JP3473847B2 - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体およびその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコンピュータの外部
記憶装置を初めとする各種磁気記録装置に搭載される磁
気記録媒体およびその製造方法に関する。より詳細に
は、本発明は、ガラス系材料の基板を用いて作成される
「異方性」磁気記録媒体、および該「異方性」磁気記録
媒体の安価かつ簡単な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、アルミニウム系材料を基板とし
て用いた磁気記録媒体では、基板表面に円周状の溝（テ
クスチャーと呼ばれる）を形成するテクスチャー加工が
行われる。テクスチャー加工された基板に対して、シー
ド層、下地層、磁性層および保護層を順次積層して磁気
記録媒体が得られる。テクスチャー加工は、磁気記録媒
体上を磁気ヘッドが浮上しシークする時に、磁気記録媒
体と磁気ヘッドが接触し磨耗するのを防止すること、お
よび、面内での磁化方向を記録方向である円周方向に配
向させていわゆる「異方性媒体」とすることによる記録
密度の高密度化することを目的として行われている。一
般に、アルミニウム系材料を用いた磁気記録媒体用基板
は、アルミニウムのブランク上にＮｉＰメッキを施し、
その表面にテクスチャー加工を行うことにより、円周状
の溝が形成される。そのテクスチャー加工による歪およ
び円周状の溝が、下地層および磁性層の成膜時に円周方
向と半径方向の残留磁化（Ｍｒ）の差を発生させてい
る。
【０００３】一方、従来のガラス系材料の基板を用いた
磁気記録媒体においては、１）材料そのものの硬度が高
く信頼性が向上していること、２）材料の熱膨張が小さ
いこと、および３）アルミニウム系と同様なテクスチャ
ー加工を行っても、円周方向と半径方向の残留磁化の差
が発生しないことにより、テクスチャー加工は行なわれ
ておらず、いわゆる「等方性媒体」が一般的である。本
明細書において、「等方性媒体」とは円周方向と半径方
向の残留磁化の比がほぼ１（たとえば０．９５〜１．０
５）である媒体を意味し、「異方性媒体」とは円周方向
と半径方向の残留磁化の比が１．０５以上である媒体を
意味する。
【０００４】近年、磁気記録媒体の高記録密度化が進む
につれて、磁気記録媒体に書き込まれるデータの最小単
位である１ビットの記録領域（ビットサイズ）はますま
す小さくなってきている。前述のように従来のガラス系
基板を用いた磁気記録媒体では、等方性媒体が主流であ
るが、ビットサイズが小さくなるにつれて、アルミニウ
ム系基板のような異方性媒体と比較し、分解能（ＬＦ出
力に対するＭＦ出力の割合）が低く、Ｓ／Ｎ比（ＳＮ
Ｒ、雑音に対する信号の比）も悪いという特性差が顕著
になってきた。これは、等方性媒体で異方性媒体と同様
な特性を得るためには、円周方向の残留磁化値（Ｍｒｔ
−Ｃｉｒ）を高くする必要があるため、磁性層の厚さが
厚くなり、結果として磁性層に起因する媒体ノイズが増
加してしまうためである。
【０００５】等方性媒体における媒体ノイズの増大を抑
制することに関して、下地層から磁性層のスパッタ時に
は純Ａｒを用いる一方で、米国特許第５，８６６，２２
７号は、ＮｉＰまたはＴａシード層をＡｒおよび酸素の
混合ガス中における反応スパッタにより形成し、それに
よって磁性層の結晶配向を改善して低ノイズ化を達成す
ることを教示している。また、米国特許第５，８７９，
７８３号は、ＮｉＰシード層表面をその形成後にＡｒ＋
酸素混合ガスに暴露して、該表面の微小粗さを増大させ
て、磁性層の結晶粒の大きさを減少させることによる低
ノイズ化を教示している。しかしながら、これらの参考
文献において、基板およびシード層表面は、形状的に面
内異方性を有することを教示していない。したがってこ
れらの文献に記載の磁気記録媒体は、面内の磁気特性
は、基板の円周方向も半径方向もほぼ同様の値をとり、
等方的な磁気特性を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来用いられているア
ルミニウム基板よりも硬度が高く、かつ熱膨張が小さい
という優れた特性を有するガラス基板を用いて、高記録
密度化に対応することができる優れた電磁変換特性を有
する磁気記録媒体の製造方法を提供することが、本発明
の課題である。より具体的には、ガラス基板を用いて
「異方性媒体」を製造する方法を提供することが、本発
明の課題である。
【０００７】さらに、前記磁気記録媒体の製造方法にお
いて、低コスト化を目的として工程数を少なくすること
が、本発明のさらなる課題である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の実施形態
である磁気記録媒体の製造方法は、ガラス系材料により
形成される非磁性基板の表面に直接テクスチャー加工を
施して１μｍ平方当たり５本以上の円周状の溝を形成
し、その表面の中心線平均粗さを０．２から１ｎｍとす
るテクスチャー加工工程と、該テクスチャー加工を施し
た非磁性基板上に、ＮｉＰを主とする材料からなるシー
ド層をスパッタ法により成膜するシード層成膜工程と、
該成膜されたシード層を酸素と不活性ガスとを含む混合
ガスに暴露する酸素含有混合ガス暴露工程と、該酸素含
有混合ガスに暴露されたシード層上に、ＣｒまたはＣｒ
に低濃度（１０原子％以下）の第２元素を含むＣｒＷ合
金もしくはＣｒＭｏ合金からなる膜厚３〜８ｎｍの第１
下地層と、その上のＣｒに高濃度（１５原子％以上）の
第２元素を含むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ合金からな
る膜厚１〜８ｎｍの第２下地層とからなる下地層をスパ
ッタ法により成膜する下地層成膜工程と、該下地層上
に、Ｃｏを主とする磁性材料からなる磁性層をスパッタ
法により成膜する磁性層成膜工程と、該磁性層上に、保
護層を成膜する保護層成膜工程とを具えた磁気記録媒体
の製造方法であって、該磁気記録媒体の面内の半径方向
残留磁化に対する該磁気記録媒体の面内の円周方向残留
磁化比を１．０５以上とすることを特徴とする。本発明
の第２の実施形態である磁気記録媒体の製造方法は、ガ
ラス系材料により形成される非磁性基板の表面に直接テ
クスチャー加工を施して１μｍ平方当たり５本以上の円
周状の溝を形成し、その表面の中心線平均粗さを０．２
から１ｎｍとするテクスチャー加工工程と、該テクスチ
ャー加工を施した非磁性基板上に、ＣｒまたはＣｒＷか
らなる第１のシード層と、その上のＮｉＰを主とする材
料からなる第２のシード層とからなるシード層をスパッ
タ法により成膜するシード層成膜工程と、該成膜された
シード層を酸素と不活性ガスとを含む混合ガスに暴露す
る酸素含有混合ガス暴露工程と、該酸素含有混合ガスに
暴露されたシード層上に、ＣｒまたはＣｒに低濃度（１
０原子％以下）の第２元素を含むＣｒＷ合金もしくはＣ
ｒＭｏ合金からなる膜厚３〜８ｎｍの第１下地層と、そ
の上のＣｒに高濃度（１５原子％以上）の第２元素を含
むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ合金からなる膜厚１〜８
ｎｍの第２下地層とからなる下地層をスパッタ法により
成膜する下地層成膜工程と、該下地層上に、Ｃｏを主と
する磁性材料からなる磁性層をスパッタ法により成膜す
る磁性層成膜工程と、該磁性層上に、保護層を成膜する
保護層成膜工程とを具えた磁気記録媒体の製造方法であ
って、該磁気記録媒体の面内の半径方向残留磁化に対す
る該磁気記録媒体の面内の円周方向残留磁化比を１．０
５以上とすることを特徴とする。
【０００９】本発明の第３の実施形態である磁気記録媒
体の製造方法は、ガラス系材料により形成される非磁性
基板の表面に直接テクスチャー加工を施して１μｍ平方
当たり５本以上の円周状の溝を形成し、その表面の中心
線平均粗さを０．２から１ｎｍとするテクスチャー加工
工程と、該テクスチャー加工を施した非磁性基板上に、
ＣｒまたはＣｒＷからなる第１のシード層と、その上の
ＮｉＰを主とする材料からなる第２のシード層とからな
るシード層をスパッタ法により成膜するシード層成膜工
程と、該成膜されたシード層を酸素と不活性ガスとを含
む混合ガスに暴露する酸素含有混合ガス暴露工程と、該
酸素含有混合ガスに暴露されたシード層上に、Ｃｒ、Ｃ
ｒＷ合金またはＣｒＭｏ合金からなる膜厚３〜１０ｎｍ
の下地層をスパッタ法により成膜する下地層成膜工程
と、該下地層上に、Ｃｏを主とする磁性材料からなる磁
性層をスパッタ法により成膜する磁性層成膜工程と、該
磁性層上に、保護層を成膜する保護層成膜工程とを具え
た磁気記録媒体の製造方法であって、該磁気記録媒体の
面内の半径方向残留磁化に対する該磁気記録媒体の面内
の円周方向残留磁化比を１．０５以上とすることを特徴
とする。本発明の第４の実施形態である磁気記録媒体の
製造方法は、ガラス系材料により形成される非磁性基板
の表面に直接テクスチャー加工を施して１μｍ平方当た
り５本以上の円周状の溝を形成し、その表面の中心線平
均粗さを０．２から１ｎｍとするテクスチャー加工工程
と、該テクスチャー加工を施した非磁性基板上に、Ｎｉ
Ｐを主とする材料からなるシード層をスパッタ法により
成膜するシード層成膜工程と、該シード層成膜工程にお
いて、当該シード層の最表層を不活性ガス中に酸素を含
む混合ガス中での反応性スパッタにより成膜するシード
層最表層成膜工程と、該混合ガス中での反応性スパッタ
により成膜されたシード層最表層上に、ＣｒまたはＣｒ
に低濃度（１０原子％以下）の第２元素を含むＣｒＷ合
金もしくはＣｒＭｏ合金からなる膜厚３〜８ｎｍの第１
下地層と、その上のＣｒに高濃度（１５原子％以上）の
第２元素を含むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ合金からな
る膜厚１〜８ｎｍの第２下地層とからなる下地層をスパ
ッタ法により成膜する下地層成膜工程と、該下地層上
に、Ｃｏを主とする磁性材料からなる磁性層をスパッタ
法により成膜する磁性層成膜工程と、該磁性層上に、保
護層を成膜する保護層成膜工程とを具えた磁気記録媒体
の製造方法であって、該磁気記録媒体の面内の半径方向
残留磁化に対する該磁気記録媒体の面内の円周方向残留
磁化比を１．０５以上とすることを特徴とする。
【００１０】本発明の第５の実施形態である磁気記録媒
体の製造方法は、ガラス系材料により形成される非磁性
基板の表面に直接テクスチャー加工を施して１μｍ平方
当たり５本以上の円周状の溝を形成し、その表面の中心
線平均粗さを０．２から１ｎｍとするテクスチャー加工
工程と、該テクスチャー加工を施した非磁性基板上に、
ＣｒまたはＣｒＷからなる第１のシード層と、その上の
ＮｉＰを主とする材料からなる第２のシード層とからな
るシード層をスパッタ法により成膜するシード層成膜工
程と、該シード層成膜工程において、当該シード層の最
表層を不活性ガス中に酸素を含む混合ガス中での反応性
スパッタにより成膜するシード層最表層成膜工程と、該
混合ガス中での反応性スパッタにより成膜されたシード
層最表層上に、ＣｒまたはＣｒに低濃度（１０原子％以
下）の第２元素を含むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ合金
からなる膜厚３〜８ｎｍの第１下地層と、その上のＣｒ
に高濃度（１５原子％以上）の第２元素を含むＣｒＷ合
金もしくはＣｒＭｏ合金からなる膜厚１〜８ｎｍの第２
下地層とからなる下地層をスパッタ法により成膜する下
地層成膜工程と、該下地層上に、Ｃｏを主とする磁性材
料からなる磁性層をスパッタ法により成膜する磁性層成
膜工程と、該磁性層上に、保護層を成膜する保護層成膜
工程とを具えた磁気記録媒体の製造方法であって、該磁
気記録媒体の面内の半径方向残留磁化に対する該磁気記
録媒体の面内の円周方向残留磁化比を１．０５以上とす
ることを特徴とする。
【００１１】本発明の第１〜第５の実施形態において、
前記テクスチャー加工は、ウレタン、ポリエステルおよ
びナイロンからなる群から選択される材料で構成されか
つ研磨砥粒を含まない加工布を、９．８ｋＰａ以上１９
６ｋＰａ以下の圧力で前記非磁性基板に押圧し、ダイア
モンド、酸化アルミニウム、酸化セリウム、シリコンカ
ーバイトおよびコロイダルシリカからなる群から選択さ
れる平均粒子径０．０１μｍ以上２μｍ以下の研磨砥粒
を０．０１質量％以上５質量％以下の濃度で含んだスラ
リーを滴下しながら、当該非磁性基板を当該加工布で摩
擦することにより行ってもよく、前記加工布として、直
径１０μｍ以下の極細繊維を織って作成した織布および
該織布を起毛させた起毛布からなる群から選択されるも
のを用いることができる。また、前記混合ガスは、０．
７体積％以上の酸素を含むか、２体積％以上の空気を含
むか、あるいは１．６体積％以上の窒素と０．４体積％
以上の酸素を含んでもよい。
【００１２】本発明の第４または第５の実施形態におい
て、前記シード層最表層成膜工程は、前記シード層の表
面から深さ０．８〜３ｎｍまでの部分を、不活性ガス中
に１％以上の酸素を含む混合ガス中での反応性スパッタ
により成膜する工程であってもよい。また、該混合ガス
は、不活性ガス中に３％以上の空気を含むもの、または
不活性ガス中に２．４％以上の窒素と０．６％以上の酸
素とを含むものであってもよい。
【００１３】本発明の第１〜第５の実施形態において、
前記ＮｉＰは、１９から３３原子％のＰを含んでもよ
い。また、本発明の第１〜第５の実施形態において、前
記テクスチャー加工を施した非磁性基板は、その表面に
１μｍ平方当たり５本以上１００本以下、より好ましく
は１μｍ平方当たり２５〜６０本の前記円周状の溝を有
することができる。
【００１４】本発明の第６の実施形態である磁気記録媒
体は、ガラス系材料からなり、その表面に直接テクスチ
ャー加工を施されて１μｍ平方当たり５本以上の円周状
の溝が形成され、その表面の中心線平均粗さが０．２か
ら１ｎｍである非磁性基板と、該非磁性基板上にスパッ
タ法により成膜され、かつ表面が酸素と不活性ガスとを
含む混合ガスに暴露されてなるＮｉＰを主とする材料か
らなるシード層と、ＣｒまたはＣｒに低濃度（１０原子
％以下）の第２元素を含むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ
合金からなる膜厚３〜８ｎｍの第１下地層と、その上の
Ｃｒに高濃度（１５原子％以上）の第２元素を含むＣｒ
Ｗ合金もしくはＣｒＭｏ合金からなる膜厚１〜８ｎｍの
第２下地層とが前記シード層上にスパッタ法により成膜
されてなる下地層と、該下地層上にスパッタ法により成
膜されたＣｏを主とする磁性材料からなる磁性層と、該
磁性層上に成膜されてなる保護層とを具えた磁気記録媒
体であって、該磁気記録媒体の面内の半径方向残留磁化
に対する該磁気記録媒体の面内の円周方向残留磁化比が
１．０５以上であることを特徴とする。本発明の第７の
実施形態である磁気記録媒体は、ガラス系材料からな
り、その表面に直接テクスチャー加工を施されて１μｍ
平方当たり５本以上の円周状の溝が形成され、その表面
の中心線平均粗さが０．２から１ｎｍである非磁性基板
と、ＣｒまたはＣｒＷからなる第１のシード層とその上
のＮｉＰを主とする材料からなる第２のシード層とが前
記非磁性基板上にスパッタ法により成膜され、かつ表面
が酸素と不活性ガスとを含む混合ガスに暴露されてなる
シード層と、ＣｒまたはＣｒに低濃度（１０原子％以
下）の第２元素を含むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ合金
からなる膜厚３〜８ｎｍの第１下地層と、その上のＣｒ
に高濃度（１５原子％以上）の第２元素を含むＣｒＷ合
金もしくはＣｒＭｏ合金からなる膜厚１〜８ｎｍの第２
下地層とが前記シード層上にスパッタ法により成膜され
てなる下地層と、該下地層上にスパッタ法により成膜さ
れたＣｏを主とする磁性材料からなる磁性層と、該磁性
層上に成膜されてなる保護層とを具えた磁気記録媒体で
あって、該磁気記録媒体の面内の半径方向残留磁化に対
する該磁気記録媒体の面内の円周方向残留磁化比が１．
０５以上であることを特徴とする。
【００１５】本発明の第８の実施形態である磁気記録媒
体は、ガラス系材料からなり、その表面に直接テクスチ
ャー加工を施されて１μｍ平方当たり５本以上の円周状
の溝が形成され、その表面の中心線平均粗さが０．２か
ら１ｎｍである非磁性基板と、ＣｒまたはＣｒＷからな
る第１のシード層とその上のＮｉＰを主とする材料から
なる第２のシード層とが前記非磁性基板上にスパッタ法
により成膜され、かつ表面が酸素と不活性ガスとを含む
混合ガスに暴露されてなるシード層と、該シード層上に
スパッタ法により成膜されたＣｒ、ＣｒＷ合金またはＣ
ｒＭｏ合金からなる膜厚３〜１０ｎｍの下地層と、該下
地層上にスパッタ法により成膜されたＣｏを主とする磁
性材料からなる磁性層と、該磁性層上に成膜されてなる
保護層とを具えた磁気記録媒体であって、該磁気記録媒
体の面内の半径方向残留磁化に対する該磁気記録媒体の
面内の円周方向残留磁化比が１．０５以上であることを
特徴とする。
【００１６】本発明の第６〜第８の実施形態において、
前記ＮｉＰは、１９から３３原子％のＰを含んでもよ
い。また、本発明の第６〜第８の実施形態において、前
記テクスチャー加工を施した非磁性基板は、その表面に
１μｍ平方当たり５本以上１００本以下、より好ましく
は１μｍ平方当たり２５〜６０本の前記円周状の溝を有
することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体の製造方法
においては、ガラス系材料からなる基板に対して機械的
なテクスチャー加工を行い円周方向に同心円状の溝を形
成し、該基板上にシード層、下地層、磁性層および保護
層を形成する。必要に応じて、該保護層の上に液体潤滑
剤からなる潤滑層を設けてもよい。
【００１８】基板に用いられるガラス系材料としては、
表面の平滑性、剛性等の必要とされる物性を満たす任意
のガラス（たとえば、Ｈｏｙａ製のＮ５またはＮ１０基
板、あるいはＮＳＧ製ＧＤ７基板）を用いることができ
る。特に、化学強化ガラスが好ましい。基板は、中心部
に円形孔を有する円形を有することが好ましい。中心部
の円形孔の径および基板の外径は、所望される用途に依
存して当業者によって容易に決定することができる。基
板は、０．６３５〜１．６ｍｍ、好ましくは０．６３５
〜１ｍｍの厚さを有する。
【００１９】本発明において、シード層は、その上に形
成される層の結晶配向および／または結晶粒径などを制
御して、磁気記録媒体の所望される特性を達成するため
に設けられる。シード層の材料としては、Ｃｒ、Ｃｒ
Ｗ、ＮｉＰまたはＴａを用いることができる。好ましく
は１９から３３原子％、より好ましくは１９から２８．
６原子％のＰを含むＮｉＰが本発明において有用であ
る。また本発明において、シード層を２層構成とするこ
とができる。２層構成のシード層を用いる場合には、基
板と接触する第１のシード層をＣｒまたはＣｒＷを用い
て形成することが好ましく、および下地層と接触する第
２のシード層をＮｉＰを用いて形成することが好まし
い。上記の材料をスパッタ、蒸着、ＣＶＤまたはメッキ
等の慣用の方法を用いて基板に積層することにより、本
発明のシード層を形成することができる。同時に他の層
の形成を行うことを考慮すると、スパッタ法を用いるこ
とが好ましい。本発明の磁気記録媒体のシード層は、５
から２８ｎｍ、好ましくは７から２８ｎｍの厚さを有す
る。２層構成のシード層を用いる場合には、第１のシー
ド層の膜厚を１〜２ｎｍとし、第２のシード層の膜厚が
前記の範囲内であることが好ましい。
【００２０】本発明の下地層は、その上に形成される磁
性層の結晶配向および／または結晶粒径などを制御し
て、磁気記録媒体の所望される特性を達成するために設
けられる。下地層の材料としては、Ｃｒ、ＣｒＷ合金ま
たはＣｒＭｏ合金を用いることができる。上記の材料を
スパッタ、蒸着またはＣＶＤ等の慣用の方法を用いて基
板に積層することにより、本発明の下地層を形成するこ
とができる。同時に他の層の形成を行うことを考慮する
と、スパッタ法を用いることが好ましい。本発明の磁気
記録媒体の下地層は、３から１０ｎｍ、好ましくは３か
ら８ｎｍの厚さを有する。
【００２１】あるいはまた本発明の下地層は、２層以上
の構成とすることもできる。第１下地層と第２下地層か
らなる２層構成が好ましい。第１下地層はＯＲ−Ｍｒｔ
（＝Ｍｒｔ＿Ｃｉｒ／Ｍｒｔ＿Ｒａｄ）を大きくするた
めに機能し、Ｃｒ、または低濃度（たとえば１０原子％
以下）の第２元素を含むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ合
金を用いて形成することができる。第２下地層は磁性層
のエピタキシャル成長を補助するために機能し、高濃度
（たとえば１５原子％以上）の第２元素を含むＣｒＷ合
金またはＣｒＭｏ合金を用いることができる。第１下地
層および第２下地層のそれぞれは、スパッタ、蒸着また
はＣＶＤ等の慣用の方法を用いて形成することができ
る。同時に他の層の形成を行うことを考慮すると、スパ
ッタ法を用いることが好ましい。第１下地層は、３〜８
ｎｍ、好ましくは３〜５ｎｍの膜厚を有する。第２下地
層は、１〜５ｎｍ、好ましくは１〜３ｎｍの膜厚を有す
る。
【００２２】本発明の磁性層は、Ｃｏを主とする磁性材
料により形成される。好ましい磁性材料は、ＣｏＣｒ合
金、ＣｏＣｒＴａ合金、ＣｏＮｉＣｒ合金、ＣｏＣｒＰ
ｔ合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金、ＣｏＮｉＰｔ合金、Ｃ
ｏＮｉＣｒＰｔ合金およびＣｏＣｒＰｔＢ合金を含む。
上記の材料をスパッタ、蒸着またはＣＶＤ等の慣用の方
法を用いて基板に積層することにより、本発明の磁性層
を形成することができる。同時に他の層の形成を行うこ
とを考慮すると、スパッタ法を用いることが好ましい。
本発明の磁気記録媒体の磁性層は、５から２０ｎｍ、好
ましくは８から１５ｎｍの厚さを有する。
【００２３】本発明の保護層は、下にある層のヘッド接
触による破壊を防止するために形成される。保護層とし
て好ましい材料は、カーボン（Ｃ）、シリコンカーバイ
ド（ＳｉＣ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）およびカ
ーボンナイトライド（ＣＮ）を含む。カーボン材料とし
て、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を用いるこ
ともできる。上記の材料をスパッタ、蒸着またはＣＶＤ
等の慣用の方法を用いて基板に積層することにより、本
発明の磁性層を形成することができる。同時に他の層の
形成を行うことを考慮すると、スパッタ法を用いること
が好ましい。保護層は、好ましくは１から３０ｎｍ、よ
り好ましくは２から４ｎｍの厚さを有する。
【００２４】また、上記の下地層、磁性層成膜時にスパ
ッタ法を用いる場合には、基板に対して直流またはＲＦ
バイアスを印加してもよい。
【００２５】本発明において、任意選択で設けてもよい
潤滑層は、液体潤滑剤を、スピンコート、吹付、浸漬、
ナイフ塗布などの慣用の方法を用いて付着することによ
り形成される。潤滑層は、主としてヘッドと磁気記録媒
体とが接触した場合の摩擦を低減することを目的として
設けられる。液体潤滑剤として、フルオロカーボン系の
ような慣用の潤滑剤を用いることができる。設けられる
場合には、潤滑層は、０．５から５ｎｍ、好ましくは１
から２ｎｍの厚さを有する。
【００２６】本発明の磁気記録媒体の製造方法におい
て、最初に、基板に対してポリッシュ加工を施して所望
の表面粗さを付与することが好ましい。ポリッシュ加工
は、当該技術において知られている任意の方法を用いて
行うことができる。本発明において望ましい表面粗さ
は、０．２〜１ｎｍの、より好ましくは０．２〜０．５
ｎｍの中心線平均粗さ（Ｒａ）である。次に、所望の表
面粗さを有する基板に対して、機械的テクスチャー加工
を施すことにより、円周方向に同心円状の溝を形成す
る。該テクスチャー加工は、研磨砥粒を含まない加工布
を基板表面に押圧し、さらに研磨用のスラリーを付着さ
せて、基板を回転させることによって実施される。長尺
またはロール状の加工布を準備して、常に加工布の新し
い部分が基板に接触するように加工布を送りながら、テ
クスチャー加工を行ってもよい。基板表面に押圧する際
には、当該技術において知られている治具等を用いるこ
とができ、９．８〜１９６ｋＰａ（１００〜２０００ｇ
ｆ／ｃｍ２）の、好ましくは９．８〜９８ｋＰａ（１０
０〜１０００ｇｆ／ｃｍ２）の圧力を印加される。その
際に、実際に基板表面に印加される圧力は、３．９〜７
８．４ｋＰａ（４０〜８００ｇｆ／ｃｍ２）、好ましく
は３．９〜３９．２ｋＰａ（４０〜４００ｇｆ／ｃ
ｍ２）である。
【００２７】テクスチャー加工において用いられる研磨
砥粒を含まない加工布としては、ウレタン、ポリエステ
ルまたはナイロン製の布を用いることができる。前述の
材料を用いて加工布を形成する場合には、直径１０μｍ
以下の極細繊維を織って作成した織布とすることが好ま
しい。また、該織布に起毛処理を施した起毛布を用いる
こともできる。
【００２８】テクスチャー加工において用いられるスラ
リーは、ダイアモンド、酸化アルミニウム、酸化セリウ
ム、シリコンカーバイトまたはコロイダルシリカの１種
の研磨砥粒を含む。該研磨砥粒は、好ましくは０．０１
μｍ以上２μｍ以下、より好ましくは０．０５μｍ以上
１．５μｍ以下の平均粒子径を有する。該研磨砥粒は、
前記スラリーの全重量を基準として０．０１質量％以上
５質量％以下の濃度において該スラリー中に含有され
る。
【００２９】上記のテクスチャー加工を施された基板に
は、その表面１μｍ平方当たり５本以上、好ましくは５
本以上１００本以下、より好ましくは２５〜６０本の円
周方向の同心円状の溝が形成される。形成された溝の数
は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）あるいは原子間力顕微
鏡（ＡＦＭ）を用いて測定することができる。表面１μ
ｍ平方あたりに形成される溝が５本未満の場合には、所
望される残留磁化異方性を達成することができない。基
板に形成される溝は、１〜１０ｎｍ、好ましくは３〜５
ｎｍの深さを有する。溝の深さが１ｎｍ未満の場合には
所望される残留磁化異方性を達成することができず、一
方、溝の深さが１０ｎｍを越える場合には磁気記録媒体
の他の特性（具体的には磁気記録媒体の信号品質（エラ
ー特性））に悪影響を与える恐れがある。
【００３０】さらに本発明の磁気記録媒体の製造方法に
おいて、シード層を成膜する工程と下地層を成膜する工
程との間に、シード層を酸素と不活性ガスとを含有する
混合ガスに暴露することが好ましい。不活性ガスは、Ｈ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒを含むが、特にＡｒが好ま
しい。酸素源として、純粋な酸素の他に、空気を用いる
ことも可能である。不活性ガス（好ましくはＡｒ）と、
混合ガス全体積を基準として０．７体積％以上の酸素を
含有する混合ガスを用いることができる。酸素含有量
は、好ましくは１〜４体積％の範囲内である。あるいは
また、不活性ガス（好ましくはＡｒ）と、混合ガス全体
積を基準として２体積％以上の空気とを含有する混合ガ
スを用いることができる。空気含有量は、好ましくは２
〜１０体積％の範囲内である。あるいはまた、前述の空
気に代えて純粋な酸素および窒素の混合物を用いること
もできる。この場合には、不活性ガス（好ましくはＡ
ｒ）と、混合ガス全体積を基準として０．４体積％以上
の酸素と、該不活性ガスを基準として１．６体積％以上
の窒素とを含有する混合ガスを用いることができる。こ
の場合に、酸素含有量は好ましくは０．４〜２体積％の
範囲内であり、窒素含有量は好ましくは１．６〜８体積
％の範囲内である。酸素含有量対窒素含有量の比は、約
１：４であり、好ましくは１：３．９から１：４の範囲
内である。
【００３１】あるいはまた、本発明の磁気記録媒体の製
造方法において、シード層の最表層を、酸素と不活性ガ
スとを含有する混合ガス中での反応性スパッタにより成
膜してもよい。該混合ガスとしては、前述のものを用い
ることができる。ここで、「シード層の最表層」とは、
シード層の下地層が形成される側の面（シード層形成時
における表面）から、３ｎｍ（シード層全厚の約１５
％）以下の深さまでの部分、好ましくは０．８〜３ｎｍ
（シード層全厚の約４〜１５％）の深さまでの部分を意
味する。具体的には、シード層の形成を純粋な不活性ガ
ス雰囲気下でのスパッタにより開始し、所定の厚さのシ
ード層が積層された時点において、酸素、空気または
（酸素＋窒素）の導入を開始して反応性スパッタにより
「シード層の最表層」を積層する。
【００３２】本発明の製造方法によって製造される磁気
記録媒体は、１．０５以上、好ましくは１．１以上の面
内の半径方向の残留磁化に対する面内の円周方向残留磁
化の比（ＯＲ−Ｍｒｔ）を有する。本明細書において、
面内の残留磁化（Ｍｒｔ）は、測定される残留磁化値
（Ｍｒ）を膜の面積で除した値を意味し、および「ＯＲ
−Ｍｒｔ」とは、円周方向の残留磁化（Ｍｒｔ＿Ｃｉ
ｒ）と半径方向の残留磁化（Ｍｒｔ＿Ｒａｄ）との比
（Ｍｒｔ＿Ｃｉｒ／Ｍｒｔ＿Ｒａｄ）を意味する。
【００３３】以下の実施例において、合金の組成を「Ａ
Ｂｘ」のように記載し、これは全原子数を基準としてｘ
原子％のＢを含み、残余はＡであることを示す。
【００３４】（実施例１）化学強化系ガラス基板（Ｈｏ
ｙａ製Ｎ５基板）表面に対してポリッシュ加工を施し、
表面粗さをＲａ（中心線平均粗さ）０．５ｎｍに調整し
た。該基板をスピンドルにチャックし３００ｒｐｍで回
転させ、研磨砥粒を含まないポリエステル極細繊維（繊
維直径約１．５μｍ）の織布を６０ｍｍ／ｍｉｎの速度
で送りながら、ゴム硬度（ＪＩＳ Ｋ６２５３に記載さ
れたＩＲＨＤポケット硬さ試験のスプリング式中硬さ用
による）８０°の押し付け部材を介して、押し付け圧力
１９６ｋＰａ（２ｋｇｆ／ｃｍ２）で押し付け、平均粒
子径０．１μｍのダイアモンド砥粒を０．１質量％含ん
だスラリーを滴下しながら２０秒間の研磨（テクスチャ
ー加工）を行った。このときの基板表面に加わる圧力は
７８．５ｋＰａ（８００ｇｆ／ｃｍ２）であった。テク
スチャー加工後の基板表面の１μｍ平方の形状をＡＦＭ
を用いて測定し、表面に形成された溝数および中心線平
均粗さを求めた。図１にテクスチャー加工後の基板表面
のＡＦＭ像を示す。
【００３５】さらに、それらの基板を洗浄し、ＤＣスパ
ッタ装置を用いてＣｒＷシード層（ＣｒＷ１６、厚さ２
ｎｍ）およびＮｉＰシード層（ＮｉＰ２０、厚さ７ｎ
ｍ）を積層した。引き続いて加熱を行い、Ｃｒ（厚さ
３．８ｎｍ）およびＣｒＭｏ２５（厚さ２．５ｎｍ）か
らなる下地層、ＣｏＣｒＰｔを含む磁性層（厚さ１２ｎ
ｍ）およびＣ保護層（厚さ４ｎｍ）を成膜した。ここで
ＮｉＰシード層成膜と下地層成膜との間において、酸素
（Ｏ２）を含むＡｒ＋Ｏ２混合ガス（酸素濃度２体積
％、１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、２．５秒間）に暴
露した。
【００３６】（実施例２）押付け圧力９８．１ｋＰａ
（１ｋｇｆ／ｃｍ２）としたことを除いて、実施例１を
繰り返した。この場合の基板表面に加わる圧力は３９．
２ｋＰａ（４００ｇ／ｃｍ２）であった。図２にテクス
チャー加工後の基板表面のＡＦＭ像を示す。
【００３７】（比較例１）テクスチャー加工を全く行わ
なかったことを除いて、実施例１を繰り返した。図３に
基板表面のＡＦＭ像を示す。
【００３８】実施例１，実施例２、および比較例１の評
価結果を表１に示す。ただし、１Ｏｅは７９．６Ａ／ｍ
である。以上のように製造した３種の磁気記録媒体に関
して、ＯＲＭ測定器（イノベイティブインスツルメント
製、ＯＲＭ）と呼ばれる磁気測定器を用いて、それらの
磁気特性を評価した。評価した磁気特性は、レマネンス
コーシビティー（残留保磁力）：Ｈｃｒ、残留磁化値
（Ｍｒ）を膜の面積で除した値：Ｍｒｔ、そのＭｒｔに
ついて円周方向のＭｒｔ値と半径方向のＭｒｔ値の比：
ＯＲ−Ｍｒｔ（＝Ｍｒｔ＿Ｃｉｒ／Ｍｒｔ＿Ｒａｄ）、
およびＳ’（Ｈｃｒ点でのレマネンス曲線の傾き）であ
る。
【００３９】
【表１】
【００４０】（実施例３）化学強化系ガラス基板（Ｈｏ
ｙａ製Ｎ５基板）表面に対してポリッシュ加工を施し、
表面粗さをＲａ０．５ｎｍに調整した。該基板をスピン
ドルにチャックし３００ｒｐｍで回転させ、研磨砥粒を
含まないポリエステル極細繊維（繊維直径約１．５μ
ｍ）の織布を６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で送りながら、ゴ
ム硬度６０°の押し付け部材を介して、押し付け圧力９
８．１ｋＰａ（１ｋｇｆ／ｃｍ２）で押し付け、平均粒
子径０．４μｍのダイアモンド砥粒を０．１質量％含ん
だスラリーを滴下しながら６０秒間の研磨（テクスチャ
ー加工）を行った。このときの基板表面に加わる圧力は
２９．４ｋＰａ（３００ｇｆ／ｃｍ２）であった。テク
スチャー加工後の基板表面の１μｍ平方の形状をＡＦＭ
を用いて測定し、表面に形成された溝数および中心線平
均粗さを求めた。図４にテクスチャー加工後の基板表面
のＡＦＭ像を示す。
【００４１】さらに、それらの基板を洗浄し、ＤＣスパ
ッタ装置を用いて、ＣｒＷシード層（ＣｒＷ１６、厚さ
２ｎｍ）およびＮｉＰシード層（ＮｉＰ２８．６、厚さ
１５ｎｍ）を積層した。引き続いて加熱を行い、Ｃｒ
（厚さ３．８ｎｍ）およびＣｒＭｏ２５（厚さ２．５ｎ
ｍ）からなる下地層、ＣｏＣｒＰｔを含む磁性層（１２
ｎｍ）およびＣ保護層（４ｎｍ）を成膜した。ここでＮ
ｉＰシード層成膜と下地層成膜との間において、酸素
（Ｏ２）を含むＡｒ＋Ｏ２混合ガス（酸素濃度２体積
％、１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、２．５秒間）に暴
露した。以上のように製造した磁気記録媒体に関して、
ＯＲＭ測定器を用いて、それらの磁気特性を評価した。
評価結果を表２に示す。
【００４２】
【表２】
【００４３】（実施例４）化学強化系ガラス基板（Ｈｏ
ｙａ製Ｎ５基板）表面に対してポリッシュ加工を施し、
表面粗さをＲａ０．５ｎｍに調整した。該基板をスピン
ドルにチャックし３００ｒｐｍで回転させ、研磨砥粒を
含まない発泡ウレタンのテープを２５ｍｍ／ｍｉｎの速
度で送りながら、ＳＵＳ製の面当たり押し付け部材を介
して、押し付け圧力９８．１ｋＰａ（１ｋｇｆ／ｃ
ｍ２）で押し付け、平均粒子径１．５μｍの酸化セリウ
ム砥粒を１質量％含んだスラリーを滴下しながら６０秒
間の研磨（テクスチャー加工）を行った。このときの基
板表面に加わる圧力は９．８１ｋＰａ（１００ｇｆ／ｃ
ｍ２）であった。テクスチャー加工後の基板表面の１μ
ｍ平方の形状をＡＦＭを用いて測定し、表面に形成され
た溝数および中心線平均粗さを求めた。図５にテクスチ
ャー加工後の基板表面のＡＦＭ像を示す。
【００４４】さらに、それらの基板を洗浄し、ＤＣスパ
ッタ装置を用いて、ＣｒＷシード層（ＣｒＷ１６、厚さ
２ｎｍ）およびＮｉＰシード層（ＮｉＰ２８．６、厚さ
１５ｎｍ）を積層した。引き続いて加熱を行い、Ｃｒ
（厚さ５ｎｍ）およびＣｒＭｏ ２５（厚さ５ｎｍ）から
なる下地層、ＣｏＣｒＰｔを含む磁性層（１２ｎｍ）お
よびＣ保護層（４ｎｍ）を成膜した。ここでＮｉＰシー
ド層成膜と下地層成膜との間において、酸素（Ｏ２）を
含むＡｒ＋Ｏ２混合ガス（酸素濃度２体積％、１．３Ｐ
ａ（１０ｍＴｏｒｒ）、２．５秒間）に暴露した。以上
のように製造した磁気記録媒体に関して、ＯＲＭ測定器
を用いて、それらの磁気特性を評価した。評価結果を表
３に示す。
【００４５】
【表３】
【００４６】（実施例５）化学強化系ガラス基板（Ｈｏ
ｙａ製Ｎ５基板）表面に対してポリッシュ加工を施し、
表面粗さをＲａ０．５ｎｍに調整した。該基板をスピン
ドルにチャックし３００ｒｐｍで回転させ、研磨砥粒を
含まないポリエステル極細繊維（繊維直径約１．５μ
ｍ）の織布を６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で送りながら、ゴ
ム硬度６０°の押し付け部材を介して、押し付け圧力９
８．１ｋＰａ（１ｋｇｆ／ｃｍ２）で押し付け、平均粒
子径０．１μｍのダイアモンド砥粒を０．１質量％含ん
だスラリーを滴下しながら研磨（テクスチャー加工）を
行った。テクスチャー加工の時間を２０秒〜６０秒まで
変化させた。このときの基板表面に加わる圧力は３９．
２ｋＰａ（４００ｇｆ／ｃｍ２）であった。テクスチャ
ー加工後の基板表面の１μｍ平方の形状をＡＦＭを用い
て測定し、表面に形成された溝数および中心線平均粗さ
を求めた。
【００４７】さらに、それらの基板を洗浄し、ＤＣスパ
ッタ装置を用いて、ＣｒＷシード層（ＣｒＷ１６、厚さ
２ｎｍ）およびＮｉＰシード層（ＮｉＰ２８．６、厚さ
７ｎｍ）を積層した。引き続いて加熱を行い、Ｃｒ（厚
さ３．８ｎｍ）およびＣｒＭｏ２５（厚さ２．５ｎｍ）
からなる下地層、ＣｏＣｒＰｔを含む磁性層（１２ｎ
ｍ）およびＣ保護層（４ｎｍ）を成膜した。ここでＮｉ
Ｐシード層成膜と下地層成膜との間において、酸素（Ｏ
２）を含むＡｒ＋Ｏ２混合ガス（酸素濃度２体積％、約
１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、２．５秒間）に暴露し
た。以上のように製造した磁気記録媒体に関して、ＯＲ
Ｍ測定器を用いて、それらの磁気特性を評価した。評価
結果を表４に示す。
【００４８】テクスチャー加工時間と評価特性との関係
を図６に示す。図６（ａ）はテクスチャー加工時間と基
板表面の１μｍ当たりの溝数との関係を表すグラフであ
り、図６（ｂ）はテクスチャー加工時間と基板表面の１
μｍ平方におけるＲａとの関係を表すグラフであり、お
よび図６（ｃ）はテクスチャー加工時間と磁気記録媒体
のＯＲ−Ｍｒｔとの関係を表すグラフである。
【００４９】
【表４】
【００５０】表４および図６に示されるように、テクス
チャー加工時間の増加に伴い、Ｒａ、溝数およびＯＲ−
Ｍｒｔの全てが低下する。したがって、テクスチャー加
工時間は短いほうが、より優れた特性（たとえば大きな
ＯＲ−Ｍｒｔ）を有する磁気記録媒体が得られることが
見いだされた。
【００５１】（実施例６〜７、比較例２〜３）公称２．
５インチ（外径６．５ｃｍ）×厚さ０．６３５ｍｍのガ
ラス基板（Ｈｏｙａ製Ｎ５基板）に対して、以下のよう
な表面加工を施した。 実施例６：実施例１と同様の手法を用いて基板を作製し
た（研磨砥粒を含まないポリエステル極細繊維（直径約
１．５μｍ）で織られた加工布、ダイヤモンド砥粒（平
均粒径１．５μｍ、濃度１質量％）を含むスラリー、７
８．５ｋＰａの基板表面に加わる圧力および２０秒の加
工時間を用いたテクスチャー加工により単位長さ当たり
の２９本の同心円状の溝を形成した）； 実施例７：実施例３と同様の手法を用いて基板を作製し
た（研磨砥粒を含まないポリエステル極細繊維（直径約
１．５μｍ）で織られた加工布、ダイヤモンド砥粒（平
均粒径１．５μｍ、濃度１質量％）を含むスラリー、２
９ｋＰａの基板表面に加わる圧力および６０秒の加工時
間を用いたテクスチャー加工により単位長さ当たりの１
８本の同心円状の溝を形成した）； 比較例２：実施例４と同様の手法を用いて基板を作製し
た（発泡ウレタンテープ、酸化セリウム砥粒（平均粒径
１．５μｍ、濃度１質量％）を含むスラリー、９．８１
ｋＰａの基板表面に加わる圧力および６０秒の加工時間
を用いた表面加工により同心円状の溝を５本と少なめに
形成した）；および 比較例３：表面加工をしなかった。
【００５２】上記の加工を施した基板を洗浄し、次にＤ
Ｃスパッタ装置を用いて、ＣｒＷシード層（Ｃｒ
Ｗ１６、厚さ２ｎｍ）およびＮｉＰシード層（ＮｉＰ
２８．６、厚さ１５ｎｍ）を積層した。引き続いて加熱
し、Ｃｒ（厚さ５ｎｍ）およびＣｒＭｏ２５（厚さ５ｎ
ｍ）からなる下地層、ＣｏＣｒＰｔを含む磁性層（１２
ｎｍ）およびＣ保護層（４ｎｍ）を成膜した。ここでＮ
ｉＰシード層成膜と下地層成膜との間において、酸素
（Ｏ２）を含むＡｒ＋Ｏ２混合ガス（Ｏ２の流量はＡｒ
流量の２体積％、全圧力１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒ
ｒ）、２．５秒間）に暴露した。ＮｉＰシード層の主な
成膜条件を表５に示す。また、各実施例および比較例に
より得られた磁気記録媒体の特性を表６に示す。
【００５３】
【表５】
【００５４】
【表６】
【００５５】このように、テクスチャー加工により同心
円状の尖った溝を設けた場合に、ＯＲ−Ｍｒｔは１．１
より高く、Ｓ’値は０．７４以上と望ましい値となっ
た。特にＯＲ−Ｍｒｔに関しては、単位長さ当たりの溝
数が多い方が大きな値を示した。
【００５６】次に、これらの基板について、以下の電磁
変換特性を評価した。 ＴＡＡ：再生信号出力の平均値（単位ｍＶｐ−ｐ）、低
周波（ＬＦ）領域における値ＬＦ−ＴＡＡおよび高周波
（ＨＦ）領域における値ＨＦ−ＴＡＡを測定した； Ｄ５０：低周波記録での孤立波の出力が半減する記録密
度（単位ｋＦＣＩ）； Ｐｗ５０：ビットのパルス幅（単位ｎｓ）； ＮＬＴＳ：非線形ビットシフトであり、小さいことが望
ましい； Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ：トラック１周分の再生信号出力
の平均値を１００％として、最大信号出力の平均値から
の変動量（Ｐｏｓ．）および最小信号出力の平均値から
の変動量（Ｎｅｇ．）を示し、両値共に小さいことが望
ましい； Ｎｏｉｓｅ：スペクトラムアナライザーで観測される信
号スペクトラムの、記録された周波数の信号部分を除い
た部分を、周波数に関して積分した値（単位μＶ）であ
り、磁気記録媒体に起因するノイズに対応する、小さい
ことが望ましい； ＳＮＲ：シグナル・ノイズ・レシオ、Ｎｏｉｓｅに対す
る記録された信号部分の積分値の比（単位ｄＢ）； 分解能：ＬＦ出力に対するＭＦ出力の割合；および Ｎｏｉｓｅ／ＬＦ：ＮｏｉｓｅをＬＦ−ＴＡＡを用いて
規格化した値、異なる磁気媒体同士のノイズ特性を比較
する際に用いる。
【００５７】電磁変換特性の測定結果を表７および表８
に示す。同表より、ＯＲ−Ｍｒｔが１．１以上の実施例
６および実施例７は出力（ＬＦ−ＴＡＡおよびＨＦ−Ｔ
ＡＡ）が高く、分解能（Ｒｅｓ．）が高く、ＳＮＲおよ
びＤ５０が高く、Ｐｗ５０もシャープで良好であり、上
書き性能：Ｏ／Ｗ特性も、ＯＲ−Ｍｒｔが１．０５以下
の比較例２および比較例３と比較して遜色ないことがわ
かる。
【００５８】
【表７】
【００５９】
【表８】
【００６０】この因果関係について調べるために、θ−
２θ法のＸ線回折測定を行った。Ｘ線回折プロファイル
を図７に示す。同図より、基板表面加工を施した実施例
６、実施例７および比較例２の場合は、比較例３の場合
と比較して、Ｃｒ（２００）とＣｏ（１１０）の回折強
度が高かった。この結果から、テクスチャー加工等によ
る表面加工を施したほうが、磁性層を構成する粒子の結
晶性または配向性が高いといえる。また、比較例２の場
合に比較して、実施例６の場合は回折強度が低かった。
この事実は、テクスチャーによるＸ線散乱の影響を考慮
しても、比較例２の磁性層粒子と比較して、実施例６の
磁性層粒子が同等以下の結晶粒子径を有するためと推察
される。以上の結果から、テクスチャー加工を施した実
施例６においては、良好な結晶性および配向性、ならび
に微細な粒子径を有する磁性層を作製することができ、
それが優秀な電磁変換特性を有する磁気記録媒体を作製
できた要因といえる。
【００６１】すなわち、テクスチャー加工のような表面
加工を施し、同心円状の単位長さあたりの尖った溝数は
多くすることが、ＯＲ−Ｍｒｔを高める点、磁気特性及
び電磁変換特性を改善する点から重要であるといえる。
前述の機械的テクスチャー加工と同等の表面加工は、湿
式または乾式エッチング、あるいはＦＩＢなどのレーザ
ー加工を用いることも可能である。
【００６２】（実施例８および比較例４）シード層をＣ
ｒ（厚さ５ｎｍ）およびＮｉＰ２０（厚さ１２ｎｍ）と
し、下地層をＣｒＭｏ７（厚さ３０ｎｍ）とし、ＣｏＣ
ｒＰｔを含む磁性層の厚さを１６ｎｍとし、およびＣ保
護層の厚さを７ｎｍとしたことを除いて、実施例７およ
び比較例３の手順を繰り返して、それぞれ実施例８およ
び比較例４の磁気記録媒体を作製した。さらに、得られ
た磁気記録媒体を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観
察し、結晶の平均粒径（Ｍｅａｎ）およびその標準偏差
σを測定した。表９に、実施例８および比較例４の磁気
特性（Ｈｃｒ，Ｍｒｔ＿Ｃｉｒ，Ｓ’およびＯＲ−Ｍｒ
ｔ）とＴＥＭ測定結果を示す。実施例８および比較例４
に関する代表的なＴＥＭ観察像を、それぞれ図８および
図９に示す。実施例８は、より大きいＯＲ−Ｍｒｔ値と
より小さな結晶粒子径とを有した。実施例６で述べた、
テクスチャーを施した基板を用いた場合に、電磁変換の
特性におけるＳＮＲ値が良好であったことと対応する。
【００６３】
【表９】
【００６４】（実施例９）酸素含有混合ガスに対する暴
露工程において、混合ガス中の酸素濃度を変化させたこ
とを除いて、実施例７を繰り返してその磁気特性の変化
を調べた。具体的には、酸素流量比を変化させて、酸素
濃度を変化させた。酸素流量比の変化に対する磁気特性
の変化を図１０に示す。図１０（ａ）はＭｒｔ＿Ｃｉｒ
の、図１０（ｂ）はＨｃｒの、図１０（ｃ）はＳ’の、
そして図１０（ｄ）はＯＲ−Ｍｒｔの酸素流量比依存性
をそれぞれ示す。酸素流量比が０％から０．７％に増加
するにしたがって、Ｍｒｔ＿Ｃｉｒ，Ｓ’およびＯＲ−
Ｍｒｔは増加し、そして０．７％を超える高酸素流量比
では飽和傾向を示した。Ｈｃｒの場合は、酸素流量比が
０％から０．７％へ変化してもほぼ同様の値をとった
が、より大きな酸素流量比が７％の場合においては２０
０Ｏｅ（１６ｋＡ／ｍ）程度低い値をとった。上記の結
果から、酸素流量比が０．７％以上のＡｒ＋Ｏ２混合ガ
スの場合において、ＯＲ−Ｍｒｔは増加することがわか
った。
【００６５】（実施例１０）酸素含有混合ガスに対する
暴露工程において、純粋な酸素に代えて空気を用いたこ
とを除いて、実施例７を繰り返してその磁気特性の変化
を調べた。空気流量比の変化に対する磁気特性の変化を
図１１に示す。図１１（ａ）はＭｒｔ＿Ｃｉｒの、図１
１（ｂ）はＨｃｒの、図１１（ｃ）はＳ’の、そして図
１１（ｄ）はＯＲ−Ｍｒｔの酸素流量比依存性をそれぞ
れ示す。空気流量比が０％から２％に増加するにしたが
って、Ｍｒｔ＿Ｃｉｒ，Ｈｃｒ，Ｓ’およびＯＲ−Ｍｒ
ｔは増加し、それより高い空気流量比では飽和傾向を示
した。空気流量比が２％以上の領域においてＯＲ−Ｍｒ
ｔ値は約１．１の望ましい値を有したが、純粋な酸素を
用いた実施例９に比較して低めの値をとった。
【００６６】このことより、空気流量比が２％以上のＡ
ｒとの混合ガスを用いた場合において、ＯＲ−Ｍｒｔは
１．１以上とすることができた。また同領域において、
Ｈｃｒは空気を用いなかった場合に比較して増大してい
る。空気のかわりに、同等の組成を有する０．４％以上
の酸素、かつ１．６％以上の窒素を含むＡｒとの混合ガ
スを用いてもよい。
【００６７】（実施例１１）シード層の膜厚を０〜２７
ｎｍまで変化させたことを除いて、実施例７を繰り返し
てその磁気特性の変化を調べた。シード層膜厚の変化に
対する磁気特性の変化を図１５に示す。図１２（ａ）は
Ｍｒｔ＿Ｃｉｒの、図１２（ｂ）はＨｃｒの、図１２
（ｃ）はＳ’の、そして図１２（ｄ）はＯＲ−Ｍｒｔの
シード層膜厚依存性をそれぞれ示す。シード層膜厚が、
０ｎｍから５ｎｍに増加するにしたがって、Ｍｒｔ＿Ｃ
ｉｒ，Ｈｃｒ，Ｓ’およびＯＲ−Ｍｒｔは増加し、５ｎ
ｍから約２０ｎｍまでの量域において、各特性値は飽和
傾向を示した。２０ｎｍを越えて２７ｎｍまでの領域に
おいては、Ｍｒｔ，ＨｃｒおよびＯＲ−Ｍｒｔはわずか
に減少する傾向を示した。
【００６８】以上の結果より、ＮｉＰをシード層として
用い、その膜厚を５〜２０ｎｍとする場合に、１．１以
上のＯＲ−Ｍｒｔとある程度高いＨｃｒとを両立させら
れることがわかった。
【００６９】（実施例１２）下地層の構成を変更したこ
とを除いて、実施例７を繰り返してその磁気特性の変化
を調べた。具体的には、シード層側の第１下地層として
Ｃｒを用い、磁性層側の第２下地層としてＣｒＭｏ２５
を用いた。そして第２下地層の膜厚は５ｎｍに固定し、
第１下地層の膜厚を１〜８ｎｍまで変化させて、その際
の磁気特性の変化を測定した。第１下地層膜厚変化に対
する磁気特性の変化を図１３に示す。図１３（ａ）はＭ
ｒｔ＿Ｃｉｒの、図１３（ｂ）はＨｃｒの、図１３
（ｃ）はＳ’の、そして図１３（ｄ）はＯＲ−Ｍｒｔの
第１下地層膜厚依存性をそれぞれ示す。第１下地層膜厚
が０ｎｍから２ｎｍに増加するにしたがって、一旦Ｍｒ
ｔ＿Ｃｉｒ，Ｈｃｒ及びＳ’は減少し、膜厚が２ｎｍ以
上の領域では、いずれの値も増加傾向を示した。ＯＲ−
Ｍｒｔは第１下地層の膜厚が０ｎｍから２．５ｎｍに増
加するに伴って増加し、それより厚い膜厚においては飽
和傾向を示した。
【００７０】このことより、第１下地層の膜厚は、３〜
８ｎｍの場合に、ＯＲ−Ｍｒｔは１．１以上の高い値を
とることがわかった。
【００７１】（実施例１３）第１下地層（Ｃｒ）の膜厚
は５ｎｍに固定し、第２下地層（ＣｒＭｏ２５）の膜厚
を１〜８ｎｍまで変化させたことを除いて、実施例１２
を繰り返した。第２下地層膜厚変化に対する磁気特性の
変化を図１４に示す。図１４（ａ）はＭｒｔ＿Ｃｉｒ
の、図１４（ｂ）はＨｃｒの、図１４（ｃ）はＳ’の、
そして図１４（ｄ）はＯＲ−Ｍｒｔの第２下地層膜厚依
存性をそれぞれ示す。第２下地層が、０ｎｍから２．５
ｎｍに増加するにしたがって、ＯＲ−Ｍｒｔも増加傾向
を示し、それより厚い領域では減少傾向を示した。Ｍｒ
ｔ，Ｈｃｒ及びＳ’は第２下地層の膜厚の増加に伴い単
調に増加した。
【００７２】このことより、第２下地層の膜厚が１〜８
ｎｍの場合に、１．１以上のＯＲ−Ｍｒｔを示すことが
わかった。
【００７３】（実施例１４）シード層をＣｒＷ１６（厚
さ７ｎｍ）およびＮｉＰ２８．６（厚さ２１．５ｎｍ）
とし、下地層をＣｒ（厚さ７．５ｎｍ）およびＣｒＷ
１６（厚さ７．５ｎｍ）とし、シード層の最表層１．５
ｎｍをＡｒ＋酸素の混合ガス雰囲気下の反応性スパッタ
により積層したことを除いて、実施例７を繰り返した。
本実施例においては、反応性スパッタ中の酸素濃度を変
化させた（酸素流量比の変化による）際の、磁気特性の
変化を調べた。反応スパッタ中の酸素濃度変化に対する
磁気特性の変化を図１５に示す。図１５（ａ）はＭｒｔ
＿Ｃｉｒの、図１５（ｂ）はＨｃｒの、図１５（ｃ）は
Ｓ’の、そして図１５（ｄ）はＯＲ−Ｍｒｔの反応スパ
ッタ中の酸素濃度依存性をそれぞれ示す。酸素流量比が
１５％以上の場合に、ＯＲ−Ｍｒｔは１．０５以上の値
を得ることができた。しかし、実施例７などにおけるよ
うなシード層形成後に酸素暴露を行った場合と比較し
て、各特性値は低めの値をとることがわかった。
【００７４】（実施例１５）化学強化系ガラス基板（Ｈ
ｏｙａ製Ｎ１０基板）を用い、押し付け圧力を８３．４
ｋＰａ（０．８５ｋｇｆ／ｃｍ２）としたことを除い
て、実施例２と同様な基板加工をおこなった。成膜構成
をＣｒＷ１６（厚さ２ｎｍ）およびＮｉＰ２０（厚さ２
〜２８ｎｍ）のシード層、ならびにＣｒ（厚さ３．８ｎ
ｍ）およびＣｒＭｏ２５（厚さ２．５ｎｍ）の下地層を
用いたことを除いて、実施例１と同様な成膜を行った。
ＮｉＰ２０層の厚さに対する磁気特性の変化、すなわち
Ｍｒｔ＿Ｃｉｒ、Ｈｃｒ、Ｓ’およびＯＲ−Ｍｒｔをそ
れぞれ図１６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）に示
す。ＮｉＰ２０を用いた場合は２〜２８ｎｍの膜厚領域
で高いＯＲ−Ｍｒｔ（＞１．４）、高いＨｃｒ（＞２７
１ｋＡ／ｍ（３４００Ｏｅ））および高いＳ’（＞０．
８）が得られた。特に、ＮｉＰ２０層が１７〜２８ｎｍ
の膜厚を有する領域で極めて高いＯＲ−Ｍｒｔ（＞１．
５）が得られた。
【００７５】（実施例１６および１７）ガラス基板（Ｈ
ｏｙａ製Ｎ５基板）に対して、以下のような表面加工を
施した。 実施例１６：押し付け圧力を８３．４ｋＰａ（０．８５
ｋｇｆ／ｃｍ２）とした以外は、実施例１と同様の加工
を行った；および 実施例１７：押し付け圧力を２４５ｋＰａ（２．５ｋｇ
ｆ／ｃｍ２）とした以外は、実施例１と同様の加工を行
った。
【００７６】上記のそれぞれの基板に対して、ＮｉＰシ
ード層をＮｉＰ２０（厚さ２０ｎｍ）としたことを除い
て、実施例１の成膜手順を繰り返して、それぞれ実施例
１６および実施例１７の磁気記録媒体を作製した。さら
に、得られた磁気記録媒体を透過型電子顕微鏡（ＴＥ
Ｍ）により観察し、結晶の平均粒径（Ｍｅａｎ）および
その標準偏差σを測定した。表１０に、実施例１６およ
び実施例１７の磁気特性（Ｈｃｒ，Ｍｒｔ＿Ｃｉｒ，
Ｓ’およびＯＲ−Ｍｒｔ）とＴＥＭ測定結果を示す。ま
た、実施例１６および実施例１７のＴＥＭ像を、それぞ
れ図１７および図１８に示す。実施例１６および実施例
１７は、Ｈｃｒについて約２０ｋＡ／ｍ（２５０Ｏｅ）
の差があるものの高いＨｃｒを示した。また、いずれの
場合にも高いＯＲ−Ｍｒｔ（＞１．４）および高いＳ’
（＞０．８）が得られた。さらに、１μｍ当たりの溝数
に起因するＯｒ−Ｍｒｔ値が１．３７から１．５４へと
変化しても、結晶の平均粒径（Ｍｅａｎ）およびその標
準偏差σには大きな違いは見られなかった。
【００７７】
【表１０】
【００７８】
【発明の効果】ガラス系材料の非磁性基板を用いた磁気
記録媒体の製造方法において、ダイアモンド、酸化アル
ミニウム、酸化セリウム、シリコンカーバイト、コロイ
ダルシリカ等の砥粒を含むスラリーと極細繊維を織って
作った織布もしくはそれを起毛させた起毛布を加工布と
して、ガラス表面に直接テクスチャー加工を行うことに
より、ガラス表面に微細な凹凸の溝を形成でき、その基
板を用いて磁気記録媒体を作製することで、ガラス系材
料を用いた異方性磁気記録媒体が提供可能である。
【００７９】さらに、上記のようなテクスチャー加工を
行った基板に対して、シード層形成と下地層形成との間
に酸素含有混合ガスに対する暴露工程をさらに行うこと
によって、さらに望ましい磁気特性および電磁変換特性
を有する磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【００８０】また、本発明の製造方法は、工程数の増加
を伴わないので、低コストで高記録密度対応の磁気記録
媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１のテクスチャー加工後の基板のＡＦＭ
像（観察範囲１μｍ×１μｍ）を示す図である。
【図２】実施例２のテクスチャー加工後の基板のＡＦＭ
像（観察範囲１μｍ×１μｍ）を示す図である。
【図３】比較例１の基板のＡＦＭ像（観察範囲１μｍ×
１μｍ）を示す図である。
【図４】実施例３のテクスチャー加工後の基板のＡＦＭ
像（観察範囲１μｍ×１μｍ）を示す図である。
【図５】実施例４のテクスチャー加工後の基板のＡＦＭ
像（観察範囲１μｍ×１μｍ）を示す図である。
【図６】実施例５のテクスチャー加工時間と基板および
磁気記録媒体の特性との関係を表すグラフであり、
（ａ）はテクスチャー加工時間と基板表面の１μｍ当た
りの溝数との関係を表すグラフであり、（ｂ）はテクス
チャー加工時間と基板表面の１μｍ平方におけるＲａと
の関係を表すグラフであり、および（ｃ）はテクスチャ
ー加工時間と磁気記録媒体のＯＲ−Ｍｒｔとの関係を表
すグラフである。
【図７】実施例６、実施例７、比較例２および比較例３
の磁気記録媒体の磁性層に関するＸ線回折プロファイル
を示す図である。
【図８】実施例８により製造した磁気記録媒体の、代表
的なＴＥＭ観察像を示す図である。
【図９】比較例４により製造した磁気記録媒体の、代表
的なＴＥＭ観察像を示す図である。
【図１０】実施例９における酸素流量比の変化に対する
磁気特性の変化を示すグラフであり、（ａ）はＭｒｔ＿
Ｃｉｒの酸素流量比依存性、（ｂ）はＨｃｒの酸素流量
比依存性、（ｃ）はＳ’の酸素流量比依存性、および
（ｄ）はＯＲ−Ｍｒｔの酸素流量比依存性を示すグラフ
である。
【図１１】実施例１０における空気流量比の変化に対す
る磁気特性の変化を示すグラフであり、（ａ）はＭｒｔ
＿Ｃｉｒの酸素流量比依存性、（ｂ）はＨｃｒの酸素流
量比依存性、（ｃ）はＳ’の酸素流量比依存性、および
（ｄ）はＯＲ−Ｍｒｔの酸素流量比依存性を示すグラフ
である。
【図１２】実施例１１におけるシード層膜厚の変化に対
する磁気特性の変化を示すグラフであり、（ａ）はＭｒ
ｔ＿Ｃｉｒのシード層膜厚依存性、（ｂ）はＨｃｒのシ
ード層膜厚依存性、（ｃ）はＳ’のシード層膜厚依存
性、および（ｄ）はＯＲ−Ｍｒｔのシード層膜厚依存性
を示すグラフである。
【図１３】実施例１２における第１下地層膜厚の変化に
対する磁気特性の変化を示すグラフであり、（ａ）はＭ
ｒｔ＿Ｃｉｒの第１下地層膜厚依存性、（ｂ）はＨｃｒ
の第１下地層膜厚依存性、（ｃ）はＳ’の第１下地層膜
厚依存性、および（ｄ）はＯＲ−Ｍｒｔの第１下地層膜
厚依存性を示すグラフである。
【図１４】実施例１３における第２下地層膜厚の変化に
対する磁気特性の変化を示すグラフであり、（ａ）はＭ
ｒｔ＿Ｃｉｒの第２下地層膜厚依存性、（ｂ）はＨｃｒ
の第２下地層膜厚依存性、（ｃ）はＳ’の第２下地層膜
厚依存性、および（ｄ）はＯＲ−Ｍｒｔの第２下地層膜
厚依存性を示すグラフである。
【図１５】実施例１４における反応性スパッタ時の酸素
濃度変化に対する磁気特性の変化を示すグラフであり、
（ａ）はＭｒｔ＿Ｃｉｒの反応性スパッタ時の酸素濃度
依存性、（ｂ）はＨｃｒの反応性スパッタ時の酸素濃度
依存性、（ｃ）はＳ’の反応性スパッタ時の酸素濃度依
存性、および（ｄ）はＯＲ−Ｍｒｔの反応性スパッタ時
の酸素濃度依存性を示すグラフである。
【図１６】実施例１５におけるＮｉＰ２０層の膜厚変化
に対する磁気特性の変化を示すグラフであり、（ａ）は
Ｍｒｔ＿Ｃｉｒの変化、（ｂ）はＨｃｒの変化、（ｃ）
はＳ’の変化、および（ｄ）はＯＲ−Ｍｒｔの変化を示
すグラフである。
【図１７】実施例１６により製造した磁気記録媒体のＴ
ＥＭ像を示す図である。
【図１８】実施例１７により製造した磁気記録媒体のＴ
ＥＭ像を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 5/851 Ｇ１１Ｂ 5/851 (72)発明者 増田 克也 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 下里 学 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 島田 隆 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−194725（ＪＰ，Ａ) 特開2001−9694（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−205244（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−13219（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−76279（ＪＰ，Ａ) 特開2000−348334（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−121856（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−143865（ＪＰ，Ａ) 特開2000−20936（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−339240（ＪＰ，Ａ)

Claims (22)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガラス系材料により形成される非磁性基
    板の表面に直接テクスチャー加工を施して１μｍ平方当
    たり５本以上の円周状の溝を形成し、その表面の中心線
    平均粗さを０．２から１ｎｍとするテクスチャー加工工
    程と、 該テクスチャー加工を施した非磁性基板上に、ＮｉＰを
    主とする材料からなるシード層をスパッタ法により成膜
    するシード層成膜工程と、 該成膜されたシード層を酸素と不活性ガスとを含む混合
    ガスに暴露する酸素含有混合ガス暴露工程と、 該酸素含有混合ガスに暴露されたシード層上に、Ｃｒま
    たはＣｒに１０原子％以下の第２元素を含むＣｒＷ合金
    もしくはＣｒＭｏ合金からなる膜厚３〜８ｎｍの第１下
    地層と、その上のＣｒに１５原子％以上の第２元素を含
    むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ合金からなる膜厚１〜８
    ｎｍの第２下地層とからなる下地層をスパッタ法により
    成膜する下地層成膜工程と、 該下地層上に、Ｃｏを主とする磁性材料からなる磁性層
    をスパッタ法により成膜する磁性層成膜工程と、 該磁性層上に、保護層を成膜する保護層成膜工程とを具
    えた磁気記録媒体の製造方法であって、該磁気記録媒体
    の面内の半径方向残留磁化に対する該磁気記録媒体の面
    内の円周方向残留磁化比を１．０５以上とすることを特
    徴とする磁気記録媒体の製造方法。
  2. 【請求項２】 ガラス系材料により形成される非磁性基
    板の表面に直接テクスチャー加工を施して１μｍ平方当
    たり５本以上の円周状の溝を形成し、その表面の中心線
    平均粗さを０．２から１ｎｍとするテクスチャー加工工
    程と、 該テクスチャー加工を施した非磁性基板上に、Ｃｒまた
    はＣｒＷからなる第１のシード層と、その上のＮｉＰを
    主とする材料からなる第２のシード層とからなるシード
    層をスパッタ法により成膜するシード層成膜工程と、 該成膜されたシード層を酸素と不活性ガスとを含む混合
    ガスに暴露する酸素含有混合ガス暴露工程と、 該酸素含有混合ガスに暴露されたシード層上に、Ｃｒま
    たはＣｒに１０原子％以下の第２元素を含むＣｒＷ合金
    もしくはＣｒＭｏ合金からなる膜厚３〜８ｎｍの第１下
    地層と、その上のＣｒに１５原子％以上の第２元素を含
    むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ合金からなる膜厚１〜８
    ｎｍの第２下地層とからなる下地層をスパッタ法により
    成膜する下地層成膜工程と、 該下地層上に、Ｃｏを主とする磁性材料からなる磁性層
    をスパッタ法により成膜する磁性層成膜工程と、 該磁性層上に、保護層を成膜する保護層成膜工程とを具
    えた磁気記録媒体の製造方法であって、該磁気記録媒体
    の面内の半径方向残留磁化に対する該磁気記録媒体の面
    内の円周方向残留磁化比を１．０５以上とすることを特
    徴とする磁気記録媒体の製造方法。
  3. 【請求項３】 ガラス系材料により形成される非磁性基
    板の表面に直接テクスチャー加工を施して１μｍ平方当
    たり５本以上の円周状の溝を形成し、その表面の中心線
    平均粗さを０．２から１ｎｍとするテクスチャー加工工
    程と、 該テクスチャー加工を施した非磁性基板上に、Ｃｒまた
    はＣｒＷからなる第１のシード層と、その上のＮｉＰを
    主とする材料からなる第２のシード層とからなるシード
    層をスパッタ法により成膜するシード層成膜工程と、 該成膜されたシード層を酸素と不活性ガスとを含む混合
    ガスに暴露する酸素含有混合ガス暴露工程と、 該酸素含有混合ガスに暴露されたシード層上に、Ｃｒ、
    ＣｒＷ合金またはＣｒＭｏ合金からなる膜厚３〜１０ｎ
    ｍの下地層をスパッタ法により成膜する下地層成膜工程
    と、 該下地層上に、Ｃｏを主とする磁性材料からなる磁性層
    をスパッタ法により成膜する磁性層成膜工程と、 該磁性層上に、保護層を成膜する保護層成膜工程とを具
    えた磁気記録媒体の製造方法であって、該磁気記録媒体
    の面内の半径方向残留磁化に対する該磁気記録媒体の面
    内の円周方向残留磁化比を１．０５以上とすることを特
    徴とする磁気記録媒体の製造方法。
  4. 【請求項４】 ガラス系材料により形成される非磁性基
    板の表面に直接テクスチャー加工を施して１μｍ平方当
    たり５本以上の円周状の溝を形成し、その表面の中心線
    平均粗さを０．２から１ｎｍとするテクスチャー加工工
    程と、 該テクスチャー加工を施した非磁性基板上に、ＮｉＰを
    主とする材料からなるシード層をスパッタ法により成膜
    するシード層成膜工程と、 該シード層成膜工程において、当該シード層の最表層を
    不活性ガス中に酸素を含む混合ガス中での反応性スパッ
    タにより成膜するシード層最表層成膜工程と、 該混合ガス中での反応性スパッタにより成膜されたシー
    ド層最表層上に、ＣｒまたはＣｒに１０原子％以下の第
    ２元素を含むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ合金からなる
    膜厚３〜８ｎｍの第１下地層と、その上のＣｒに１５原
    子％以上の第２元素を含むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ
    合金からなる膜厚１〜８ｎｍの第２下地層とからなる下
    地層をスパッタ法により成膜する下地層成膜工程と、 該下地層上に、Ｃｏを主とする磁性材料からなる磁性層
    をスパッタ法により成膜する磁性層成膜工程と、 該磁性層上に、保護層を成膜する保護層成膜工程とを具
    えた磁気記録媒体の製造方法であって、該磁気記録媒体
    の面内の半径方向残留磁化に対する該磁気記録媒体の面
    内の円周方向残留磁化比を１．０５以上とすることを特
    徴とする磁気記録媒体の製造方法。
  5. 【請求項５】 ガラス系材料により形成される非磁性基
    板の表面に直接テクスチャー加工を施して１μｍ平方当
    たり５本以上の円周状の溝を形成し、その表面の中心線
    平均粗さを０．２から１ｎｍとするテクスチャー加工工
    程と、 該テクスチャー加工を施した非磁性基板上に、Ｃｒまた
    はＣｒＷからなる第１のシード層と、その上のＮｉＰを
    主とする材料からなる第２のシード層とからなるシード
    層をスパッタ法により成膜するシード層成膜工程と、 該シード層成膜工程において、当該シード層の最表層を
    不活性ガス中に酸素を含む混合ガス中での反応性スパッ
    タにより成膜するシード層最表層成膜工程と、 該混合ガス中での反応性スパッタにより成膜されたシー
    ド層最表層上に、ＣｒまたはＣｒに１０原子％以下の第
    ２元素を含むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ合金からなる
    膜厚３〜８ｎｍの第１下地層と、その上のＣｒに１５原
    子％以上の第２元素を含むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ
    合金からなる膜厚１〜８ｎｍの第２下地層とからなる下
    地層をスパッタ法により成膜する下地層成膜工程と、 該下地層上に、Ｃｏを主とする磁性材料からなる磁性層
    をスパッタ法により成膜する磁性層成膜工程と、 該磁性層上に、保護層を成膜する保護層成膜工程とを具
    えた磁気記録媒体の製造方法であって、該磁気記録媒体
    の面内の半径方向残留磁化に対する該磁気記録媒体の面
    内の円周方向残留磁化比を１．０５以上とすることを特
    徴とする磁気記録媒体の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記テクスチャー加工は、ウレタン、ポ
    リエステルおよびナイロンからなる群から選択される材
    料で構成されかつ研磨砥粒を含まない加工布を、９．８
    ｋＰａ以上１９６ｋＰａ以下の圧力で前記非磁性基板に
    押圧し、ダイアモンド、酸化アルミニウム、酸化セリウ
    ム、シリコンカーバイトおよびコロイダルシリカからな
    る群から選択される平均粒子径０．０１μｍ以上２μｍ
    以下の研磨砥粒を０．０１質量％以上５質量％以下の濃
    度で含んだスラリーを滴下しながら、当該非磁性基板を
    当該加工布で摩擦することにより行うことを特徴とする
    請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造
    方法。
  7. 【請求項７】 前記加工布として、直径１０μｍ以下の
    極細繊維を織って作製した織布、および該織布を起毛さ
    せた起毛布からなる群から選択されるものを用いること
    を特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方
    法。
  8. 【請求項８】 前記混合ガスは、０．７体積％以上の酸
    素を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに
    記載の磁気記録媒体の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記混合ガスは、２体積％以上の空気を
    含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載
    の磁気記録媒体の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記混合ガスは、１．６体積％以上の
    窒素と０．４体積％以上の酸素を含むことを特徴とする
    請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造
    方法。
  11. 【請求項１１】 前記シード層最表層成膜工程は、前記
    シード層の表面から深さ０．８〜３ｎｍまでの部分を、
    不活性ガス中に１％以上の酸素を含む混合ガス中での反
    応性スパッタにより成膜する工程からなることを特徴と
    する請求項４または５に記載の磁気記録媒体の製造方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記シード層最表層成膜工程は、前記
    シード層の表面から深さ０．８〜３ｎｍまでの部分を、
    不活性ガス中に３％以上の空気を含む混合ガス中での反
    応性スパッタにより成膜する工程からなることを特徴と
    する請求項４または５に記載の磁気記録媒体の製造方
    法。
  13. 【請求項１３】 前記シード層最表層成膜工程は、前記
    シード層の表面から深さ０．８〜３ｎｍまでの部分を、
    不活性ガス中に２．４％以上の窒素と０．６％以上の酸
    素とを含む混合ガス中での反応性スパッタにより成膜す
    る工程からなることを特徴とする請求項４または５に記
    載の磁気記録媒体の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記ＮｉＰは、１９から３３原子％の
    Ｐを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれかに
    記載の磁気記録媒体の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記テクスチャー加工を施した非磁性
    基板は、その表面に１μｍ平方当たり５本以上１００本
    以下の前記円周状の溝を有することを特徴とする請求項
    １から５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記テクスチャー加工を施した非磁性
    基板は、その表面に１μｍ平方当たり２５〜６０本の前
    記円周状の溝を有することを特徴とする請求項１から５
    のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
  17. 【請求項１７】 ガラス系材料からなり、その表面に直
    接テクスチャー加工を施されて１μｍ平方当たり５本以
    上の円周状の溝が形成され、その表面の中心線平均粗さ
    が０．２から１ｎｍである非磁性基板と、 該非磁性基板上にスパッタ法により成膜され、かつ表面
    が酸素と不活性ガスとを含む混合ガスに暴露されてなる
    ＮｉＰを主とする材料からなるシード層と、 ＣｒまたはＣｒに１０原子％以下の第２元素を含むＣｒ
    Ｗ合金もしくはＣｒＭｏ合金からなる膜厚３〜８ｎｍの
    第１下地層と、その上のＣｒに１５原子％以上の第２元
    素を含むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ合金からなる膜厚
    １〜８ｎｍの第２下地層とが前記シード層上にスパッタ
    法により成膜されてなる下地層と、 該下地層上にスパッタ法により成膜されたＣｏを主とす
    る磁性材料からなる磁性層と、 該磁性層上に成膜されてなる保護層とを具えた磁気記録
    媒体であって、該磁気記録媒体の面内の半径方向残留磁
    化に対する該磁気記録媒体の面内の円周方向残留磁化比
    が１．０５以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
  18. 【請求項１８】 ガラス系材料からなり、その表面に直
    接テクスチャー加工を施されて１μｍ平方当たり５本以
    上の円周状の溝が形成され、その表面の中心線平均粗さ
    が０．２から１ｎｍである非磁性基板と、 ＣｒまたはＣｒＷからなる第１のシード層とその上のＮ
    ｉＰを主とする材料からなる第２のシード層とが前記非
    磁性基板上にスパッタ法により成膜され、かつ表面が酸
    素と不活性ガスとを含む混合ガスに暴露されてなるシー
    ド層と、 ＣｒまたはＣｒに１０原子％以下の第２元素を含むＣｒ
    Ｗ合金もしくはＣｒＭｏ合金からなる膜厚３〜８ｎｍの
    第１下地層と、その上のＣｒに１５原子％以上の第２元
    素を含むＣｒＷ合金もしくはＣｒＭｏ合金からなる膜厚
    １〜８ｎｍの第２下地層とが前記シード層上にスパッタ
    法により成膜されてなる下地層と、 該下地層上にスパッタ法により成膜されたＣｏを主とす
    る磁性材料からなる磁性層と、 該磁性層上に成膜されてなる保護層とを具えた磁気記録
    媒体であって、該磁気記録媒体の面内の半径方向残留磁
    化に対する該磁気記録媒体の面内の円周方向残留磁化比
    が１．０５以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
  19. 【請求項１９】 ガラス系材料からなり、その表面に直
    接テクスチャー加工を施されて１μｍ平方当たり５本以
    上の円周状の溝が形成され、その表面の中心線平均粗さ
    が０．２から１ｎｍである非磁性基板と、 ＣｒまたはＣｒＷからなる第１のシード層とその上のＮ
    ｉＰを主とする材料からなる第２のシード層とが前記非
    磁性基板上にスパッタ法により成膜され、かつ表面が酸
    素と不活性ガスとを含む混合ガスに暴露されてなるシー
    ド層と、 該シード層上にスパッタ法により成膜されたＣｒ、Ｃｒ
    Ｗ合金またはＣｒＭｏ合金からなる膜厚３〜１０ｎｍの
    下地層と、 該下地層上にスパッタ法により成膜されたＣｏを主とす
    る磁性材料からなる磁性層と、 該磁性層上に成膜されてなる保護層とを具えた磁気記録
    媒体であって、該磁気記録媒体の面内の半径方向残留磁
    化に対する該磁気記録媒体の面内の円周方向残留磁化比
    が１．０５以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
  20. 【請求項２０】 前記ＮｉＰは、１９から３３原子％の
    Ｐを含むことを特徴とする請求項１７から１９のいずれ
    かに記載の磁気記録媒体。
  21. 【請求項２１】 前記テクスチャー加工を施した非磁性
    基板は、その表面に１μｍ平方当たり５本以上１００本
    以下の前記円周状の溝を有することを特徴とする請求項
    １７から１９のいずれかに記載の磁気記録媒体。
  22. 【請求項２２】 前記テクスチャー加工を施した非磁性
    基板は、その表面に１μｍ平方当たり２５〜６０本の前
    記円周状の溝を有することを特徴とする請求項１６から
    １８のいずれかに記載の磁気記録媒体。
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