JP3485924B2 - エンハンスト直流プラズマ処理システム - Google Patents

エンハンスト直流プラズマ処理システム

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Description

【発明の詳細な説明】 I. 技術分野 本発明は、一般に、薄膜処理システム内でプラズマが
エッチング、堆積、又は或る他の処理のいずれかを遂行
するその薄膜処理システムに関する。特に、本発明は、
金属材料で以て又は被覆処理における化学反応によって
形成される材料で以て被覆する際に応用される。本発明
は、また、このような直流プラズマ処理に応用の使用さ
れる電源設計に係わる。
II. 従来技術 薄膜応用に対する直流プラズマ処理の分野は、周知で
ある１つである。これらの処理においては、直流電源が
陰極と陽極との間に電位を生じ、これによってプラズマ
を生じる。堆積モードにおいては、プラズマは材料標的
に作用して或る基板上に薄膜を生じる。この薄膜は、標
的材料自体で構成されるか、又は被覆室内の或る元素と
の或る反応の結果であるかのいずれかである。当然、係
わる材料と元素の両方及び特定応用は、極めて様々であ
る。応用は、建築ガラスを被覆することからマイクロチ
ップの生成にわたると云える。多くの応用において厄介
の１つは、放電又はアークが起こり得ると云うことであ
る。これは、反応処理が使用されかつ反応生成物が、酸
化アルミニウム（Al2O3）のような、絶縁物であるとき
に、特に当てはまる。一例として、この型式の被覆処理
は導電領域及び絶縁領域に係わるので、特に厄介であ
る。結果として、プラズマ処理自体の間中の電気的環境
は、アーク放電に特に導電性であり得る。これらのアー
ク放電は、これらが被覆処理の電位不均一性を表現する
ゆえだけでなく、またこれらが被覆材料の放出を変更し
かつ処理スループットに悪影響することによって不安定
状況を更に招くゆえに、好ましくない。
アーク生起の問題は当業者に周知であったが、この問
題へのいままでの取り組みを通して限られた成功しか収
めていない。初期には、処理を完全に停止しかつおそら
くその室を清掃すらした後に再開始するのが普通であっ
た。他の場合は、低処理速度がアークの生起する頻度を
低くするために使用された。より最近、プラズマ自体へ
の電力の供給を敏速に停止することによってアークを転
向させることが企図されてきている。残念ながら、ほと
んどのこのような解決は、損傷が起こった後にしか作用
せず、したがって一層敏感な処理環境における問題を−
−最小化するには役立ったが、−−しかし完全に回避し
てはいない。可能な限り敏速に反応するために、スイッ
チモード又は低エネルギー蓄積電源が、多くの応用にま
た使用されてきている。これらが本来的に少い電力を貯
蔵し、したがってこのようなアークの生起を最少化する
ように取り扱われ得ると云う事実にかかわらず、これら
の使用のみでは多くの処理環境に対して充分であったと
はない。面白いことに、構成要素設計者による解決が、
処理自体に係わる設計者に充分に説明されることなくし
ばしば利用されている。この所有権的性質が、問題の性
質を理解する上での努力の重複及び進歩の限定を招いて
きたとすら云える。解決の進展は、主として個人的努力
の結果であって、協調調査研究の結果ではない。公開的
に追及されている１つの他の解決は、キャパシタを充電
させ、次いでアーク自体を打ち消すように電流を反転さ
せる周波数本位の構成要素の利用である。残念ながら、
この解決は、初期的にアーク電流を増大し、したがっ
て、問題を解決する前にこの問題を増強することがあり
得る。やはり、この解決は、洗練処理環境に特に好まし
くない。
本発明は、最も要求される処理環境においてすらアー
クの生起を最少化する及び多くの場合完全に除去するよ
うに作用する。一般的な応用を有する解決を提供するこ
とによって、本発明は、極めて多数の解決に同じ目的を
達成することを可能にさせる。その基本的な理解を通し
て、本発明は、アークの問題を解決するように組み込ま
れる種々の設計及びシステムを包含する。そうすること
において、本発明は、このような能力に対して長い間寄
せられていた要望を満足させる。おそらく驚くことに、
本発明は当業者にこれまで容易に利用可能であったが、
しかしこの仕方で応用されたことがなかった様相に基づ
いている。当業者はアークの問題が存在することは認め
たが、彼らは問題の性質を明白に理解しなかったし、か
つしたがって本発明によって取られた方向から実際に反
れた方を向いていた。本発明によって取られた技術的方
向から反れたこの教示は、それらの当業者が彼らの貢献
の充分な開示をしばしば回避していたと云う事実によっ
て更に増強された。特定のいくつかの設計が本発明の設
計に類似の原理に基づいていることはあっても、多くの
場合、公開の欠如の結果それらの当業者は本発明によっ
て取られた方向から反れて実際には教示されてきた。
III. 発明の開示 本発明は、直流プラズマ処理システム内のアークの生
起を最少化する及び或る場合には完全に除去する根本的
理解及び回路構成設計の両方を開示する。本発明は、ア
ークの実又は初発生起の際に電流を即座に停止させる又
は減少させる及び最初の場所において潜在アークを起こ
す条件を打ち消す種々の実施例を包含する。加えて、本
発明は、最初の場所において潜在アーク条件を回避する
ようにプラズマを周期的に一新する技術を開示する。そ
の好適実施例において、本発明は、接地へスイッチされ
る２段、タップ付きインダクタを含む。アーク条件の生
起−−アークの実又は初発生起の際に、このスイッチは
活性化され、したがって、回路構成が、プラズマに印加
される電圧を反転させるように、したがってアーク条件
を起こすことがあるどんな電荷集積も消散させるように
プラズマから電子を正極性的に吸引するように作用す
る。本発明は、また、即座に応答が可能であるように、
アークの初発生起のようなアーク条件をセンシングする
技術を開示する。
したがって、本発明の目的は、直流プラズマ処理シス
テム内のアークの好ましくない影響を回避することにあ
る。そうすることにおいて、本発明は、被覆プロセスへ
のアークのどんなエネルギー影響も最少化する仕方でア
ークに効率的に反応することを目標として有する。プラ
ズマ処理システム全体への好ましくない影響を回避する
部分として、本発明は、アークの影響を最少化するだけ
でなく、また最小遅延を伴って処理を回復させるために
プラズマのどんな消滅も回避する仕方で作用することを
目標として有する。効率的な設計を提案するために、本
発明は、存在する電源設計及びプラズマ処理システム設
計に容易に適合する技術を提供することを更に目標とし
て有する。本発明は、また、そのシステムから独立して
おり、したがって他の類似型式の応用に利用されること
がある改善電源設計の様式においてもまた開示される。
挙げられたように、本発明の一般的目標は、種々なや
り方で実現され得るプロセスを提示することである。タ
ップ付きインダクタ設計は、単なる１つの実施例として
開示される。この設計は、回路構成素子を最少化するた
め及びこの技術に種々の洗練を起こさせるために選択さ
れた。確かに、他の設計も、係わる一般的原理をいった
ん当業者が理解するならば、彼らは容易に理解するであ
ろうから、可能である。種々なやり方で実現される実施
例の開示において、種々のアーク検出技術を包含するこ
とが目標である。多くのこのような設計において、目標
は、即発反応を許すように潜在アーク生起の最早期検出
を含むこともあり得る。或る実施例においては、目標
は、プラズマを通して電流が流れるのを種々の仕方で即
座に停止することである。
なお他の一般的な目標は、予防モードで利用されるこ
とがある技術を開示する発明を提示することである。こ
のようなものとして、目標は、起こる（又は起ころうと
する）アークに反応することだけでなく、最初の場所に
おいてこのような生起を回避することである。したがっ
て、目標は、システム又はプラズマを周期的に清掃し又
は回復することによって最初の場所においてプラズマ生
起を最少化するか又は回避さえするようにシステムを取
り扱うことができる一般設計基準を提示することであ
る。
当然、本発明の更に目的は、本明細書の他の領域及び
請求の範囲全体にわたって開示される。
IV. 図面の簡単な説明 第１図は、本発明の１実施例を含む処理システムの回
路結線図である。
第２図は、アーク生起の１型式の瞬間に存在するプラ
ズマ密度のプロット図である。
第3a図は、アーク生起全体にわたっての１先行技術に
おける電流及び電圧の相対変化を示すプロット図であ
る。
第3b図は、生起の類似の型式に対する本発明の１実施
例における電流及び電圧の相対変化を示すプロット図で
ある。
V. 本発明を実施する最良モード 容易に理解されるように、本発明の基本的概念は種々
なやり方で具体化されると云える。第１図を参照する
と、タップ付きインダクタ実施例を容易に理解すること
ができる。一般に、直流プラズマ処理システムは、第１
図に示された素子を含む。特に、直流電源１は被覆室２
に接続されこの室内に陰極４及び陽極３が収容されてい
る。堆積モードにおいては、直流電源１は、プラズマ５
を生じるために陰極４と陽極３にまたがって電位を生じ
ることによって被覆材料の堆積を起こす手段として作用
する。次いで、プラズマ５は、基板７に被覆を生じるよ
うに材料標的６上に作用する。この被覆は、元の標的材
料であるか又は反応ガス23のような或る他の元素と組み
合わせられた標的材料である。したがって、直流電源１
は、堆積を起こすためにプラズマ負荷内へ第１リード８
及び第２リード９を通して直流電力出力を供給する直流
電源として作用する。
アーク生起の問題に関しては、云うまでもなく、充分
な電圧及び被覆室２内処理環境の充分な変動が与えられ
ると、アーク放電がプラズマ５又は陰極４から陽極３又
は材料標的６内へ起こり得る。第２図を参照すると、云
うまでもなく、このような放電は、電界変動を通してか
又は荷電粒子の不均一集積がプラズマ５内に起こると
き、起こる。第２図において、（当業者に知られている
種々の理由で）過剰電子が生じると、導電し易い領域が
生じることが判る。第２図において、この領域は、アー
ク位置10として指示されている。第２図に示されている
ように、位置10内の過剰電子への近旁のイオンの吸引の
ゆえに、プラズマ密度はこの領域において増大すること
がある。これらのイオンは近旁領域11から到来し、かつ
これらを置換する新イオンを生じる近接機構はないの
で、第２図に示されているようにこれらの領域11にイオ
ンの減少を招くことがある。多くの応用に対する本発明
の理解におそらく重要であるのは、位置10内のプラズマ
密度の増大が、標的からの電子の連続インストリーミン
グ（instreaming）に起因する中性ガス原子の衝撃電離
の機構を通して、時間と共に敏速に増大して、アークと
して知られる低インピーダンス通路になると云う事実で
ある。いったんこれが起こると、不均一分布の除去に対
する唯一の機構は、過剰イオンと電子の再結合、比較的
遅いプロセスである。イオンの集積を防止するために、
元の過剰電子、したがって、位置10及び11におけるプラ
ズマ内の不均一電荷分布を、多くの新イオンが形成され
得る前に、除去しなければならない。これを達成するた
めに、本発明の実施例は、これらの電子を材料標的６へ
吸引することによってこれらを除去する機構を提供する
ように作用する。したがって、本発明の１実施例は、ど
んな電流も流れるのを即座に防止するように更に作用
し、これが一層多くの電子が位置10におけるプラズマ５
内へ注入されるのを防止し、かつ陽極３と陰極４との間
の電位を実際上反転させ、したがってその反転電圧が材
料標的６及び陰極４へ過剰電子を吸引することによって
これらを除去し、このようにして、アーク位置10にアー
クを形成する傾向を除去する。
理解すべきは、アーク内に電流が流れるのを即座に停
止することは、アークを通して電荷集積等の放電を起こ
させることとは等価でないと云うことである。第3a図を
参照すると、高電流領域12によって示された、アークの
生起の際に、いかに電流が流れ、しかし終局的には消滅
するかが判る。これはマイクロ秒の程度で起こるが、そ
のエネルギーの量及び崩壊はプロセスにとって許容不可
能である。したがって、本発明の１様相にとって重要な
のは、電流がアークを通して流れることは許されないと
云う事実である。第3b図に示されるように、電流は即座
に−−マイクロ秒の小部分内においてすら−−停止又は
減少される；これが第3b図に示されている。第3b図にお
いて、時刻Ａにおけるアークの初発生起の際、電圧の変
化率は劇的に変動することが判る。いかに初発アークを
センシングするかに関して後に論じられるように、これ
は、本発明の１実施例において時刻Ｂにおいて示される
電圧の反転に係わる活性化を起こす１様相であると云え
る。この反転は、プラズマ５を通して電流が流れるのを
即座に停止させるように作用するだけでなく、それはま
たプラズマ処理システム内の電荷の不均一集積を除去す
るように作用する。この不均一集積は、第２図に関して
論じられたようにプラズマ５内に起こることも、又は材
料標的６上に起こることも、又は処理システム内の或る
他のマスク又は他の素子上にすら起こることもある。ア
ークを生じる傾向は、また他の異常の結果であることが
ある。電圧を反転させることによって、電流が即座に停
止されるだけでなく、このような電流を起こす条件が打
ち消されると云える。したがって、プラズマは、その正
味均一分布へ回復される。第3a図及び第3b図の両方に示
されたように、典型的な回復は、技術的に知られている
ように起こり得る。これは、電流が回復されかつ定常状
態条件が再生されるまで、図示のように電圧を傾斜又は
回生させることを含むと云える。
第3a図を参照すると云うまでもなく、先行技術設計に
おいては、電源が有効なスイッチオフされても、電流は
即座に停止する又は減少することはないと云える。これ
は、電源回路構成内のエネルギー蓄積を招くとことがあ
る。電流の即座停止を達成するために、プロセスに影響
するエネルギーのどんな放出をも回避するか又は最少化
しなければならない。光学被覆の場合におけるそれのよ
うな反応応用においては、これはマイクロ秒の小部分内
で起こる必要があると云える。
第１図を参照すると、これらの目的を達成する１実施
例が開示されている。判るように、この実施例は、第１
リード８に直列に接続された第１部分13及び第２部分14
を有するインダクタ手段を含む。容易に理解されるよう
に、第１部分13及び第２部分14は、種々の様式で配置さ
れてよく、変圧器構成に設計されることがある。重要な
ことには、これらの第１部分13と第２部分14が磁気的に
結合されると云うことである。スイッチ15が、また、第
１部分13と第２部分14との間において第２リード９に接
続される。このスイッチは、活性化手段16によって制御
される。活性化手段16はセンシング手段17によってトリ
ガされ、このセンシング手段はプラズマ５内のアーク生
起の実出現又は初発出現のようなアーク条件を検出する
ように種々のやり方で作用する。第１図から云うまでも
なく、スイッチ15のトリガの際、プラズマ５に印加され
る電圧は、第１リード８に直列接続されているインダク
タ手段の結果として即座に反転される。この反転は、プ
ラズマ５を通る電流の即座停止を起こす１つのやり方で
ある。この反転は、また、先に論じられたようにプラズ
マから電荷のどんな集積もクリヤするように作用する。
電圧は、当然、種々の他の仕方を通して反転させられ、
及び他の電源出力を供給すること又は反転電圧にスイッ
チングすること等を含むが、しかしこれらに限定される
ことはない本発明の等価がなおまた考えられる。
本発明の精神と範囲に属するような設計の変動に関し
て、理解すべきは、インダクタ手段内の大きな程度の変
動が可能であると云うことである。まず、インダクタ手
段が全然含まれないことが可能である。このような実施
例においては、スイッチ15はプラズマ５を短絡するよう
に作用する。これは１実施例において望まれた反転電圧
を印加することはないが、プラズマ５を通る電流の即座
停止を起こすには充分と云える。加えて、第２インダク
タ部分14が除去されることがある。やはり、このような
実施例においては反転電圧は起こらないであろうが、し
かしながら、適正なシステム設計が与えられるならば、
この設計においてもプラズマ５を通る電流の即座停止が
また起こると云えよう。このような設計においては、第
１インダクタ部分13を含むことが、なお、価値ある目的
に役立つと云える。スイッチ15が活性化されると、大き
な第１インダクタ部分13を有することが直流電源１に充
分な負荷を提供するように働く、したがって負荷内のこ
の即座変化が電源１に不当なストレスを起こさせないで
あろう。第１インダクタ部分13の寸法に関しては、第１
インダクタ部分13が、スイッチ15のインピーダンス、及
びこの電源の出力インピーダンスと組み合わされたと
き、このスイッチがオンに置かれている時間量より充分
に大きい時定数を生じる限り、本発明の文脈内で「大き
い」と考えられるであろう。当業者が容易に理解するで
あろうように、この型式の構成によって、電源は充分に
負荷させられ、かつ、スイッチ15が活性化された時間全
体を通して、ストレスを受けることなく維持される。多
くの応用に対して、これは約10から20マイクロ秒である
と信じられる。
第3b図を参照して論じられたように電圧を反転するた
めには、第２インダクタ部分14は第１インダクタ部分13
に磁気的に結合されることを要するだけでなく、それは
また第１インダクタ部分13のそれの少なくとも約10％の
巻数比を有することを要する。このような様式で、この
巻数比は、反転電圧の大きさを検出するであろう。実質
的な反転電圧−−すなわち、定常状態電圧の少なくとも
約10％の反転電圧−−が望まれるから、少なくとも約10
％の巻数比は先に挙げた目標を達成するであろう。当
然、他のインダクタ幾何学及び他の構成要素も等価な様
式で使用され得ることもありかつなお本特許の範囲に属
するであろう。反転電圧は望ましくない条件を敏速にク
リヤするのに少なくとも充分であることを要するだけで
なく、それはまたアークを再点弧する危険があるほど大
きくないことを要する。それはまた、或る応用において
は反転モードにおいてプラズマを駆動するほど大きくな
いこともある。当然、これらの限定値は応用に従って変
動するが、しかし現在構想されている応用に対しては、
請求された限定が最適であると信じられている。電源を
停止する或る現存の設計が僅かな電圧反転を、現在の
所、達成することが可能でもあることに注意されたい。
この僅かな電圧反転は、単に特定回路の付随上の事柄で
あり、不均一電荷集積の除去を達成するために本発明に
とって望まれる実質的電圧反転ではないであろう。加え
て、スイッチ15の設計は、好適には、反転を停止させる
ためにスイッチ15の容易な開放を可能とするように非ラ
ッチ型のものであろう。これは、プラズマが消滅する
前、−−多くのプロセスにおいて約10から100マイクロ
秒に−−起こると云える。スイッチ15の特定設計に関し
て、集積ゲート双極性トランジスタ、電界効果トランジ
スタ、ダーリントン双極性トランジスタ、及び正規双極
性トランジスタが妥当であるが、しかしながら、集積ゲ
ート双極性トランジスタが本構成において容易な制御を
提供することが判っている。
第3b図を参照すると、アーク生起の最早期センシング
が望ましいことが判る。第１図に示された実施例におい
て、センシング手段17が可能な限りプラズマ５に近い条
件をセンスするように作用することが示されている。そ
うすることにおいて、一層正確な読取りが当然起こる。
当業者が容易に理解するであろう適正な構成を通して、
種々のセンシング判定が利用され得る。第3b図に示され
たように、出力電圧又は電流の高変化率と低出力電圧又
は電流自体との両方の組合わせが利用されることがあ
る。好適実施例においては、電圧値及び電圧値の変化率
の両方を使用することが最早期可能時刻における初発ア
ーク生起を信頼性を以て表示することが判っている。電
圧値に関しては、200ボルトのようなある特定電圧降下
又は40％のような或るパーセンテージ電圧降下が利用さ
れると云える。当然、パーセンテージ決定は応用によっ
て変動するが、しかしその電源の公称出力の約40％から
50％が多くの応用において妥当な性能を提供すると信じ
られている。加えて、出力電圧又は電流が或るレベルの
上へ立ち上がるとき「コックし（cock）」、かつそれが
その後にそのレベルの下へ降下するとき「ファイアする
（fire）」回路を含む他の設計が、確かに可能である。
やはり、この新規な検出技術は概念的に根拠付けられて
いるが、実際の値は係わる特定システムについて実験的
に決定されることもある。
第１図を再び参照すると、本発明の目標を完遂するた
めにいかに特定の電源が変更されることがあるかが理解
される。スイッチモード電源が係わっていた際に当業者
が容易に理解したであろうように、直流電源１は、交流
電力受電手段18を含むことがある。この交流電力は優勢
周波数にあり、変換手段19を通して直流電力に変換され
るであろう。次いで、スイッチング手段20が知られてい
るように含まれ、高周波における交流信号を生じるであ
ろう。この交流信号は、次いで、整流手段21を通して直
流出力に変換されるであろう。第１図に関して、或る概
念素子がスイッチング手段20及び整流手段22内に示され
ているが、これらは視察上の理解のために過ぎない。こ
れらは、このような様相が技術的に周知であるさら、こ
の特許の範囲に属すると思われるデバイスの範囲を限定
することはない。この電源を変更するために、先に示さ
れかつ論じられた第１部分13及び第２部分14を含むイン
ダクタ手段、スイッチ15、及び制御手段が直流電源１内
に含まれるであろう。したがって、直流電源は電圧を供
給するだけでなく、それはその出力又は電圧を分析する
手段及びその負荷を通して電流が流れるのを即座に停止
させる手段を含むであろう。第１インダクタ部分13の巻
数比の少なくとも約10％の巻数比を有する第２インダク
タ部分14を含むことを通して、この変更電源はその負荷
に反転電圧を印加する手段を含むであろう。直流プラズ
マ処理システム内に利用されるとき、この電源自体は、
したがって、直流電流を供給して被覆材料の堆積を起こ
させ、かつその目的を達成するように第１リードと第２
リードを接続する設計を有するであろう。
加えて、このような電源は、実質的反転電圧を印加す
ることによってプラズマ５から電荷粒子のどんな不均一
集積をも周期的にクリヤし得る防止モードで動作するこ
とができるであろう。この周期的クリヤは、やはり、先
に論じられたように、係わる特定プロセスに従って−−
1/2から２ミリ秒毎ほどの頻度で起こると云えよう。当
業者が容易に理解するであろうように、スイッチ15を活
性化する或るタイマ22を配設することによって、プラズ
マ５を周期的にクリヤする手段を達成することができる
であろう。
上述の議論及び続く請求の範囲は、本発明の好適実施
例を記載する。特に請求の範囲に関して、理解すべき
は、それらの本質に反することなく変化を施すことがあ
ると云うことである。この点に関して、この特許の範囲
に属する変更及び変化は、この開示によって限定される
ことはない。本発明の望むこと及び実質的に同じ結果を
達成するために実質的に同じやり方で実質的に同じ手段
を使用するその他のことを達成するために当業者に知ら
れている全ての変更及び変化は、本特許の範囲に属する
ことを意図する。完遂される本発明の全ての可能な修正
を記載し及び請求することは、もとより実行不可能であ
る。その程度の限りにおいて、各々は、この発明によっ
て包含される保護の幅内に属する。これが本発明におい
て特に当てはまるのは、本発明の基本概念及び理解が実
在上の根本であり、かつ広く応用され得るからである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スコール，リチャード エイ. アメリカ合衆国 80526 コロラド州フ ォート コリンズ，スカイセッド レー ン 612 (56)参考文献 特開 昭55−145170（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−69324（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−159537（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−132095（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−258849（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−311418（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−220629（ＪＰ，Ａ) 国際公開91／015027（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05H 1/46 C23C 16/50 H01J 37/34 H05H 1/00

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ａ）被覆室と、 （ｂ）前記被覆室内の被覆材料を露出するように配置さ
    れた材料標的と、 （ｃ）基板上に前記被覆材料を堆積させる手段であっ
    て、アノードとカソードとを含む手段と、 （ｄ）直流電力出力と、回路を確立するためにプラズマ
    負荷に接続される第１リードおよび第２リードとを有す
    る直流電源と、 （ｅ）前記直流電力出力と前記プラズマ負荷との間にお
    いて前記第１リードに直列に接続され、かつ、第１イン
    ダクタ部分と第２インダクタ部分とを有するインダクタ
    であって、前記第１インダクタ部分と前記第２インダク
    タ部分とが磁気的に結合されている、インダクタと、 （ｆ）前記第１インダクタ部分と前記第２インダクタ部
    分との間にある点において前記第２リードから前記第１
    リードに接続されたスイッチと を含み、 前記スイッチがオンされた場合に、前記プラズマ負荷に
    印加される電圧を即座に反転することを可能にする、エ
    ンハンスト直流プラズマ処理システム。
  2. 【請求項２】前記第１インダクタ部分は、前記スイッチ
    と前記直流電力出力との間に接続されており、前記第１
    インダクタ部分は、前記スイッチのインピーダンスおよ
    び前記直流電力出力のインピーダンスが組み合わせられ
    た場合に前記スイッチがオンのままに維持される時間量
    よりも十分に大きい時定数になるインダクタンスを有し
    ている、請求項１に記載のエンハンスト直流プラズマ処
    理システム。
  3. 【請求項３】前記第１インダクタ部分と前記第２インダ
    クタ部分とは互いに対する巻数比を規定し、前記第１イ
    ンダクタ部分に対する前記第２インダクタ部分の巻数比
    は少なくとも約10％である、請求項１に記載のエンハン
    スト直流プラズマ処理システム。
  4. 【請求項４】前記第１インダクタ部分と前記第２インダ
    クタ部分とは互いに対する巻数比を規定し、前記第１イ
    ンダクタ部分に対する前記第２インダクタ部分の巻数比
    は少なくとも約10％である、請求項２に記載のエンハン
    スト直流プラズマ処理システム。
  5. 【請求項５】（ａ）前記プラズマ負荷内のアーク条件の
    センサであって、アーク条件を決定するために少なくと
    も１つの電圧値と前記プラズマ負荷への電圧の変化率を
    用いるセンサと、 （ｂ）前記センサに接続された活性化回路であって、ア
    ーク条件をセンスすると前記スイッチを閉にする、活性
    化回路と を更に含む、請求項１、３および４のいずれかに記載の
    エンハンスト直流プラズマ処理システム。
  6. 【請求項６】前記直流電源は動作電圧を有しており、前
    記センサは前記動作電圧に比較して低い出力電圧に反応
    する、請求項５に記載のエンハンスト直流プラズマ処理
    システム。
  7. 【請求項７】前記直流電源は前記プラズマ負荷内への出
    力電圧を引き起こし、前記プラズマ負荷内への出力電圧
    は通常の動作変化を有しており、前記センサは前記出力
    電圧の前記通常の動作変化に比較して高い変化率の出力
    電圧に反応する、請求項５に記載のエンハンスト直流プ
    ラズマ処理システム。
  8. 【請求項８】アーク条件を生じさせるセンサは、前記動
    作電圧に比較して低い出力電圧にも反応する、請求項７
    に記載のエンハンスト直流プラズマ処理システム。
  9. 【請求項９】（ａ）アノードとカソードとを有する被覆
    室と、 （ｂ）前記被覆室内の被覆材料を露出するように配置さ
    れた材料標的と、 （ｃ）直流電力出力と、電流が流れる回路を確立するた
    めにプラズマ負荷に接続される第１リードおよび第２リ
    ードとを有する直流電源と、 （ｄ）電流が前記プラズマ負荷を流れることを即座に停
    止する電流遮断回路とを含み、 前記直流電源は、前記プラズマ負荷に電圧を印加し、前
    記電流遮断回路は、前記プラズマ負荷に反転電圧を印加
    する反転回路を含み、 前記プラズマ負荷に反転電圧を印加する前記反転回路
    は、 （ａ）前記直流電源出力と前記プラズマ負荷との間にお
    いて前記第１リードに沿って直列に接続され、かつ、第
    １インダクタ部分と第２インダクタ部分とを有するイン
    ダクタであって、前記第１インダクタ部分と前記第２イ
    ンダクタ部分とが磁気的に結合されている、インダクタ
    と、 （ｂ）前記第１インダクタ部分と前記第２インダクタ部
    分との間にある点において前記第２リードから前記第１
    リードに接続されたスイッチと を含み、 前記スイッチがオンされた場合に、前記プラズマ負荷に
    印加される電圧を即座に反転することを可能にする、エ
    ンハンスト直流プラズマ処理システム。
  10. 【請求項１０】前記電流遮断回路は、前記プラズマ負荷
    内のアーク条件のセンサをさらに含み、前記スイッチが
    前記センサに応答する、請求項９に記載のエンハンスト
    直流プラズマ処理システム。
  11. 【請求項１１】前記プラズマ負荷に印加された前記電圧
    は動作電圧を有しており、前記プラズマ負荷内のアーク
    条件の前記センサは、前記プラズマ負荷に印加された電
    圧であって、前記動作電圧に比較して低い電圧に反応す
    る、請求項10に記載のエンハンスト直流プラズマ処理シ
    ステム。
  12. 【請求項１２】前記プラズマ負荷に印加された前記電圧
    は通常の動作変化を有しており、前記プラズマ負荷内の
    アーク条件の前記センサは、前記プラズマ負荷に印加さ
    れた電圧であって、前記通常の動作変化に比較して高い
    変化率の電圧に反応する、請求項10に記載のエンハンス
    ト直流プラズマ処理システム。
  13. 【請求項１３】前記プラズマ負荷に印加された前記電圧
    は動作電圧を有しており、前記プラズマ負荷内のアーク
    条件の前記センサは、前記プラズマ負荷に印加された電
    圧であって、前記動作電圧に比較して低い電圧にも反応
    する、請求項12に記載のエンハンスト直流プラズマ処理
    システム。
  14. 【請求項１４】プラズマシステム内のエンハンスト薄膜
    処理の方法であって、 （ａ）被覆室内に標的材料を供給するステップと、 （ｂ）第１リードと第２リードとを有する回路を介して
    前記被覆室に直流電力を提供することにより、電流が流
    れるプラズマを生成するステップと、 （ｃ）前記プラズマの作用によって基板上に被覆材料の
    薄膜を堆積させるステップと、 （ｄ）電流が前記プラズマを流れることを即座に停止す
    るステップと を含み、 前記電流が前記プラズマを流れることを即座に停止する
    ステップは、前記第１リードと前記第２リードとを接続
    するステップを含み、 前記直流電源出力と前記プラズマとの間に前記第１リー
    ドに沿って直列に接続されたインダクタが存在し、前記
    インダクタは、磁気的に結合された第１インダクタ部分
    と第２インダクタ部分とを有しており、前記第１リード
    と前記第２リードとを接続するステップは、前記第１イ
    ンダクタ部分と前記第２インダクタ部分との間にある点
    において前記第２リードから前記第１リードに接続され
    たスイッチを利用し、 前記電流が前記プラズマ内を流れることを即座に停止す
    るステップは、前記スイッチがオンされた場合に、前記
    プラズマ負荷に反転電圧を印加するステップをさらに含
    む、方法。
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Families Citing this family (110)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH689767A5 (de) * 1992-03-24 1999-10-15 Balzers Hochvakuum Verfahren zur Werkstueckbehandlung in einer Vakuumatmosphaere und Vakuumbehandlungsanlage.
US5718813A (en) * 1992-12-30 1998-02-17 Advanced Energy Industries, Inc. Enhanced reactive DC sputtering system
US6217717B1 (en) * 1992-12-30 2001-04-17 Advanced Energy Industries, Inc. Periodically clearing thin film plasma processing system
US5698082A (en) * 1993-08-04 1997-12-16 Balzers Und Leybold Method and apparatus for coating substrates in a vacuum chamber, with a system for the detection and suppression of undesirable arcing
US5651865A (en) * 1994-06-17 1997-07-29 Eni Preferential sputtering of insulators from conductive targets
US5535906A (en) * 1995-01-30 1996-07-16 Advanced Energy Industries, Inc. Multi-phase DC plasma processing system
US5584972A (en) * 1995-02-01 1996-12-17 Sony Corporation Plasma noise and arcing suppressor apparatus and method for sputter deposition
WO1996031899A1 (en) * 1995-04-07 1996-10-10 Advanced Energy Industries, Inc. Adjustable energy quantum thin film plasma processing system
US5616224A (en) * 1995-05-09 1997-04-01 Deposition Sciences, Inc. Apparatus for reducing the intensity and frequency of arcs which occur during a sputtering process
US5584974A (en) * 1995-10-20 1996-12-17 Eni Arc control and switching element protection for pulsed dc cathode sputtering power supply
US5830336A (en) * 1995-12-05 1998-11-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sputtering of lithium
JP3689524B2 (ja) * 1996-03-22 2005-08-31 キヤノン株式会社 酸化アルミニウム膜及びその形成方法
US5882492A (en) * 1996-06-21 1999-03-16 Sierra Applied Sciences, Inc. A.C. plasma processing system
US5682067A (en) * 1996-06-21 1997-10-28 Sierra Applied Sciences, Inc. Circuit for reversing polarity on electrodes
WO1998013532A1 (en) * 1996-09-24 1998-04-02 Deposition Sciences, Inc. A multiple target arrangement for decreasing the intensity and severity of arcing in dc sputtering
DE19702187C2 (de) * 1997-01-23 2002-06-27 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Einrichtung zum Betreiben von Magnetronentladungen
CN1203208C (zh) * 1997-02-20 2005-05-25 芝浦机械电子装置股份有限公司 用于溅射设备的电源装置
US5993615A (en) * 1997-06-19 1999-11-30 International Business Machines Corporation Method and apparatus for detecting arcs
US6011704A (en) * 1997-11-07 2000-01-04 Sierra Applied Sciences, Inc. Auto-ranging power supply
US5889391A (en) * 1997-11-07 1999-03-30 Sierra Applied Sciences, Inc. Power supply having combined regulator and pulsing circuits
US5990668A (en) * 1997-11-07 1999-11-23 Sierra Applied Sciences, Inc. A.C. power supply having combined regulator and pulsing circuits
US5993613A (en) * 1997-11-07 1999-11-30 Sierra Applied Sciences, Inc. Method and apparatus for periodic polarity reversal during an active state
US5910886A (en) * 1997-11-07 1999-06-08 Sierra Applied Sciences, Inc. Phase-shift power supply
JP4118964B2 (ja) * 1998-03-18 2008-07-16 新電元工業株式会社 消弧回路及び消弧方法
US6162332A (en) * 1998-05-07 2000-12-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for preventing arcing in sputter chamber
US6579805B1 (en) * 1999-01-05 2003-06-17 Ronal Systems Corp. In situ chemical generator and method
US6451389B1 (en) 1999-04-17 2002-09-17 Advanced Energy Industries, Inc. Method for deposition of diamond like carbon
JP5054874B2 (ja) * 1999-12-02 2012-10-24 ティーガル コーポレイション リアクタ内でプラチナエッチングを行う方法
WO2001053564A1 (en) * 2000-01-21 2001-07-26 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for neutralization of ion beam using ac or dc ion source
US20030209198A1 (en) * 2001-01-18 2003-11-13 Andrew Shabalin Method and apparatus for neutralization of ion beam using ac or dc ion source
US7469558B2 (en) * 2001-07-10 2008-12-30 Springworks, Llc As-deposited planar optical waveguides with low scattering loss and methods for their manufacture
US7196183B2 (en) * 2001-08-31 2007-03-27 Innogenetics N.V. Hepatitis C virus genotype, and its use as prophylactic, therapeutic and diagnostic agent
US7404877B2 (en) * 2001-11-09 2008-07-29 Springworks, Llc Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD
US6884327B2 (en) 2002-03-16 2005-04-26 Tao Pan Mode size converter for a planar waveguide
US7378356B2 (en) 2002-03-16 2008-05-27 Springworks, Llc Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films
US20030175142A1 (en) * 2002-03-16 2003-09-18 Vassiliki Milonopoulou Rare-earth pre-alloyed PVD targets for dielectric planar applications
US20040011290A1 (en) * 2002-06-10 2004-01-22 Takaharu Kondo Apparatus and process for forming deposited film
US20070264564A1 (en) 2006-03-16 2007-11-15 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US8431264B2 (en) 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8404376B2 (en) 2002-08-09 2013-03-26 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8236443B2 (en) 2002-08-09 2012-08-07 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8394522B2 (en) 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US8535396B2 (en) 2002-08-09 2013-09-17 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8445130B2 (en) 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8021778B2 (en) 2002-08-09 2011-09-20 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
TWI274199B (en) 2002-08-27 2007-02-21 Symmorphix Inc Optically coupling into highly uniform waveguides
US7147759B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-12 Zond, Inc. High-power pulsed magnetron sputtering
US6896773B2 (en) * 2002-11-14 2005-05-24 Zond, Inc. High deposition rate sputtering
US20040112735A1 (en) * 2002-12-17 2004-06-17 Applied Materials, Inc. Pulsed magnetron for sputter deposition
US7205662B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Symmorphix, Inc. Dielectric barrier layer films
US7375035B2 (en) 2003-04-29 2008-05-20 Ronal Systems Corporation Host and ancillary tool interface methodology for distributed processing
US8728285B2 (en) 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
US7238628B2 (en) * 2003-05-23 2007-07-03 Symmorphix, Inc. Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides
US7429714B2 (en) * 2003-06-20 2008-09-30 Ronal Systems Corporation Modular ICP torch assembly
KR100807724B1 (ko) 2003-08-07 2008-02-28 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판처리장치 및 기판처리방법
US20050103620A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Zond, Inc. Plasma source with segmented magnetron cathode
US9771648B2 (en) * 2004-08-13 2017-09-26 Zond, Inc. Method of ionized physical vapor deposition sputter coating high aspect-ratio structures
US9123508B2 (en) * 2004-02-22 2015-09-01 Zond, Llc Apparatus and method for sputtering hard coatings
US7095179B2 (en) * 2004-02-22 2006-08-22 Zond, Inc. Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities
US7081598B2 (en) * 2004-08-24 2006-07-25 Advanced Energy Industries, Inc. DC-DC converter with over-voltage protection circuit
EP1803142A1 (en) * 2004-09-24 2007-07-04 Zond, Inc. Apparatus for generating high-current electrical discharges
WO2006063308A2 (en) 2004-12-08 2006-06-15 Symmorphix, Inc. DEPOSITION OF LICoO2
US7959769B2 (en) 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
ATE543198T1 (de) * 2004-12-24 2012-02-15 Huettinger Elektronik Gmbh Plasmaanregungssystem
US7372610B2 (en) 2005-02-23 2008-05-13 Sage Electrochromics, Inc. Electrochromic devices and methods
EP1710324B1 (en) 2005-04-08 2008-12-03 STMicroelectronics S.r.l. PVD process and chamber for the pulsed deposition of a chalcogenide material layer of a phase change memory device
US7305311B2 (en) * 2005-04-22 2007-12-04 Advanced Energy Industries, Inc. Arc detection and handling in radio frequency power applications
US7838133B2 (en) * 2005-09-02 2010-11-23 Springworks, Llc Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications
US20080138374A1 (en) * 2006-02-27 2008-06-12 Storey Daniel M Molecular Plasma Deposition of Bioactive Small Molecules
US7250195B1 (en) 2006-02-27 2007-07-31 Ionic Fusion Corporation Molecular plasma deposition of colloidal materials
US7514935B2 (en) * 2006-09-13 2009-04-07 Advanced Energy Industries, Inc. System and method for managing power supplied to a plasma chamber
EP2067163A4 (en) 2006-09-29 2009-12-02 Infinite Power Solutions Inc MASKING FLEXIBLE SUBSTRATES AND RESTRICTING MATERIALS TO APPLY BATTERY LAYERS TO THESE
JP4755567B2 (ja) * 2006-10-26 2011-08-24 学校法人同志社 プラズマ誘起電解による微粒子の製造方法およびその装置
US8197781B2 (en) 2006-11-07 2012-06-12 Infinite Power Solutions, Inc. Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same
US8217299B2 (en) * 2007-02-22 2012-07-10 Advanced Energy Industries, Inc. Arc recovery without over-voltage for plasma chamber power supplies using a shunt switch
EP1995818A1 (en) * 2007-05-12 2008-11-26 Huettinger Electronic Sp. z o. o Circuit and method for reducing electrical energy stored in a lead inductance for fast extinction of plasma arcs
WO2009040406A2 (de) * 2007-09-25 2009-04-02 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und anordnung zum redundanten anoden-sputtern mit einer dual-anoden-anordnung
US9039871B2 (en) 2007-11-16 2015-05-26 Advanced Energy Industries, Inc. Methods and apparatus for applying periodic voltage using direct current
US8133359B2 (en) 2007-11-16 2012-03-13 Advanced Energy Industries, Inc. Methods and apparatus for sputtering deposition using direct current
CN101903560B (zh) 2007-12-21 2014-08-06 无穷动力解决方案股份有限公司 用于电解质膜的溅射靶的方法
US8268488B2 (en) 2007-12-21 2012-09-18 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film electrolyte for thin film batteries
CN101911367B (zh) 2008-01-11 2015-02-25 无穷动力解决方案股份有限公司 用于薄膜电池及其他器件的薄膜包封
EP2266183B1 (en) 2008-04-02 2018-12-12 Sapurast Research LLC Passive over/under voltage control and protection for energy storage devices associated with energy harvesting
US9782949B2 (en) 2008-05-30 2017-10-10 Corning Incorporated Glass laminated articles and layered articles
US8044594B2 (en) * 2008-07-31 2011-10-25 Advanced Energy Industries, Inc. Power supply ignition system and method
EP2319101B1 (en) 2008-08-11 2015-11-04 Sapurast Research LLC Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof
US8260203B2 (en) 2008-09-12 2012-09-04 Infinite Power Solutions, Inc. Energy device with integral conductive surface for data communication via electromagnetic energy and method thereof
US8508193B2 (en) 2008-10-08 2013-08-13 Infinite Power Solutions, Inc. Environmentally-powered wireless sensor module
US8395078B2 (en) 2008-12-05 2013-03-12 Advanced Energy Industries, Inc Arc recovery with over-voltage protection for plasma-chamber power supplies
EP2790205B1 (en) 2009-02-17 2018-04-04 Solvix GmbH A power supply device for plasma processing
US20120031749A1 (en) 2009-04-27 2012-02-09 Oc Oerlikon Balzers Ag Reactive sputtering with multiple sputter sources
DE102009002684B4 (de) * 2009-04-28 2013-12-24 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zur Leistungsversorgung einer Plasmalast und Plasmaversorgungseinrichtung zu seiner Durchführung
US11615941B2 (en) 2009-05-01 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems
US9287092B2 (en) * 2009-05-01 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for controlling ion energy distribution
US11978611B2 (en) * 2009-05-01 2024-05-07 Advanced Energy Industries, Inc. Apparatus with switches to produce a waveform
US9767988B2 (en) * 2010-08-29 2017-09-19 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US8599572B2 (en) 2009-09-01 2013-12-03 Infinite Power Solutions, Inc. Printed circuit board with integrated thin film battery
JP2013528912A (ja) 2010-06-07 2013-07-11 インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド 再充電可能高密度電気化学素子
US8552665B2 (en) 2010-08-20 2013-10-08 Advanced Energy Industries, Inc. Proactive arc management of a plasma load
EP2463890A1 (en) 2010-12-08 2012-06-13 Applied Materials, Inc. Generating plasmas in pulsed power systems
US11049702B2 (en) 2015-04-27 2021-06-29 Advanced Energy Industries, Inc. Rate enhanced pulsed DC sputtering system
US9812305B2 (en) 2015-04-27 2017-11-07 Advanced Energy Industries, Inc. Rate enhanced pulsed DC sputtering system
CN109256759B (zh) 2017-07-14 2021-04-16 台达电子工业股份有限公司 电弧抑制装置与电弧抑制方法
EP3711080B1 (en) 2017-11-17 2023-06-21 AES Global Holdings, Pte. Ltd. Synchronized pulsing of plasma processing source and substrate bias
EP3711081B1 (en) 2017-11-17 2024-06-19 AES Global Holdings, Pte. Ltd. Spatial and temporal control of ion bias voltage for plasma processing
CN111788654B (zh) 2017-11-17 2023-04-14 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 等离子体处理系统中的调制电源的改进应用
WO2021011450A1 (en) 2019-07-12 2021-01-21 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply with a single controlled switch
US11942309B2 (en) 2022-01-26 2024-03-26 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply with resonant switching
US11670487B1 (en) 2022-01-26 2023-06-06 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply control and data processing
US11978613B2 (en) 2022-09-01 2024-05-07 Advanced Energy Industries, Inc. Transition control in a bias supply

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE221202C (ja) *
DE229160C (ja) *
US4103324A (en) * 1976-12-22 1978-07-25 Airco, Inc. Saturable reactor-type power supply
BG29362A1 (en) * 1979-03-11 1980-11-14 Minchev Apparatus for chemical- thermal processing of matal articles in the condition of electrical smouldering charge
JPS5769324A (en) * 1980-10-11 1982-04-28 Daiwa Dengiyou Kk Monitor device of dc power supply
DE3121389A1 (de) * 1980-12-03 1982-08-19 Kombinat Veb Keramische Werke Hermsdorf, Ddr 6530 Hermsdorf Verfahren zum vorsputtern von targets in plasmatron-zerstaeubungsanlagen
JPS6130665A (ja) * 1984-07-20 1986-02-12 Anelva Corp スパツタ装置
US4610775A (en) * 1985-07-26 1986-09-09 Westinghouse Electric Corp. Method and apparatus for clearing short-circuited, high-voltage cathodes in a sputtering chamber
JPS63190168A (ja) * 1987-01-30 1988-08-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 薄膜製造装置の電源装置
DE3821207A1 (de) * 1988-06-23 1989-12-28 Leybold Ag Anordnung zum beschichten eines substrats mit dielektrika
US4936960A (en) * 1989-01-03 1990-06-26 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for recovery from low impedance condition during cathodic arc processes
US5009764A (en) * 1989-01-13 1991-04-23 Advanced Energy Industries, Inc. Apparatus for removal of electrical shorts in a sputtering system
US4963238A (en) * 1989-01-13 1990-10-16 Siefkes Jerry D Method for removal of electrical shorts in a sputtering system
FR2648001B1 (fr) * 1989-05-31 1991-09-27 Breda Jean Pierre Alimentation en courant continu d'electrodes a plasma et procede pour regenerer un plasma
DE3919147C2 (de) * 1989-06-12 1998-01-15 Leybold Ag Verfahren zum Beschichten eines Kunststoffsubstrats mit Aluminium
DE3919145A1 (de) * 1989-06-12 1990-12-13 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines substrats mit elektrisch leitenden werkstoffen
JPH0356671A (ja) * 1989-07-21 1991-03-12 Fujitsu Ltd スパッタリング装置
JPH0361368A (ja) * 1989-07-28 1991-03-18 Hitachi Nakaseiki Ltd イオンスパッタリング方法およびその装置
DE3925536A1 (de) * 1989-08-02 1991-02-07 Leybold Ag Anordnung zur dickenmessung von duennschichten
DE3926877A1 (de) * 1989-08-16 1991-02-21 Leybold Ag Verfahren zum beschichten eines dielektrischen substrats mit kupfer
DE3934092A1 (de) * 1989-10-12 1991-04-18 Leybold Ag Vorrichtung zum beschichten eines kunststoffsubstrats, vorzugsweise eines polymethylmethacrylat-substrats mit aluminium
US5241152A (en) * 1990-03-23 1993-08-31 Anderson Glen L Circuit for detecting and diverting an electrical arc in a glow discharge apparatus
US5126033A (en) * 1990-12-31 1992-06-30 Leybold Aktiengesellschaft Process and apparatus for reactively coating a substrate
DE4113704A1 (de) * 1991-04-26 1992-10-29 Physikalisch Tech I Schaltungsanordnung zur vermeidung der einfluesse von bogenentladungen bei reaktiven dc-hochratezerstaeuben
DE4127504A1 (de) * 1991-08-20 1993-02-25 Leybold Ag Einrichtung zur unterdrueckung von lichtboegen
DE4202425C2 (de) * 1992-01-29 1997-07-17 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
DE4233720C2 (de) * 1992-10-07 2001-05-17 Leybold Ag Einrichtung für die Verhinderung von Überschlägen in Vakuum-Zerstäubungsanlagen

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