JP3380908B2 - シリコン加速度センサの製法 - Google Patents
シリコン加速度センサの製法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はシリコン加速度セ
ンサとその製法に関し、特に質量部の質量をできるだけ
大きくして感度を向上させる技術に関する。 【０００２】 【従来の技術】図３に示す加速度センサはシリコン基板
１の異方性エッチングにより作製され、枠部２と、その
枠部２内に島状に形成された質量部３と、その質量部３
を枠部２に橋絡させて支持する薄肉の梁状構造部４とよ
り成る。質量部３と枠部２との間には各々を隔離する透
孔５（５ａ，５ｂ）が形成され、梁状構造部４の下側に
溝５ｂ′が形成されている。 【０００３】梁状構造部４及び枠部２の上面にピエゾ抵
抗素子Ｒ（Ｒ１〜Ｒ４）が形成され、配線７により図４
に示すようなブリッジ回路が構成される。Ｐ１〜Ｐ４は
外部と接続するための端子（電極）である。例えば端子
Ｐ１〜Ｐ３間に電源電圧を印加すれば、端子Ｐ２〜Ｐ４
間に不平衡電圧が発生する。入力加速度がゼロの場合に
は、Ｒ２×Ｒ３＝Ｒ１×Ｒ４で、ブリッジ回路は平衡し
ている。 【０００４】図３Ｂの上下方向に加速度が入力される
と、質量部３に変位が生じるため梁状構造部４にたわみ
が発生し、その上面に形成されたピエゾ抵抗素子が変形
して、その抵抗値が変化するので、ブリッジのバランス
が崩れ、その時の不平衡電圧から加速度を検出できる。
この加速度センサの感度は質量部３の質量に比例するの
で、できるだけ大きくするのが望ましい。 【０００５】次に図３の加速度センサの製法を図５を参
照して、工程順に説明する。 梁状構造部４の厚さを持つＮ型シリコン層１ｎと質
量部３の厚さから梁状構造部４の厚さを差し引いた厚さ
を持つＰ型シリコン層１ｐとからなるシリコン基板１の
両面を酸化させて、酸化膜９ａ，９ｂをそれぞれ形成す
る。 透孔５（５ａ，５ｂ）を形成して、枠部２及び質量
部３を分離して作製するために、フォトリソグラフィ技
術を用いたエッチング処理（以下フォトリソ・エッチン
グと言う）により、酸化膜９ｂをパターニングして、そ
の一部をロ字形状に除去する。この場合、次の工程でＰ
型層１ｐをエッチングする際、板面より斜め方向にエッ
チングされることを考慮して、その分酸化膜９ｂの除去
する幅Ｗａ′，Ｗｂ′を大きくする必要がある。従っ
て、それに適合するようにマスクを設計しなければなら
ない。 【０００６】 前の工程でパターニングされた酸化膜
９ｂをマスクに利用して、水酸化カリウム溶液等を用い
た異方性のウエットエッチングによりＰ型層１ｐをエッ
チングし、Ｎ型層１ｎに達する少し前で止める。 前の工程で残したＰ型層１ｐを、水酸化カリウム溶
液等を用いた電解エッチングによりＮ型層１ｎとの境界
面までエッチングして全て除去する。ここで電解エッチ
ングを用いるのは、Ｎ型層１ｎとの境界面でエッチング
をストップできるからである。この工程により透孔５ａ
を形成するために必要な溝５ａ′と、透孔５ｂを形成す
るために必要な溝であると共に梁状構造部４の下の溝で
もある溝５ｂ´を同時に形成する。 【０００７】シリコンを水酸化カリウム溶液等でエッチ
ングする場合、Ｐ型でも、Ｎ型でも、ある大きさの正の
電圧（パッシベーション電圧）以上の電圧を印加する
と、エッチング中のシリコン表面に酸化膜が形成される
（陽極酸化と言う）ため、エッチングが停止する。そこ
でＮ型層１ｎにパッシベーション電圧またはそれ以上の
電圧を印加し、Ｐ型層１ｐにパッシベーション電圧より
小さい電圧を印加して（ＰＮ接合面には逆電圧が印加さ
れるので電流は流れない）、Ｐ型層１ｐを電解エッチン
グする。Ｎ型層１ｎが露出するとその表面が陽極酸化さ
れて、酸化膜が形成され、エッチングが停止する。 【０００８】 Ｎ型層１ｎの酸化膜９ａの下側にピエ
ゾ抵抗素子Ｒ（Ｒ１〜Ｒ４の総称）を作製し、更にピエ
ゾ抵抗素子Ｒと接続される配線７、端子Ｐ（Ｐ１〜Ｐ４
の総称）を酸化膜９ａ上に作製する。 透孔５（５ａ，５ｂの総称）を形成するために、酸
化膜９ａをフォトリソ・エッチングによりパターニング
して、一部を除去する。 【０００９】 酸化膜９ａのパターニングに対応する
ように、Ｎ型層１ｎをエッチングして透孔５（５ａ，５
ｂ）を作製する。これにより枠部２、質量部３及び梁状
構造部４を有する加速度センサが作製される。 【００１０】 【発明が解決しようとする課題】 （１）図５ので実施するＰ型層の異方性のウエットエ
ッチングでは、結晶面ごとにエッチングレートに差があ
るため、板面に対して斜めにエッチングされる。そのこ
とを考慮してマスクに利用する酸化膜９ｂの穴の幅Ｗ
ａ′，Ｗｂ′を大きくしなければならない。板面に直角
にエッチングできたと仮定した理想的な場合には前記幅
はＷａ，Ｗｂと狭くてよい。従って質量部３の体積、質
量共大きくなる。しかし、従来の技術では斜めにエッチ
ングされるので、その分体積、質量が減少し、質量部の
質量と比例関係にある加速度センサの感度が低下する欠
点があった。 【００１１】（２）もしＰ型層が図６Ｂ、Ｃに示すよう
に板面と直角にエッチングできるのであれば、酸化膜９
ｂをエッチングする際に用いるマスク１５には、図６Ａ
に示すように透明部１５ｂの左右の幅を図５の溝５
ａ′，５ｂ′の底の幅Ｗａ，Ｗｂに等しくすればよい。
マスク１５の周縁部１５ａ及び中央部１５ｃは枠部２及
び質量部３の表面（または裏面）と同じ形状でよい。 【００１２】しかし、従来の技術では、Ｐ型層１ｐは斜
めにエッチングされるので、もし図６Ａと同じマスク１
５を用いれば、図７Ｂ，Ｃに示すようにエッチングさ
れ、溝５ａ′，５ｂ′がＶ形となり、加速度センサの透
孔５ａ，５ｂや梁状構造部４をうまく形成できなくな
る。そのためマスク１５は、図８Ａに示すように斜め方
向のエッチングを考慮して、始めから透明部１５ｂの左
右の幅をＷａ′，Ｗｂ′に拡げておく必要がある。 【００１３】このように従来のエッチング方法では、エ
ッチングに使用するマスクのパターン１５ａ，１５ｃと
枠部２、質量部３の寸法が異なるため、マスクのパター
ン設計が複雑となり、設計工数が大きくなる問題があっ
た。この発明の目的は、質量部３の側面における斜め方
向のエッチングによる質量の減少を防止すると共に、エ
ッチングに使用するマスクのパターン設計を容易にしよ
うとするものである。 【００１４】 【課題を解決するための手段】（１）請求項１の発明
は、シリコン基板に形成された質量部とその質量部を取
り囲む枠部とが梁状構造部により接続され、梁状構造部
の一部の領域に設けたピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化に
よって入力加速度を検出するシリコン加速度センサの製
法に関する。特に、質量部の側面が板面と直角に形成さ
れる。 【００１５】（２）そして、前記（１）において、シリ
コン基板は、梁状構造部の厚さを持つＮ型層と、そのＮ
型層の下に形成され、質量部の厚さから梁状構造部の厚
さを差し引いた厚さを持つＰ型層より成る。 （３）梁状構造部の厚さを持つＮ型層と、質量部の厚さ
から梁状構造部の厚さを差し引いた厚さを持つＰ型層と
より成るシリコン基板の両面を酸化させて、酸化膜を形
成する工程と、Ｐ型層の表面の酸化膜をパターニングす
る工程と、Ｐ型層の表面の酸化膜をマスクとして、Ｐ型
層を異方性のドライエッチングにより、Ｎ型層に達する
少し前まで板面と直角にエッチングする工程と、前記の
エッチング工程で残されたＰ型層を電解エッチングによ
りＮ型層に達するまでエッチングする工程と、Ｎ型層の
表面の酸化膜の下側に、ピエゾ抵抗素子を形成し、その
ピエゾ抵抗素子と接続される配線を酸化膜上に形成する
工程と、Ｎ型層の表面の酸化膜をＰ型層の表面の酸化膜
のパターニングに対応するようにパターニングする工程
と、Ｎ型層の表面の酸化膜のパターニングに対応するよ
うにＮ型層をエッチングして、枠部と質量部を隔離する
透孔を形成すると共に、枠部と質量部を橋絡する梁状構
造部を形成する工程とより成る。 【００１６】 【発明の実施の形態】この発明の実施例を図１、図２
に、図３、図５と対応する部分に同じ符号を付けて示
し、その製造工程を順に説明する。 Ｎ型層１ｎ及びＰ型層１ｐより成るシリコン基板１
の両面を酸化させて、後の工程でマスクとして使用する
酸化膜９ａ，９ｂを作製する。 【００１７】 酸化膜９ｂをパターニングする。この
発明では次の工程で行うＰ型層１ｐは板面と直角にエッ
チングするので、酸化膜９ｂのエッチングにより除去す
る部分の幅Ｗａ，Ｗｂを従来のように斜め方向のエッチ
ングを考慮して拡げておく必要はない。 酸化膜９ｂをマスクとしてＰ型層１ｐを異方性のド
ライエッチングにより板面と直角にエッチングし、Ｎ型
層１ｎに達する少し前で止める。 【００１８】 前の工程で残したＰ型層１ｐを電解エ
ッチングにより除去する。 Ｎ型層１ｎの上面にブリッジ回路を構成するための
ピエゾ抵抗素子Ｒ（Ｒ１〜Ｒ４）、配線７、端子Ｐ（Ｐ
１〜Ｐ４）を作製する。 酸化膜９ａを酸化膜９ｂのパターニングと対応する
ようにパターニングして（しかし梁状構造部４と対応す
る部分は残す）、次の工程で用いるマスクパターンを作
製する。 【００１９】 酸化膜９ａのパターニングに対応する
ように、Ｎ型層１ｎをエッチングして透孔５ａ，５ｂを
作製する。これにより枠部２、質量部３及び梁状構造部
４を有する加速度センサが作製される。ここで、Ｎ型層
１ｎのエッチングには酸化膜９ａ自体をマスクとして使
うことができる。また、酸化膜９ａと同一のパターニン
グを施したマスク層を酸化膜９ａ上に形成し、このマス
ク層をマスクとして用いることもできる。マスク層とし
てはフォトレジストあるいはクロム等の金属を使用でき
る。 【００２０】上述の製造工程において、従来例と大きく
異なる点は、において従来は異方性のウエットエッチ
ングによりＰ型層１ｐを斜めにエッチングしていたのに
対して、異方性のドライエッチングを採用して板面と直
角にエッチングするようにした点である。これにより、
質量部３の斜めのエッチングによる質量の減少を防止で
きる。 【００２１】 【発明の効果】 (1) 以上述べたように、この発明では工程において、
異方性のドライエッチングによるＰ型層１ｐを板面と直
角にエッチングするようにしたので、質量部３の斜めの
エッチングによる質量の減少が防止され、それだけセン
サの検出感度を向上できる。 【００２２】(2) この発明では、の工程でＰ型層１ｐ
を板面と直角にエッチングするので、の工程で、酸化
膜９ｂのパターニングに用いるマスクのパターン設計で
は、マスクの周縁部及び中央部の寸法をセンサの枠部２
及び質量部３の形状と同じにすればよいので、設計が簡
単となり設計工数を縮減できる。
ンサとその製法に関し、特に質量部の質量をできるだけ
大きくして感度を向上させる技術に関する。 【０００２】 【従来の技術】図３に示す加速度センサはシリコン基板
１の異方性エッチングにより作製され、枠部２と、その
枠部２内に島状に形成された質量部３と、その質量部３
を枠部２に橋絡させて支持する薄肉の梁状構造部４とよ
り成る。質量部３と枠部２との間には各々を隔離する透
孔５（５ａ，５ｂ）が形成され、梁状構造部４の下側に
溝５ｂ′が形成されている。 【０００３】梁状構造部４及び枠部２の上面にピエゾ抵
抗素子Ｒ（Ｒ１〜Ｒ４）が形成され、配線７により図４
に示すようなブリッジ回路が構成される。Ｐ１〜Ｐ４は
外部と接続するための端子（電極）である。例えば端子
Ｐ１〜Ｐ３間に電源電圧を印加すれば、端子Ｐ２〜Ｐ４
間に不平衡電圧が発生する。入力加速度がゼロの場合に
は、Ｒ２×Ｒ３＝Ｒ１×Ｒ４で、ブリッジ回路は平衡し
ている。 【０００４】図３Ｂの上下方向に加速度が入力される
と、質量部３に変位が生じるため梁状構造部４にたわみ
が発生し、その上面に形成されたピエゾ抵抗素子が変形
して、その抵抗値が変化するので、ブリッジのバランス
が崩れ、その時の不平衡電圧から加速度を検出できる。
この加速度センサの感度は質量部３の質量に比例するの
で、できるだけ大きくするのが望ましい。 【０００５】次に図３の加速度センサの製法を図５を参
照して、工程順に説明する。 梁状構造部４の厚さを持つＮ型シリコン層１ｎと質
量部３の厚さから梁状構造部４の厚さを差し引いた厚さ
を持つＰ型シリコン層１ｐとからなるシリコン基板１の
両面を酸化させて、酸化膜９ａ，９ｂをそれぞれ形成す
る。 透孔５（５ａ，５ｂ）を形成して、枠部２及び質量
部３を分離して作製するために、フォトリソグラフィ技
術を用いたエッチング処理（以下フォトリソ・エッチン
グと言う）により、酸化膜９ｂをパターニングして、そ
の一部をロ字形状に除去する。この場合、次の工程でＰ
型層１ｐをエッチングする際、板面より斜め方向にエッ
チングされることを考慮して、その分酸化膜９ｂの除去
する幅Ｗａ′，Ｗｂ′を大きくする必要がある。従っ
て、それに適合するようにマスクを設計しなければなら
ない。 【０００６】 前の工程でパターニングされた酸化膜
９ｂをマスクに利用して、水酸化カリウム溶液等を用い
た異方性のウエットエッチングによりＰ型層１ｐをエッ
チングし、Ｎ型層１ｎに達する少し前で止める。 前の工程で残したＰ型層１ｐを、水酸化カリウム溶
液等を用いた電解エッチングによりＮ型層１ｎとの境界
面までエッチングして全て除去する。ここで電解エッチ
ングを用いるのは、Ｎ型層１ｎとの境界面でエッチング
をストップできるからである。この工程により透孔５ａ
を形成するために必要な溝５ａ′と、透孔５ｂを形成す
るために必要な溝であると共に梁状構造部４の下の溝で
もある溝５ｂ´を同時に形成する。 【０００７】シリコンを水酸化カリウム溶液等でエッチ
ングする場合、Ｐ型でも、Ｎ型でも、ある大きさの正の
電圧（パッシベーション電圧）以上の電圧を印加する
と、エッチング中のシリコン表面に酸化膜が形成される
（陽極酸化と言う）ため、エッチングが停止する。そこ
でＮ型層１ｎにパッシベーション電圧またはそれ以上の
電圧を印加し、Ｐ型層１ｐにパッシベーション電圧より
小さい電圧を印加して（ＰＮ接合面には逆電圧が印加さ
れるので電流は流れない）、Ｐ型層１ｐを電解エッチン
グする。Ｎ型層１ｎが露出するとその表面が陽極酸化さ
れて、酸化膜が形成され、エッチングが停止する。 【０００８】 Ｎ型層１ｎの酸化膜９ａの下側にピエ
ゾ抵抗素子Ｒ（Ｒ１〜Ｒ４の総称）を作製し、更にピエ
ゾ抵抗素子Ｒと接続される配線７、端子Ｐ（Ｐ１〜Ｐ４
の総称）を酸化膜９ａ上に作製する。 透孔５（５ａ，５ｂの総称）を形成するために、酸
化膜９ａをフォトリソ・エッチングによりパターニング
して、一部を除去する。 【０００９】 酸化膜９ａのパターニングに対応する
ように、Ｎ型層１ｎをエッチングして透孔５（５ａ，５
ｂ）を作製する。これにより枠部２、質量部３及び梁状
構造部４を有する加速度センサが作製される。 【００１０】 【発明が解決しようとする課題】 （１）図５ので実施するＰ型層の異方性のウエットエ
ッチングでは、結晶面ごとにエッチングレートに差があ
るため、板面に対して斜めにエッチングされる。そのこ
とを考慮してマスクに利用する酸化膜９ｂの穴の幅Ｗ
ａ′，Ｗｂ′を大きくしなければならない。板面に直角
にエッチングできたと仮定した理想的な場合には前記幅
はＷａ，Ｗｂと狭くてよい。従って質量部３の体積、質
量共大きくなる。しかし、従来の技術では斜めにエッチ
ングされるので、その分体積、質量が減少し、質量部の
質量と比例関係にある加速度センサの感度が低下する欠
点があった。 【００１１】（２）もしＰ型層が図６Ｂ、Ｃに示すよう
に板面と直角にエッチングできるのであれば、酸化膜９
ｂをエッチングする際に用いるマスク１５には、図６Ａ
に示すように透明部１５ｂの左右の幅を図５の溝５
ａ′，５ｂ′の底の幅Ｗａ，Ｗｂに等しくすればよい。
マスク１５の周縁部１５ａ及び中央部１５ｃは枠部２及
び質量部３の表面（または裏面）と同じ形状でよい。 【００１２】しかし、従来の技術では、Ｐ型層１ｐは斜
めにエッチングされるので、もし図６Ａと同じマスク１
５を用いれば、図７Ｂ，Ｃに示すようにエッチングさ
れ、溝５ａ′，５ｂ′がＶ形となり、加速度センサの透
孔５ａ，５ｂや梁状構造部４をうまく形成できなくな
る。そのためマスク１５は、図８Ａに示すように斜め方
向のエッチングを考慮して、始めから透明部１５ｂの左
右の幅をＷａ′，Ｗｂ′に拡げておく必要がある。 【００１３】このように従来のエッチング方法では、エ
ッチングに使用するマスクのパターン１５ａ，１５ｃと
枠部２、質量部３の寸法が異なるため、マスクのパター
ン設計が複雑となり、設計工数が大きくなる問題があっ
た。この発明の目的は、質量部３の側面における斜め方
向のエッチングによる質量の減少を防止すると共に、エ
ッチングに使用するマスクのパターン設計を容易にしよ
うとするものである。 【００１４】 【課題を解決するための手段】（１）請求項１の発明
は、シリコン基板に形成された質量部とその質量部を取
り囲む枠部とが梁状構造部により接続され、梁状構造部
の一部の領域に設けたピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化に
よって入力加速度を検出するシリコン加速度センサの製
法に関する。特に、質量部の側面が板面と直角に形成さ
れる。 【００１５】（２）そして、前記（１）において、シリ
コン基板は、梁状構造部の厚さを持つＮ型層と、そのＮ
型層の下に形成され、質量部の厚さから梁状構造部の厚
さを差し引いた厚さを持つＰ型層より成る。 （３）梁状構造部の厚さを持つＮ型層と、質量部の厚さ
から梁状構造部の厚さを差し引いた厚さを持つＰ型層と
より成るシリコン基板の両面を酸化させて、酸化膜を形
成する工程と、Ｐ型層の表面の酸化膜をパターニングす
る工程と、Ｐ型層の表面の酸化膜をマスクとして、Ｐ型
層を異方性のドライエッチングにより、Ｎ型層に達する
少し前まで板面と直角にエッチングする工程と、前記の
エッチング工程で残されたＰ型層を電解エッチングによ
りＮ型層に達するまでエッチングする工程と、Ｎ型層の
表面の酸化膜の下側に、ピエゾ抵抗素子を形成し、その
ピエゾ抵抗素子と接続される配線を酸化膜上に形成する
工程と、Ｎ型層の表面の酸化膜をＰ型層の表面の酸化膜
のパターニングに対応するようにパターニングする工程
と、Ｎ型層の表面の酸化膜のパターニングに対応するよ
うにＮ型層をエッチングして、枠部と質量部を隔離する
透孔を形成すると共に、枠部と質量部を橋絡する梁状構
造部を形成する工程とより成る。 【００１６】 【発明の実施の形態】この発明の実施例を図１、図２
に、図３、図５と対応する部分に同じ符号を付けて示
し、その製造工程を順に説明する。 Ｎ型層１ｎ及びＰ型層１ｐより成るシリコン基板１
の両面を酸化させて、後の工程でマスクとして使用する
酸化膜９ａ，９ｂを作製する。 【００１７】 酸化膜９ｂをパターニングする。この
発明では次の工程で行うＰ型層１ｐは板面と直角にエッ
チングするので、酸化膜９ｂのエッチングにより除去す
る部分の幅Ｗａ，Ｗｂを従来のように斜め方向のエッチ
ングを考慮して拡げておく必要はない。 酸化膜９ｂをマスクとしてＰ型層１ｐを異方性のド
ライエッチングにより板面と直角にエッチングし、Ｎ型
層１ｎに達する少し前で止める。 【００１８】 前の工程で残したＰ型層１ｐを電解エ
ッチングにより除去する。 Ｎ型層１ｎの上面にブリッジ回路を構成するための
ピエゾ抵抗素子Ｒ（Ｒ１〜Ｒ４）、配線７、端子Ｐ（Ｐ
１〜Ｐ４）を作製する。 酸化膜９ａを酸化膜９ｂのパターニングと対応する
ようにパターニングして（しかし梁状構造部４と対応す
る部分は残す）、次の工程で用いるマスクパターンを作
製する。 【００１９】 酸化膜９ａのパターニングに対応する
ように、Ｎ型層１ｎをエッチングして透孔５ａ，５ｂを
作製する。これにより枠部２、質量部３及び梁状構造部
４を有する加速度センサが作製される。ここで、Ｎ型層
１ｎのエッチングには酸化膜９ａ自体をマスクとして使
うことができる。また、酸化膜９ａと同一のパターニン
グを施したマスク層を酸化膜９ａ上に形成し、このマス
ク層をマスクとして用いることもできる。マスク層とし
てはフォトレジストあるいはクロム等の金属を使用でき
る。 【００２０】上述の製造工程において、従来例と大きく
異なる点は、において従来は異方性のウエットエッチ
ングによりＰ型層１ｐを斜めにエッチングしていたのに
対して、異方性のドライエッチングを採用して板面と直
角にエッチングするようにした点である。これにより、
質量部３の斜めのエッチングによる質量の減少を防止で
きる。 【００２１】 【発明の効果】 (1) 以上述べたように、この発明では工程において、
異方性のドライエッチングによるＰ型層１ｐを板面と直
角にエッチングするようにしたので、質量部３の斜めの
エッチングによる質量の減少が防止され、それだけセン
サの検出感度を向上できる。 【００２２】(2) この発明では、の工程でＰ型層１ｐ
を板面と直角にエッチングするので、の工程で、酸化
膜９ｂのパターニングに用いるマスクのパターン設計で
は、マスクの周縁部及び中央部の寸法をセンサの枠部２
及び質量部３の形状と同じにすればよいので、設計が簡
単となり設計工数を縮減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の製造工程を示す原理的な断面図。
【図２】この発明の製法により製造されたシリコン加速
度センサを示す図で、Ａは平面図、ＢはＡのａ−ａ′断
面図。 【図３】従来のシリコン加速度センサを示す図で、Ａは
平面図、ＢはＡのａ−ａ′断面図。 【図４】図３Ａにおいてピエゾ抵抗素子により形成され
るブリッジ回路の回路図。 【図５】図３のシリコン加速度センサの製造工程を示す
断面図。 【図６】図５の工程においてＰ型層１ｐが板面と直角
にエッチングできたと仮定したときの図で、Ａは工程
で酸化膜９ｂのパターニングに使用するマスクの原理的
な平面図、Ｂは工程のエッチング終了後のシリコン基
板１のＡに対応する平面図、ＣはＢのｂ−ｂ′断面図。 【図７】Ａは図６Ａと同一寸法のマスクの平面図、Ｂは
図５の工程３において、図６Ａと同じマスク１５を用い
て、異方性のウエットエッチングによりＰ型層をエッチ
ングした場合のシリコン基板の平面図、ＣはＢのｂ−
ｂ′断面図。 【図８】Ａは図５の工程において酸化膜９ｂのパター
ニングに使用するマスクの原理的な平面図、Ｂは工程
のエッチング終了後のシリコン基板１のＡに対応する平
面図、ＣはＢのｂ−ｂ′断面図。
度センサを示す図で、Ａは平面図、ＢはＡのａ−ａ′断
面図。 【図３】従来のシリコン加速度センサを示す図で、Ａは
平面図、ＢはＡのａ−ａ′断面図。 【図４】図３Ａにおいてピエゾ抵抗素子により形成され
るブリッジ回路の回路図。 【図５】図３のシリコン加速度センサの製造工程を示す
断面図。 【図６】図５の工程においてＰ型層１ｐが板面と直角
にエッチングできたと仮定したときの図で、Ａは工程
で酸化膜９ｂのパターニングに使用するマスクの原理的
な平面図、Ｂは工程のエッチング終了後のシリコン基
板１のＡに対応する平面図、ＣはＢのｂ−ｂ′断面図。 【図７】Ａは図６Ａと同一寸法のマスクの平面図、Ｂは
図５の工程３において、図６Ａと同じマスク１５を用い
て、異方性のウエットエッチングによりＰ型層をエッチ
ングした場合のシリコン基板の平面図、ＣはＢのｂ−
ｂ′断面図。 【図８】Ａは図５の工程において酸化膜９ｂのパター
ニングに使用するマスクの原理的な平面図、Ｂは工程
のエッチング終了後のシリコン基板１のＡに対応する平
面図、ＣはＢのｂ−ｂ′断面図。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01P 15/12
H01L 29/84
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 梁状構造部の厚さを持つＮ型層と、質量
部の厚さから前記梁状構造部の厚さを差し引いた厚さを
持つＰ型層とより成るシリコン基板の両面を酸化させ
て、酸化膜を形成する工程と、 前記Ｐ型層の表面の酸化膜をパターニングする工程と、 前記Ｐ型層の表面の酸化膜をマスクとして、前記Ｐ型層
を異方性のドライエッチングにより、前記Ｎ型層に達す
る少し前まで板面と直角にエッチングする工程と、 前記のエッチング工程で残されたＰ型層を電解エッチン
グにより前記Ｎ型層に達するまでエッチングする工程
と、 前記Ｎ型層の表面の酸化膜の下側に、ピエゾ抵抗素子を
形成し、そのピエゾ抵抗素子と接続される配線を前記酸
化膜上に形成する工程と、 前記Ｎ型層の表面の酸化膜を前記Ｐ型層の表面の酸化膜
のパターニングに対応するようにパターニングする工程
と、 前記Ｎ型層の表面の酸化膜のパターニングに対応するよ
うにＮ型層をエッチングして、枠部と質量部を隔離する
透孔を形成すると共に、前記枠部と質量部を橋絡する前
記梁状構造部を形成する工程と、 より成ることを特徴とするシリコン加速度センサの製
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02273797A JP3380908B2 (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | シリコン加速度センサの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02273797A JP3380908B2 (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | シリコン加速度センサの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10221362A JPH10221362A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3380908B2 true JP3380908B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=12091046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02273797A Expired - Fee Related JP3380908B2 (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | シリコン加速度センサの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3380908B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6862795B2 (en) * | 2002-06-17 | 2005-03-08 | Vty Holding Oy | Method of manufacturing of a monolithic silicon acceleration sensor |
| JP5046240B2 (ja) * | 2008-06-02 | 2012-10-10 | 株式会社ワコー | 加速度センサの製造方法 |
-
1997
- 1997-02-05 JP JP02273797A patent/JP3380908B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10221362A (ja) | 1998-08-21 |
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