JP2000025339A - 相変化型情報記録媒体の利用方法 - Google Patents
相変化型情報記録媒体の利用方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザービームを用いて、相変化型情
報記録媒体にオーバーライトする実用的な方法の提供。 【解決手段】 下記一般式 Ｘ・(ＹＩ，ＹII)Ｚ２ （但しＸは周期律表第Ｉｂ族元素から選ばれた元素、Ｙ
Ｉは周期律表第IIIｂ族元素から選ばれた元素、ＹIIは
周期律表第Ｖｂ族元素から選ばれた元素、Ｚは周期律表
第VIｂ族元素から選ばれた元素を表わす。）で示される
四元化合物を含有する記録層を基板上に有する相変化型
情報記録媒体において、情報が記録されている前記記録
層に電磁波を照射して前記記録を消去し、新しい情報を
記録することを特徴とする相変化型情報記録媒体の利用
方法。
報記録媒体にオーバーライトする実用的な方法の提供。 【解決手段】 下記一般式 Ｘ・(ＹＩ，ＹII)Ｚ２ （但しＸは周期律表第Ｉｂ族元素から選ばれた元素、Ｙ
Ｉは周期律表第IIIｂ族元素から選ばれた元素、ＹIIは
周期律表第Ｖｂ族元素から選ばれた元素、Ｚは周期律表
第VIｂ族元素から選ばれた元素を表わす。）で示される
四元化合物を含有する記録層を基板上に有する相変化型
情報記録媒体において、情報が記録されている前記記録
層に電磁波を照射して前記記録を消去し、新しい情報を
記録することを特徴とする相変化型情報記録媒体の利用
方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特定の四元化合物
よりなる記録層を基板上に有する相変化型情報記録媒体
に半導体レーザー光などの電磁波を用いてオーバーライ
トする方法に関する。
よりなる記録層を基板上に有する相変化型情報記録媒体
に半導体レーザー光などの電磁波を用いてオーバーライ
トする方法に関する。
【０００２】
【従来技術】電磁波特にレーザービームの照射により情
報の記録・再生および消去可能な光メモリー媒体の一つ
として、結晶−非晶質相間あるいは結晶−結晶相間の転
移を利用する、いわゆる相変化型記録媒体が良く知られ
ている。
報の記録・再生および消去可能な光メモリー媒体の一つ
として、結晶−非晶質相間あるいは結晶−結晶相間の転
移を利用する、いわゆる相変化型記録媒体が良く知られ
ている。
【０００３】特に光磁気メモリーでは困難な単一ビーム
によるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学
系もより単純であることなどから最近その研究開発が活
発になっている。その代表的な材料例として、ＵＳＰ
３，５３０，４４１に開示されているようにＧｅ−Ｔ
ｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−
Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔ
ｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ等所謂カルコゲン系合金材
料が挙げられる。
によるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学
系もより単純であることなどから最近その研究開発が活
発になっている。その代表的な材料例として、ＵＳＰ
３，５３０，４４１に開示されているようにＧｅ−Ｔ
ｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−
Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔ
ｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ等所謂カルコゲン系合金材
料が挙げられる。
【０００４】また、安定性、高速結晶化等の向上を目的
にＧｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２
号）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０号）、
Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号）等を添加した材料の
提案や、記録／消去の繰返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−
７３４３８号）の提案等もなされている。
にＧｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２
号）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０号）、
Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号）等を添加した材料の
提案や、記録／消去の繰返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−
７３４３８号）の提案等もなされている。
【０００５】しかしながら、そのいずれもが相変化型書
換え可能光メモリー媒体として要求される諸特性のすべ
てを満足し得るものとはいえない。
換え可能光メモリー媒体として要求される諸特性のすべ
てを満足し得るものとはいえない。
【０００６】このような状況下において、特開昭６３−
２５１２９０号公報においては、高速記録と高速消去を
目的として、記録層に三元以上の多元元素化合物単相を
用いた光記録媒体が提案されている。そして、四元化合
物として、ＣｕＺｎ２ＩｎＴｅ４、ＣｕＣｄ２ＩｎＳｅ
４のようなIIｂ族金属含有化合物、ＣｒＣｕＳｎＳｅ ４
のようなVIII族金属含有化合物、ＡｇＩｎＡｌ６Ｔｅ２
のようなIVｂ族金属含有化合物、Ｇａ２ＩｎＡｓＳｅ３
のようなIIIｂ、IIIｂ、Ｖｂ、Ｖｂよりなる四元化合
物、ＡｇＡｌ４ＩｎＳｅ２のようなＩｂ、IIIｂ、III
ｂ、VIｂよりなる四元化合物、ＣｕＡｌ４ＩｎＳｅ３の
ようなＩｂ、IIIｂ、IIIｂ、VIｂよりなる四元化合物が
開示されているが、本発明のようなＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、
Ｔｅ系（Ｉｂ、IIIｂ、Ｖｂ、VIｂ系）よりなる四元化
合物の利用については全く開示されていないし、もちろ
んＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ系の四元化合物を用いると、
記録感度や消去感度が向上する、とくに消去感度が著し
く向上するという知見はない。
２５１２９０号公報においては、高速記録と高速消去を
目的として、記録層に三元以上の多元元素化合物単相を
用いた光記録媒体が提案されている。そして、四元化合
物として、ＣｕＺｎ２ＩｎＴｅ４、ＣｕＣｄ２ＩｎＳｅ
４のようなIIｂ族金属含有化合物、ＣｒＣｕＳｎＳｅ ４
のようなVIII族金属含有化合物、ＡｇＩｎＡｌ６Ｔｅ２
のようなIVｂ族金属含有化合物、Ｇａ２ＩｎＡｓＳｅ３
のようなIIIｂ、IIIｂ、Ｖｂ、Ｖｂよりなる四元化合
物、ＡｇＡｌ４ＩｎＳｅ２のようなＩｂ、IIIｂ、III
ｂ、VIｂよりなる四元化合物、ＣｕＡｌ４ＩｎＳｅ３の
ようなＩｂ、IIIｂ、IIIｂ、VIｂよりなる四元化合物が
開示されているが、本発明のようなＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、
Ｔｅ系（Ｉｂ、IIIｂ、Ｖｂ、VIｂ系）よりなる四元化
合物の利用については全く開示されていないし、もちろ
んＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ系の四元化合物を用いると、
記録感度や消去感度が向上する、とくに消去感度が著し
く向上するという知見はない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体レーザービームを用いて、相変化型情報記録媒体にオ
ーバーライトする実用的な方法を提供する点にある。
体レーザービームを用いて、相変化型情報記録媒体にオ
ーバーライトする実用的な方法を提供する点にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式 Ｘ・(ＹＩ，ＹII)Ｚ２ （但しＸは周期律表第Ｉｂ族元素から選ばれた元素、Ｙ
Ｉは周期律表第IIIｂ族元素から選ばれた元素、ＹIIは
周期律表第Ｖｂ族元素から選ばれた元素、Ｚは周期律表
第VIｂ族元素から選ばれた元素を表わす。）で示される
四元化合物を含有する記録層を基板上に有する相変化型
情報記録媒体において、情報が記録されている前記記録
層に電磁波を照射して前記記録を消去し、新しい情報を
記録することを特徴とする相変化型情報記録媒体の利用
方法に関する。
Ｉは周期律表第IIIｂ族元素から選ばれた元素、ＹIIは
周期律表第Ｖｂ族元素から選ばれた元素、Ｚは周期律表
第VIｂ族元素から選ばれた元素を表わす。）で示される
四元化合物を含有する記録層を基板上に有する相変化型
情報記録媒体において、情報が記録されている前記記録
層に電磁波を照射して前記記録を消去し、新しい情報を
記録することを特徴とする相変化型情報記録媒体の利用
方法に関する。
【０００９】具体的には、ＸとしてはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ
が、ＹＩとしてはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎが、ＹIIとしてはＳ
ｂ、Ｂｉが、ＺとしてはＳｅ、Ｔｅなどを挙げることが
できる。
が、ＹＩとしてはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎが、ＹIIとしてはＳ
ｂ、Ｂｉが、ＺとしてはＳｅ、Ｔｅなどを挙げることが
できる。
【００１０】本発明の記録層に用いられる前記一般式の
四元化合物はＸ又は（ＹＩ，ＹII）又はＺの各々の元素
比をかえることにより融点、結晶化温度、活性化エネル
ギー及びその光学定数等を任意に変化させることが可能
である。すなわち本発明の基礎をなすＩｂIIIｂVIｂ２
化合物、あるいはＩｂＶｂVIｂ２化合物は融点が約５０
０〜８００℃前後にあり、又、そのエネルギーギャップ
も現在多く使用されている（ＧａＡ１）Ａｓ系半導体レ
ーザに対して効率的に吸収可能な範囲にあるため、本発
明の四元化合物を用いた相変化型情報記録媒体に半導体
レーザー光などの電磁波を用いてオーバライトすること
により感度の向上及び高速消去が可能となる。
四元化合物はＸ又は（ＹＩ，ＹII）又はＺの各々の元素
比をかえることにより融点、結晶化温度、活性化エネル
ギー及びその光学定数等を任意に変化させることが可能
である。すなわち本発明の基礎をなすＩｂIIIｂVIｂ２
化合物、あるいはＩｂＶｂVIｂ２化合物は融点が約５０
０〜８００℃前後にあり、又、そのエネルギーギャップ
も現在多く使用されている（ＧａＡ１）Ａｓ系半導体レ
ーザに対して効率的に吸収可能な範囲にあるため、本発
明の四元化合物を用いた相変化型情報記録媒体に半導体
レーザー光などの電磁波を用いてオーバライトすること
により感度の向上及び高速消去が可能となる。
【００１１】本発明は、これら三元系化合物の有する各
種物性の幅を四元素とすることにより大きく拡大するこ
とができるため現在相変化型光記録媒体が有する前記問
題点を解消したものである。
種物性の幅を四元素とすることにより大きく拡大するこ
とができるため現在相変化型光記録媒体が有する前記問
題点を解消したものである。
【００１２】又前記一般式の化合物の場合、成膜条件に
よっては従来の非晶質−結晶質間の相転移と同時に結晶
質−結晶質間の相転移も可能である。
よっては従来の非晶質−結晶質間の相転移と同時に結晶
質−結晶質間の相転移も可能である。
【００１３】以上のような本発明に用いる新規な相転移
性四元化合物の具体的な例としてはＡｇ（ＩｎＸ・Ｓｂ
１−Ｘ）Ｔｅ２、Ａｇ（ＩｎＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｓｅ２、
Ａｇ（ＧａＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ａｇ（ＧａＸ・Ｓ
ｂ１−Ｘ）Ｓｅ２、Ａｇ（ＡｌＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｔ
ｅ２、Ａｇ（ＡｌＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｓｅ２、Ａｇ（Ｉｎ
Ｘ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ａｇ（ＩｎＸ・Ｂｉ１−Ｘ）
Ｓｅ２、Ａｇ（ＧａＸ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ａｇ（Ｇ
ａＸ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｓｅ２、Ａｇ（ＡｌＸ・Ｂ
ｉ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ａｇ（ＡｌＸ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｓ
ｅ２、Ｃｕ（ＩｎＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ｃｕ（Ｉｎ
Ｘ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｓｅ２、Ｃｕ（ＧａＸ・Ｓｂ１−Ｘ）
Ｔｅ２、Ｃｕ（ＧａＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｓｅ２、Ｃｕ（Ａ
ｌＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ｃｕ（ＡｌＸ・Ｓ
ｂ１−Ｘ）Ｓｅ２、Ｃｕ（ＩｎＸ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｔ
ｅ２、Ｃｕ（ＩｎＸ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｓｅ２、Ｃｕ（Ｇａ
Ｘ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ｃｕ（ＧａＸ・Ｂｉ１−Ｘ）
Ｓｅ２、Ｃｕ（ＡｌＸ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ｃｕ（Ａ
ｌＸ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｓｅ２、等が挙げられる。
性四元化合物の具体的な例としてはＡｇ（ＩｎＸ・Ｓｂ
１−Ｘ）Ｔｅ２、Ａｇ（ＩｎＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｓｅ２、
Ａｇ（ＧａＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ａｇ（ＧａＸ・Ｓ
ｂ１−Ｘ）Ｓｅ２、Ａｇ（ＡｌＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｔ
ｅ２、Ａｇ（ＡｌＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｓｅ２、Ａｇ（Ｉｎ
Ｘ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ａｇ（ＩｎＸ・Ｂｉ１−Ｘ）
Ｓｅ２、Ａｇ（ＧａＸ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ａｇ（Ｇ
ａＸ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｓｅ２、Ａｇ（ＡｌＸ・Ｂ
ｉ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ａｇ（ＡｌＸ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｓ
ｅ２、Ｃｕ（ＩｎＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ｃｕ（Ｉｎ
Ｘ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｓｅ２、Ｃｕ（ＧａＸ・Ｓｂ１−Ｘ）
Ｔｅ２、Ｃｕ（ＧａＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｓｅ２、Ｃｕ（Ａ
ｌＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ｃｕ（ＡｌＸ・Ｓ
ｂ１−Ｘ）Ｓｅ２、Ｃｕ（ＩｎＸ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｔ
ｅ２、Ｃｕ（ＩｎＸ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｓｅ２、Ｃｕ（Ｇａ
Ｘ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ｃｕ（ＧａＸ・Ｂｉ１−Ｘ）
Ｓｅ２、Ｃｕ（ＡｌＸ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｔｅ２、Ｃｕ（Ａ
ｌＸ・Ｂｉ１−Ｘ）Ｓｅ２、等が挙げられる。
【００１４】本発明で用いられる基板は通常、ガラス、
石英、セラミックスあるいは樹脂であり、樹脂基板が成
型性、コスト等の点で好適である。樹脂の代表例として
はポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共
重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、
シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン
樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性等の点でポリ
カーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレートのような
アクリル系樹脂が好ましい。又、基板の形状としてはデ
ィスク状、カード状あるいはシート状であっても良い。
石英、セラミックスあるいは樹脂であり、樹脂基板が成
型性、コスト等の点で好適である。樹脂の代表例として
はポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共
重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、
シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン
樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性等の点でポリ
カーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレートのような
アクリル系樹脂が好ましい。又、基板の形状としてはデ
ィスク状、カード状あるいはシート状であっても良い。
【００１５】本発明に用いられる相変化型光情報記録媒
体を作るには所定の組成比のターゲットを作製し、スパ
ッター法による方法が好適である。又膜の組成ずれを補
正するために必要に応じて単元素のチップを用いる場合
もある。
体を作るには所定の組成比のターゲットを作製し、スパ
ッター法による方法が好適である。又膜の組成ずれを補
正するために必要に応じて単元素のチップを用いる場合
もある。
【００１６】こうして形成された記録層の厚さは通常３
００〜１５００Å、好ましくは５００〜１０００Åであ
る。なお記録層を非晶質状態にするか、或いは結晶状態
にするかは蒸着時の基板温度によって決定され、常温の
場合は非晶質状態となり、又材料にもよるが、１００℃
以上の場合（又は前記温度でのアニール後）は結晶状態
となる。
００〜１５００Å、好ましくは５００〜１０００Åであ
る。なお記録層を非晶質状態にするか、或いは結晶状態
にするかは蒸着時の基板温度によって決定され、常温の
場合は非晶質状態となり、又材料にもよるが、１００℃
以上の場合（又は前記温度でのアニール後）は結晶状態
となる。
【００１７】本発明に用いる相変化型光情報記録媒体に
おいては記録層上に更に保護層を設けることができる。
保護層の材料としては熱的に安定な窒化ケイ素等の窒化
物；二酸化ケイ素、二酸化チタン等の酸化物等が使用さ
れる。好ましい材料としてはＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｚｎ
Ｏ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、Ｍ
ｇＯ、ＺｒＯ２等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、
ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ
４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物やダイヤモンド
状カーボンあるいはそれらの混合物が挙げられる。又、
必要に応じて不純物を含んでいてもよい。
おいては記録層上に更に保護層を設けることができる。
保護層の材料としては熱的に安定な窒化ケイ素等の窒化
物；二酸化ケイ素、二酸化チタン等の酸化物等が使用さ
れる。好ましい材料としてはＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｚｎ
Ｏ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、Ｍ
ｇＯ、ＺｒＯ２等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、
ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ
４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物やダイヤモンド
状カーボンあるいはそれらの混合物が挙げられる。又、
必要に応じて不純物を含んでいてもよい。
【００１８】このような保護層は各種気相成膜法、例え
ば、真空蒸着法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法等
によって形成できる。なお、保護層の厚さは通常３００
〜１５００Å、好ましくは約１０００Åである。形成法
は記録層の場合と同様、通常スパッタ法が適用される。
ば、真空蒸着法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法等
によって形成できる。なお、保護層の厚さは通常３００
〜１５００Å、好ましくは約１０００Åである。形成法
は記録層の場合と同様、通常スパッタ法が適用される。
【００１９】記録、再生及び消去に用いる電磁波として
はレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外
線、マイクロ波等、種々のものが一応使用可能である
が、ドライブに取付けることを考えると、小型でコンパ
クトな半導体レーザーのビームを用いることが好まし
い。
はレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外
線、マイクロ波等、種々のものが一応使用可能である
が、ドライブに取付けることを考えると、小型でコンパ
クトな半導体レーザーのビームを用いることが好まし
い。
【００２０】本発明では、電磁波をＸ、ＹＩ、ＹII、Ｚ
よりなる四元化合物を含有する記録層を有する相変化型
情報記録媒体に照射することにより、その層状態を変化
させて、情報を記録し、再生し、消去を行うものである
が、とくに、情報を記録した部分に再度記録用の電磁波
を照射して光の情報を消去しつつ、新たな情報を記録す
るオーバーライト記録方法を実施するのに極めて有効で
あり、とくに前記媒体の使用により、優れた消去率を達
成することができ、記録、消去のための電磁波出力も小
さくて、消去、ちなみに本発明における記録および消去
のための電磁波の出力は、いずれも小出力で充分であ
り、記録最小パワーは１１ｍＷ、消去最小パワーは５ｍ
Ｗである。
よりなる四元化合物を含有する記録層を有する相変化型
情報記録媒体に照射することにより、その層状態を変化
させて、情報を記録し、再生し、消去を行うものである
が、とくに、情報を記録した部分に再度記録用の電磁波
を照射して光の情報を消去しつつ、新たな情報を記録す
るオーバーライト記録方法を実施するのに極めて有効で
あり、とくに前記媒体の使用により、優れた消去率を達
成することができ、記録、消去のための電磁波出力も小
さくて、消去、ちなみに本発明における記録および消去
のための電磁波の出力は、いずれも小出力で充分であ
り、記録最小パワーは１１ｍＷ、消去最小パワーは５ｍ
Ｗである。
【００２１】
【実施例】以下に本発明を実施例によって更に詳しく説
明する。
明する。
【００２２】実施例１ Ａｇ２５（Ｉｎ１２．５Ｓｂ１２．５）Ｔｅ５０の組成
を有するスパッタ用ターゲットを作製し、直径１３０ｍ
ｍ、厚み１．２ｍｍのガラス基板上にスパッタ法により
１０００Å厚の記録層を形成した後、保護膜として窒化
ケイ素を１０００Å厚同じくスパッタ法で形成した。
を有するスパッタ用ターゲットを作製し、直径１３０ｍ
ｍ、厚み１．２ｍｍのガラス基板上にスパッタ法により
１０００Å厚の記録層を形成した後、保護膜として窒化
ケイ素を１０００Å厚同じくスパッタ法で形成した。
【００２３】得られた記録層は非晶質であるため記録層
の初期化（結晶化）をほどこした。記録層を形成する
際、テストピースとしてスライドガラス上に同じ膜を形
成しておき、この膜から本記録層の光学特性、熱的特性
をそれぞれ分光光度計及びＤＳＣにより測定した。
の初期化（結晶化）をほどこした。記録層を形成する
際、テストピースとしてスライドガラス上に同じ膜を形
成しておき、この膜から本記録層の光学特性、熱的特性
をそれぞれ分光光度計及びＤＳＣにより測定した。
【００２４】本記録層の融点は〜６２０℃であり、結晶
化温度は〜１３０℃前後であった。又非晶質と初期化後
（結晶化）の間の反射率変化は〜１８％程度であった
（測定波長７８０ｎｍ）。
化温度は〜１３０℃前後であった。又非晶質と初期化後
（結晶化）の間の反射率変化は〜１８％程度であった
（測定波長７８０ｎｍ）。
【００２５】これらの値はＩｎとＳｂの組成比をかえる
ことによって変化することはもちろんである。このこと
は目的に応じて記録感度、消去感度及び記録の長寿命化
をはかるための自由度が広いことを示している。
ことによって変化することはもちろんである。このこと
は目的に応じて記録感度、消去感度及び記録の長寿命化
をはかるための自由度が広いことを示している。
【００２６】次に初期化後の記録媒体を１８００ｒｐｍ
の速度で回転させながらビーム径を１μｍφ程度に絞っ
た半導体レーザー光（発振波長λ＝７８０ｎｍ）を照射
することにより、記録、再生及び消去を行った。
の速度で回転させながらビーム径を１μｍφ程度に絞っ
た半導体レーザー光（発振波長λ＝７８０ｎｍ）を照射
することにより、記録、再生及び消去を行った。
【００２７】なお、記録出力は記録最小パワー１１ｍ
Ｗ、再生出力は２ｍＷ、消去出力は消去最小パワー５ｍ
Ｗである。又この出力／消去条件で記録後、さらに２Ｍ
Ｈｚでオーバーライト試験を行った。
Ｗ、再生出力は２ｍＷ、消去出力は消去最小パワー５ｍ
Ｗである。又この出力／消去条件で記録後、さらに２Ｍ
Ｈｚでオーバーライト試験を行った。
【００２８】その結果、初期記録のＣ／Ｎ比は５２ｄＢ
でオーバーライト後も５１ｄＢと殆ど変わらなかった。
又この時の消去率は３１ｄＢであり消去残りが若干認め
られるが、充分使用可能な段階であることが確認され
た。又１００００回の記録、消去のくり返し実験を行っ
たが、信号レベルの低下はほとんど認められず、くり返
し特性も良好であることが確認された。
でオーバーライト後も５１ｄＢと殆ど変わらなかった。
又この時の消去率は３１ｄＢであり消去残りが若干認め
られるが、充分使用可能な段階であることが確認され
た。又１００００回の記録、消去のくり返し実験を行っ
たが、信号レベルの低下はほとんど認められず、くり返
し特性も良好であることが確認された。
【００２９】以下、本発明により記録感度及び消去感度
はＧｅＴｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３系記録層に比較し大きく向上
し、消去率、くり返し特性も改良されていることが確認
された。
はＧｅＴｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３系記録層に比較し大きく向上
し、消去率、くり返し特性も改良されていることが確認
された。
【００３０】実施例２ Ａｇ２５（Ｉｎ１５Ｓｂ１０）Ｔｅ５０の組成を有する
ターゲットを作製し、実施例１と同じ方法で光情報記録
媒体を作製した。テストピースにより光学特性、熱特性
をそれぞれ分光光度計及びＤＳＣにより測定した。反射
率変化は蒸着後（非晶質）と初期化後（結晶質）（λ＝
７８０ｎｍ）で１８％程度であり、融点は〜６２０℃、
結晶化温度は〜１６０℃前後であった。
ターゲットを作製し、実施例１と同じ方法で光情報記録
媒体を作製した。テストピースにより光学特性、熱特性
をそれぞれ分光光度計及びＤＳＣにより測定した。反射
率変化は蒸着後（非晶質）と初期化後（結晶質）（λ＝
７８０ｎｍ）で１８％程度であり、融点は〜６２０℃、
結晶化温度は〜１６０℃前後であった。
【００３１】次に初期化後の記録媒体を１８００ｒｐｍ
の速度で回転させながらビーム径を１μｍφ程度に絞っ
た半導体レーザー光（λ＝７８０ｎｍ）を照射すること
により記録、再生及び消去をおこなった。なお記録出力
は記録最小パワー１１ｍＷ、再生出力は２ｍＷ、消去出
力は消去最小パワー７ｍＷであった。又この出力／消去
条件で記録後さらに２ＭＨｚでオーバーライト実験を行
った。
の速度で回転させながらビーム径を１μｍφ程度に絞っ
た半導体レーザー光（λ＝７８０ｎｍ）を照射すること
により記録、再生及び消去をおこなった。なお記録出力
は記録最小パワー１１ｍＷ、再生出力は２ｍＷ、消去出
力は消去最小パワー７ｍＷであった。又この出力／消去
条件で記録後さらに２ＭＨｚでオーバーライト実験を行
った。
【００３２】その結果初期記録のＣ／Ｎ比は５２ｄＢ、
オーバーライト後も５０ｄＢと良好な値を示した。又こ
の時の消去率は３０ｄＢであった。
オーバーライト後も５０ｄＢと良好な値を示した。又こ
の時の消去率は３０ｄＢであった。
【００３３】又１００００回の記録、消去のくり返し実
験を行ったが、信号レベルの低下はほとんど認められな
かった。
験を行ったが、信号レベルの低下はほとんど認められな
かった。
【００３４】以下、本発明により記録感度及び消去感度
はＧｅＴｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３系記録層に比較し大いに向上
し、消去率、くり返し特性も改良されていることが確認
された。
はＧｅＴｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３系記録層に比較し大いに向上
し、消去率、くり返し特性も改良されていることが確認
された。
【００３５】実施例３ Ａｇ２５（Ｉｎ１０Ｓｂ１５）Ｔｅ５０の組成を有する
スパッタ用ターゲットを作製し、直径１３０ｍｍ、厚さ
１．２ｍｍのガラス基板上に実施例１、２と同じ方法に
より１０００Å厚の記録層を設けた後、窒化シリコンを
保護膜として１０００Å厚形成した。そして初めにテス
トピースにより本記録層の光学特性及び熱特性を実施例
１、２と同じく分光光度計及びＤＳＣにより測定した。
反射率変化は蒸着後（非晶質）と初期化後（結晶質）
（λ＝７８０ｎｍ）で２０％程度であった。又融点は〜
５９０℃、結晶化温度は〜１２０℃前後であった。
スパッタ用ターゲットを作製し、直径１３０ｍｍ、厚さ
１．２ｍｍのガラス基板上に実施例１、２と同じ方法に
より１０００Å厚の記録層を設けた後、窒化シリコンを
保護膜として１０００Å厚形成した。そして初めにテス
トピースにより本記録層の光学特性及び熱特性を実施例
１、２と同じく分光光度計及びＤＳＣにより測定した。
反射率変化は蒸着後（非晶質）と初期化後（結晶質）
（λ＝７８０ｎｍ）で２０％程度であった。又融点は〜
５９０℃、結晶化温度は〜１２０℃前後であった。
【００３６】次に本記録層のディスク特性を実施例１、
２と同様に測定した。先ず記録媒体を１８００ｒｐｍの
速度で回転させながらビーム径を１μｍφ程度に絞った
半導体レーザ光（λ＝７８０ｎｍ）を照射することによ
り、記録、再生及び消去を行った。なお記録出力は記録
最小パワー１０ｍＷ、再生出力は２ｍＷ、消去出力は消
去最小パワー５ｍＷであった。又この出力／消去条件で
記録後さらに２ＭＨｚでオーバーライトの実験を行っ
た。
２と同様に測定した。先ず記録媒体を１８００ｒｐｍの
速度で回転させながらビーム径を１μｍφ程度に絞った
半導体レーザ光（λ＝７８０ｎｍ）を照射することによ
り、記録、再生及び消去を行った。なお記録出力は記録
最小パワー１０ｍＷ、再生出力は２ｍＷ、消去出力は消
去最小パワー５ｍＷであった。又この出力／消去条件で
記録後さらに２ＭＨｚでオーバーライトの実験を行っ
た。
【００３７】その結果初期記録のＣ／Ｎ比５３ｄＢ、オ
ーバーライト後も５１ｄＢであった。一方この時の消去
率は３２ｄＢであった。１００００回の記録、消去の繰
返し実験を行ったが、信号レベルの低下はほとんどみと
められなかった。
ーバーライト後も５１ｄＢであった。一方この時の消去
率は３２ｄＢであった。１００００回の記録、消去の繰
返し実験を行ったが、信号レベルの低下はほとんどみと
められなかった。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明で用いられ
る前記四元化合物を相変化型光メモリー用記録層材料と
して使用し、これに半導体レーザー光などの電磁波を照
射することにより、実用的なオーバーライトができるよ
うになった。
る前記四元化合物を相変化型光メモリー用記録層材料と
して使用し、これに半導体レーザー光などの電磁波を照
射することにより、実用的なオーバーライトができるよ
うになった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 勝幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式 Ｘ・(ＹＩ，ＹII)Ｚ２ （但しＸは周期律表第Ｉｂ族元素から選ばれた元素、 ＹＩは周期律表第IIIｂ族元素から選ばれた元素、 ＹIIは周期律表第Ｖｂ族元素から選ばれた元素、 Ｚは周期律表第VIｂ族元素から選ばれた元素を表わ
す。）で示される四元化合物を含有する記録層を基板上
に有する相変化型情報記録媒体において、情報が記録さ
れている前記記録層に電磁波を照射して前記記録を消去
し、新しい情報を記録することを特徴とする相変化型情
報記録媒体の利用方法。 - 【請求項２】 前記記録のさいの電磁波最小パワーが１
１ｍＷであり、消去のさいの電磁波最小パワーが５ｍＷ
である請求項１記載の相変化型情報記録媒体の利用方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11131479A JP2000025339A (ja) | 1999-05-12 | 1999-05-12 | 相変化型情報記録媒体の利用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11131479A JP2000025339A (ja) | 1999-05-12 | 1999-05-12 | 相変化型情報記録媒体の利用方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1143470A Division JP2963106B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000025339A true JP2000025339A (ja) | 2000-01-25 |
Family
ID=15058946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11131479A Pending JP2000025339A (ja) | 1999-05-12 | 1999-05-12 | 相変化型情報記録媒体の利用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000025339A (ja) |
-
1999
- 1999-05-12 JP JP11131479A patent/JP2000025339A/ja active Pending
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