JP3033559B2 - 相変化光ディスクの初期化方法 - Google Patents
相変化光ディスクの初期化方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱履歴の違いによ
り誘起される相変化にともなう光学定数の変化を利用し
て情報の記録・消去を行う光学情報記録媒体すなわち相
変化光ディスクに関する。
り誘起される相変化にともなう光学定数の変化を利用し
て情報の記録・消去を行う光学情報記録媒体すなわち相
変化光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光の照射によって情報の記録・消
去・再生を行う光学情報記録媒体としては、光磁気ディ
スクや相変化光ディスクなどが知られている。このう
ち、例えば相変化光ディスクでは、図２に示すように、
基板１上に下部保護層２、記録層３、上部保護層４、反
射層５がこの順に設けられた４層構成が通常用いられ
る。情報の記録・消去はレーザ光の照射による昇温・冷
却の熱履歴の違いによって誘起される記録層の非晶質・
結晶間の相変化を利用して行われる。すなわち、記録層
を溶融し急冷することにより非晶質化させ記録を行い、
また、結晶化温度以上に一定時間保持することにより結
晶化させ、消去を行う。信号の再生は非晶質・結晶間の
反射率差を利用して行われる。下部保護層２、記録層
３、上部保護層４及び反射層５のそれぞれの膜厚は、感
度、Ｃ／Ｎ、消去率、書換可能繰り返し回数などの観点
から最適化される。
去・再生を行う光学情報記録媒体としては、光磁気ディ
スクや相変化光ディスクなどが知られている。このう
ち、例えば相変化光ディスクでは、図２に示すように、
基板１上に下部保護層２、記録層３、上部保護層４、反
射層５がこの順に設けられた４層構成が通常用いられ
る。情報の記録・消去はレーザ光の照射による昇温・冷
却の熱履歴の違いによって誘起される記録層の非晶質・
結晶間の相変化を利用して行われる。すなわち、記録層
を溶融し急冷することにより非晶質化させ記録を行い、
また、結晶化温度以上に一定時間保持することにより結
晶化させ、消去を行う。信号の再生は非晶質・結晶間の
反射率差を利用して行われる。下部保護層２、記録層
３、上部保護層４及び反射層５のそれぞれの膜厚は、感
度、Ｃ／Ｎ、消去率、書換可能繰り返し回数などの観点
から最適化される。
【０００３】高密度化には、記録マークの両端に情報を
持たせるマークエッジ記録が有効である。しかし、信号
の再生に結晶・非晶質間の反射率差を利用している相変
化光ディスクでは、結晶部の吸収率と非晶質部の吸収率
が異なる場合が多く、一般に、非晶質部の吸収率が結晶
部の吸収率より大きくなっている。このような場合、形
成されるマークの幅や長さは、新たに記録する以前の状
態が結晶であったか、非晶質であったかによって影響さ
れ、オーバライトによってジッタが大きく増加してしま
う。従って、相変化光ディスクにおいてジッタを低減
し、マークエッジ記録を実現するには、レーザ光照射時
の昇温量を非晶質部と結晶部とで等しくする必要があ
る。ところで、結晶状態の方が熱伝導率が高いこと、潜
熱が大きいことを考慮すると、結晶部の吸収率を非晶質
部の吸収率より大きくすることが望ましい。
持たせるマークエッジ記録が有効である。しかし、信号
の再生に結晶・非晶質間の反射率差を利用している相変
化光ディスクでは、結晶部の吸収率と非晶質部の吸収率
が異なる場合が多く、一般に、非晶質部の吸収率が結晶
部の吸収率より大きくなっている。このような場合、形
成されるマークの幅や長さは、新たに記録する以前の状
態が結晶であったか、非晶質であったかによって影響さ
れ、オーバライトによってジッタが大きく増加してしま
う。従って、相変化光ディスクにおいてジッタを低減
し、マークエッジ記録を実現するには、レーザ光照射時
の昇温量を非晶質部と結晶部とで等しくする必要があ
る。ところで、結晶状態の方が熱伝導率が高いこと、潜
熱が大きいことを考慮すると、結晶部の吸収率を非晶質
部の吸収率より大きくすることが望ましい。
【０００４】相変化光ディスクでは、成膜直後の記録膜
は非晶質状態にあるため、記録開始に先立ち記録膜を結
晶化、すなわち初期化を行わなければならない。初期化
の方法としてはレーザ光を用いる方法やフラッシュラン
プを用いる方法が知られている。初期化状態から繰り返
しオーバライトにともなう相変化光ディスクの状態変化
は、図３のように表現することができる。初期のオーバ
ライトにおけるジッタは、初期化部の吸収率Ａi と記録
非晶質部の吸収率Ａa の差によって、また、繰り返しオ
ーバライト後のジッタは、消去部の吸収率Ａe と非晶質
部の吸収率Ａaの差によって決まる。繰り返しオーバラ
イト後に低ジッタであるためには、前述したように結晶
部の吸収率を非晶質部の吸収率より大きくする必要があ
る。すなわち、Ａe ＞Ａa となるように図２に示す媒体
構成の各層の膜厚を最適化する必要がある。これを実現
するための方法として、反射層にＳｉや膜厚２０nm以下
のＡｕを用いる方法が知られている（特開平１−１４９
２３８号公報）。
は非晶質状態にあるため、記録開始に先立ち記録膜を結
晶化、すなわち初期化を行わなければならない。初期化
の方法としてはレーザ光を用いる方法やフラッシュラン
プを用いる方法が知られている。初期化状態から繰り返
しオーバライトにともなう相変化光ディスクの状態変化
は、図３のように表現することができる。初期のオーバ
ライトにおけるジッタは、初期化部の吸収率Ａi と記録
非晶質部の吸収率Ａa の差によって、また、繰り返しオ
ーバライト後のジッタは、消去部の吸収率Ａe と非晶質
部の吸収率Ａaの差によって決まる。繰り返しオーバラ
イト後に低ジッタであるためには、前述したように結晶
部の吸収率を非晶質部の吸収率より大きくする必要があ
る。すなわち、Ａe ＞Ａa となるように図２に示す媒体
構成の各層の膜厚を最適化する必要がある。これを実現
するための方法として、反射層にＳｉや膜厚２０nm以下
のＡｕを用いる方法が知られている（特開平１−１４９
２３８号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの媒体
構成における初期化方法については、具体的検討がなさ
れていなかった。これまでに提案されている初期化方法
は、レーザビーム径を長くして結晶化温度以上に保持さ
れる時間を確保する特開平３−２７８３３８号公報や、
初期化によって記録層の組成分布を不均一にする特開平
４−２０９３１７号公報などのように、消去率やＣ／Ｎ
の向上あるいは、初期化時間の短縮を目的としているも
のが多い。しかしながら、相変化光ディスクでは、初期
のオーバライトと繰り返し後のオーバライトでジッタや
消去率が異なるという問題があった。また、マークエッ
ジ記録においては消去率が高くてもジッタが高くなる場
合があり、消去率を高めようとする初期化条件がマーク
エッジ記録に適しているとは言えない。
構成における初期化方法については、具体的検討がなさ
れていなかった。これまでに提案されている初期化方法
は、レーザビーム径を長くして結晶化温度以上に保持さ
れる時間を確保する特開平３−２７８３３８号公報や、
初期化によって記録層の組成分布を不均一にする特開平
４−２０９３１７号公報などのように、消去率やＣ／Ｎ
の向上あるいは、初期化時間の短縮を目的としているも
のが多い。しかしながら、相変化光ディスクでは、初期
のオーバライトと繰り返し後のオーバライトでジッタや
消去率が異なるという問題があった。また、マークエッ
ジ記録においては消去率が高くてもジッタが高くなる場
合があり、消去率を高めようとする初期化条件がマーク
エッジ記録に適しているとは言えない。
【０００６】そこで本発明の目的は、マークエッジ記録
適用時に、初期から安定したオーバライト特性を得るこ
とができる相変化光ディスクの初期化方法を提供するこ
とにある。
適用時に、初期から安定したオーバライト特性を得るこ
とができる相変化光ディスクの初期化方法を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、相変化光ディスクの初期化方法において、
光照射により初期化した結晶部の吸収率Ａi と非晶質部
の吸収率Ａa の関係がＡi ＞Ａa となる条件で初期化す
ることを特徴とする。
に本発明は、相変化光ディスクの初期化方法において、
光照射により初期化した結晶部の吸収率Ａi と非晶質部
の吸収率Ａa の関係がＡi ＞Ａa となる条件で初期化す
ることを特徴とする。
【０００８】
【作用】初期化部と消去部とは両方とも結晶状態ではあ
るが、初期化部の結晶状態は初期化方法や初期化条件に
よって変化するので、初期化部の吸収率Ａi と消去部の
吸収率Ａe は常に等しいとは限らない。従って、Ａe ＞
Ａa となるように媒体構成を最適化しても、初期化条件
によっては初期のオーバライトから低ジッタを実現でき
るわけではない。初期化光を照射した後形成される結晶
部の光学的な特性は、その初期化光の強度に依存して変
化する。例えば直径１．５μｍ程度の集光レーザビーム
を用いて初期化を行う場合、初期化光により形成される
結晶部の光学的な特性は、初期化パワによって、図１に
示すように変化する。従って、初期化部の吸収率Ａi と
記録部の吸収率Ａa がＡi ＜Ａa となる初期化パワＰi1
やＰi2で初期化を行った場合、結晶非晶質間の反射率差
を大きくすることができるのでＣ／Ｎを高くすることは
できるが、初期化部と非晶質部で感度が異なるために、
初期のオーバライトでは高ジッタとなってしまう。初期
から低ジッタを実現するには、Ａi ＞Ａa となる初期化
パワＰi0で初期化を行う必要がある。
るが、初期化部の結晶状態は初期化方法や初期化条件に
よって変化するので、初期化部の吸収率Ａi と消去部の
吸収率Ａe は常に等しいとは限らない。従って、Ａe ＞
Ａa となるように媒体構成を最適化しても、初期化条件
によっては初期のオーバライトから低ジッタを実現でき
るわけではない。初期化光を照射した後形成される結晶
部の光学的な特性は、その初期化光の強度に依存して変
化する。例えば直径１．５μｍ程度の集光レーザビーム
を用いて初期化を行う場合、初期化光により形成される
結晶部の光学的な特性は、初期化パワによって、図１に
示すように変化する。従って、初期化部の吸収率Ａi と
記録部の吸収率Ａa がＡi ＜Ａa となる初期化パワＰi1
やＰi2で初期化を行った場合、結晶非晶質間の反射率差
を大きくすることができるのでＣ／Ｎを高くすることは
できるが、初期化部と非晶質部で感度が異なるために、
初期のオーバライトでは高ジッタとなってしまう。初期
から低ジッタを実現するには、Ａi ＞Ａa となる初期化
パワＰi0で初期化を行う必要がある。
【０００９】また、最適な初期化条件は初期化部上に形
成されるマークのマーク長Ｍi と、非晶質部上に形成さ
れるマークのマーク長Ｍa との関係を用いても規定する
ことができる。マーク長の分布が、初期化部上に記録さ
れるマークでは平均値Ｍi 、標準偏差σ0 のガウス分
布、非晶質部上にオーバライトされるマークでは平均値
Ｍa 、標準偏差σ0 のガウス分布をしているとする。旧
記録データの倍の記録周波数でオーバライトを行った場
合、ジッタσはσ2 ＝σ0 2＋（Ｍa −Ｍi ）2 ／（４＊
Ｖ2 ）で表される。ここで、Ｖは線速を表している。エ
ラーレート１０-4以下を実現するには、σ×Ｖ＜０．０
３μm が要求されるので、σ0 ×Ｖ＝０．０１５μm と
すると、｜Ｍa −Ｍi ｜＜０．０５μm でなければなら
ない。
成されるマークのマーク長Ｍi と、非晶質部上に形成さ
れるマークのマーク長Ｍa との関係を用いても規定する
ことができる。マーク長の分布が、初期化部上に記録さ
れるマークでは平均値Ｍi 、標準偏差σ0 のガウス分
布、非晶質部上にオーバライトされるマークでは平均値
Ｍa 、標準偏差σ0 のガウス分布をしているとする。旧
記録データの倍の記録周波数でオーバライトを行った場
合、ジッタσはσ2 ＝σ0 2＋（Ｍa −Ｍi ）2 ／（４＊
Ｖ2 ）で表される。ここで、Ｖは線速を表している。エ
ラーレート１０-4以下を実現するには、σ×Ｖ＜０．０
３μm が要求されるので、σ0 ×Ｖ＝０．０１５μm と
すると、｜Ｍa −Ｍi ｜＜０．０５μm でなければなら
ない。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について添
付図面に基づいて説明する。
付図面に基づいて説明する。
【００１１】図２は本発明に係る光学情報記録媒体の断
面を示す図である。基板１上に下部保護層２、記録層
３、上部保護層４、反射層５を順次積層した構成であ
る。
面を示す図である。基板１上に下部保護層２、記録層
３、上部保護層４、反射層５を順次積層した構成であ
る。
【００１２】実施例１ 基板１としてポリカーボネート（ＰＣ）を用い、下部保
護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１００nm、記録層３と
してＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１７nm、上部保護層４として
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２０nm、反射層５としてＡｌを６０
nmを順次スパッタリングにより積層した。
護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１００nm、記録層３と
してＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１７nm、上部保護層４として
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２０nm、反射層５としてＡｌを６０
nmを順次スパッタリングにより積層した。
【００１３】上記ディスクを用いて、初期化パワを変化
させて初期化を行い、繰り返しにともなうオーバライト
特性の変化について調べた。
させて初期化を行い、繰り返しにともなうオーバライト
特性の変化について調べた。
【００１４】初期化は、波長８３０nm、集光ビーム径
１．５μm の半導体レーザを用い、線速７．５ｍ／ｓに
おいて初期化パワを６，８，１０ｍＷと変化させて行っ
た。オーバライト特性の測定は、波長８３０nmの半導体
レーザを用い、線速１１．３ｍ／ｓにおいて、１．０６
ＭＨｚ，ｄｕｔｙ＝４５％の信号と２．１２ＭＨｚ，ｄ
ｕｔｙ＝４５％の信号を交互にオーバライトして行っ
た。
１．５μm の半導体レーザを用い、線速７．５ｍ／ｓに
おいて初期化パワを６，８，１０ｍＷと変化させて行っ
た。オーバライト特性の測定は、波長８３０nmの半導体
レーザを用い、線速１１．３ｍ／ｓにおいて、１．０６
ＭＨｚ，ｄｕｔｙ＝４５％の信号と２．１２ＭＨｚ，ｄ
ｕｔｙ＝４５％の信号を交互にオーバライトして行っ
た。
【００１５】初期化パワに依存して初期化光により形成
される結晶部の反射率と吸収率は図４に示すように変化
した。非晶質部の吸収率は７０％であった。図５に示す
ように、繰り返しオーバライト後の特性は初期化条件に
は依存しない。これに対し、初期のオーバライト特性は
初期化条件によって大きく変化する。Ａi ＝Ａa となっ
ている初期化パワ８ｍＷの条件では、図６の再生波形か
ら分かるように、初期化部の反射率と結晶部の反射率が
ほぼ等しいために消去率は高いものの、レーザ照射時の
昇温量が初期化部と記録非晶質部で異なるため、ジッタ
は２極分化し増加している。初期化パワ１０ｍＷの条件
では、初期化部と非晶質部の反射率差が大きいので高Ｃ
／Ｎとなるが、レーザ照射時の昇温量が初期化部と消去
部で異なるので、やはりジッタは２極分化してしまう。
一方、Ａi ＞Ａa となっている初期化パワ６ｍＷの条件
では、初期化部の反射率が消去部の反射率より低いの
で、消去率はやや低いものの、レーザ照射時の昇温量が
初期化部と消去部で等しいので、ジッタは２極分化せず
初期から繰り返し後にわたって低い値となっている。
される結晶部の反射率と吸収率は図４に示すように変化
した。非晶質部の吸収率は７０％であった。図５に示す
ように、繰り返しオーバライト後の特性は初期化条件に
は依存しない。これに対し、初期のオーバライト特性は
初期化条件によって大きく変化する。Ａi ＝Ａa となっ
ている初期化パワ８ｍＷの条件では、図６の再生波形か
ら分かるように、初期化部の反射率と結晶部の反射率が
ほぼ等しいために消去率は高いものの、レーザ照射時の
昇温量が初期化部と記録非晶質部で異なるため、ジッタ
は２極分化し増加している。初期化パワ１０ｍＷの条件
では、初期化部と非晶質部の反射率差が大きいので高Ｃ
／Ｎとなるが、レーザ照射時の昇温量が初期化部と消去
部で異なるので、やはりジッタは２極分化してしまう。
一方、Ａi ＞Ａa となっている初期化パワ６ｍＷの条件
では、初期化部の反射率が消去部の反射率より低いの
で、消去率はやや低いものの、レーザ照射時の昇温量が
初期化部と消去部で等しいので、ジッタは２極分化せず
初期から繰り返し後にわたって低い値となっている。
【００１６】１．０６ＭＨｚの信号に２．１２ＭＨｚの
信号を１回オーバライトしたトラックのＴＥＭ観察を行
い初期化条件とマーク長の関係を調べた。ジッタ増加が
少ない初期化パワ６ｍＷの条件で初期化を行ったトラッ
クでは、初期化部上に記録されたマークのマーク長Ｍi
が２．３４μm 、非晶質部上にオーバライトして形成さ
れるマークのマーク長Ｍa が２．３８μm であった。一
方、ジッタ増加が大きい初期化パワ８ｍＷの条件では、
Ｍi が２．３１μm でＭa との差は０．０７μm であっ
た。また同様に大幅にジッタが増加している初期化パワ
１０ｍＷの条件では、Ｍi は２．２６μm であり、Ｍa
との差は０．１２μm であった。
信号を１回オーバライトしたトラックのＴＥＭ観察を行
い初期化条件とマーク長の関係を調べた。ジッタ増加が
少ない初期化パワ６ｍＷの条件で初期化を行ったトラッ
クでは、初期化部上に記録されたマークのマーク長Ｍi
が２．３４μm 、非晶質部上にオーバライトして形成さ
れるマークのマーク長Ｍa が２．３８μm であった。一
方、ジッタ増加が大きい初期化パワ８ｍＷの条件では、
Ｍi が２．３１μm でＭa との差は０．０７μm であっ
た。また同様に大幅にジッタが増加している初期化パワ
１０ｍＷの条件では、Ｍi は２．２６μm であり、Ｍa
との差は０．１２μm であった。
【００１７】実施例２ 基板１としてポリカーボネート（ＰＣ）を用い、下部保
護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２５０nm、記録層３と
してＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１５nm、上部保護層４として
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１８nm、反射層５としてＳｉを６５
nmを順次スパッタリングにより積層した。
護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２５０nm、記録層３と
してＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１５nm、上部保護層４として
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１８nm、反射層５としてＳｉを６５
nmを順次スパッタリングにより積層した。
【００１８】初期化にはフラッシュランプを用い、照射
ランプ強度を変化させて初期化を行い、繰り返しにとも
なうオーバライト特性の変化について調べた。フラッシ
ュランプにより供給されるエネルギーに依存して初期化
部の吸収率は図７に示すように変化した。一方、非晶質
部の吸収率は５８％であった。
ランプ強度を変化させて初期化を行い、繰り返しにとも
なうオーバライト特性の変化について調べた。フラッシ
ュランプにより供給されるエネルギーに依存して初期化
部の吸収率は図７に示すように変化した。一方、非晶質
部の吸収率は５８％であった。
【００１９】波長８３０nmの半導体レーザを用い、線速
２０ｍ／ｓにおいて、２．１２ＭＨｚ，ｄｕｔｙ＝４５
％の信号と３．３９ＭＨｚ，ｄｕｔｙ＝４５％の信号を
交互にオーバライトしてジッタを測定した。図８に示す
ように、Ａi ＞Ａa を満たす２．６ＫＪで初期化を行っ
た場合は、初期から繰り返し後にわたって低ジッタとな
っている。これに対し、Ａi ＝Ａa となる２．９ＫＪで
初期化を行った場合は、初期のオーバライトで高ジッタ
であった。
２０ｍ／ｓにおいて、２．１２ＭＨｚ，ｄｕｔｙ＝４５
％の信号と３．３９ＭＨｚ，ｄｕｔｙ＝４５％の信号を
交互にオーバライトしてジッタを測定した。図８に示す
ように、Ａi ＞Ａa を満たす２．６ＫＪで初期化を行っ
た場合は、初期から繰り返し後にわたって低ジッタとな
っている。これに対し、Ａi ＝Ａa となる２．９ＫＪで
初期化を行った場合は、初期のオーバライトで高ジッタ
であった。
【００２０】２．１２ＭＨｚの信号に３．３９ＭＨｚの
信号を１回オーバライトしたトラックのＴＥＭ観察を行
い初期化条件とマーク長を調べた。ジッタ増加が少ない
２．６ＫＪの条件で初期化を行ったトラックでは、初期
化部上に記録されたマークのマーク長Ｍi が２．９７μ
m 、非晶質部上にオーバライトして形成されるマークの
マーク長Ｍa が２．９５μm であった。一方、ジッタ増
加が大きい２．９ＫＪの条件では、Ｍi が２．８８μm
でＭa との差は０．０７μm であった。
信号を１回オーバライトしたトラックのＴＥＭ観察を行
い初期化条件とマーク長を調べた。ジッタ増加が少ない
２．６ＫＪの条件で初期化を行ったトラックでは、初期
化部上に記録されたマークのマーク長Ｍi が２．９７μ
m 、非晶質部上にオーバライトして形成されるマークの
マーク長Ｍa が２．９５μm であった。一方、ジッタ増
加が大きい２．９ＫＪの条件では、Ｍi が２．８８μm
でＭa との差は０．０７μm であった。
【００２１】実施例３ 基板１としてポリカーボネート（ＰＣ）を用い、下部保
護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２００nm、記録層３と
してＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１０nm、上部保護層４として
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１８nm、反射層５としてＳｉを６０
nmを順次スパッタリングにより積層した。
護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２００nm、記録層３と
してＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１０nm、上部保護層４として
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１８nm、反射層５としてＳｉを６０
nmを順次スパッタリングにより積層した。
【００２２】上記ディスクを用いて、初期化パワを変化
させて初期化を行い、初期オーバライトにおけるエラー
レートを測定した。
させて初期化を行い、初期オーバライトにおけるエラー
レートを測定した。
【００２３】初期化は、波長８３０nm、集光ビーム径
１．５μm の半導体レーザを用い、線速７．５ｍ／ｓに
おいて初期化パワを４，６，８ｍＷと変化させて行っ
た。初期化後、波長６９０nmの半導体レーザを用い、線
速１０ｍ／ｓにおいて、（１−７）変調、最短マーク長
０．７μm の条件で記録を行い、エラーレートを測定し
た。図９に示すように、繰り返しオーバライト後では初
期化条件によらず、エラーレートは１０-4以下となって
いる。これに対し、初期化パワ４ｍＷの条件では、エラ
ーレートは初期から１０-4以下であるが、初期化パワ６
ｍＷや初期化パワ８ｍＷの条件では、初期のオーバライ
トにおいてエラーレートが悪化していることが分かる。
１．５μm の半導体レーザを用い、線速７．５ｍ／ｓに
おいて初期化パワを４，６，８ｍＷと変化させて行っ
た。初期化後、波長６９０nmの半導体レーザを用い、線
速１０ｍ／ｓにおいて、（１−７）変調、最短マーク長
０．７μm の条件で記録を行い、エラーレートを測定し
た。図９に示すように、繰り返しオーバライト後では初
期化条件によらず、エラーレートは１０-4以下となって
いる。これに対し、初期化パワ４ｍＷの条件では、エラ
ーレートは初期から１０-4以下であるが、初期化パワ６
ｍＷや初期化パワ８ｍＷの条件では、初期のオーバライ
トにおいてエラーレートが悪化していることが分かる。
【００２４】非晶質部と初期化部の感度差とエラーレー
ト変動の関係を調べるために、各初期化条件ごとに、線
速１０ｍ／ｓにおいて、まず初めに１．０５ＭＨｚ，ｄ
ｕｔｙ＝５０％の信号を記録した後、２．１２ＭＨｚ，
ｄｕｔｙ＝５０％の信号をオーバライトしＴＥＭ観察を
行った。エラーレートが初期から安定して１０-4以下と
なっている初期化パワ４ｍＷの条件で、初期化部上に記
録されたマークのマーク長Ｍi が２．３６μm 、非晶質
部上にオーバライトして形成されるマークのマーク長Ｍ
a が２．３８μm であった。一方、エラーレートが変動
している初期化パワ６ｍＷの条件では、Ｍi が２．３２
μm でＭa との差は０．０６μm であった。また同様に
エラーレートが変動している初期化パワ８ｍＷの条件で
は、Ｍiは２．２５μm であり、Ｍa との差は０．１１
μm であった。
ト変動の関係を調べるために、各初期化条件ごとに、線
速１０ｍ／ｓにおいて、まず初めに１．０５ＭＨｚ，ｄ
ｕｔｙ＝５０％の信号を記録した後、２．１２ＭＨｚ，
ｄｕｔｙ＝５０％の信号をオーバライトしＴＥＭ観察を
行った。エラーレートが初期から安定して１０-4以下と
なっている初期化パワ４ｍＷの条件で、初期化部上に記
録されたマークのマーク長Ｍi が２．３６μm 、非晶質
部上にオーバライトして形成されるマークのマーク長Ｍ
a が２．３８μm であった。一方、エラーレートが変動
している初期化パワ６ｍＷの条件では、Ｍi が２．３２
μm でＭa との差は０．０６μm であった。また同様に
エラーレートが変動している初期化パワ８ｍＷの条件で
は、Ｍiは２．２５μm であり、Ｍa との差は０．１１
μm であった。
【００２５】以上の実施例では、基板としてポリカーボ
ネート（ＰＣ）を用い、保護層としてＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 、記録層としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を用いている
が、本発明はこれに限定されるものではない。また、初
期化に半導体レーザ、フラッシュランプを用いたが、こ
れに限定されるものではない。
ネート（ＰＣ）を用い、保護層としてＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 、記録層としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を用いている
が、本発明はこれに限定されるものではない。また、初
期化に半導体レーザ、フラッシュランプを用いたが、こ
れに限定されるものではない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、初
記録から繰り返しオーバライト後にわたってマークエッ
ジ記録時のジッタが小さい媒体を提供することができる
ので、高密度化を実現することができる。
記録から繰り返しオーバライト後にわたってマークエッ
ジ記録時のジッタが小さい媒体を提供することができる
ので、高密度化を実現することができる。
【図１】本発明にかかる相変化光ディスクの光学特性を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明にかかる相変化光ディスクの媒体構成の
１例の断面を示す図である。
１例の断面を示す図である。
【図３】相変化光ディスクの状態変化を示す図である。
【図４】本発明の実施例における初期化パワと反射率お
よび吸収率の関係を示す図である。
よび吸収率の関係を示す図である。
【図５】本発明の実施例における繰り返しオーバライト
回数と消去率およびジッタの関係を示す図である。
回数と消去率およびジッタの関係を示す図である。
【図６】本発明の実施例における再生波形とジッタ分布
を示す図である。
を示す図である。
【図７】本発明の実施例における初期化エネルギーと吸
収率の関係を示す図である。
収率の関係を示す図である。
【図８】本発明の実施例における繰り返しオーバライト
回数とジッタの関係を示す図である。
回数とジッタの関係を示す図である。
【図９】本発明の実施例における繰り返しオーバライト
回数とエラーレートの関係を示す図である。
回数とエラーレートの関係を示す図である。
１ 基板 ２ 下部保護層 ３ 記録層 ４ 上部保護層 ５ 反射層
Claims (1)
- 【請求項１】マークエッジ記録を用いて情報の記録・消
去・再生を行う相変化光ディスクの初期化方法におい
て、光照射により初期化した結晶部の吸収率Ａi と非晶
質部の吸収率Ａa の関係がＡi ＞Ａa を満たすべく光エ
ネルギーを相変化光ディスクに供給して初期化すること
を特徴とする相変化光ディスクの初期化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10165767A JP3033559B2 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | 相変化光ディスクの初期化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10165767A JP3033559B2 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | 相変化光ディスクの初期化方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5971594A Division JPH07272272A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 相変化光ディスクの初期化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH113522A JPH113522A (ja) | 1999-01-06 |
| JP3033559B2 true JP3033559B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=15818661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10165767A Expired - Fee Related JP3033559B2 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | 相変化光ディスクの初期化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3033559B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6017088B1 (ja) * | 2016-08-08 | 2016-10-26 | 株式会社環境測定サービス | ムクドリ集団追い払い方法及びムクドリ集団追い払い具 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6537721B2 (en) * | 1999-02-15 | 2003-03-25 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for its initialization |
| US6683275B2 (en) | 2000-06-23 | 2004-01-27 | Memex Optical Media Solutions Ag | Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium |
| JP7494496B2 (ja) | 2020-03-09 | 2024-06-04 | 住友ゴム工業株式会社 | タイヤ |
-
1998
- 1998-06-15 JP JP10165767A patent/JP3033559B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP6017088B1 (ja) * | 2016-08-08 | 2016-10-26 | 株式会社環境測定サービス | ムクドリ集団追い払い方法及びムクドリ集団追い払い具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH113522A (ja) | 1999-01-06 |
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