JP3486706B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP3486706B2 JP3486706B2 JP24053395A JP24053395A JP3486706B2 JP 3486706 B2 JP3486706 B2 JP 3486706B2 JP 24053395 A JP24053395 A JP 24053395A JP 24053395 A JP24053395 A JP 24053395A JP 3486706 B2 JP3486706 B2 JP 3486706B2
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームを照射す
ることにより記録層材料に可逆的な変化を生じさせ、情
報の記録、再生を行い、かつ書き換えが可能である光記
録媒体に関するものであり、光記憶関連機器に応用され
る。
ることにより記録層材料に可逆的な変化を生じさせ、情
報の記録、再生を行い、かつ書き換えが可能である光記
録媒体に関するものであり、光記憶関連機器に応用され
る。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生および消去可能な光記録媒体の一つ
として、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の
転移を利用する、いわゆる相変化形光記録媒体がよく知
られている。特に、光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。
る情報の記録、再生および消去可能な光記録媒体の一つ
として、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の
転移を利用する、いわゆる相変化形光記録媒体がよく知
られている。特に、光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。
【０００３】その代表的な例としてＵＳＰ３５３０４４
１に開示されているように、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、
ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳ
ｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓなどのいわゆるカル
コゲン系合金材料が挙げられる。また、安定性、高速結
晶化等の向上を目的に、ＧｅＴｅ系にＡｕ（特開昭６１
−２１９６９２号）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２
７０１９０号）、Ｐｂ（特開昭６２−１９４９０号）な
どを添加した材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能
の向上を目的に、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂの組
成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号、特開
昭６３−２２８４３３号）の提案などもなされている。
１に開示されているように、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、
ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳ
ｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓなどのいわゆるカル
コゲン系合金材料が挙げられる。また、安定性、高速結
晶化等の向上を目的に、ＧｅＴｅ系にＡｕ（特開昭６１
−２１９６９２号）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２
７０１９０号）、Ｐｂ（特開昭６２−１９４９０号）な
どを添加した材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能
の向上を目的に、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂの組
成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号、特開
昭６３−２２８４３３号）の提案などもなされている。
【０００４】しかしながら、そのいずれもが書換え型相
変化形光記録媒体として要求される諸特性のすべてを満
足し得るものとはいえない。特に、記録感度、消去感度
の向上、オーバーライト時の消し残りによる消去比低下
の防止が解決すべき最重要課題となっている。
変化形光記録媒体として要求される諸特性のすべてを満
足し得るものとはいえない。特に、記録感度、消去感度
の向上、オーバーライト時の消し残りによる消去比低下
の防止が解決すべき最重要課題となっている。
【０００５】これらの課題を解決するために、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ系の混相記録材料が開発された（特開平２−３
７４６６号、特開平２−１７１３２５号、特開平２−４
１５５８１号、特開平４−１４１４８５号）。これらの
混相記録材料は、ピークパワー１２ｍＷ以下の記録感
度、消去感度を有する。特に、消去比が大きく、マーク
エッジ記録用の記録層として優れている。そのときの好
適な記録層組成は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅの組成比を
α、β、γ、δとすると、 ０＜α≦３０、 ０＜β≦３０、 １０＜γ≦８０、 １０＜δ≦５０、及び α＋β＋γ＋δ＝１００ であると、特開平６−３３２５３２に記載されている。
しかし、その広範囲な記録層組全域で、保存信頼性や繰
り返し信頼性を満足するというわけではなかった。
ＳｂＴｅ系の混相記録材料が開発された（特開平２−３
７４６６号、特開平２−１７１３２５号、特開平２−４
１５５８１号、特開平４−１４１４８５号）。これらの
混相記録材料は、ピークパワー１２ｍＷ以下の記録感
度、消去感度を有する。特に、消去比が大きく、マーク
エッジ記録用の記録層として優れている。そのときの好
適な記録層組成は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅの組成比を
α、β、γ、δとすると、 ０＜α≦３０、 ０＜β≦３０、 １０＜γ≦８０、 １０＜δ≦５０、及び α＋β＋γ＋δ＝１００ であると、特開平６−３３２５３２に記載されている。
しかし、その広範囲な記録層組全域で、保存信頼性や繰
り返し信頼性を満足するというわけではなかった。
【０００６】その後、さらなる検討によって、保存信頼
性や繰り返し信頼性を満足する記録層の組成領域とし
て、 ０＜α≦５、 ０＜β≦２０、 ３０＜γ≦６０、 １５＜δ≦３０、 α＋β＋γ＋δ＝１００、及び α−δ／２≦−８ が提案された（特願平７−９１５３６号）。
性や繰り返し信頼性を満足する記録層の組成領域とし
て、 ０＜α≦５、 ０＜β≦２０、 ３０＜γ≦６０、 １５＜δ≦３０、 α＋β＋γ＋δ＝１００、及び α−δ／２≦−８ が提案された（特願平７−９１５３６号）。
【０００７】しかし、これら光記録媒体の面内不均一、
特に、グループ反射率の不均一は、 １）既存ドライブまたはその微調整ドライブで記録再生
できない、 ２）専用ドライブのトラッキング安定性が十分とれな
い、 ３）光記録媒体のグループ反射率の面内不均一を補正す
る制御回路系をドライブに設けなければならないため、
コストアップとなる、 ４）光記録媒体の信号特性の記録パワーマージンが十分
でない、等といった問題を生じ、さらなる面内均一性の
改善が必要とされている。
特に、グループ反射率の不均一は、 １）既存ドライブまたはその微調整ドライブで記録再生
できない、 ２）専用ドライブのトラッキング安定性が十分とれな
い、 ３）光記録媒体のグループ反射率の面内不均一を補正す
る制御回路系をドライブに設けなければならないため、
コストアップとなる、 ４）光記録媒体の信号特性の記録パワーマージンが十分
でない、等といった問題を生じ、さらなる面内均一性の
改善が必要とされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術に比較して、Ｃ／Ｎ、消去比、感度、ジッタ
ー、保存信頼性、繰り返し信頼性、面内均一性に優れ、
そのドライブのコストダウンが図られる光記録媒体を提
供するものである。
従来技術に比較して、Ｃ／Ｎ、消去比、感度、ジッタ
ー、保存信頼性、繰り返し信頼性、面内均一性に優れ、
そのドライブのコストダウンが図られる光記録媒体を提
供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、特に、面内の均一性を確保した光記録媒
体を提供するものである。すなわち、本発明によれば、 （１）基板／第一保護層／相変化型記録層／第二保護層
／反射放熱層を主要層構成とする光記録媒体において、
基板面内のオントラック比分布が±５％以下、かつ第一
保護層／相変化型記録層／第二保護層／反射放熱層の面
内反射率分布が±４％以下と分布配分したことを特徴と
する光記録媒体、 （２）信号の記録あるいは再生可能な領域が基板端面か
ら２ｍｍ以内に存在することを特徴とする前記（１）に
記載の光記録媒体、 （３）信号がＥＦＭ変調したものであることを特徴とす
る前記（１）および（２）に記載の光記録媒体、 （４）基板のオントラック比分布の中心値が０．８以上
であることを特徴とする前記（１）および（２）に記載
の光記録媒体、 （５）基板外径近傍のオントラック比がそれ以外の部分
に比べて小さいことを特徴とする前記（１）および
（２）に記載の光記録媒体、 （６）内周から外周に向けて基板のグルーブ溝幅が減少
することを特徴とする前記（１）および（２）に記載の
光記録媒体、 （７）第一保護層の膜厚分布が±３％以下であることを
特徴とする前記（１）および（２）に記載の光記録媒
体、 （８）第一保護層の膜厚分布の中心値が１９０ｎｍ以下
であることを特徴とする前記（１）および（２）に記載
の光記録媒体、 （９）基板／第一保護層／相変化型記録層／第二保護層
／反射放熱層を主要層構成とする光記録媒体において、
第一保護層／相変化型記録層／第二保護層／反射放熱層
の面内反射率変動を相殺すべく基板のオントラック比を
面内変動させることで、そのグルーブ反射率の面内分布
が±６％以下としたことを特徴とする光記録媒体、 （１０）基板／第一保護層／相変化型記録層／第二保護
層／反射放熱層を主要層構成とする光記録媒体におい
て、相変化型記録層の主成分がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ
であり、かつそれらの元素の面内組成分布が±５％以下
であることを特徴とする光記録媒体、（１１）基板／第
一保護層／相変化型記録層／第二保護層／反射放熱層を
主要層構成とする光記録媒体において、相変化型記録層
の主成分がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、ＴｅとＯおよび／または
Ｎであり、かつそれらの元素の面内組成分布が±５％以
下であることを特徴とする光記録媒体、 （１２）Ｓｂの面内組成分布が±３％以下であることを
特徴する前記（１０）および（１１）に記載の光記録媒
体、 （１３）相変化型記録層の面内膜厚分布が±３％以下で
あることを特徴とする前記（１０）、（１１）及び（１
２）に記載の光記録媒体、 が提供される。
成するために、特に、面内の均一性を確保した光記録媒
体を提供するものである。すなわち、本発明によれば、 （１）基板／第一保護層／相変化型記録層／第二保護層
／反射放熱層を主要層構成とする光記録媒体において、
基板面内のオントラック比分布が±５％以下、かつ第一
保護層／相変化型記録層／第二保護層／反射放熱層の面
内反射率分布が±４％以下と分布配分したことを特徴と
する光記録媒体、 （２）信号の記録あるいは再生可能な領域が基板端面か
ら２ｍｍ以内に存在することを特徴とする前記（１）に
記載の光記録媒体、 （３）信号がＥＦＭ変調したものであることを特徴とす
る前記（１）および（２）に記載の光記録媒体、 （４）基板のオントラック比分布の中心値が０．８以上
であることを特徴とする前記（１）および（２）に記載
の光記録媒体、 （５）基板外径近傍のオントラック比がそれ以外の部分
に比べて小さいことを特徴とする前記（１）および
（２）に記載の光記録媒体、 （６）内周から外周に向けて基板のグルーブ溝幅が減少
することを特徴とする前記（１）および（２）に記載の
光記録媒体、 （７）第一保護層の膜厚分布が±３％以下であることを
特徴とする前記（１）および（２）に記載の光記録媒
体、 （８）第一保護層の膜厚分布の中心値が１９０ｎｍ以下
であることを特徴とする前記（１）および（２）に記載
の光記録媒体、 （９）基板／第一保護層／相変化型記録層／第二保護層
／反射放熱層を主要層構成とする光記録媒体において、
第一保護層／相変化型記録層／第二保護層／反射放熱層
の面内反射率変動を相殺すべく基板のオントラック比を
面内変動させることで、そのグルーブ反射率の面内分布
が±６％以下としたことを特徴とする光記録媒体、 （１０）基板／第一保護層／相変化型記録層／第二保護
層／反射放熱層を主要層構成とする光記録媒体におい
て、相変化型記録層の主成分がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ
であり、かつそれらの元素の面内組成分布が±５％以下
であることを特徴とする光記録媒体、（１１）基板／第
一保護層／相変化型記録層／第二保護層／反射放熱層を
主要層構成とする光記録媒体において、相変化型記録層
の主成分がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、ＴｅとＯおよび／または
Ｎであり、かつそれらの元素の面内組成分布が±５％以
下であることを特徴とする光記録媒体、 （１２）Ｓｂの面内組成分布が±３％以下であることを
特徴する前記（１０）および（１１）に記載の光記録媒
体、 （１３）相変化型記録層の面内膜厚分布が±３％以下で
あることを特徴とする前記（１０）、（１１）及び（１
２）に記載の光記録媒体、 が提供される。
【００１０】以下に、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明者らは上記目的、特に、より安価なドライブを作
製するために要求される光記録媒体の面内均一性とは、
いかなるものかを判断するために、現在市販されている
光記録媒体のグルーブもしくはランドの反射率分布につ
いて調査した。その結果、光磁気ディスク等の低反射率
光ディスクで±１０％程度、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ等
の高反射率光ディスクでは、±５％程度であった。ま
た、均一性の確保が困難な記録再生最外周と基板端面と
の間のマージン領域は、光磁気ディスク等で２ｍｍ、Ｃ
Ｄ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ等で１ｍｍであった。以上のよう
に、現在市販されている光記録媒体のなかで、均一性と
いう観点では、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒが最も厳しいと
判断された。また、それらのドライブは比較的普及され
ており、その部品も汎用品で安価に使うことができる。
以上のことから、本発明の光記録媒体のグルーブ反射率
の面内分布は、ＣＤあるいはＣＤ−Ｒの面内分布を目標
値とした。つまり、本願発明は、ＣＤ−ＲＯＭやＣＤ−
Ｒと同等の均一性を有する書換え型光記録媒体を提供す
るものである。
本発明者らは上記目的、特に、より安価なドライブを作
製するために要求される光記録媒体の面内均一性とは、
いかなるものかを判断するために、現在市販されている
光記録媒体のグルーブもしくはランドの反射率分布につ
いて調査した。その結果、光磁気ディスク等の低反射率
光ディスクで±１０％程度、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ等
の高反射率光ディスクでは、±５％程度であった。ま
た、均一性の確保が困難な記録再生最外周と基板端面と
の間のマージン領域は、光磁気ディスク等で２ｍｍ、Ｃ
Ｄ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ等で１ｍｍであった。以上のよう
に、現在市販されている光記録媒体のなかで、均一性と
いう観点では、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒが最も厳しいと
判断された。また、それらのドライブは比較的普及され
ており、その部品も汎用品で安価に使うことができる。
以上のことから、本発明の光記録媒体のグルーブ反射率
の面内分布は、ＣＤあるいはＣＤ−Ｒの面内分布を目標
値とした。つまり、本願発明は、ＣＤ−ＲＯＭやＣＤ−
Ｒと同等の均一性を有する書換え型光記録媒体を提供す
るものである。
【００１１】ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒのなかで、本発明
の書換え型光記録媒体により近く、そのドライブも共通
技術が多いＣＤ−Ｒの面内反射率分布について、各社の
市販品を評価した結果を表１に示す。メーカーによっ
て、ＣＤ−Ｒの面内グルーブ反射率分布に違いがあるも
のの、ＣＤ−Ｒ同等のグルーブ反射率分布とは、少なく
とも±６％以下と判断される。逆に、グルーブ反射率分
布±６％以下の光記録媒体であれば、ＣＤ−Ｒドライブ
と共通の部品で本発明の光記録媒体のドライブの作製が
可能となり、低価格化が図れることになる。
の書換え型光記録媒体により近く、そのドライブも共通
技術が多いＣＤ−Ｒの面内反射率分布について、各社の
市販品を評価した結果を表１に示す。メーカーによっ
て、ＣＤ−Ｒの面内グルーブ反射率分布に違いがあるも
のの、ＣＤ−Ｒ同等のグルーブ反射率分布とは、少なく
とも±６％以下と判断される。逆に、グルーブ反射率分
布±６％以下の光記録媒体であれば、ＣＤ−Ｒドライブ
と共通の部品で本発明の光記録媒体のドライブの作製が
可能となり、低価格化が図れることになる。
【００１２】
【表１】
【００１３】次に、面内グルーブ反射率分布（σ）の原
因について検討した。その結果、 （ｉ）基板のオントラック比の面内分布（σ0） （ii）第一保護層／相変化型記録層／第二保護層／反射
放熱層の反射率の面内分布（σｒ） が面内グルーブ反射率分布（σ）の主な原因であること
がわかり、式１のように表されることがわかった。ま
た、基板のオントラック比分布は、基板の半径方向のオ
ントラック比分布（σ0ｒ）と基板の周方向のオントラ
ック比分布（σ0ｓ）の和で表されることがわかった
（式２）。したがって、面内グルーブ反射率分布（σ）
は、式３で表される。 σ2＝（σ0）2＋（σｒ）2 …式１ σ0＝σ0ｒ＋σ0ｓ …式２ σ2＝（σ0ｒ＋σ0ｓ）2＋（σｒ）2 …式３
因について検討した。その結果、 （ｉ）基板のオントラック比の面内分布（σ0） （ii）第一保護層／相変化型記録層／第二保護層／反射
放熱層の反射率の面内分布（σｒ） が面内グルーブ反射率分布（σ）の主な原因であること
がわかり、式１のように表されることがわかった。ま
た、基板のオントラック比分布は、基板の半径方向のオ
ントラック比分布（σ0ｒ）と基板の周方向のオントラ
ック比分布（σ0ｓ）の和で表されることがわかった
（式２）。したがって、面内グルーブ反射率分布（σ）
は、式３で表される。 σ2＝（σ0）2＋（σｒ）2 …式１ σ0＝σ0ｒ＋σ0ｓ …式２ σ2＝（σ0ｒ＋σ0ｓ）2＋（σｒ）2 …式３
【００１４】さて、光ディスク基板のオントラック比と
は、グルーブ反射率／ミラー部反射率で表される。ま
た、グルーブ反射率は、グルーブの溝の深さと幅等で決
まる。したがって、オントラック比は、主にグルーブの
溝の深さと幅等で決まることになる。また、グルーブ溝
の深さは、下記基板作製工程１）のレジストの厚さで主
に決まる。レジストの作製方法がスピンコートの場合、
内周部分が外周部分に比べてレジスト厚が大きくなる傾
向にある。その結果として、基板のオントラック比が、
内周から外周に向って増大するような分布を持つ。グル
ーブの溝幅は、Ａｒレーザーの露光強度で主に決まる。
したがって、レジスト厚の分布およびＡｒガスレーザー
のパワー変動によって、グルーブ溝の深さおよび幅は分
布を生じることになる。逆に、内周から外周に向けて生
じるレジスト厚の減少（オントラック比の増大）は、Ａ
ｒレーザーのパワーの減少（溝幅の減少）によって、補
正することも可能である。
は、グルーブ反射率／ミラー部反射率で表される。ま
た、グルーブ反射率は、グルーブの溝の深さと幅等で決
まる。したがって、オントラック比は、主にグルーブの
溝の深さと幅等で決まることになる。また、グルーブ溝
の深さは、下記基板作製工程１）のレジストの厚さで主
に決まる。レジストの作製方法がスピンコートの場合、
内周部分が外周部分に比べてレジスト厚が大きくなる傾
向にある。その結果として、基板のオントラック比が、
内周から外周に向って増大するような分布を持つ。グル
ーブの溝幅は、Ａｒレーザーの露光強度で主に決まる。
したがって、レジスト厚の分布およびＡｒガスレーザー
のパワー変動によって、グルーブ溝の深さおよび幅は分
布を生じることになる。逆に、内周から外周に向けて生
じるレジスト厚の減少（オントラック比の増大）は、Ａ
ｒレーザーのパワーの減少（溝幅の減少）によって、補
正することも可能である。
【００１５】１）研磨ガラス板へのレジストの塗布（ス
ピンコート）、 ２）レジストのプリベイク、 ３）レジストのＡｒレーザーによる露光、 ４）レジストの現像、 ５）レジストのポストベイク、 ６）レジスト上のＮｉのスパッタ、 ７）スパッタＮｉ表面への電鋳、 ８）レジストの除去（メタルマスクの完成）、 ９）マザーの作製、 １０）スタンパの作製、 １１）基板の射出成形。
ピンコート）、 ２）レジストのプリベイク、 ３）レジストのＡｒレーザーによる露光、 ４）レジストの現像、 ５）レジストのポストベイク、 ６）レジスト上のＮｉのスパッタ、 ７）スパッタＮｉ表面への電鋳、 ８）レジストの除去（メタルマスクの完成）、 ９）マザーの作製、 １０）スタンパの作製、 １１）基板の射出成形。
【００１６】次に、オントラック比分布の小さくなるグ
ルーブ溝深さおよび溝幅の設計を行うために、種々オン
トラック比を有する基板のオントラック比分布を評価し
た。図１に、オントラック比の全面分布（○）、半径方
向分布（△）、周方向分布（□）のオントラック比依存
性を示す。図１から、オントラック比の全面分布は、オ
ントラック比（分布の中心値）の増大とともに、減少す
ることがわかる。そのとき、半径方向のオントラック比
分布は、０．８以下では±４％の分布を持つが、０．８
以上では急激に分布が小さくなることがわかる。周方向
のオントラック比分布は、オントラック比の増大ととも
に減少するが、オントラック比０．７以上では±３％程
度で一定となることがわかる。
ルーブ溝深さおよび溝幅の設計を行うために、種々オン
トラック比を有する基板のオントラック比分布を評価し
た。図１に、オントラック比の全面分布（○）、半径方
向分布（△）、周方向分布（□）のオントラック比依存
性を示す。図１から、オントラック比の全面分布は、オ
ントラック比（分布の中心値）の増大とともに、減少す
ることがわかる。そのとき、半径方向のオントラック比
分布は、０．８以下では±４％の分布を持つが、０．８
以上では急激に分布が小さくなることがわかる。周方向
のオントラック比分布は、オントラック比の増大ととも
に減少するが、オントラック比０．７以上では±３％程
度で一定となることがわかる。
【００１７】このように、オントラック比分布は、オン
トラック比の増大によって減少し、特に、オントラック
比０．８以上が分布低減に効果的であることがわかっ
た。しかし、オントラック比０．９以上となると、上記
基板作製プロセスの１）でレジストの厚さを３５ｎｍ以
下の薄い膜としなければならない。３５ｎｍ以下のレジ
スト膜を欠陥なしに、再現性よく作製することは困難で
ある。また、オントラック比が０．９をこえると、溝の
存在を認識しにくいためトラッキング不良を生じやすく
なる。したがって、オントラック比の上限を０．９とす
ると、そのときのオントラック比分布が下限であり、そ
の値は±４％と判断される。一方、上記式１から、基板
のオントラック比分布±６％以上では、第一保護層／相
変化型記録層／第二保護層／反射放熱層の反射率の面内
分布を±２％以下としなければならず、それはほとんど
不可能である。したがって、基板のオントラック比分布
は、±５％以下が好ましいと判断される。オントラック
比を±５％以下とした場合、式１を満たすために、第一
保護層／相変化型記録層／第二保護層／反射放熱層の反
射率の面内分布は、±４％以下が要求される。
トラック比の増大によって減少し、特に、オントラック
比０．８以上が分布低減に効果的であることがわかっ
た。しかし、オントラック比０．９以上となると、上記
基板作製プロセスの１）でレジストの厚さを３５ｎｍ以
下の薄い膜としなければならない。３５ｎｍ以下のレジ
スト膜を欠陥なしに、再現性よく作製することは困難で
ある。また、オントラック比が０．９をこえると、溝の
存在を認識しにくいためトラッキング不良を生じやすく
なる。したがって、オントラック比の上限を０．９とす
ると、そのときのオントラック比分布が下限であり、そ
の値は±４％と判断される。一方、上記式１から、基板
のオントラック比分布±６％以上では、第一保護層／相
変化型記録層／第二保護層／反射放熱層の反射率の面内
分布を±２％以下としなければならず、それはほとんど
不可能である。したがって、基板のオントラック比分布
は、±５％以下が好ましいと判断される。オントラック
比を±５％以下とした場合、式１を満たすために、第一
保護層／相変化型記録層／第二保護層／反射放熱層の反
射率の面内分布は、±４％以下が要求される。
【００１８】第一保護層／相変化型記録層／第二保護層
／反射放熱層の反射率の面内分布は、各層の屈折率、消
衰係数、膜厚の分布に起因する。一般に、自公転式の製
膜装置では、周方向の分布は、半径方向の分布に比べ
て、無視できるレベルにある。したがって、面内反射率
分布において、問題となる分布は、半径方向の分布であ
る。ところで、第一保護層／相変化型記録層／第二保護
層／反射放熱層の各層は、一般的にはスパッタ装置で連
続製膜される。
／反射放熱層の反射率の面内分布は、各層の屈折率、消
衰係数、膜厚の分布に起因する。一般に、自公転式の製
膜装置では、周方向の分布は、半径方向の分布に比べ
て、無視できるレベルにある。したがって、面内反射率
分布において、問題となる分布は、半径方向の分布であ
る。ところで、第一保護層／相変化型記録層／第二保護
層／反射放熱層の各層は、一般的にはスパッタ装置で連
続製膜される。
【００１９】図２に、第一保護層、相変化型記録層、第
二保護層又は反射放熱層をスパッタ製膜している様子を
示す。基板１は、基板ホルダー２に固定される。内マス
ク３および外マスク４は、製膜物質の付着を防止してい
る。これらの内及び外マスクによって、所望の基板領域
へのスパッタ製膜が可能となる。しかし、マスク近傍の
基板上（図２中、ＡおよびＢで表わしたところ）では、
マスクの影響で膜が薄くなる傾向にある。特に、マスク
のエッジから１ｍｍまでの領域がその影響を顕著に受け
る。また、マスクの影響のない製膜領域でも一般的に±
５％程度の膜厚分布が存在する。以上のように、膜厚分
布は、 １）基板のマスク近傍の膜厚分布、 ２）それ以外の本質的な膜厚分布、 にわけられる。さて、式１を満足するためには、この２
種類の膜厚分布を含んで第一保護層／相変化型記録層／
第二保護層／反射放熱層の反射率面内分布を±４％以下
にしなければならない。
二保護層又は反射放熱層をスパッタ製膜している様子を
示す。基板１は、基板ホルダー２に固定される。内マス
ク３および外マスク４は、製膜物質の付着を防止してい
る。これらの内及び外マスクによって、所望の基板領域
へのスパッタ製膜が可能となる。しかし、マスク近傍の
基板上（図２中、ＡおよびＢで表わしたところ）では、
マスクの影響で膜が薄くなる傾向にある。特に、マスク
のエッジから１ｍｍまでの領域がその影響を顕著に受け
る。また、マスクの影響のない製膜領域でも一般的に±
５％程度の膜厚分布が存在する。以上のように、膜厚分
布は、 １）基板のマスク近傍の膜厚分布、 ２）それ以外の本質的な膜厚分布、 にわけられる。さて、式１を満足するためには、この２
種類の膜厚分布を含んで第一保護層／相変化型記録層／
第二保護層／反射放熱層の反射率面内分布を±４％以下
にしなければならない。
【００２０】図３に、第一保護層／相変化型記録層／第
二保護層／反射放熱層の反射率及び反射率分布（半径方
向）の第一保護層膜厚依存性を示す。反射率は第一保護
層厚の増大とともに減少傾向にあり、１９０ｎｍ以下で
著しく反射率が減少することがわかる。反射率、モジュ
レーション、感度などの種々特性のバランスから、第一
保護層の中心膜厚の設計変更範囲を１６０〜２００ｎｍ
とし、反射率分布を上記式１を満足する±４％以下とす
るためには、第一保護層の膜厚分布は、±３％以下が要
求される。
二保護層／反射放熱層の反射率及び反射率分布（半径方
向）の第一保護層膜厚依存性を示す。反射率は第一保護
層厚の増大とともに減少傾向にあり、１９０ｎｍ以下で
著しく反射率が減少することがわかる。反射率、モジュ
レーション、感度などの種々特性のバランスから、第一
保護層の中心膜厚の設計変更範囲を１６０〜２００ｎｍ
とし、反射率分布を上記式１を満足する±４％以下とす
るためには、第一保護層の膜厚分布は、±３％以下が要
求される。
【００２１】面内グルーブ反射率の分布を表わす式１
は、基板のオントラック比分布と第一保護層／相変化型
記録層／第二保護層／反射放熱層の反射率分布が独立に
生じているときに成り立つものであり、非独立に分布を
持つ場合には、成り立たない。たとえば、第一保護層／
相変化型記録層／第二保護層／反射放熱層の反射率分布
をあらかじめ調べておき、それを相殺すべく基板のオン
トラック比に分布を持たせた場合、見かけ上グルーブ反
射率の分布は、小さくなる。この操作は、局所的な反射
率分布たとえば、先に述べたマスク近傍の局所的な第一
保護層の膜厚減少による反射率増大を補正するために、
基板のオントラック比を増大させて、見せかけ上反射率
の均一性を確保することができる。
は、基板のオントラック比分布と第一保護層／相変化型
記録層／第二保護層／反射放熱層の反射率分布が独立に
生じているときに成り立つものであり、非独立に分布を
持つ場合には、成り立たない。たとえば、第一保護層／
相変化型記録層／第二保護層／反射放熱層の反射率分布
をあらかじめ調べておき、それを相殺すべく基板のオン
トラック比に分布を持たせた場合、見かけ上グルーブ反
射率の分布は、小さくなる。この操作は、局所的な反射
率分布たとえば、先に述べたマスク近傍の局所的な第一
保護層の膜厚減少による反射率増大を補正するために、
基板のオントラック比を増大させて、見せかけ上反射率
の均一性を確保することができる。
【００２２】上記の方法で、本発明の光記録媒体の面内
グルーブ反射率均一性は、既存のほとんどの光記録媒体
の反射率均一性と同等以上となることがわかった。しか
しながら、光記録媒体の面内均一性は、グルーブ反射率
の均一性だけでなく、記録特性の面内均一性が要求され
る。本発明の光記録媒体の記録特性を大きく左右するも
のは、相変化型記録層の組成および膜厚である。
グルーブ反射率均一性は、既存のほとんどの光記録媒体
の反射率均一性と同等以上となることがわかった。しか
しながら、光記録媒体の面内均一性は、グルーブ反射率
の均一性だけでなく、記録特性の面内均一性が要求され
る。本発明の光記録媒体の記録特性を大きく左右するも
のは、相変化型記録層の組成および膜厚である。
【００２３】図４（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に、ポリカ
ーボネート基板（１．２ｍｍ）／ＺｎＳＳｉＯ2（１８
０ｎｍ）／ＡｇＩｎＳｂＴｅ（１８ｎｍ）／ＺｎＳＳｉ
Ｏ2（２５ｎｍ）／Ａ１合金（１００ｎｍ）／オーバー
コート（５μｍ）の構成を持つ光記録媒体へ最適記録パ
ワーでＥＦＭ信号を１０００回オーバーライトしたとき
のジッターの組成依存性を示す。評価線速度は２．４ｍ
／ｓおよび２．８ｍ／ｓでおこなった。相変化型記録層
組成は、Ａｇ3Ｉｎ12Ｓｂ58Ｔｅ27を中心とし、一つの
元素組成を増減した。（この増減した一つの元素は図中
にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ又はＴｅとして記載した。）そのと
き、他の３元素の比は固定した。組成およびその分布
は、蛍光Ｘ線分布によって求めた。評価線速度が、２．
８ｍ／ｓのとき、いずれの元素とも±５％以下の組成変
動であれば、良好な信号品質と認められる１４．５ｎｓ
以下のジッターを達成することがわかる。また、評価線
速度が、２．４ｍ／ｓのとき、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅが±５
％以下の組成変動、Ｓｂが±３％以下の組成変動であれ
ば、良好な信号品質と認められる１４．５ｎｓ以下のジ
ッターを達成することがわかる。
ーボネート基板（１．２ｍｍ）／ＺｎＳＳｉＯ2（１８
０ｎｍ）／ＡｇＩｎＳｂＴｅ（１８ｎｍ）／ＺｎＳＳｉ
Ｏ2（２５ｎｍ）／Ａ１合金（１００ｎｍ）／オーバー
コート（５μｍ）の構成を持つ光記録媒体へ最適記録パ
ワーでＥＦＭ信号を１０００回オーバーライトしたとき
のジッターの組成依存性を示す。評価線速度は２．４ｍ
／ｓおよび２．８ｍ／ｓでおこなった。相変化型記録層
組成は、Ａｇ3Ｉｎ12Ｓｂ58Ｔｅ27を中心とし、一つの
元素組成を増減した。（この増減した一つの元素は図中
にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ又はＴｅとして記載した。）そのと
き、他の３元素の比は固定した。組成およびその分布
は、蛍光Ｘ線分布によって求めた。評価線速度が、２．
８ｍ／ｓのとき、いずれの元素とも±５％以下の組成変
動であれば、良好な信号品質と認められる１４．５ｎｓ
以下のジッターを達成することがわかる。また、評価線
速度が、２．４ｍ／ｓのとき、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅが±５
％以下の組成変動、Ｓｂが±３％以下の組成変動であれ
ば、良好な信号品質と認められる１４．５ｎｓ以下のジ
ッターを達成することがわかる。
【００２４】同様に、ポリカーボネート基板（１．２ｍ
ｍ）／ＺｎＳＳｉＯ2（１８０ｎｍ）／ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ：Ｎ（１８ｎｍ）／ＺｎＳＳｉＯ2（２５ｎｍ）／Ａ
１合金（１００ｎｍ）／オーバーコート（５μｍ）の構
成を持つ光記録媒体へ最適記録パワーでＥＦＭ信号を１
０００回オーバーライトしたときのジッターの組成依存
性について評価した。評価線速度は２．４ｍ／ｓおよび
２．８ｍ／ｓでおこなった。相変化型記録層組成は、Ａ
ｇ3Ｉｎ11Ｓｂ56Ｔｅ26Ｎ4を中心とし、一つの元素組成
を増減した。そのとき、他の４元素の比は固定した。Ｎ
の組成は、ＳＩＭＳによって評価した。評価線速度が
２．８ｍ／ｓのとき、いずれの元素とも±５％以下の組
成変動であれば、良好な信号品質と認められる１４．５
ｎｓ以下のジッターを達成した。また、評価線速度が、
２．４ｍ／ｓのとき、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｎが±５％以
下の組成変動、Ｓｂが±３％以下の組成変動であれば、
良好な信号品質と認められる１４．５ｎｓ以下のジッタ
ーを達成した。さらにＮ添加で、記録層の構造がみだ
れ、アモルファスマークが安定化する。
ｍ）／ＺｎＳＳｉＯ2（１８０ｎｍ）／ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ：Ｎ（１８ｎｍ）／ＺｎＳＳｉＯ2（２５ｎｍ）／Ａ
１合金（１００ｎｍ）／オーバーコート（５μｍ）の構
成を持つ光記録媒体へ最適記録パワーでＥＦＭ信号を１
０００回オーバーライトしたときのジッターの組成依存
性について評価した。評価線速度は２．４ｍ／ｓおよび
２．８ｍ／ｓでおこなった。相変化型記録層組成は、Ａ
ｇ3Ｉｎ11Ｓｂ56Ｔｅ26Ｎ4を中心とし、一つの元素組成
を増減した。そのとき、他の４元素の比は固定した。Ｎ
の組成は、ＳＩＭＳによって評価した。評価線速度が
２．８ｍ／ｓのとき、いずれの元素とも±５％以下の組
成変動であれば、良好な信号品質と認められる１４．５
ｎｓ以下のジッターを達成した。また、評価線速度が、
２．４ｍ／ｓのとき、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｎが±５％以
下の組成変動、Ｓｂが±３％以下の組成変動であれば、
良好な信号品質と認められる１４．５ｎｓ以下のジッタ
ーを達成した。さらにＮ添加で、記録層の構造がみだ
れ、アモルファスマークが安定化する。
【００２５】図５に、ポリカーボネート基板（１．２ｍ
ｍ）／ＺｎＳＳｉＯ2（１８０ｎｍ）／ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ：Ｎ（１８ｎｍ）／ＺｎＳＳｉＯ2（２５ｎｍ）／Ａ
１合金（１００ｎｍ）／オーバーコート（５μｍ）の構
成を持つ光記録媒体へ最適記録パワーでＥＦＭ信号を１
０００回オーバーライトしたときのジッターの相変化型
記録層厚依存性について評価した。その結果、±３％以
下の膜厚変動であれば、良好な信号品質と認められる１
４．５ｎｓ以下のジッターを達成できることがわかっ
た。
ｍ）／ＺｎＳＳｉＯ2（１８０ｎｍ）／ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ：Ｎ（１８ｎｍ）／ＺｎＳＳｉＯ2（２５ｎｍ）／Ａ
１合金（１００ｎｍ）／オーバーコート（５μｍ）の構
成を持つ光記録媒体へ最適記録パワーでＥＦＭ信号を１
０００回オーバーライトしたときのジッターの相変化型
記録層厚依存性について評価した。その結果、±３％以
下の膜厚変動であれば、良好な信号品質と認められる１
４．５ｎｓ以下のジッターを達成できることがわかっ
た。
【００２６】本発明の光記録媒体の相変化型記録層は、
ＦｅＴｂＣｏ系の光磁気記録材料、ＧｅＳｂＴｅ、Ａｇ
ＩｎＳｂＴｅ系の相変化形記録材料等が使用できる。な
かでも、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の相変化形記録材料が記録
感度、高い消去比等の点で好適である。相変化型記録層
の膜厚は、５〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎ
ｍ、さらに好ましくは１５〜２５ｎｍである。相変化型
記録層は、スパッタリング、イオンプレーティング、真
空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって作製できる。Ｃ、
Ｎ、Ｏの添加にはＣＨ4、Ｎ2、ＮＨ3、ＮＯ2、Ｎ2Ｏと
Ａｒの混合ガスなどが用いられる。
ＦｅＴｂＣｏ系の光磁気記録材料、ＧｅＳｂＴｅ、Ａｇ
ＩｎＳｂＴｅ系の相変化形記録材料等が使用できる。な
かでも、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の相変化形記録材料が記録
感度、高い消去比等の点で好適である。相変化型記録層
の膜厚は、５〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎ
ｍ、さらに好ましくは１５〜２５ｎｍである。相変化型
記録層は、スパッタリング、イオンプレーティング、真
空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって作製できる。Ｃ、
Ｎ、Ｏの添加にはＣＨ4、Ｎ2、ＮＨ3、ＮＯ2、Ｎ2Ｏと
Ａｒの混合ガスなどが用いられる。
【００２７】本発明で使用する基板の材料は、通常、ガ
ラス、セラミックス、あるいは樹脂であり、なかでも樹
脂基板が成形性、コスト、軽量といった点で有効であ
る。樹脂の代表例として、ポリカーボネート樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリルースチ
レン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリメチルメタ
クリレート樹脂などがあげられるが、加工性、光学特
性、耐熱特性等から、ポリカーボネート樹脂が好まし
い。基板の形状は、ディスク状、カード状あるいはシー
ト状のいずれの形状でもよい。基板の厚さは１．２ｍ
ｍ、０．６ｍｍ、０．３ｍｍ等の任意のものが使用でき
るが、クロストークの基板チルト依存性の観点から、よ
り基板厚の小さいものが望まれる。しかし、製膜上の困
難や歩留り等を考慮すると０．６ｍｍくらいが好まし
い。また、グルーブのない基板面にハードコートを形成
することも耐擦傷性の向上に有効である。
ラス、セラミックス、あるいは樹脂であり、なかでも樹
脂基板が成形性、コスト、軽量といった点で有効であ
る。樹脂の代表例として、ポリカーボネート樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリルースチ
レン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリメチルメタ
クリレート樹脂などがあげられるが、加工性、光学特
性、耐熱特性等から、ポリカーボネート樹脂が好まし
い。基板の形状は、ディスク状、カード状あるいはシー
ト状のいずれの形状でもよい。基板の厚さは１．２ｍ
ｍ、０．６ｍｍ、０．３ｍｍ等の任意のものが使用でき
るが、クロストークの基板チルト依存性の観点から、よ
り基板厚の小さいものが望まれる。しかし、製膜上の困
難や歩留り等を考慮すると０．６ｍｍくらいが好まし
い。また、グルーブのない基板面にハードコートを形成
することも耐擦傷性の向上に有効である。
【００２８】本発明で使用する第一保護層および第二保
護層は、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの酸化
物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒
化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、Ｓｉ
Ｃ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化
物やダイヤモンド状炭素、あるいは、それらの混合物が
好ましい。これら第一保護層および第二保護層の膜厚
は、スパッタリング、イオンプレーティング、真空状
着、プラズマＣＶＤ等によって作製できる。第一保護層
の膜厚は、５０〜５００ｎｍ、好ましくは１００〜３０
０ｎｍ、更に好ましくは１５０〜２５０ｎｍである。第
二保護層は、５〜２００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎ
ｍである。
護層は、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの酸化
物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒
化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、Ｓｉ
Ｃ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化
物やダイヤモンド状炭素、あるいは、それらの混合物が
好ましい。これら第一保護層および第二保護層の膜厚
は、スパッタリング、イオンプレーティング、真空状
着、プラズマＣＶＤ等によって作製できる。第一保護層
の膜厚は、５０〜５００ｎｍ、好ましくは１００〜３０
０ｎｍ、更に好ましくは１５０〜２５０ｎｍである。第
二保護層は、５〜２００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎ
ｍである。
【００２９】本発明で使用する反射放熱層は、Ａｌ、Ａ
ｇ、Ａｕなどの金属材料、およびそれらにＴｉ、Ｃｒ、
Ｓｉ、Ｔａなどを添加したものが使用できる。反射放熱
層は、スパッタリング、イオンプレーティング、真空状
着、プラズマＣＶＤ等によって作製できる。その膜厚
は、３０〜３００ｎｍ、好ましくは５０〜２５０ｎｍ、
更に好ましくは７０〜２００ｎｍである。
ｇ、Ａｕなどの金属材料、およびそれらにＴｉ、Ｃｒ、
Ｓｉ、Ｔａなどを添加したものが使用できる。反射放熱
層は、スパッタリング、イオンプレーティング、真空状
着、プラズマＣＶＤ等によって作製できる。その膜厚
は、３０〜３００ｎｍ、好ましくは５０〜２５０ｎｍ、
更に好ましくは７０〜２００ｎｍである。
【００３０】本発明の各層の膜厚分布および膜質分布
は、その製法および製膜条件によって、均一性を確保す
ることができる。製法としては、生産性等も考慮すると
スパッタリング、特にマグネトロンスパッタリングが有
効である。均一性向上の方法としては、基板よりも十分
大きなターゲットを持ち、基板は、自公転してターゲッ
ト上を通過するようにし、かつ微調整のための補正板を
ターゲット上に被うことで上記均一性が確保される。
は、その製法および製膜条件によって、均一性を確保す
ることができる。製法としては、生産性等も考慮すると
スパッタリング、特にマグネトロンスパッタリングが有
効である。均一性向上の方法としては、基板よりも十分
大きなターゲットを持ち、基板は、自公転してターゲッ
ト上を通過するようにし、かつ微調整のための補正板を
ターゲット上に被うことで上記均一性が確保される。
【００３１】
【実施例】以下に実施例によって、本発明を具体的に説
明する。
明する。
【００３２】実施例１
ポリカーボネート基板（１．２ｍｍ）／ＺｎＳＳｉＯ2
（１８０ｎｍ）／ＡｇＩｎＳｂＴｅ：Ｎ（１８ｎｍ）／
ＺｎＳＳｉＯ2（２５ｎｍ）／Ａ１合金（１００ｎｍ）
の構成を持つ光記録媒体をスパッタリングプロセスによ
って作製した。基板は、オントラック比０．８５でその
分布が±４．５％のものを用いた。基板サイズは、直径
は１２０ｍｍ、記録再生可能領域は半径２２ｍｍから５
９ｍｍである。基板は自公転してターゲット上を通過さ
せた。ターゲットサイズは、直径２００ｍｍとし、基板
サイズより十分大きくし、均一性を調整する補正板を被
った。製膜条件を表２示す。
（１８０ｎｍ）／ＡｇＩｎＳｂＴｅ：Ｎ（１８ｎｍ）／
ＺｎＳＳｉＯ2（２５ｎｍ）／Ａ１合金（１００ｎｍ）
の構成を持つ光記録媒体をスパッタリングプロセスによ
って作製した。基板は、オントラック比０．８５でその
分布が±４．５％のものを用いた。基板サイズは、直径
は１２０ｍｍ、記録再生可能領域は半径２２ｍｍから５
９ｍｍである。基板は自公転してターゲット上を通過さ
せた。ターゲットサイズは、直径２００ｍｍとし、基板
サイズより十分大きくし、均一性を調整する補正板を被
った。製膜条件を表２示す。
【００３３】
【表２】
【００３４】このようにして得られた光記録媒体上にオ
ーバーコート（５μｍ）をスピンコートによって形成
し、所定の初期化をおこなった。このときの相変化型記
録層の組成分布は、蛍光Ｘ線あるいはＩＲ分析によって
評価すると、Ａｇが±３．２％、Ｉｎが±３．７％、Ｓ
ｂが±１．８％、Ｔｅが±２．０％、Ｎが±１．７％で
あり、良好であった。溝のないポリカーボネート基板
（１．２ｍｍ）を用いて、同様に作製したものの反射率
分布は、±３．９％であった。続いて、グルーブ反射率
分布を評価したところ、±５．９％の分布であった。し
かしながら、半径５８〜５９ｍｍのグルーブ反射率は増
加傾向にあった。最適記録パワーでＥＦＭ信号を１００
０回オーバーライトしたときのジッターの面内分布を評
価した。評価線速度は２．４ｍ／ｓでおこなった。その
結果全面にわたって、良好な信号品質と認められる１
４．５ｎｓ以下のジッターが得られた。
ーバーコート（５μｍ）をスピンコートによって形成
し、所定の初期化をおこなった。このときの相変化型記
録層の組成分布は、蛍光Ｘ線あるいはＩＲ分析によって
評価すると、Ａｇが±３．２％、Ｉｎが±３．７％、Ｓ
ｂが±１．８％、Ｔｅが±２．０％、Ｎが±１．７％で
あり、良好であった。溝のないポリカーボネート基板
（１．２ｍｍ）を用いて、同様に作製したものの反射率
分布は、±３．９％であった。続いて、グルーブ反射率
分布を評価したところ、±５．９％の分布であった。し
かしながら、半径５８〜５９ｍｍのグルーブ反射率は増
加傾向にあった。最適記録パワーでＥＦＭ信号を１００
０回オーバーライトしたときのジッターの面内分布を評
価した。評価線速度は２．４ｍ／ｓでおこなった。その
結果全面にわたって、良好な信号品質と認められる１
４．５ｎｓ以下のジッターが得られた。
【００３５】実施例２
基板に、基板外周部半径５８ｍｍから５９ｍｍにかけ
て、オントラック比が０．８から０．７に漸減するよう
に作製したものを用い、それ以外は、実施例１と同様に
して光記録媒体を作製した。その光記録媒体のグルーブ
反射率分布は、±５．０％に改善された。
て、オントラック比が０．８から０．７に漸減するよう
に作製したものを用い、それ以外は、実施例１と同様に
して光記録媒体を作製した。その光記録媒体のグルーブ
反射率分布は、±５．０％に改善された。
【００３６】実施例３
基板の溝幅を半径２２ｍｍから５９ｍｍにかけて、０．
５５μｍから０．４５に漸減してあるものを用い、それ
以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を作製した。
その光記録媒体のグルーブ反射率分布は、±４．５％に
改善された。
５５μｍから０．４５に漸減してあるものを用い、それ
以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を作製した。
その光記録媒体のグルーブ反射率分布は、±４．５％に
改善された。
【００３７】
【発明の効果】１）請求項１の発明によれば、Ｃ／Ｎ、
消去比、感度、ジッター、保存信頼性、繰り返し信頼
性、内面均一性に優れ、そのドライブのコストダウンの
図れる光記録媒体を提供することができる。 ２）請求項２の発明によれば、記録再生可能な領域が基
板端面から２ｍｍ以内にまで設けることができるため記
憶容量の大容量化が図れる。 ３）請求項３の発明によれば、信号がＥＦＭ変調したも
のであるため記憶容量の大容量化が図れるとともに、現
在普及されているＣＤ−ＲＯＭ等との互換がとりやす
い。 ４）請求項４の発明によれば、基板のオントラック比分
布の中心値が０．８以上であるため、基板のオントラッ
ク比分布の低減が図れる。 ５）請求項５の発明によれば、基板外径近傍のオントラ
ック比がそれ以外の部分に比べて小さいため、基板外周
のマスク近傍の膜厚減少による反射率増大を低減でき
る。 ６）請求項６の発明によれば、内周から外周に向けて基
板のグルーブ溝幅が減少するため、内周から外周に向け
て基板のグルーブ溝深さの減少によるオントラック比の
増加を抑制して、グルーブ反射率の分布を低減する。 ７）請求項７の発明によれば、第一保護層の膜厚分布が
±３％以下であるため、第一保護層の膜厚設計の自由度
が増す。 ８）請求項８の発明によれば、第一保護層の膜厚分布の
中心値１９０ｎｍ以下とするため、膜厚分布が５％と大
きくても面内グルーブ反射率の均一性が確保される。 ９）請求項９の発明によれば、第一保護層／相変化型記
録層／第二保護層／反射放熱層の反射率分布が±６％以
上であっても、面内反射率変動を相殺すべく基板のオン
トラック比を面内変動させることで、そのグルーブ反射
率の面内分布が±６％以下とすることができる。 １０）請求項１０の発明によれば、基板／第一保護層／
相変化型記録層／第二保護層／反射放熱層を主要層構成
とする光記録媒体において、相変化型記録層の主成分が
ＡｇＩｎＳｂＴｅであり、かつそれらの元素の面内組成
分布が±５％以下であるため信号特性の面内均一性を確
保することができる。 １１）請求項１１の発明によれば、基板／第一保護層／
相変化型記録層／第二保護層／反射放熱層を主要層構成
とする光記録媒体において、記録層の主成分がＡｇＩｎ
ＳｂＴｅとＯおよびまたはＮであり、かつそれらの元素
の面内組成分布が±５％以下であるため信号特性の面内
均一性を確保することができる。 １２）請求項１２の発明によれば、Ｓｂの面内組成分布
が±３％以下であるため記録線速度の適応範囲を広げ、
かつ均一性を確保できる。 １３）請求項１３の発明によれば、記録層の面内膜厚分
布が±３％以下であるため、より記録特性の均一性の向
上が図れる。
消去比、感度、ジッター、保存信頼性、繰り返し信頼
性、内面均一性に優れ、そのドライブのコストダウンの
図れる光記録媒体を提供することができる。 ２）請求項２の発明によれば、記録再生可能な領域が基
板端面から２ｍｍ以内にまで設けることができるため記
憶容量の大容量化が図れる。 ３）請求項３の発明によれば、信号がＥＦＭ変調したも
のであるため記憶容量の大容量化が図れるとともに、現
在普及されているＣＤ−ＲＯＭ等との互換がとりやす
い。 ４）請求項４の発明によれば、基板のオントラック比分
布の中心値が０．８以上であるため、基板のオントラッ
ク比分布の低減が図れる。 ５）請求項５の発明によれば、基板外径近傍のオントラ
ック比がそれ以外の部分に比べて小さいため、基板外周
のマスク近傍の膜厚減少による反射率増大を低減でき
る。 ６）請求項６の発明によれば、内周から外周に向けて基
板のグルーブ溝幅が減少するため、内周から外周に向け
て基板のグルーブ溝深さの減少によるオントラック比の
増加を抑制して、グルーブ反射率の分布を低減する。 ７）請求項７の発明によれば、第一保護層の膜厚分布が
±３％以下であるため、第一保護層の膜厚設計の自由度
が増す。 ８）請求項８の発明によれば、第一保護層の膜厚分布の
中心値１９０ｎｍ以下とするため、膜厚分布が５％と大
きくても面内グルーブ反射率の均一性が確保される。 ９）請求項９の発明によれば、第一保護層／相変化型記
録層／第二保護層／反射放熱層の反射率分布が±６％以
上であっても、面内反射率変動を相殺すべく基板のオン
トラック比を面内変動させることで、そのグルーブ反射
率の面内分布が±６％以下とすることができる。 １０）請求項１０の発明によれば、基板／第一保護層／
相変化型記録層／第二保護層／反射放熱層を主要層構成
とする光記録媒体において、相変化型記録層の主成分が
ＡｇＩｎＳｂＴｅであり、かつそれらの元素の面内組成
分布が±５％以下であるため信号特性の面内均一性を確
保することができる。 １１）請求項１１の発明によれば、基板／第一保護層／
相変化型記録層／第二保護層／反射放熱層を主要層構成
とする光記録媒体において、記録層の主成分がＡｇＩｎ
ＳｂＴｅとＯおよびまたはＮであり、かつそれらの元素
の面内組成分布が±５％以下であるため信号特性の面内
均一性を確保することができる。 １２）請求項１２の発明によれば、Ｓｂの面内組成分布
が±３％以下であるため記録線速度の適応範囲を広げ、
かつ均一性を確保できる。 １３）請求項１３の発明によれば、記録層の面内膜厚分
布が±３％以下であるため、より記録特性の均一性の向
上が図れる。
【図１】基板のオントラック比分布を評価した図。
【図２】基板上に第１保護層等をスパッタ製膜している
様子を示した図。
様子を示した図。
【図３】第一保護層／相変化型記録層／第二保護層／反
射放熱層の反射率及び反射率分布との第一保護層の膜厚
との関係を表わした図。
射放熱層の反射率及び反射率分布との第一保護層の膜厚
との関係を表わした図。
【図４】（ａ）（ｂ）（ｃ）及び（ｄ）はジッターの記
録層組成変動依存性を表わした図。
録層組成変動依存性を表わした図。
【図５】ジッターの記録層厚依存性を表わした図。
１ 基板
２ 基板ホルダー
３ 内マスク
４ 外マスク
５ 第一保護層、相変化型記録層、第二保護層、反射放
熱層 ６ ターゲット ７ 電極 ８ アースシールド ９ 補正板
熱層 ６ ターゲット ７ 電極 ８ アースシールド ９ 補正板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 中村 有希
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株
式会社リコー内
(56)参考文献 特開 平５−198012（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−6410（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−121903（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 7/24
Claims (13)
- 【請求項１】 基板／第一保護層／相変化型記録層／第
二保護層／反射放熱層を主要層構成とする光記録媒体に
おいて、基板面内のオントラック比分布が±５％以下、
かつ第一保護層／相変化型記録層／第二保護層／反射放
熱層の面内反射率分布が±４％以下と分布配分したこと
を特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 信号の記録あるいは再生可能な領域が基
板端面から２ｍｍ以内に存在することを特徴とする請求
項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 信号がＥＦＭ変調したものであることを
特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 基板のオントラック比分布の中心値が
０．８以上であることを特徴とする請求項１又は２記載
の光記録媒体。 - 【請求項５】 基板外径近傍のオントラック比がそれ以
外の部分に比べて小さいことを特徴とする請求項１又は
２記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 内周から外周に向けて基板のグルーブ溝
幅が減少することを特徴とする請求項１又は２記載の光
記録媒体。 - 【請求項７】 第一保護層の膜厚分布が±３％以下であ
ることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。 - 【請求項８】 第一保護層の膜厚分布の中心値が１９０
ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の
光記録媒体。 - 【請求項９】 基板／第一保護層／相変化型記録層／第
二保護層／反射放熱層を主要層構成とする光記録媒体に
おいて、第一保護層／相変化型記録層／第二保護層／反
射放熱層の面内反射率変動を相殺すべく基板のオントラ
ック比を面内変動させることで、そのグルーブ反射率の
面内分布が±６％以下としたことを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項１０】 基板／第一保護層／相変化型記録層／
第二保護層／反射放熱層を主要層構成とする光記録媒体
において、相変化型記録層の主成分がＡｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅであり、かつそれらの元素の面内組成分布が±
５％以下であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項１１】 基板／第一保護層／相変化型記録層／
第二保護層／反射放熱層を主要層構成とする光記録媒体
において、相変化型記録層の主成分がＡｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、ＴｅとＯおよび／またはＮであり、かつそれらの元
素の面内組成分布が±５％以下であることを特徴とする
光記録媒体。 - 【請求項１２】 Ｓｂの面内組成分布が±３％以下であ
ることを特徴する請求項１０又は１１記載の光記録媒
体。 - 【請求項１３】 相変化型記録層の面内膜厚分布が±３
％以下であることを特徴とする請求項１０、１１又は１
２記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24053395A JP3486706B2 (ja) | 1995-05-12 | 1995-08-28 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-138638 | 1995-05-12 | ||
| JP13863895 | 1995-05-12 | ||
| JP24053395A JP3486706B2 (ja) | 1995-05-12 | 1995-08-28 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0935332A JPH0935332A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3486706B2 true JP3486706B2 (ja) | 2004-01-13 |
Family
ID=26471639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24053395A Expired - Lifetime JP3486706B2 (ja) | 1995-05-12 | 1995-08-28 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3486706B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1161766C (zh) * | 1998-02-24 | 2004-08-11 | 索尼株式会社 | 光记录介质 |
| JP2006021543A (ja) * | 2005-09-20 | 2006-01-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光情報記録媒体及び情報の記録方法 |
-
1995
- 1995-08-28 JP JP24053395A patent/JP3486706B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0935332A (ja) | 1997-02-07 |
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