JP3437033B2 - 芳香族ポリカーボネート組成物及びその製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、色相、熱安定性、
耐加水分解性に優れた、エステル交換法により得られた
芳香族ポリカーボネート組成物及びその製造法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】炭酸ジエステルと芳香族ジヒドロキシ化
合物とを反応させて芳香族ポリカーボネートを製造する
いわゆるエステル交換法は、工程が比較的単純であり、
操作、コスト面でホスゲン法（界面重合法）に比べ優位
性が発揮できるだけではなく、毒性の強いホスゲンや塩
化メチレン等のハロゲン系溶剤を使用しないという点に
おいて、環境保全の面からも最近注目されている。しか
しながら現在のところ、エステル交換法は大規模な工業
プロセスとしての採用は未だ少ない。その原因は、従来
のエステル交換法で製造されるポリカーボネートは物性
面でいくつかの欠点を有しているからであり、特に、加
熱による色相の悪化が大きな問題となっている。この問
題を解決するために、これまで種々の検討がなされて来
たが、十分な熱安定性を有するポリカーボネートを得る
ことが困難であった。

【０００３】エステル交換法による製造では、界面重合
法による製造に比べ、末端水酸基量が多くなることが指
摘されている（高分子分析ハンドブック３４５頁（朝倉
書店（１９８５年刊））。実際、特別の工夫なしにエス
テル交換法によりポリカーボネートを製造すれば、全末
端基中の末端水酸基濃度が３０モル％〜５０モル％と非
常に多いものが簡単に生成することが知られている（特
開平２−２６１８６０号公報）。末端水酸基量が多い芳
香族ポリカーボネートは熱安定性等の物性が悪く、その
ため、適当な安定剤無しに末端水酸基による物性低下を
防ごうとすれば、末端停止剤を使用する必要があるが
（特開平２−１７５７２３号公報）、それだけではまだ
熱安定性は不十分であった。

【０００４】一方、以下に説明するような本発明と同一
の安定剤を、界面重合法で得られたポリカーボネートに
添加すること自体は知られている。しかし、エステル交
換法の場合には特定のプロセスが必要であったり、大量
に安定剤を加えたり、他の添加剤が必須であったりした
（特開平４−１０３６２６号、特開平５−９２８６号公
報等）。またこれらはいずれも、ポリカーボネートの末
端水酸基量と色相の関係については考慮されていなかっ
た。以上のように、従来知られていた芳香族ポリカーボ
ネート樹脂の製造方法では、ポリカーボネートの末端水
酸基量、使用触媒量の影響を考慮して適当量の安定剤を
使用することをしておらず、熱安定性改善が十分になさ
れたとは言えなかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、高温下にお
いても高い透明性と良好な色相を維持する、熱安定性の
優れた、エステル交換法により得られる芳香族ポリカー
ボネート組成物及びその製造法を提供するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、
（Ａ）炭酸ジエステルと芳香族ジヒドロキシ化合物とを
溶融重合して得られる末端水酸基量が１,０００ｐｐｍ
以下で、且つ残留炭酸ジエステル量が５００ｐｐｍ以下
の芳香族ポリカーボネート中に、（Ｂ）下記一般式
（１）のトリス（２,４-ジ-ｔ-ブチルフェニル）ホスフ
ァイトを１０〜１,０００ｐｐｍ含有することを特徴と
する芳香族ポリカーボネート組成物を提供するものであ
る。

【０００７】

【化２】

【０００８】

【発明の実施の形態】以下に本発明をさらに詳細に説明
する。本発明で用いられる芳香族ポリカーボネートは、
炭酸ジエステルと芳香族ジヒドロキシ化合物とを、エス
テル交換触媒を用いて溶融重合することにより得られ
る。本発明で用いられる炭酸ジエステルは、下記の一般
式（２）で表される化合物である。

【０００９】

【化３】

【００１０】（式中Ｒは１価の脂肪族又は１価の芳香族
基であり、Ｒは同一であっても異なっていてもよい。） 上記一般式（２）で表される炭酸ジエステルは、例え
ば、ジフェニルカーボネート、ジメチルカーボネート、
ジトリルカーボネート、ジ−ｔ−ブチルカーボネート等
が例示されるが、特に好ましくはジフェニルカーボネー
ト、置換ジフェニルカーボネートが挙げられる。これら
の炭酸ジエステルは単独或いは２種以上を混合して用い
てもよい。また、上記のような炭酸ジエステルと共に、
好ましくは５０モル％以下、さらに好ましくは３０モル
％以下の量でジカルボン酸或いはジカルボン酸エステル
を使用してもよい。このようなジカルボン酸或いはジカ
ルボン酸エステルとしては、テレフタル酸、イソフタル
酸、テレフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジフェニル
等が用いられる。このようなカルボン酸或いはカルボン
酸エステルを炭酸ジエステルと併用した場合には、ポリ
エステルカーボネートが得られる。

【００１１】本発明で用いられる芳香族ジヒドロキシ化
合物は下記一般式（３）で表される化合物である。

【００１２】

【化４】

【００１３】（式中、Ａは１〜１５の炭素数を有する２
価の炭化水素基、ハロゲン置換の２価の炭化水素基また
は−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ−、−Ｏ−、及び−ＣＯ
−のごとき２価の基を示し、Ｘはハロゲン原子、炭素数
１〜１４のアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基、
炭素数１〜８のオキシアルキル基及び炭素数６〜１８の
オキシアリール基を示す。ｍは０または１であり、ｙは
０〜４の整数である。）

【００１４】上記一般式（３）で表される芳香族ジヒド
ロキシ化合物は例えば、２,２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、２,２−ビス（４−ヒドロキシ−
３,５−ジメチルフェニル）プロパン、２.２−ビス（４
−ヒドロキシ−３,５−ジエチルフェニル）プロパン、
２,２−ビス〔４−ヒドロキシ−（３,５−ジフェニル）
フェニル〕プロパン、２,２−ビス（４−ヒドロキシ−
３,５−ジブロモフェニル）プロパン、２,２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２,４'−ジヒドロキ
シ−ジフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−５−ニトロフェニ
ル）メタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
エタン、３,３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペン
タン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
２,４'−ジヒドロキシジフェニルスルホン、ビス（４−
ヒドロキシフェニル）ジフェニルスルホン、ビス（４−
ヒドロキシフェニル）スルフィド、４,４'−ジヒドロキ
シジフェニルエーテル、４,４'−ジヒドロキシ−３,３'
−ジクロロジフェニルエーテル、ビス（４−ヒドロキシ
−２,５−ジエトキシフェニル）オキシド等が例示され
る。これらの芳香族ジヒドロキシ化合物は単独或いは２
種以上を混合して用いることができ、必要に応じて共重
合体とすることもできる。

【００１５】また、本重合に用いる炭酸ジエステル、芳
香族ジヒドロキシ化合物の純度は高ければ高いほど良
く、ナトリウム量で０.１ｐｐｍ以下、Ｆｅ量で０.５ｐ
ｐｍ以下、加水分解性Ｃｌ量で０.３ｐｐｍ以下、その
他の不純成分においても０.５ｐｐｍ以下のものを原料
として使用するのが適当である。

【００１６】本発明の芳香族ポリカーボネートはエステ
ル交換反応により製造されるが、最終的な末端水酸基量
は、仕込み時の原料モル比、触媒量、加熱温度、加熱時
間、減圧プロセス等により異なり、たとえこれらが同じ
であっても、発生する芳香族ヒドロキシ化合物や原料の
環流効率や、製造装置の熱的常数及びスケールによって
も異なってくる。しかし、製造装置その他の条件が変わ
らなければ、仕込み原料比でほぼ任意の末端水酸基量の
ポリマーを得ることが出来る。

【００１７】芳香族ポリカーボネートの末端水酸基量と
トリス（２,４-ジ-ｔ-ブチルフェニル）ホスファイトの
添加量とにより、その熱安定性改良効果は著しく異な
る。効果が発現する芳香族ポリカーボネートの末端水酸
基量は、通常、０.１ｐｐｍ〜１,０００ｐｐｍ以下であ
ることが必須であり、好ましくは７００ｐｐｍ以下、更
に好ましくは５００ｐｐｍ以下が適当であり、末端水酸
基量が１,０００ｐｐｍより多い場合では、トリス（２,
４-ジ-ｔ-ブチルフェニル）ホスファイトを添加したと
しても所望の耐熱物性が得られない。

【００１８】重合は一般には二段階以上の多段工程で実
施される。具体的には、第１段目の反応は常圧または減
圧下に１２０〜２６０℃、好ましくは１８０〜２４０℃
の温度で０.１〜５時間、好ましくは０.５〜３時間反応
させる。ついで反応系の減圧度を上げながら反応温度を
高め、最終的には５ｍｍＨｇ以下の減圧下、２４０〜３
２０℃の温度で重縮合反応を行う。

【００１９】反応の形式は、バッチ式、連続式、或いは
バッチ式と連続式の組み合わせのいずれの方法でもよ
く、使用する装置は、槽型、管型或いは塔型のいずれの
形式であってもよい。

【００２０】本発明においては、分子量に特に制限はな
いが、粘度平均分子量（Ｍｖ）が１０,０００〜５０,０
００の範囲であることが好ましい。

【００２１】本発明の芳香族ポリカーボネートの製造に
おいては、エステル交換触媒として金属触媒を用いる。
ここでいう金属触媒とは、アルカリ金属、アルカリ土類
金属、及び希土類を含む遷移金属元素からなる触媒のこ
とをいう。以上の中ではアルカリ金属触媒、希土類金属
触媒が特に好ましい。使用する触媒中の金属の量は、芳
香族ジヒドロキシ化合物に対して０.０１〜１０μモル
／モルであり、好ましくは０.１〜５μモル／モルであ
り、さらに好ましくは、０.２〜３μモル／モルであ
る。触媒中の金属の量が０.０１μモル／モル未満であ
れば所望の分子量のポリカーボネートを得ることが難し
く、１０μモル／モルを越えては物性が低下してしま
う。

【００２２】本発明に使用できる触媒を例示すれば、ア
ルカリ金属化合物としては、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸
水素カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム、炭酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリ
ウム、酢酸リチウム、ステアリン酸ナトリウム、ステア
リン酸カリウム、ステアリン酸リチウム、水素化ホウ素
ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、フェニル化ホウ素
ナトリウム、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、
安息香酸リチウム、リン酸水素２ナトリウム、リン酸水
素２カリウム、リン酸水素２リチウム、フェニルリン酸
２ナトリウム、フェニルリン酸２カリウム、フェニルリ
ン酸２リチウム、イミノカルボン酸ナトリウム塩、ビス
フェノールＡの２ナトリウム塩、ビスフェノールＡの２
カリウム塩、ビスフェノールＡの２リチウム塩、フェノ
ールのナトリウム塩、フェノールのカリウム塩、フェノ
ールのリチウム塩、テトラメチルホウ素、テトラエチル
ホウ素、テトラプロピルホウ素、テトラブチルホウ素、
トリメチルエチルホウ素、トリメチルベンジルホウ素、
トリメチルフェニルホウ素、トリエチルメチルホウ素、
トリエチルベンジルホウ素、トリエチルフェニルホウ
素、トリブチルメチルホウ素、トリブチルベンジルホウ
素、トリブチルフェニルホウ素、テトラフェニルホウ
素、ベンジルトリフェニルホウ素、メチルトリフェニル
ホウ素、ブチルトリフェニルホウ素等のナトリウム塩、
カリウム塩、リチウム塩、セシウム塩、或いはストロン
チウム塩等があるが、好ましくは炭酸塩、リン酸塩、ほ
う酸塩、４級アンモニウム塩であり、更に好ましくは、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フェニ
ルリン酸２ナトリウム、フェニルリン酸２カリウム、フ
ェニルリン酸２セシウム、テトラフェニルほう酸ナトリ
ウム、テトラフェニルほう酸カリウム、テトラフェニル
ほう酸セシウム等を単独或いは併用するのが適当であ
る。

【００２３】また、アルカリ土類金属化合物としては、
水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウ
ム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシウム、炭酸
水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水素ストロ
ンチウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バ
リウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カルシウム、酢酸バ
リウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチウム、ステ
アリン酸カルシウム、ステアリン酸マグネシウム、ステ
アリン酸バリウム、ステアリン酸ストロンチウム等が例
示できる。

【００２４】希土類金属触媒としては、ランタン、セリ
ウム、ネオジウム、サマリウム、ガドリニウム、ジスプ
ロシウム、エルビウム、イッテルビウム等の酸化物、水
酸化物、炭酸塩、酢酸塩、芳香族または脂肪族アルコー
ルの塩、リン酸または酸性リン酸エステルの塩及びハロ
ゲン化物等が挙げられるが、好ましい金属としてはラン
タン、セリウムであり、酸化ランタン、炭酸ランタン、
酢酸ランタン、ランタンフェノキシド、ランタンメトキ
シド、炭酸セリウム、酸化セリウム、セリウムフェノキ
シド等が例示できる。その他の遷移金属触媒としては、
酸化チタン、酸化ニッケル、二酸化マンガン、酢酸コバ
ルト、酢酸ニッケル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウ
ム等が挙げられる。

【００２５】また本発明では、前述の金属触媒と併用し
てホウ素系化合物、アミン系化合物、アンモニウム化合
物或いはリン系化合物のうち、前述の金属を含まない化
合物も触媒として使用できる。これらは、１種類で使用
してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい
が、これらの触媒量は当然、本発明の金属触媒量には含
めない。これらの触媒の使用量は、通常は触媒中の金属
の量が、芳香族ジヒドロキシ化合物に対して０.００１
〜１,０００μモル／モル、好ましくは０.１〜１００μ
モル／モルの範囲で用いられる。

【００２６】これらの化合物として、例えば、４−アミ
ノピリジン、２−アミノピリジン、Ｎ,Ｎ−ジメチル−
４−アミノピリジン、４−ジエチルアミノピリジン、２
−ヒドロキシピリジン、２−メトキシピリジン、４−メ
トキシピリジン、２−ジメチルアミノイミダゾール、２
−メトキシイミダゾール、イミダゾール、２−メルカプ
トイミダゾール、２−メチルイミダゾール、アミノキノ
リン、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、テト
ラエチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラプロピル
アンモニウムヒドロキサイド、テトラブチルアンモニウ
ムヒドロキサイド、トリメチルエチルアンモニウムヒド
ロキサイド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキ
サイド、トリメチルフェニルアンモニウムヒドロキサイ
ド、トリエチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、
トリエチルフェニルアンモニウムヒドロキサイド、トリ
ブチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、トリブチ
ルフェニルアンモニウムヒドロキサイド、テトラフェニ
ルアンモニウムヒドロキサイド、ベンジルトリフェニル
アンモニウムヒドロキサイド、ベンジルトリフェニルア
ンモニウムヒドロキサイド、メチルトリフェニルアンモ
ニウムヒドロキサイド、ブチルトリフェニルアンモニウ
ムヒドロキサイド、テトラエチルホスホニウムテトラヒ
ドロキシボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ
ヒドロキシボレート等が例示される。

【００２７】本発明における末端水酸基量、トリス
（２,４-ジ-ｔ-ブチルフェニル）ホスファイト量及び使
用触媒量の間の関係をさらに詳しく説明すると、末端水
酸基量をＡｐｐｍ、トリス（２,４-ジ-ｔ-ブチルフェニ
ル）ホスファイトの添加量をＢｐｐｍ、使用する触媒中
の金属の量を芳香族ジヒドロキシ化合物に対しＣμモル
／モルとした時、次式

【００２８】

【数２】−５００≦Ａ−（Ｂ／Ｃ）≦５００ かつ ０.１≦Ａ＜１,０００、１０≦Ｂ＜５００ および
０.０１≦Ｃ＜１０

【００２９】を満たす範囲で該安定剤を添加することが
必要である。好ましくは、 −４００≦Ａ−（Ｂ／Ｃ）≦４００ かつ ０.１≦Ａ＜１,０００、 １０≦Ｂ＜５００ および
０.０１≦Ｃ＜１０ とすることであり、さらに好ましくは、 −３００≦Ａ−（Ｂ／Ｃ）≦３００ かつ ０.１≦Ａ＜１,０００、 １０≦Ｂ＜５００ および
０.０１≦Ｃ＜１０ である。いずれの場合にも、上記式より算出される使用
可能な添加量に幅がある場合には、トリス（２,４-ジ-
ｔ-ブチルフェニル）ホスファイトの添加量は、ポリカ
ーボネートに対して１０〜１,０００ｐｐｍ、好ましく
は５０〜５００ｐｐｍであり、さらに好ましくは５０〜
３００ｐｐｍとすればよい。これより少ないと所望の効
果が得られず、過剰では機械的物性、耐熱物性が低下す
るなどの逆効果が生じるので適当ではない。

【００３０】本願の式を用いることにより、製造条件の
変動による末端水酸基量の変化に応じて最適添加剤量を
加減することが出来、安定剤不足による物性低下や、過
剰添加による悪影響を避けることが出来る。

【００３１】トリス（２,４-ジ-ｔ-ブチルフェニル）ホ
スファイトの添加時期、添加方法について特に制限はな
いが、例えば、重合反応の途中または重合反応の終了時
にポリカーボネート等で希釈したトリス（２,４-ジ-ｔ-
ブチルフェニル）ホスファイトのマスターバッチペレッ
トを添加する方法が挙げられる。

【００３２】本願の製造法で得られる芳香族ポリカーボ
ネート組成物は、その物性を損なわない範囲で目的に応
じ、界面法ポリカーボネートで一般に用いられている紫
外線吸収剤、酸化防止剤、離型剤、難燃剤、帯電防止
剤、顔料、染料等の他の添加剤との併用も可能である。
また、添加時期については特に制限はないが、重合終了
後の溶融状態にある間、或いは、ペレット化後の成形時
等が好ましい。

【００３３】酸化防止剤としては、ヒンダードフェノー
ル系、リン系、イオウ系等のものがあり、具体的には、
ｎ-オクタデシル-〔３-（４-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-
ブチルフェニル）プロピオネート〕、１,６-ヘキサンジ
オール-ビス〔３-（３,５-ジ-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシ
フェニル）プロピオネート〕、ペンタエリスリチル−テ
トラキス〔３−（３,５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロピオネート〕、トリエチレングリコ
ールビス〔３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５
−メチルフェニル）プロピオネート〕、３,９−ビス
｛２−〔３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−
メチルフェニル）プロピオニルオキシ〕−１,１−ジメ
チルエチル｝−２,４,８,１０−テトラオキサスピロ
（５.５）ウンデカン、トリス（２,４−ジ−ｔ−ブチル
フェニル）ホスファイト、２,２−メチレンビス（４,６
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、テ
トラキス（２,４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４,４'
−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２,４−
ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−４,４'−ビフ
ェニレンジホスホナイト、ビス（２,６−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトール−ジ−
ホスファイト、チオジエチレン ビス−（３,５−ジ−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシ）ヒドロシンナメート等が挙
げられる。添加量としては１０ｐｐｍ〜１,０００ｐｐ
ｍの範囲で用いるのが好ましい。

【００３４】本発明では、前述の安定剤の他にリン系の
安定剤を併用することが出来る。そのようなリン系化合
物としては、例えば、トリエチルホスフィン、トリ−ｎ
−プロピルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、
トリ−ｎ−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィ
ン、トリブチルホスファイト、トリフェニルホスファイ
ト等が例示される。

【００３５】また触媒の失活剤としては、芳香族スルホ
ン酸化合物が有効であり、特にｐ−トルエンスルホン
酸、ｐ−トルエンスルホン酸エステルが適当であり、好
ましくはｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホ
ン酸ブチルを用いるのが望ましい。ｐ−トルエンスルホ
ン酸エステルとしては、ｐ−トルエンスルホン酸メチ
ル、ｐ−トルエンスルホン酸エチル、ｐ−トルエンスル
ホン酸プロピル、ｐ−トルエンスルホン酸ブチル、ｐ−
トルエンスルホン酸ペンチル、ｐ−トルエンスルホン酸
ヘキシル、ｐ−トルエンスルホン酸オクチル、ｐ−トル
エンスルホン酸フェニル、ｐ−トルエンスルホン酸フェ
ネチル、ｐ−トルエンスルホン酸ナフチル等が例示され
る。添加量としては、触媒の金属量の１〜１０倍モル添
加するのが適当であり、この範囲から外れると十分な失
活作用が得られないか、または余剰のｐ−トルエンスル
ホン酸、或いはｐ−トルエンスルホン酸エステルがトリ
ス（２,４-ジ-ｔ-ブチルフェニル）ホスファイトを分解
して十分な効果が得られない。

【００３６】また、本発明における芳香族ポリカーボネ
ートでは、樹脂中に残存する炭酸ジエステル量として
は、５００ｐｐｍ以下のものが適当であり、好ましく
は、３００ｐｐｍ以下、更に好ましくは、１００ｐｐｍ
以下が望ましい。残存する炭酸ジエステルの量が多い
と、ポリカーボネートの十分な耐熱物性が得られない。
残存する炭酸ジエステル量を低減させるためには、例え
ば溶媒による洗浄又は抽出、他の化合物添加による分解
または反応等があるが、好ましくは、押出機を用いて各
種添加剤を添加しペレット化する際に、減圧処理して低
減することである。さらに注水脱揮することが好ましい
が、この場合トリス（２,４-ジ-ｔ-ブチルフェニル）ホ
スファイトを添加する前に注水して脱揮することが好ま
しい。

【００３７】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明は以下の実施例になんらの制限を受けるも
のではない。なお、得られたポリカーボネートの評価
は、以下の方法により行った。 （１）分子量 ウベローデ粘度計を用いて、塩化メチレン中２０℃の極
限粘度［η］を測定し、以下の式より粘度平均分子量
（Ｍｖ）を求めた。 ［η］＝１.１１×１０^-4×（Ｍｖ）^0.83

【００３８】（２）末端ＯＨ量 四塩化チタン／酢酸法（Makromol Chem.88 215(1965)）
により比色定量を行った。

【００３９】（３）色相 得られたポリカーボネートより直径５０ｍｍφ、３ｍｍ
厚の円板状の射出成型品を製作し、東京電色製オートマ
チックカラーアナライザーＭＯＤＥＬ ＴＣ−１８００
ＭＫIIによりＹＩ値を測定した。（値が小さい方が色相
は良好）

【００４０】（４）残留モノマー 得られたポリカーボネート５ｇを塩化メチレン１５ｍｌ
に溶解し、アセトンにより再沈した。これを濾過後、濾
液を蒸発乾燥し残留物をクロロホルムに溶解しこれを試
料とした。ガスクロマトグラフィー（島津製 GC-14PF 1
00V）にてＤＰＣの定量を行った（カラム：Silicone OV
-17 ガスクロ工業（株））。また、ＧＰＣ（島津製 SPD
-6A）にて残留ＢＰＡ及びフェノールの定量を行った
（カラム：Shodex,k-806M×2.k803.K-802×2）。

【００４１】（５）ナトリウム量 ２０グラムのポリマーを用いて原子吸光法（バリヤン社
スペクトロ−ＡＡ）により定量した。

【００４２】実施例 １ ジフェニルカーボネート〔以下ＤＰＣ〕及び２,２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〔ビスフェノー
ルＡ：以下ＢＰＡ〕を溶解槽にて窒素雰囲気下、１５０
℃でモル比（ＤＰＣ／ＢＰＡ）１.１５で溶解混合し
た。第一槽、２１０℃−１００ｍｍＨｇ下で水酸化ナト
リウムを１.０μモル／モル（BPAに対して）の比で添加
し、第二槽 ２４０℃−１５ｍｍＨｇ、第三槽２８０℃
−０.５ｍｍＨｇの条件で、各槽滞留時間１時間で連続
的に重合反応を行い、ポリカーボネートを得た。第三槽
より溶融状態のポリカーボネートを二軸押出機に送り、
二軸押出機にてｐ−トルエンスルホン酸ブチル（以下ｐ
−ＴＳＢ）を５ｐｐｍの割合で添加し、３ベント各部で
モノマー及び低分子量体を注水脱揮し、トリス（２,４-
ジ-ｔ-ブチルフェニル）ホスファイト（アデカアーガス
（株）社製：アデガスタブ２１１２）（以下ＡＳ２１１
２）を２００ｐｐｍの割合で添加混練した後、ペレタイ
ザーによりペレットとした。得られたポリカーボネート
は、Ｍｖ＝１４,６００、末端ＯＨ＝２２０ｐｐｍ、残
留ＤＰＣ＝２００ｐｐｍであった。次に、射出成型機に
て直径５０ｍｍφ、３ｍｍ厚の円板を製作した。得られ
た円板のＹＩ値は１.１８であった。この円板を熱風乾
燥機中に１４０℃、２４０時間の条件でエージング試験
を実施した後のＹＩ値は１.３６であった。 実施例２〜５、比較例１〜４ ＢＰＡとＤＰＣのモル比、触媒種・量、添加剤量等を表
１に示すように変え、実施例１と同様な方法でポリカー
ボネートを製造、評価した。

【００４３】

【表１】

【００４４】

【発明の効果】本発明の方法によれば、特定の構造を有
する亜リン酸エステル化合物を特定の条件を満たすよう
に添加することによって、エージング処理を行っても優
れた耐熱安定性を有するポリカーボネートを製造するこ
とができ、工業的にも極めて有効な方法である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 昌敏 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社 横浜総合研究所内 (72)発明者 川井 道生 三重県四日市市東邦町１番地 三菱化学 株式会社 四日市総合研究所内 (56)参考文献 特開 平７−247354（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−247353（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C08L 69/00

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）炭酸ジエステルと芳香族ジヒドロ
   キシ化合物とを溶融重合して得られる末端水酸基量が
   １,０００ｐｐｍ以下で、且つ残留炭酸ジエステル量が
   ５００ｐｐｍ以下の芳香族ポリカーボネート中に、
   （Ｂ）下記一般式（１）のトリス（２,４-ジ-ｔ-ブチル
   フェニル）ホスファイトを１０〜１,０００ｐｐｍ含有
   することを特徴とする芳香族ポリカーボネート組成物。 【化１】
2. 【請求項２】 芳香族ポリカーボネート中のナトリウム
   量が０.０９ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項
   １に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
3. 【請求項３】 更に触媒失活剤としてｐ-トルエンスル
   ホン酸或いはｐ-トルエンスルホン酸エステルを、触媒
   金属量の１〜１０倍当量含有することを特徴とする請求
   項１に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。
4. 【請求項４】 エステル交換触媒０.０１〜１０μモル
   ／モル（芳香族ジヒドロキシ化合物に対する触媒中の金
   属の量）の存在下、炭酸ジエステルと芳香族ジヒドロキ
   シ化合物とを溶融重合して得られた、末端水酸基量が
   １,０００ｐｐｍ以下である芳香族ポリカーボネート
   （Ａ）に、（Ｂ）トリス（２,４-ジ-ｔ-ブチルフェニ
   ル）ホスファイトを１０〜１,０００ｐｐｍ配合するこ
   とを特徴とする請求項１記載の芳香族ポリカーボネート
   組成物の製造法。
5. 【請求項５】 芳香族ポリカーボネートの末端水酸基量
   をＡｐｐｍ、トリス（２,４-ジ-ｔ-ブチルフェニル）ホ
   スファイトの添加量をＢｐｐｍ、使用したエステル交換
   触媒中の金属の量をＣμモル／モル（芳香族ジヒドロキ
   シ化合物に対して）とした時、次式 【数１】 −５００≦Ａ−（Ｂ／Ｃ）≦５００ かつ ０.１≦Ａ＜１,０００、１０≦Ｂ＜５００ および ０.０１≦Ｃ＜１０ を満たす範囲で、（Ｂ）成分のトリス（２,４-ジ-ｔ-ブ
   チルフェニル）ホスファイトを配合することを特徴とす
   る請求項４に記載の芳香族ポリカーボネート組成物の製
   造法。