゲージ１６を使用した圧力検出器を示すものである。即
ち、厚さ約２００μｍのダイヤフラム３の内側外表面に
は、金属細線若しくは金属箔の抵抗線を絶縁物で覆って
フィルム状に形成したストレンゲージ部１６ａが固着さ
れており、また、センサーベース１の内方には抵抗変化
を検出するブリッジ回路部（変換器）１６ｂが取り付け
されている。 【００２９】尚、図６の圧力検出器では、ダイヤフラム
ベース４等の内部空間にはシリコンオイル等が充填され
ていない。また、図６の圧力検出器ではストレンゲージ
部１６ａと変換器１６ｂを別体とした金属ストレンゲー
ジ１６が使用されているが、両者を合体せしめた構成の
ストレンゲージ１６をダイヤフラム３の内側外表面へ固
着するようにしてもよい。 【００３０】次に、図１及び図２に記載の実施態様に係
る圧力検出器の組立について説明する。先ず、ダイヤフ
ラム３をダイヤフラムベース４と一体に形成し、その後
ダイヤフラム３の接ガス面３ａに酸化クロム不働態膜又
は弗化不働態膜若しくは主としてアルミニウム酸化物と
クロム酸化物の混合酸化不働態膜を形成する。同様に、
センサーベース１を形成し、そのチップ挿入孔１ａ内へ
センサーチップ２を挿入固着する。 【００３１】次に、接ガス面３ａに不働態膜３ｂを形成
したダイヤフラムベース４とセンサーベース１とを図２
のように対接せしめ、その側壁面の全周をＴＩＧ溶接法
により溶接８する。また、前記溶接８が完了すると、オ
イル注入孔１ｂ内へ圧力伝達媒体（シリコンオイル）５
を充填し、その後封止体（ボール）６をセンサーベース
１へ溶接１０することにより、オイル５を密封する。 【００３２】本実施態様の圧力検出器Ａに於いては、溶
接部８がダイヤフラム３の接ガス面３ａに無いため、接
ガス面３ａの研磨を極めて均一に行なうことができ、そ
の結果、クロム１００％の酸化不働態膜の形成が可能と
なる。また、ダイヤフラム３とダイヤフラムベース４と
を一体的に形成しているため、溶接部８が１ケ所のみと
なり、圧力検出器Ａの組立てが極めて容易なものにな
る。 【００３３】図３は、本発明の第２実施形態に係る圧力
検出器Ａの縦断面図であり、ダイヤフラム３とダイヤフ
ラムベース４とが別体となっている点が、第１実施態様
の場合と異なっている。即ち、ダイヤフラム３は厚さ約
５０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）によって皿
形に形成されており、圧力検出器の組立てに際しては、
先ずダイヤフラムベース４とダイヤフラム３とを図３の
ように組み合せ、その後ダイヤフラムベース４の側部に
於ける両者の接合面をレーザー溶接等によって溶接９す
る。その後、ダイヤフラムベース４へ溶接したダイヤフ
ラム３の接ガス面３ａに不働態膜３ｂを形成する。尚、
その後の組立順序は、第１実施態様の場合と同様であ
る。 【００３４】また、第２実施形態ではダイヤフラムベー
ス４へダイヤフラム３を溶接した後に、その接ガス面３
ａへ不働態膜３ｂを形成するようにしているが、先にダ
イヤフラム３の接ガス面３ａへ不働態膜３ｂを形成し、
その後にこれをダイヤフラムベース４へ溶接９するよう
にしてもよい。 【００３５】第２実施形態に於いては、ダイヤフラム３
を別体として形成する構成としているため、溶接部が２
ケ所になると云う不利はあるものの、ダイヤフラムの形
成が比較的容易なものになる。 【００３６】図４は本発明の第３実施形態に係る圧力検
出器の縦断面図であり、ダイヤフラム３の外周縁部とダ
イヤフラムベース４との対接面にろう材１１を介在せし
め、両者をろう付けにより固着するようにした点のみが
前記第２実施形態の場合と異なっており、その他の構成
は第２実施形態の場合と同じである。 【００３７】即ち、前記図３の第２実施形態の場合に
は、ダイヤフラムベース４とダイヤフラム３の間隙内へ
シリコンオイル５が侵入する場合がある。その結果、オ
イル５の侵入量の変化によって、圧力検出器の初期校正
値が狂うことになり、様々な不都合が起生する。そのた
め、第３実施形態に於いては、ダイヤフラム３とダイヤ
フラムベース４を組み合せる際に、両者の間にろう材１
１を予かじめ介存せしめておき、ろう材１１を加熱して
これを溶融せしめ、ダイヤフラム３の外周縁部をベース
４へろう付けする。 【００３８】当該第３実施形態に於いては、ダイヤフラ
ム３の外周縁部がダイヤフラムベース４へろう付けされ
ているため、両者の間隙内へオイル５が侵入せず、従っ
てセンサーチップ２への加圧力に変動（狂い）を生ずる
ことが皆無となる。 【００３９】図５は、本発明に係る圧力検出器をガスラ
インへ組み付けて流体圧の検出を行なっている状態を示
すものであり、圧力検出器Ａは、固定具１４をボデイー
１５へ締込むことにより、押え部材１２及びベアリング
１３を介してボデイー１５の取付孔１５ａ内へ気密状に
固着されている。尚、１７は接ガス面をクロム不働態処
理又はフッ化不働態処理若しくは主としてアルミニウム
酸化物とクロム酸化物の混合酸化不働態処理されたメタ
ルガスケットである。 【００４０】而して、流通孔１５ｂ内の流体圧Ｂは孔１
５ｃを通してダイヤフラム３の接ガス面３ａへ加えら
れ、シリコンオイル５を介してセンサーチップ２へ伝え
られて行く。 【００４１】図６に示した金属ストレンゲージ１６を用
いた圧力検出器の組立に際しては、ダイヤフラムベース
４に設けたダイヤフラム３の接ガス面３ａに不働態膜３
ｂを形成したあと、ダイヤフラム３の内側外表面にスト
レンゲージ部１６ａを固着し、次に当該ダイヤフラムベ
ース４とセンサーベース１とを組み合せて両者をその側
壁面に於いて溶接８する。 【００４２】尚、ダイヤフラムベース４にダイヤフラム
３を溶接固定する場合でも同様であり、先ずダイヤフラ
ム３の接ガス面３ａに不働態膜３ｂを形成し、次にダイ
ヤフラム３の内側外表面にストレンゲージ部１６ａを固
着し、最後にダイヤフラムベース４とセンサーベース１
とを組み合せ固定する。 【００４３】 【発明の効果】請求項１及び請求項２の発明では、ダイ
ヤフラムベースに設けたダイヤフラムの接ガス面に酸化
クロム不働態膜又は弗化不働態膜若しくは主としてアル
ミニウム酸化物とクロム酸化物の混合酸化不働態膜を形
成したあと、ダイヤフラムベースとセンサーベースとを
組み合せ固定する構成としている。その結果、センサー
ベース側に固定したセンサーチップに高温による悪影響
を全く与えることなしに、ダイヤフラムの接ガス面によ
り良質の不働態膜を形成することが可能となり、半導体
製造プロセスに於ける製品品質の一層の向上が可能とな
る。 【００４４】また、請求項３及び請求項４の発明に於い
ては、ダイヤフラムを皿形に形成し、ダイヤフラムベー
スの側壁面に於いてダイヤフラムをダイヤフラムベース
へ溶接すると共に、ダイヤフラムの接ガス面に不働態膜
を形成したあと、ダイヤフラムベースとセンサーベース
とを組み合せ、ダイヤフラムベースの側壁面に於いて両
者を溶接する構成としている。その結果、ダイヤフラム
の製作が著しく容易になると共に、センサーチップに高
温による悪影響を与えることなしにダイヤフラムの接ガ
ス面に良質の不働態膜を形成することが可能となり、半
導体製造プロセスに於ける製品品質の一層の向上が可能
となる。 【００４５】更に、請求項８の発明に於いては、センサ
ーベースとダイヤフラム外周縁との間をろう材によりろ
う付けする構成としているため、オイルの間隙内への侵
入等による圧力検出値の変動が皆無となり、圧力検出器
の校正等の作業が大幅に減少することになる。本発明は
上述の通り優れた実用的効用を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る圧力検出器の平面図であ
る。 【図２】図１のＡ−Ａ視断面図である。 【図３】第２実施形態に係る圧力検出器の縦断面図であ
る。 【図４】第３実施形態に係る圧力検出器の縦断面図であ
る。 【図５】本発明に係る圧力検出器のガスラインへの取付
状態を示す説明図である。 【図６】本発明の第４実施形態に係る圧力検出器の縦断
面概要図である。 【図７】従前のセンサーチップを利用した圧力検出器の
縦断面図である。 【符号の説明】 Ａは圧力検出器、Ｂは流体圧、１はセンサーベース、１
ａはチップ収納孔、１ｂはオイル注入孔、１ｃはリード
ピン貫挿孔、２はセンサーチップ（感圧素子）、３はダ
イヤフラム、３ａは接ガス面、３ｂは不働態膜、４はダ
イヤフラムベース、５は圧力伝達用媒体（シリコンオイ
ル）、６は封止体（ボール）、７はリードピン、８はセ
ンサーベースとダイヤフラムベースとの溶接部、９は溶
接部、１０は溶接部、１１はろう材、１２は押え部材、
１３はベアリング、１４は固定具、１５はボデイー、１
５ａは取付孔、１５ｂは流通孔、１５ｃは孔、１６は金
属ストレンゲージ、１６ａはストレンゲージ部、１６ｂ
はブリッジ回路部（変換器）、１７はメタルガスケッ
ト。
る。 【図２】図１のＡ−Ａ視断面図である。 【図３】第２実施形態に係る圧力検出器の縦断面図であ
る。 【図４】第３実施形態に係る圧力検出器の縦断面図であ
る。 【図５】本発明に係る圧力検出器のガスラインへの取付
状態を示す説明図である。 【図６】本発明の第４実施形態に係る圧力検出器の縦断
面概要図である。 【図７】従前のセンサーチップを利用した圧力検出器の
縦断面図である。 【符号の説明】 Ａは圧力検出器、Ｂは流体圧、１はセンサーベース、１
ａはチップ収納孔、１ｂはオイル注入孔、１ｃはリード
ピン貫挿孔、２はセンサーチップ（感圧素子）、３はダ
イヤフラム、３ａは接ガス面、３ｂは不働態膜、４はダ
イヤフラムベース、５は圧力伝達用媒体（シリコンオイ
ル）、６は封止体（ボール）、７はリードピン、８はセ
ンサーベースとダイヤフラムベースとの溶接部、９は溶
接部、１０は溶接部、１１はろう材、１２は押え部材、
１３はベアリング、１４は固定具、１５はボデイー、１
５ａは取付孔、１５ｂは流通孔、１５ｃは孔、１６は金
属ストレンゲージ、１６ａはストレンゲージ部、１６ｂ
はブリッジ回路部（変換器）、１７はメタルガスケッ
ト。
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フロントページの続き
(72)発明者 西野 功二
大阪府大阪市西区立売堀２丁目３番２号
株式会社フジキン内
(72)発明者 池田 信一
大阪府大阪市西区立売堀２丁目３番２号
株式会社フジキン内
(56)参考文献 特開 平７−72029（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−260613（ＪＰ，Ａ)
実開 昭59−3338（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭50−74380（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01L 9/00 303
G01L 19/00
G01L 19/06
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 厚さが５０〜２００μｍの平板状のダイ
ヤフラム（３）を短円筒体の底面に一体的に形成すると
共に、前記ダイヤフラム（３）の接ガス面（３ａ）に不
働態膜（３ｂ）を形成して成るステンレス鋼製のダイヤ
フラムベース（４）と、センサーチップ（２）を内部に
収納固着したステンレス鋼製のセンサーベース（１）と
を対向状に組み合せて両者をその側壁面に於いて溶接
（８）し、更に前記センサーベース（１）とダイヤフラ
ムベース（４）との空隙内へ圧力伝達用媒体（５）を密
封する構成としたことを特徴とする圧力検出器。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23870696A JP3403294B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 圧力検出器 |
| TW086111615A TW342445B (en) | 1996-09-10 | 1997-08-13 | Pressure detector |
| SG1997003056A SG53053A1 (en) | 1996-09-10 | 1997-08-27 | Pressure detector |
| US08/919,110 US6116092A (en) | 1996-09-10 | 1997-08-28 | Fluid pressure detector using a diaphragm |
| IL13748797A IL137487A (en) | 1996-09-10 | 1997-08-31 | Pressure detector |
| IL12166497A IL121664A (en) | 1996-09-10 | 1997-08-31 | Pressure detector |
| DE69707798T DE69707798T2 (de) | 1996-09-10 | 1997-09-05 | Drucksensor |
| EP97306904A EP0828147B1 (en) | 1996-09-10 | 1997-09-05 | Pressure detector |
| KR1019970046192A KR100258678B1 (ko) | 1996-09-10 | 1997-09-08 | 압력검출기 |
| CA002215083A CA2215083C (en) | 1996-09-10 | 1997-09-09 | Pressure detector |
| IL13748700A IL137487A0 (en) | 1996-09-10 | 2000-07-25 | Pressure detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23870696A JP3403294B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 圧力検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=17034078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23870696A Expired - Lifetime JP3403294B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 圧力検出器 |
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|---|---|
| US (1) | US6116092A (ja) |
| EP (1) | EP0828147B1 (ja) |
| JP (1) | JP3403294B2 (ja) |
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| CA (1) | CA2215083C (ja) |
| DE (1) | DE69707798T2 (ja) |
| IL (1) | IL121664A (ja) |
| SG (1) | SG53053A1 (ja) |
| TW (1) | TW342445B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2016109692A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | センサータ テクノロジーズ インコーポレーテッド | ケースが絶縁され、オイルが充填されたｍｅｍｓ圧力センサ |
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|---|---|---|---|---|
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