JP3424085B2 - i線照射によるレリーフ構造体の製造方法 - Google Patents

i線照射によるレリーフ構造体の製造方法

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JP3424085B2 JP12438394A JP12438394A JP3424085B2 JP 3424085 B2 JP3424085 B2 JP 3424085B2 JP 12438394 A JP12438394 A JP 12438394A JP 12438394 A JP12438394 A JP 12438394A JP 3424085 B2 JP3424085 B2 JP 3424085B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は写真レリーフ画像の製造
方法および特定のポリイミド前駆体と選択された光開始
剤とからなる組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】エレクトロニクス部品のポリイミドレリ
ーフ構造体を製造するための慣用方法は、光重合性ポリ
イミド前駆体の画像様露光、適当な現像液による非露光
部分の除去および引き続く生成画像のコンディショニン
グからなり、その間にポリイミドプレポリマーは耐熱性
ポリイミドに変換される。
【0003】このように、例えば、EP−A−0254
230号は必須成分として光重合性ポリイミド前駆体、
反応性C−C二重結合を含む化合物および光開始剤を含
有する耐熱性フォトレジストを記載している。
【0004】米国特許第4548891号はエステル基
が光重合性オレフィン二重結合を含むポリアミドのエス
テルをベースとする光重合性組成物を記載している。こ
の特許公報に記載された混合物は鋭いエッジを有する約
1μmまでの構造体の解像に適当であるが、水銀i線
(約360−370nm)の領域において十分に高い透
明度を有していない。しかしながら、エレクトロニクス
産業にはi線ステッパーで露光を行うことに対する要求
がある。すなわち365nmの波長を有するUV光によ
る照射で十分なコーティングの厚さにおいて光重合され
得る組成物が要求されている。
【0005】米国特許第4430418号および同第4
454220号はビス(アミノフェニル)パーフルオロ
アルカンまたはパーフルオロアルキリデンジフタル酸二
無水物から製造され、そしてi線の領域で高感度を有す
るフッ素含有ポリアミドエステルを開示している。
【0006】Polym. Eng. Sci. 29, 945-949 (1989)所
収の文献「可溶性で光学的に透明なフッ素含有光反応性
ポリイミド前駆体:有機過酸化物および有機染料配合に
よるスペクトル増感」において、T. Omote, K. Koseki
およびT. Yamaokaは種々のポリアミドエステルの吸収特
性を分析し、そしてフッ素化ポリアミドエステルが匹敵
する無ハロゲンポリイミド前駆体に比べi線領域におい
て十分により高い透明度を有することを観察している。
しかしながら、フッ素化された出発物質が高価であり、
生態学的な疑念があることは産業上の利用には不利であ
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】オキシジフタル酸また
は特定のオルト位置換芳香族ジアミンに基づいたある種
のポリアミド酸誘導体が、ヘキサフルオロイソプロピリ
デンジフタル酸二無水物に基づいた公知ポリマーが示す
ものに比べ、i線領域においてより高い透明度を有する
ことが驚くべきことに今見出された。従って、本発明
は、特定のポリイミド前駆体と選択された光開始剤とか
らなる組成物および該組成物を用いるレリーフ画像の製
造方法の提供を課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下の工程: (A)ポリマー(a)と光開始剤(b)とからなる光重
合性組成物での基材のコーティング、(B)i線領域
(約360−370nm)内のUV輻射線への、コーテ
ィングされた基材の画像様露光、(C)溶媒による非露
光部分の除去、および(D)露光および現像された材料
のコンディショニングからなり、使用されるポリマー
(a)は次式I:
【化18】 〔式中、→(矢印)は構造異性体を示し、Xは芳香族テ
トラカルボン酸の4価の基を表し、Yは2価の脂肪族
基、環状脂肪族基または単環式もしくは多環式芳香族基
を表し、Aは−COO−、−CONH−または次式:
【化19】 (式中、R2 およびR3 は互いに独立して炭素原子数1
ないし6のアルキル基または炭素原子数1ないし6のア
ルケニル基を表す)で表される基を表し、そしてR1
光重合性オレフィン二重結合を含む基を表すが、ただ
し、全てのX基の少なくとも50%はオキシジフタル酸
の基を表すか、または全てのY基の少なくとも50%は
2つのアミン窒素原子に対する4つの全てのオルト位で
互いに独立して炭素原子数1ないし6のアルキル基、炭
素原子数1ないし6のアルコキシ基または炭素原子数6
ないし14のアリール基により置換されている芳香族ジ
アミンの基を表す〕で表される反復構造単位を含むポリ
イミド前駆体である、レリーフ画像の製造方法に関す
る。
【0009】式Iで表される構造単位において→(矢
印)で示されている構造異性は、例えばピロメリット酸
(A=−COO−)の場合、以下のように表示され得
る:
【化20】
【0010】式Iにおけるあらゆるアルキル、アルケニ
ルまたはアルコキシ置換基は分岐していても、また特に
直鎖の基であってもよい。そのような置換基の例はメチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n
−ブチル基、第二ブチル基、第三ブチル基、n−ペンチ
ル基、n−ヘキシル基、ビニル基、プロペ−1−エニル
基、アリル基、メタリル基、ブテ−1−エニル基、ブテ
−2−エニル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポ
キシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、第二ブト
キシ基、第三ブトキシ基、n−ペントキシ基およびn−
ヘキソキシ基である。
【0011】式Iで表される構造単位におけるあらゆる
アリール基は非置換またはアルキル基もしくはアルコキ
シ基で置換されたアリール基、例えばフェニル基、クロ
ロフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、イ
シチル基、ビフェニル基、ナフチル基またはアントリル
基である。
【0012】本発明の好ましい態様において、ポリマー
(a)は、式I中、全てのX基の少なくとも50%、好
ましくは少なくとも80%、特に100%がオキシジフ
タル酸の基を表す反復構造単位を含むポリイミド前駆体
である。
【0013】式I中、Aが−COO−を表し、そしてR
1 がビニル基、アリル基、メタリル基または次式II:
【化21】 〔式中、R4 は水素原子またはメチル基を表し、そして
5 は次式:−Cn 2n−(式中、nは2〜12を表
す)で表される基、−CH2 CH(OH)CH2 −また
は4ないし30個の炭素原子を有するポリオキシアルキ
レン基を表す〕で表される基を表す反復構造単位を含む
ポリマーが好ましい。
【0014】適当な基R5 の例はエチレン基、プロピレ
ン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、1,2−ブ
タンジイル基、1,3−ブタンジイル基、ペンタメチレ
ン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、ドデカメ
チレン基、−CH2 CH(OH)CH2 −、−(CH2
CH2 O)m −CH2 CH2 −、
【化22】 −(CH2 CH2 CH2 O)m −CH2 CH2 CH2
および−(CH2 CH2CH2 CH2 O)m −CH2
2 CH2 CH2 −(上記式中、mは1ないし6であ
る)である。R5 は好ましくはエチレン基、プロピレン
基、トリメチレン基または−CH2CH(OH)CH2
−であり、そしてR4 は好ましくはメチル基である。R
1 は特に好ましくは、式II中、R4 がメチル基を表
し、そしてR5 がエチレン基を表す基である。
【0015】式I中、全てのX基の少なくとも50%が
オキシジフタル酸の基を表す反復構造単位を含むポリマ
ー(a)において、Yは好ましくは次式IIIないし
V:
【化23】 (式中、Tは直接結合、−CH2 −、炭素原子数2ない
し12のアルキリデン基、−C(CF3 2 −、−NH
−、−S−、−O−、−SO−、−SO2 −または−C
O−を表し、そしてR6 、R7 およびR8 は互いに独立
して水素原子または炭素原子数1ないし6のアルキル基
を表す)で表される非置換またはモノ−もしくはポリ−
炭素原子数1ないし6のアルキル基もしくは炭素原子数
1ないし6のアルコキシ基で置換された基を表す。
【0016】式I中、全てのX基の少なくとも50%が
オキシジフタル酸の基を表し、そしてYが次式VIない
しVIII:
【化24】 で表される基を表す反復構造単位を含むポリマー(a)
が特に好ましい。
【0017】本発明のその他の態様において、ポリマー
(a)は、式I中、全てのY基の少なくとも50%、好
ましくは少なくとも80%、特に100%が2つのアミ
ン窒素原子に対する4つの全てのオルト位で互いに独立
して炭素原子数1ないし6のアルキル基、炭素原子数1
ないし6のアルコキシ基または炭素原子数6ないし14
のアリール基により置換されている芳香族ジアミンの基
を表す反復構造単位を含むポリイミド前駆体である。
【0018】式I中、全てのY基の少なくとも50%が
2つのアミン窒素原子に対する4つの全てのオルト位で
互いに独立して炭素原子数1ないし6のアルキル基、炭
素原子数1ないし6のアルコキシ基または炭素原子数6
ないし14のアリール基により置換されている芳香族ジ
アミンの基を表す反復構造単位を含むポリマー(a)に
おいて、Yは好ましくは、次式IX、XまたはXI:
【化25】 (式中、R9 、R10、R11およびR12は互いに独立して
炭素原子数1ないし6のアルキル基を表し、そしてEは
直接結合、−CH2 −、炭素原子数2ないし12のアル
キリデン基、−C(CF3 2 −、−NH−、−S−、
−O−、−SO−、−SO2 −または−CO−を表す)
で表される基を表す。
【0019】式I中、全てのY基の少なくとも50%が
2つのアミン窒素原子に対する4つの全てのオルト位で
互いに独立して炭素原子数1ないし6のアルキル基、炭
素原子数1ないし6のアルコキシ基または炭素原子数6
ないし14のアリール基により置換されている芳香族ジ
アミンの基を表し、そしてYが次式:
【化26】 で表される基を表す反復構造単位を含むポリマー(a)
が特に好ましい。
【0020】式I中、全てのY基の少なくとも50%が
2つのアミン窒素原子に対する4つの全てのオルト位で
互いに独立して炭素原子数1ないし6のアルキル基、炭
素原子数1ないし6のアルコキシ基または炭素原子数6
ないし14のアリール基により置換されている芳香族ジ
アミンの基を表す反復構造単位を含むポリマー(a)に
おいて、Xは好ましくはピロメリット酸、3,3’,
4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、オキシジフタ
ル酸、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸またはヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル
酸の基を表す。
【0021】本発明の方法において使用されるべきポリ
マー(a)は種々の公知方法、例えば米国特許第454
8891号およびEP−A0254230号に記載され
た方法により製造され得る。ポリマー(a)の合成のた
めの適当な出発化合物の例は次式XII:
【化27】 (式中、Xは上で定義されたものと同じ意味を表す)で
表されるテトラカルボン酸二無水物である。
【0022】式I中、Aが−COO−を表す反復構造単
位を含むポリマー(a)は、特に、以下の合成経路によ
り製造され得る:最初に式XIIで表される二無水物を
次式:R1 −OH(式中、R1 は上で定義されたものと
同じ意味を表す)で表されるヒドロキシル化合物と反応
させると、次式XIII:
【化28】 (式中、→(矢印)は構造異性体を示す)で表されるジ
エステルジカルボン酸が得られる。式XIIIで表され
るジエステルジカルボン酸を次に好ましくは活性化誘導
体に変換し、これを次式:H2 N−Y−NH2 (式中、
Yは上で定義されたものと同じ意味を表す)で表される
ジアミンと反応させると、式I中Aが−COO−を表す
反復構造単位を含むポリアミドのエステルが得られる。
式XIIIで表されるジエステルジカルボン酸は二塩化
物を介して通常活性化される。この反応順序は米国特許
第4040831号に詳細に記載されている。F. Hayan
o およびH. Komoto によりJ. Polym. Sci. A-1, 1263
(1972) に記載された特定の活性化アミド、特にイミダ
ゾリドを介する経路がさらに参照され得る。
【0023】式XIIIで表されるジエステルジカルボ
ン酸はまた、次式:H2 N−Y−NH2 で表されるジア
ミンと、強力な縮合剤により直接縮合されると、ポリア
ミドエステルが得られる。適当な縮合剤はEP−A02
54230号によれば、特にジシクロヘキシルカルボジ
イミドまた、その他にはM. Ueda 等によりMacromolecul
es 21, 19 (1988) に、もしくはF. M. Haulihan等によ
りMacromolecules 22, 4477 (1989) に記載されたホス
ホネートである。
【0024】式I中、Aが−COO−を表す反復構造単
位を含むポリアミドエステルはまた、米国特許第455
1522号に記載の方法により製造されてもよい。該特
許公報では、式XIIで表される二無水物を次式:H2
N−Y−NH2 で表されるジアミンと最初に重縮合さ
せ、そして得られたポリ(アミド酸)をジシクロヘキシ
ルカルボジイミドまたはトリフルオロ酢酸無水物と反応
させるとポリ(イソイミド)が得られる。次にヒドロキ
シル化合物R1 −OHとの付加反応によりポリアミドエ
ステルが得られる。
【0025】式I中、Aが次式:
【化29】 で表される基を表し、そしてR2 およびR3 は上で定義
されたものと同じ意味を表す基を表す反復構造単位を含
むポリマー(a)は同様に式XIIで表されるテトラカ
ルボン酸二無水物から、例えばEP−A245230号
に記載の方法により入手され得る。この方法において、
上記のように、式XIIで表される無水物と次式:H2
N−Y−NH2 で表されるジアミンとからポリ(アミド
酸)を最初に製造し、次にこれを次式:R1 NR2 3
(式中、R1 、R2 およびR3 は上で定義されたものと
同じ意味を表す)で表されるアミンと反応させる。
【0026】式XIIで表される適当な二無水物の例は
以下のものである:ピロメリット酸二無水物、3,
3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、4,4’−チオビス(1,2−ベンゼンジカルボン
酸無水物)、4,4’−スルフィニルビス(1,2−ベ
ンゼンジカルボン酸二無水物)、3,3’,4,4’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,
4,4’−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水
物、2,2’,3,3’−ジフェニルメタンテトラカル
ボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナ
フタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,7−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、
2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパ
ン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、1,3−ジフ
ェニルヘキサフルオロプロパン−3,3,4,4−テト
ラカルボン酸二無水物、1,4,5,6−ナフタレンテ
トラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ジフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペ
リレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−ナ
フタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,8,9,1
0−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、1,1
−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水
物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エ
タン二無水物、1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボ
ン酸二無水物、およびそれらの炭素原子数1ないし6の
アルキル基および炭素原子数1ないし6のアルコキシ基
誘導体。これらの化合物は公知であり、そしていくつか
は市販のものが利用できる。また、上記二無水物の混合
物を用いることも可能である。
【0027】使用される出発化合物H2 N−Y−NH2
は脂肪族、環状脂肪族または芳香族ジアミンであってよ
い。脂肪族ジアミンの例は1,2−ジアミノエタン、
1,2−ジアミノプロパン、1,3−ジアミノプロパ
ン、1,4−ジアミノブタンおよび1,6−ジアミノヘ
キサンである。適当な環状脂肪族ジアミンの例は1,2
−および1,3−ジアミノシクロペンタン、1,2−、
1,3−および1,4−ジアミノシクロヘキサン、1,
2−、1,3−および1,4−ビス(アミノメチル)シ
クロヘキサン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタ
ン、ビス(3−アミノシクロヘキシル)メタン、4,
4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルシクロヘキシルメ
タンおよびイソホロンジアミンである。
【0028】言及し得る適当な芳香族ジアミンの例は以
下のものである:m−およびp−フェニレンジアミン、
ジアミノトルエン、4,4’−および3,3’−ジアミ
ノビフェニル、4,4’−および3,3’−ジアミノジ
フェニルエーテル、4,4’−および3,3’−ジアミ
ノジフェニルメタン、4,4’−および3,3’−ジア
ミノジフェニルスルホン、4,4’−および3,3’−
ジアミノジフェニルフルフィド、4,4’−および3,
3’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジメチル−
4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジメチル−
4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメトキシ
−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2−ビス(4−
アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ
フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3
−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)プロパン、2,2
−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン、4,4’−ジアミノパラターフェニ
ル、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニ
ル、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ス
ルホン、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕スルホン、ビス〔4−(2−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕スルホン、1,4−ビス(4−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、9,10−ビス(4−アミノフェニル)
アントラセン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミ
ノジフェニルスルホン、1,3−ビス(4−アミノフェ
ノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェニル)ベ
ンゼン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕エーテル、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミ
ノジフェニルメタン、3,3’−ジメチル−4,4’−
ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノオクタ
フルオロビフェニル、2,2−ビス〔4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン、9,9−ビス(4−アミノフェニル)
−10−ヒドロアントラセン、3,3’,4,4’−テ
トラアミノビフェニル、3,3’,4,4’−テトラア
ミノジフェニルエーテル、1,4−ジアミノアントラキ
ノン、1,5−アミノアントラキノン、ビス〔4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4−
(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス
〔4−(2−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、
3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニ
ル、9,9’−ビス(4−アミノフェニル)フルオレ
ン、4,4’−ジメチル−3,3’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,
4’−ジアミノジフェニルメタン、2,4−および2,
5−ジアミノクメン、2,5−ジメチル−p−フェニレ
ンジアミン、アセトグアナミン、2,3,5,6−テト
ラメチル−p−フェニレンジアミン、2,4,6−トリ
メチル−m−フェニレンジアミン、ビス(3−アミノプ
ロピル)テトラメチルジシロキサン、2,7−ジアミノ
フルオレン、2,5−ジアミノピリジン、1,2−ビス
(4−アミノフェニル)エタン、ジアミノベンザニリ
ド、ジアミノ安息香酸のエステル、1,5−ジアミノナ
フタレン、ジアミノベンゾトリフルオリド、ジアミノア
ントラキノン、1,3−ビス(4−アミノフェニル)ヘ
キサフルオロプロパン、1,4−ビス(4−アミノフェ
ニル)オクタフルオロブタン、1,5−ビス(4−アミ
ノフェニル)デカフルオロペンタン、1,7−ビス(4
−アミノフェニル)テトラドデカフルオロヘプタン、
2,2−ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔4−(2
−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)−
3,5−ジメチルフェニル〕ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)−3,5
−ビス(トリフルオロメチル)フェニル〕ヘキサフルオ
ロプロパン、p−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロ
メチルフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4−ア
ミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニ
ル、4,4’−ビス(4−アミノ−3−トリフルオロメ
チルフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(4−ア
ミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ジフェニル
スルホン、4,4’−ビス(3−アミノ−5−トリフル
オロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホン、2,2−
ビス〔4−(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェ
ノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、3,
3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ジアミノビ
フェニル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノ
ビフェニル、2,2’,5,5’,6,6’−ヘキサフ
ルオロトリジンおよび4,4’’’−ジアミノクオータ
ーフェニル。
【0029】次式:R1 −OHで表される適当なヒドロ
キシル化合物の例はビニルアルコール、アリルアルコー
ル、メタリルアルコール、2−ヒドロキシエチルアクリ
レート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、3−ヒ
ドロキシプロピルアクリレート、3−ヒドロキシプロピ
ルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレー
ト、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、4−ヒド
ロキシブチルアクリレート、4−ヒドロキシブチルメタ
クリレート、ジエチレングリコールモノアクリレート、
ジエチレングリコールモノメタクリレート、トリエチレ
ングリコールモノアクリレート、トリエチレングリコー
ルモノメタクリレート、ジプロピレングリコールモノア
クリレート、ジプロピレングリコールモノメタクリレー
ト、2,3−ジヒドロキシプロピルアクリレートおよび
メタクリレートである。
【0030】本発明に係る方法の工程(A)において用
いられる光重合性組成物はポリマー(a)および少なく
とも1種の光開始剤(b)の他に、所望するならば、
(c)芳香族もしくは脂肪族ポリオールのアクリル酸も
しくはメタクリル酸エステル、芳香族もしくは脂肪族ポ
リオールのアリルエーテルまたは芳香族もしくは脂肪族
ポリカルボン酸のアリルエステルを含有する。
【0031】成分(b)は原理的に、水銀i線の領域に
おいて十分に高い感度を有する当業者には公知のあらゆ
る光開始剤であってよい。そのような光開始剤の例は例
えばK. K. Dietliker により『コーティング、インクお
よび塗料のためのUVおよびEB配合剤の化学と技術』
第3巻に所収の「フリーラジカルおよびカチオン重合の
ための光開始剤」に挙げられている。適当な化合物の例
はベンゾインエーテル例えばベンゾインメチルエーテ
ル、ケタール、例えばジエトキシアセトフェノンおよび
ベンジルジメチルケタール、ヘキサアリールビスイミダ
ゾール、キノン、例えば2−第三ブチルアントラキノ
ン、およびチオキサントンであり、それらはアミン補助
開始剤、例えばチオキサントン、2−イソプロピルチオ
キサントンおよび2−クロロチオキサントンと組合せて
使用されるのが好ましい。光開始剤(b)は好ましく
は、例えばEP−A0119162号から公知のチタノ
センである。
【0032】成分(c)の付随した使用は本発明にとっ
て絶対必要なものではないが、それが光重合性組成物の
感光性の明らかな向上(露光時間の短縮)をもたらすの
で好ましい。光開始剤(b)は成分(a)または成分
(a)と(c)との合計に基づいて0.1−20重量
%、特に0.5−10重量%の量で添加されるのが好ま
しい。組成物は好ましくは成分(a)を50−97.5
重量%、特に70−95重量%の量で、そして成分
(c)を2.5−50重量%、特に5−30重量%の量
で含有する。成分(a)を85−90重量%および成分
(c)を10−15重量%含有する組成物が特に好まし
い。
【0033】成分(c)は例えばエーテル、そして特に
アクリル酸またはメタクリル酸と芳香族ポリオールおよ
び特に脂肪族ポリオール、中でも2ないし30個の炭素
原子を有する該ポリオールまたは環状脂肪族ポリオー
ル、好ましくは5または6個の環炭素原子を有する該ポ
リオールとのエステルおよび部分エステルであってよ
い。これらのポリオールはまた、エポキシド、例えばエ
チレンオキシドまたはプロピレンオキシドにより変性さ
れていてもよい。ポリオキシアルキレングリコールのエ
ステルおよび部分エステルもまた適当である。
【0034】適当な成分(c)の例は以下のものであ
る:エチレングリコールジアクリレート、エチレングリ
コールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアク
リレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、ト
リエチレングリコールジアクリレート、トリエチレング
リコールジメタクリレート、テトラエチレングリコール
ジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリ
レート、平均分子量200−2000の範囲のポリエチ
レングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチレロ
ールプロパンエトキシレートトリ(メタ)アクリレー
ト、平均分子量500−1500の範囲のトリメチロー
ルプロパンポリエトキシレートトリ(メタ)アクリレー
ト、ペンタエリトリトールトリ(メタ)アクリレート、
ペンタエリトリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタ
エリトリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタ
エリトリトールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリ
トリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリト
リトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリト
リトールヘキサ(メタ)アクリレート、トリペンタエリ
トリトールオクタ(メタ)アクリレート、1,3−ブタ
ンジオールジ(メタ)アクリレート、ソルビトールトリ
(メタ)アクリレート、ソルビトールテトラ(メタ)ア
クリレート、ソルビトールペンタ(メタ)アクリレー
ト、ソルビトールヘキサ(メタ)アクリレート、オリゴ
エステル(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メ
タ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレ
ート、1,4−シクロヘキサンジ(メタ)アクリレー
ト、平均分子量500−1500の範囲のポリエチレン
グリコールのビス(メタ)アクリレート、エチレングリ
コールジアリルエーテル、トリメチロールプロパントリ
アリルエーテル、ペンタエリトリトールトリアリルエー
テル、コハク酸およびアジピン酸のジアリルエーテル、
または上記化合物の混合物。
【0035】感光性組成物はその他の慣用の添加剤、例
えば安定剤、特に熱重合阻害剤、例えばチオジフェニル
アミンおよびアルキルフェノール、例えば4−第三ブチ
ルフェノール、2,5−ジ第三ブチルヒドロキノンまた
は2,6−ジ第三ブチル−4−メチルフェノールを含有
し得る。その他の適当な開始剤および増感剤は例えば芳
香族ケトン、例えばテトラメチルジアミノベンゾフェノ
ン、ベンゾフェノン、ミヒラーケトンおよびその他の芳
香族ケトン、例えば米国特許第3552973号に開示
の化合物、ベンゾイン、ベンゾインエーテル、例えばベ
ンゾインメチルエーテル、メチルベンゾイン、エチルベ
ンゾイン、p−マレイミドベンゼンスルホニルアジド、
チオキサントン誘導体、例えばチオキサントン、2−ク
ロロチオキサントンまたは2−イソプロピルチオキサン
トン、またはビスアジド、例えば2,6−(4’−アジ
ド−4−ベンジリデン)メチルシクロヘキサン−1−オ
ンである。
【0036】その他の添加剤は、単独でまたは組み合わ
せて使用され得る溶媒、例えばN−メチルピロリドン、
γ−ブチロラクトン、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド
およびヘキサメチルリン酸トリアミド;顔料、染料、充
填剤、接着剤、水和剤および可塑剤、さらにはその固有
の吸収により混合物のスペクトル感度に影響を与え得る
染料である。
【0037】感光性組成物はこの目的のためには慣用の
装置中で各成分を混合することにより製造される。
【0038】感光性組成物はあらゆるタイプの基材、例
えば保護コーティングまたは写真画像が光重合により適
用されるべきである、セラミックス、金属、例えば銅ま
たはアルミニウム、半金属および半導体材料、例えばシ
リコン、ゲルマニウム、GaAs、SiO2 およびSi
3 4 層のためのコーティング組成物として非常に適し
ている。
【0039】コーティング(被覆)された基材は、例え
ば組成物の溶液または懸濁液を調製することにより製造
され得る。溶媒および濃度の選択は主に組成物の種類や
コーティング方法に依存する。溶液は公知のコーティン
グ方法、例えば回転コーティング、浸漬、ナイフコーテ
ィング、カーテンコーティング、ブラシ、吹付、特に静
電吹付および逆転ロールコーティングにより基材に均一
に塗布される。一時的な可撓性支持体に感光性コーティ
ングを適用し、次に積層により前記コーティングを移送
して最終的な基材、例えば銅張回路板を覆うことが可能
である。
【0040】塗布速度(適用率,コーティング厚さ)お
よび基材の種類(コーティング支持体)は適用の所望部
分に依存する。感光性組成物が約0.5μmから100
μm以上に及ぶ非常に様々なコーティング厚さで用いら
れ得ることは特に有利である。
【0041】(メタ)アクリレートや同様のオレフィン
性不飽和化合物の光重合は公知のように大気中の酸素に
より、特に薄いコーティングにおいて阻害される。この
影響は慣用の方法、例えばポリビニルアルコールの一時
的上塗りの適用や不活性雰囲気下での予備露光または予
備コンディショニングにより低減され得る。
【0042】コーティング操作の後、溶媒は一般に乾燥
により除去されて、支持体上の感光性組成物のコーティ
ングを与える。水銀i線(約360−370nm)領域
内のUV輻射線への前記材料の慣用方法での画像様露光
の後、フォトレジストの非露光部分は現像剤中への溶解
により除去される。適当な現像剤の例は極性溶媒、例え
ばN−メチルピロリドン、N−アセチルピロリドン、γ
−ブチロラクトン、エチレングリコールモノメチルエー
テル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシドおよびシクロヘキサノン、所望す
るならば、その他の溶媒、例えばトルエン、キシレン、
エタノール、メタノール、イソプロパノール、n−ブチ
ルアセテートまたはアセトンとの組合せである。
【0043】現像の後、コーティングされた材料は、好
ましくは300ないし400℃の温度でコンディショニ
ングを行うと、高められた温度で安定であるレリーフ構
造体が得られ、その間にポリイミド前駆体は耐熱性ポリ
イミドに変換され、そして揮発性成分が除去される。
【0044】本発明に係る方法はi線露光の間の高い感
度により区別され、そしてエッジの非常にシャープな耐
熱性および耐薬品性のレリーフ構造体を与える。本発明
に係る方法を適用し得る範囲はエレクトロニクスのため
のフォトレジスト(電気めっきレジスト,エッチレジス
トまたはソルダーレジスト)としての用途、印刷版、例
えばオフセット印刷版またはスクリーン印刷版の製造、
化学ミルにおける用途および特にポリイミド保護ラッカ
ーの製造およびエレクトロニクス、中でもマイクロエレ
クトロニクスにおける絶縁コーティングである。
【0045】上記のポリマー(a)とチタノセン光開始
剤とからなる組成物は新規であり、本発明のその他の主
題を形成する。従って、本発明は、(a)次式I:
【化30】 〔式中、Xは芳香族テトラカルボン酸の4価の基を表
し、Yは2価の脂肪族基、環状脂肪族基または単環式も
しくは多環式芳香族基を表し、Aは−COO−、−CO
NH−または次式:
【化31】 (式中、R2 およびR3 は互いに独立して炭素原子数1
ないし6のアルキル基または炭素原子数1ないし6のア
ルケニル基を表す)で表される基を表し、そしてR1
光重合性オレフィン二重結合を含む基を表すが、ただ
し、全てのX基の少なくとも50%はオキシジフタル酸
の基を表すか、または全てのY基の少なくとも50%は
2つのアミン窒素原子に対する4つの全てのオルト位で
互いに独立して炭素原子数1ないし6のアルキル基、炭
素原子数1ないし6のアルコキシ基または炭素原子数6
ないし14のアリール基により置換されている芳香族ジ
アミンの基を表す〕で表される反復構造単位を含むポリ
マー、および(b)次式XIV:
【化32】 (式中、両方の基R13は互いに独立して水素原子または
炭素原子数1ないし6のアルキル基を表し、R14および
15は炭素原子数1ないし6のアルキル基、炭素原子数
6ないし14のアリール基または複素環式5もしくは6
員脂肪族もしくは芳香族環を表し、そしてpは2ないし
5の数を表すが、ただし、各々の場合において2つのフ
ッ素原子は2つのフェニル環のオルト位を占める)で表
されるチタノセンからなる組成物に関する。基R13は好
ましくは同一の置換基を表す。特に、両方のR13基は水
素原子またはメチル基を表す。
【0046】本発明に係る組成物における成分(b)は
特に好ましくは次式XVないしXVIII:
【化33】 で表されるチタノセンである。
【0047】本発明に係る方法において使用され得るそ
の他の好ましい光開始剤は例えば米国特許第50194
82号に開示されているオキシムエステルである。何種
類かの特定のトリケトンオキシムエステルが使用される
ならば、混合物は高温で温められても黒化しないこと
が、驚くべきことに見出された。
【0048】さらに、本発明は、(a)上記式Iで表さ
れる反復構造単位を含むポリマー、(b)次式XX:
【化34】 (式中、基R17は互いに独立してp−トリル基、p−ア
ルコキシフェニル基またはメシチル基を表し、そしてR
18は炭素原子数1ないし6のアルキルカルボニル基、炭
素原子数1ないし6のアルコキシカルボニル基、炭素原
子数6ないし14のアリールカルボニル基または炭素原
子数6ないし14のアリールオキシカルボニル基を表
す)で表されるトリケトンオキシムエステル、および
(c)芳香族もしくは脂肪族ポリオールのアクリル酸も
しくはメタクリル酸エステル、芳香族もしくは脂肪族ポ
リオールのアリルエーテルまたは芳香族もしくは脂肪族
ポリカルボン酸のアリルエステルからなる組成物に関す
る。
【0049】式XXで表されるトリケトンオキシムエス
テルは公知方法、例えば相当するトリケトンのオキシム
への変換〔例えば『有機合成 (Organic Synthesis)』第
40巻,第21−23頁の記載に従って〕、それに続く
酸クロライドまたはクロホルメートとの反応により製造
され得る。式XXで表される好ましい化合物において、
17はp−トリル基を表し、そしてR18は炭素原子数6
ないし14のアリールカルボニル基を表す。特に好まし
いのは次式XXa:
【化35】 で表される化合物である。一般に、本発明に係る組成物
は成分(a)に基づいて成分(b)を1−10重量%、
そして成分(c)を1−20重量%含有する。
【0050】本発明はさらに、(a)上記式Iで表され
る反復構造単位を含むポリマー、(b)上記式XXで表
されるトリケトンオキシムエステル、(c)芳香族もし
くは脂肪族ポリオールのアクリル酸もしくはメタクリル
酸エステル、芳香族もしくは脂肪族ポリオールのアリル
エーテルまたは芳香族もしくは脂肪族ポリカルボン酸の
アリルエステル、および(d)次式XXI:
【化36】 (式中、2つのR19基は互いに独立して炭素原子数1な
いし3のアルキル基または炭素原子数1ないし3のヒド
ロキシアルキル基を表すか、またはN原子と一緒になっ
てモルホリン基を形成し、そしてR20は炭素原子数1な
いし3のアルキル基、炭素原子数2ないし5のアルキル
カルボニル基または炭素原子数7ないし10のアリール
カルボニル基を表す)で表される芳香族アミンからなる
組成物に関する。
【0051】式XXIで表される適当な芳香族アミンの
例は4−ジメチルアミノアセトフェノン、4−モルホリ
ノアセトフェノン、4−ジメチルアミノベンゾフェノ
ン、4−モルホリノベンゾフェノン、N−フェニルジエ
タノールアミン、N−p−トリルジエチルアミンおよび
N−p−トリルジエタノールアミンである。式XXIで
表される芳香族アミンは成分(a)に基づいて0.5−
5重量%の量で一般に用いられる。
【0052】i線以外の波長での露光が同様に望まれる
ならば、その他のスペクトル領域、例えば、その他の光
増感剤の添加によりg線(436nm)の波長での感光
性(光増感性)をさらに生成させることが可能である。
それ故に、本発明は、さらに、(a)上記式Iで表され
る反復構造単位を含むポリマー、(b)上記式XXで表
されるトリケトンオキシムエステル、(c)芳香族もし
くは脂肪族ポリオールのアクリル酸もしくはメタクリル
酸エステル、芳香族もしくは脂肪族ポリオールのアリル
エーテルまたは芳香族もしくは脂肪族ポリカルボン酸の
アリルエステル、(d)上記式XXIで表される芳香族
アミン、および(e)次式XXII:
【化37】 (式中、R21およびR22は互いに独立して炭素原子数1
ないし6のアルキル基を表し、そしてR18は炭素原子数
1ないし6のアルキルカルボニル基、炭素原子数1ない
し6のアルコキシカルボニル基、炭素原子数6ないし1
4のアリールカルボニル基または炭素原子数6ないし1
4のアリールオキシカルボニル基を表す)で表されるク
マリンからなる組成物に関する。
【0053】成分(e)は好ましくは米国特許第501
9482号に開示されているようなクマリンである。特
に好ましいのは、次式XXIIa:
【化38】 で表されるクマリンである。次式XXIIで表されるク
マリンは成分(a)に基づいて0.1−5重量%の量で
一般に使用される。
【0054】本発明に係る組成物の感光性は、少なくと
も1個のメルカプト基を有する芳香族複素環式化合物の
添加によりさらに高められ得る。そのような化合物の例
は以下のものである:2−メルカプトベンズイミダゾー
ル、2−メルカプトベンゾチアゾール、1−フェニル−
5−メルカプト−1H−テトラゾール、2−メルカプト
−4−フェニルチアゾール、2−アミノ−5−メルカプ
ト−フェニルチアゾール、2−アミノ−4−メルカプト
−1,3,4−チアゾール、2−メルカプトイミダゾー
ル、2−メルカプト−5−メチル−1,3,4−チアゾ
ール、5−メルカプト−1−メチル−1H−テトラゾー
ル、2,4,6−トリメルカプト−s−トリアジン、2
−ジブチルアミノ−4,6−ジメルカプト−s−トリア
ジン、2,5−ジメルカプト−1,3,4−チアジアゾ
ール、5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール、
1−エチル−5−メルカプト−1,2,3,4−テトラ
ゾール、2−メルカプト−6−ニトロチアゾール、2−
メルカプトベンゾキサゾール、4−フェニル−2−メル
カプトチアゾール、メルカプトピリジン、2−メルカプ
トキノリン、1−メチル−2−メルカプトイミダゾール
および2−メルカプト−β−ナフトチアゾール。そのよ
うなメルカプト化合物は一般に、成分(a)に基づいて
0.5−5重量%の量で使用される。2−メルカプトベ
ンゾイミダゾールが好ましい。
【0055】本発明のその他の好ましい態様は、(a)
上記式Iで表される反復構造単位を含むポリマー、
(b)次式XXIII:
【化39】 〔式中、R23およびR24は互いに独立して水素原子また
は炭素原子数1ないし6のアルコキシ基を表し、そして
25は炭素原子数6ないし14のアリール基または次式
XXIV:
【化40】 (式中、R23およびR24は式XXIIIに対して定義さ
れたものと同じ意味を表す)で表される基を表す〕で表
されるクマリン、および(c)次式XXV:
【化41】 (式中、R26は水素原子、メチル基、エチル基、i−プ
ロピル基、t−ブチル基、フェニル基、メトキシ基、エ
トキシ基、ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル基、ジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、アセチル基、プロピ
オニル基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、−N
HCONH2 または−NHCOOCH3 を表す)で表さ
れるアミノ酸、および所望するならば、(d)芳香族も
しくは脂肪族ポリオールのアクリル酸もしくはメタクリ
ル酸エステル、芳香族もしくは脂肪族ポリオールのアリ
ルエーテルまたは芳香族もしくは脂肪族ポリカルボン酸
のアリルエステルからなる組成物に関する。
【0056】式XXIIIで表されるクマリンは例えば
米国特許第4278751号に開示されている。式XX
III中、基R23およびR24の一方はメトキシ基を表す
クマリンが好ましい。特に好ましいのは3−ベンゾイル
−7−メトキシクマリンである。式XXVで表されるア
ミノ酸は同様に公知であり、そして例えば特開平3−1
70551号に記載されている。N−フェニルグリシン
が好ましい。本発明に係る組成物は、成分(a)に基づ
いて、式XXIIIで表されるクマリンを0.2−5重
量%、式XXVで表されるアミノ酸を0.5−10重量
%、そして成分(d)を0−20重量%含有する。
【0057】式XXIIIで表されるクマリンと組み合
わせて使用され得るその他の適当な増感剤は特開平3−
170552号に記載されているオキサゾロンである。
それ故に、本発明はまた、(a)上記式Iで表される反
復構造単位を含むポリマー、(b)上記式XXIIIで
表されるクマリン、(c)次式XXVI:
【化42】 〔式中、R27は次式XXVIIまたはXXVIII:
【化43】 (式中、R28は水素原子、メチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル
基、フェニル基、ヒドロキシル基、メトキシ基、エトキ
シ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基、フェノキシ
基、ベンジル基、2−フェニルエチル基、ヒドロキシメ
チル基、2−ヒドロキシエチル基、アセチル基、プロピ
オニル基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、
アミノメチル基、2−アミノエチル基、メチルアミノ
基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、−CONH
2 、−CONHCH3 、−CON(CH3 2 、−CO
NHC2 5 または−CON(C2 5 2 を表す)で
表される基を表す〕で表されるオキサゾロン、および所
望するならば、(d)芳香族もしくは脂肪族ポリオール
のアクリル酸もしくはメタクリル酸エステル、芳香族も
しくは脂肪族ポリオールのアリルエーテルまたは芳香族
もしくは脂肪族ポリカルボン酸のアリルエステルからな
る組成物に関する。成分(c)として好ましいオキサゾ
ロンは3−フェニル−5−イソオキサゾロンである。
【0058】本発明に係る組成物のi線領域における高
い透明性の故に、該組成物は上記の方法によるレリーフ
構造体の製造に特に適している。しかしながら、これら
の組成物は約200nmないし約600nmの広い範囲
で高い感光性を有するので、それらの用途はi線露光に
制限されない。むしろ、非常に広範囲の波長の化学線が
使用され得る。広いバンド露光が不連続の波長(例えば
g線)での照射と同様に可能である。
【0059】
【実施例】以下の実施例で本発明をさらに説明する。 I.ポリイミド前駆体の製造 I.1 オキシジフタル酸二無水物、2−ヒドロキシエ
チルメタクリレートおよび4,4’−ジアミノジフェニ
ルエーテルからのポリアミドエステル 攪拌機、コンデンサーおよび内部温度計を取りつけた平
底ジョイントを備えた500mlの乾燥反応器中で水分
を除去しながら、オキシジフタル酸二無水物20g(6
4.5ミリモル)をジグリム140ml中に懸濁させ
る。2−ヒドロキシエチルメタクリレート16.8g
(129ミリモル)、ヒドロキノン0.05gおよびピ
リジン10.7g(135ミリモル)を続いて添加す
る。混合物を60℃まで温めると、透明溶液が得られ、
これをさらに18時間攪拌する。
【0060】混合物を−20℃まで冷却した後、塩化チ
オニル16.1g(135.5ミリモル)を90分かけ
て滴下により添加すると、ピリジニウムヒドロクロリド
の白色沈澱が得られる。混合物を室温まで温め、そして
さらに2時間攪拌する。ピリジン9.7g(123ミリ
モル)およびN−メチルピロリドン(NMP)25ml
を添加すると、透明溶液が得られる。4,4’−ジアミ
ノジフェニルエーテル11.8g(58.7ミリモル)
をNMP100ml中に溶解させ、反応溶液に1時間か
けて滴下により添加すると、その間に粘度は絶えず上昇
する。この混合物をさらに2時間攪拌する。ポリマーは
引続き水4l中に沈澱し、水で十分に洗浄し、そして高
減圧下45℃で乾燥させると、以下の物理的データを有
する無色生成物が得られる。 インヘレント粘度:ηinh =0.31dl/g 平均分子量 :Mw =25500g/モル Mn = 3800g/モル これまで文献に記載されていない物質がその 1H NM
Rスペクトルから確認される。
【0061】I.2 3,3’,4,4’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、2−ヒドロキシエチル
メタクリレート、4,4’−メチレン−ビス−(2−エ
チル−6−メチルアニリン)(70%)および1,4’
−ジアミノジュロール(30%)からのポリアミドエス
テル 攪拌機、コンデンサーおよび内部温度計を取りつけた平
底ジョイントを備えた500mlの乾燥反応器中で水分
を除去しながら、3,3’,4,4’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物22.55g(70ミリモ
ル)をジグリム140ml中に懸濁させる。2−ヒドロ
キシエチルメタクリレート18.22g(140ミリモ
ル)、ヒドロキノン0.05gおよびピリジン23.2
6g(294ミリモル)を続いて添加する。混合物を6
0℃まで温めると、透明溶液が得られ、これをさらに1
8時間攪拌する。
【0062】混合物を−20℃まで冷却した後、塩化チ
オニル17.18g(114ミリモル)を90分かけて
滴下により添加すると、ピリジニウムヒドロクロリドの
白色沈澱が形成される。混合物を0℃まで温め、そして
さらに1時間攪拌する。NMP25mlを添加した後、
4,4’−メチレンビス(2−エチル−6−メチルアニ
リン)13.84gおよび1,4−ジアミノジュロール
3.45gをNMP140ml中に溶解させ、反応溶液
に1時間かけて滴下により添加すると、その間に粘度は
絶えず上昇する。この混合物をさらに1時間攪拌する。
エタノール25mlを添加し、そして混合物をさらに3
0分間攪拌する。ポリマーは引続き水4l中に沈澱し、
水で十分に洗浄し、そして高減圧下45℃で乾燥させる
と、以下の物理的データを有する無色生成物が得られ
る。 インヘレント粘度:ηinh =0.26dl/g
【0063】I.3 オキシジフタル酸二無水物、2−
ヒドロキシエチルメタクリレート、4,4’−メチレン
ビス(2−エチル−6−メチルアニリン)(70%)お
よび1,4’−ジアミノジュロール(30%)からのポ
リアミドエステルオキシフタル酸二無水物21.71g
(70ミリモル)、2−ヒドロキシエチルメタクリレー
ト18.22g(140ミリモル)、4,4’−メチレ
ンビス(2−エチル−6−メチルアニリン)13.56
gおよび1,4−ジアミノジュロール3.38gから実
施例I.2と同様にポリアミドエステルが製造される。
無色生成物はインヘレント粘度:ηinh =0.21dl
/gを有する。
【0064】II.使用実施例 II.1 以下の組成: 実施例I.1からのポリイミド前駆体 40.0重量%、 1,4−ベンゾキノン 0.08重量%、 式XVIIIで表されるチタノセン 1.4重量%、 テトラエチレングリコールジメタクリレート 6.0重量%および N−メチルピロリドン 52.52重量% から調製された配合物を一晩回転(roll)させると、透明
樹脂溶液が得られ、これを次に孔の幅が0.8μmのフ
ィルターを通す加圧濾過に供する。樹脂溶液を、接着促
進剤γ−アミノプロピルトリエトキシシランで前処理し
たシリコンウエハー上に回転コーティングし(3900
rpm,25秒)、そしてコーティングされたウエハー
をホットプレート上100℃で5分間乾燥させると、シ
リコンウエハー上に厚さ15μmの均一なポリマーコー
ティングが得られる。ウエハーを引続き、1μmまでの
ポジ/ネガ構造体を有するジーメンス・クロミウム・マ
スクを備えたカール・ズュスMJB55露光機を用いて
真空接触で露光する。単色i線露光のために、ランプス
ペクトルからの相当する線が365nmで水銀干渉フィ
ルターを用いて透過される。輻射線出力はOAIパワー
メターおよび365nmプローブを用いて測定される。
高解像微細構造体は以下の噴霧工程: γ−ブチロラクトン/キシレン(1:1) 45秒 γ−ブチロラクトン/キシレン(1:3) 5秒 キシレン 10秒 を用いる噴霧法により現像される。
【0065】上記の操作において、良好な構造体を製造
するために350mJ/cm2 の露光エネルギーが必要
である。良好なエッジの鋭さ(鮮鋭度,シャープさ)を
有する高解像レリーフ構造体が得られ、幅10μmまで
の線が解像されている。走査電子顕微鏡下で、構造体は
材料の均質な性質を示す。試料は350℃で60分間コ
ンディショニングされ、その間にコーティング厚さは
9.5μmまで減少するが、解像度およびエッジの鋭さ
は変化しない。構造体は基材に対する優れた接着性を有
し、そして泡や亀裂を含まない。
【0066】II.2 以下の組成: 実施例I.2からのポリイミド前駆体 35.5重量%、 1,4−ベンゾキノン 0.08重量%、 式XVIIIで表されるチタノセン 1.24重量%、 テトラエチレングリコールジメタクリレート 5.32重量%および N−メチルピロリドン 57.86重量% から調製された配合物を一晩回転させると、透明樹脂溶
液が得られ、これを次に孔の幅が0.8μmのフィルタ
ーを通す加圧濾過に供する。樹脂溶液を、接着促進剤γ
−アミノプロピルトリエトキシシランで前処理したシリ
コンウエハー上に回転コーティングし(2200rp
m,30秒)、そしてコーティングされたウエハーをホ
ットプレート上100℃で5分間乾燥させると、シリコ
ンウエハー上に厚さ15μmの均一なポリマーコーティ
ングが得られる。ウエハーを引続き、1μmまでのポジ
/ネガ構造体を有するジーメンス・クロミウム・マスク
を備えたカール・ズュスMJB55露光機を用いて真空
接触で露光する。単色i線露光のために、ランプスペク
トルからの相当する線が365nmで水銀干渉フィルタ
ーを用いて透過される。輻射線出力はOAIパワーメタ
ーおよび365nmプローブを用いて測定される。高解
像微細構造体は以下の噴霧工程: γ−ブチロラクトン/キシレン(1:1) 60秒 γ−ブチロラクトン/キシレン(1:3) 5秒 キシレン 15秒 を用いる噴霧法により現像される。
【0067】上記の操作において、良好な構造体を製造
するために200mJ/cm2 の露光エネルギーが必要
である。良好なエッジの鋭さを有する高解像レリーフ構
造体が得られ、幅10μmまでの線が解像されている。
走査電子顕微鏡下で、構造体は材料の均質な性質を示
す。試料は350℃で60分間コンディショニングさ
れ、その間にコーティング厚さは10.7μmまで減少
するが、解像度およびエッジの鋭さは変化しない。構造
体は基材に対する優れた接着性を有し、そして泡や亀裂
を含まない。
【0068】II.3 以下の組成: 実施例I.2からのポリイミド前駆体 33.54重量%、 1,4−ベンゾキノン 0.07重量%、 式XXaで表されるトリケトンオキシムエステル 1.68重量%、 N−フェニルジエタノールアミン 0.67重量%、 2−メルカプトベンゾチアゾール 0.67重量%、 テトラエチレングリコールジメタクリレート 5.03重量%および N−メチルピロリドン 58.34重量% から実施例II.2と同様に配合物を調製し、そして接
着促進剤γ−アミノプロピルトリエトキシシランで前処
理したシリコンウエハー上に回転コーティングする(2
200rpm,30秒)。このようにして得られた15
μmの厚さを有するポリマーコーティングを引続き使用
実施例II.1と同様に処理する〔550mJ/cm2
(365nm,i線)の露光エネルギーが必要であ
る〕。良好なエッジの鋭さを有する高解像レリーフ構造
体が得られ、幅8μmまでの線が解像されている。試料
は350℃で60分間コンディショニングされ、その間
にコーティング厚さは8.5μmまで減少するが、解像
度およびエッジの鋭さは変化しない。
【0069】II.4 以下の組成: 実施例I.2からのポリイミド前駆体 35.54重量%、 1,4−ベンゾキノン 0.07重量%、 式XXaで表されるトリケトンオキシムエステル 1.67重量%、 N−フェニルジエタノールアミン 0.67重量%、 2−メルカプトベンゾチアゾール 0.67重量%、 式XXIIaで表されるクマリン 0.20重量%、 テトラエチレングリコールジメタクリレート 5.02重量%および N−メチルピロリドン 58.23重量% から実施例II.2と同様に配合物を調製し、そして接
着促進剤γ−アミノプロピルトリエトキシシランで前処
理したシリコンウエハー上に回転コーティングする(2
200rpm,30秒)。15μmの厚さを有する均一
なポリマーコーティングがこのようにしてシリコンウエ
ハー上に得られる。ウエハーを引続き、2種の異なる波
長でカール・ズュスMJB55露光機を用いて真空接触
で露光する: a)いくつかのウエハーは365nmの波長を有する光
(i線,365nmの波長を有する干渉フィルターによ
り生成,露光エネルギー600mJ/cm2 ,OAIパ
ワーメーターの365nmプローブを用いて測定)が照
射される; b)残りのウエハーは436nmの波長を有する光(g
線,436nmの波長を有する干渉フィルターにより生
成,露光エネルギー750mJ/cm2 ,OAIパワー
メーターの365nmプローブを用いて測定)が照射さ
れる。露光されたウエハーは引続き実施例II.1と同
様に現像され、8μmの線幅を有する高解像構造体がコ
ンディショニング(350℃で60分間)の後に得ら
れ、8.3nmのコーティング厚さがi線およびg線露
光の後に得られる。
【0070】II.5 以下の組成: 実施例I.1からのポリイミド前駆体 34.23重量%、 1,4−ベンゾキノン 0.07重量%、 3−ベンゾイル−7−メトキシクマリン 0.34重量%、 N−フェニルグリシン 1.71重量% ポリエチレングリコール400ジアクリレート 4.11重量%および N−メチルピロリドン 59.54重量% から調製された配合物を一晩回転させると、透明樹脂溶
液が得られ、これを次に孔の幅が0.8μmのフィルタ
ーを通す加圧濾過に供する。樹脂溶液を、接着促進剤γ
−アミノプロピルトリエトキシシランで前処理したシリ
コンウエハー上に回転コーティングし(1500rp
m,9秒)、そしてコーティングされたウエハーをホッ
トプレート上100℃で5分間乾燥させると、シリコン
ウエハー上に厚さ15μmの均一なポリマーコーティン
グが得られる。ウエハーを引続き、1μmまでのポジ/
ネガ構造体を有するジーメンス・クロミウム・マスクを
備えたカール・ズュスMA150露光機を用いて真空接
触で露光する。単色i線露光のために、ランプスペクト
ルからの相当する線が365nmで水銀干渉フィルター
を用いて透過される。輻射線出力はOAIパワーメター
および365nmプローブを用いて測定される。高解像
微細構造体は以下の噴霧工程: γ−ブチロラクトン/キシレン(1:1) 35秒 γ−ブチロラクトン/キシレン(1:3) 5秒 キシレン 15秒 を用いる噴霧法により現像される。
【0071】上記の操作において、良好な構造体を製造
するために350mJ/cm2 の露光エネルギーが必要
である。良好なエッジの鋭さを有する高解像レリーフ構
造体が得られ、幅10μmまでの線が解像されている。
走査電子顕微鏡下で、構造体は材料の均質な性質を示
す。試料は350℃で60分間コンディショニングさ
れ、その間にコーティング厚さは9.5μmまで減少す
るが、解像度およびエッジの鋭さは変化しない。構造体
は基材に対する優れた接着性を有し、そして泡や亀裂を
含まない。
【0072】II.6 以下の組成: 実施例I.1からのポリイミド前駆体 33.88重量%、 1,4−ベンゾキノン 0.07重量%、 3−ベンゾイル−7−メトキシクマリン 0.34重量%、 N−フェニルグリシン 1.69重量% ポリエチレングリコール400ジアクリレート 5.09重量%および N−メチルピロリドン 58.93重量% から調製された配合物を一晩回転させると、透明樹脂溶
液が得られ、これを次に孔の幅が0.8μmのフィルタ
ーを通す加圧濾過に供する。樹脂溶液を、接着促進剤γ
−アミノプロピルトリエトキシシランで前処理したシリ
コンウエハー上に回転コーティングし(1500rp
m,9秒)、そしてコーティングされたウエハーをホッ
トプレート上70℃で6分間および100℃で6分間乾
燥させると、シリコンウエハー上に厚さ40μmの均一
なポリマーコーティングが得られる。ウエハーを引続
き、1μmまでのポジ/ネガ構造体を有するジーメンス
・クロミウム・マスクを備えたカール・ズュスMA15
0露光機を用いて真空接触で露光する。単色i線露光の
ために、ランプスペクトルからの相当する線が365n
mで水銀干渉フィルターを用いて透過される。輻射線出
力はOAIパワーメターおよび365nmプローブを用
いて測定される。高解像微細構造体は以下の噴霧工程: γ−ブチロラクトン/キシレン(1:1) 75秒 γ−ブチロラクトン/キシレン(1:3) 10秒 キシレン 15秒 を用いる噴霧法により現像される。
【0073】上記の操作において、良好な構造体を製造
するために500mJ/cm2 の露光エネルギーが必要
である。良好なエッジの鋭さを有する高解像レリーフ構
造体が得られ、幅40μmまでの線が解像されている。
走査電子顕微鏡下で、構造体は材料の均質な性質を示
す。試料は350℃で60分間コンディショニングさ
れ、その間にコーティング厚さは25μmまで減少する
が、解像度およびエッジの鋭さは変化しない。構造体は
基材に対する優れた接着性を有し、そして泡や亀裂を含
まない。
【0074】II.7 以下の組成: 実施例I.3からのポリイミド前駆体 42.92重量%、 1,4−ベンゾキノン 0.09重量%、 イルガキュア369 2.15重量%、 テトラエチレングリコールジメタクリレート 6.44重量%および N−メチルピロリドン 48.40重量% から調製された配合物は使用実施例II.1と同様に処
理される(回転コーティングは2900rpmで35秒
行われる)。乾燥後(100℃,5分間)得られる、厚
さ15μmのコーティングは次にUV輻射線(365n
m,1880mJ/cm2 )で露光され、そして以下の
噴霧工程: γ−ブチロラクトン/キシレン(1:1) 95秒 γ−ブチロラクトン/キシレン(1:3) 10秒 キシレン 10秒 を用いる噴霧法により現像される。良好なエッジの鋭さ
を有する高解像レリーフ構造体が得られ、5μmまでの
幅の線が十分に解像され、そしてコーティング厚さは1
4.8μmである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H05K 3/28 H05K 3/28 D (72)発明者 パスクアル アルフレド ファルシグノ スイス国 4057 バーゼル ハンメルシ ュトラーセ150 (72)発明者 ズィグルト ハーゲン ドイツ連邦共和国 79589 ビンツェン ミューレンシュトラーセ 5 (56)参考文献 特開 平3−179354(JP,A) 特開 昭59−172641(JP,A) 特開 平3−170553(JP,A) 特開 平3−241359(JP,A) 特開 平6−342211(JP,A) 特開 平6−324491(JP,A) 特開 平6−301209(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 7/038 504 C08G 73/10 G03F 7/029 G03F 7/037 501

Claims (20)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 以下の工程: (A)ポリマー(a)と光開始剤(b)とからなる光重
    合性組成物での基材のコーティング、 (B)i線領域(約360−370nm)内のUV輻射
    線への、コーティングされた基材の画像様露光、 (C)溶媒による非露光部分の除去、および (D)露光および現像された材料のコンディショニング からなり、使用されるポリマー(a)は次式I: 【化1】 [式中、→(矢印)は構造異性体を示し、 Xは芳香族テトラカルボン酸の4価の基を表し、Yは2
    価の脂肪族基、環状脂肪族基または単環式もしくは多環
    式芳香族基を表し、Aは−COO−、−CONH−また
    は次式: 【化2】 (式中、R2およびR3は互いに独立して炭素原子数1な
    いし6のアルキル基または炭素原子数1ないし6のアル
    ケニル基を表す。)で表される基を表し、そしてR1
    光重合性オレフィン二重結合を含む基を表すが、 ただし、全てのX基の少なくとも50%はオキシジフタ
    ル酸の基を表すか、または全てのY基の少なくとも50
    %は2つのアミン窒素原子に対する4つの全てのオルト
    位で互いに独立して炭素原子数1ないし6のアルキル
    基、炭素原子数1ないし6のアルコキシ基または炭素原
    子数6ないし14のアリール基により置換されている芳
    香族ジアミンの基を表す。]で表される反復構造単位を
    含むポリイミド前駆体であり、また 光開始剤(b)は、次式XIV 【化3】 [式中、2つの基R13は互いに独立して水素原子または
    炭素原子数1ないし6のアルキル基を表し、R14および
    15は炭素原子数1ないし6のアルキル基、炭素原子数
    6ないし14のアリール基または複素環式5もしくは6
    員脂肪族もしくは芳香族環を表し、そしてpは2ないし
    5の数を表すが、ただし、各々の場合において2つのフ
    ッ素原子は2つのフェニル環のオルト位を占める。]で
    表されるチタノセン、次式(XX) 【化4】 [式中、基R17は互いに独立してp−トリル基、p−ア
    ルコキシフェニル基またはメシチル基を表し、そしてR
    18は炭素原子数1ないし6のアルキルカルボニル基、炭
    素原子数1ないし6のアルコキシカルボニル基、炭素原
    子数6ないし14のアリールカルボニル基または炭素原
    子数6ないし14のアリールオキシカルボニル基を表
    す。]で表されるトリケトンオキシムエステルまたは次
    式(XXIII) 【化5】 [式中、R23およびR24は互いに独立して水素原子また
    は炭素原子数1ないし6のアルコキシ基を表し、そして
    25は炭素原子数6ないし14のアリール基または次式
    XXIV: 【化6】 (式中、R23およびR24は式XXIIIに対して定義さ
    れたものと同じ意味を表す。)で表される基を表す。]
    で表されるクマリンより選択されるが、 ただし、N−未置換アミド化合物、N−置換アミド化合
    物、ウレタン化合物および尿素化合物からなる群より選
    択される、エチレン性不飽和二重結合を含まない化合物
    は存在しないレリーフ画像の製造方法。
  2. 【請求項2】 ポリマー(a)が、式I中、全てのX基
    の少なくとも50%がオキシジフタル酸の基を表し、そ
    してYが請求項1において定義された意味を表す反復構
    造単位を含むポリイミド前駆体である請求項1記載の方
    法。
  3. 【請求項3】 ポリマー(a)が、式I中、全てのX基
    の少なくとも80%がオキシジフタル酸の基を表す反復
    構造単位を含むポリイミド前駆体である請求項1記載の
    方法。
  4. 【請求項4】 ポリマー(a)が、式I中、全てのX基
    の100%がオキシジフタル酸の基を表す反復構造単位
    を含むポリイミド前駆体である請求項1記載の方法。
  5. 【請求項5】 ポリマー(a)が、式I中、Aが−CO
    O−を表し、そしてR1がビニル基、アリル基、メタリ
    ル基または次式II: 【化7】 [式中、R4は水素原子またはメチル基を表し、そして
    5は次式:−Cn2n−(式中、nは2〜12を表
    す。)で表される基、−CH2CH(OH)CH2−また
    は4ないし30個の炭素原子を有するポリオキシアルキ
    レン基を表す。]で表される基を表す反復構造単位を含
    むポリイミド前駆体である請求項1記載の方法。
  6. 【請求項6】 ポリマー(a)が、式I中、Yが次式I
    IIないしV: 【化8】 [式中、Tは直接結合、−CH2−、炭素原子数2ない
    し12のアルキリデン基、−C(CF32−、−NH
    −、−S−、−O−、−SO−、−SO2−または−C
    O−を表し、そしてR6、R7およびR8は互いに独立し
    て水素原子または炭素原子数1ないし6のアルキル基を
    表す。]で表される非置換またはモノ−もしくはポリ−
    炭素原子数1ないし6のアルキル基もしくは炭素原子数
    1ないし6のアルコキシ基で置換された基を表す反復構
    造単位を含むポリイミド前駆体である請求項2記載の方
    法。
  7. 【請求項7】 ポリマー(a)が、式I中、Yが次式V
    IないしVIII: 【化9】 で表される基を表す反復構造単位を含むポリイミド前駆
    体である請求項2記載の方法。
  8. 【請求項8】 ポリマー(a)が、式I中、全てのY基
    の少なくとも50%が2つのアミン窒素原子に対する4
    つの全てのオルト位で互いに独立して炭素原子数1ない
    し6のアルキル基、炭素原子数1ないし6のアルコキシ
    基または炭素原子数6ないし14のアリール基により置
    換されている芳香族ジアミンの基を表し、そしてXが請
    求項1において定義された意味を表す反復構造単位を含
    むポリイミド前駆体である請求項1記載の方法。
  9. 【請求項9】 ポリマー(a)が、式I中、全てのY基
    の少なくとも80%が2つのアミン窒素原子に対する4
    つの全てのオルト位で互いに独立して炭素原子数1ない
    し6のアルキル基、炭素原子数1ないし6のアルコキシ
    基または炭素原子数6ないし14のアリール基により置
    換されている芳香族ジアミンの基を表す反復構造単位を
    含むポリイミド前駆体である請求項1記載の方法。
  10. 【請求項10】 ポリマー(a)が、式I中、全てのY
    基の100%が2つのアミン窒素原子に対する4つの全
    てのオルト位で互いに独立して炭素原子数1ないし6の
    アルキル基、炭素原子数1ないし6のアルコキシ基また
    は炭素原子数6ないし14のアリール基により置換され
    ている芳香族ジアミンの基を表す反復構造単位を含むポ
    リイミド前駆体である請求項1記載の方法。
  11. 【請求項11】 ポリマー(a)が、式I中、Yが次式
    IX、XまたはXI: 【化10】 [式中、R9、R10、R11およびR12は互いに独立して
    炭素原子数1ないし6のアルキル基を表し、そしてEは
    直接結合、−CH2−、炭素原子数2ないし12のアル
    キリデン基、−C(CF32−、−NH−、−S−、−
    O−、−SO−、−SO2−または−CO−を表す。]
    で表される基を表す反復構造単位を含むポリイミド前駆
    体である請求項8記載の方法。
  12. 【請求項12】 ポリマー(a)が、式I中、Yが次
    式: 【化11】 で表される基を表す反復構造単位を含むポリイミド前駆
    体である請求項8記載の方法。
  13. 【請求項13】 ポリマー(a)が、式I中、Xがピロ
    メリット酸、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカ
    ルボン酸、オキシジフタル酸、3,3’,4,4’−ベ
    ンゾフェノンテトラカルボン酸またはヘキサフルオロイ
    ソプロピリデンジフタル酸の基を表す反復構造単位を含
    むポリイミド前駆体ある請求項8記載の方法。
  14. 【請求項14】 (a)請求項1記載の式Iで表される
    反復構造単位を含むポリマー、および (b)請求項1記載の式XIV、XXおよびXXIII
    からなる群より選択される光開始剤からなるが、 ただし、N−未置換アミド化合物、N−置換アミド化合
    物、ウレタン化合物および尿素化合物からなる群より選
    択される、エチレン性不飽和二重結合を含まない化合物
    は存在しない組成物。
  15. 【請求項15】 成分(b)が次式XVないしXVII
    I: 【化12】 で表されるチタノセンである請求項14記載の組成物。
  16. 【請求項16】 (c)芳香族もしくは脂肪族ポリオー
    ルのアクリル酸もしくはメタクリル酸エステル、芳香族
    もしくは脂肪族ポリオールのアリルエーテルまたは芳香
    族もしくは脂肪族ポリカルボン酸のアリルエステルをさ
    らに含む請求項14記載の組成物。
  17. 【請求項17】 光開始剤は式XXで表される化合物で
    あり、そして (d)次式XXI: 【化13】 [式中、2つのR 19 基は互いに独立して炭素原子数1な
    いし3のアルキル基また は炭素原子数1ないし3のヒド
    ロキシアルキル基を表すか、または窒素原子と一緒にな
    ってモルホリン基を形成し、そしてR 20 は炭素原子数1
    ないし3のアルキル基、炭素原子数2ないし5のアルキ
    ルカルボニル基または炭素原子数7ないし10のアリー
    ルカルボニル基を表す。]で表される芳香族アミンをさ
    らに含む請求項16記載の組成物。
  18. 【請求項18】 (e)次式XXII: 【化14】 [式中、R21およびR22は互いに独立して炭素原子数1
    ないし6のアルキル基を表し、そしてR18は炭素原子数
    1ないし6のアルキルカルボニル基、炭素原子数1ない
    し6のアルコキシカルボニル基、炭素原子数6ないし1
    4のアリールカルボニル基または炭素原子数6ないし1
    4のアリールオキシカルボニル基を表す。]で表される
    クマリンをさらに含む請求項17記載の組成物。
  19. 【請求項19】 光開始剤は式XXIIIで表される化
    合物であり、そして (c)次式XXV: 【化15】 [式中、R 26 は水素原子、メチル基、エチル基、i−プ
    ロピル基、t−ブチル基、フェニル基、メトキシ基、エ
    トキシ基、ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル基、ジメ
    チルアミノ基、ジエチルアミノ基、アセチル基、プロピ
    オニル基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、−N
    HCONH 2 または−NHCOOCH 3 を表す。]で表さ
    れるアミノ酸、および所望するならば、 (d)芳香族もしくは脂肪族ポリオールのアクリル酸も
    しくはメタクリル酸エステル、芳香族もしくは脂肪族ポ
    リオールのアリルエーテルまたは芳香族もしくは 脂肪族
    ポリカルボン酸のアリルエステルをさらに含む請求項1
    4記載の組成物。
  20. 【請求項20】 光開始剤が式XXIIIで表される化
    合物であり、そして (c)次式XXVI: 【化16】 [式中、R 27 は次式XXVIIまたはXXVIII: 【化17】 (式中、R 28 は水素原子、メチル基、エチル基、n−プ
    ロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル
    基、フェニル基、ヒドロキシル基、メトキシ基、エトキ
    シ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基、フェノキシ
    基、ベンジル基、2−フェニルエチル基、ヒドロキシメ
    チル基、2−ヒドロキシエチル基、アセチル基、プロピ
    オニル基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、
    アミノメチル基、2−アミノエチル基、メチルアミノ
    基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、−CONH
    2 、−CONHCH 3 、−CON(CH 3 2 、−CONH
    2 5 または−CON(C 2 5 2 を表す。)で表され
    る基を表す。]で表されるオキサゾロン、および所望す
    るならば、 (d)芳香族もしくは脂肪族ポリオールのアクリル酸も
    しくはメタクリル酸エステル、芳香族もしくは脂肪族ポ
    リオールのアリルエーテルまたは芳香族もしくは脂肪族
    ポリカルボン酸のアリルエステルをさらに含む請求項1
    4記載の組成物。
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3687988B2 (ja) 1993-09-03 2005-08-24 日立化成工業株式会社 i線ステッパ用感光性樹脂組成物
JP3722155B2 (ja) * 1993-09-03 2005-11-30 日立化成工業株式会社 感光性樹脂組成物
JP3441246B2 (ja) * 1995-06-07 2003-08-25 富士写真フイルム株式会社 光重合性組成物
US5856065A (en) * 1996-03-27 1999-01-05 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Negative working photoresist composition based on polyimide primers
US6010825A (en) * 1997-09-11 2000-01-04 Olin Microelectronics Chemicals, Inc. Negatively acting photoresist composition based on polyimide precursors
JP4513170B2 (ja) * 2000-05-18 2010-07-28 東レ株式会社 感光性重合体組成物
JP4603215B2 (ja) * 2001-09-06 2010-12-22 三井化学株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物およびその用途
KR20060002751A (ko) 2003-03-11 2006-01-09 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 새로운 감광성 수지 조성물들
JP4599974B2 (ja) * 2004-10-04 2010-12-15 日立化成工業株式会社 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
US20110123929A1 (en) 2007-01-23 2011-05-26 Fujifilm Corporation Oxime compound, photosensitive composition, color filter, production method for the color filter, and liquid crystal display element
JP5535064B2 (ja) 2007-05-11 2014-07-02 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア オキシムエステル光重合開始剤
KR101526618B1 (ko) 2007-05-11 2015-06-05 바스프 에스이 옥심 에스테르 광개시제
JP5627684B2 (ja) 2009-08-21 2014-11-19 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se 超顕微鏡的及び光学的可変像を有するデバイスのための装置及び方法
US9051397B2 (en) 2010-10-05 2015-06-09 Basf Se Oxime ester
EP2625166B1 (en) 2010-10-05 2014-09-24 Basf Se Oxime ester derivatives of benzocarbazole compounds and their use as photoinitiators in photopolymerizable compositions
PL2723576T3 (pl) 2011-06-21 2018-01-31 Basf Se Drukowanie siatek dyfrakcyjnych na papierze i kartonie
CN103998427A (zh) 2011-12-07 2014-08-20 巴斯夫欧洲公司 肟酯光敏引发剂
KR101947252B1 (ko) 2012-05-09 2019-02-12 바스프 에스이 옥심 에스테르 광개시제
WO2013186167A2 (en) 2012-06-14 2013-12-19 Basf Se Method for manufacturing security elements and holograms
EP2895922B1 (en) 2012-09-17 2018-04-18 Basf Se Security elements and method for their manufacture
EP2999756B1 (en) 2013-05-21 2017-07-26 Basf Se Security elements and method for their manufacture
EP3019473B1 (en) 2013-07-08 2020-02-19 Basf Se Oxime ester photoinitiators
EP3052701B1 (en) 2013-10-04 2017-06-28 Basf Se High gloss metal effect papers
JP6167089B2 (ja) 2014-03-27 2017-07-19 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイス
CN104575869B (zh) * 2015-01-12 2017-01-11 北京大学 透明导电电极的图案化刻蚀方法和图案化透明导电电极
WO2016156286A1 (en) 2015-03-30 2016-10-06 Basf Se High gloss metal effect papers and boards
WO2018035368A1 (en) 2016-08-17 2018-02-22 Hegde Maruti Compositions and methods of additive manufacturing of aromatic thermoplastics and articles made therefrom
US20210086545A1 (en) 2018-04-25 2021-03-25 Basf Se Process for the production of strongly adherent (embossed) films on flexible substrates
EP3870381A1 (en) 2018-10-25 2021-09-01 Basf Se Compositions, comprising silver nanoplatelets
AU2020210698A1 (en) 2019-01-21 2021-07-15 Basf Se Security element
CN113272087B (zh) 2019-01-29 2024-04-19 巴斯夫欧洲公司 安全元件
US20220220284A1 (en) 2019-05-06 2022-07-14 Basf Se Compositions, comprising silver nanoplatelets
CN115279518A (zh) 2020-04-23 2022-11-01 巴斯夫欧洲公司 包含片状过渡金属颗粒的组合物
TW202208507A (zh) * 2020-05-20 2022-03-01 日商富士軟片股份有限公司 硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層體、硬化膜之製造方法及半導體器件
WO2023170132A1 (en) 2022-03-10 2023-09-14 Basf Se Casting lacquer for screen printing

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4548891A (en) * 1983-02-11 1985-10-22 Ciba Geigy Corporation Photopolymerizable compositions containing prepolymers with olefin double bonds and titanium metallocene photoinitiators
EP0254230A3 (en) * 1986-07-22 1988-11-23 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Heat-resistant photoresist film
JP2640470B2 (ja) * 1987-08-19 1997-08-13 旭化成工業株式会社 新しい感光性組成物
EP0430220B1 (en) * 1989-11-30 1997-05-07 Sumitomo Bakelite Company Limited Photosensitive resin composition and semiconductor apparatus using it
DE69308671T2 (de) * 1992-07-22 1997-10-16 Asahi Chemical Ind Photoempfindliche Polyimid-Zusammensetzung

Also Published As

Publication number Publication date
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DE59403359D1 (de) 1997-08-21
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EP0624826B1 (de) 1997-07-16

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