JPH07334845A - 相変化光ディスクの初期化方法 - Google Patents
相変化光ディスクの初期化方法Info
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- JPH07334845A JPH07334845A JP6315243A JP31524394A JPH07334845A JP H07334845 A JPH07334845 A JP H07334845A JP 6315243 A JP6315243 A JP 6315243A JP 31524394 A JP31524394 A JP 31524394A JP H07334845 A JPH07334845 A JP H07334845A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0055—Erasing
- G11B7/00557—Erasing involving phase-change media
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マークエッジ記録適用時に初記録から繰り返
し後にわたって安定した記録特性を得ることができる相
変化光ディスクの初期化方法を提供する。 【構成】 初期化に用いるレーザ光のレーザパワあるい
は初期化に用いるフラッシュランプの強度を、初期化部
の吸収率が繰り返し後の結晶部の吸収率と等しくなるよ
うに選ぶ。その結果、初記録から繰り返し後にわたって
マーク長変動の小さい媒体を提供することが可能となり
高密度化を実現することができる。
し後にわたって安定した記録特性を得ることができる相
変化光ディスクの初期化方法を提供する。 【構成】 初期化に用いるレーザ光のレーザパワあるい
は初期化に用いるフラッシュランプの強度を、初期化部
の吸収率が繰り返し後の結晶部の吸収率と等しくなるよ
うに選ぶ。その結果、初記録から繰り返し後にわたって
マーク長変動の小さい媒体を提供することが可能となり
高密度化を実現することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱履歴の違いにより誘
起される相変化にともなう光学定数の変化を利用して情
報の記録・消去を行う光学情報記録媒体すなわち相変化
光ディスクに関する。
起される相変化にともなう光学定数の変化を利用して情
報の記録・消去を行う光学情報記録媒体すなわち相変化
光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光の照射によって情報の記録・消
去・再生を行う光学情報記録媒体としては、光磁気ディ
スクや相変化光ディスクなどが知られている。このう
ち、例えば相変化光ディスクでは、図２に示すように、
基板１上に下部保護層２、記録層３、上部保護層４、反
射層５がこの順に設けられた４層構成が通常用いられ
る。情報の記録・消去はレーザ光の照射による昇温・冷
却の熱履歴の違いによって誘起される記録層の非晶質・
結晶間の相変化を利用して行われる。すなわち、記録層
を溶融し急冷することにより非晶質化させ記録を行い、
また、結晶化温度以上に一定時間保持することにより結
晶化させ、消去を行う。信号の再生は非晶質・結晶間の
反射率差を利用して行われる。下部保護層２、記録層
３、上部保護層４及び反射率５のそれぞれの膜厚は、感
度、Ｃ／Ｎ、消去率、書換可能繰り返し回数などの観点
から最適化される。
去・再生を行う光学情報記録媒体としては、光磁気ディ
スクや相変化光ディスクなどが知られている。このう
ち、例えば相変化光ディスクでは、図２に示すように、
基板１上に下部保護層２、記録層３、上部保護層４、反
射層５がこの順に設けられた４層構成が通常用いられ
る。情報の記録・消去はレーザ光の照射による昇温・冷
却の熱履歴の違いによって誘起される記録層の非晶質・
結晶間の相変化を利用して行われる。すなわち、記録層
を溶融し急冷することにより非晶質化させ記録を行い、
また、結晶化温度以上に一定時間保持することにより結
晶化させ、消去を行う。信号の再生は非晶質・結晶間の
反射率差を利用して行われる。下部保護層２、記録層
３、上部保護層４及び反射率５のそれぞれの膜厚は、感
度、Ｃ／Ｎ、消去率、書換可能繰り返し回数などの観点
から最適化される。
【０００３】高密度化には、記録マークの両端に情報を
持たせるマークエッジ記録が有効である。しかし、信号
の再生に結晶・非晶質間の反射率差を利用している相変
化光ディスクでは、結晶部の吸収率と非晶質部の吸収率
が異なる場合が多く、一般に、非晶質部の吸収率が結晶
部の吸収率より大きくなっている。このような場合、形
成されるマークの幅や長さは、新たに記録する以前の状
態が結晶であったか、非晶質であったかによって影響さ
れ、オーバライトによってジッタが大きく増加してしま
う。この問題を解決するための方法として、反射層にＳ
ｉや膜厚２０nm以下のＡｕを用いて、結晶部の吸収率を
非晶質部の吸収率より高くする方法が知られている。ま
た、オーバライト時に結晶部と非晶質部の感度差によっ
て生じるジッタは、ＤＣ消去を行うことによっても低減
することができる。ただしこの場合、情報の書換を行う
前に記録トラックを一度ＤＣ消去することになるので、
オーバライトはできないが、媒体構成を特に工夫しなく
てもマークエッジ記録を適用できるという利点がある。
持たせるマークエッジ記録が有効である。しかし、信号
の再生に結晶・非晶質間の反射率差を利用している相変
化光ディスクでは、結晶部の吸収率と非晶質部の吸収率
が異なる場合が多く、一般に、非晶質部の吸収率が結晶
部の吸収率より大きくなっている。このような場合、形
成されるマークの幅や長さは、新たに記録する以前の状
態が結晶であったか、非晶質であったかによって影響さ
れ、オーバライトによってジッタが大きく増加してしま
う。この問題を解決するための方法として、反射層にＳ
ｉや膜厚２０nm以下のＡｕを用いて、結晶部の吸収率を
非晶質部の吸収率より高くする方法が知られている。ま
た、オーバライト時に結晶部と非晶質部の感度差によっ
て生じるジッタは、ＤＣ消去を行うことによっても低減
することができる。ただしこの場合、情報の書換を行う
前に記録トラックを一度ＤＣ消去することになるので、
オーバライトはできないが、媒体構成を特に工夫しなく
てもマークエッジ記録を適用できるという利点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】相変化光ディスクで
は、成膜直後の記録膜は非晶質状態にあるため、記録開
始に先立ち記録膜を初期化、すなわち初期化を行わなけ
ればならない。初期化の方法としてはレーザ光を用いる
方法やフラッシュランプを用いる方法が知られている。
は、成膜直後の記録膜は非晶質状態にあるため、記録開
始に先立ち記録膜を初期化、すなわち初期化を行わなけ
ればならない。初期化の方法としてはレーザ光を用いる
方法やフラッシュランプを用いる方法が知られている。
【０００５】これまでに提案されている初期化方法は、
レーザビーム径を長くして結晶化温度以上に保持される
時間を確保する特開平０３−２７８３３８号公報や、初
期化によって記録層の組成分布を不均一にする特開平０
４−２０９３１７号公報などのように、消去率やＣ／Ｎ
の向上あるいは、初期化時間の短縮を目的としているも
のが多い。
レーザビーム径を長くして結晶化温度以上に保持される
時間を確保する特開平０３−２７８３３８号公報や、初
期化によって記録層の組成分布を不均一にする特開平０
４−２０９３１７号公報などのように、消去率やＣ／Ｎ
の向上あるいは、初期化時間の短縮を目的としているも
のが多い。
【０００６】しかしながら、相変化光ディスクでは、初
期化直後の初期の記録と情報の書換を繰り返し行った後
の記録で、記録特性が変動し、特にマークエッジ記録に
おいてエラーが増加するという問題があった。
期化直後の初期の記録と情報の書換を繰り返し行った後
の記録で、記録特性が変動し、特にマークエッジ記録に
おいてエラーが増加するという問題があった。
【０００７】そこで本発明の目的は、マークエッジ記録
適用時に、初期から繰り返し後にわたり記録特性が変動
しない相変化光ディスクの初期化方法を提供することに
ある。
適用時に、初期から繰り返し後にわたり記録特性が変動
しない相変化光ディスクの初期化方法を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明は、相変化光ディスクの初期化方法におい
て、成膜直後の前記相変化光ディスクに光を照射して初
期化結晶部を形成する初期化方法であって、情報の消去
を行う際に、初期化後に記録された記録非晶質マークを
結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対し
て、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが
｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす条件で
初期化することを特徴とする。
めに本発明は、相変化光ディスクの初期化方法におい
て、成膜直後の前記相変化光ディスクに光を照射して初
期化結晶部を形成する初期化方法であって、情報の消去
を行う際に、初期化後に記録された記録非晶質マークを
結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対し
て、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが
｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす条件で
初期化することを特徴とする。
【０００９】また、初期化後に同一の記録・消去パワで
情報の書換を繰り返し行った時に、繰り返し後の記録非
晶質マーク長Ｌａと、初期化後の最初の記録で形成され
る記録非晶質マーク長Ｌｉとが、｜Ｌｉ−Ｌａ｜＜０．
０５μm を満たすように、初期化光の強度を設定して初
期化することを特徴とする。
情報の書換を繰り返し行った時に、繰り返し後の記録非
晶質マーク長Ｌａと、初期化後の最初の記録で形成され
る記録非晶質マーク長Ｌｉとが、｜Ｌｉ−Ｌａ｜＜０．
０５μm を満たすように、初期化光の強度を設定して初
期化することを特徴とする。
【００１０】
【作用】マークの長さに情報を持たせるマークエッジ記
録では、記録マークの長さを高精度に制御する必要があ
る。
録では、記録マークの長さを高精度に制御する必要があ
る。
【００１１】初期化状態から繰り返しにともなう相変化
光ディスクの状態変化は、図３のように表現することが
できる。初記録の記録感度は、初期化結晶部の吸収率Ａ
ｉによって決まり、繰り返し後の記録感度は記録非晶質
マークを消去して形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに
よって決まる。
光ディスクの状態変化は、図３のように表現することが
できる。初記録の記録感度は、初期化結晶部の吸収率Ａ
ｉによって決まり、繰り返し後の記録感度は記録非晶質
マークを消去して形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに
よって決まる。
【００１２】相変化光ディスクには媒体構成により適し
た使用線速範囲があるので、Ａｅは媒体構成により一意
的な値をとる。一方初期化により成膜直後の記録膜を結
晶化させる場合、初期化結晶部の結晶状態は初期化方法
や初期化条件によって変化するので、ＡｉとＡｅは異な
る場合が多い。例えば直径１．５μm 程度の集光レーザ
ビームを用いて初期化を行う場合、初期化部の光学的な
特性は、初期化パワによって、図１に示すように変化す
る。従って、Ａｉ＜Ａｅとなる初期化パワＰｉ１で初期
化を行った場合、結晶非晶質間の反射率差を大きくする
ことができるのでＣ／Ｎを高くすることはできるが、初
期化部に比べて繰り返し後の消去部の方が記録感度が高
くなるため、記録マーク長が繰り返しとともに長くなっ
てしまう。Ａｉ＝Ａｅとなる初期化パワＰｉ０で初期化
を行えば、繰り返しによって記録感度が変化しないの
で、繰り返し記録を行っても記録マーク長は変動しな
い。Ａｉ＝Ａｅであることが望ましいが、エラーレート
に対して記録パワのマージンがあるので｜Ａｉ−Ａｅ｜
／Ａｅ＜０．０５であれば問題ない。
た使用線速範囲があるので、Ａｅは媒体構成により一意
的な値をとる。一方初期化により成膜直後の記録膜を結
晶化させる場合、初期化結晶部の結晶状態は初期化方法
や初期化条件によって変化するので、ＡｉとＡｅは異な
る場合が多い。例えば直径１．５μm 程度の集光レーザ
ビームを用いて初期化を行う場合、初期化部の光学的な
特性は、初期化パワによって、図１に示すように変化す
る。従って、Ａｉ＜Ａｅとなる初期化パワＰｉ１で初期
化を行った場合、結晶非晶質間の反射率差を大きくする
ことができるのでＣ／Ｎを高くすることはできるが、初
期化部に比べて繰り返し後の消去部の方が記録感度が高
くなるため、記録マーク長が繰り返しとともに長くなっ
てしまう。Ａｉ＝Ａｅとなる初期化パワＰｉ０で初期化
を行えば、繰り返しによって記録感度が変化しないの
で、繰り返し記録を行っても記録マーク長は変動しな
い。Ａｉ＝Ａｅであることが望ましいが、エラーレート
に対して記録パワのマージンがあるので｜Ａｉ−Ａｅ｜
／Ａｅ＜０．０５であれば問題ない。
【００１３】マーク長の変動は記録信号の２次高調波歪
みの変動に影響を及ぼすので、ＡｉがＡｅと等しくなる
条件を満たす初期化光の強度Ｐｉ０は次のように決定す
ることができる。ディスクの非使用領域に異なる強度の
光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を
形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで
繰り返し記録・消去を行う。初記録から繰り返し後にわ
たって記録信号の２次高調波歪みが一定となる初期化領
域がＡｉとＡｅが等しくなる初期化パワＰｉ０で初期化
された領域である。このようにして決定した初期化パワ
Ｐｉ０でディスクの使用領域を初期化すれば、初記録か
ら繰り返し後にわたって安定な記録を行うことができ
る。
みの変動に影響を及ぼすので、ＡｉがＡｅと等しくなる
条件を満たす初期化光の強度Ｐｉ０は次のように決定す
ることができる。ディスクの非使用領域に異なる強度の
光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を
形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで
繰り返し記録・消去を行う。初記録から繰り返し後にわ
たって記録信号の２次高調波歪みが一定となる初期化領
域がＡｉとＡｅが等しくなる初期化パワＰｉ０で初期化
された領域である。このようにして決定した初期化パワ
Ｐｉ０でディスクの使用領域を初期化すれば、初記録か
ら繰り返し後にわたって安定な記録を行うことができ
る。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について添付図面に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００１５】図２は本発明に係る光学情報記録媒体の断
面を示す図である。基板１上に下部保護層２、記録層
３、上部保護層４、反射層５を順次積層した構成であ
る。
面を示す図である。基板１上に下部保護層２、記録層
３、上部保護層４、反射層５を順次積層した構成であ
る。
【００１６】（実施例１）基板１としてポリカーボネー
ト（ＰＣ）を用い、下部保護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ
2 を２５０nm、記録層３としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を２
５nm、上部保護層４としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２０nm、
反射層５としてＡｌを６０nmを順次スパッタリングによ
り積層した。
ト（ＰＣ）を用い、下部保護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ
2 を２５０nm、記録層３としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を２
５nm、上部保護層４としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２０nm、
反射層５としてＡｌを６０nmを順次スパッタリングによ
り積層した。
【００１７】上記ディスクを用いて、初期化パワを変化
させて初期化を行い、繰り返しにともなうマーク長の変
化及びエラーレートの変化について調べた。初期化は、
波長８３０nm、集光ビーム径１．５μm の半導体レーザ
を用い、線速７．５ｍ／ｓにおいて初期化パワを４，
５，６，８ｍＷと変化させて行った。
させて初期化を行い、繰り返しにともなうマーク長の変
化及びエラーレートの変化について調べた。初期化は、
波長８３０nm、集光ビーム径１．５μm の半導体レーザ
を用い、線速７．５ｍ／ｓにおいて初期化パワを４，
５，６，８ｍＷと変化させて行った。
【００１８】初期化パワに依存して初期化部の反射率と
吸収率は図４に示すように変化した。各初期化条件ごと
に、初記録において記録信号の２次高調波歪み（２ｎｄ
Ｈ／Ｃ）が最少となる記録パワを求め、線速１１．３ｍ
／ｓにおいて各初期化条件ごとに同一の記録・消去パワ
で１００回繰り返し記録を行い、マーク長変動（初記録
のマーク長Ｌｉと繰り返し後のマーク長Ｌａ）、エラー
レートの変化を調べた。測定結果を表１に示す。
吸収率は図４に示すように変化した。各初期化条件ごと
に、初記録において記録信号の２次高調波歪み（２ｎｄ
Ｈ／Ｃ）が最少となる記録パワを求め、線速１１．３ｍ
／ｓにおいて各初期化条件ごとに同一の記録・消去パワ
で１００回繰り返し記録を行い、マーク長変動（初記録
のマーク長Ｌｉと繰り返し後のマーク長Ｌａ）、エラー
レートの変化を調べた。測定結果を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１に示すように、｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ
＜０．０５を満たしている初期化パワ５ｍＷや６ｍＷで
は、｜Ｌｉ−Ｌａ｜＜０．０５μm を満たしており、エ
ラーレートが常に１０-5以下である。
＜０．０５を満たしている初期化パワ５ｍＷや６ｍＷで
は、｜Ｌｉ−Ｌａ｜＜０．０５μm を満たしており、エ
ラーレートが常に１０-5以下である。
【００２１】（実施例２）基板１としてポリカーボネー
ト（ＰＣ）を用い、下部保護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ
2 を１００nm、記録層３としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１
５nm、上部保護層４としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２０nm、
反射層５としてＡｌを６０nmを順次スパッタリングによ
り積層した。
ト（ＰＣ）を用い、下部保護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ
2 を１００nm、記録層３としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１
５nm、上部保護層４としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２０nm、
反射層５としてＡｌを６０nmを順次スパッタリングによ
り積層した。
【００２２】初期化は波長８３０nm、集光ビーム径１０
０μm の高出力半導体レーザ（最高出力１Ｗ）を用い、
線速２ｍ／ｓにおいて、初期化パワを５３０，５５０，
５８０，６００ｍＷと変化させて行った。初期化を行っ
た後、実施例１と同様に線速１１．３ｍ／ｓにおいて記
録特性の変化を調べた。
０μm の高出力半導体レーザ（最高出力１Ｗ）を用い、
線速２ｍ／ｓにおいて、初期化パワを５３０，５５０，
５８０，６００ｍＷと変化させて行った。初期化を行っ
た後、実施例１と同様に線速１１．３ｍ／ｓにおいて記
録特性の変化を調べた。
【００２３】初期化パワに依存して初期化結晶部の吸収
率は図５に示すように変化した。各初期化条件ごとに、
初記録において記録信号の２次高調波歪み（２ｎｄＨ／
Ｃ）が最少となる記録パワを求め、線速１１．３ｍ／ｓ
において各初期化条件ごとに同一の記録・消去パワで１
００回繰り返し記録を行い、マーク長変動（初記録のマ
ーク長Ｌｉと繰り返し後のマーク長Ｌａ）、エラーレー
トの変化を調べた。測定結果を表２に示す。
率は図５に示すように変化した。各初期化条件ごとに、
初記録において記録信号の２次高調波歪み（２ｎｄＨ／
Ｃ）が最少となる記録パワを求め、線速１１．３ｍ／ｓ
において各初期化条件ごとに同一の記録・消去パワで１
００回繰り返し記録を行い、マーク長変動（初記録のマ
ーク長Ｌｉと繰り返し後のマーク長Ｌａ）、エラーレー
トの変化を調べた。測定結果を表２に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】表２に示すように、｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ
＜０．０５を満たしている初期化パワ５５０ｍＷや５８
０ｍＷでは、｜Ｌｉ−Ｌａ｜＜０．０５μm を満たして
おり、エラーレートが常に１０-5以下である。
＜０．０５を満たしている初期化パワ５５０ｍＷや５８
０ｍＷでは、｜Ｌｉ−Ｌａ｜＜０．０５μm を満たして
おり、エラーレートが常に１０-5以下である。
【００２６】（実施例３）基板１としてポリカーボネー
ト（ＰＣ）を用い、下部保護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ
2 を１００nm、記録層３としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１
５nm、上部保護層４としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を４０nm、
反射層５としてＡｌを６０nmを順次スパッタリングによ
り積層した。
ト（ＰＣ）を用い、下部保護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ
2 を１００nm、記録層３としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１
５nm、上部保護層４としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を４０nm、
反射層５としてＡｌを６０nmを順次スパッタリングによ
り積層した。
【００２７】初期化にはフラッシュランプを用い、照射
ランプ強度を変化させて初期化を行い、繰り返しにとも
なう記録特性の変化を調べた。フラッシュランプにより
供給されるエネルギーに依存して初期化部の吸収率は図
６に示すように変化した。
ランプ強度を変化させて初期化を行い、繰り返しにとも
なう記録特性の変化を調べた。フラッシュランプにより
供給されるエネルギーに依存して初期化部の吸収率は図
６に示すように変化した。
【００２８】各初期化条件ごとに、初記録において記録
信号の２次高調波歪み（２ｎｄＨ／Ｃ）が最少となる記
録パワを求め、線速１１．３ｍ／ｓにおいて各初期化条
件ごとに同一の記録・消去パワで１００回繰り返し記録
を行い、マーク長変動（初記録のマーク長Ｌｉと繰り返
し後のマーク長Ｌａ）、エラーレートの変化を調べた。
測定結果を表２に示す。実施例１と同じ条件で測定を行
い、繰り返しにともなう３．３９ＭＨｚの信号のマーク
長の変動を調べた。測定結果を表３に示す。
信号の２次高調波歪み（２ｎｄＨ／Ｃ）が最少となる記
録パワを求め、線速１１．３ｍ／ｓにおいて各初期化条
件ごとに同一の記録・消去パワで１００回繰り返し記録
を行い、マーク長変動（初記録のマーク長Ｌｉと繰り返
し後のマーク長Ｌａ）、エラーレートの変化を調べた。
測定結果を表２に示す。実施例１と同じ条件で測定を行
い、繰り返しにともなう３．３９ＭＨｚの信号のマーク
長の変動を調べた。測定結果を表３に示す。
【００２９】
【表３】
【００３０】表３に示すように、｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ
＝０となっている初期化パワ２．２ＫＪでは、エラーレ
ートが常に１０-5以下である。
＝０となっている初期化パワ２．２ＫＪでは、エラーレ
ートが常に１０-5以下である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、マ
ークエッジ記録適用時に、初記録から繰り返し後にわた
ってマーク長変動の小さい安定した記録を行うことが可
能となる。
ークエッジ記録適用時に、初記録から繰り返し後にわた
ってマーク長変動の小さい安定した記録を行うことが可
能となる。
【図１】本発明にかかる相変化光ディスクの光学特性を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明にかかる相変化光ディスクの媒体構成の
１例の断面を示す図である。
１例の断面を示す図である。
【図３】初期化状態から繰り返しにともなう相変化光デ
ィスクの状態変化を示す図である。
ィスクの状態変化を示す図である。
【図４】初期化パワと、初期化部の反射率と吸収率の相
関関係を示した図である。
関関係を示した図である。
【図５】初期化パワと初期化部の吸収率の相関を示した
図である。
図である。
【図６】初期化パワと初期化部の吸収率の相関を示した
図である。
図である。
１ 基板 ２ 下部保護層 ３ 記録層 ４ 上部保護層 ５ 反射層
Claims (2)
- 【請求項１】記録膜の結晶状態と非晶質状態の間の可逆
な相変化を用いて情報の記録・消去・再生を行い、特に
記録非晶質マークの両端に情報を記録するマークエッジ
記録を用いる相変化光ディスクの初期化方法において、
成膜直後の前記相変化光ディスクに光を照射して初期化
結晶部を形成する初期化方法であって、情報の消去を行
う際に、初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶
化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、
初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａ
ｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす条件で初期
化することを特徴とする相変化光ディスクの初期化方
法。 - 【請求項２】初期化後に同一の記録・消去パワで情報の
書換を繰り返し行った時に、繰り返し後の記録非晶質マ
ーク長Ｌａと、初期化後の最初の記録で形成される記録
非晶質マーク長Ｌｉとが、｜Ｌｉ−Ｌａ｜＜０．０５μ
m を満たすように、初期化光の強度を設定して初期化す
ることを特徴とする請求項１記載の相変化光ディスクの
初期化方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6315243A JP2643883B2 (ja) | 1994-04-15 | 1994-12-19 | 相変化光ディスクの初期化方法 |
| US08/421,490 US5557599A (en) | 1994-04-15 | 1995-04-13 | Method for initializing a phase-change type of optical disk utilizing either absorption rates or mark lengths |
| EP95105756A EP0677840B1 (en) | 1994-04-15 | 1995-04-18 | Method for initializing an optical disk |
| DE69515357T DE69515357T2 (de) | 1994-04-15 | 1995-04-18 | Verfahren zur Initialisierung einer optischen Platte |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-76786 | 1994-04-15 | ||
| JP7678694 | 1994-04-15 | ||
| JP6315243A JP2643883B2 (ja) | 1994-04-15 | 1994-12-19 | 相変化光ディスクの初期化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07334845A true JPH07334845A (ja) | 1995-12-22 |
| JP2643883B2 JP2643883B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=26417917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6315243A Expired - Lifetime JP2643883B2 (ja) | 1994-04-15 | 1994-12-19 | 相変化光ディスクの初期化方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5557599A (ja) |
| EP (1) | EP0677840B1 (ja) |
| JP (1) | JP2643883B2 (ja) |
| DE (1) | DE69515357T2 (ja) |
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- 1995-04-18 EP EP95105756A patent/EP0677840B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP2643883B2 (ja) | 1997-08-20 |
| DE69515357T2 (de) | 2000-12-07 |
| EP0677840B1 (en) | 2000-03-08 |
| EP0677840A1 (en) | 1995-10-18 |
| DE69515357D1 (de) | 2000-04-13 |
| US5557599A (en) | 1996-09-17 |
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