JP3379515B2 - オルガノハロシランの製造方法 - Google Patents
オルガノハロシランの製造方法Info
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Classifications
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Landscapes
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- Organic Chemistry (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
ンの製造方法に関し、更に詳しくは、有効シランの生産
速度を向上させた工業的な直接法によるオルガノハロシ
ランの製造方法に関する。
ルハロシランの合成法に関しては、米国特許第2,38
0,995号公報においてE.Rochowが銅触媒に
よる金属珪素とアルキルハライドとの直接法を開示して
以来、銅触媒の存在下で用いる種々の助触媒に関するも
の、反応装置に関するもの、反応時の添加物に関するも
のなど、数多くの研究者によって、その成果の向上が報
告されてきた。オルガノハロシランの工業的合成におい
ては、シリコーン樹脂に最も多用されるジオルガノジハ
ロシランの選択性、シランの生成速度及び金属珪素の有
効シランヘの高転換率が重要とされる。ジオルガノジハ
ロシランの選択性は、生成シラン中の重量比(あるいは
モル比)、及びT/D比により評価される。生成オルガ
ノハロシラン中に含まれる物質としては、ジオルガノジ
ハロシラン(D)、トリオルガノハロシラン(M)、オ
ルガノトリハロシラン(T)などが挙げられ、オルガノ
ヒドロジハロシラン(H)やオルガノハロジシラン類も
生成する。特に、この直接法によるオルガノハロシラン
類を原料とするシリコーンの製造業者において、高留分
と呼ばれるジシラン類は有効な製品への誘導が少なく、
殆どが残渣として廃棄されている。T/D比とは全生成
オルガノハロシラン中のオルガノトリハロシランとジオ
ルガノジハロシランの組成比であり、T/D比が小さい
ほど好ましい。一方、オルガノハロシランの生成速度
は、STY(Space Time Yield)値を
用いる。STY値は反応器内に保持される金属珪素重量
に対する単位時間当たりの生成粗オルガノハロシランの
重量である。これら、生成ジオルガノジハロシラン組成
の向上あるいはT/D比の低下及びSTY値を向上させ
るため、触媒、助触媒を中心とした種々の研究がなされ
てきた。
明細書第617,569号(発明者証第122,749
号)では金属珪素−銅合金にアンチモンを20〜40p
pm添加した反応が開示されている。このときジメチル
ジクロロシランの組成は40%から60%へ向上したこ
とが示されている。また、米国特許第4,500,72
4号公報においては、200〜3,000ppmの錫を
含有する銅/亜鉛/錫系触媒を用いることによりT/D
比が0.037に向上したことが示されている。更に、
特公平6−92421号公報においては、砒素濃度にし
て50ppm以上の砒化銅を用いた反応が開示されてい
る。これら錫、アンチモン、砒素助触媒は金属珪素−銅
からなる反応触体に添加することで反応活性を高め、従
って金属珪素の反応率を向上させ得ることが述べられて
いる。
細書第903,369号(発明者証第178,817
号)では、亜鉛、ビスマス、リン(200ppm)、砒
素、錫、鉄から選択された助触媒を用いてジメチルジク
ロロシランの組成が前述の出願明細書第617,569
号(発明者証第122,749号)から72.1%まで
向上している。また、1969年11月20日付のソヴ
ィエト出願明細書第1,152,943号(発明者証第
237,892号)において、リン、銅、珪素、珪素合
金の形態で触体に対して2,500〜30,000pp
mのリンを添加することが示されており、ジメチルジク
ロロシラン組成は82.3%と改善されている。また、
米国特許第4,602,101号公報(特公平5−51
596号公報)においては、反応器内で元素状のリンが
発生するリン化合物を触体に対して25〜2,500p
pm添加することが示されている。この特許の場合にお
いては、ロシア特許に比べて反応成績が向上しているも
のの、発火性のある単体リンの使用など安全性や原材料
のコストアップなどの問題があり、これも商業規模の反
応器に適しているとは言い難い。また、F.Komit
skyら(Silicon for the Chem
ical Industry IV,Geirange
r,Norway(1998)p.217)は、リン化
銅のような形での添加も提案しているが、反応率が低
く、リンの有効利用及びリン濃度のコントロールの困難
さといった問題があった。また、米国特許第6,02
5,513号公報においては、意図的に硼素濃度を制御
する触体系を使用することで、合理的に生産性を向上さ
せる方法が開示されている。米国特許第5,059,7
06号公報においては、気相によりリン化合物を反応器
に導入することにより、選択性を向上させる方法が開示
されている。米国特許第6,005,130号公報で
は、オルガノモノホスフィンを導入することにより、選
択性を向上させる方法が開示された。
した添加物の類は、活性と組成選択性とにおいて著しい
トレードオフ現象がみられるものである。特に、リン由
来の酸化物が粉体表面の流動性の悪化を招く等の指摘も
あり、従来のリン含有添加物は、商業規模の連続操業に
おいては、メリットを得にくいという特徴を有するもの
である。直接法のような不均一系の気固反応において
は、従来のように金属粉や合金粉で新たな触媒作用を発
現しようとしても、それら導入量の大半が無効であり、
過剰分はかえって、正常反応相を被覆し、触媒作用を劣
化させるものである。それら以外の添加剤としては、
L.ROSCH、W.KALCHAUERら(Sili
con for the Chemical Indu
stry IV,Sandefjord,Norway
(1996))は、モノメチルジクロロシランを導入す
ることにより、活性を向上させる方法を開示している。
しかしながら、それは初期のみ有効であり、商業規模の
連続操業において持続的に効果を発揮するものとは言い
難い。
が低く、熱的安定性を欠くために高温反応で緻密に反応
を制御することは困難である。加えて、これら従来法の
いずれにおいても、触媒作用を有する原子間の距離を制
御することは不可能であった。
であり、有効シランの生産速度を向上させた、直接法に
よるオルガノハロシランの製造方法を提供することを目
的とする。
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、従来とは全く異なる発想から全く独特の作用を有
する活性剤として、オルガノホスフィノ化合物を配位子
とする錯化合物を使用することが、特に有効シランの生
産速度を向上させるために有効であることを知見した。
向上させる添加物、金属リン、酸化リン、リン化銅、リ
ン化錫、リン化亜鉛、リン化アルミニウム、リン化アン
チモン、三塩化リン、トリメチルホスフィン、トリフェ
ニルホスフィンの如きリン化合物を助触媒として直接法
(Direct Method,Rochow法)を実
施した場合にみられる現実的欠点を解決するために、つ
まり、ジオルガノジハロシランの組成は増加させるが、
反応速度を減少させるために有効シランの生産性を低下
させるという短所を解決することを目的とすると同時
に、従来の活性を向上させる添加物又はモノメチルジク
ロロシランの如き化合物を活性剤として直接法を実施す
る場合には達成し得ない生産速度の向上を実機で実現す
るために鋭意努力し、下記一般式(3)で示されるオル
ガノホスフィノ化合物、例えば下記一般式(3a)で示
される有機モノホスフィン化合物や下記一般式(3b)
で示される有機ダイホスフィン化合物を配位子とする下
記一般式(2)で示される錯体を添加する方法を見出し
たものである。
や気相低分子化合物の導入といった処方とは異なり、下
記一般式(3)に示されるオルガノホスフィノ化合物を
配位子とする下記一般式(2)の錯体を反応系に添加す
るとき、有効シランの組成を殆ど変化させることなく、
大幅に生産速度のみを増大させることを偶然発見したこ
とに基づくものである。
2価有機基を示し、aは0又は1、bは0以上の整数で
ある。)で示されるオルガノホスフィノ化合物であり、
MはこのL1と配位結合を形成する金属原子、L2はMに
直接結合している水素原子、ハロゲン原子又はπ受容性
配位子を示す。xは1以上の整数であり、y,zは1≦
y、0≦zで、かつ1≦y+z≦6xを満たす整数であ
る。]
の整数である。)
業的製造は1904年Kippingによって発見され
て以来、直接法が発見されるまでの間、グリニャール法
によった。しかしながら、グリニャール法は、工程が複
雑であることや溶剤を大量に使用することからくる危険
性もあり、現在では特殊なシラン類、カーボンファンク
ショナルシランなどの製造に用いられているのみであ
る。その後のE.Rochowによる直接合成法の発見
(米国特許第2,380,995号公報)は、シリコー
ン工業を飛躍的に発展させたことで大変な意義を持つも
のであるが、一方で高温反応であるが故に、有機合成の
観点から更なる改良の道を拓くことを困難なものにし
た。しかし、本発明者らは、直接法が発見されるまでの
有機合成法の系譜を重視し、直接法に間接法(グリニャ
ール反応)の手法を組み合わせることで、更なる精密合
成への道を切り開くことに心血を注いできた。本発明者
らは、直接法の触媒の機能を設計する上での本質は、特
に金属触媒と珪素の表面相に作用する配位結合性原子の
数とその立体配座を原子サイズで分子修飾することであ
ると考えた。本発明は、これを現実のものにするため
に、特に、グリニャール法におけるクロスカップリング
反応(M.Kumada et a1.,J.Am.C
hem.Soc.,106,158(1984))に着
想の源泉を得たものである。このグリニャール反応は均
一系反応であり、一方直接法は不均一系反応である。し
かしながら、本発明者らは上記クロスカップリング反応
における金属を直接法における反応表面固相と置き換え
ることにより、錯体触媒、詳しくは、オルガノホスフィ
ノ化合物を配位子とする錯体触媒、特に有機モノホスフ
ィン化合物及び有機ダイホスフィン化合物を配位子とす
る錯体触媒の特質を不均一系である直接法へ応用するこ
とに初めて挑戦した。
ては、従来のように金属粉や合金粉で新たな触媒作用を
発現しようとしても、それら導入量の大半が無効であ
り、過剰分はかえって正常反応を阻害する。また、従来
の気相低分子化合物は蒸発温度が低く、熱的安定性を欠
くために高温反応で緻密に反応を制御することは困難で
あった。
モノホスフィン化合物及び有機ダイホスフィン化合物群
に代表されるオルガノホスフィノ化合物を配位子とする
錯体触媒を直接法で使用する方法は、反応表面固相上で
複数の特定方向から確率的に隣接原子と相互作用するこ
とを見込んだ配位化合物を使用する方法であり、触媒作
用を有する配位原子間の距離を制御する方法である。従
って、これら錯体触媒を添加する有機ハロシランの製造
方法は、従来の改良法である金属原子集合体の導入や気
相低分子を導入する処方とは全く異なる発想である。本
発明者らは、この着想に基づき種々の錯体触媒(有機リ
ン錯体)を体系的に鋭意検討した。その結果、本発明者
らは驚くべき発見をした。本発明の錯体触媒は、配位結
合を形成することによって、配位子単体よりも熱的安定
性に優れ、蒸発温度が高く、反応過程において珪素表面
上に薄く斑に細かく反応点を形成するという特徴を持
つ。即ち、これら錯体触媒を有機ハロシランの製造方法
に使用する方法は、従来の活性剤に比べて極微量の使用
量で有効であり、とりわけ生産速度を著しく向上させる
効果を発揮し、しかも有効シラン量の組成比率を減ずる
ことがないという新知見を本発明者らは見出したもので
ある。
は反応性が低く定常使用が困難な珪素原料を使用した場
合においてさえ、本発明による錯体触媒を使用する方法
により、並の品位の金属珪素を使用する場合の生産性を
凌ぐ活性を付与することができることを明らかにした。
本発明者らは、オルガノハロシラン製造において、珪石
から珪素への製錬工程を含んだトータルシステムの合理
化を図る上で、錯体触媒の本発明に使われる添加法が純
度のグレードを落とした低コストの珪素原料を使いこな
す方法の礎となると考える。
媒を反応系に添加するとき、有効シランの組成を殆ど変
化させることなく、大幅に生産速度を増大させることを
発見したことに基づくものである。
本発明のオルガノハロシランの製造方法は、反応器内に
金属珪素粉末と銅触媒とを含む触体を仕込み、オルガノ
ハライドを含むガスを導入して、下記一般式(1) RnHmSiX4-n-m (1) (式中、Rは炭素数1〜6の1価炭化水素基、Xはハロ
ゲン原子を示し、n,mはそれぞれ0〜3の整数で、n
+m=1〜3を満足する。)で示されるオルガノハロシ
ランを製造する方法において、金属珪素及び触媒成分か
らなる触体が、上記一般式(3)で示されるオルガノホ
スフィノ化合物を配位子とする上記一般式(2)で示さ
れる錯体を含むことを特徴とするものである。
97重量%以上、特に純度が98重量%以上のものを用
いることが好ましい。また、金属珪素は粉砕し、適当な
粒度を持った粉末として使用することが好ましく、反応
器として流動床反応器又は撹拌床反応器を用いる場合
は、金属珪素粉末に良好な流動性を持たせるため、金属
珪素粉末の粒子径は篩分による重量基準累積分布曲線の
50%に相当する粒径として5〜150μmの範囲とす
ることが好ましい。
などの単体銅(金属銅)、あるいは酸化第一銅、酸化第
二銅、塩化銅等のハロゲン化銅、酢酸銅などの銅化合物
など、種々の形態のものを用いることができる。また助
触媒として、亜鉛、錫、アンチモン、砒素などの種々の
促進剤を用いてもよい。これら助触媒は、単独で用いて
も銅との合金等の形態で用いてもよく、銅との合金とし
ては、Cu−Zn,Cu−Sn,Cu−Zn−Sn(又
はSb,As)などが例示される。また、単独で用いる
形態において、助触媒として具体的には、金属亜鉛、塩
化亜鉛、酸化亜鉛、酢酸亜鉛の如き亜鉛化合物、金属
錫、塩化錫、酸化錫の如き錫化合物、金属アンチモン、
塩化アンチモン、酸化アンチモンの如きアンチモン化合
物、金属アルミニウム、塩化アルミニウム、酸化アルミ
ニウムの如きアルミニウム化合物、金属リン、三塩化リ
ン、酸化リンの如き無機リン化合物、トリメチルホスフ
ィン、トリフェニルホスフィンの如きモノアルキルホス
フィンなどを例示することができる。これら銅触媒、助
触媒は、反応器中に単独で仕込んでもい。
(重量部、以下同じ)に対して銅量に換算して0.1〜
10部、特に2〜8部とすることが好ましい。また、助
触媒の配合量は、その種類、形態等に応じた公知の配合
量において適宜選定され、例えば、亜鉛の配合量は金属
珪素粉末100部に対して0.05〜1部、錫、アンチ
モン及び砒素の配合量は金属珪素粉末に対していずれか
一種あるいは合計で0.001〜0.05部、好ましく
は0.005〜0.01部とするのがよい。
(1)のオルガノハロシランを得るためのオルガノハラ
イドとしては、製造すべきオルガノハロシラン、即ち式
(1)のRの種類(ここで、Rの1価炭化水素基として
は、アルキル基、アルケニル基、アリール基等が挙げら
れる)に応じて選定され、具体的には、塩化メチル、塩
化エチル、塩化プロピル、臭化メチル、臭化エチル、塩
化ベンゼン、臭化ベンゼンなどを例示することができ
る。この中で塩化メチル、塩化ベンゼンが好ましく、特
に工業的に最も有用なものは塩化メチルであり、これを
用いて製造されるジメチルジクロロシランは多くのシリ
コーン樹脂の原料として幅広い用途がある。オルガノハ
ライドは予め昇温し、ガス化した後、反応器へ送入す
る。この場合、オルガノハライドガスを単独で送入して
もよいし、不活性ガスと併せて触体が流動化する量とし
て算出され、用いる反応器の直径と空塔速度から適宜決
定される。
粉末と銅触媒とを含む触体に、下記一般式(2)で示さ
れる錯体を添加、配合するものである。 MxL1 yL2 z (2) [但し、L1は下記一般式(3)
2価有機基を示し、aは0又は1、bは0以上の整数で
ある。)で示されるオルガノホスフィノ化合物であり、
MはこのL1と配位結合を形成する金属原子、L2はMに
直接結合している水素原子、ハロゲン原子又はπ受容性
配位子を示す。xは1以上の整数であり、y,zは1≦
y、0≦zで、かつ1≦y+z≦6xを満たす整数であ
る。]
式(3a)で示される有機モノホスフィン化合物、下記
一般式(3b)で示される有機ダイホスフィン化合物が
好ましい。
の整数である。)
は、炭素数1〜12、特に1〜8のものであることが好
ましく、またR1〜R4は互いに同一でも異なっていても
よい。具体的には、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、イソブチル、tert−ブチル、ペン
チル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オ
クチル等のアルキル基、ビニル、アリル、プロペニル、
ブテニル、ヘキセニル等のアルケニル基、フェニル、キ
シリル、トリル等のアリール基、ベンジル、フェニルエ
チル等のアラルキル基などが挙げられる。好ましくはフ
ェニル基、メチル基、エチル基であり、特に好ましくは
フェニル基である。また、Y2は2価の有機基であり、
Y2H2がアルカン、アルケン、シクロアルカン、シクロ
アルケンやこれらの金属化合物、芳香族化合物などとな
る官能基である。なお、上記金属化合物としては、フェ
ロセン等のシクロアルケン金属化合物などを挙げること
ができる。Y2は好ましくは炭素数1〜20、特に1〜
10のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基な
どが挙げられ、これらの基は、その水素原子の一部又は
全部が−COO基、−CO−O−CO−基(酸無水物
基)などで置換されていてもよく、またエーテル酸素原
子、カルボニル基などを含んでいてもよい。
0以上、好ましくは0〜5の整数、特に好ましくは0,
1又は2であり、cは0以上の整数、好ましくは1〜1
0の整数である。
ルガノホスフィノ化合物で好ましいものは、ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)メタン、1,2−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)エタン、1,3−ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)プロパン、1,4−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)ブタン、1,5−ビス(ジフェニルホスフィノ)ペ
ンタン、1,6−ビス(ジフェニルホスフィノ)ヘキサ
ン、1,7−ビス(ジフェニルホスフィノ)ヘプタン、
1,8−ビス(ジフェニルホスフィノ)オクタン、1,
9−ビス(ジフェニルホスフィノ)ノナン、1,10−
ビス(ジフェニルホスフィノ)デカン、トリフェニルホ
スフィン、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)
1,1’−ビナフチル、1,4−ビス(ジフェニルホス
フィノ)ブタン、2,3−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)ブタン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エ
チレン、ビス(ジフェニルホスフィノエチレンエチル)
フェニルホスフィン、1,1’−ビス(ジフェニルホス
フィノ)フェロセン、1,6−ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)ヘキサン、2,3−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)無水マレイン酸、1,2−ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)プロパン、ビス(2−ジフェニルホスフィノエチ
ル)フェニルホスフィン、トリス[2−(ジフェニルホ
スフィノ)エチル]ホスフィン、1,2−ビス(ジメチ
ルホスフィノ)エタン等である。
1配位子)と配位結合を形成し、式(2)の中心金属M
となる元素としては、好ましくはV,Cr,Mn,F
e,Co,Ni,Cu,Zn,Mo,Ru,Rh,P
d,Ag,Sn,Os,Ir,Pt,Auであり、特に
好ましいのは、Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,
Rh,Pd,Sn,Ptである。
原子、ハロゲン原子、あるいはカルボニル、シクロペン
タジエニル、ベンゼン、オレフィン等のπ受容性配位子
等であり、好ましくはハロゲン原子、水素原子である。
種以上を併用してもよいが、2種以上を用いることが好
ましい。
には、珪素全量に対して、反応時間、スケール、金属珪
素の品位に応じて、式(2)の錯体を有効量使用するも
のであり、好ましくは1〜50,000ppm、更に好
ましくは50〜10,000ppmの添加量である。
において、反応器の触体の流動化に用いる不活性ガス
は、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等が例示さ
れるが、経済性の点から、窒素ガスを用いることが好ま
しい。これらの工程における不活性ガスの流速は触体の
流動化開始速度以上であればよいが、特に流動化開始速
度の5倍程度が好ましい。不活性ガスの流速をこの範囲
より小さくすると触体の均一な流動化が困難となり、一
方、不活性ガスの流速をこの範囲より大きくすると、金
属珪素粉の飛散が増加し、また不活性ガスのロスや熱の
ロスが増加するため不利である。また、不活性ガスとオ
ルガノハライドを循環使用することがより好ましい。
行った後、反応器にアルキルハライドを導入し、オルガ
ノハライドと金属珪素とを気−固接触反応させることに
よりオルガノハロシランを得ることができる。
00℃、特に250〜500℃の温度範囲で行うことが
好ましい。また、反応器としては、流動床反応器、撹拌
床反応器、固定床反応器などを用いることができ、工業
的には連続的な流動床反応器が好ましい。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。なお、下記の例において部は重量部を示
す。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部を仕込ん
だ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを流速1
4.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を
310℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反応を停
止した。この実験を6回繰り返し行った。使用した金属
珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシ
ラン生産速度の平均値と有効シラン量の累積組成の平均
値を表1に示す。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジクロ
ロ[ビス(ジフェニルホスフィノ)メタン]ニッケル
(II)(NiCl2(dppm))0.15部を仕込
んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを流速1
4.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を
310℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反応を停
止した。この実験を2回繰り返し行った。金属珪素中の
不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産
速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平均値を表1
に示す。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、酸化銅粉よりなる触媒混合物5部、ジクロ
ロ[ビス(ジフェニルホスフィノ)メタン]ニッケル
(II)(NiCl2(dppm))0.15部を仕込
んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを流速1
4.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を
320℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反応を停
止した。この実験を2回繰り返し行った。金属珪素中の
不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産
速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平均値を表1
に示す。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジクロ
ロ[1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]ニ
ッケル(II)(NiCl2(dppe))0.15部
を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを
流速14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内
温度を310℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反
応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。金属珪
素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラ
ン生産速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平均値
を表1に示す。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、酸化銅粉よりなる触媒混合物5部、ジクロ
ロ[1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]ニ
ッケル(II)(NiCl2(dppe))0.15部
を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを
流速14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内
温度を320℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反
応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。金属珪
素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラ
ン生産速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平均値
を表1に示す。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジクロ
ロ[1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン]
ニッケル(II)(NiCl2(dppp))0.15
部を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガス
を流速14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器
内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。6時間後
反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。金属
珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシ
ラン生産速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平均
値を表1に示す。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、酸化銅粉よりなる触媒混合物5部、ジクロ
ロ[1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン]
ニッケル(II)(NiCl2(dppp))0.15
部を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガス
を流速14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器
内温度を320℃まで上げ、反応を継続した。6時間後
反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。金属
珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシ
ラン生産速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平均
値を表1に示す。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジクロ
ロ[1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン]ニ
ッケル(II)(NiCl2(dppb))0.15部
を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを
流速14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内
温度を310℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反
応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。金属珪
素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラ
ン生産速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平均値
を表1に示す。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、酸化銅粉よりなる触媒混合物5部、ジクロ
ロ[1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン]ニ
ッケル(II)(NiCl2(dppb))0.15部
を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを
流速14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内
温度を320℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反
応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。金属珪
素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラ
ン生産速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平均値
を表1に示す。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジクロ
ロ[1,5−ビス(ジフェニルホスフィノ)ペンタン]
ニッケル(II)(NiCl2(dpppe))0.1
5部を仕込んだ。その後、塩化メチルを流速14.4N
l/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃
まで上げ、反応を継続した。6時間後反応を停止した。
この実験を2回繰り返し行った。金属珪素中の不純物濃
度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平
均値、有効シラン量の累積組成の平均値を表1に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、酸化銅粉よりなる触媒混合物5部、ジク
ロロ[1,5−ビス(ジフェニルホスフィノ)ペンタ
ン]ニッケル(II)(NiCl2(dpppe))
0.15部を仕込んだ。その後、塩化メチルを流速1
4.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を
320℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反応を停
止した。この実験を2回繰り返し行った。金属珪素中の
不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産
速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平均値を表1
に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジク
ロロ[1,10−ビス(ジフェニルホスフィノ)デカ
ン]ニッケル(II)(NiCl2(dppd))0.
15部を仕込んだ。その後、塩化メチルを流速14.4
Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を310
℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反応を停止し
た。この実験を2回繰り返し行った。金属珪素中の不純
物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度
の平均値、有効シラン量の累積組成の平均値を表1に示
す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、酸化銅粉よりなる触媒混合物5部、ジク
ロロ[1,10−ビス(ジフェニルホスフィノ)デカ
ン]ニッケル(II)(NiCl2(dppd))0.
15部を仕込んだ。その後、塩化メチルを流速14.4
Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を320
℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反応を停止し
た。この実験を2回繰り返し行った。金属珪素中の不純
物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度
の平均値、有効シラン量の累積組成の平均値を表1に示
す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジク
ロロ[ビス(ジフェニルホスフィノ)メタン]ニッケル
(II)(NiCl2(dppm))0.02部を仕込
んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを流速1
4.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を
310℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反応を停
止した。この実験を2回繰り返し行った。金属珪素中の
不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産
速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平均値を表1
に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジク
ロロ[1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパ
ン]ニッケル(II)(NiCl2(dppp))0.
02部を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合
ガスを流速14.4Nl/minで反応器に導入し、反
応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。6時
間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。
金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時まで
のシラン生産速度の平均値、有効シラン量の累積組成の
平均値を表1に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジク
ロロ[1,10−ビス(ジフェニルホスフィノ)デカ
ン]ニッケル(II)(NiCl2(dppd))0.
02部を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合
ガスを流速14.4Nl/minで反応器に導入し、反
応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。6時
間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。
金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時まで
のシラン生産速度の平均値、有効シラン量の累積組成の
平均値を表1に示す。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、リン化
銅0.2部を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との
混合ガスを流速14.4Nl/minで反応器に導入
し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続し
た。6時間後反応を停止した。この実験を3回繰り返し
行った。金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終
了時までのシラン生産速度の平均値、有効シラン量の累
積組成の平均値を表1に示す。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部を仕込ん
だ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを流速1
4.4Nl/minで反応器に導入した。また、トリク
ロロホスフィンの0.1mol/lトルエン溶液を窒素
ガスでバブリングさせ、気化したトリクロロホスフィン
を窒素と同伴することにより反応器内に導入した。反応
器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。6時間
後反応を停止した。この実験を3回繰り返し行った。金
属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までの
シラン生産速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平
均値を表1に示す。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部を仕込ん
だ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを流速1
4.4Nl/minで反応器に導入した。また、トリメ
チルホスフィンの0.1mol/lトルエン溶液を窒素
ガスでバブリングさせ、気化したトリメチルホスフィン
を窒素と同伴することにより反応器内に導入した。反応
器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。6時間
後反応を停止した。この実験を3回繰り返し行った。金
属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までの
シラン生産速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平
均値を表1に示す。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部を仕込ん
だ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを流速1
4.4Nl/minで反応器に導入した。また、モノメ
チルジクロロシラン(MH)の0.1mol/lトルエ
ン溶液を窒素ガスでバブリングさせ、気化したモノメチ
ルジクロロシランを窒素と同伴することにより反応器内
に導入した。反応器内温度を310℃まで上げ、反応を
継続した。6時間後反応を停止した。この実験を3回繰
り返し行った。金属珪素中の不純物濃度、反応開始から
反応終了時までのシラン生産速度の平均値、有効シラン
量の累積組成の平均値を表1に示す。
1〜15は2回の実験の平均値、比較例2〜5は3回の
実験の平均値である。 (c)各実施例の生産速度データの平均値(D)に対し
て、比較例1で行った6回の実験の生産速度データの平
均値(m)とその標準偏差σより、以下の式で算出した
統計量である。 標準化変換量=(D−m)/σ (e)各々の添加物の0.1mol/lトルエン溶液を
塩化メチルと窒素ガスと同伴することにより反応器内に
導入した。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、テト
ラクロロテトラキス[1,3−ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)プロパン]四銅(II)(Cu4Cl4(dpp
p)4)0.15部を仕込んだ。その後、塩化メチルと
窒素との混合ガスを流速14.4Nl/minで反応器
に導入し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継
続した。6時間後反応を停止した。この実験を2回繰り
返し行った。金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反
応終了時までのシラン生産速度の平均値、有効シラン量
の累積組成の平均値を表2に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジク
ロロ[1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパ
ン]コバルト(I)(CoCl2(dppp))0.1
5部を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガ
スを流速14.4Nl/minで反応器に導入し、反応
器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。6時間
後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。金
属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までの
シラン生産速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平
均値を表2に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジク
ロロビス[1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロ
パン]鉄(II)(FeCl2(dppp)2)0.15
部を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガス
を流速14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器
内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。6時間後
反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。金属
珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシ
ラン生産速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平均
値を表2に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、クロ
ロヒドリドビス[1,3−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)プロパン]鉄(III)(FeHCl(dppp)
2)0.15部を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素
との混合ガスを流速14.4Nl/minで反応器に導
入し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続し
た。6時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し
行った。金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終
了時までのシラン生産速度の平均値、有効シラン量の累
積組成の平均値を表2に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、クロ
ロトリス(トリフェニルホスフィン)コバルト(I)
(CoCl(tpp)3)0.15部を仕込んだ。その
後、塩化メチルと窒素との混合ガスを流速14.4Nl
/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃ま
で上げ、反応を継続した。6時間後反応を停止した。こ
の実験を2回繰り返し行った。金属珪素中の不純物濃
度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平
均値、有効シラン量の累積組成の平均値を表2に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ビス
(トリフェニルホスフィン)ニッケル(II)クロライ
ド(NiCl2(tpp)2)0.15部を仕込んだ。そ
の後、塩化メチルと窒素との混合ガスを流速14.4N
l/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃
まで上げ、反応を継続した。6時間後反応を停止した。
この実験を2回繰り返し行った。金属珪素中の不純物濃
度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平
均値、有効シラン量の累積組成の平均値を表2に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、クロ
ロトリス(トリフェニルホスフィン)銅(I)(CuC
l(tpp)3)0.15部を仕込んだ。その後、塩化
メチルと窒素との混合ガスを流速14.4Nl/min
で反応器に導入し、反応器内温度を310℃まで上げ、
反応を継続した。6時間後反応を停止した。この実験を
2回繰り返し行った。金属珪素中の不純物濃度、反応開
始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値、有効
シラン量の累積組成の平均値を表2に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、クロ
ロトリス(トリフェニルホスフィン)ロジウム(I)
(RhCl(tpp)3)0.15部を仕込んだ。その
後、塩化メチルと窒素との混合ガスを流速14.4Nl
/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃ま
で上げ、反応を継続した。6時間後反応を停止した。こ
の実験を2回繰り返し行った。金属珪素中の不純物濃
度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平
均値、有効シラン量の累積組成の平均値を表2に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジク
ロロ[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロ
セン]パラジウム(II)(PdCl2(dppf))
0.15部を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との
混合ガスを流速14.4Nl/minで反応器に導入
し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続し
た。6時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し
行った。金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終
了時までのシラン生産速度の平均値、有効シラン量の累
積組成の平均値を表2に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジク
ロロ[1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]
パラジウム(II)(PdCl2(dppe))0.1
5部を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガ
スを流速14.4Nl/minで反応器に導入し、反応
器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。6時間
後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。金
属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までの
シラン生産速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平
均値を表2に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジク
ロロ[1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパ
ン]パラジウム(II)(PdCl2(dppp))
0.15部を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との
混合ガスを流速14.4Nl/minで反応器に導入
し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続し
た。6時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し
行った。金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終
了時までのシラン生産速度の平均値、有効シラン量の累
積組成の平均値を表2に示す。
である。 (c)各実施例の生産速度データの平均値(D)に対し
て、比較例1で行った6回の実験の生産速度データの平
均値(m)とその標準偏差σより、以下の式で算出した
統計量である。 標準化変換量=(D−m)/σ
加した場合は、有効シラン組成を殆ど減ずることなく、
生産速度を上昇させる結果を得た。それは、統計量とし
て一般的な標準化変換量を比較することにより明確なも
のとなった。即ち、比較例では生産速度の標準化変換量
が1σ以下あるいは負の値をとることに比べて、本発明
による実施例においては3σを超えている。このことは
本発明の効果の有意性と著しい作用を裏付けるものであ
る。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
(Fe0.29%、Al0.07%、Ca0.06%)
を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部を仕込ん
だ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを流速1
4.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を
310℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反応を停
止した。この実験を3回繰り返し行った。反応開始から
反応終了時までのシラン生産速度の平均値、有効シラン
量の累積組成の平均値を表3に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉(Fe0.29%、Al0.07%、Ca0.06
%)を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジ
クロロ[1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパ
ン]ニッケル(II)(NiCl2(dppp))0.
2部を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガ
スを流速14.4Nl/minで反応器に導入し、反応
器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。6時間
後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。反
応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値、
有効シラン量の累積組成の平均値を表3に示す。
27は2回の実験の平均値である。 (c)実施例27の生産速度データの平均値(D)に対
して、比較例6で行った3回の実験の生産速度データの
平均値(m)とその標準偏差σより、以下の式で算出し
た統計量である。 標準化変換量=(D−m)/σ
な金属珪素は、比較例1と比べてわかるように活性が著
しく低いことが示される。しかしながら、本発明に基づ
く実施例27によれば、標準条件で極めて低活性な珪素
原料においてさえ、更に著しい高生産性を得ることがで
きた。標準化変換量を比較するとその作用が桁違いのも
のであることが明らかである。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
を100部、金属銅紛よりなる触媒混合物4部を仕込ん
だ。その後、塩化ベンゼンと窒素との混合ガスを流速1
4.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を
510℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反応を停
止した。この実験を3回繰り返し行った。金属珪素中の
不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産
速度の平均値、有効シラン量の累積組成の平均値を表4
に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジク
ロロ[1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパ
ン]ニッケル(II)(NiCl2(dppp))0.
2部を仕込んだ。その後、塩化ベンゼンと窒素との混合
ガスを流速14.4Nl/minで反応器に導入し、反
応器内温度を510℃まで上げ、反応を継続した。6時
間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。
金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時まで
のシラン生産速度の平均値、有効シラン量の累積組成の
平均値を表4に示す。
28は2回の実験の平均値である。 (c)実施例28の生産速度データの平均値(D)に対
して、比較例7で行った3回の実験の生産速度データの
平均値(m)とその標準偏差σより、以下の式で算出し
た統計量である。 標準化変換量=(D−m)/σ
た場合は、フェニルクロロシランにおいても生産速度を
上昇させる結果を得た。それは、統計量として一般的な
標準化変換量を比較することにより明確なものとなっ
た。即ち、比較例7の生産速度に比して、本発明による
実施例28における生産速度の標準化変換量は3σを超
えている。このことは本発明の有意性と著しい効果を裏
付けるものである。
mのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉
(Fe0.45%、Al0.18%、Ca7.3%)を
100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部を仕込ん
だ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを流速1
4.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を
310℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反応を停
止した。この実験を3回繰り返し行った。反応開始から
反応終了時までのシラン生産速度の平均値、有効シラン
量の累積組成の平均値を表5に示す。
mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素
粉(Fe0.45%、Al0.18%、Ca7.3%)
を100部、金属銅粉よりなる触媒混合物4部、ジクロ
ロ[1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン]
ニッケル(II)(NiCl2(dppp))0.2部
を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを
流速14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内
温度を310℃まで上げ、反応を継続した。6時間後反
応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。反応開
始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値、有効
シラン量の累積組成の平均値を表5に示す。
29は2回の実験の平均値である。 (c)実施例29の生産速度データの平均値(D)に対
して、比較例8で行った3回の実験の生産速度データの
平均値(m)とその標準偏差σより、以下の式で算出し
た統計量である。 標準化変換量=(D−m)/σ
な金属珪素は、比較例1と比べてわかるように活性が著
しく低いことが示される。しかしながら、本発明に基づ
く実施例29によれば、標準条件で極めて低活性な珪素
原料においても、高生産性を実現することができた。標
準化変換量を比較するとその作用が極めて著しいのもの
であることが明らかである。
低下させることなく、生産速度を大幅に向上させてオル
ガノハロシランを製造することができる。従来の標準的
処方では、反応性が低く定常使用が困難なほど活性の得
にくい珪素原料を使用した場合においてさえ、本発明に
よる錯体触媒(有機リン錯体)を使用することにより、
並の品位の金属珪素を使用する場合の生産性を凌ぐ活性
を付与することができる。更にまた、純度のグレードを
落とした低コストの珪素原料も使用することができる。
Claims (7)
- 【請求項1】 反応器内に金属珪素粉末と銅触媒とを含
む触体を仕込み、オルガノハライドを含むガスを導入し
て、下記一般式(1) RnHmSiX4-n-m (1) (式中、Rは炭素数1〜6の1価炭化水素基、Xはハロ
ゲン原子を示し、n,mはそれぞれ0〜3の整数で、n
+m=1〜3を満足する。)で示されるオルガノハロシ
ランを製造する方法において、金属珪素及び触媒成分か
らなる触体が、下記一般式(2) MxL1 yL2 z (2) [但し、L1は下記一般式(3) 【化1】 (式中、R1,R2,R3,R4は1価炭化水素基、Y2は
2価有機基を示し、aは0又は1、bは0以上の整数で
ある。)で示されるオルガノホスフィノ化合物であり、
MはこのL1と配位結合を形成する金属原子、L2はMに
直接結合している水素原子、ハロゲン原子又はπ受容性
配位子を示す。xは1以上の整数であり、y,zは1≦
y、0≦zで、かつ1≦y+z≦6xを満たす整数であ
る。]で示される錯体を含むことを特徴とするオルガノ
ハロシランの製造方法。 - 【請求項2】 L1配位子が、下記一般式(3a) 【化2】 (式中、R1,R2,R4は上記と同じ。)で示される有
機モノホスフィン化合物である請求項1記載の製造方
法。 - 【請求項3】 L1配位子が、下記一般式(3b) 【化3】 (式中、R1,R2,R3,R4は上記と同じ、cは0以上
の整数である。)で示される有機ダイホスフィン化合物
である請求項1記載の製造方法。 - 【請求項4】 上記一般式(2)で示される錯体を2種
類以上含有させる請求項1,2又は3記載の製造方法。 - 【請求項5】 オルガノハライドが、塩化メチル又は塩
化ベンゼンである請求項1乃至4のいずれか1項記載の
製造方法。 - 【請求項6】 反応温度が230〜600℃である請求
項1乃至5のいずれか1項記載の製造方法。 - 【請求項7】 反応を流動床反応器、撹拌床反応器、又
は固定床反応器を用いて行う請求項1乃至6のいずれか
1項記載の製造方法。
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