JP3475569B2 - パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
パッケージ及びその製造方法Info
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明は、半導体素子などの電
子部品が搭載されるパッケージ及びその製造方法に関
し、特には、搭載された電子部品が片面からによる樹脂
封止がなされ、もう一方の面あるいは側面などにおいて
マザーボードに半田等によって実装・接続されるパッケ
ージ及びその製造方法に関するものである。
子部品が搭載されるパッケージ及びその製造方法に関
し、特には、搭載された電子部品が片面からによる樹脂
封止がなされ、もう一方の面あるいは側面などにおいて
マザーボードに半田等によって実装・接続されるパッケ
ージ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】 従来、半導体素子などの電子部品が搭
載されたパッケージをプリント配線板からなるマザーボ
ードに搭載して電気的に接続する場合において、マザー
ボードに形成された接続用のスルーホールに対してパッ
ケージ側に形成されたリードフレームやピンからなる接
続部を挿入し、半田付けする事によって行っていた。こ
のような従来の接続方法においては、マザーボード側に
接続用の貫通したスルーホールが多数形成されるため
に、マザーボードの配線密度の向上を著しく阻害してい
た。
載されたパッケージをプリント配線板からなるマザーボ
ードに搭載して電気的に接続する場合において、マザー
ボードに形成された接続用のスルーホールに対してパッ
ケージ側に形成されたリードフレームやピンからなる接
続部を挿入し、半田付けする事によって行っていた。こ
のような従来の接続方法においては、マザーボード側に
接続用の貫通したスルーホールが多数形成されるため
に、マザーボードの配線密度の向上を著しく阻害してい
た。
【０００３】 そこで近年、上記のような問題点を解決
するために、マザーボード側に接続用の貫通したスルー
ホールを形成する必要がないパッケージの接続方法が検
討され、ＱＦＰ（クワッド・フラット・パッケージ）、
ＬＣＣ（リードレス・チップ・キャリア）、ＢＧＡ（ボ
ール・グリッド・アレイ）やＴＡＢ（テープ・オートメ
イテッド・ボンディング）のようなパッケージを使用し
て、マザーボードの表層に形成された接続パッドにＳＭ
Ｔ（サーフェス・マウント・テクノロジー）を駆使して
実装し、マザーボードの配線密度の向上が図られてき
た。
するために、マザーボード側に接続用の貫通したスルー
ホールを形成する必要がないパッケージの接続方法が検
討され、ＱＦＰ（クワッド・フラット・パッケージ）、
ＬＣＣ（リードレス・チップ・キャリア）、ＢＧＡ（ボ
ール・グリッド・アレイ）やＴＡＢ（テープ・オートメ
イテッド・ボンディング）のようなパッケージを使用し
て、マザーボードの表層に形成された接続パッドにＳＭ
Ｔ（サーフェス・マウント・テクノロジー）を駆使して
実装し、マザーボードの配線密度の向上が図られてき
た。
【０００４】 中でもＢＧＡ（図１０）は、マザーボー
ドとの接続のために半田などからなるバンプをパッケー
ジ裏面略全体に有しており、実装接続後の接続状態を目
視検査できない反面、パッケージの周辺部に集中して接
続部を有しているＱＦＰ、ＬＣＣやＴＡＢに比較して接
続部のピッチが遙に緩やかであることから、欠陥の少な
い高い収率の実装が可能となり、無検査化を目指して開
発が急がれているものである。
ドとの接続のために半田などからなるバンプをパッケー
ジ裏面略全体に有しており、実装接続後の接続状態を目
視検査できない反面、パッケージの周辺部に集中して接
続部を有しているＱＦＰ、ＬＣＣやＴＡＢに比較して接
続部のピッチが遙に緩やかであることから、欠陥の少な
い高い収率の実装が可能となり、無検査化を目指して開
発が急がれているものである。
【０００５】 しかしながら、図１６に示す如く、特
に、片側からのインジェクション・モールド（射出成形
封止）あるいはポッティング・モールド（滴下封止）す
ることによって電子部品を外部応力などから保護する従
来のパッケージには以下に示すような問題点がある。
に、片側からのインジェクション・モールド（射出成形
封止）あるいはポッティング・モールド（滴下封止）す
ることによって電子部品を外部応力などから保護する従
来のパッケージには以下に示すような問題点がある。
【０００６】 近年、パッケージと電子部品との電気的
接続は、ワイヤーボンディングによって行うことが主流
であり、絶縁性基材表面に形成される導体回路にはワイ
ヤーボンディングのためのニッケル・金メッキが施され
ている。このニッケル・金メッキ処理は材料コストが高
いことから、絶縁性基材表面に形成される導体回路のニ
ッケル・金メッキを施す必要がない部分に、予めソルダ
ーレジスト被膜を形成することによって、ニッケル・金
メッキを施す面積を限定することが常である。しかし、
一般的なソルダーレジスト被膜の表面には、ソルダーレ
ジスト・ワニスに含有されている消泡剤や熱硬化触媒が
熱硬化の際に滲みだすこと等によって光沢のある表面と
なるため、電子部品を保護するためのモールド樹脂との
密着強度は、十分なものではない。
接続は、ワイヤーボンディングによって行うことが主流
であり、絶縁性基材表面に形成される導体回路にはワイ
ヤーボンディングのためのニッケル・金メッキが施され
ている。このニッケル・金メッキ処理は材料コストが高
いことから、絶縁性基材表面に形成される導体回路のニ
ッケル・金メッキを施す必要がない部分に、予めソルダ
ーレジスト被膜を形成することによって、ニッケル・金
メッキを施す面積を限定することが常である。しかし、
一般的なソルダーレジスト被膜の表面には、ソルダーレ
ジスト・ワニスに含有されている消泡剤や熱硬化触媒が
熱硬化の際に滲みだすこと等によって光沢のある表面と
なるため、電子部品を保護するためのモールド樹脂との
密着強度は、十分なものではない。
【０００７】 従って、パッケージをマザーボードに半
田付けなどの加熱処理する方法によって固定される際な
どに、モールド樹脂とソルダーレジスト被膜との界面で
剥離が生じる恐れがある。そこで、消泡剤を含まないも
のや非常に荒れた表面状態を得られるようなソルダーレ
ジスト材料が検討されている。しかしながら、まだ充分
満足できるものがないために、加熱処理時間を短縮する
などして、付加される応力を極力低減する工夫をしなが
ら実施されている。
田付けなどの加熱処理する方法によって固定される際な
どに、モールド樹脂とソルダーレジスト被膜との界面で
剥離が生じる恐れがある。そこで、消泡剤を含まないも
のや非常に荒れた表面状態を得られるようなソルダーレ
ジスト材料が検討されている。しかしながら、まだ充分
満足できるものがないために、加熱処理時間を短縮する
などして、付加される応力を極力低減する工夫をしなが
ら実施されている。
【０００８】 一方で、絶縁性の基材表面に形成される
導体回路の面積が極めて少ない場合においては、上記の
ようにソルダーレジスト被膜を形成することなくニッケ
ル・金メッキ処理を行うことがある。この場合、このニ
ッケル・金メッキ表面は、ワイヤーボンディングを確実
に行うために極めて平坦な状態となっているので、ソル
ダーレジスト被膜を形成した場合と同様に、電子部品を
保護するためのモールド樹脂との密着強度は、十分なも
のではない。
導体回路の面積が極めて少ない場合においては、上記の
ようにソルダーレジスト被膜を形成することなくニッケ
ル・金メッキ処理を行うことがある。この場合、このニ
ッケル・金メッキ表面は、ワイヤーボンディングを確実
に行うために極めて平坦な状態となっているので、ソル
ダーレジスト被膜を形成した場合と同様に、電子部品を
保護するためのモールド樹脂との密着強度は、十分なも
のではない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】 本発明は、以上の実
情を鑑みて成されたものであって、その解決しようとす
る課題は、電子部品が搭載されてモールド樹脂によって
封止されるパッケージにおける、ソルダーレジスト被膜
とモールド樹脂との密着強度の悪さであり、またニッケ
ル・金メッキ処理が施された導体回路表面とモールド樹
脂との密着強度の悪さである。そして本発明の目的とす
るところは、電子部品が搭載されてモールド樹脂によっ
て封止されるパッケージにおいて、ソルダーレジスト被
膜とニッケル・金メッキ処理が施された導体回路表面と
の密着強度、あるいはまた、ニッケル・金メッキ処理が
施された導体回路表面とモールド樹脂との密着強度が高
く、これらの界面において剥離現象が生じないパッケー
ジおよびその製造方法を提供することにある。
情を鑑みて成されたものであって、その解決しようとす
る課題は、電子部品が搭載されてモールド樹脂によって
封止されるパッケージにおける、ソルダーレジスト被膜
とモールド樹脂との密着強度の悪さであり、またニッケ
ル・金メッキ処理が施された導体回路表面とモールド樹
脂との密着強度の悪さである。そして本発明の目的とす
るところは、電子部品が搭載されてモールド樹脂によっ
て封止されるパッケージにおいて、ソルダーレジスト被
膜とニッケル・金メッキ処理が施された導体回路表面と
の密着強度、あるいはまた、ニッケル・金メッキ処理が
施された導体回路表面とモールド樹脂との密着強度が高
く、これらの界面において剥離現象が生じないパッケー
ジおよびその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、厚さ
０．１５ｍｍ以下の基材に導体回路が形成され、該導体
回路に電子部品が搭載されると共にモールド樹脂によっ
て封止されるパッケージであって、前記封止される面側
の導体回路上面に導体回路幅方向に突出する金メッキ層
を有し、かつ前記導体回路側面は粗化処理によって形成
した粗面を有することを特徴とするパッケージにある。
本発明が採った手段を、図面に付した符号を用いて説明
すると、請求項１の発明は、電子部品（５０）が搭載さ
れて基材（２０）上の導体回路（４０）とワイヤーボン
ディングによって電気接続されて後に、ポッティング法
や射出成型法によって樹脂封止されるパッケージにおい
て、前記樹脂封止される面側の導体回路（４０）上面に
導体回路（４０）幅方向に突出する金メッキ（１２０）
層を有した構造と成っているのである。すなわち、基材
（２０）上に形成された導体回路（４０）の幅方向での
断面形状が、導体回路（４０）上部が左右に”ひさし
状”に突出した形状となっているのである。
０．１５ｍｍ以下の基材に導体回路が形成され、該導体
回路に電子部品が搭載されると共にモールド樹脂によっ
て封止されるパッケージであって、前記封止される面側
の導体回路上面に導体回路幅方向に突出する金メッキ層
を有し、かつ前記導体回路側面は粗化処理によって形成
した粗面を有することを特徴とするパッケージにある。
本発明が採った手段を、図面に付した符号を用いて説明
すると、請求項１の発明は、電子部品（５０）が搭載さ
れて基材（２０）上の導体回路（４０）とワイヤーボン
ディングによって電気接続されて後に、ポッティング法
や射出成型法によって樹脂封止されるパッケージにおい
て、前記樹脂封止される面側の導体回路（４０）上面に
導体回路（４０）幅方向に突出する金メッキ（１２０）
層を有した構造と成っているのである。すなわち、基材
（２０）上に形成された導体回路（４０）の幅方向での
断面形状が、導体回路（４０）上部が左右に”ひさし
状”に突出した形状となっているのである。
【００１１】 また、請求項２の発明は、請求項１にお
いて、前記導体回路（４０）は、基材（２０）に形成さ
れた貫通孔（３０）を封孔する形態であるとともに、こ
の貫通孔（３０）を通して前記導体回路（４０）と導通
し前記基材（２０）の他方の面（本発明のパッケージが
片面配線板である場合には、その導体回路非形成面）か
ら突出する半田バンプなどの導電接続部（７０）を有し
た構造とするのである。
いて、前記導体回路（４０）は、基材（２０）に形成さ
れた貫通孔（３０）を封孔する形態であるとともに、こ
の貫通孔（３０）を通して前記導体回路（４０）と導通
し前記基材（２０）の他方の面（本発明のパッケージが
片面配線板である場合には、その導体回路非形成面）か
ら突出する半田バンプなどの導電接続部（７０）を有し
た構造とするのである。
【００１２】 さらに、請求項３の発明は、請求項１ま
たは請求項２において、前記導体回路側面（４０）及び
前記電子部品搭載部が粗面（１４０）となっているので
ある。
たは請求項２において、前記導体回路側面（４０）及び
前記電子部品搭載部が粗面（１４０）となっているので
ある。
【００１３】そして上記の構造のパッケージを得るため
の製造方法としては、請求項４に示すように、電子部品
が搭載されてモールド樹脂によって封止されるパッケー
ジの製造方法において、銅箔に覆われた厚さ０．１５ｍ
ｍ以下の基材の表面にメッキレジスト被膜を形成し導体
回路となる部分にニッケル・金メッキを施し、前記メッ
キレジスト被膜を剥離除去した後に電子部品搭載部とな
る部分にエッチングレジスト被膜を形成し、前記ニッケ
ル・金メッキ層及び前記エッチングレジスト被膜から露
出する銅箔をエッチング除去して導体回路及び電子部品
搭載部を形成し、前記エッチングレジスト被膜を剥離除
去する方法であって、かつ前記銅箔のエッチング除去
は、前記封止される面側の前記導体回路上面の金メッキ
層が導体回路幅方向に突出するまで行ない、また前記導
体回路の側面に粗化処理を施すことを特徴とするパッケ
ージの製造方法がある。この方法では、電子部品（５
０）が搭載されてモールド樹脂（６０）によって封止さ
れるパッケージ（２００）の製造方法において、銅箔に
覆われた基材（２０）表面にメッキレジスト（１１０）
被膜を形成し導体回路となる部分にニッケル・金メッキ
（１２０）を施し、前記メッキレジスト（１１０）被膜
を剥離除去した後に電子部品搭載部となる部分にエッチ
ングレジスト被膜を形成し、前記ニッケル・金メッキ
（１２０）層及び前記エッチングレジスト被膜から露出
する銅箔をエッチング除去して導体回路（４０）及び電
子部品搭載部を形成し、前記エッチングレジスト被膜を
剥離除去する工程を含んで成るものである。
の製造方法としては、請求項４に示すように、電子部品
が搭載されてモールド樹脂によって封止されるパッケー
ジの製造方法において、銅箔に覆われた厚さ０．１５ｍ
ｍ以下の基材の表面にメッキレジスト被膜を形成し導体
回路となる部分にニッケル・金メッキを施し、前記メッ
キレジスト被膜を剥離除去した後に電子部品搭載部とな
る部分にエッチングレジスト被膜を形成し、前記ニッケ
ル・金メッキ層及び前記エッチングレジスト被膜から露
出する銅箔をエッチング除去して導体回路及び電子部品
搭載部を形成し、前記エッチングレジスト被膜を剥離除
去する方法であって、かつ前記銅箔のエッチング除去
は、前記封止される面側の前記導体回路上面の金メッキ
層が導体回路幅方向に突出するまで行ない、また前記導
体回路の側面に粗化処理を施すことを特徴とするパッケ
ージの製造方法がある。この方法では、電子部品（５
０）が搭載されてモールド樹脂（６０）によって封止さ
れるパッケージ（２００）の製造方法において、銅箔に
覆われた基材（２０）表面にメッキレジスト（１１０）
被膜を形成し導体回路となる部分にニッケル・金メッキ
（１２０）を施し、前記メッキレジスト（１１０）被膜
を剥離除去した後に電子部品搭載部となる部分にエッチ
ングレジスト被膜を形成し、前記ニッケル・金メッキ
（１２０）層及び前記エッチングレジスト被膜から露出
する銅箔をエッチング除去して導体回路（４０）及び電
子部品搭載部を形成し、前記エッチングレジスト被膜を
剥離除去する工程を含んで成るものである。
【００１４】また、基材（２０）のモールド樹脂（６
０）によって封止される面側の前記導体回路をエッチン
グ形成するに当たり、導体回路（４０）上面の金メッキ
（１２０）層が導体回路幅方向に突出するまで前記銅箔
をエッチング除去するのである。すなわち、金メッキ
（１２０）層をエッチング工程でのエッチングレジスト
として活用し、若干オーバーエッチングすることによっ
て、基材（２０）上に形成された導体回路（４０）の幅
方向での断面形状が、導体回路（４０）上部が左右に”
ひさし状”に突出した形状とするのである。また、前記
導体回路（４０）の側面に粗化処理を施す。
０）によって封止される面側の前記導体回路をエッチン
グ形成するに当たり、導体回路（４０）上面の金メッキ
（１２０）層が導体回路幅方向に突出するまで前記銅箔
をエッチング除去するのである。すなわち、金メッキ
（１２０）層をエッチング工程でのエッチングレジスト
として活用し、若干オーバーエッチングすることによっ
て、基材（２０）上に形成された導体回路（４０）の幅
方向での断面形状が、導体回路（４０）上部が左右に”
ひさし状”に突出した形状とするのである。また、前記
導体回路（４０）の側面に粗化処理を施す。
【００１５】さらに、請求項５の発明は、前記銅箔をエ
ッチング除去することによって前記導体回路（４０）及
び前記電子部品搭載部を形成した後に、導体回路（４
０）側壁及び前記電子部品搭載部に黒化処理を施すこの
である。これによって、ワイヤーボンディングのための
導体回路（４０）などの上面には金メッキ（１２０）層
が存在し、この導体回路（４０）の側壁及び電子部品搭
載部となる導体回路（４０）上表面および側面には、粗
化処理（黒化処理、ブラウン処理等によるものが一般的
であり、黒化処理を施す場合においては還元処理も施す
ことが望ましい）によるアンカーが形成されるのであ
る。
ッチング除去することによって前記導体回路（４０）及
び前記電子部品搭載部を形成した後に、導体回路（４
０）側壁及び前記電子部品搭載部に黒化処理を施すこの
である。これによって、ワイヤーボンディングのための
導体回路（４０）などの上面には金メッキ（１２０）層
が存在し、この導体回路（４０）の側壁及び電子部品搭
載部となる導体回路（４０）上表面および側面には、粗
化処理（黒化処理、ブラウン処理等によるものが一般的
であり、黒化処理を施す場合においては還元処理も施す
ことが望ましい）によるアンカーが形成されるのであ
る。
【００１６】
【作用】請求項１の発明は、電子部品（５０）が搭載さ
れて基材（２０）上の導体回路（４０）とワイヤーボン
ディングによって電気接続されて後に、ポッティング法
や射出成型法によって樹脂封止されるパッケージにおい
て、基材（２０）上に形成された導体回路（４０）の幅
方向での断面形状が、導体回路（４０）上部が左右に
「ひさし状」に突出した形状となっているのであるか
ら、形成された封止樹脂（６０）に「くさび」状に食い
込む状態となって、封止樹脂（６０）を物理的に強固に
密着させるのである。これによって、熱衝撃などの外部
応力に対して高い信頼性を有したパッケージとなるので
ある。また、導体回路（４０）の側面は粗化処理によっ
て形成した粗面（１４０）を有する。そのため、導体回
路（４０）自体が封止樹脂（６０）に「くさび」状に食
い込む状態となって、封止樹脂（６０）を物理的に強固
に密着させるばかりではなく、導体回路（４０）側面に
形成された粗面（１４０）（微細なアンカー）によって
も、封止樹脂（６０）を物理的に強固に密着させる。そ
れ故、熱衝撃などの外部応力に対して、さらに高い信頼
性を有したパッケージとなるのである。
れて基材（２０）上の導体回路（４０）とワイヤーボン
ディングによって電気接続されて後に、ポッティング法
や射出成型法によって樹脂封止されるパッケージにおい
て、基材（２０）上に形成された導体回路（４０）の幅
方向での断面形状が、導体回路（４０）上部が左右に
「ひさし状」に突出した形状となっているのであるか
ら、形成された封止樹脂（６０）に「くさび」状に食い
込む状態となって、封止樹脂（６０）を物理的に強固に
密着させるのである。これによって、熱衝撃などの外部
応力に対して高い信頼性を有したパッケージとなるので
ある。また、導体回路（４０）の側面は粗化処理によっ
て形成した粗面（１４０）を有する。そのため、導体回
路（４０）自体が封止樹脂（６０）に「くさび」状に食
い込む状態となって、封止樹脂（６０）を物理的に強固
に密着させるばかりではなく、導体回路（４０）側面に
形成された粗面（１４０）（微細なアンカー）によって
も、封止樹脂（６０）を物理的に強固に密着させる。そ
れ故、熱衝撃などの外部応力に対して、さらに高い信頼
性を有したパッケージとなるのである。
【００１７】 また、請求項２の発明は、請求項１にお
いて、前記導体回路（４０）は基材（２０）に形成され
た貫通孔（３０）を封孔する形態であるとともに、この
貫通孔（３０）を通して前記導体回路（４０）と導通し
前記基材（２０）の他方の面（本発明のパッケージが片
面配線板である場合には、その導体回路非形成面）から
突出する半田バンプなどの導電接続部（７０）を有した
構造とするのである。
いて、前記導体回路（４０）は基材（２０）に形成され
た貫通孔（３０）を封孔する形態であるとともに、この
貫通孔（３０）を通して前記導体回路（４０）と導通し
前記基材（２０）の他方の面（本発明のパッケージが片
面配線板である場合には、その導体回路非形成面）から
突出する半田バンプなどの導電接続部（７０）を有した
構造とするのである。
【００１８】 この様なパッケージ構造とすることによ
って、一旦、スルーホール等の接続手段を用いて基材
（２０）の表裏の導体回路（４０）同士を電気的に接続
した後に、裏面の導体回路の所望部分にマザーボード等
と接続するための外部接続手段を形成する必要がないの
である。すなわち、無電解銅メッキによるスルーホール
メッキ工程や貫通孔（３０）への導電生ペースト充填工
程などをあえて必要とせず、電子部品（５０）との電気
的接続面側または樹脂封止面側の裏面側にマザーボード
等と接続するための外部接続手段を形成することができ
るのである。結果として、請求項１の利点を継承しつ
つ、材料コストおよび／または製造コストを低減し得る
シンプルな構造の安価なパッケージ（２００）を提供で
きるのである。
って、一旦、スルーホール等の接続手段を用いて基材
（２０）の表裏の導体回路（４０）同士を電気的に接続
した後に、裏面の導体回路の所望部分にマザーボード等
と接続するための外部接続手段を形成する必要がないの
である。すなわち、無電解銅メッキによるスルーホール
メッキ工程や貫通孔（３０）への導電生ペースト充填工
程などをあえて必要とせず、電子部品（５０）との電気
的接続面側または樹脂封止面側の裏面側にマザーボード
等と接続するための外部接続手段を形成することができ
るのである。結果として、請求項１の利点を継承しつ
つ、材料コストおよび／または製造コストを低減し得る
シンプルな構造の安価なパッケージ（２００）を提供で
きるのである。
【００１９】 さらに、請求項３の発明は、請求項１ま
たは請求項２において、導体回路側面（４０）及び電子
部品搭載部が粗面（１４０）となっているのであるか
ら、請求項１の作用において説明した如く、導体回路
（４０）自体が形成された封止樹脂（６０）に「くさ
び」状に食い込む状態となって、封止樹脂（６０）を物
理的に強固に密着させるばかりではなく、導体回路（４
０）側面及び電子部品搭載部に形成された粗面（１４
０）（微細なアンカー）によっても、封止樹脂（６０）
を物理的に強固に密着させるので、熱衝撃などの外部応
力に対して、さらに高い信頼性を有したパッケージとな
るのである。
たは請求項２において、導体回路側面（４０）及び電子
部品搭載部が粗面（１４０）となっているのであるか
ら、請求項１の作用において説明した如く、導体回路
（４０）自体が形成された封止樹脂（６０）に「くさ
び」状に食い込む状態となって、封止樹脂（６０）を物
理的に強固に密着させるばかりではなく、導体回路（４
０）側面及び電子部品搭載部に形成された粗面（１４
０）（微細なアンカー）によっても、封止樹脂（６０）
を物理的に強固に密着させるので、熱衝撃などの外部応
力に対して、さらに高い信頼性を有したパッケージとな
るのである。
【００２０】 一方で、請求項４の製造方法に関する発
明では、導体回路（４０）及び電子部品搭載部を形成す
るにあたり、微細加工の必要な導体回路（４０）のため
のエッチングレジストとして、厚みの薄いニッケル・金
メッキ（１２０）層を用いると共に、比較的ラフな回路
形成が許されている電子部品搭載部を形成するためのエ
ッチングレジストとして、従来通りに感光性樹脂フィル
ムなどのエッチングレジスト被膜を用いて、両者から露
出した銅箔（１０）をエッチング加工するのであるか
ら、微細な導体回路（４０）を容易に形成することがで
きる。
明では、導体回路（４０）及び電子部品搭載部を形成す
るにあたり、微細加工の必要な導体回路（４０）のため
のエッチングレジストとして、厚みの薄いニッケル・金
メッキ（１２０）層を用いると共に、比較的ラフな回路
形成が許されている電子部品搭載部を形成するためのエ
ッチングレジストとして、従来通りに感光性樹脂フィル
ムなどのエッチングレジスト被膜を用いて、両者から露
出した銅箔（１０）をエッチング加工するのであるか
ら、微細な導体回路（４０）を容易に形成することがで
きる。
【００２１】 また、導体回路（４０）側面および電子
部品搭載部は、銅箔（１０）部が露出したものとできる
ので、モールド樹脂（６０）との密着強度も充分なもの
となるのである。
部品搭載部は、銅箔（１０）部が露出したものとできる
ので、モールド樹脂（６０）との密着強度も充分なもの
となるのである。
【００２２】また、金メッキ（１２０）層をエッチング
工程でのエッチングレジストとして活用し、若干オーバ
ーエッチングすることによって、基材（２０）上に形成
された導体回路（４０）の幅方向での断面形状が、導体
回路（４０）上部が左右に”ひさし状”に突出した形状
とするのであるから、この”ひさし状”部のアンカー効
果によってモールド樹脂（６０）との密着強度が向上す
るのである。また、導体回路（４０）の側面に粗化処理
を施し粗面を形成する。そのため、前記のごとく、封止
樹脂を強固に密着させることができる。
工程でのエッチングレジストとして活用し、若干オーバ
ーエッチングすることによって、基材（２０）上に形成
された導体回路（４０）の幅方向での断面形状が、導体
回路（４０）上部が左右に”ひさし状”に突出した形状
とするのであるから、この”ひさし状”部のアンカー効
果によってモールド樹脂（６０）との密着強度が向上す
るのである。また、導体回路（４０）の側面に粗化処理
を施し粗面を形成する。そのため、前記のごとく、封止
樹脂を強固に密着させることができる。
【００２３】さらに、請求項５の発明においては、導体
回路（４０）の側壁及び電子部品搭載部となる導体回路
（４０）上表面および側面には、粗化処理（黒化処理、
ブラウン処理等によるものが一般的であり、黒化処理を
施す場合においては還元処理も施すことが望ましい）に
よる微細なアンカーが形成されるのであるから、さらに
モールド樹脂（６０）との密着強度を向上することがで
きるものである。
回路（４０）の側壁及び電子部品搭載部となる導体回路
（４０）上表面および側面には、粗化処理（黒化処理、
ブラウン処理等によるものが一般的であり、黒化処理を
施す場合においては還元処理も施すことが望ましい）に
よる微細なアンカーが形成されるのであるから、さらに
モールド樹脂（６０）との密着強度を向上することがで
きるものである。
【００２４】
【実施例】 次いで、本発明を示す具体例として図１の
パッケージを示し、本発明を更に詳細に説明する。ま
ず、図１に示すパッケージは、電子部品（５０）が搭載
されてモールド樹脂（６０）によって片面が封止される
所謂片面オーバーモールド型の電子部品搭載用のパッケ
ージ（２００）であって、貫通孔（３０）が形成された
フレキシブル基材（２０）の一方の表面（図の上側面）
にその貫通孔（３０）を封孔する状態で導体回路（４
０）が形成されている。そして、その貫通孔（３０）を
通してその導体回路（４０）と導通し先の基材（２０）
の他方の面（図の下側面）から突出する半田バンプなど
からなる導電接続部（７０）を有したものである。
パッケージを示し、本発明を更に詳細に説明する。ま
ず、図１に示すパッケージは、電子部品（５０）が搭載
されてモールド樹脂（６０）によって片面が封止される
所謂片面オーバーモールド型の電子部品搭載用のパッケ
ージ（２００）であって、貫通孔（３０）が形成された
フレキシブル基材（２０）の一方の表面（図の上側面）
にその貫通孔（３０）を封孔する状態で導体回路（４
０）が形成されている。そして、その貫通孔（３０）を
通してその導体回路（４０）と導通し先の基材（２０）
の他方の面（図の下側面）から突出する半田バンプなど
からなる導電接続部（７０）を有したものである。
【００２５】 そして、このパッケージ（２００）の特
徴は、その導体回路（４０）および電子部品搭載部にあ
り、具体的には、図１２に示すように、導体回路（４
０）の上面のみに金メッキ（１２０）層が形成されてい
るものである。そしてその金メッキ（１２０）層は、導
体回路（４０）幅方向に突出するように形成されている
ものであり、さらには、図１３に示すように、導体回路
（４０）側面および電子部品搭載部には、粗化処理（黒
化処理、ブラウン処理等によるものが一般的であり、黒
化処理を施す場合においては還元処理も施すことが望ま
しい）による微細なアンカーが形成されているのであ
る。
徴は、その導体回路（４０）および電子部品搭載部にあ
り、具体的には、図１２に示すように、導体回路（４
０）の上面のみに金メッキ（１２０）層が形成されてい
るものである。そしてその金メッキ（１２０）層は、導
体回路（４０）幅方向に突出するように形成されている
ものであり、さらには、図１３に示すように、導体回路
（４０）側面および電子部品搭載部には、粗化処理（黒
化処理、ブラウン処理等によるものが一般的であり、黒
化処理を施す場合においては還元処理も施すことが望ま
しい）による微細なアンカーが形成されているのであ
る。
【００２６】 以上のような構造であるので、極めて安
価なパッケージ（２００）となっているとともに、ソル
ダーレジスト被膜（図示せず）とニッケル・金メッキ
（１２０）処理が施された導体回路（４０）表面との密
着強度、あるいはまた、ニッケル・金メッキ（１２０）
処理が施された導体回路（４０）表面とモールド樹脂
（６０）との密着強度が高く、これらの界面において剥
離現象が生じないパッケージ（２００）となっているの
である。
価なパッケージ（２００）となっているとともに、ソル
ダーレジスト被膜（図示せず）とニッケル・金メッキ
（１２０）処理が施された導体回路（４０）表面との密
着強度、あるいはまた、ニッケル・金メッキ（１２０）
処理が施された導体回路（４０）表面とモールド樹脂
（６０）との密着強度が高く、これらの界面において剥
離現象が生じないパッケージ（２００）となっているの
である。
【００２７】 さらに、上記貫通孔（３０）の形状は、
その口径を、導体回路（４０）側（図の上側面）よりも
導電接続部（７０）側（図の下側面）を大きくしてあ
る。具体的には、図１４の開口部の導電接続部（７０）
側（図の下側面）を面取りした形状および図１５の導体
回路（４０）側（図の上側面）から開口部の導電接続部
（７０）側（図の下側面）にかけてテーパー形状とした
形状となっている。
その口径を、導体回路（４０）側（図の上側面）よりも
導電接続部（７０）側（図の下側面）を大きくしてあ
る。具体的には、図１４の開口部の導電接続部（７０）
側（図の下側面）を面取りした形状および図１５の導体
回路（４０）側（図の上側面）から開口部の導電接続部
（７０）側（図の下側面）にかけてテーパー形状とした
形状となっている。
【００２８】 従って、貫通孔（３０）を通してその導
体回路（４０）と導通しその基材（２０）の裏面から突
出する導電接続部（７０）を形成するに当たり、例え
ば、導体回路（４０）によって封孔された貫通孔（３
０）の開口側から、半田ペーストを印刷して充填した
り、また、球状に形成された半田ボールや接続ピンを導
体回路（４０）によって封孔された貫通孔（３０）の開
口側から挿入して載置する場合において、貫通孔（３
０）全体あるいはその開口部分においてテーパーが形成
されることとなるので、ペーストの充填作業やボールな
どを挿入して載置する作業を極めて容易に行うことがで
きるのである。
体回路（４０）と導通しその基材（２０）の裏面から突
出する導電接続部（７０）を形成するに当たり、例え
ば、導体回路（４０）によって封孔された貫通孔（３
０）の開口側から、半田ペーストを印刷して充填した
り、また、球状に形成された半田ボールや接続ピンを導
体回路（４０）によって封孔された貫通孔（３０）の開
口側から挿入して載置する場合において、貫通孔（３
０）全体あるいはその開口部分においてテーパーが形成
されることとなるので、ペーストの充填作業やボールな
どを挿入して載置する作業を極めて容易に行うことがで
きるのである。
【００２９】 次いで、本実施例のパッケージの製造方
法を説明する。 (1)70mm幅、0.07mm厚みの高ＴｇＦＲ−４長尺基材（２
０）にエポキシ樹脂系の接着剤（0.02mm厚み）（図示せ
ず）を塗布し、指触乾燥したものに、パンチング加工に
よって貫通孔（３０）を形成し、35μｍ厚みの電解銅箔
（１０）を積層して、加熱・加圧して連続的に一体化し
た（図２〜図３）。このとき、基材（２０）側にゴムな
どを表面に被覆した圧着ローラーを用い、銅箔（１０）
側に硬質の圧着ローラーを用いて、加熱・加圧して連続
的に一体化することによって、貫通孔（３０）開口部分
において銅箔（１０）が伸びることを防止できる。
法を説明する。 (1)70mm幅、0.07mm厚みの高ＴｇＦＲ−４長尺基材（２
０）にエポキシ樹脂系の接着剤（0.02mm厚み）（図示せ
ず）を塗布し、指触乾燥したものに、パンチング加工に
よって貫通孔（３０）を形成し、35μｍ厚みの電解銅箔
（１０）を積層して、加熱・加圧して連続的に一体化し
た（図２〜図３）。このとき、基材（２０）側にゴムな
どを表面に被覆した圧着ローラーを用い、銅箔（１０）
側に硬質の圧着ローラーを用いて、加熱・加圧して連続
的に一体化することによって、貫通孔（３０）開口部分
において銅箔（１０）が伸びることを防止できる。
【００３０】 (2)上記積層・一体化した基材（２０）の
両面にドライフィルム・メッキ・レジスト（１１０）を
ラミネートし、露光・現像処理を施すことによって所望
のレジスト形状（後にモールド樹脂（６０）によって封
止される部分であって、電子部品搭載部以外の導体回路
に相当する部分の銅箔（１０）が露出する形状）とした
（図４）後に、ニッケル・金メッキ（１２０）処理を施
し（図５）、メッキ・レジスト（１１０）を剥離除去す
る。
両面にドライフィルム・メッキ・レジスト（１１０）を
ラミネートし、露光・現像処理を施すことによって所望
のレジスト形状（後にモールド樹脂（６０）によって封
止される部分であって、電子部品搭載部以外の導体回路
に相当する部分の銅箔（１０）が露出する形状）とした
（図４）後に、ニッケル・金メッキ（１２０）処理を施
し（図５）、メッキ・レジスト（１１０）を剥離除去す
る。
【００３１】 (3)上記ニッケル・金メッキ（１２０）処
理を施した基材（２０）の両面にドライフィルム・エッ
チング・レジスト（１３０）をラミネートし、露光・現
像処理を施すことによって所望のレジスト形状（後にモ
ールド樹脂（６０）によって封止されない部分および、
電子部品搭載部となる導体回路に相当する部分の銅箔
（１０）を被覆する形状）とした（図６）後に、塩化銅
エッチング溶液中にてエッチング・レジスト（１３０）
被膜から露出する銅箔（１０）をエッチング除去し、つ
いで、不要となったエッチング・レジスト（１３０）被
膜を剥膜することによって基材（２０）の一方の表面に
部分的にニッケル・金メッキ（１２０）処理を施した導
体回路（４０）を形成した（図７）。
理を施した基材（２０）の両面にドライフィルム・エッ
チング・レジスト（１３０）をラミネートし、露光・現
像処理を施すことによって所望のレジスト形状（後にモ
ールド樹脂（６０）によって封止されない部分および、
電子部品搭載部となる導体回路に相当する部分の銅箔
（１０）を被覆する形状）とした（図６）後に、塩化銅
エッチング溶液中にてエッチング・レジスト（１３０）
被膜から露出する銅箔（１０）をエッチング除去し、つ
いで、不要となったエッチング・レジスト（１３０）被
膜を剥膜することによって基材（２０）の一方の表面に
部分的にニッケル・金メッキ（１２０）処理を施した導
体回路（４０）を形成した（図７）。
【００３１】 この導体回路（４０）は、パッケージ
（２００）となる部分の略中央部分に形成された方形形
状の電子部品（５０）を搭載する部分を中心に、放射状
に形成されいてるものであって、先に基材（２０）を貫
通して形成された貫通孔（３０）を封孔する状態に形成
されている。
（２００）となる部分の略中央部分に形成された方形形
状の電子部品（５０）を搭載する部分を中心に、放射状
に形成されいてるものであって、先に基材（２０）を貫
通して形成された貫通孔（３０）を封孔する状態に形成
されている。
【００３２】 (4)この導体回路（４０）が形成された基
材（２０）に対して、黒化処理に代表される銅表面の粗
面化処理を施すことによって、先のニッケル・金メッキ
（１２０）処理を施した部分以外の銅表面を粗化した
（図８）。
材（２０）に対して、黒化処理に代表される銅表面の粗
面化処理を施すことによって、先のニッケル・金メッキ
（１２０）処理を施した部分以外の銅表面を粗化した
（図８）。
【００３３】 (5)次いで、パッケージ（２００）となる
部分の略中央部分に形成された方形形状の電子部品（５
０）を搭載する部分に、電子部品（５０）を搭載し、Ａ
ｕ細線によって電子部品（５０）と導体回路（４０）と
を電気的に接続した（図９）。
部分の略中央部分に形成された方形形状の電子部品（５
０）を搭載する部分に、電子部品（５０）を搭載し、Ａ
ｕ細線によって電子部品（５０）と導体回路（４０）と
を電気的に接続した（図９）。
【００３４】 (6)電子部品（５０）が搭載された基材の
電子部品搭載面側を外部応力や湿気などから保護する目
的で、モールド樹脂（６０）によって封止した（図１
０）。この封止方法は、基材の電子部品搭載面側から電
子部品（５０）やＡｕ細線の高さを考慮した空洞を有す
る金型を圧接した状態で、この金型内部に液状のモール
ド樹脂（６０）を圧入し、熱硬化する事によって行われ
る。
電子部品搭載面側を外部応力や湿気などから保護する目
的で、モールド樹脂（６０）によって封止した（図１
０）。この封止方法は、基材の電子部品搭載面側から電
子部品（５０）やＡｕ細線の高さを考慮した空洞を有す
る金型を圧接した状態で、この金型内部に液状のモール
ド樹脂（６０）を圧入し、熱硬化する事によって行われ
る。
【００３５】 モールド樹脂（６０）としては、一般
に、エポキシ樹脂を主成分とするものが用いられるた
め、その硬化温度は１８０〜２５０℃程度である。従っ
て、本発明に採用できる基材（２０）としては、モール
ド樹脂（６０）の硬化温度（一般に１８０〜２５０℃程
度）におけるヤング率が、2800kgf/mm2 以下であること
が好ましく、基材厚みも0.15mm以下の材料であることが
好ましい。すなわち、モールド樹脂（６０）の硬化収縮
に対して基材（２０）が必要以上に抗力を持たず、モー
ルド樹脂（６０）の硬化収縮に応じて変形し易いことが
重要である。換言すれば、基材（２０）に比較して遙に
大きいヤング率を有したモールド樹脂（６０）を採用す
れば良いのであるが、パッケージ（２００）内部に残存
する応力を極力低減するためには、導体回路（４０）を
含めた基材（２０）自体のヤング率を低くすることが好
ましい。
に、エポキシ樹脂を主成分とするものが用いられるた
め、その硬化温度は１８０〜２５０℃程度である。従っ
て、本発明に採用できる基材（２０）としては、モール
ド樹脂（６０）の硬化温度（一般に１８０〜２５０℃程
度）におけるヤング率が、2800kgf/mm2 以下であること
が好ましく、基材厚みも0.15mm以下の材料であることが
好ましい。すなわち、モールド樹脂（６０）の硬化収縮
に対して基材（２０）が必要以上に抗力を持たず、モー
ルド樹脂（６０）の硬化収縮に応じて変形し易いことが
重要である。換言すれば、基材（２０）に比較して遙に
大きいヤング率を有したモールド樹脂（６０）を採用す
れば良いのであるが、パッケージ（２００）内部に残存
する応力を極力低減するためには、導体回路（４０）を
含めた基材（２０）自体のヤング率を低くすることが好
ましい。
【００３６】 (7)次いで、封止処理を施したパッケージ
（２００）を図１１の如く裏返しにして、貫通孔（３
０）の開口部分に半田ボール（８０）を超音波振動装置
などを用いて載置し、半田ボール（８０）側から加熱し
て半田ボール（８０）を溶融させることによって、図１
に示すような目的とするパッケージ（２００）を得るこ
とができる。
（２００）を図１１の如く裏返しにして、貫通孔（３
０）の開口部分に半田ボール（８０）を超音波振動装置
などを用いて載置し、半田ボール（８０）側から加熱し
て半田ボール（８０）を溶融させることによって、図１
に示すような目的とするパッケージ（２００）を得るこ
とができる。
【００３７】 なお、本実施例の製造方法においては、
貫通孔（３０）を形成するに当たり、パンチング法を採
用したが、トムソン型による打ち抜き、ドリル加工、炭
酸ガスなどのレーザー照射などによる方法も採用するこ
とができる。例えば、導体回路（４０）非形成面側から
のトムソン型による打ち抜きあるいは炭酸ガスレーザー
照射を採用すれば、図１５に示すような貫通孔形状とな
り、また、貫通孔形成後に導体回路（４０）非形成面側
からバフ研磨などのブラシ研磨を施すことによって図１
４に示すように形状とすることができる。そしてまた、
ドリル加工によれば、ドリルの形状によって図１４およ
び図１５の形状を任意に選択することもできる。
貫通孔（３０）を形成するに当たり、パンチング法を採
用したが、トムソン型による打ち抜き、ドリル加工、炭
酸ガスなどのレーザー照射などによる方法も採用するこ
とができる。例えば、導体回路（４０）非形成面側から
のトムソン型による打ち抜きあるいは炭酸ガスレーザー
照射を採用すれば、図１５に示すような貫通孔形状とな
り、また、貫通孔形成後に導体回路（４０）非形成面側
からバフ研磨などのブラシ研磨を施すことによって図１
４に示すように形状とすることができる。そしてまた、
ドリル加工によれば、ドリルの形状によって図１４およ
び図１５の形状を任意に選択することもできる。
【００３８】 以上、本実施例のパッケージ（２００）
の製造方法によれば、安価であることに加えて、微細な
導体回路（４０）を容易に形成することができ、ソルダ
ーレジスト被膜とニッケル・金メッキ処理が施された導
体回路表面との密着強度、あるいはまた、ニッケル・金
メッキ処理が施された導体回路表面とモールド樹脂との
密着強度が高く、これらの界面において剥離現象が生じ
ないパッケージを提供できる。さらには、パッケージ
（２００）全体にわたる反りが無いことによりマザーボ
ードへの実装性に優れ、また、電子部品（５０）から基
材（２０）の裏側に位置する導電接続部（７０）までの
配線長を最短にすることができることより電圧降下など
のない電気的特性に優れたパッケージ（２００）を提供
できる。
の製造方法によれば、安価であることに加えて、微細な
導体回路（４０）を容易に形成することができ、ソルダ
ーレジスト被膜とニッケル・金メッキ処理が施された導
体回路表面との密着強度、あるいはまた、ニッケル・金
メッキ処理が施された導体回路表面とモールド樹脂との
密着強度が高く、これらの界面において剥離現象が生じ
ないパッケージを提供できる。さらには、パッケージ
（２００）全体にわたる反りが無いことによりマザーボ
ードへの実装性に優れ、また、電子部品（５０）から基
材（２０）の裏側に位置する導電接続部（７０）までの
配線長を最短にすることができることより電圧降下など
のない電気的特性に優れたパッケージ（２００）を提供
できる。
【００３９】
【発明の効果】 以上、本発明のパッケージ（２００）
は、安価であることに加えて、微細な導体回路（４０）
を容易に形成することができ、ソルダーレジスト被膜と
ニッケル・金メッキ処理が施された導体回路表面との密
着強度、あるいはまた、ニッケル・金メッキ処理が施さ
れた導体回路表面とモールド樹脂との密着強度が高く、
これらの界面において剥離現象が生じないパッケージを
提供できる。
は、安価であることに加えて、微細な導体回路（４０）
を容易に形成することができ、ソルダーレジスト被膜と
ニッケル・金メッキ処理が施された導体回路表面との密
着強度、あるいはまた、ニッケル・金メッキ処理が施さ
れた導体回路表面とモールド樹脂との密着強度が高く、
これらの界面において剥離現象が生じないパッケージを
提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例を示す断面図である。
【図２】 本発明の実施例のパッケージを製造する第１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図３】 本発明の実施例のパッケージを製造する第１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図４】 本発明の実施例のパッケージを製造する第２
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図５】 本発明の実施例のパッケージを製造する第２
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図６】 本発明の実施例のパッケージを製造する第３
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図７】 本発明の実施例のパッケージを製造する第３
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図８】 本発明の実施例のパッケージを製造する第４
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図９】 本発明の実施例のパッケージを製造する第５
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図１０】 本発明の実施例のパッケージを製造する第
６工程を示す断面図である。
６工程を示す断面図である。
【図１１】 本発明の実施例のパッケージを製造する第
７工程を示す断面図である。
７工程を示す断面図である。
【図１２】 本発明の実施例を示す部分拡大図である。
【図１３】 本発明の実施例を示す部分拡大図である。
【図１４】 本発明の実施例を示す部分拡大図である。
【図１５】 本発明の実施例を示す部分拡大図である。
【図１６】 従来のパッケージを示す断面図である。
１０・・・銅箔、２０・・・基材、３０・・・貫通孔、
４０・・・導体回路、５０・・・電子部品、６０・・・
モールド樹脂、７０・・・導電接続部、８０・・・半田
ボール、１１０・・・メッキレジスト、１２０・・・ニ
ッケル・金メッキ、１３０・・・エッチングレジスト、
１４０・・・粗面、２００・・・パッケージ
４０・・・導体回路、５０・・・電子部品、６０・・・
モールド樹脂、７０・・・導電接続部、８０・・・半田
ボール、１１０・・・メッキレジスト、１２０・・・ニ
ッケル・金メッキ、１３０・・・エッチングレジスト、
１４０・・・粗面、２００・・・パッケージ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60 301
H01L 23/28
H01L 23/12 501
H05K 3/24
H05K 3/28
Claims (5)
- 【請求項１】 厚さ０．１５ｍｍ以下の基材に導体回路
が形成され、該導体回路に電子部品が搭載されると共に
モールド樹脂によって封止されるパッケージであって、 前記封止される面側の導体回路上面に導体回路幅方向に
突出する金メッキ層を有し、 かつ前記導体回路側面は粗化処理によって形成した粗面
を有 することを特徴とするパッケージ。 - 【請求項２】 前記導体回路は基材に形成された貫通孔
を封孔すると共に、該貫通孔を通して前記導体回路と導
通し、前記基材の導体回路非形成面から突出する導電接
続部を有することを特徴とする請求項１に記載のパッケ
ージ。 - 【請求項３】 前記導体回路側面及び前記電子部品搭載
部が粗面であることを特徴とする請求項１または２に記
載のパッケージ。 - 【請求項４】 電子部品が搭載されてモールド樹脂によ
って封止されるパッケージの製造方法において、 銅箔に覆われた厚さ０．１５ｍｍ以下の基材の表面にメ
ッキレジスト被膜を形成し導体回路となる部分にニッケ
ル・金メッキを施し、前記メッキレジスト被膜を剥離除
去した後に電子部品搭載部となる部分にエッチングレジ
スト被膜を形成し、前記ニッケル・金メッキ層及び前記
エッチングレジスト被膜から露出する銅箔をエッチング
除去して導体回路及び電子部品搭載部を形成し、前記エ
ッチングレジスト被膜を剥離除去する方法であって、 かつ前記銅箔のエッチング除去は、前記封止される面側
の前記導体回路上面の金メッキ層が導体回路幅方向に突
出するまで行ない、また前記導体回路の側面に粗化処理
を施す ことを特徴とするパッケージの製造方法。 - 【請求項５】 前記銅箔をエッチング除去することによ
って前記導体回路側面及び前記電子部品搭載部を形成し
た後に、黒化処理を施すことを特徴とする請求項４に記
載のパッケージの製造方法。
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| JP09608195A JP3475569B2 (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | パッケージ及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP09608195A JP3475569B2 (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | パッケージ及びその製造方法 |
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ID=14155450
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|---|---|---|---|
| JP09608195A Expired - Lifetime JP3475569B2 (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | パッケージ及びその製造方法 |
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-
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