DE1001448T1 - Dünnfilm-Plasmabehandlungsvorrichtung - Google Patents

Dünnfilm-Plasmabehandlungsvorrichtung

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DE1001448T1 DE1001448T DE00101894T DE1001448T1 DE 1001448 T1 DE1001448 T1 DE 1001448T1 DE 1001448 T DE1001448 T DE 1001448T DE 00101894 T DE00101894 T DE 00101894T DE 1001448 T1 DE1001448 T1 DE 1001448T1
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Claims (20)

DE/EP 100U48T1 Patentansprüche
1. Verbessertes Gleichstrom-Plasmaverarbeitungssystem, mit:
a. einer Beschichtungskamrner;
b. einem Materialtarget, das so beschaffen ist, daß es Beschichtungsmaterial in der Kammer freisetzt;
c. einer Einrichtung, die eine Abscheidung des Beschichtungsmaterials auf einem Substrat bewirkt und eine Anode und eine Katode umfaßt;
d. einer Gleichstrom-Leistungsquelle mit einem Gleichstromleistungsausgang und ersten und zweiten Leitungen, die über ein Plasma verbunden sind, um einen Stromkreis zu bilden, durch die Strom fließt; und
e. einer Einrichtung zum periodischen Reinigen des Systems von einem ungleichmäßigen Aufbau geladener Teilchen.
2. System nach Anspruch 1, wobei die Einrichtung zum periodischen Reinigen des Systems von einem ungleichmäßigen Aufbau geladener Teilchen eine Einrichtung zum sofortigen Unterbrechen des Stromflusses durch das Plasma umfaßt.
3. System nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei die Gleichstromleistungsversorgung an die Beschichtungskammer eine Spannung anlegt und wobei die Einrichtung zum periodischen Reinigen des Systems von einem ungleichmäßigen Aufbau geladener Teilchen eine Einrichtung zum Anlegen einer entgegengesetzten Spannung an die Beschichtungskammer umfaßt.
4. System nach Anspruch 3, wobei die Rückwärtsspannung wenigstens 10 % der Dauerspannung beträgt.
5. System nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei die Einrichtung zum periodischen Reinigen einen Zeitgeber enthält, um sie nach jeweils 0,5 bis 2,0 ms zu aktivieren.
t »mi* i» ···* ·* &igr;
2-
DE/EP 1 00U48T1
6. System nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei die Einrichtung zum Anlegen einer Rückwärtsspannung eine Einrichtung zum Erfassen eines Lichtbogenzustandes im Plasma enthält.
7. System nach Anspruch 6, wobei die Erfassungseinrichtung eine niedrige Spannung des Gleichstromausgangs erfaßt.
8. System nach Anspruch 6 oder 7, wobei die Einrichtung zum Erfassen eine hohe Änderungsrate des Gleichstromausgangs umfaßt.
9. System nach einem der Ansprüche 3 bis 8, wobei die Rückwärtsspannung jegliches Löschen des Plasmas vermeidet.
10. System nach einem der Ansprüche 3 bis 8, wobei die Rückwärtsspannung eine Dauer zwischen 10 und 100 Mikrosekunden hat.
11. Verfahren zur Dünnfilmverarbeirung in einem Plasmasystem, umfassend das Liefern von Gleichstromleistung an eine Beschichtungskammer über einen Stromkreis, der eine erste und eine zweite Leitung besitzt, um ein Plasma zu erzeugen, durch das Strom fließt, Bewirken einer Abscheidung eines Dünnfilms aus Beschichtungsmaterial auf einem in der Kammer angeordneten Target durch die Wirkung des Plasmas und periodisches Reinigen des Systems von einem ungleichmäßigen Aufbau geladener Teilchen.
12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das periodische Reinigen durch sofortiges Anhalten des Stromflusses durch das Plasma erzielt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder Anspruch 12, wobei das periodische Reinigen durch Anlegen einer Rückwärtsspannung an die Beschichtungskammer erzielt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Rückwärtsspannung wenigstens 10 % der Dauerspannung beträgt.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei das periodische Reinigen nach jeweils 0,5 bis 2,0 ms ausgeführt wird.
-3-
DE/EP 1 00U48T1
16. Verfahren nach Anspruch 13 oder Anspruch 14, bei dem das periodische Reinigen des Systems von einem ungleichmäßigen Aufbau geladener Teilchen bei Erfassung eines Lichtbogenzustandes im Plasma erfolgt.
17. Verfahren nach Anspruch 16, bei dem die Erfassung eines Lichtbogenzustandes im Plasma die Erfassung einer niedrigen Spannung des Gleichstromausgangs umfaßt.
18. Verfahren nach Anspruch 16 oder Anspruch 17, wobei die Erfassung eines Lichtbogenzustandes im Plasma die Erfassung einer hohen Änderungsrate des Gleichstromausgangs umfaßt.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 18, wobei das Anlegen einer Rückwärtsspannung an die Beschichtungskammer jegliches Löschen des Plasmas vermeidet.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 18, wobei die Rückwärtsspannung an die Beschichtungskammer für eine Periode zwischen 10 und 100 Mikrosekunden angelegt wird.
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