JP2974195B2 - マイクロ波ｉｃ用パッケージ - Google Patents
マイクロ波ｉｃ用パッケージInfo
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電磁波吸収材料を用い
たマイクロ波ＩＣ用パッケージに関する。
たマイクロ波ＩＣ用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のマイクロ波ＩＣ用パッケ
ージＰ５を示す分解斜視図と縦断面図であり、図６
（１）は、従来のマイクロ波ＩＣ用パッケージＰ５の斜
視図であり、図６（２）は、図６（１）のＶＩーＶＩ線
における縦断面図である。
ージＰ５を示す分解斜視図と縦断面図であり、図６
（１）は、従来のマイクロ波ＩＣ用パッケージＰ５の斜
視図であり、図６（２）は、図６（１）のＶＩーＶＩ線
における縦断面図である。
【０００３】このパッケージＰ５は、フレーム１０が金
属で構成され、フレーム１０の内部にはキャビティ２０
が設けられ、キャビティ２０内にマイクロ波ＩＣ３０が
搭載され、ポリイミドフィルム４０にインナーリード５
０が設けられ、ポリイミドフィルム４０の縁端部におい
て、ポリイミドフィルム４０上のマイクロ波信号用配
線、接地用配線、直流バイアス供給用配線からアウター
リード６０が延長形成され、これらの上に蓋７０が載置
されている。また、アウターリード６０と接続されるパ
ターン部９０がキャビティ２０の周囲に設けられ、パタ
ーン部９０と接続されたリード８０がフレーム１０の外
部に設けられている。
属で構成され、フレーム１０の内部にはキャビティ２０
が設けられ、キャビティ２０内にマイクロ波ＩＣ３０が
搭載され、ポリイミドフィルム４０にインナーリード５
０が設けられ、ポリイミドフィルム４０の縁端部におい
て、ポリイミドフィルム４０上のマイクロ波信号用配
線、接地用配線、直流バイアス供給用配線からアウター
リード６０が延長形成され、これらの上に蓋７０が載置
されている。また、アウターリード６０と接続されるパ
ターン部９０がキャビティ２０の周囲に設けられ、パタ
ーン部９０と接続されたリード８０がフレーム１０の外
部に設けられている。
【０００４】パッケージＰ５へ素子を搭載する手順は次
のとおりである。まず、ポリイミドフィルム４０の一方
の面に、マイクロ波信号用配線、接地用配線、直流バイ
アス供給用配線を形成し、このポリイミドフィルム４０
のインナーリード５０とマイクロ波ＩＣ３０とを接続用
開口部を通して接続し、ポリイミドフィルム４０の縁端
部に設けられたアウターリード６０を、パッケージ内の
パターン部９０の所定位置に接続するとともに、マイク
ロ波ＩＣ３０をキャビティ２０の底部に導電ペースト等
で固定し、蓋７０を取り付ける。
のとおりである。まず、ポリイミドフィルム４０の一方
の面に、マイクロ波信号用配線、接地用配線、直流バイ
アス供給用配線を形成し、このポリイミドフィルム４０
のインナーリード５０とマイクロ波ＩＣ３０とを接続用
開口部を通して接続し、ポリイミドフィルム４０の縁端
部に設けられたアウターリード６０を、パッケージ内の
パターン部９０の所定位置に接続するとともに、マイク
ロ波ＩＣ３０をキャビティ２０の底部に導電ペースト等
で固定し、蓋７０を取り付ける。
【０００５】つまり、従来のパッケージＰ５は、ポリイ
ミドフィルム４０で構成された絶縁性フレキシブル基板
の一方の面に、コプレーナ構造の線路で構成されたマイ
クロ波信号用配線、接地用配線、直流バイアス供給用配
線が形成され、絶縁性フレキシブル基板の縁端部で各配
線から延長形成されたリード５０、６０であって、マイ
クロ波ＩＣ３０、その他の回路素子の電極端子または他
の配線板電極端子と接続するリード５０、６０を有する
絶縁性フレキシブル基板を搭載している。
ミドフィルム４０で構成された絶縁性フレキシブル基板
の一方の面に、コプレーナ構造の線路で構成されたマイ
クロ波信号用配線、接地用配線、直流バイアス供給用配
線が形成され、絶縁性フレキシブル基板の縁端部で各配
線から延長形成されたリード５０、６０であって、マイ
クロ波ＩＣ３０、その他の回路素子の電極端子または他
の配線板電極端子と接続するリード５０、６０を有する
絶縁性フレキシブル基板を搭載している。
【０００６】図７は、従来のマイクロ波ＩＣ用パッケー
ジであって別のパッケージＰ６を示す分解斜視図と縦断
面図であり、図７（１）は、マイクロ波ＩＣ用パッケー
ジＰ６の斜視図であり、図７（２）は、図７（１）のＶ
ＩＩーＶＩＩ線における縦断面図である。
ジであって別のパッケージＰ６を示す分解斜視図と縦断
面図であり、図７（１）は、マイクロ波ＩＣ用パッケー
ジＰ６の斜視図であり、図７（２）は、図７（１）のＶ
ＩＩーＶＩＩ線における縦断面図である。
【０００７】パッケージＰ６は、パッケージＰ５におけ
る金属フレーム１０の代わりに金属フレーム１１が使用
され、金属フレーム１１は、金属ベース１１ａ上に、金
属１１ｂとシート状セラミックス１１ｃとが交互に積層
されたものであり、金属フレーム１１の表面は金属で被
覆されている。パッケージＰ６において、これら以外の
構造は、パッケージＰ５と同様であり、パッケージＰ６
に素子を搭載する手順もパッケージＰ５の場合と同様で
ある。
る金属フレーム１０の代わりに金属フレーム１１が使用
され、金属フレーム１１は、金属ベース１１ａ上に、金
属１１ｂとシート状セラミックス１１ｃとが交互に積層
されたものであり、金属フレーム１１の表面は金属で被
覆されている。パッケージＰ６において、これら以外の
構造は、パッケージＰ５と同様であり、パッケージＰ６
に素子を搭載する手順もパッケージＰ５の場合と同様で
ある。
【０００８】従来のパッケージＰ５、Ｐ６は、フレーム
１０、１１に金属が含まれ、しかもパッケージ全体にわ
たって同電位に保たれる構造になっているので、フレー
ム１０、１１に設けられた端子間で生じるリング共振を
抑圧することができるとともに、端子間のアイソレーシ
ョンを充分に確保することができる。
１０、１１に金属が含まれ、しかもパッケージ全体にわ
たって同電位に保たれる構造になっているので、フレー
ム１０、１１に設けられた端子間で生じるリング共振を
抑圧することができるとともに、端子間のアイソレーシ
ョンを充分に確保することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】一般に、マイクロ波Ｉ
Ｃ用パッケージのキャビティ内部では、キャビティ共振
が生じ、このキャビティ共振は、キャビティ寸法に応じ
て、モードおよび周波数が定まる。このうちで、周波数
の最も低いモードを基本モードと呼び、このときにおけ
る周波数を遮断周波数と呼んでいる。
Ｃ用パッケージのキャビティ内部では、キャビティ共振
が生じ、このキャビティ共振は、キャビティ寸法に応じ
て、モードおよび周波数が定まる。このうちで、周波数
の最も低いモードを基本モードと呼び、このときにおけ
る周波数を遮断周波数と呼んでいる。
【００１０】図８は、従来のパッケージＰ５、Ｐ６のキ
ャビティ内部において、基本モードのキャビティ共振が
生じている場合における電界および磁界の分布を示す図
である。
ャビティ内部において、基本モードのキャビティ共振が
生じている場合における電界および磁界の分布を示す図
である。
【００１１】電界はキャビティの高さ方向に分布し、磁
界はパッケージの内壁に分布している。このような状態
では、遮断周波数およびその近傍の周波数において、キ
ャビティ共振に伴う電磁エネルギーが本来のマイクロ波
信号から失われるために、マイクロ波信号の良好な伝搬
が妨げられる。
界はパッケージの内壁に分布している。このような状態
では、遮断周波数およびその近傍の周波数において、キ
ャビティ共振に伴う電磁エネルギーが本来のマイクロ波
信号から失われるために、マイクロ波信号の良好な伝搬
が妨げられる。
【００１２】図９は、パッケージ内のキャビティの幅と
長さが等しく、高さが幅よりも小さいパッケージにおい
て、キャビティ幅に対する遮断周波数を示す図である。
長さが等しく、高さが幅よりも小さいパッケージにおい
て、キャビティ幅に対する遮断周波数を示す図である。
【００１３】従来のパッケージＰ５、Ｐ６においては、
キャビティ共振を有効に抑圧する手段が存在しないの
で、パッケージの使用周波数帯域よりも高い周波数に、
遮断周波数を設定しなければならない。つまり、図９に
示す特性線の左下の領域に入るように、パッケージＰ
５、Ｐ６のキャビティの幅の値を設定するようにしてお
り、使用可能な周波数帯域を高く設定すればする程、キ
ャビティ幅を小さくしなければならず、周波数によって
はキャビティ幅を５mm以下に小さくしなければならない
場合がある。
キャビティ共振を有効に抑圧する手段が存在しないの
で、パッケージの使用周波数帯域よりも高い周波数に、
遮断周波数を設定しなければならない。つまり、図９に
示す特性線の左下の領域に入るように、パッケージＰ
５、Ｐ６のキャビティの幅の値を設定するようにしてお
り、使用可能な周波数帯域を高く設定すればする程、キ
ャビティ幅を小さくしなければならず、周波数によって
はキャビティ幅を５mm以下に小さくしなければならない
場合がある。
【００１４】ところが、パッケージに収容されるマイク
ロ波ＩＣ等の素子の寸法、パッケージの加工精度、加工
に要する費用等を考慮すると、パッケージのキャビティ
幅の下限値が５mm程度になる。このように、パッケージ
のキャビティ幅の下限値が５mm程度に制限されると、周
波数帯域を向上させることはできず、従来のパッケージ
においては、図９から、実効的に使用できる周波数帯域
は高々４０ＧＨｚ程度に制限されるという問題がある。
ロ波ＩＣ等の素子の寸法、パッケージの加工精度、加工
に要する費用等を考慮すると、パッケージのキャビティ
幅の下限値が５mm程度になる。このように、パッケージ
のキャビティ幅の下限値が５mm程度に制限されると、周
波数帯域を向上させることはできず、従来のパッケージ
においては、図９から、実効的に使用できる周波数帯域
は高々４０ＧＨｚ程度に制限されるという問題がある。
【００１５】また、マイクロ波ＩＣの小型化、高集積化
に伴い、絶縁性フレキシブル基板の開口部または縁端部
に形成されたリード同士の間隔が縮小し、上記リード同
士の誘導性または容量性結合が増大するため、寄生共振
が生じ、マイクロ波信号の良好な伝搬が妨げられるとい
う問題がある。
に伴い、絶縁性フレキシブル基板の開口部または縁端部
に形成されたリード同士の間隔が縮小し、上記リード同
士の誘導性または容量性結合が増大するため、寄生共振
が生じ、マイクロ波信号の良好な伝搬が妨げられるとい
う問題がある。
【００１６】さらに、パッケージ内で生じる上記各共振
現象を抑圧するための手段として、従来、パッケージ内
部の壁面に接着剤または半田等によって電磁波吸収材料
を装着する方法が用いられているが、パッケージ内へ電
磁波吸収材料を装着するスペースを余分に必要とし、か
つ、パッケージ内へマイクロ波ＩＣやその他の回路素子
を実装する場合、電磁波吸収材料の影響を避ける必要が
あり、実装法、実装許容寸法等の自由度が損なわれる。
現象を抑圧するための手段として、従来、パッケージ内
部の壁面に接着剤または半田等によって電磁波吸収材料
を装着する方法が用いられているが、パッケージ内へ電
磁波吸収材料を装着するスペースを余分に必要とし、か
つ、パッケージ内へマイクロ波ＩＣやその他の回路素子
を実装する場合、電磁波吸収材料の影響を避ける必要が
あり、実装法、実装許容寸法等の自由度が損なわれる。
【００１７】本発明は、一方の面に、マイクロ波信号用
配線、接地用配線、直流バイアス供給用配線が形成され
た絶縁性フレキシブル基板を搭載したマイクロ波ＩＣ用
パッケージにおいて、キャビティ共振、寄生共振を抑圧
でき、実効的に使用できる周波数帯域を高くすることが
でき、パッケージ内へマイクロ波ＩＣやその他の回路素
子を実装する場合の自由度を損なうことがないマイクロ
波ＩＣ用パッケージを提供することを目的とするもので
ある。
配線、接地用配線、直流バイアス供給用配線が形成され
た絶縁性フレキシブル基板を搭載したマイクロ波ＩＣ用
パッケージにおいて、キャビティ共振、寄生共振を抑圧
でき、実効的に使用できる周波数帯域を高くすることが
でき、パッケージ内へマイクロ波ＩＣやその他の回路素
子を実装する場合の自由度を損なうことがないマイクロ
波ＩＣ用パッケージを提供することを目的とするもので
ある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性フレキ
シブル基板の一方の面にマイクロ波信号用配線、接地用
配線、直流バイアス供給用配線が形成され、絶縁性フレ
キシブル基板の一方の面と反対側の面の少なくとも一部
に、電磁波吸収材料を配置するものである。
シブル基板の一方の面にマイクロ波信号用配線、接地用
配線、直流バイアス供給用配線が形成され、絶縁性フレ
キシブル基板の一方の面と反対側の面の少なくとも一部
に、電磁波吸収材料を配置するものである。
【００１９】
【作用】本発明は、絶縁性フレキシブル基板のマイクロ
波信号用配線、接地用配線、直流バイアス供給用配線が
形成された面と反対側の面の少なくとも一部に、電磁波
吸収材料を配置し、この電磁波吸収材料が電磁界のエネ
ルギーを有効に吸収するので、キャビティ寸法を小さく
する必要がなく、パッケージのキャビティ寸法が小さく
なることに起因するキャビティ共振、絶縁性フレキシブ
ル基板に形成されたリード同士の間での誘導性または容
量性結合に起因する寄生共振を抑圧でき、したがって、
実効的に使用できる周波数帯域を高くすることができ、
また、パッケージへの新たな材料の装着や加工を行わ
ず、絶縁性フレキシブル基板へ電磁波吸収材料を単に配
置するだけなので、パッケージ内へのマイクロ波ＩＣや
その他の回路素子を実装する場合の自由度を損なうこと
がない。
波信号用配線、接地用配線、直流バイアス供給用配線が
形成された面と反対側の面の少なくとも一部に、電磁波
吸収材料を配置し、この電磁波吸収材料が電磁界のエネ
ルギーを有効に吸収するので、キャビティ寸法を小さく
する必要がなく、パッケージのキャビティ寸法が小さく
なることに起因するキャビティ共振、絶縁性フレキシブ
ル基板に形成されたリード同士の間での誘導性または容
量性結合に起因する寄生共振を抑圧でき、したがって、
実効的に使用できる周波数帯域を高くすることができ、
また、パッケージへの新たな材料の装着や加工を行わ
ず、絶縁性フレキシブル基板へ電磁波吸収材料を単に配
置するだけなので、パッケージ内へのマイクロ波ＩＣや
その他の回路素子を実装する場合の自由度を損なうこと
がない。
【００２０】
【実施例】図１は、本発明の第１実施例であるマイクロ
波ＩＣ用パッケージＰ１を示す分解斜視図と縦断面図で
あり、図１（１）は、マイクロ波ＩＣ用パッケージＰ１
の分解斜視図であり、図１（２）は、図１（１）のＩー
Ｉ線における縦断面図である。なお、同一部材には同一
符号を付してある。
波ＩＣ用パッケージＰ１を示す分解斜視図と縦断面図で
あり、図１（１）は、マイクロ波ＩＣ用パッケージＰ１
の分解斜視図であり、図１（２）は、図１（１）のＩー
Ｉ線における縦断面図である。なお、同一部材には同一
符号を付してある。
【００２１】このパッケージＰ１は、フレーム１０が金
属で構成され、フレーム１０の内部にはキャビティ２０
が設けられ、キャビティ２０内にマイクロ波ＩＣ３０が
搭載され、ポリイミドフィルム４０にインナーリード５
０が設けられ、ポリイミドフィルム４０の縁端部におい
て、ポリイミドフィルム４０上のマイクロ波信号用配
線、接地用配線、直流バイアス供給用配線からアウター
リード６０が延長形成され、これらの上に蓋７０が載置
されている。また、アウターリード６０に接続されるパ
ターン部９０がキャビティ２０の周囲に設けられ、パタ
ーン部９０と接続されたリード８０がフレーム１０の外
部に設けられている。また、マイクロ波信号用配線、接
地用配線、直流バイアス供給用配線が形成されたポリイ
ミドフィルム４０の面と反対の面の一部に、シート状フ
ェライト１が装着されている。
属で構成され、フレーム１０の内部にはキャビティ２０
が設けられ、キャビティ２０内にマイクロ波ＩＣ３０が
搭載され、ポリイミドフィルム４０にインナーリード５
０が設けられ、ポリイミドフィルム４０の縁端部におい
て、ポリイミドフィルム４０上のマイクロ波信号用配
線、接地用配線、直流バイアス供給用配線からアウター
リード６０が延長形成され、これらの上に蓋７０が載置
されている。また、アウターリード６０に接続されるパ
ターン部９０がキャビティ２０の周囲に設けられ、パタ
ーン部９０と接続されたリード８０がフレーム１０の外
部に設けられている。また、マイクロ波信号用配線、接
地用配線、直流バイアス供給用配線が形成されたポリイ
ミドフィルム４０の面と反対の面の一部に、シート状フ
ェライト１が装着されている。
【００２２】上記実施例において、パッケージＰ１へ素
子を搭載する手順は次のとおりである。まず、ポリイミ
ドフィルム４０の一方の面に、マイクロ波信号用配線、
接地用配線、直流バイアス供給用配線を形成し、ポリイ
ミドフィルム４０の他方の面の一部に、シート状フェラ
イト１をエポキシ等の有機樹脂によって装着する。この
ポリイミドフィルム４０のインナーリード５０とマイク
ロ波ＩＣ３０とを接続用開口部を通して接続し、ポリイ
ミドフィルム４０の縁端部に設けられたアウターリード
６０を、パッケージ内のパターン部９０の所定位置に接
続するとともに、マイクロ波ＩＣ３０をキャビティ２０
の底部に導電ペースト等で固定し、蓋７０を取り付け
る。
子を搭載する手順は次のとおりである。まず、ポリイミ
ドフィルム４０の一方の面に、マイクロ波信号用配線、
接地用配線、直流バイアス供給用配線を形成し、ポリイ
ミドフィルム４０の他方の面の一部に、シート状フェラ
イト１をエポキシ等の有機樹脂によって装着する。この
ポリイミドフィルム４０のインナーリード５０とマイク
ロ波ＩＣ３０とを接続用開口部を通して接続し、ポリイ
ミドフィルム４０の縁端部に設けられたアウターリード
６０を、パッケージ内のパターン部９０の所定位置に接
続するとともに、マイクロ波ＩＣ３０をキャビティ２０
の底部に導電ペースト等で固定し、蓋７０を取り付け
る。
【００２３】なお、マイクロ波信号用配線等が形成され
たポリイミドフィルム４０の面と反対の面の一部ではな
く、全部に、シート状フェライト１を装着するようにし
てもよい。
たポリイミドフィルム４０の面と反対の面の一部ではな
く、全部に、シート状フェライト１を装着するようにし
てもよい。
【００２４】つまり、パッケージＰ１は、ポリイミドフ
ィルム４０で構成された絶縁性フレキシブル基板の一方
の面に、コプレーナ構造の線路で構成されたマイクロ波
信号用配線、接地用配線、直流バイアス供給用配線が形
成され、絶縁性フレキシブル基板の縁端部で各配線から
延長形成されたリード５０、６０であって、マイクロ波
ＩＣ３０、その他の回路素子の電極端子または他の配線
板電極端子と接続するリード５０、６０を有する絶縁性
フレキシブル基板を搭載し、絶縁性フレキシブル基板の
各配線が形成された面と反対側の面の少なくとも一部
に、電磁波吸収材料としてのシート状フェライト１が装
着されている。
ィルム４０で構成された絶縁性フレキシブル基板の一方
の面に、コプレーナ構造の線路で構成されたマイクロ波
信号用配線、接地用配線、直流バイアス供給用配線が形
成され、絶縁性フレキシブル基板の縁端部で各配線から
延長形成されたリード５０、６０であって、マイクロ波
ＩＣ３０、その他の回路素子の電極端子または他の配線
板電極端子と接続するリード５０、６０を有する絶縁性
フレキシブル基板を搭載し、絶縁性フレキシブル基板の
各配線が形成された面と反対側の面の少なくとも一部
に、電磁波吸収材料としてのシート状フェライト１が装
着されている。
【００２５】上記実施例によれば、キャビティ２０内に
生じる電界、磁界のエネルギーがシート状フェライト１
に吸収され、キャビティ２０内における電界、磁界の分
布が図２に示すように減少するので、キャビティ共振が
抑圧される。また、マイクロ波ＩＣ３０の端子間、また
はポリイミドフィルム４０に形成されたリード間におけ
る誘導性、容量性結合をシート状フェライト１が吸収す
るので、誘導性、容量性結合に伴う寄生共振も抑圧され
る。さらに、パッケージＰ１へ新たな材料を装着したり
加工したりせず、ポリイミドフィルム４０へシート状フ
ェライト１を単に装着するだけの工程で充分であるの
で、その工程が簡単であり、しかも、パッケージＰ１内
へマイクロ波ＩＣ３０やその他の回路素子を実装する場
合の自由度を損なうことがない。
生じる電界、磁界のエネルギーがシート状フェライト１
に吸収され、キャビティ２０内における電界、磁界の分
布が図２に示すように減少するので、キャビティ共振が
抑圧される。また、マイクロ波ＩＣ３０の端子間、また
はポリイミドフィルム４０に形成されたリード間におけ
る誘導性、容量性結合をシート状フェライト１が吸収す
るので、誘導性、容量性結合に伴う寄生共振も抑圧され
る。さらに、パッケージＰ１へ新たな材料を装着したり
加工したりせず、ポリイミドフィルム４０へシート状フ
ェライト１を単に装着するだけの工程で充分であるの
で、その工程が簡単であり、しかも、パッケージＰ１内
へマイクロ波ＩＣ３０やその他の回路素子を実装する場
合の自由度を損なうことがない。
【００２６】上記実施例による効果を、パッケージＰ１
内にマイクロ波信号を伝搬させることによって、実験的
に確かめた。この場合、キャビティ２０の寸法は長さ１
０mm、幅１２mm、高さ６mmである。フェライトシート１
を装着しない従来のパッケージＰ５、Ｐ６では、２０Ｇ
Ｈｚ付近からキャビティ共振、寄生共振が観測されたの
に対し、上記実施例であるパッケージＰ１では、４０Ｇ
Ｈｚ以上の広帯域でリップルのない平坦な特性が得ら
れ、キャビティ共振、寄生共振は観測されなかった。す
なわち、パッケージサイズに制限を与えることなく、マ
イクロ波ＩＣ用パッケージとして使用可能な周波数領域
が拡大された。
内にマイクロ波信号を伝搬させることによって、実験的
に確かめた。この場合、キャビティ２０の寸法は長さ１
０mm、幅１２mm、高さ６mmである。フェライトシート１
を装着しない従来のパッケージＰ５、Ｐ６では、２０Ｇ
Ｈｚ付近からキャビティ共振、寄生共振が観測されたの
に対し、上記実施例であるパッケージＰ１では、４０Ｇ
Ｈｚ以上の広帯域でリップルのない平坦な特性が得ら
れ、キャビティ共振、寄生共振は観測されなかった。す
なわち、パッケージサイズに制限を与えることなく、マ
イクロ波ＩＣ用パッケージとして使用可能な周波数領域
が拡大された。
【００２７】なお、上記実施例では、シート状フェライ
ト１をポリイミドフィルム４０に装着した後、ポリイミ
ドフィルム４０のインナーリード５０とマイクロ波ＩＣ
３０、および、アウターリード６０とパッケージ内のパ
ターン部９０を接続したが、ポリイミドフィルム４０の
インナーリード５０とマイクロ波ＩＣ３０、および、ア
ウターリード６０とパッケージ内のパターン部９０を接
続した後、シート状フェライト１をポリイミドフィルム
４０に装着するようにしてもよい。
ト１をポリイミドフィルム４０に装着した後、ポリイミ
ドフィルム４０のインナーリード５０とマイクロ波ＩＣ
３０、および、アウターリード６０とパッケージ内のパ
ターン部９０を接続したが、ポリイミドフィルム４０の
インナーリード５０とマイクロ波ＩＣ３０、および、ア
ウターリード６０とパッケージ内のパターン部９０を接
続した後、シート状フェライト１をポリイミドフィルム
４０に装着するようにしてもよい。
【００２８】また、上記実施例において、長さ１０mm、
幅１２mm、高さ６mmのキャビティを有するパッケージに
ついて述べたが、これら以外の任意のキャビティ寸法を
有するパッケージについて、その遮断周波数を含む周波
数帯域において良好な吸収特性を示す電磁波吸収材料を
用いれば、上記と同様の効果を得られる。
幅１２mm、高さ６mmのキャビティを有するパッケージに
ついて述べたが、これら以外の任意のキャビティ寸法を
有するパッケージについて、その遮断周波数を含む周波
数帯域において良好な吸収特性を示す電磁波吸収材料を
用いれば、上記と同様の効果を得られる。
【００２９】なお、固形の電磁波吸収材料としてシート
状フェライト１を例に挙げたが、シート状以外の形状を
有する固形のフェライトを使用してもよく、また、いか
なる種類のフェライトを使用してもよい。さらに、フェ
ライト以外の磁性損失材、チタン酸バリウム等の誘電損
失材、ウレタン等の導電損失材を、シート状フェライト
１の代わりに使用してもよい。
状フェライト１を例に挙げたが、シート状以外の形状を
有する固形のフェライトを使用してもよく、また、いか
なる種類のフェライトを使用してもよい。さらに、フェ
ライト以外の磁性損失材、チタン酸バリウム等の誘電損
失材、ウレタン等の導電損失材を、シート状フェライト
１の代わりに使用してもよい。
【００３０】図３は、本発明の第２実施例であるマイク
ロ波ＩＣ用パッケージＰ２を示す分解斜視図と縦断面図
であり、図３（１）は、マイクロ波ＩＣ用パッケージＰ
２の分解斜視図であり、図３（２）は、図３（１）のＩ
ＩＩーＩＩＩ線における縦断面図である。
ロ波ＩＣ用パッケージＰ２を示す分解斜視図と縦断面図
であり、図３（１）は、マイクロ波ＩＣ用パッケージＰ
２の分解斜視図であり、図３（２）は、図３（１）のＩ
ＩＩーＩＩＩ線における縦断面図である。
【００３１】第２実施例であるマイクロ波ＩＣ用パッケ
ージＰ２は、第１実施例であるマイクロ波ＩＣ用パッケ
ージＰ１と基本的には同じであるが、パッケージＰ１に
おけるシート状フェライト１の代わりに、液状フェライ
ト２が使用されている点が異なる。また、パッケージＰ
２に素子を搭載する搭載手順も、パッケージＰ１の場合
と基本的には同じであるが、パッケージＰ２において
は、ポリイミドフィルム４０の一方の面に、マイクロ波
信号用配線、接地用配線、直流バイアス供給用配線を形
成し、ポリイミドフィルム４０の他方の面の一部または
全部に、液状フェライト２を塗布し、硬化する。
ージＰ２は、第１実施例であるマイクロ波ＩＣ用パッケ
ージＰ１と基本的には同じであるが、パッケージＰ１に
おけるシート状フェライト１の代わりに、液状フェライ
ト２が使用されている点が異なる。また、パッケージＰ
２に素子を搭載する搭載手順も、パッケージＰ１の場合
と基本的には同じであるが、パッケージＰ２において
は、ポリイミドフィルム４０の一方の面に、マイクロ波
信号用配線、接地用配線、直流バイアス供給用配線を形
成し、ポリイミドフィルム４０の他方の面の一部または
全部に、液状フェライト２を塗布し、硬化する。
【００３２】マイクロ波ＩＣ用パッケージＰ２における
作用効果は、上記したマイクロ波ＩＣ用パッケージＰ１
のそれと同様である。
作用効果は、上記したマイクロ波ＩＣ用パッケージＰ１
のそれと同様である。
【００３３】なお、パッケージＰ２においては、液状フ
ェライト２をポリイミドフィルム４０に塗布し、硬化し
た後、ポリイミドフィルム４０のインナーリード５０と
マイクロ波ＩＣ３０、および、アウターリード６０とパ
ッケージ内のパターン部９０を接続するが、ポリイミド
フィルム４０のインナーリード５０とマイクロ波ＩＣ３
０、および、アウターリード６０とパッケージ内のパタ
ーン部９０を接続した後、液状フェライト２をポリイミ
ドフィルム４０に塗布し、硬化するようにしてもよい。
ェライト２をポリイミドフィルム４０に塗布し、硬化し
た後、ポリイミドフィルム４０のインナーリード５０と
マイクロ波ＩＣ３０、および、アウターリード６０とパ
ッケージ内のパターン部９０を接続するが、ポリイミド
フィルム４０のインナーリード５０とマイクロ波ＩＣ３
０、および、アウターリード６０とパッケージ内のパタ
ーン部９０を接続した後、液状フェライト２をポリイミ
ドフィルム４０に塗布し、硬化するようにしてもよい。
【００３４】パッケージＰ２においては、液状の電磁波
吸収材料として液状フェライト２を例に挙げたが、いか
なる種類のフェライトを使用してもよい。さらに、フェ
ライト以外の磁性損失材、チタン酸バリウム等の誘電損
失材、ウレタン等の導電損失材を、液状フェライト２の
代わりに使用してもよい。
吸収材料として液状フェライト２を例に挙げたが、いか
なる種類のフェライトを使用してもよい。さらに、フェ
ライト以外の磁性損失材、チタン酸バリウム等の誘電損
失材、ウレタン等の導電損失材を、液状フェライト２の
代わりに使用してもよい。
【００３５】図４は、本発明の第３実施例であるマイク
ロ波ＩＣ用パッケージＰ３を示す分解斜視図と縦断面図
であり、図４（１）は、マイクロ波ＩＣ用パッケージＰ
２の分解斜視図であり、図４（２）は、図４（１）のＩ
ＶーＩＶ線における縦断面図である。
ロ波ＩＣ用パッケージＰ３を示す分解斜視図と縦断面図
であり、図４（１）は、マイクロ波ＩＣ用パッケージＰ
２の分解斜視図であり、図４（２）は、図４（１）のＩ
ＶーＩＶ線における縦断面図である。
【００３６】第３実施例であるマイクロ波ＩＣ用パッケ
ージＰ３は、第１実施例であるマイクロ波ＩＣ用パッケ
ージＰ１と基本的には同じであるが、パッケージＰ１に
おけるシート状フェライト１の代わりに、フェライト粉
末が添加されたエポキシフィルム３が使用されている点
が異なる。
ージＰ３は、第１実施例であるマイクロ波ＩＣ用パッケ
ージＰ１と基本的には同じであるが、パッケージＰ１に
おけるシート状フェライト１の代わりに、フェライト粉
末が添加されたエポキシフィルム３が使用されている点
が異なる。
【００３７】第３実施例において、パッケージＰ３に素
子を搭載する搭載手順は、次の通りである。まず、フェ
ライト粉末が添加されたエポキシフィルム３とポリイミ
ドフィルム４０とをプレス法等により張り合せ、ポリイ
ミドフィルム４０のエポキシフィルム３を張り合せた面
とは反対側の面に、マイクロ波信号用配線、接地用配線
および直流バイアス供給用配線を形成し、インナーリー
ド５０とマイクロ波ＩＣ３０とを接続用開口部を通して
接続する。続いて、ポリイミドフィルム４０の縁端部に
設けられたアウターリード６０をパッケージ内のパター
ン部９０の所定位置に接続するとともに、マイクロ波Ｉ
Ｃ３０をキャビティ２０の底部に導電ペースト等で固定
し、最後に蓋７０を取り付ける。
子を搭載する搭載手順は、次の通りである。まず、フェ
ライト粉末が添加されたエポキシフィルム３とポリイミ
ドフィルム４０とをプレス法等により張り合せ、ポリイ
ミドフィルム４０のエポキシフィルム３を張り合せた面
とは反対側の面に、マイクロ波信号用配線、接地用配線
および直流バイアス供給用配線を形成し、インナーリー
ド５０とマイクロ波ＩＣ３０とを接続用開口部を通して
接続する。続いて、ポリイミドフィルム４０の縁端部に
設けられたアウターリード６０をパッケージ内のパター
ン部９０の所定位置に接続するとともに、マイクロ波Ｉ
Ｃ３０をキャビティ２０の底部に導電ペースト等で固定
し、最後に蓋７０を取り付ける。
【００３８】マイクロ波ＩＣ用パッケージＰ３における
作用効果は、上記したマイクロ波ＩＣ用パッケージＰ１
のそれと同様である。
作用効果は、上記したマイクロ波ＩＣ用パッケージＰ１
のそれと同様である。
【００３９】なお、第３実施例において、電磁波吸収機
能を有する粉末として、フェライト粉末を例に挙げた
が、他の磁性体粉末、カーボン粉末、金属粉末、誘電体
粉末等をフェライト粉末の代わりに使用してもよい。ま
た、第３実施例において、フェライト粉末が添加された
エポキシフィルム３におけるエポキシフィルムの代わり
に、エポキシ樹脂、テフロン系樹脂、アルミナセラミッ
クス、ガラス等の固形の絶縁体を使用してもよい。さら
に、第３実施例においては、ポリイミドフィルム４０の
全部に、フェライト粉末が添加されたエポキシフィルム
３を張り合せてあるが、ポリイミドフィルム４０の一部
に、フェライト粉末が添加されたエポキシフィルム３を
張り合せるようにしてもよい。
能を有する粉末として、フェライト粉末を例に挙げた
が、他の磁性体粉末、カーボン粉末、金属粉末、誘電体
粉末等をフェライト粉末の代わりに使用してもよい。ま
た、第３実施例において、フェライト粉末が添加された
エポキシフィルム３におけるエポキシフィルムの代わり
に、エポキシ樹脂、テフロン系樹脂、アルミナセラミッ
クス、ガラス等の固形の絶縁体を使用してもよい。さら
に、第３実施例においては、ポリイミドフィルム４０の
全部に、フェライト粉末が添加されたエポキシフィルム
３を張り合せてあるが、ポリイミドフィルム４０の一部
に、フェライト粉末が添加されたエポキシフィルム３を
張り合せるようにしてもよい。
【００４０】図５は、本発明の第４実施例であるマイク
ロ波ＩＣ用パッケージＰ４を示す分解斜視図と縦断面図
であり、図５（１）は、マイクロ波ＩＣ用パッケージＰ
２の分解斜視図であり、図５（２）は、図５（１）のＶ
ーＶ線における縦断面図である。
ロ波ＩＣ用パッケージＰ４を示す分解斜視図と縦断面図
であり、図５（１）は、マイクロ波ＩＣ用パッケージＰ
２の分解斜視図であり、図５（２）は、図５（１）のＶ
ーＶ線における縦断面図である。
【００４１】第４実施例であるマイクロ波ＩＣ用パッケ
ージＰ４は、第３実施例であるマイクロ波ＩＣ用パッケ
ージＰ３と基本的には同じであるが、パッケージＰ３に
おけるフェライト粉末が添加されたエポキシフィルム３
をポリイミドフィルム４０に張り合わす代わりに、フェ
ライト粉末が添加された液状のポリイミド樹脂４をポリ
イミドフィルム４０に塗布し、硬化する点が異なる。
ージＰ４は、第３実施例であるマイクロ波ＩＣ用パッケ
ージＰ３と基本的には同じであるが、パッケージＰ３に
おけるフェライト粉末が添加されたエポキシフィルム３
をポリイミドフィルム４０に張り合わす代わりに、フェ
ライト粉末が添加された液状のポリイミド樹脂４をポリ
イミドフィルム４０に塗布し、硬化する点が異なる。
【００４２】第４実施例において、パッケージＰ４に素
子を搭載する搭載手順は、次の通りである。まず、フェ
ライト粉末が添加された液状のポリイミド樹脂４をポリ
イミドフィルム４０に塗布し、硬化し、この面とは反対
側の面に、マイクロ波信号用配線、接地用配線、直流バ
イアス供給用配線を形成し、インナーリード５０とマイ
クロ波ＩＣ３０とを接続用開口部を通して接続する。続
いて、ポリイミドフィルム４０の縁端部に設けられたア
ウターリード６０をパッケージ内のパターン部９０の所
定位置に接続するとともに、マイクロ波ＩＣ３０をキャ
ビティ２０の底部に導電ペースト等で固定し、蓋７０を
取り付ける。
子を搭載する搭載手順は、次の通りである。まず、フェ
ライト粉末が添加された液状のポリイミド樹脂４をポリ
イミドフィルム４０に塗布し、硬化し、この面とは反対
側の面に、マイクロ波信号用配線、接地用配線、直流バ
イアス供給用配線を形成し、インナーリード５０とマイ
クロ波ＩＣ３０とを接続用開口部を通して接続する。続
いて、ポリイミドフィルム４０の縁端部に設けられたア
ウターリード６０をパッケージ内のパターン部９０の所
定位置に接続するとともに、マイクロ波ＩＣ３０をキャ
ビティ２０の底部に導電ペースト等で固定し、蓋７０を
取り付ける。
【００４３】マイクロ波ＩＣ用パッケージＰ４における
作用効果は、上記したマイクロ波ＩＣ用パッケージＰ１
のそれと同様である。
作用効果は、上記したマイクロ波ＩＣ用パッケージＰ１
のそれと同様である。
【００４４】なお、第４実施例において、フェライト粉
末が添加された液状のポリイミド樹脂４におけるフェラ
イト粉末の代わりに、他の磁性体粉末、カーボン粉末、
金属粉末、誘電体粉末等の電磁波吸収機能を有する粉末
を使用してもよい。また、フェライト粉末が添加された
液状のポリイミド樹脂４における液状のポリイミド樹脂
の代わりに、エポキシ樹脂、テフロン系樹脂、アルミナ
セラミックス、ガラス等の液状の絶縁体を使用してもよ
い。
末が添加された液状のポリイミド樹脂４におけるフェラ
イト粉末の代わりに、他の磁性体粉末、カーボン粉末、
金属粉末、誘電体粉末等の電磁波吸収機能を有する粉末
を使用してもよい。また、フェライト粉末が添加された
液状のポリイミド樹脂４における液状のポリイミド樹脂
の代わりに、エポキシ樹脂、テフロン系樹脂、アルミナ
セラミックス、ガラス等の液状の絶縁体を使用してもよ
い。
【００４５】また、第１〜４実施例において、ポリイミ
ドフィルム４０の代わりに、エポキシ樹脂、テフロン系
樹脂等の絶縁性フレキシブル基板を使用してもよい。さ
らに、第１〜４実施例において、マイクロ波ＩＣだけを
接続した例を挙げたが、抵抗、コイル、コンデンサ等の
受動素子を接続した場合も、上記と同様である。なお、
第１〜４実施例において、マイクロ波線路としてコプレ
ーナ構造の線路を使用したが、この代わりに、スロット
構造の線路を使用してもよい。また、第１〜４実施例に
おいて、フレーム１０の代わりに、フレーム１１を使用
してもよく、セラミックス等の絶縁体で形成されたパッ
ケージを使用するようにしてもよい。
ドフィルム４０の代わりに、エポキシ樹脂、テフロン系
樹脂等の絶縁性フレキシブル基板を使用してもよい。さ
らに、第１〜４実施例において、マイクロ波ＩＣだけを
接続した例を挙げたが、抵抗、コイル、コンデンサ等の
受動素子を接続した場合も、上記と同様である。なお、
第１〜４実施例において、マイクロ波線路としてコプレ
ーナ構造の線路を使用したが、この代わりに、スロット
構造の線路を使用してもよい。また、第１〜４実施例に
おいて、フレーム１０の代わりに、フレーム１１を使用
してもよく、セラミックス等の絶縁体で形成されたパッ
ケージを使用するようにしてもよい。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、一方の面に、マイクロ
波信号用配線、接地用配線、直流バイアス供給用配線が
形成された絶縁性フレキシブル基板を搭載したマイクロ
波ＩＣ用パッケージにおいて、キャビティ共振、寄生共
振を抑圧でき、実効的に使用できる周波数帯域を高くす
ることができ、パッケージ内へマイクロ波ＩＣやその他
の回路素子を実装する場合の自由度を損なうことがない
マイクロ波ＩＣ用パッケージを提供することを目的とす
るものである。
波信号用配線、接地用配線、直流バイアス供給用配線が
形成された絶縁性フレキシブル基板を搭載したマイクロ
波ＩＣ用パッケージにおいて、キャビティ共振、寄生共
振を抑圧でき、実効的に使用できる周波数帯域を高くす
ることができ、パッケージ内へマイクロ波ＩＣやその他
の回路素子を実装する場合の自由度を損なうことがない
マイクロ波ＩＣ用パッケージを提供することを目的とす
るものである。
【図１】本発明の第１実施例を示す分解斜視図および縦
断面図である。
断面図である。
【図２】キャビティ共振が抑圧された時のキャビティ内
における電界および磁界の分布を示す図である。
における電界および磁界の分布を示す図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す分解斜視図および縦
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の第３実施例を示す分解斜視図および縦
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明の第４実施例を示す分解斜視図および縦
断面図である。
断面図である。
【図６】従来のマイクロ波ＩＣ用パッケージを示す分解
斜視図および縦断面図である。
斜視図および縦断面図である。
【図７】従来の他のマイクロ波ＩＣ用パッケージを示す
一部切欠分解斜視図および縦断面図である。
一部切欠分解斜視図および縦断面図である。
【図８】基本モードのキャビティ共振が生じているとき
の電界および磁界の分布を示す図である。
の電界および磁界の分布を示す図である。
【図９】従来例において、パッケージのキャビティ幅と
遮断周波数との関係を示す図である。
遮断周波数との関係を示す図である。
１…シート状フェライト、 ２…液状フェライト、 ３…フェライト粉末が添加されたエポキシフィルム、 ４…フェライト粉末が添加されたポリイミド樹脂、 １０、１１…フレーム、 １１ａ…金属ベース、 １１ｂ…金属、 １１ｃ…シート状セラミック、 ２０…キャビティ、 ３０…マイクロ波ＩＣ、 ４０…ポリイミドフィルム、 ５０…インナーリード、 ６０…アウターリード、 ７０…パッケージの蓋、 ８０…リード、 ９０…パターン部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 信夫 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 実開 昭57−157147（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−55545（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−79042（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/02 H01P 1/00 H01P 1/212 H05K 9/00
Claims (1)
- 【請求項１】 マイクロ波信号用配線、接地用配線、直
流バイアス供給用配線が、絶縁性フレキシブル基板の一
方の面に形成され、しかも、上記絶縁性フレキシブル基
板の縁端部で上記各配線から延長形成されたリードであ
って、マイクロ波ＩＣ、その他の回路素子の電極端子ま
たは他の配線板電極端子と接続するリードを有する絶縁
性フレキシブル基板を搭載したマイクロ波ＩＣ用パッケ
ージにおいて、 上記絶縁性フレキシブル基板の上記各配線が形成された
面と反対側の面の少なくとも一部に電磁波吸収材料が配
置されていることを特徴とするマイクロ波ＩＣ用パッケ
ージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4355159A JP2974195B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | マイクロ波ｉｃ用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4355159A JP2974195B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | マイクロ波ｉｃ用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188322A JPH06188322A (ja) | 1994-07-08 |
| JP2974195B2 true JP2974195B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=18442289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4355159A Expired - Fee Related JP2974195B2 (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | マイクロ波ｉｃ用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2974195B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013021260A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-31 | Sony Corp | 電磁波吸収材及びその製造方法、フレキシブルプリント配線板、並びに、電子機器 |
| JP6203802B2 (ja) | 2015-09-30 | 2017-09-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
-
1992
- 1992-12-17 JP JP4355159A patent/JP2974195B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06188322A (ja) | 1994-07-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |