JP3473795B2 - 高電圧コンデンサ及びマグネトロン - Google Patents
高電圧コンデンサ及びマグネトロンInfo
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- JP3473795B2 JP3473795B2 JP12283595A JP12283595A JP3473795B2 JP 3473795 B2 JP3473795 B2 JP 3473795B2 JP 12283595 A JP12283595 A JP 12283595A JP 12283595 A JP12283595 A JP 12283595A JP 3473795 B2 JP3473795 B2 JP 3473795B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/35—Feed-through capacitors or anti-noise capacitors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高電圧コンデンサ及び
この高電圧コンデンサでなるフィルタを有するマグネト
ロンに関する。
この高電圧コンデンサでなるフィルタを有するマグネト
ロンに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の高電圧コンデンサは、例
えば実開平４ー４０５２４号公報等でよく知られてい
る。その一般的な構造は次のようなものである。コンデ
ンサを構成する誘電体磁器に、２つの貫通孔を間隔をお
いて形成する。誘電体磁器の貫通孔を開口させた両面
に、互いに独立した個別電極及び個別電極に対して共通
となる共通電極を設ける。共通電極は、接地金具の浮上
り部上に半田付け等の手段によって固着される。コンデ
ンサの貫通孔及び接地金具の貫通孔を通って、貫通導体
を貫通させる。この貫通導体は、コンデンサの個別電極
に、電極接続体等を用いて半田付けされる。接地金具の
浮上り部の外周に、コンデンサを包囲するように、絶縁
ケースが挿着される。接地金具の他面側に、貫通導体を
包囲するように、絶縁カバーが挿着される。そして、絶
縁ケース及び絶縁ケースで包囲されたコンデンサの内外
に、エポキシ樹脂等の熱硬化性絶縁樹脂が充填され、そ
れによって耐湿性及び絶縁性を確保する。
えば実開平４ー４０５２４号公報等でよく知られてい
る。その一般的な構造は次のようなものである。コンデ
ンサを構成する誘電体磁器に、２つの貫通孔を間隔をお
いて形成する。誘電体磁器の貫通孔を開口させた両面
に、互いに独立した個別電極及び個別電極に対して共通
となる共通電極を設ける。共通電極は、接地金具の浮上
り部上に半田付け等の手段によって固着される。コンデ
ンサの貫通孔及び接地金具の貫通孔を通って、貫通導体
を貫通させる。この貫通導体は、コンデンサの個別電極
に、電極接続体等を用いて半田付けされる。接地金具の
浮上り部の外周に、コンデンサを包囲するように、絶縁
ケースが挿着される。接地金具の他面側に、貫通導体を
包囲するように、絶縁カバーが挿着される。そして、絶
縁ケース及び絶縁ケースで包囲されたコンデンサの内外
に、エポキシ樹脂等の熱硬化性絶縁樹脂が充填され、そ
れによって耐湿性及び絶縁性を確保する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】コンデンサを構成する
誘電体磁器は、チタン酸バリウムを主成分とした誘電体
磁器によって構成される。このような誘電体磁器は圧電
性結晶族に属する強誘電体である。圧電性結晶族に属す
る強誘電体は逆圧電効果を示す。このため、交流高電圧
が印加された場合、コンデンサを構成する誘電体磁器の
内部に機械的エネルギーが発生する。例えば、この種の
高電圧コンデンサが、電子レンジのマグネトロンにおい
てフィルタとして用いられた場合、マグネトロンを発振
させる交流高電圧がコンデンサに印加される。交流高電
圧が印加されると、特公昭６３ー９３６７号公報等に開
示されるように、誘電体磁器の内部で、前述した逆圧電
効果により、電気的エネルーが機械的エネルギーに変換
される。このため、誘電体磁器は電圧印加時に伸び、無
印加時に元の状態に戻ろうとしてして縮む。電子レンジ
のマグネトロンを発振させるために、商用周波数または
２０ｋＨｚ〜４０ｋＨｚの周波数を持つ４ｋＶ0ーP程度
の電圧が印加される。また、マグネトロンが発振を開始
する直前に、０〜４０ｋＶpーpの過渡電圧が印加され
る。コンデンサを構成する誘電体磁器は、これらの交流
電圧を受けて伸び縮みを繰り返す。このような現象は、
誘電体磁器の電歪現象と称されているものであり、電歪
音が発生する。電歪音は空気振動として外部に伝達さ
れ、高電圧コンデンサのいわゆる鳴きとして現れる。
誘電体磁器は、チタン酸バリウムを主成分とした誘電体
磁器によって構成される。このような誘電体磁器は圧電
性結晶族に属する強誘電体である。圧電性結晶族に属す
る強誘電体は逆圧電効果を示す。このため、交流高電圧
が印加された場合、コンデンサを構成する誘電体磁器の
内部に機械的エネルギーが発生する。例えば、この種の
高電圧コンデンサが、電子レンジのマグネトロンにおい
てフィルタとして用いられた場合、マグネトロンを発振
させる交流高電圧がコンデンサに印加される。交流高電
圧が印加されると、特公昭６３ー９３６７号公報等に開
示されるように、誘電体磁器の内部で、前述した逆圧電
効果により、電気的エネルーが機械的エネルギーに変換
される。このため、誘電体磁器は電圧印加時に伸び、無
印加時に元の状態に戻ろうとしてして縮む。電子レンジ
のマグネトロンを発振させるために、商用周波数または
２０ｋＨｚ〜４０ｋＨｚの周波数を持つ４ｋＶ0ーP程度
の電圧が印加される。また、マグネトロンが発振を開始
する直前に、０〜４０ｋＶpーpの過渡電圧が印加され
る。コンデンサを構成する誘電体磁器は、これらの交流
電圧を受けて伸び縮みを繰り返す。このような現象は、
誘電体磁器の電歪現象と称されているものであり、電歪
音が発生する。電歪音は空気振動として外部に伝達さ
れ、高電圧コンデンサのいわゆる鳴きとして現れる。
【０００４】電子レンジでは、動作時に発生する音のう
ち、例えば、マグネトロンを冷却するファン、電源トラ
ンスまたはターンテーブル駆動用モータ等から発生する
音は、かなり低減されている。しかし、高電圧コンデン
サの鳴きによって発生する音を低減することは、その技
術的困難性のために、未だ成功していない。この技術的
困難性の一つは、フィルタとしての性能を向上させるた
めに誘電体磁器に求められる特性と、鳴きを低減するた
めに誘電体磁器に求められる特性が、互いに相反する関
係にあることに起因している。高電圧コンデンサの鳴き
を小さくするには、誘電体磁器の比誘電率を小さくすれ
ばよい。しかし、誘電体磁器の比誘電率が小さすぎる
と、フィルタとしての特性が低下し、ラジオ、テレビま
たは衛星放送等の受信設備に障害を与える。
ち、例えば、マグネトロンを冷却するファン、電源トラ
ンスまたはターンテーブル駆動用モータ等から発生する
音は、かなり低減されている。しかし、高電圧コンデン
サの鳴きによって発生する音を低減することは、その技
術的困難性のために、未だ成功していない。この技術的
困難性の一つは、フィルタとしての性能を向上させるた
めに誘電体磁器に求められる特性と、鳴きを低減するた
めに誘電体磁器に求められる特性が、互いに相反する関
係にあることに起因している。高電圧コンデンサの鳴き
を小さくするには、誘電体磁器の比誘電率を小さくすれ
ばよい。しかし、誘電体磁器の比誘電率が小さすぎる
と、フィルタとしての特性が低下し、ラジオ、テレビま
たは衛星放送等の受信設備に障害を与える。
【０００５】本発明の課題は、フィルタとしての機能を
確保したままで、電歪現象に伴う鳴きを低減させた高電
圧コンデンサ及びマグネトロンを提供することである。
確保したままで、電歪現象に伴う鳴きを低減させた高電
圧コンデンサ及びマグネトロンを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る高電圧コンデンサは、一つの接地金具
と、少なくとも一つのコンデンサと、少なくとも一つの
貫通導体と、少なくとも一種の絶縁樹脂とを含む。前記
接地金具は、少なくとも一つの貫通孔を有する。前記コ
ンデンサは、誘電体磁器によって構成され、前記誘電体
磁器を貫通する少なくとも一つの貫通孔を有し、前記貫
通孔の開口する両面に電極を有し、前記電極の一方が前
記接地金具の一面上に固着されて、前記接地金具上に備
えられている。前記貫通導体は、コンデンサ及び前記接
地金具を貫通し、前記電極の他方に導通接続されてい
る。前記絶縁樹脂は、前記コンデンサの回りに充填され
ている。
め、本発明に係る高電圧コンデンサは、一つの接地金具
と、少なくとも一つのコンデンサと、少なくとも一つの
貫通導体と、少なくとも一種の絶縁樹脂とを含む。前記
接地金具は、少なくとも一つの貫通孔を有する。前記コ
ンデンサは、誘電体磁器によって構成され、前記誘電体
磁器を貫通する少なくとも一つの貫通孔を有し、前記貫
通孔の開口する両面に電極を有し、前記電極の一方が前
記接地金具の一面上に固着されて、前記接地金具上に備
えられている。前記貫通導体は、コンデンサ及び前記接
地金具を貫通し、前記電極の他方に導通接続されてい
る。前記絶縁樹脂は、前記コンデンサの回りに充填され
ている。
【０００７】前記コンデンサを構成する前記誘電体磁器
は、比誘電率が３０００〜６０００である。
は、比誘電率が３０００〜６０００である。
【０００８】前記誘電体磁器は、例えば、ＢａＴｉ０3
ーＢａＺｒＯ3ーＣａＴｉＯ3ーＭｇＴｉＯ3を主成分と
し、ＮｉＯ、ＣｅＯ2、ＭｎＯまたはＳｉＯ2の少なくと
も一種を添加した組成を有する。
ーＢａＺｒＯ3ーＣａＴｉＯ3ーＭｇＴｉＯ3を主成分と
し、ＮｉＯ、ＣｅＯ2、ＭｎＯまたはＳｉＯ2の少なくと
も一種を添加した組成を有する。
【０００９】本発明に係るマグネトロンは、上記高電圧
コンデンサを有することが特徴である。
コンデンサを有することが特徴である。
【００１０】
【作用】コンデンサは電極の一方が接地金具の一面上に
固着されて、接地金具上に備えられている。貫通導体
は、コンデンサ及び接地金具を貫通し、電極の他方に導
通接続されている。従って、電子レンジのマグネトロン
に使用した場合、貫通導体を給電端子とし、この貫通端
子と、アース電位となる接地金具との間にコンデンサを
接続し、貫通導体を通るノイズをコンデンサのフィルタ
作用によって吸収する高電圧コンデンサが得られる。
固着されて、接地金具上に備えられている。貫通導体
は、コンデンサ及び接地金具を貫通し、電極の他方に導
通接続されている。従って、電子レンジのマグネトロン
に使用した場合、貫通導体を給電端子とし、この貫通端
子と、アース電位となる接地金具との間にコンデンサを
接続し、貫通導体を通るノイズをコンデンサのフィルタ
作用によって吸収する高電圧コンデンサが得られる。
【００１１】接地金具は、少なくとも一つの貫通孔を有
しており、コンデンサは誘電体磁器を貫通する少なくと
も一つの貫通孔を有しているから、アースに対して高電
位となる貫通端子を、アース電位となる接地金具及びコ
ンデンサの電極の一方との間に、貫通孔による充分な電
気絶縁を確保することができる。
しており、コンデンサは誘電体磁器を貫通する少なくと
も一つの貫通孔を有しているから、アースに対して高電
位となる貫通端子を、アース電位となる接地金具及びコ
ンデンサの電極の一方との間に、貫通孔による充分な電
気絶縁を確保することができる。
【００１２】絶縁樹脂がコンデンサの回りに充填されて
いるから、高温負荷試験や耐湿負荷試験等の信頼性試験
または高温多湿の環境で使用された場合等の信頼性が向
上する。
いるから、高温負荷試験や耐湿負荷試験等の信頼性試験
または高温多湿の環境で使用された場合等の信頼性が向
上する。
【００１３】コンデンサを構成する誘電体磁器は、比誘
電率が３０００〜６０００である。比誘電率が３０００
よりも小さくなると、鳴きレベルは小さくなるが、フィ
ルタコンデンサとしての充分な機能を確保することがで
きない。比誘電率が６０００を超えると、フィルタコン
デンサとして機能は高くなるが、鳴きレベルが許容値４
０ｄＢを超える。
電率が３０００〜６０００である。比誘電率が３０００
よりも小さくなると、鳴きレベルは小さくなるが、フィ
ルタコンデンサとしての充分な機能を確保することがで
きない。比誘電率が６０００を超えると、フィルタコン
デンサとして機能は高くなるが、鳴きレベルが許容値４
０ｄＢを超える。
【００１４】
【実施例】図１は本発明に係る高電圧コンデンサの正面
断面図、図２は図１に示されたコンデンサの拡散斜視図
である。これらの図に示された高電圧コンデンサは、接
地金具１、コンデンサ２、貫通導体４、５、絶縁ケース
６、外側絶縁樹脂７、内側絶縁樹脂８、絶縁カバー９及
びシリコーン等で構成された絶縁チューブ１０、１１等
を含んでいる。
断面図、図２は図１に示されたコンデンサの拡散斜視図
である。これらの図に示された高電圧コンデンサは、接
地金具１、コンデンサ２、貫通導体４、５、絶縁ケース
６、外側絶縁樹脂７、内側絶縁樹脂８、絶縁カバー９及
びシリコーン等で構成された絶縁チューブ１０、１１等
を含んでいる。
【００１５】接地金具１は、一面側に浮上り部１１１を
有し、浮上り部１１１が孔１１２を有している。コンデ
ンサ２は、浮上り部１１１上に配置され、電極２１５が
浮上り部１１１に半田付け等の手段によって固着されて
いる。貫通導体４、５は、貫通孔２１１、２１２及び孔
１１２の内部を貫通し、電極２１３、２１４に電極接続
体１２、１３を介して導通接続されている。外側絶縁樹
脂７は、接地金具１の一面側でコンデンサ２の周りに充
填され、誘電体磁器２１０の表面に密着している。内側
絶縁樹脂８は、接地金具１の他面においてコンデンサ２
の貫通孔２１１、２１２内に充填され、誘電体磁器２１
０の表面に密着している。外側絶縁樹脂７、内側絶縁樹
脂８は、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂
で構成できる。更に、フェノール樹脂やシリコン樹脂等
も用いることができる。絶縁チュ−ブ１０、１１は、貫
通導体４、５の貫通孔２１１、２１２内に位置する部分
に被せて設けられている。
有し、浮上り部１１１が孔１１２を有している。コンデ
ンサ２は、浮上り部１１１上に配置され、電極２１５が
浮上り部１１１に半田付け等の手段によって固着されて
いる。貫通導体４、５は、貫通孔２１１、２１２及び孔
１１２の内部を貫通し、電極２１３、２１４に電極接続
体１２、１３を介して導通接続されている。外側絶縁樹
脂７は、接地金具１の一面側でコンデンサ２の周りに充
填され、誘電体磁器２１０の表面に密着している。内側
絶縁樹脂８は、接地金具１の他面においてコンデンサ２
の貫通孔２１１、２１２内に充填され、誘電体磁器２１
０の表面に密着している。外側絶縁樹脂７、内側絶縁樹
脂８は、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂
で構成できる。更に、フェノール樹脂やシリコン樹脂等
も用いることができる。絶縁チュ−ブ１０、１１は、貫
通導体４、５の貫通孔２１１、２１２内に位置する部分
に被せて設けられている。
【００１６】絶縁ケース６及び絶縁カバー９はポリブチ
レンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートある
いは変性メラミン等で構成できる。絶縁ケース６は接地
金具１の浮き上がり部１１１の外周に嵌め込まれてい
る。絶縁カバー９は接地金具１の浮き上がり部１１１の
内周に嵌め込まれている。外側絶縁樹脂７は絶縁ケース
６の内部に充填され、内側絶縁樹脂８は絶縁カバー９の
内側、接地金具１に備えられた浮き上がり部１１１の内
側及びコンデンサ２の貫通孔２１１、２１２内に充填さ
れている。
レンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートある
いは変性メラミン等で構成できる。絶縁ケース６は接地
金具１の浮き上がり部１１１の外周に嵌め込まれてい
る。絶縁カバー９は接地金具１の浮き上がり部１１１の
内周に嵌め込まれている。外側絶縁樹脂７は絶縁ケース
６の内部に充填され、内側絶縁樹脂８は絶縁カバー９の
内側、接地金具１に備えられた浮き上がり部１１１の内
側及びコンデンサ２の貫通孔２１１、２１２内に充填さ
れている。
【００１７】コンデンサ２を構成する誘電体磁器２１０
は、比誘電率が３０００〜６０００である。このような
誘電体磁器２１０の具体例は、ＢａＴｉ０3ーＢａＺｒ
Ｏ3ーＣａＴｉＯ3ーＭｇＴｉＯ3を主成分とし、Ｎｉ
Ｏ、ＣｅＯ2、ＭｎＯまたはＳｉＯ2の少なくとも一種を
添加した組成である。
は、比誘電率が３０００〜６０００である。このような
誘電体磁器２１０の具体例は、ＢａＴｉ０3ーＢａＺｒ
Ｏ3ーＣａＴｉＯ3ーＭｇＴｉＯ3を主成分とし、Ｎｉ
Ｏ、ＣｅＯ2、ＭｎＯまたはＳｉＯ2の少なくとも一種を
添加した組成である。
【００１８】コンデンサ２は電極２１５が接地金具１の
一面上に固着されて、接地金具１上に備えられている。
貫通導体４、５は、コンデンサ２及び接地金具１を貫通
し、電極２１３、２１４に導通接続されている。従っ
て、電子レンジのマグネトロンに使用した場合、貫通導
体４、５を給電端子とし、この貫通導体４、５と、アー
ス電位となる接地金具１との間にコンデンサ２を接続
し、貫通導体４、５を通るノイズをコンデンサ２のフィ
ルタ作用によって吸収する高電圧コンデンサが得られ
る。
一面上に固着されて、接地金具１上に備えられている。
貫通導体４、５は、コンデンサ２及び接地金具１を貫通
し、電極２１３、２１４に導通接続されている。従っ
て、電子レンジのマグネトロンに使用した場合、貫通導
体４、５を給電端子とし、この貫通導体４、５と、アー
ス電位となる接地金具１との間にコンデンサ２を接続
し、貫通導体４、５を通るノイズをコンデンサ２のフィ
ルタ作用によって吸収する高電圧コンデンサが得られ
る。
【００１９】接地金具１は、少なくとも一つの貫通孔１
１２を有しており、コンデンサ２は誘電体磁器２１０を
貫通する少なくとも一つの貫通孔２１１、２１２を有て
いるから、アースに対して高電位となる貫通導体４、５
を、アース電位となる接地金具１及びコンデンサ２の電
極２１５との間に、貫通孔２１１、２１２による充分な
電気絶縁を確保することができる。
１２を有しており、コンデンサ２は誘電体磁器２１０を
貫通する少なくとも一つの貫通孔２１１、２１２を有て
いるから、アースに対して高電位となる貫通導体４、５
を、アース電位となる接地金具１及びコンデンサ２の電
極２１５との間に、貫通孔２１１、２１２による充分な
電気絶縁を確保することができる。
【００２０】絶縁樹脂７、８がコンデンサ２の回りに充
填されているから、高温負荷試験や耐湿負荷試験等の信
頼性試験または高温多湿の環境で使用された場合等の信
頼性が向上する。
填されているから、高温負荷試験や耐湿負荷試験等の信
頼性試験または高温多湿の環境で使用された場合等の信
頼性が向上する。
【００２１】コンデンサ２を構成する誘電体磁器２１０
は、比誘電率が３０００〜６０００である。比誘電率が
３０００よりも小さくなると、鳴きレベルは小さくなる
が、フィルタコンデンサとしての充分な機能を確保する
ことができない。比誘電率が６０００を超えると、フィ
ルタコンデンサとして機能は高くなるが、鳴きレベルが
許容値、例えば４０ｄＢを超える。この点について、以
下に更に詳しく説明する。
は、比誘電率が３０００〜６０００である。比誘電率が
３０００よりも小さくなると、鳴きレベルは小さくなる
が、フィルタコンデンサとしての充分な機能を確保する
ことができない。比誘電率が６０００を超えると、フィ
ルタコンデンサとして機能は高くなるが、鳴きレベルが
許容値、例えば４０ｄＢを超える。この点について、以
下に更に詳しく説明する。
【００２２】この種の高電圧コンデンサの鳴きの大きさ
は、疑似的ｄ定数に比例することが一般に知られてい
る。疑似的ｄ定数とは、ｄ定数と称される圧電歪み定数
を電歪現象に適用したものであり、生じた歪みを、与え
られた電界の強さで除した値で表現される。従って、疑
似的ｄ定数は、 但し、 ｋｐ；電気機械結合計数 ｆｒ；共振周波数 Ｄ；誘電体磁器２１０の直径 εｏ；真空の誘電率 εｓ；誘電体磁器２１０の比誘電率 ρ；誘電体磁器２１０の密度 と表すことができる。上記式から明らかなように、誘電
体磁器２１０の比誘電率εｓが大きいほど、疑似的ｄ定
数が大きくなり、誘電体磁器２１０の鳴きも大きくな
る。このことから、高電圧コンデンサの鳴きを小さくす
るには、誘電体磁器２１０の比誘電率εｓを小さくしな
ければならない。
は、疑似的ｄ定数に比例することが一般に知られてい
る。疑似的ｄ定数とは、ｄ定数と称される圧電歪み定数
を電歪現象に適用したものであり、生じた歪みを、与え
られた電界の強さで除した値で表現される。従って、疑
似的ｄ定数は、 但し、 ｋｐ；電気機械結合計数 ｆｒ；共振周波数 Ｄ；誘電体磁器２１０の直径 εｏ；真空の誘電率 εｓ；誘電体磁器２１０の比誘電率 ρ；誘電体磁器２１０の密度 と表すことができる。上記式から明らかなように、誘電
体磁器２１０の比誘電率εｓが大きいほど、疑似的ｄ定
数が大きくなり、誘電体磁器２１０の鳴きも大きくな
る。このことから、高電圧コンデンサの鳴きを小さくす
るには、誘電体磁器２１０の比誘電率εｓを小さくしな
ければならない。
【００２３】しかし、誘電体磁器２１０の比誘電率εｓ
が低過ぎると、フィルタコンデンサ２としての機能が低
下する。このため、この高電圧コンデンサを、電子レン
ジのマグネトロンのフィルタとして使用したような場
合、ノイズ低減作用が不充分になり、ラジオ、テレビジ
ョン受像機、衛星放送受信装置等に悪影響を与える。比
誘電率εｓが３０００〜６０００の範囲であると、鳴き
及びノイズフィルタ作用を許容値内に納めることができ
る。次にこの点について更に詳しく説明する。
が低過ぎると、フィルタコンデンサ２としての機能が低
下する。このため、この高電圧コンデンサを、電子レン
ジのマグネトロンのフィルタとして使用したような場
合、ノイズ低減作用が不充分になり、ラジオ、テレビジ
ョン受像機、衛星放送受信装置等に悪影響を与える。比
誘電率εｓが３０００〜６０００の範囲であると、鳴き
及びノイズフィルタ作用を許容値内に納めることができ
る。次にこの点について更に詳しく説明する。
【００２４】表１は特定された周波数範囲内において許
容されるノイズと、表中に記載された比誘電率εｓを有
する誘電体磁器２１０を用いた本発明に係る高電圧コン
デンサのノイズとの関係を示している。
容されるノイズと、表中に記載された比誘電率εｓを有
する誘電体磁器２１０を用いた本発明に係る高電圧コン
デンサのノイズとの関係を示している。
【００２５】表１
表１のノイズ測定データは、３０ＭＨｚ以上の輻射ノイ
ズに対して比誘電率εｓ依存性の周波数領域おいて得ら
れたものである。ノイズ測定に当たっては、ＶＤＥ／Ｆ
ＴＺ規格に基づき、３０ｍ法及び１０ｍ法を採用した。
周波数４１ＭＨｚ〜６８ＭＨｚにおけるノイズ規格は３
０ｄＢμＶ／ｍ、周波数６８ＭＨｚ〜１７４ＭＨｚにお
けるノイズ規格は５４ｄＢμＶ／ｍであり、第５高調波
におけるノイズ規格は５７ｄＢμＶ／ｍである。周波数
７９０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚにおけるノイズ規格は現
在のところ定められていない。表１の結果は、図３にグ
ラフ化して示してある。
ズに対して比誘電率εｓ依存性の周波数領域おいて得ら
れたものである。ノイズ測定に当たっては、ＶＤＥ／Ｆ
ＴＺ規格に基づき、３０ｍ法及び１０ｍ法を採用した。
周波数４１ＭＨｚ〜６８ＭＨｚにおけるノイズ規格は３
０ｄＢμＶ／ｍ、周波数６８ＭＨｚ〜１７４ＭＨｚにお
けるノイズ規格は５４ｄＢμＶ／ｍであり、第５高調波
におけるノイズ規格は５７ｄＢμＶ／ｍである。周波数
７９０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚにおけるノイズ規格は現
在のところ定められていない。表１の結果は、図３にグ
ラフ化して示してある。
【００２６】表１及び図３から明らかなように、比誘電
率εｓが３０００以上の誘電体磁器２１０を用いた高電
圧コンデンサの場合、ノイズレベルは、周波数４１ＭＨ
ｚ〜６８ＭＨｚ、周波数６８ＭＨｚ〜１７４ＭＨｚ及び
第５高調波の何れにおいても、設定されたノイズ規格よ
りも小さくなる。これに対して、比誘電率εｓが２００
０の誘電体磁器２１０を用いた高電圧コンデンサの場
合、周波数４１ＭＨｚ〜６８ＭＨｚでは、ノイズ規格３
０μＶ／ｍよりも大きな３１．０〜３２μＶ／ｍのノイ
ズレベルとなり、第５高調波ではノイズ規格５７ｄＢμ
Ｖ／ｍよりも大きな５７．５〜５９．５ｄＢμＶ／ｍの
ノイズレベルとなる。従って、ノイズを規格値よりも低
減させるためには、高電圧コンデンサを構成する誘電体
磁器２１０の比誘電率εｓを３０００以上に設定するこ
と必要がある。
率εｓが３０００以上の誘電体磁器２１０を用いた高電
圧コンデンサの場合、ノイズレベルは、周波数４１ＭＨ
ｚ〜６８ＭＨｚ、周波数６８ＭＨｚ〜１７４ＭＨｚ及び
第５高調波の何れにおいても、設定されたノイズ規格よ
りも小さくなる。これに対して、比誘電率εｓが２００
０の誘電体磁器２１０を用いた高電圧コンデンサの場
合、周波数４１ＭＨｚ〜６８ＭＨｚでは、ノイズ規格３
０μＶ／ｍよりも大きな３１．０〜３２μＶ／ｍのノイ
ズレベルとなり、第５高調波ではノイズ規格５７ｄＢμ
Ｖ／ｍよりも大きな５７．５〜５９．５ｄＢμＶ／ｍの
ノイズレベルとなる。従って、ノイズを規格値よりも低
減させるためには、高電圧コンデンサを構成する誘電体
磁器２１０の比誘電率εｓを３０００以上に設定するこ
と必要がある。
【００２７】図４は高電圧コンデンサを構成する誘電体
磁器２１０の比誘電率εｓと、鳴きレベルとの関係を示
す測定データである。図４から明らかなことは、比誘電
率εｓが６０００を超えると、鳴きレベルが急激に高く
なることである。従って、鳴きレベルの急増を抑制し、
鳴きレベルの低い高電圧コンデンサを実現するために
は、比誘電率εｓが６０００以下の誘電体磁器２１０を
用いなければならない。
磁器２１０の比誘電率εｓと、鳴きレベルとの関係を示
す測定データである。図４から明らかなことは、比誘電
率εｓが６０００を超えると、鳴きレベルが急激に高く
なることである。従って、鳴きレベルの急増を抑制し、
鳴きレベルの低い高電圧コンデンサを実現するために
は、比誘電率εｓが６０００以下の誘電体磁器２１０を
用いなければならない。
【００２８】本発明に係る高電圧コンデンサは図示のも
のに限定されない。例えば、実開平５ー２１４３０号、
実開平５ー２１４３１号、実開平５ー２３５２５号、実
開平５ー２５７１８号、実開平５ー２８０２１号、実開
平５ー３３５１９号、実開平５ー２８０２１号、実開平
６ー２３２３７号及び実開平６ー２３２３８号等、既に
公知の技術、更にこれから提案されることのある高電圧
コンデンサに広く適用できる。
のに限定されない。例えば、実開平５ー２１４３０号、
実開平５ー２１４３１号、実開平５ー２３５２５号、実
開平５ー２５７１８号、実開平５ー２８０２１号、実開
平５ー３３５１９号、実開平５ー２８０２１号、実開平
６ー２３２３７号及び実開平６ー２３２３８号等、既に
公知の技術、更にこれから提案されることのある高電圧
コンデンサに広く適用できる。
【００２９】図５は本発明に係る高電圧コンデンサをフ
ィルタとして組込んだマグネトロンの部分破断面図で、
１５は陰極ステム、１６はフィルタボックス、１７、１
８はインダクタ、１９はインダクタ１７、１８と共にフ
ィルタとして使用された本発明に係る高電圧コンデンサ
である。フィルタボックス１６は陰極ステム１５を覆う
ように配置してあり、また高電圧コンデンサ１９は、フ
ィルタボックス１６の側面板１６１に設けた貫通孔を通
して、外側絶縁樹脂７が外部に出るように貫通して設け
られ、接地金具１の部分で、フィルタボックス１６の側
面板１６１に取付け固定されている。インダクタ１７、
１８はフィルタボックス１６の内部において、陰極ステ
ム１５の陰極端子と、高電圧コンデンサ１９の貫通導体
４、５との間に直列に接続されている。２１は冷却フィ
ン、２２はガスケット、２３はＲＦ出力端、２４は磁石
である。
ィルタとして組込んだマグネトロンの部分破断面図で、
１５は陰極ステム、１６はフィルタボックス、１７、１
８はインダクタ、１９はインダクタ１７、１８と共にフ
ィルタとして使用された本発明に係る高電圧コンデンサ
である。フィルタボックス１６は陰極ステム１５を覆う
ように配置してあり、また高電圧コンデンサ１９は、フ
ィルタボックス１６の側面板１６１に設けた貫通孔を通
して、外側絶縁樹脂７が外部に出るように貫通して設け
られ、接地金具１の部分で、フィルタボックス１６の側
面板１６１に取付け固定されている。インダクタ１７、
１８はフィルタボックス１６の内部において、陰極ステ
ム１５の陰極端子と、高電圧コンデンサ１９の貫通導体
４、５との間に直列に接続されている。２１は冷却フィ
ン、２２はガスケット、２３はＲＦ出力端、２４は磁石
である。
【００３０】電子レンジのマグネトロンを発振させるた
めに、商用周波数または２０ｋＨｚ〜４０ｋＨｚの周波
数を持つ４ｋＶ0ーP程度の電圧が、高電圧コンデンサ１
９の貫通導体４、５に供給される。供給された高電圧
は、貫通導体４、５からインダクタ１７、１８を通して
マグネトロンに供給される。貫通導体４、５を通るノイ
ズはコンデンサ２及びインダクタ１７、１８のフィルタ
作用によって吸収される。
めに、商用周波数または２０ｋＨｚ〜４０ｋＨｚの周波
数を持つ４ｋＶ0ーP程度の電圧が、高電圧コンデンサ１
９の貫通導体４、５に供給される。供給された高電圧
は、貫通導体４、５からインダクタ１７、１８を通して
マグネトロンに供給される。貫通導体４、５を通るノイ
ズはコンデンサ２及びインダクタ１７、１８のフィルタ
作用によって吸収される。
【００３１】高電圧コンデンサ１９を構成する誘電体磁
器は、前述したように、比誘電率が３０００以上である
から、電子レンジのマグネトロンを発振させるために、
商用周波数または２０ｋＨｚ〜４０ｋＨｚの周波数を持
つ４ｋＶ0ーP程度の電圧が印加された場合でも、充分な
ノイズフィルタ作用を確保できる。
器は、前述したように、比誘電率が３０００以上である
から、電子レンジのマグネトロンを発振させるために、
商用周波数または２０ｋＨｚ〜４０ｋＨｚの周波数を持
つ４ｋＶ0ーP程度の電圧が印加された場合でも、充分な
ノイズフィルタ作用を確保できる。
【００３２】しかも、高電圧コンデンサ１９を構成する
誘電体磁器の比誘電率εｓが６０００以下であるから、
電歪現象に起因する鳴きを抑制し、鳴きレベルの低い状
態で、マグネトロンを発振させることができる。
誘電体磁器の比誘電率εｓが６０００以下であるから、
電歪現象に起因する鳴きを抑制し、鳴きレベルの低い状
態で、マグネトロンを発振させることができる。
【００３３】また、絶縁樹脂７、８がコンデンサ２の回
りに充填されているから、高温多湿の環境である電子レ
ンジに使用された場合も、充分な信頼性を確保できる。
りに充填されているから、高温多湿の環境である電子レ
ンジに使用された場合も、充分な信頼性を確保できる。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、フ
ィルタとしての機能を確保したままで、電歪現象に伴う
鳴きを低減させた高電圧コンデンサ及びマグネトロンを
提供することができる。
ィルタとしての機能を確保したままで、電歪現象に伴う
鳴きを低減させた高電圧コンデンサ及びマグネトロンを
提供することができる。
【図１】本発明に係る高電圧コンデンサの正面断面図で
ある。
ある。
【図２】図１に示されたコンデンサの拡散斜視図であ
る。
る。
【図３】図１及び図２に示された高電圧コンデンサにお
いて、誘電体磁器の比誘電率を変えた場合のの周波数ー
ノイズ特性を示す図である。
いて、誘電体磁器の比誘電率を変えた場合のの周波数ー
ノイズ特性を示す図である。
【図４】図１及び図２に示された高電圧コンデンサにお
いて、誘電体磁器の比誘電率を変えた場合の比誘電率ー
鳴きレベル特性を示す図である。
いて、誘電体磁器の比誘電率を変えた場合の比誘電率ー
鳴きレベル特性を示す図である。
【図５】図１及び図２に示された本発明に係る高電圧コ
ンデンサを組込んだマグネトロンの部分破断面図であ
る。
ンデンサを組込んだマグネトロンの部分破断面図であ
る。
１ 接地金具
１１１ 浮上り部
１１２ 孔
２ コンデンサ
２１１、２１２ 貫通孔
２１３、２１４、２１５ 電極
４、５ 貫通導体
７ 外側絶縁樹脂
８ 内側絶縁樹脂
９ 絶縁カバ−
１０、１１ 絶縁チュ−ブ
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−73813（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−65558（ＪＰ，Ａ)
実開 平４−40524（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】 １つの接地金具と、１つのコンデンサ
と、２つの貫通導体と、２つの絶縁チューブと、１つの
絶縁ケースと、１つの絶縁カバーと、絶縁樹脂とを含む
高電圧コンデンサであって、 前記接地金具は、一面側に浮き上がり部を有し、前記浮
き上がり部が孔を有しており、 前記コンデンサは、誘電体磁器によって構成され、前記
誘電体磁器を貫通する２つの貫通孔を有し、前記貫通孔
の開口する両面に電極を有し、前記電極の一方が前記接
地金具の前記浮き上がり部の一面上に固着されており、
前記電極の他方は前記貫通孔毎に独立して設けられてお
り、 前記貫通導体のそれぞれは、前記コンデンサの前記貫通
孔及び前記接地金具の前記孔を貫通し、前記電極の他方
に導通接続されており、 前記絶縁チューブは、弾力性を有する樹脂でなり、前記
貫通導体に被せて設けられており、 前記絶縁ケースは、前記接地金具の一面側において、前
記接地金具の浮き上がり部の外周に嵌め込まれ、その内
部に前記絶縁樹脂が充填されており、 前記絶縁カバーは、前記接地金具の他面側において、前
記浮き上がり部の内周に嵌め込まれ、その内部に前記絶
縁樹脂が充填されており、 前記絶縁樹脂は、前記コンデンサの回りに充填されてお
り、 前記コンデンサを構成する前記誘電体磁器はＢａＴｉＯ
3 、ＢａＺｒＯ 3 、ＣａＴｉＯ 3 及びＭｇＴｉＯ 3 を主成分
とし、ＮｉＯ、ＣｅＯ 2 、ＭｎＯまたはＳｉＯ 2 の少なく
とも一種を添加した組成を有し、比誘電率が４１００よ
りも大きく、６０００よりも小さい値に選定されてお
り、ＶＤＥ／ＦＴＺ規格に基づき３０ｍ法及び１０ｍ法で測
定した輻射ノイズが、４１ＭＨｚ〜６８ＭＨｚの周波数
範囲では２７．０（ｄＢμＶ／ｍ）以下、６８ＭＨｚ〜
１７４ＭＨｚの周波数範囲では２６．５（ｄＢμＶ／
ｍ）以下、７９０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの周波数範囲
では４７．５（ｄＢμＶ／ｍ）以下、第５高調波の周波
数では５７．０（ｄＢμＶ／ｍ）以下の範囲にあり、 鳴きレベルが４０（ｄＢ）以下である 高電圧コンデン
サ。 - 【請求項２】 高電圧コンデンサでなるフィルタを有す
るマグネトロンであって、 前記高電圧コンデンサは、請求項１に記載のものでなる
マグネトロン。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12283595A JP3473795B2 (ja) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | 高電圧コンデンサ及びマグネトロン |
| US08/648,764 US5729425A (en) | 1995-05-22 | 1996-05-16 | High voltage capacitor and magnetron having porcelain dielectric material |
| MYPI96001875A MY112211A (en) | 1995-05-22 | 1996-05-17 | High voltage capacitor and magnetron |
| TW085105897A TW296454B (ja) | 1995-05-22 | 1996-05-18 | |
| KR1019960017262A KR100422714B1 (ko) | 1995-05-22 | 1996-05-21 | 고전압콘덴서및마그네트론 |
| CN96105317A CN1101052C (zh) | 1995-05-22 | 1996-05-22 | 高压电容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12283595A JP3473795B2 (ja) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | 高電圧コンデンサ及びマグネトロン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316099A JPH08316099A (ja) | 1996-11-29 |
| JP3473795B2 true JP3473795B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=14845817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12283595A Expired - Lifetime JP3473795B2 (ja) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | 高電圧コンデンサ及びマグネトロン |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5729425A (ja) |
| JP (1) | JP3473795B2 (ja) |
| KR (1) | KR100422714B1 (ja) |
| CN (1) | CN1101052C (ja) |
| MY (1) | MY112211A (ja) |
| TW (1) | TW296454B (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10149948A (ja) * | 1996-11-19 | 1998-06-02 | Tdk Corp | 高電圧貫通形コンデンサ |
| JP3248619B2 (ja) | 1999-03-05 | 2002-01-21 | ティーディーケイ株式会社 | 高電圧貫通型コンデンサ及びマグネトロン |
| KR100495871B1 (ko) * | 1999-04-23 | 2005-06-16 | 익스팬테크주식회사 | 각형 소자를 내장한 관통형 필터 |
| JP3803258B2 (ja) * | 2000-04-03 | 2006-08-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 高電圧貫通型コンデンサ及びマグネトロン |
| WO2001091363A1 (en) * | 2000-05-19 | 2001-11-29 | E-Business Technology, Inc. | Network security system and method to proactively establish and maintain consistent security posture across all enterprise computing assets |
| JP2003242899A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-29 | Daewoo Electronics Corp | 電子レンジのキャパシタ |
| KR100449921B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2004-09-24 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 전자레인지용 커패시터의 접지금속구 |
| JP2005109006A (ja) | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Tdk Corp | 高電圧貫通型コンデンサ及びマグネトロン |
| KR100591307B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-06-19 | 엘지전자 주식회사 | 마그네트론용 고전압 입력 단자 |
| JP2005217296A (ja) | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Tdk Corp | 高電圧貫通型コンデンサ、高電圧貫通型コンデンサ装置、及び、マグネトロン |
| JP2006086405A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 貫通型コンデンサ及びマグネトロン |
| CN111807854A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-10-23 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种高气密封装陶瓷馈通滤波器的制备方法 |
| JP2023016193A (ja) * | 2021-07-21 | 2023-02-02 | Tdk株式会社 | 高電圧貫通型コンデンサ |
| JP2023119636A (ja) * | 2022-02-17 | 2023-08-29 | Tdk株式会社 | 高電圧貫通型コンデンサ |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2061618B (en) * | 1979-08-15 | 1984-04-18 | Tdk Electronics Co Ltd | Through type high-withstand-voltage ceramic capacitor |
| US4370698A (en) * | 1979-10-08 | 1983-01-25 | Tdk Electronics Co., Ltd. | Through type high-withstand-voltage ceramic |
| JPS5930522A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-18 | Copal Co Ltd | カメラ用シヤツタ− |
| JPS5930521A (ja) * | 1982-08-14 | 1984-02-18 | Canon Inc | 光走査装置 |
| JPS6175119A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-17 | Shin Gijutsu Kaihatsu Kk | 引張材の除去工法 |
| JPS639367A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Nec Corp | ハ−ドコピ−装置 |
| JPS6327029A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Nec Kansai Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPS6370137A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-30 | Fujitsu Ltd | トルク荷重の較正装置 |
| DE3781752T2 (de) * | 1986-09-11 | 1993-01-07 | Tdk Corp | Durchfuehrungstypkondensator, sowie seine verwendung in einem magnetron. |
| JPS63165838A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 透過型スクリ−ン |
| US5032949A (en) * | 1988-06-07 | 1991-07-16 | Tdk Corporation | High-voltage through-type ceramic capacitor |
| JP2758410B2 (ja) * | 1988-08-19 | 1998-05-28 | 三菱電機株式会社 | マトリクス型表示装置 |
| JP2804532B2 (ja) * | 1988-09-20 | 1998-09-30 | 三洋電機株式会社 | 高圧用貫通形コンデンサおよびその製造方法 |
| JPH0440524A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-10 | Fujitsu Ltd | 演算装置 |
-
1995
- 1995-05-22 JP JP12283595A patent/JP3473795B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-05-16 US US08/648,764 patent/US5729425A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-17 MY MYPI96001875A patent/MY112211A/en unknown
- 1996-05-18 TW TW085105897A patent/TW296454B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-05-21 KR KR1019960017262A patent/KR100422714B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-05-22 CN CN96105317A patent/CN1101052C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
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| JPH08316099A (ja) | 1996-11-29 |
| TW296454B (ja) | 1997-01-21 |
| MY112211A (en) | 2001-04-30 |
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