JPH03208688A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は光による記録層の相変化を利用して情報の記録
再生及び書き換えを行うための相変化型光情報記録媒体
に関する。

［従来の技術コ 電磁波特にレーザービームの照射により情報の記録・再
生および消去可能な光メモリー媒体の一つとして、結晶
一非晶質相間或いは結晶一結晶相聞の転移を利用する、
いわゆる相変化型記録媒体が良く知られている。特に光
磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオーバーライ
トが可能であり、ドライブ側の光学系も、より単純であ
ることなどから最近その研究開発が活発になっている。

電子通信学会論文集ＣＰＭ８７−９０、その代表的な材
料例として、ＵＳＰ　３，５３０．４４１に開示されて
いるようにＧｅ−ＴｅＳＧｅ−ＴｅＳ　ｂ　ＳＧ　ｅ　
　Ｔ　ｅ−Ｓ　ＳＧ　ｅ　　Ｓ　ｅ　　Ｓ　ｓＧｅ−Ｓ
ｅ−ＳｂＳＧｅ−Ａｓ−ＳｅＳ　ＩｎＴｅＳＳｅ−Ｔｅ
ＳＳｅ−Ａｓ等所謂カルコゲン系合金材料が挙げられる
。又、安定性、高速結晶化等の向上を目的にＧｅ−Ｔｅ
系にＡｕ（特開昭６１−２１９８９２）　、Ｓ　ｎ及び
Ａｕ（特開昭６１−２７０１９０）　、Ｐ　ｄ　（特開
昭８２−　１９４９０）等を添加した材料の提案や、記
録／消去の繰返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−
Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭８２−　７３４３
８）の提案等もなされている。

しかし、そのいずれもが相変化型書換え可能光メモリー
媒体として要求された諸特性のすべてを満足し得るもの
とはいえない。特に記録感度、消去感度の向上、オーバ
ーライト時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに
記録部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題と
なっている。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は従来技術における上記問題点を解消し高速消去
、記録感度、消去感度の向上、記録部の安定性等の特性
を全て満足する新規な相転移性多元化合物を用いたオー
バーライト可能な相変化型光情報記録媒体を提供しよう
とするものである。

［課題を解決するための手段コ 上記課題を解決するための本発明の構成は基板上に、Ｚ
ｎ３Ｓｂ２二元化合物よりなる記録層を設けたことを特
徴とする相変化型情報記録媒体に関する。

本発明の光情報記録媒体の構成を図面に基づいて説明す
る。

第１図は、本発明の光情報記録句媒体の層構成を説明す
る図である。第１図において１は基板、２は保護層、３
は記録層、４は保護層である。

本発明はすでに述べたように、記録層３にＺｎ３Ｓｂ２
を使用した点が重要である。

このＺｎＳｂ２は、その融点が５６０℃程度にある。又
構造変化点はＤＳＣ測定から〜１３１℃程度に認められ
ており、構造変化前後の反射率差はλ＝　８３０ｎｍで
１０〜２５％程度（膜厚による）ある。又光吸収率は膜
厚の最適化を図る事により構造変化前後ともにλ＝　８
３０ｎｍにおいて５０％程度である。

本発明で用いられる基板は通常、ガラス、石英、セラミ
ックスあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コスト
等の点で好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボ
ネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、アクリロニトリルースチレン共重合体樹脂、ポ
リエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂
、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げら
れるが、加工性、光学特性等の点てポリカーボネート樹
脂、ポリメチルメタクリレートの様なアクリル系樹脂が
好ましい。

又、基板の形状としてはディスク状、カード状あるいは
シート状であってもよい。

本発明の光情報記録媒体を作るには所定の組成比のター
ゲットを作製し、スバッター法による方法が好適である
。又膜の組成ぞれを補正するために必要に応じて単元素
のチップを用いる場合もある。

こうして形威された記録層の厚さは通常３００〜１５０
０λ、好ましくは５００〜ｌ０００大である。なお記録
層を非品質状態にするか、あるいは結晶状態にするかは
蒸着時の基板温度によって決定され、常温の場合は非品
質状態となり、材料にもよるが、１００℃以上の場合は
結晶状態となる。

本発明では記録層上に更に保護層を設けることができる
。保護層の材料としては熱的に安定な窒化ケイ素等の窒
化物；二酸化ケイ素、二酸化チタン等の酸化物等が使用
される。

好ましい材料としてはＳｉＯ、Ｓｉ０２、５ Ｚ　　ｎ　　Ｏ　ｓ　　Ｓ　　ｎ　　Ｏ　　２　　、Ａ
　　ｌ　　２　　０　　３　　、Ｔ　　１　　０　　２
　　、Ｉｎ２０３、ＭｇＯ，Ｚｒ０２等の金属酸化物、
Ｓｉ３Ｎ４、ＡＩＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮ等の窒化物
、Ｓ　ｉＣ　ｓ　Ｔ　ａ　Ｃ　％　Ｂ　４　Ｃ　％　Ｗ
　Ｃ　ｓＴｉＣＳＺｒＣ等の炭化物やダイヤモンド状カ
ーボンあるいはそれらの混合物が挙げられる。

又、必要に応じて不純物を含んでいてもよい。

このような保護層は各種気相成膜法、例えば真空蒸着法
、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオン
プレーティング法、電子ビーム蒸着法等によって形成で
きる。なお、保護層の厚さは通常８００〜１５００λ、
好ましくは約１０００λである。形成法は記録層の場合
と同様、通常スパッタ法が適用される。記録、再生及び
消去に用いる電磁波としてはレーザー光、電子線、Ｘ線
、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ波等、種々のも
のが採用可能であるが、ドライブに取付ける際、小型で
コンパクトな半導体レーザーのビームが最適である。

［実施例］ ６ 以下本発明を実施例に従って更に詳しく説明する。

実施例Ｉ ＺｎｓＳｂ２の組戊を有するスパッタ用ターゲットを作
成し、直径１３０ｍｍ，厚み１．２ｍｌ１のポリカーボ
ネート基板上にスパッタ法によりまず保護膜として窒化
ケイ素を１０００大形成し、次に同じくスパッタ法にて
、１０００　Ｘ厚のＺｎ３Ｓｂ２記録層を形成した後、
更に保護膜として窒化ケイ素を１０００λ厚同じくスバ
ッタ法より形成した。

又記録層を形成する際、テストピースとしてスライドガ
ラス上に同じ膜を形成しておき、この膜より本記録層の
光学的特性、熱的特性をそれぞれ分光光度計及びＤＳＣ
により測定した。

本記録層の融点は〜５８０℃前後であり、又構造変化を
生じる温度は〜１３１℃程度であった。

又構造変化する前後の間の反射率変化は〜１８％程度（
膜厚〜ＩＯＯＯＸ　）であった。この時の波長は８３０
ｎｍである。

次に本発明による記録媒体を１８０Ｏｒｐｍの速度で回
転させながらビーム径をｌμｍφ程度に絞った半導体レ
ーザー光（発振波長λ＝　８３０ｎｍ）を照射すること
により、記録、再生及び消去を行った。

なお、記録出力は記録最小パワーＩＬｍＷ、再生出力は
２…Ｗ，消去出力は消去最少パワー５ｍＷである。又こ
の出力／消去条件で記録後、更に２ＭＨｚでオーバーラ
イト試験を行った。

その結果、初期記録のＣ／Ｎ比は５３ｄＢでオーバーラ
イト後も５２ｄＢとほとんど変わらなかった。

又この時の消去率は３１ｄＢであり消去残りが若干認め
られるが、充分使用可能な段階であることが確認された
。又１．　０　．　０　０　０回の記録、消去のくり返
し実験を行ったが、信号レベルの低下はほとんど認めら
れず、くり返し特性も良好であることが確認された。

［発明の効果コ 以上説明したように、記録層材料としてＺｎ３Ｓｂ２化
合物を用いたことにより、本発明の光情報記録媒体は、
記録感度が向上し、高速消去、及び記録の長寿命化等を
実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明光情報記録媒体の層構成の説明図であ
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体上に記録層を有し、それに電磁波を照射して記録層
   の光学定数を変化させることにより情報の記録、再生を
   行う光情報記録媒体において、該記録層にＺｎ＿３Ｓｂ
   ＿２を用いることを特徴とする光情報記録媒体。