JP3378598B2 - 触媒組成物 - Google Patents
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- zirconium dichloride
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- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F17/00—Metallocenes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F10/00—Homopolymers and copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
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- C08F4/42—Metals; Metal hydrides; Metallo-organic compounds; Use thereof as catalyst precursors
- C08F4/44—Metals; Metal hydrides; Metallo-organic compounds; Use thereof as catalyst precursors selected from light metals, zinc, cadmium, mercury, copper, silver, gold, boron, gallium, indium, thallium, rare earths or actinides
- C08F4/60—Metals; Metal hydrides; Metallo-organic compounds; Use thereof as catalyst precursors selected from light metals, zinc, cadmium, mercury, copper, silver, gold, boron, gallium, indium, thallium, rare earths or actinides together with refractory metals, iron group metals, platinum group metals, manganese, rhenium technetium or compounds thereof
- C08F4/62—Refractory metals or compounds thereof
- C08F4/64—Titanium, zirconium, hafnium or compounds thereof
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- C08F4/6592—Component covered by group C08F4/64 containing a transition metal-carbon bond containing at least one cyclopentadienyl ring, condensed or not, e.g. an indenyl or a fluorenyl ring
- C08F4/65922—Component covered by group C08F4/64 containing a transition metal-carbon bond containing at least one cyclopentadienyl ring, condensed or not, e.g. an indenyl or a fluorenyl ring containing at least two cyclopentadienyl rings, fused or not
- C08F4/65925—Component covered by group C08F4/64 containing a transition metal-carbon bond containing at least one cyclopentadienyl ring, condensed or not, e.g. an indenyl or a fluorenyl ring containing at least two cyclopentadienyl rings, fused or not two cyclopentadienyl rings being mutually non-bridged
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、触媒組成物と、この触
媒組成物にα−オレフィンを接触させることからなる１
種類以上のα−オレフィンの重合方法とに関する。
媒組成物にα−オレフィンを接触させることからなる１
種類以上のα−オレフィンの重合方法とに関する。
【０００２】
ａ．一般式（Ｃｐ）2ＭｅＸ2［式中、Ｃｐは１つ以上の
アルキル基で置換したものであり得る互いに同じ又は異
なるシクロペンタジエニル基を表し、Ｍｅは第ＩＶＡ族
金属を表し、Ｘは第ＩＶＡ族金属に結合したハロゲン置
換基を表す］で示される第ＩＶＡ金属化合物と、 ｂ．アルミノキサン とをベースとする触媒組成物、並びに１種類以上のα−
オレフィンの重合におけるこれらの触媒組成物の使用
は、欧州特許出願公開ＥＰ−Ａ−２８３７３９号で知ら
れている。重合すべきα−オレフィンが少なくとも３個
の炭素原子を有し且つ使用する触媒組成物のシクロペン
タジエニル基がモノ−、ジ−、トリ−もしくはテトラア
ルキルで置換されている場合にはビニリデン末端基を有
するポリオレフィンが重合生成物として得られる。ビニ
リデン末端基は例えば、プロペン又はブタン−１が重合
される時は、それぞれ式−Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2又は−Ｃ
（Ｃ2Ｈ5）＝ＣＨ2で示される。現在欧州特許出願第０
４９０４５４号となっている早期公開されていない英国
特許出願第９０２７０００．０号は、ビニリデン末端基
を有する前述のようなポリマーを潤滑油組成物に有用な
添加剤の調製で中間生成物として使用することを開示し
ている。ここで留意すべきこととして、ペンタアルキル
シクロペンタジエニル基を有する触媒組成物を使用する
と、ビニリデン末端基ではなくビニル末端基を有するポ
リオレフィンが得られる。
アルキル基で置換したものであり得る互いに同じ又は異
なるシクロペンタジエニル基を表し、Ｍｅは第ＩＶＡ族
金属を表し、Ｘは第ＩＶＡ族金属に結合したハロゲン置
換基を表す］で示される第ＩＶＡ金属化合物と、 ｂ．アルミノキサン とをベースとする触媒組成物、並びに１種類以上のα−
オレフィンの重合におけるこれらの触媒組成物の使用
は、欧州特許出願公開ＥＰ−Ａ−２８３７３９号で知ら
れている。重合すべきα−オレフィンが少なくとも３個
の炭素原子を有し且つ使用する触媒組成物のシクロペン
タジエニル基がモノ−、ジ−、トリ−もしくはテトラア
ルキルで置換されている場合にはビニリデン末端基を有
するポリオレフィンが重合生成物として得られる。ビニ
リデン末端基は例えば、プロペン又はブタン−１が重合
される時は、それぞれ式−Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2又は−Ｃ
（Ｃ2Ｈ5）＝ＣＨ2で示される。現在欧州特許出願第０
４９０４５４号となっている早期公開されていない英国
特許出願第９０２７０００．０号は、ビニリデン末端基
を有する前述のようなポリマーを潤滑油組成物に有用な
添加剤の調製で中間生成物として使用することを開示し
ている。ここで留意すべきこととして、ペンタアルキル
シクロペンタジエニル基を有する触媒組成物を使用する
と、ビニリデン末端基ではなくビニル末端基を有するポ
リオレフィンが得られる。
【０００３】前出のＥＰ−Ａ−２８３７３９号で知られ
ている触媒のうち、最も大きい活性を示すのは、シクロ
ペンタジエニル基が３つのアルキル基で特に１，２，４
−構成で置換されている触媒である。シクロペンタジエ
ニル基が３つのアルキル基で１，２，３−構成で置換さ
れている触媒の重合活性は、シクロペンタジエニル基が
１，２，４−構成で置換されている触媒の活性より実質
的に小さい。シクロペンタジエニル基に１つまたは５つ
のアルキル基が結合している触媒は活性が更に小さく、
未置換シクロペンタジエニル基を有する触媒の活性に近
い。従って、これらの触媒組成物の最適重合活性を利用
するためには、１，２，４−トリアルキル置換シクロペ
ンタジエニル基を適用すべきである。
ている触媒のうち、最も大きい活性を示すのは、シクロ
ペンタジエニル基が３つのアルキル基で特に１，２，４
−構成で置換されている触媒である。シクロペンタジエ
ニル基が３つのアルキル基で１，２，３−構成で置換さ
れている触媒の重合活性は、シクロペンタジエニル基が
１，２，４−構成で置換されている触媒の活性より実質
的に小さい。シクロペンタジエニル基に１つまたは５つ
のアルキル基が結合している触媒は活性が更に小さく、
未置換シクロペンタジエニル基を有する触媒の活性に近
い。従って、これらの触媒組成物の最適重合活性を利用
するためには、１，２，４−トリアルキル置換シクロペ
ンタジエニル基を適用すべきである。
【０００４】公知の触媒組成物は、重合効果を発揮する
ために、比較多量のアルミノキサン成分を含んでいる。
これは、最終ポリマー製品における触媒残留物の量、特
にアルミニウムの量が多くなり得、且つ重合プロセスが
費用効果的でなくなり得るため、不利なことである。活
性の大きい触媒を選択できれば、重合プロセスで使用す
る触媒組成物の量を低下させることができる。
ために、比較多量のアルミノキサン成分を含んでいる。
これは、最終ポリマー製品における触媒残留物の量、特
にアルミニウムの量が多くなり得、且つ重合プロセスが
費用効果的でなくなり得るため、不利なことである。活
性の大きい触媒を選択できれば、重合プロセスで使用す
る触媒組成物の量を低下させることができる。
【０００５】１，２，４−トリアルキル置換シクロペン
タジエニル基の使用に固有の欠点は、第ＩＶ族金属化合
物の製造に使用し得る対応するシクロペンタジエンの調
製が、３つのアルキル基を特定の構成で導入することを
要する点にある。これは難しい操作である。あるいは、
対応するシクロペンタジエンの調製が、取得困難であり
得る出発材料を必要とする。
タジエニル基の使用に固有の欠点は、第ＩＶ族金属化合
物の製造に使用し得る対応するシクロペンタジエンの調
製が、３つのアルキル基を特定の構成で導入することを
要する点にある。これは難しい操作である。あるいは、
対応するシクロペンタジエンの調製が、取得困難であり
得る出発材料を必要とする。
【０００６】本発明の目的は、α−オレフィンの重合で
大きな活性を示し、ビニリデン末端基を有するポリオレ
フィンの調製に使用でき、且つ入手の容易な材料から簡
単に調製できる触媒組成物を提供することにある。
大きな活性を示し、ビニリデン末端基を有するポリオレ
フィンの調製に使用でき、且つ入手の容易な材料から簡
単に調製できる触媒組成物を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】シクロペンタジエニル基
を単一のアリール基で置換したビス（シクロペンタジエ
ニル）第ＩＶＡ族金属化合物をベースとする触媒組成物
は、未置換シクロペンタジエニル基を有するビス（シク
ロペンタジエニル）第ＩＶＡ族金属化合物よりかなり大
きいα−オレフィン重合活性を有し得ることが判明し
た。しかも、この種の触媒組成物を用いると、ビニリデ
ン末端基を有するポリマーを得ることができる。驚くべ
きことに、アリール置換シクロペンタジエニル基をベー
スとする触媒組成物の活性は、アルキル置換シクロペン
タジエニル基をベースとする公知の触媒組成物とは異な
り、モノ置換シクロペンタジエニル基の場合に最大とな
る。アリール基は置換してもしなくてもよい。モノアリ
ールシクロペンタジエンは容易に調製できる。
を単一のアリール基で置換したビス（シクロペンタジエ
ニル）第ＩＶＡ族金属化合物をベースとする触媒組成物
は、未置換シクロペンタジエニル基を有するビス（シク
ロペンタジエニル）第ＩＶＡ族金属化合物よりかなり大
きいα−オレフィン重合活性を有し得ることが判明し
た。しかも、この種の触媒組成物を用いると、ビニリデ
ン末端基を有するポリマーを得ることができる。驚くべ
きことに、アリール置換シクロペンタジエニル基をベー
スとする触媒組成物の活性は、アルキル置換シクロペン
タジエニル基をベースとする公知の触媒組成物とは異な
り、モノ置換シクロペンタジエニル基の場合に最大とな
る。アリール基は置換してもしなくてもよい。モノアリ
ールシクロペンタジエンは容易に調製できる。
【０００８】そこで本発明は、
ａ．一般式（Ｃｐ）pＭｅＸ4-p［式中、Ｃｐは１つ以上
のヒドロカルビル基で置換したものであってよい互いに
同じもしくは異なるシクロペンタジエニル基を表し、但
し少なくとも１つのシクロペンタジエニル基は任意に置
換した単一アリール基で置換されており、Ｍｅは第ＩＶ
Ａ族金属を表し、Ｘは第ＩＶＡ族金属に結合した１つ以
上の置換基であって、ヒドロカルビル基、ヒドロカルボ
キシ基、ヒドロカルバミド基、水素及びハロゲンから選
択した基を表し、ｐは１〜４の整数である］で示される
第ＩＶＡ族金属化合物と、 ｂ．アルミノキサン とをベースとする触媒組成物を提供する。
のヒドロカルビル基で置換したものであってよい互いに
同じもしくは異なるシクロペンタジエニル基を表し、但
し少なくとも１つのシクロペンタジエニル基は任意に置
換した単一アリール基で置換されており、Ｍｅは第ＩＶ
Ａ族金属を表し、Ｘは第ＩＶＡ族金属に結合した１つ以
上の置換基であって、ヒドロカルビル基、ヒドロカルボ
キシ基、ヒドロカルバミド基、水素及びハロゲンから選
択した基を表し、ｐは１〜４の整数である］で示される
第ＩＶＡ族金属化合物と、 ｂ．アルミノキサン とをベースとする触媒組成物を提供する。
【０００９】ヒドロカルボキシという用語はアルコキシ
及びアリールオキシ基を意味し、ヒドロカルバミドとい
う用語はアルキルアミド及びアリールアミド基を意味す
る。本発明は、α−オレフィンを本発明の触媒組成物と
接触させることからなる１種類以上のα−オレフィンの
重合方法にも関する。
及びアリールオキシ基を意味し、ヒドロカルバミドとい
う用語はアルキルアミド及びアリールアミド基を意味す
る。本発明は、α−オレフィンを本発明の触媒組成物と
接触させることからなる１種類以上のα−オレフィンの
重合方法にも関する。
【００１０】例えばＥＰ−Ａ−１２９３６８号、ＥＰ−
Ａ−２２６４６３号、ＥＰ−Ａ−１２８０４６号及びＥ
Ｐ−Ａ−２６０９９９号のような種々の文書には、シク
ロペンタジエニル第ＩＶＡ族金属化合物とアルミノキサ
ンとを含む重合触媒組成物が開示されている。これらの
文書は、シクロペンタジエニル基が様々なヒドロカルビ
ル基、例えばアルキル、アリールアルキル、アルケニ
ル、アリール及びアルキルアリールで置換できることを
教示しているが、アリール又はアルキルアリール基が好
ましい置換基であるとは述べていない。例えば、これら
の文書には、アリール又はアルキルアリールで置換した
シクロペンタジエニル基を有する化合物の具体例が全く
明示されていない。これらの文書は更に、シクロペンタ
ジエニル基に任意数のアルキル基が存在し得ることを教
示しており、例えばビス（シクロペンタジエニル）ジル
コニウム化合物がアルキル、ジアルキル、トリアルキ
ル、テトラアルキル又はペンタアルキル置換シクロペン
タジエニル基を有し得るとしている。従って当業者に
は、これらの文書のシクロペンタジエニル化合物がシク
ロペンタジエニル基に任意数のヒドロカルビル基を有し
得ることは理解されるが、ヒドロカルビル置換基の最適
数に関する情報は示されていない。
Ａ−２２６４６３号、ＥＰ−Ａ−１２８０４６号及びＥ
Ｐ−Ａ−２６０９９９号のような種々の文書には、シク
ロペンタジエニル第ＩＶＡ族金属化合物とアルミノキサ
ンとを含む重合触媒組成物が開示されている。これらの
文書は、シクロペンタジエニル基が様々なヒドロカルビ
ル基、例えばアルキル、アリールアルキル、アルケニ
ル、アリール及びアルキルアリールで置換できることを
教示しているが、アリール又はアルキルアリール基が好
ましい置換基であるとは述べていない。例えば、これら
の文書には、アリール又はアルキルアリールで置換した
シクロペンタジエニル基を有する化合物の具体例が全く
明示されていない。これらの文書は更に、シクロペンタ
ジエニル基に任意数のアルキル基が存在し得ることを教
示しており、例えばビス（シクロペンタジエニル）ジル
コニウム化合物がアルキル、ジアルキル、トリアルキ
ル、テトラアルキル又はペンタアルキル置換シクロペン
タジエニル基を有し得るとしている。従って当業者に
は、これらの文書のシクロペンタジエニル化合物がシク
ロペンタジエニル基に任意数のヒドロカルビル基を有し
得ることは理解されるが、ヒドロカルビル置換基の最適
数に関する情報は示されていない。
【００１１】ビスシクロペンタジエニル第ＩＶＡ族金属
化合物とアルミノキサンとを含む触媒組成物であって、
シクロペンタジエニル基が二価架橋基によって結合され
ており且つシクロペンタジエニル基の一方もしくは両方
がモノフェニル置換されている触媒組成物はＥＰ−Ａ−
３１６１５５号で公知である。しかしながらこの先行文
書は、α−オレフィンの重合におけるこれら触媒組成物
の触媒活性には触れていない。
化合物とアルミノキサンとを含む触媒組成物であって、
シクロペンタジエニル基が二価架橋基によって結合され
ており且つシクロペンタジエニル基の一方もしくは両方
がモノフェニル置換されている触媒組成物はＥＰ−Ａ−
３１６１５５号で公知である。しかしながらこの先行文
書は、α−オレフィンの重合におけるこれら触媒組成物
の触媒活性には触れていない。
【００１２】ビスインデニル第ＩＶＡ族金属化合物とア
ルミノキサンとをベースとし、２つのインデニル基が五
員環でモノアリール置換されており且つ２つのインデニ
ル基が二価架橋基によって互いに結合されているという
点で本発明の触媒組成物に極めて類似している触媒組成
物に関する最近の発見に照らし合わせてみると特に明ら
かなように、本発明は極めて驚くべきものである。前記
類似の触媒組成物、即ちモノアリール置換され架橋され
たビスインデニル基をベースとする組成物は、未置換の
架橋したインデニル基をベースとする対応する触媒組成
物の重合活性を実質的に上回るような重合活性を示さな
いのである。
ルミノキサンとをベースとし、２つのインデニル基が五
員環でモノアリール置換されており且つ２つのインデニ
ル基が二価架橋基によって互いに結合されているという
点で本発明の触媒組成物に極めて類似している触媒組成
物に関する最近の発見に照らし合わせてみると特に明ら
かなように、本発明は極めて驚くべきものである。前記
類似の触媒組成物、即ちモノアリール置換され架橋され
たビスインデニル基をベースとする組成物は、未置換の
架橋したインデニル基をベースとする対応する触媒組成
物の重合活性を実質的に上回るような重合活性を示さな
いのである。
【００１３】第ＩＶＡ族金属は、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅ
ｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐａｅｄｉａｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第２版，Ｖｏｌ．８，ｐ．
９４に記載の元素周期表で定義されている。適当な第Ｉ
ＶＡ族金属はジルコニウム及びハフニウムから選択され
る。好ましい第ＩＶＡ族金属はジルコニウムである。
ｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐａｅｄｉａｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第２版，Ｖｏｌ．８，ｐ．
９４に記載の元素周期表で定義されている。適当な第Ｉ
ＶＡ族金属はジルコニウム及びハフニウムから選択され
る。好ましい第ＩＶＡ族金属はジルコニウムである。
【００１４】本発明の触媒組成物は、前述の一般式（Ｃ
ｐ）pＭｅＸ4-pで示される第ＩＶＡ族金属化合物をベー
スとする。前記式中、ｐは１〜４の整数であるが、好ま
しくは２に等しい。少なくとも１つのシクロペンタジエ
ニル基（Ｃｐ）は、任意に置換されたアリール基で置換
する。通常は、各シクロペンタジエニル基を１つのアリ
ール基で置換する。シクロペンタジエニル基に結合した
アリール基は互いに同じか又は異なっていてよい。適当
なアリール基の具体例としては、ナフチル基及びビフェ
ニル基が挙げられる。極めて適当なアリール基はフェニ
ル基である。アリール基は更に置換するか又は置換しな
くてもよい。好ましくは、アリール基を１つ以上のヒド
ロカルビル基、例えば（シクロ）アルキル及びアリール
基、アルキルオキシ基及びジアルキルアミノ基、ハロゲ
ン化ヒドロカルビル、ハロゲン化物、又はＢ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ及
びＴｅのようなヘテロ原子を含むヒドロカルビル基で置
換する。アルキルオキシ及びジアルキルアミノ基は、存
在する場合には、例えば隣接（シクロ）アルキル基によ
って遮蔽するのが好ましい。このような遮蔽（ｓｈｉｅ
ｌｄｉｎｇ）は通常、バルキーなアルキル基、例えばｔ
−ブチル基又はｔ−アミル基によって行う。アリール基
のより好ましい置換基はｔ−アルキル基、特に炭素原子
数１０以下のもの、例えばｔ−ブチル及びｔ−アミル基
である。典型的アルキルオキシ基は１０個以下の炭素原
子を有するもの、例えばメチルオキシ、エチルオキシ、
イソプロピルオキシ、ｔ−ブチルオキシ、ヘキシルオキ
シ及び２−デシルオキシ基である。
ｐ）pＭｅＸ4-pで示される第ＩＶＡ族金属化合物をベー
スとする。前記式中、ｐは１〜４の整数であるが、好ま
しくは２に等しい。少なくとも１つのシクロペンタジエ
ニル基（Ｃｐ）は、任意に置換されたアリール基で置換
する。通常は、各シクロペンタジエニル基を１つのアリ
ール基で置換する。シクロペンタジエニル基に結合した
アリール基は互いに同じか又は異なっていてよい。適当
なアリール基の具体例としては、ナフチル基及びビフェ
ニル基が挙げられる。極めて適当なアリール基はフェニ
ル基である。アリール基は更に置換するか又は置換しな
くてもよい。好ましくは、アリール基を１つ以上のヒド
ロカルビル基、例えば（シクロ）アルキル及びアリール
基、アルキルオキシ基及びジアルキルアミノ基、ハロゲ
ン化ヒドロカルビル、ハロゲン化物、又はＢ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ及
びＴｅのようなヘテロ原子を含むヒドロカルビル基で置
換する。アルキルオキシ及びジアルキルアミノ基は、存
在する場合には、例えば隣接（シクロ）アルキル基によ
って遮蔽するのが好ましい。このような遮蔽（ｓｈｉｅ
ｌｄｉｎｇ）は通常、バルキーなアルキル基、例えばｔ
−ブチル基又はｔ−アミル基によって行う。アリール基
のより好ましい置換基はｔ−アルキル基、特に炭素原子
数１０以下のもの、例えばｔ−ブチル及びｔ−アミル基
である。典型的アルキルオキシ基は１０個以下の炭素原
子を有するもの、例えばメチルオキシ、エチルオキシ、
イソプロピルオキシ、ｔ−ブチルオキシ、ヘキシルオキ
シ及び２−デシルオキシ基である。
【００１５】アリール基における任意的な置換基の位
置、即ちアリール基が結合されているシクロペンタジエ
ニル基に対する位置は重要ではない。アリール基がフェ
ニル基の場合は、１つ又は複数の置換基を通常はパラ及
び／又はメタ位置におく。フェニル基に２つ以上の置換
基が存在する場合は、これらの置換基のうちせいぜい１
つをオルト位置におくのが好ましい。
置、即ちアリール基が結合されているシクロペンタジエ
ニル基に対する位置は重要ではない。アリール基がフェ
ニル基の場合は、１つ又は複数の置換基を通常はパラ及
び／又はメタ位置におく。フェニル基に２つ以上の置換
基が存在する場合は、これらの置換基のうちせいぜい１
つをオルト位置におくのが好ましい。
【００１６】第ＩＶＡ族金属に結合する１つ又は複数の
置換基Ｘは、ヒドロカルビル基、ヒドロカルボキシ基、
ヒドロカルバミド基、水素及びハロゲンから選択する。
置換基Ｘが１つ以上存在する場合は、これらの置換基Ｘ
が互いに同じか又は異なっていてよい。適当な置換基Ｘ
はヒドロカルビル基、特に炭素原子数が２０以下のも
の、より特定的には炭素原子数が１０個以下のものであ
る。好ましいヒドロカルビル基Ｘは炭素原子数６以下の
フェニル基及びアルキル基である。最も好ましいヒドロ
カルビル基Ｘはメチル基である。特に適当な置換基Ｘは
ハロゲン、好ましくは塩素である。
置換基Ｘは、ヒドロカルビル基、ヒドロカルボキシ基、
ヒドロカルバミド基、水素及びハロゲンから選択する。
置換基Ｘが１つ以上存在する場合は、これらの置換基Ｘ
が互いに同じか又は異なっていてよい。適当な置換基Ｘ
はヒドロカルビル基、特に炭素原子数が２０以下のも
の、より特定的には炭素原子数が１０個以下のものであ
る。好ましいヒドロカルビル基Ｘは炭素原子数６以下の
フェニル基及びアルキル基である。最も好ましいヒドロ
カルビル基Ｘはメチル基である。特に適当な置換基Ｘは
ハロゲン、好ましくは塩素である。
【００１７】一般式（Ｃｐ）pＭｅＸ4-pで示され、前記
式中ｐが２に等しく、（Ｃｐ）2が、ビス（フェニルシ
クロペンタジエニル）、ビス［（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）シクロペンタジエニル］、ビス［（２−メチルフェ
ニル）シクロペンタジエニル］、ビス［（２−エチルフ
ェニル）シクロペンタジエニル］、ビス［（２−ｉ−プ
ロピルフェニル）シクロペンタジエニル］、ビス［（４
−クロロフェニル）シクロペンタジエニル］、ビス
［（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）シクロペンタジ
エニル］、ビス［（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メチ
ルオキシフェニル）シクロペンタジエニル］、（シクロ
ペンタジエニル）（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メチ
ルオキシフェニル−シクロペンタジエニル）、ビス−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−メチルオキシフェニル
シクロペンタジエニル）及び（シクロペンタジエニル）
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−メチルオキシフェニル
シクロペンタジエニル）から選択したものである第ＩＶ
Ａ族金属化合物をベースとする触媒組成物を使用すると
極めて良好な結果を得ることができる。
式中ｐが２に等しく、（Ｃｐ）2が、ビス（フェニルシ
クロペンタジエニル）、ビス［（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）シクロペンタジエニル］、ビス［（２−メチルフェ
ニル）シクロペンタジエニル］、ビス［（２−エチルフ
ェニル）シクロペンタジエニル］、ビス［（２−ｉ−プ
ロピルフェニル）シクロペンタジエニル］、ビス［（４
−クロロフェニル）シクロペンタジエニル］、ビス
［（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）シクロペンタジ
エニル］、ビス［（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メチ
ルオキシフェニル）シクロペンタジエニル］、（シクロ
ペンタジエニル）（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メチ
ルオキシフェニル−シクロペンタジエニル）、ビス−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−メチルオキシフェニル
シクロペンタジエニル）及び（シクロペンタジエニル）
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−メチルオキシフェニル
シクロペンタジエニル）から選択したものである第ＩＶ
Ａ族金属化合物をベースとする触媒組成物を使用すると
極めて良好な結果を得ることができる。
【００１８】特に好ましい第ＩＶＡ金属化合物は二塩化
ジルコニウムである。
ジルコニウムである。
【００１９】本発明の触媒組成物はアルミノキサンを含
む。アルミノキサンは、環式化合物を表す一般式（Ｒ−
Ａｌ−Ｏ）q及び線状化合物を表す一般式（Ｒ−Ａｌ−
Ｏ）q−ＡｌＲ2で示すことができる良く知られたポリマ
ーアルミニウム化合物である。前記式中、Ｒはアルキル
基、好ましくは炭素原子数１〜５のもの、例えばメチ
ル、エチル、イソブチル又はｉ−プロピルを表し、ｑは
１〜１００の整数、特に５〜２０の整数を表す。メチル
及びイソブチルアルミノキサンの混合物も極めて効果的
である。好ましくはアルミノキサンがメチルアルミノキ
サンからなるように、Ｒはメチルが最も好ましい。アル
ミノキサンは当業者に公知の方法で水をトリアルキルア
ルミニウムと反応させることによって調製するのが適当
である。通常は線状化合物と環式化合物との混合物が得
られる。
む。アルミノキサンは、環式化合物を表す一般式（Ｒ−
Ａｌ−Ｏ）q及び線状化合物を表す一般式（Ｒ−Ａｌ−
Ｏ）q−ＡｌＲ2で示すことができる良く知られたポリマ
ーアルミニウム化合物である。前記式中、Ｒはアルキル
基、好ましくは炭素原子数１〜５のもの、例えばメチ
ル、エチル、イソブチル又はｉ−プロピルを表し、ｑは
１〜１００の整数、特に５〜２０の整数を表す。メチル
及びイソブチルアルミノキサンの混合物も極めて効果的
である。好ましくはアルミノキサンがメチルアルミノキ
サンからなるように、Ｒはメチルが最も好ましい。アル
ミノキサンは当業者に公知の方法で水をトリアルキルア
ルミニウムと反応させることによって調製するのが適当
である。通常は線状化合物と環式化合物との混合物が得
られる。
【００２０】アルミノキサン対第ＩＶＡ族金属化合物の
モル比は広い範囲で選択し得る。アルミノキサン対第Ｉ
ＶＡ族金属化合物の適当なモル比は、第ＩＶＡ族金属グ
ラム原子当たりのアルミニウムのグラム原子で計算し
て、２〜１００００、好ましくは５０〜２０００であ
る。
モル比は広い範囲で選択し得る。アルミノキサン対第Ｉ
ＶＡ族金属化合物の適当なモル比は、第ＩＶＡ族金属グ
ラム原子当たりのアルミニウムのグラム原子で計算し
て、２〜１００００、好ましくは５０〜２０００であ
る。
【００２１】本発明の触媒組成物は、重合すべきα−オ
レフィンを接触させる前に第ＩＶＡ族金属化合物及びア
ルミノキサンから調製するか、又はその場で、即ちα−
オレフィンの存在下で調製し得る。本発明の触媒組成物
は、液体触媒系が生成されるように、前記２つの成分を
トルエンのような溶媒中の溶液の形態で混合することに
よって調製するのが好ましい。
レフィンを接触させる前に第ＩＶＡ族金属化合物及びア
ルミノキサンから調製するか、又はその場で、即ちα−
オレフィンの存在下で調製し得る。本発明の触媒組成物
は、液体触媒系が生成されるように、前記２つの成分を
トルエンのような溶媒中の溶液の形態で混合することに
よって調製するのが好ましい。
【００２２】本発明の重合方法では、１種類以上のα−
オレフィンを本発明の触媒組成物と接触させる。α−オ
レフィンとしては例えばエテン、プロペン、ヘキセン、
スチレン及び４−メチルスチレンが挙げられる。α−オ
レフィンは好ましくは脂肪族であり、通常は炭素原子を
１０個以下含む。本発明の触媒組成物は、シクロブテ
ン、シクロペンテン、シクロヘキセン及びシクロヘプテ
ンのような環式オレフィンの重合を生起させることもで
きる。プロペンの重合では極めて良好な結果が得られ
る。
オレフィンを本発明の触媒組成物と接触させる。α−オ
レフィンとしては例えばエテン、プロペン、ヘキセン、
スチレン及び４−メチルスチレンが挙げられる。α−オ
レフィンは好ましくは脂肪族であり、通常は炭素原子を
１０個以下含む。本発明の触媒組成物は、シクロブテ
ン、シクロペンテン、シクロヘキセン及びシクロヘプテ
ンのような環式オレフィンの重合を生起させることもで
きる。プロペンの重合では極めて良好な結果が得られ
る。
【００２３】本発明の重合方法は、広範囲の温度及び圧
力で実施できる。本発明の重合方法は、−６０〜２００
℃、好ましくは０〜１００℃の温度範囲で、且つ０．１
〜５００バール、好ましくは１〜１００バールの圧力で
実施するのが適当である。所望の分子量を有する所望の
ポリマーを最大限の収率で得るために特定触媒組成物に
関して使用される最適の温度及び圧力条件は当業者によ
って容易に設定できる。反応混合物中の触媒系の使用量
は通常、反応混合物１リットル当たり１０-2〜１０-7グ
ラム原子、特に１０-3〜１０-6グラム原子の第ＩＶＡ族
金属が含まれるように決定する。
力で実施できる。本発明の重合方法は、−６０〜２００
℃、好ましくは０〜１００℃の温度範囲で、且つ０．１
〜５００バール、好ましくは１〜１００バールの圧力で
実施するのが適当である。所望の分子量を有する所望の
ポリマーを最大限の収率で得るために特定触媒組成物に
関して使用される最適の温度及び圧力条件は当業者によ
って容易に設定できる。反応混合物中の触媒系の使用量
は通常、反応混合物１リットル当たり１０-2〜１０-7グ
ラム原子、特に１０-3〜１０-6グラム原子の第ＩＶＡ族
金属が含まれるように決定する。
【００２４】本発明の重合方法は、必ずというわけでは
ないが通常は、触媒組成物用の溶剤でもあるのが好まし
い不活性液体溶剤中で実施する。この方法は、バッチ式
に、又は連続操作で実施し得る。重合は空気又は湿気の
不在下で実施するのが適当である。反応時間は、触媒の
活性に応じて５分〜７２時間が適当であると判明した。
適当な反応時間が経過したら、所望であれば重合を停止
するために、一般的な触媒失活剤、例えばメタノールも
しくは別のアルコールのようなプロトン供与体を反応混
合物に添加し得る。
ないが通常は、触媒組成物用の溶剤でもあるのが好まし
い不活性液体溶剤中で実施する。この方法は、バッチ式
に、又は連続操作で実施し得る。重合は空気又は湿気の
不在下で実施するのが適当である。反応時間は、触媒の
活性に応じて５分〜７２時間が適当であると判明した。
適当な反応時間が経過したら、所望であれば重合を停止
するために、一般的な触媒失活剤、例えばメタノールも
しくは別のアルコールのようなプロトン供与体を反応混
合物に添加し得る。
【００２５】このようにして得られるポリマーは広範囲
の分子量を有し得る。適当な数平均分子量は２００〜５
０００００、好ましくは３００〜１００００である。分
子量分布は、重量平均分子量対数平均分子量の比で表し
て、典型的には１．１：１〜５．０：１、より典型的に
は１．６：１〜２．４：１である。
の分子量を有し得る。適当な数平均分子量は２００〜５
０００００、好ましくは３００〜１００００である。分
子量分布は、重量平均分子量対数平均分子量の比で表し
て、典型的には１．１：１〜５．０：１、より典型的に
は１．６：１〜２．４：１である。
【００２６】前述のように、調製すべきポリマーの分子
量は、触媒組成物と１種類以上のα−オレフィンとの所
与の組合わせに合わせて重合反応混合物の温度及び圧力
を選択することにより調節できる。また、当業者には公
知のように、ポリマーの分子量は水素の存在下で重合す
ることによっても調節できる。しかしながら、水素の存
在下ではポリマーの不飽和末端が（部分的に）飽和末端
基に変換され得るため、このような分子量調節方法はポ
リマーの所期の用途によっては余り好ましくないことも
ある。
量は、触媒組成物と１種類以上のα−オレフィンとの所
与の組合わせに合わせて重合反応混合物の温度及び圧力
を選択することにより調節できる。また、当業者には公
知のように、ポリマーの分子量は水素の存在下で重合す
ることによっても調節できる。しかしながら、水素の存
在下ではポリマーの不飽和末端が（部分的に）飽和末端
基に変換され得るため、このような分子量調節方法はポ
リマーの所期の用途によっては余り好ましくないことも
ある。
【００２７】本発明の方法で調製したポリマーは、一般
的な手法、例えば溶剤及び／又は非反応オレフィンを蒸
発によって除去することにより回収し得る。触媒残留物
は、例えば適当な液体でポリマーを洗浄するか又は抽出
することにより、ポリマーから（部分的に）除去し得
る。
的な手法、例えば溶剤及び／又は非反応オレフィンを蒸
発によって除去することにより回収し得る。触媒残留物
は、例えば適当な液体でポリマーを洗浄するか又は抽出
することにより、ポリマーから（部分的に）除去し得
る。
【００２８】本発明の方法で調製したポリマーは、前出
の英国特許出願第９０２７０００．０号に記載の方法に
従い、まず無水マレイン酸と反応させ、次いでＣ1-50ア
ミンのようなアミン、好ましくは一般式Ｈ−（ＮＨ−
（ＣＨ2）m）n−ＮＨ2［式中、ｍは２〜４の整数であ
り、ｎは１〜９の整数である］で示されるアミンと反応
させることによりスクシンイミド誘導体に変換し得る。
このようにして調製したスクシンイミド誘導体、特に数
平均分子量が７００〜５０００であり且つ実質的にビニ
リデン末端基を有するアタクチックポリプロピレンをベ
ースとする誘導体は、潤滑油組成物のディスパーザント
添加剤として有用であり得る。
の英国特許出願第９０２７０００．０号に記載の方法に
従い、まず無水マレイン酸と反応させ、次いでＣ1-50ア
ミンのようなアミン、好ましくは一般式Ｈ−（ＮＨ−
（ＣＨ2）m）n−ＮＨ2［式中、ｍは２〜４の整数であ
り、ｎは１〜９の整数である］で示されるアミンと反応
させることによりスクシンイミド誘導体に変換し得る。
このようにして調製したスクシンイミド誘導体、特に数
平均分子量が７００〜５０００であり且つ実質的にビニ
リデン末端基を有するアタクチックポリプロピレンをベ
ースとする誘導体は、潤滑油組成物のディスパーザント
添加剤として有用であり得る。
【００２９】本発明の触媒組成物の第ＩＶＡ族金属化合
物は新規の化合物である。従って本発明は、一般式（Ｃ
ｐ）ｐＭｅＸ４−ｐ［式中、Ｃｐは１つ以上のヒドロカ
ルビル基で置換したものであり得る互いに同じ又は異な
るシクロペンタジエニル基を表し、但し少なくとも１つ
のシクロペンタジエニル基は任意に置換した単一のアリ
ール基で置換されおり、Ｍｅは第ＩＶＡ族金属を表し、
Ｘは第ＩＶＡ族金属に結合した１つ以上の置換基であっ
て、ヒドロカルビル基、ヒドロカルボキシ基、ヒドロカ
ルバミド基、水素及びハロゲンから選択される置換基を
表し、ｐは１〜４の整数である］で示される第ＩＶＡ族
金属化合物にも関する。
物は新規の化合物である。従って本発明は、一般式（Ｃ
ｐ）ｐＭｅＸ４−ｐ［式中、Ｃｐは１つ以上のヒドロカ
ルビル基で置換したものであり得る互いに同じ又は異な
るシクロペンタジエニル基を表し、但し少なくとも１つ
のシクロペンタジエニル基は任意に置換した単一のアリ
ール基で置換されおり、Ｍｅは第ＩＶＡ族金属を表し、
Ｘは第ＩＶＡ族金属に結合した１つ以上の置換基であっ
て、ヒドロカルビル基、ヒドロカルボキシ基、ヒドロカ
ルバミド基、水素及びハロゲンから選択される置換基を
表し、ｐは１〜４の整数である］で示される第ＩＶＡ族
金属化合物にも関する。
【００３０】本発明の新規な第ＩＶＡ族金属化合物は公
知の方法で調製できる。例えば、ビス（アリールシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドは、対応する
アリールシクロペンタジエニルリチウムを四塩化ジルコ
ニウムと反応させることによって適当に調製できる。ア
リールシクロペンタジエニルリチウム化合物の調製は、
対応するアリールシクロペンタジエンをｎ−ブチルリチ
ウムと反応させることによって実施し得る。
知の方法で調製できる。例えば、ビス（アリールシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドは、対応する
アリールシクロペンタジエニルリチウムを四塩化ジルコ
ニウムと反応させることによって適当に調製できる。ア
リールシクロペンタジエニルリチウム化合物の調製は、
対応するアリールシクロペンタジエンをｎ−ブチルリチ
ウムと反応させることによって実施し得る。
【００３１】アリールシクロペンタジエンは、公知の方
法、例えば臭化アリールをｎ−ブチルリチウムと反応さ
せ、得られたアリールリチウムをシクロペンテノンと反
応させることにより調製し得る。このようにして得たア
リールリチウムとシクロペンテノンとのアダクト（付加
生成物）は次いで、アリールシクロペンタジエンを得る
べく酸で処理し得る。
法、例えば臭化アリールをｎ−ブチルリチウムと反応さ
せ、得られたアリールリチウムをシクロペンテノンと反
応させることにより調製し得る。このようにして得たア
リールリチウムとシクロペンテノンとのアダクト（付加
生成物）は次いで、アリールシクロペンタジエンを得る
べく酸で処理し得る。
【００３２】
【実施例】ここで実施例を挙げて本発明をより詳細に説
明する。実験操作は、水を反応体の１つとして使用する
のでない限り、又は特に説明がない限り、酸素及び水を
完全に排除した状態で実施した。
明する。実験操作は、水を反応体の１つとして使用する
のでない限り、又は特に説明がない限り、酸素及び水を
完全に排除した状態で実施した。
【００３３】実施例１
ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）シクロペンタジエニ
ル］ジルコニウムジクロリドの調製 ジエチルエーテル５０ｍｌ中３４ｇ（０．１６モル）の
４−ｔ−ブチルフェニルブロミドの溶液を、ｎ−ブチル
リチウムのヘキサン溶液（１．６モル／リットル）１０
０ｍｌとジエチルエーテル５０ｍｌとの撹拌下の混合物
にゆっくり加えた。この間、混合物の温度は−２５℃に
維持した。添加終了後に、得られた混合物の温度を室温
までゆっくり上昇させた。次いで、この温度を−２５℃
に下げ、少量のジエチルエーテルに溶解した１３．２ｇ
（０．１６モル）の２−シクロペンテン−１−オンをゆ
っくり加えた。このようにして得た懸濁液を室温にし、
更に１時間撹拌した。過剰量の水を加えた。得られた１
−（４−ｔ−ブチルフェニル）−シクロペント−２−エ
ン−１−オール生成物をジエチルエーテルでの抽出によ
って反応混合物から分離し、次いでジクロロメタンを溶
離溶剤として用いてシリカクロマトグラフィーにより精
製した。
ル］ジルコニウムジクロリドの調製 ジエチルエーテル５０ｍｌ中３４ｇ（０．１６モル）の
４−ｔ−ブチルフェニルブロミドの溶液を、ｎ−ブチル
リチウムのヘキサン溶液（１．６モル／リットル）１０
０ｍｌとジエチルエーテル５０ｍｌとの撹拌下の混合物
にゆっくり加えた。この間、混合物の温度は−２５℃に
維持した。添加終了後に、得られた混合物の温度を室温
までゆっくり上昇させた。次いで、この温度を−２５℃
に下げ、少量のジエチルエーテルに溶解した１３．２ｇ
（０．１６モル）の２−シクロペンテン−１−オンをゆ
っくり加えた。このようにして得た懸濁液を室温にし、
更に１時間撹拌した。過剰量の水を加えた。得られた１
−（４−ｔ−ブチルフェニル）−シクロペント−２−エ
ン−１−オール生成物をジエチルエーテルでの抽出によ
って反応混合物から分離し、次いでジクロロメタンを溶
離溶剤として用いてシリカクロマトグラフィーにより精
製した。
【００３４】７ｇ（０．０３２モル）の１−（４−ｔ−
ブチルフェニル）シクロペント−２−エン−１−オール
と０．１ｇ（０．０００５８モル）のｐ−トルエンスル
ホン酸とを７０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を４０℃
で５分間ゆっくり加熱した。この混合物を水酸化ナトリ
ウム水溶液で洗浄し、次いで水で洗浄した。有機相を硫
酸マグネシウムで２時間脱水した後、ｎ−ブチルリチウ
ムのヘキサン溶液（１．６モル／リットル、０．０３２
モルのｎ−ブチルリチウム）２０．３ｍｌを加えた。形
成された沈澱物をヘキサンで３回洗浄すると、４−ｔ−
ブチルフェニルシクロペンタジエニルリチウムが白っぽ
い固体物質として得られた。
ブチルフェニル）シクロペント−２−エン−１−オール
と０．１ｇ（０．０００５８モル）のｐ−トルエンスル
ホン酸とを７０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を４０℃
で５分間ゆっくり加熱した。この混合物を水酸化ナトリ
ウム水溶液で洗浄し、次いで水で洗浄した。有機相を硫
酸マグネシウムで２時間脱水した後、ｎ−ブチルリチウ
ムのヘキサン溶液（１．６モル／リットル、０．０３２
モルのｎ−ブチルリチウム）２０．３ｍｌを加えた。形
成された沈澱物をヘキサンで３回洗浄すると、４−ｔ−
ブチルフェニルシクロペンタジエニルリチウムが白っぽ
い固体物質として得られた。
【００３５】テトラヒドロフラン２０ｍｌ中１．２ｇ
（０．００５９モル）の４−ｔ−ブチルフェニルシクロ
ペンタジエニルリチウムの溶液を、テトラヒドロフラン
５０ｍｌ中０．６８５ｇ（０．００２９モル）の四塩化
ジルコニウムの溶液に室温でゆっくり添加した。更に２
時間撹拌した後、テトラヒドロフランを蒸発によって除
去した。残留物を高温トルエン中にとり、不溶物質を濾
過によって除去し、得られた透明溶液を蒸発乾固させ
た。得られた固体残留物をジクロロメタン中にとった。
溶解しない白っぽい固体物質を遠心分離及びデカンテー
ションによって除去した。透明溶液を蒸発乾固させる
と、ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）−シクロペンタ
ジエニル］ジルコニウムジクロリドが黄色固体物質とし
て得られた。得られた生成物のプロトン−ＮＭＲデータ
を表１に示す。
（０．００５９モル）の４−ｔ−ブチルフェニルシクロ
ペンタジエニルリチウムの溶液を、テトラヒドロフラン
５０ｍｌ中０．６８５ｇ（０．００２９モル）の四塩化
ジルコニウムの溶液に室温でゆっくり添加した。更に２
時間撹拌した後、テトラヒドロフランを蒸発によって除
去した。残留物を高温トルエン中にとり、不溶物質を濾
過によって除去し、得られた透明溶液を蒸発乾固させ
た。得られた固体残留物をジクロロメタン中にとった。
溶解しない白っぽい固体物質を遠心分離及びデカンテー
ションによって除去した。透明溶液を蒸発乾固させる
と、ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）−シクロペンタ
ジエニル］ジルコニウムジクロリドが黄色固体物質とし
て得られた。得られた生成物のプロトン−ＮＭＲデータ
を表１に示す。
【００３６】実施例２〜８
種々のビス（アリールシクロペンタジエニル）ジルコニ
ウムジクロリドの調製 ４−ｔ−ブチルフェニルブロミド、１−（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）シクロペント−２−エン−１−オール及び
４−ｔ−ブチルフェニルシクロペンテタジエニルリチウ
ムの代わりに等モル量の種々のアリールブロミド、対応
する１−アリールシクロペント−２−エン−１−オール
及びアリールシクロペンタジエニルリチウムをそれぞれ
使用して、実施例１の方法を本質的にそのまま繰り返し
た。得られた中間生成物は１−アリールシクロペント−
２−エン−１−オール及びアリールシクロペンタジエニ
ルリチウムであった。
ウムジクロリドの調製 ４−ｔ−ブチルフェニルブロミド、１−（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）シクロペント−２−エン−１−オール及び
４−ｔ−ブチルフェニルシクロペンテタジエニルリチウ
ムの代わりに等モル量の種々のアリールブロミド、対応
する１−アリールシクロペント−２−エン−１−オール
及びアリールシクロペンタジエニルリチウムをそれぞれ
使用して、実施例１の方法を本質的にそのまま繰り返し
た。得られた中間生成物は１−アリールシクロペント−
２−エン−１−オール及びアリールシクロペンタジエニ
ルリチウムであった。
【００３７】このようにして得た８つのビス（アリール
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドのプロ
トン−ＮＭＲ分光分析で測定したスペクトルデータを表
１に示す。
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドのプロ
トン−ＮＭＲ分光分析で測定したスペクトルデータを表
１に示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】実施例９（比較用）
ビス（１，２−ジフェニルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジクロリドの調製 無水三塩化アルミニウム５０ｇ（０．３７５モル）とベ
ンゼン２５０ｍｌとの混合物を氷／水浴中で激しく撹拌
し、これにグルタリールクロリド（２８．２ｇ、０．１
６７モル）をゆっくり加えた。添加終了後に氷／水浴を
除去し、撹拌を２時間続けた。得られた溶液を、２００
ｇのクラッシュトアイスと４０ｍｌの濃縮塩酸水溶液と
の混合物にゆっくり加えた。生成された１，５−ジフェ
ニル−１，５−ペンタンジオンを抽出及び結晶化によっ
て回収した。
コニウムジクロリドの調製 無水三塩化アルミニウム５０ｇ（０．３７５モル）とベ
ンゼン２５０ｍｌとの混合物を氷／水浴中で激しく撹拌
し、これにグルタリールクロリド（２８．２ｇ、０．１
６７モル）をゆっくり加えた。添加終了後に氷／水浴を
除去し、撹拌を２時間続けた。得られた溶液を、２００
ｇのクラッシュトアイスと４０ｍｌの濃縮塩酸水溶液と
の混合物にゆっくり加えた。生成された１，５−ジフェ
ニル−１，５−ペンタンジオンを抽出及び結晶化によっ
て回収した。
【００４０】テトラヒドロフラン５００ｍｌに５．０ｇ
（０．０２モル）の１，５−ジフェニル−１，５−ペン
タンジオンと１１．４ｇ（０．０６モル）の四塩化チタ
ンとを加えた混合物を−１０℃に維持し、これにテトラ
ヒドロフラン２０ｍｌ中７．８ｇ（０．１２モル）の亜
鉛粉末の懸濁液をゆっくり加えた。０℃で更に５時間撹
拌した後、得られた混合物を炭酸カリウム１０％水溶液
の添加によって塩基性にした。生成された１，２−ジフ
ェニル−１，２−シクロペンタンジオールを抽出によっ
て回収した。
（０．０２モル）の１，５−ジフェニル−１，５−ペン
タンジオンと１１．４ｇ（０．０６モル）の四塩化チタ
ンとを加えた混合物を−１０℃に維持し、これにテトラ
ヒドロフラン２０ｍｌ中７．８ｇ（０．１２モル）の亜
鉛粉末の懸濁液をゆっくり加えた。０℃で更に５時間撹
拌した後、得られた混合物を炭酸カリウム１０％水溶液
の添加によって塩基性にした。生成された１，２−ジフ
ェニル−１，２−シクロペンタンジオールを抽出によっ
て回収した。
【００４１】ベンゼン４０ｍｌ中に１．２ｇの１，２−
ジフェニル−１，２−シクロペンタンジオール（０．０
０４８モル）と、活性化分子ふるい４Ａと、少量のｐ−
トルエンスルホン酸とを加えた混合物を７０℃で３０分
間加熱した。この混合物を室温で濾過した。ｎ−ブチル
リチウムのヘキサン溶液（１．６モル／リットル、０．
００４８モルのｎ−ブチルリチウム）３．０ｍｌを濾液
に加えた。４５分間撹拌した後、テトラヒドロフラン中
０．５６ｇ（０．００２４モル）の四塩化ジルコニウム
の溶液をゆっくり加えた。この混合物を６５℃で３時間
撹拌した後、溶剤を蒸発させた。得られた固体物質をジ
クロロメタン中にとり、遠心分離にかけた。上清をデカ
ンテーションによって取り出し、蒸発乾固させた。残留
物をヘキサンで洗浄し、トルエンから結晶化した。
ジフェニル−１，２−シクロペンタンジオール（０．０
０４８モル）と、活性化分子ふるい４Ａと、少量のｐ−
トルエンスルホン酸とを加えた混合物を７０℃で３０分
間加熱した。この混合物を室温で濾過した。ｎ−ブチル
リチウムのヘキサン溶液（１．６モル／リットル、０．
００４８モルのｎ−ブチルリチウム）３．０ｍｌを濾液
に加えた。４５分間撹拌した後、テトラヒドロフラン中
０．５６ｇ（０．００２４モル）の四塩化ジルコニウム
の溶液をゆっくり加えた。この混合物を６５℃で３時間
撹拌した後、溶剤を蒸発させた。得られた固体物質をジ
クロロメタン中にとり、遠心分離にかけた。上清をデカ
ンテーションによって取り出し、蒸発乾固させた。残留
物をヘキサンで洗浄し、トルエンから結晶化した。
【００４２】実施例１０（比較用）
ビス（１，２，４−トリフェニルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジクロリドの調製 グルタリールクロリド、１，５−ジフェニル−１，５−
ペンタンジオン及び１，２−ジフェニル−シクロペンタ
ンジオールの代わりに等モル量の３−フェニルグルタリ
ールクロリド、１，３，５−トリフェニル−１，５−ペ
ンタンジオン及び１，２，４−トリフェニル−１，２−
シクロペンタンジオールをそれぞれ使用して、比較用実
施例９の方法を本質的にそのまま繰り返した。得られた
中間生成物はそれぞれ１，３，５−トリフェニル−１，
５−ペンタンジオン及び１，２，４−トリフェニル−
１，２−シクロペンタンジオールであった。
ル）ジルコニウムジクロリドの調製 グルタリールクロリド、１，５−ジフェニル−１，５−
ペンタンジオン及び１，２−ジフェニル−シクロペンタ
ンジオールの代わりに等モル量の３−フェニルグルタリ
ールクロリド、１，３，５−トリフェニル−１，５−ペ
ンタンジオン及び１，２，４−トリフェニル−１，２−
シクロペンタンジオールをそれぞれ使用して、比較用実
施例９の方法を本質的にそのまま繰り返した。得られた
中間生成物はそれぞれ１，３，５−トリフェニル−１，
５−ペンタンジオン及び１，２，４−トリフェニル−
１，２−シクロペンタンジオールであった。
【００４３】実施例１１（比較用）
ビス（１，２，３−トリフェニルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジクロリドの調製 グルタリールクロリド、１，５−ジフェニル−１，５−
ペンタンジオン及び１，２−ジフェニル−シクロペンタ
ンジオールの代わりに等モル量の２−フェニルグルタリ
ールクロリド、１，２，５−トリフェニル−１，５−ペ
ンタンジオン及び１，２，３−トリフェニル−１，２−
シクロペンタンジオールをそれぞれ使用して、比較用実
施例９の方法を本質的にそのまま繰り返した。得られた
中間生成物はそれぞれ１，３，５−トリフェニル−１，
５−ペンタンジオン及び１，２，４−トリフェニル−
１，２−シクロペンタンジオールであった。
ル）ジルコニウムジクロリドの調製 グルタリールクロリド、１，５−ジフェニル−１，５−
ペンタンジオン及び１，２−ジフェニル−シクロペンタ
ンジオールの代わりに等モル量の２−フェニルグルタリ
ールクロリド、１，２，５−トリフェニル−１，５−ペ
ンタンジオン及び１，２，３−トリフェニル−１，２−
シクロペンタンジオールをそれぞれ使用して、比較用実
施例９の方法を本質的にそのまま繰り返した。得られた
中間生成物はそれぞれ１，３，５−トリフェニル−１，
５−ペンタンジオン及び１，２，４−トリフェニル−
１，２−シクロペンタンジオールであった。
【００４４】実施例１２（比較用）
ビス（１，３−ジフェニルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジクロリドの調製 ８．１ｇ（０．０３モル）の３−ベンジル−５−（２−
ヒドロキシエチル）−４−メチル−１，３−チアゾリウ
ムクロリドと、１８０ｍｌのトリエチルアミンと、１５
０ｍｌのエタノールと、２１ｇ（０．３モル）の１−ブ
テン−３−オンと、３０．７ｇ（０．２９モル）のベン
ズアルデヒドとの混合物を８０℃で１６時間静かに撹拌
した。揮発性成分を蒸発によって除去した。生成された
１−フェニル−１，４−ペンタンジオンを、抽出とその
後の真空蒸発とによって回収した。
コニウムジクロリドの調製 ８．１ｇ（０．０３モル）の３−ベンジル−５−（２−
ヒドロキシエチル）−４−メチル−１，３−チアゾリウ
ムクロリドと、１８０ｍｌのトリエチルアミンと、１５
０ｍｌのエタノールと、２１ｇ（０．３モル）の１−ブ
テン−３−オンと、３０．７ｇ（０．２９モル）のベン
ズアルデヒドとの混合物を８０℃で１６時間静かに撹拌
した。揮発性成分を蒸発によって除去した。生成された
１−フェニル−１，４−ペンタンジオンを、抽出とその
後の真空蒸発とによって回収した。
【００４５】９．７ｇ（０．０５５モル）の１−フェニ
ル−１，４−ペンタンジオンと、５００ｍｌの水と、１
５ｇの水酸化ナトリウムと、１０００ｍｌのエタノール
との混合物を還流下で４時間加熱した。この混合物を室
温に冷却し、酸で中和した。エタノールを蒸発させた。
生成された３−フェニルシクロペント−２−エン−１−
オンを抽出及び結晶化によって回収した。
ル−１，４−ペンタンジオンと、５００ｍｌの水と、１
５ｇの水酸化ナトリウムと、１０００ｍｌのエタノール
との混合物を還流下で４時間加熱した。この混合物を室
温に冷却し、酸で中和した。エタノールを蒸発させた。
生成された３−フェニルシクロペント−２−エン−１−
オンを抽出及び結晶化によって回収した。
【００４６】７．９ｇ（０．０５０モル）のブロモベン
ゼンと１５ｍｌのテトラヒドロフランとの混合物を、ｎ
−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６モル／リット
ル、０．０５５モルのｎ−ブチルリチウム）と４０ｍｌ
のテトラヒドロフランとの混合物に−８０℃でゆっくり
加えた。−４０℃で、少量のテトラヒドロフランに溶解
した４．７ｇ（０．０３０モル）の３−フェニルシクロ
ペント−２−エン−１−オンをゆっくり加えた。得られ
た混合物を室温にした。メタノール及び水を加えた。生
成された１，３−ジフェニルシクロペンタジエンを抽出
及び結晶化によって回収した。
ゼンと１５ｍｌのテトラヒドロフランとの混合物を、ｎ
−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６モル／リット
ル、０．０５５モルのｎ−ブチルリチウム）と４０ｍｌ
のテトラヒドロフランとの混合物に−８０℃でゆっくり
加えた。−４０℃で、少量のテトラヒドロフランに溶解
した４．７ｇ（０．０３０モル）の３−フェニルシクロ
ペント−２−エン−１−オンをゆっくり加えた。得られ
た混合物を室温にした。メタノール及び水を加えた。生
成された１，３−ジフェニルシクロペンタジエンを抽出
及び結晶化によって回収した。
【００４７】２０ｍｌのテトラヒドロフランに溶解した
０．５０ｇの１，３−ジフェニルシクロペンタジエン
（０．００２３モル）に、ｎ−ブチルリチウムのヘキサ
ン溶液（１．６モル／リットル、０．００２３モルのｎ
−ブチルリチウム）１．４ｍｌを−８０℃でゆっくり加
えた。得られた混合物を室温にした。１０ｍｌのテトラ
ヒドロフランと０．２６８ｇ（０．００１１５モル）の
四塩化ジルコニウムとの混合物をゆっくり加えた。この
混合物を２時間撹拌した後、溶剤を蒸発させた。得られ
た固体物質をトルエン中にとり、遠心分離にかけた。上
清をデカンテーションによって取り出し、−２０℃に冷
却した。結晶化生成物を濾過によって回収した。
０．５０ｇの１，３−ジフェニルシクロペンタジエン
（０．００２３モル）に、ｎ−ブチルリチウムのヘキサ
ン溶液（１．６モル／リットル、０．００２３モルのｎ
−ブチルリチウム）１．４ｍｌを−８０℃でゆっくり加
えた。得られた混合物を室温にした。１０ｍｌのテトラ
ヒドロフランと０．２６８ｇ（０．００１１５モル）の
四塩化ジルコニウムとの混合物をゆっくり加えた。この
混合物を２時間撹拌した後、溶剤を蒸発させた。得られ
た固体物質をトルエン中にとり、遠心分離にかけた。上
清をデカンテーションによって取り出し、−２０℃に冷
却した。結晶化生成物を濾過によって回収した。
【００４８】実施例１３〜２３
プロペンの重合
購入したメチルアルミノキサン試料０．３０ｇのトルエ
ン溶液を、空気を除去し、機械的撹拌下におき且つ２０
℃に維持したオートクレーブ内にサイホンで注入し、次
いで６．０バールの圧力が得られ且つ維持されるように
プロペンを導入した。実施例１３〜１９では温度を２０
℃に維持し、実施例２０〜２３では温度を３０℃に上げ
た。トルエンに溶解したジルコニウム化合物（０．００
００１モル）の試料を注入装置によって前記オートクレ
ーブ内に注入した。前記注入装置を即座にトルエンです
すぎ、このトルエンをオートクレーブの中味に加えてト
ルエン総量を約２５０ｍｌとした。種々の実施例で適用
した反応時間の範囲は、反応速度が比較的速い反応の場
合の１５分から、反応速度が比較的遅い反応の場合の
２．５時間にまで及ぶ。反応は、オートクレーブ内の圧
力を緩和し、次いで残留揮発性物質を真空下で８０℃以
下の温度で除去することにより停止させた。得られたポ
リマーの重量を測定し、1Ｈ−ＮＭＲ及び13Ｃ−ＮＭＲ
分析で数平均分子量を調べた。
ン溶液を、空気を除去し、機械的撹拌下におき且つ２０
℃に維持したオートクレーブ内にサイホンで注入し、次
いで６．０バールの圧力が得られ且つ維持されるように
プロペンを導入した。実施例１３〜１９では温度を２０
℃に維持し、実施例２０〜２３では温度を３０℃に上げ
た。トルエンに溶解したジルコニウム化合物（０．００
００１モル）の試料を注入装置によって前記オートクレ
ーブ内に注入した。前記注入装置を即座にトルエンです
すぎ、このトルエンをオートクレーブの中味に加えてト
ルエン総量を約２５０ｍｌとした。種々の実施例で適用
した反応時間の範囲は、反応速度が比較的速い反応の場
合の１５分から、反応速度が比較的遅い反応の場合の
２．５時間にまで及ぶ。反応は、オートクレーブ内の圧
力を緩和し、次いで残留揮発性物質を真空下で８０℃以
下の温度で除去することにより停止させた。得られたポ
リマーの重量を測定し、1Ｈ−ＮＭＲ及び13Ｃ−ＮＭＲ
分析で数平均分子量を調べた。
【００４９】この方法は、表２に示すビス（シクロペン
タジエニル）ジルコニウムジクロリド及びビス（モノ
−、ジ−及びトリアリールシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジクロリドをジルコニウム化合物として用いて
実施した。ビス（モノ−、ジ−及びトリアリールシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドはそれぞれ実
施例１〜５及び８〜１２の手順で調製した。
タジエニル）ジルコニウムジクロリド及びビス（モノ
−、ジ−及びトリアリールシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジクロリドをジルコニウム化合物として用いて
実施した。ビス（モノ−、ジ−及びトリアリールシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドはそれぞれ実
施例１〜５及び８〜１２の手順で調製した。
【００５０】得られたポリマー生成物の平均重合率及び
数平均分子量を表２に示す。ＮＭＲスペクトルにより、
これらのポリマーはアタクチックポリプロピレンであ
り、ビニリデン基即ち式−Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2で示され
る基及びｎ−プロピル基以外の末端基は存在しないこと
が判明した。ビニリデン基及びｎ−プロピル基は実質的
に１：１のモル比で存在していた。
数平均分子量を表２に示す。ＮＭＲスペクトルにより、
これらのポリマーはアタクチックポリプロピレンであ
り、ビニリデン基即ち式−Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2で示され
る基及びｎ−プロピル基以外の末端基は存在しないこと
が判明した。ビニリデン基及びｎ−プロピル基は実質的
に１：１のモル比で存在していた。
【００５１】
【表２】
【００５２】実施例２４〜２８
プロペンの重合
反応温度を２０℃ではなく４５℃とし且つ異なる購入メ
チルアルミノキサン試料を使用して、比較用実施例１３
の方法を本質的にそのまま繰り返した。
チルアルミノキサン試料を使用して、比較用実施例１３
の方法を本質的にそのまま繰り返した。
【００５３】この方法は、表３に示す特定のビス（シク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（モ
ノアリールシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロ
リド及びビス（モノメチルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジクロリドをジルコニウム化合物として用いて
実施した。ビス（モノアリールシクロペンタジエニル）
ジルコニウムジクロリドは実施例１、６及び７の手順で
調製した。
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（モ
ノアリールシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロ
リド及びビス（モノメチルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジクロリドをジルコニウム化合物として用いて
実施した。ビス（モノアリールシクロペンタジエニル）
ジルコニウムジクロリドは実施例１、６及び７の手順で
調製した。
【００５４】得られたポリマー生成物の平均重合率と数
平均分子量とを表３に示す。ＮＭＲスペクトルにより、
これらのポリマーはアタクチックポリプロピレンであ
り、ビニリデン基即ち式−Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2で示され
る基及びｎ−プロピル基以外の末端基は存在しないこと
が判明した。ビニリデン基及びｎ−プロピル基は実質的
に１：１のモル比で存在していた。
平均分子量とを表３に示す。ＮＭＲスペクトルにより、
これらのポリマーはアタクチックポリプロピレンであ
り、ビニリデン基即ち式−Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2で示され
る基及びｎ−プロピル基以外の末端基は存在しないこと
が判明した。ビニリデン基及びｎ−プロピル基は実質的
に１：１のモル比で存在していた。
【００５５】
【表３】
【００５６】実施例２９〜３３
プロペンの重合
異なる購入メチルアルミノキサン試料を使用して、比較
用実施例２４〜２８の方法を本質的にそのまま繰り返し
た。
用実施例２４〜２８の方法を本質的にそのまま繰り返し
た。
【００５７】この方法は、表４に示す２種類のビス（モ
ノアリールシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロ
リド及び２種類の（シクロペンタジエニル）（アリール
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドをジル
コニウム化合物として用いて実施した。これらの化合物
は実施例１と同様に、但し実施例２９、３０及び３３で
は４−ｔ−ブチルフェニルブロミドの代わりにそれぞれ
４−メトトキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニルブロ
ミド、２−メトキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル
ブロミド及び３−メトキシ−フェニルブロミドを使用
し、実施例３１及び３２では四塩化ジルコニウムの代わ
りに三塩化シクロペンタジエニルジルコニウムを使用し
た。
ノアリールシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロ
リド及び２種類の（シクロペンタジエニル）（アリール
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドをジル
コニウム化合物として用いて実施した。これらの化合物
は実施例１と同様に、但し実施例２９、３０及び３３で
は４−ｔ−ブチルフェニルブロミドの代わりにそれぞれ
４−メトトキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニルブロ
ミド、２−メトキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル
ブロミド及び３−メトキシ−フェニルブロミドを使用
し、実施例３１及び３２では四塩化ジルコニウムの代わ
りに三塩化シクロペンタジエニルジルコニウムを使用し
た。
【００５８】得られたポリマー生成物の平均重合率と数
平均分子量とを表４に示す。ＮＭＲスペクトルにより、
これらのポリマーはアタクチックポリプロピレンであ
り、ビニリデン基即ち式−Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2で示され
る基及びｎ−プロピル基以外の末端基は存在しないこと
が判明した。ビニリデン基及びｎ−プロピル基は実質的
に１：１のモル比で存在していた。
平均分子量とを表４に示す。ＮＭＲスペクトルにより、
これらのポリマーはアタクチックポリプロピレンであ
り、ビニリデン基即ち式−Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2で示され
る基及びｎ−プロピル基以外の末端基は存在しないこと
が判明した。ビニリデン基及びｎ−プロピル基は実質的
に１：１のモル比で存在していた。
【００５９】
【表４】
【００６０】実施例３４〜３７（比較用）
プロペンの重合
１，２−エチレン−ビス（インデニル）ジルコニウムジ
クロリド、１，２−エチレン−ビス（３−フェニルイン
デニル）ジルコニウムジクロリド、１，２−エチレン−
ビス［３−（４−メチルフェニル）インデニル］ジルコ
ニウムジクロリド、又は１，２−エチレン−ビス［３−
（３，５−ジメチル−４−メチルオキシフェニル）イン
デニル］ジルコニウムジクロリドをジルコニウム化合物
として使用して比較用実施例１３の方法を本質的にその
まま繰り返した。
クロリド、１，２−エチレン−ビス（３−フェニルイン
デニル）ジルコニウムジクロリド、１，２−エチレン−
ビス［３−（４−メチルフェニル）インデニル］ジルコ
ニウムジクロリド、又は１，２−エチレン−ビス［３−
（３，５−ジメチル−４−メチルオキシフェニル）イン
デニル］ジルコニウムジクロリドをジルコニウム化合物
として使用して比較用実施例１３の方法を本質的にその
まま繰り返した。
【００６１】得られたポリマー生成物の平均重合率と数
平均分子量とを表５に示す。
平均分子量とを表５に示す。
【００６２】
【表５】
フロントページの続き
(56)参考文献 欧州特許出願公開283739（ＥＰ，Ａ
１)
Ｐｏｏｎａｍ Ｓｉｎｇｈ，Ｆｏｒｍ
ａｔｉｏｎ ａｎｄ ｓｙｎｔｈｅｔｉ
ｃ ｕｔｉｌｉｔｙ ｏｆ ｂｅｎｚｙ
ｌ−ａｎｄ ｐｈｅｎｙｌ−ｃｙｃｌｏ
ｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌｔｈａｌｌｉｕ
ｍ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎ
ｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒ
ｙ，352巻（1988年），273−282
Ｒｉｃｈａｒｄ Ｓ．Ｔｈｒｅｌｋｅ
ｌ ａｎｄ Ｊｏｈｎ Ｅ．Ｂｅｒｃａ
ｗ，Ａ Ｃｏｎｖｅｎｉｅｎｔ Ｓｙｎ
ｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ａｌｋｙｌｔｅｔ
ｒａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａ
ｄｉｅｎｅｓ ａｎｄ Ｐｈｅｎｙｌｔ
ｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎ
ｔａｄｉｅｎｅ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈ
ｅｍｉｓｔｒｙ，第136巻（1977年）,
１−５頁
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08F 4/60 - 4/70
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＥＵＲＯＰＡＴ（ＱＵＥＳＴＥＬ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
ＷＰＩ／Ｌ（ＱＵＥＳＴＥＬ)
Claims (10)
- 【請求項１】 α−オレフィン重合用触媒組成物であっ
て、 ａ．一般式（Ｃｐ） ２ ＭｅＸ ２ ［式中、Ｃｐは１つ以上
のヒドロカルビル基で置換されていてもよい互いに同じ
若しくは異なるシクロペンタジエニル基を表し、但し少
なくとも１つのシクロペンタジエニル基は任意に置換さ
れた１つのアリール基で置換されており、Ｍｅは第ＩＶ
Ａ族金属を表し、Ｘは第ＩＶＡ族金属に結合した２つの
置換基であって、ヒドロカルビル基、ヒドロカルボキシ
基、ヒドロカルバミド基、水素及びハロゲンから選択さ
れた基を表す］で示される第ＩＶＡ族金属化合物と、 ｂ．アルミノキサンとをベースとする触媒組成物。 - 【請求項２】 シクロペンタジエニル基に結合している
アリール基がフェニル基であることを特徴とする請求項
１に記載の触媒組成物。 - 【請求項３】 アリール基が１つ以上のｔ−アルキル基
で更に置換されていることを特徴とする請求項１又は２
に記載の触媒組成物。 - 【請求項４】 アリール基が１つ以上の遮蔽されたアル
キルオキシ基又は遮蔽されたジアルキルアミノ基で更に
置換されており、該１つ以上の遮蔽されたアルキルオキ
シ基又は遮蔽されたジアルキルアミノ基は、隣接するシ
クロアルキル基又はｔ−アルキル基によって遮蔽されて
いることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記
載の触媒組成物。 - 【請求項５】 第ＩＶＡ族金属がジルコニウム及びハフ
ニウムから選択したものであることを特徴とする請求項
１〜４のいずれか一項に記載の触媒組成物。 - 【請求項６】 ビス（フェニルシクロペンタジエニル）
ジルコニウムジクロリド、ビス［（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）シクロペンタジエニル］ジルコニウムジクロリ
ド、ビス［（２−メチルフェニル）シクロペンタジエニ
ル］ジルコニウムジクロリド、ビス［（２−エチルフェ
ニル）シクロペンタジエニル］ジルコニウムジクロリ
ド、ビス［（２−ｉ−プロピルフェニル）シクロペンタ
ジエニル］ジルコニウムジクロリド、ビス［（４−クロ
ロフェニル）シクロペンタジエニル］ジルコニウムジク
ロリド、ビス［（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）シ
クロペンタジエニル］ジルコニウムジクロリド、ビス
［（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルオキシフェニ
ル）シクロペンタジエニル］ジルコニウムジクロリド、
（シクロペンタジエニル）（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−メトキシフェニル−シクロペンタジエニル）ジルコ
ニウムジクロリド、ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２
−メトキシフェニルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジクロリド、（シクロペンタジエニル）（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−２−メトキシフェニルシクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジクロリド及びビス（３−メトキシ
フェニルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ドから選択した第ＩＶＡ族金属化合物をベースとしてい
ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載
の触媒組成物。 - 【請求項７】 第ＩＶＡ族金属化合物対アルミノキサン
のモル比が、第ＩＶＡ族金属グラム原子当たりのアルミ
ニウムのグラム原子として計算して、５０〜２０００で
あることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記
載の触媒組成物。 - 【請求項８】 α−オレフィンを請求項１〜７のいずれ
か一項に記載の触媒組成物と接触させることを含んでな
る１種類以上のα−オレフィンの重合方法。 - 【請求項９】 α−オレフィンがプロペンであることを
特徴とする請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 重合を０〜１００℃の範囲の温度及び
１〜１００バールの範囲の圧力で実施することを特徴と
する請求項８又は９に記載の方法。
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