JP3358301B2 - 定電圧発生回路 - Google Patents
定電圧発生回路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、従来のように、温度依
存性の小さな出力電圧を得ようとしたとき、約１.２Ｖ
の整数倍だけでなく、任意の電圧を出力することを可能
にするトランジスタを利用した、温度依存性の小さい定
電圧発生回路に関するものである。
存性の小さな出力電圧を得ようとしたとき、約１.２Ｖ
の整数倍だけでなく、任意の電圧を出力することを可能
にするトランジスタを利用した、温度依存性の小さい定
電圧発生回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子回路においては、多くの場合、回路
内部に温度依存性の小さな定電圧発生回路を持つことが
多い。その中でも、多く用いられている回路に、バンド
・ギャップ回路と呼ばれているものがあるが、これは、
温度依存性を小さくしようとしたとき、約１.２Ｖの整
数倍の出力電圧しか得られないため、それ以外の電圧を
得ようとしたときには、増幅器を用いるなどの手段を講
じている。
内部に温度依存性の小さな定電圧発生回路を持つことが
多い。その中でも、多く用いられている回路に、バンド
・ギャップ回路と呼ばれているものがあるが、これは、
温度依存性を小さくしようとしたとき、約１.２Ｖの整
数倍の出力電圧しか得られないため、それ以外の電圧を
得ようとしたときには、増幅器を用いるなどの手段を講
じている。
【０００３】図４は従来の定電圧発生回路（バンド・ギ
ャップ回路）の一例の構成を示す図である。図４におい
て、ＮＰＮトランジスタＱ13のコレクタ電流ＩC13は、
次式で表される。
ャップ回路）の一例の構成を示す図である。図４におい
て、ＮＰＮトランジスタＱ13のコレクタ電流ＩC13は、
次式で表される。
【０００４】ＩC13＝（ＶBE14ーＶBE13）／Ｒ13 ＝ＶＴ×Ｎ／Ｒ13 よって、出力電圧ＶOUTは、 ＶOUT＝ＶBE12＋Ｒ11×ＩC13 ＝ＶBE12＋Ｒ11（ＶＴ×Ｎ／Ｒ13） となる。ここで、ＶＴは絶対温度Ｔに比例する定数、Ｎ
＝ＬＮ（ＩE14／ＩE13）であり（Ｎはほぼ定数）、ＶBE
は温度に対して負の特性を持つ。
＝ＬＮ（ＩE14／ＩE13）であり（Ｎはほぼ定数）、ＶBE
は温度に対して負の特性を持つ。
【０００５】ＶＴは温度に対して正の特性を持っている
ので、抵抗の値を適切に選ぶと、温度依存性の極めて小
さな出力電圧ＶOUTが得られる。
ので、抵抗の値を適切に選ぶと、温度依存性の極めて小
さな出力電圧ＶOUTが得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来例によ
れば、トランジスタの特性から、温度依存性を小さくし
ようとしたとき、約１.２Ｖの整数倍の出力電圧しか得
られないため、それ以外の電圧を得ようとしたときに
は、増幅器を用いるなどの手段を講じなければならない
という欠点を有する。
れば、トランジスタの特性から、温度依存性を小さくし
ようとしたとき、約１.２Ｖの整数倍の出力電圧しか得
られないため、それ以外の電圧を得ようとしたときに
は、増幅器を用いるなどの手段を講じなければならない
という欠点を有する。
【０００７】本発明は、増幅器を用いるなどの手段を講
じなくても、温度依存性を損なうことなく、従来のよう
に、約１.２Ｖの整数倍だけでなく、任意の電圧を出力
することを可能にする定電圧発生回路を提供するもので
ある。
じなくても、温度依存性を損なうことなく、従来のよう
に、約１.２Ｖの整数倍だけでなく、任意の電圧を出力
することを可能にする定電圧発生回路を提供するもので
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述の問題点を解決する
ために、本発明に係る第１の発明の定電圧発生回路は、
コレクタ・ベースを共通に接続したエミッタ接地の第１
のトランジスタと、前記第１のトランジスタのベースと
出力端子との間に接続された第１の抵抗と、コレクタ・
ベースの共通接続点を前記第１のトランジスタのベース
と接続し、一端を接地した第２の抵抗の他端にエミッタ
を接続した第２のトランジスタと、ベースを前記第１の
トランジスタのベースと共通に接続し、一端を接地した
第３の抵抗の他端にエミッタを接続し、かつコレクタと
前記出力端子との間に第４の抵抗を接続した第３のトラ
ンジスタと、前記第３のトランジスタのコレクタにベー
スを接続し、一端を電源端子に接続した電流源の他端に
コレクタを接続したエミッタ接地の第４のトランジスタ
と、前記電流源の他端にベースを接続し、コレクタを前
記電源端子に接続し、かつエミッタを前記出力端子に接
続した第５のトランジスタとを備えた構成である。
ために、本発明に係る第１の発明の定電圧発生回路は、
コレクタ・ベースを共通に接続したエミッタ接地の第１
のトランジスタと、前記第１のトランジスタのベースと
出力端子との間に接続された第１の抵抗と、コレクタ・
ベースの共通接続点を前記第１のトランジスタのベース
と接続し、一端を接地した第２の抵抗の他端にエミッタ
を接続した第２のトランジスタと、ベースを前記第１の
トランジスタのベースと共通に接続し、一端を接地した
第３の抵抗の他端にエミッタを接続し、かつコレクタと
前記出力端子との間に第４の抵抗を接続した第３のトラ
ンジスタと、前記第３のトランジスタのコレクタにベー
スを接続し、一端を電源端子に接続した電流源の他端に
コレクタを接続したエミッタ接地の第４のトランジスタ
と、前記電流源の他端にベースを接続し、コレクタを前
記電源端子に接続し、かつエミッタを前記出力端子に接
続した第５のトランジスタとを備えた構成である。
【０００９】また第２の発明の定電圧発生回路は、コレ
クタ・ベースを共通に接続したエミッタ接地の第１のト
ランジスタと、前記第１のトランジスタのベースと出力
端子との間に接続された第１の抵抗と、コレクタ・ベー
スの共通接続点を前記第１のトランジスタのベースと接
続し、一端を接地した第２の抵抗の他端にエミッタを接
続した第２のトランジスタと、ベースを前記第１のトラ
ンジスタのベースと共通に接続し、一端を接地した第３
の抵抗の他端にエミッタを接続した第３のトランジスタ
と、前記第３のトランジスタのコレクタ電流をミラー反
転して前記出力端子に電流を供給するカレントミラー回
路と、前記第３のトランジスタのコレクタにベースを接
続し、一端を接地した第４の抵抗の他端にエミッタを接
続し、かつコレクタを電源端子に接続した第４のトラン
ジスタとを備えた構成である。
クタ・ベースを共通に接続したエミッタ接地の第１のト
ランジスタと、前記第１のトランジスタのベースと出力
端子との間に接続された第１の抵抗と、コレクタ・ベー
スの共通接続点を前記第１のトランジスタのベースと接
続し、一端を接地した第２の抵抗の他端にエミッタを接
続した第２のトランジスタと、ベースを前記第１のトラ
ンジスタのベースと共通に接続し、一端を接地した第３
の抵抗の他端にエミッタを接続した第３のトランジスタ
と、前記第３のトランジスタのコレクタ電流をミラー反
転して前記出力端子に電流を供給するカレントミラー回
路と、前記第３のトランジスタのコレクタにベースを接
続し、一端を接地した第４の抵抗の他端にエミッタを接
続し、かつコレクタを電源端子に接続した第４のトラン
ジスタとを備えた構成である。
【００１０】また第３の発明の定電圧発生回路は、コレ
クタ・ベースを共通に接続したエミッタ接地の第１のト
ランジスタと、前記第１のトランジスタのベースと出力
端子との間に接続された第１の抵抗と、コレクタ・ベー
スの共通接続点を前記第１のトランジスタのベースと接
続し、一端を接地した第２の抵抗の他端にエミッタを接
続した第２のトランジスタと、ベースを前記第１のトラ
ンジスタのベースと共通に接続し、一端を接地した第３
の抵抗の他端にエミッタを接続した第３のトランジスタ
と、前記第３のトランジスタのコレクタ電流をミラー反
転して前記出力端子に電流を供給するカレントミラー回
路と、前記第３のトランジスタのコレクタにベースを接
続し、一端を接地した第４の抵抗の他端にエミッタを接
続し、かつコレクタを電源端子に接続した第４のトラン
ジスタとを備えた構成である。
クタ・ベースを共通に接続したエミッタ接地の第１のト
ランジスタと、前記第１のトランジスタのベースと出力
端子との間に接続された第１の抵抗と、コレクタ・ベー
スの共通接続点を前記第１のトランジスタのベースと接
続し、一端を接地した第２の抵抗の他端にエミッタを接
続した第２のトランジスタと、ベースを前記第１のトラ
ンジスタのベースと共通に接続し、一端を接地した第３
の抵抗の他端にエミッタを接続した第３のトランジスタ
と、前記第３のトランジスタのコレクタ電流をミラー反
転して前記出力端子に電流を供給するカレントミラー回
路と、前記第３のトランジスタのコレクタにベースを接
続し、一端を接地した第４の抵抗の他端にエミッタを接
続し、かつコレクタを電源端子に接続した第４のトラン
ジスタとを備えた構成である。
【００１１】
【作用】以上の構成により、第１の発明の定電圧発生回
路は、図４の従来の定電圧発生回路（バンド・ギャップ
回路）にＮＰＮトランジスタＱ5と抵抗Ｒ4を追加した構
成になり、ＮＰＮトランジスタＱ3のコレクタ電流ＩC3
は、次式で表される。
路は、図４の従来の定電圧発生回路（バンド・ギャップ
回路）にＮＰＮトランジスタＱ5と抵抗Ｒ4を追加した構
成になり、ＮＰＮトランジスタＱ3のコレクタ電流ＩC3
は、次式で表される。
【００１２】ＩC3＝（ＶBE4ーＶBE3）／Ｒ3 ＝ＶＴ×ＮＴ1／Ｒ3 よって、出力電圧ＶOUTは、 ＶOUT＝ＶBE2＋Ｒ1×ＩC3 ＝ＶBE2＋Ｒ1（ＶＴ×ＮＴ1／Ｒ3） となる。ここで、ＶＴは絶対温度Ｔに比例する定数であ
り、ＶBEは温度に対して負の特性を持つ。また、 ＮＴ1＝ＬＮ（ＩE4／ＩE3） ＩE4＝｛（ＶOUT−ＶBE4）／Ｒ2｝−ＩE5 ＩE5＝（ＶBE4ーＶBE5）／Ｒ4 ＝ＶＴ×ＮＴ2／Ｒ4 であり、従来例のＮはほぼ定数であったのが、ＮＴ1は
Ｒ4の値により任意に温度特性を設定できるようにな
る。
り、ＶBEは温度に対して負の特性を持つ。また、 ＮＴ1＝ＬＮ（ＩE4／ＩE3） ＩE4＝｛（ＶOUT−ＶBE4）／Ｒ2｝−ＩE5 ＩE5＝（ＶBE4ーＶBE5）／Ｒ4 ＝ＶＴ×ＮＴ2／Ｒ4 であり、従来例のＮはほぼ定数であったのが、ＮＴ1は
Ｒ4の値により任意に温度特性を設定できるようにな
る。
【００１３】そのため、出力電圧ＶOUTは、従来例のよ
うに温度依存性を小さくしようとしたとき、約１.２Ｖ
の整数倍の出力電圧しか得られないということがなくな
り、任意の電圧で、温度依存性の小さい出力電圧を得る
ことができる。
うに温度依存性を小さくしようとしたとき、約１.２Ｖ
の整数倍の出力電圧しか得られないということがなくな
り、任意の電圧で、温度依存性の小さい出力電圧を得る
ことができる。
【００１４】第２の発明の定電圧発生回路は、第１の発
明の定電圧発生回路とほぼ同じ動作であるが、ＰＮＰト
ランジスタのカレントミラー回路を用いているところが
異なっている。
明の定電圧発生回路とほぼ同じ動作であるが、ＰＮＰト
ランジスタのカレントミラー回路を用いているところが
異なっている。
【００１５】ＮＰＮトランジスタＱ23のコレクタ電流Ｉ
C23は、 ＩC23＝（ＶBE24ーＶBE23）／Ｒ23 ＝ＶＴ×ＮＴ21／Ｒ23 となり、よって、出力電圧ＶOUTは、 ＶOUT＝ＶBE24＋Ｒ21×ＩC22 ＝ＶBE24＋Ｒ21×ＩC23 ＝ＶBE24＋Ｒ21（ＶＴ×ＮＴ21／Ｒ23） となる。ここで、ＶＴは絶対温度Ｔに比例する定数であ
り、ＶBEは温度に対して負の特性を持つ。また、 ＮＴ21＝ＬＮ（ＩE24／ＩE23） ＩE24＝｛（ＶOUT−ＶBE24）／Ｒ21｝−ＩE25 ＩE25＝（ＶBE24ーＶBE25）／Ｒ24 ＝ＶＴ×ＮＴ22／Ｒ24 であり、従来例のＮはほぼ定数であったのが、ＮＴ21は
Ｒ24の値により任意に温度特性を設定できるようにな
る。
C23は、 ＩC23＝（ＶBE24ーＶBE23）／Ｒ23 ＝ＶＴ×ＮＴ21／Ｒ23 となり、よって、出力電圧ＶOUTは、 ＶOUT＝ＶBE24＋Ｒ21×ＩC22 ＝ＶBE24＋Ｒ21×ＩC23 ＝ＶBE24＋Ｒ21（ＶＴ×ＮＴ21／Ｒ23） となる。ここで、ＶＴは絶対温度Ｔに比例する定数であ
り、ＶBEは温度に対して負の特性を持つ。また、 ＮＴ21＝ＬＮ（ＩE24／ＩE23） ＩE24＝｛（ＶOUT−ＶBE24）／Ｒ21｝−ＩE25 ＩE25＝（ＶBE24ーＶBE25）／Ｒ24 ＝ＶＴ×ＮＴ22／Ｒ24 であり、従来例のＮはほぼ定数であったのが、ＮＴ21は
Ｒ24の値により任意に温度特性を設定できるようにな
る。
【００１６】そのため、出力電圧ＶOUTは、従来例のよ
うに温度依存性を小さくしようとしたとき、約１.２Ｖ
の整数倍の出力電圧しか得られないということがなくな
り、任意の電圧で、温度依存性の小さい出力電圧を得る
ことができる。
うに温度依存性を小さくしようとしたとき、約１.２Ｖ
の整数倍の出力電圧しか得られないということがなくな
り、任意の電圧で、温度依存性の小さい出力電圧を得る
ことができる。
【００１７】第３の発明の定電圧発生回路は、第１の発
明の定電圧発生回路とほぼ同じ動作であるが、アンプを
用いているところが異なっている。
明の定電圧発生回路とほぼ同じ動作であるが、アンプを
用いているところが異なっている。
【００１８】ＮＰＮトランジスタＱ31のコレクタ電流Ｉ
C31は、 ＩC31＝（ＶBE32−ＶBE31）／Ｒ33 ＝ＶＴ×ＮＴ31／Ｒ33 となり、よって、出力電圧ＶOUTは、 ＶOUT＝ＶBE32＋Ｒ32×ＩC32 ＝ＶBE32＋Ｒ32×ＩC31（Ｒ32／Ｒ31） ＝ＶBE32＋Ｒ32（ＶＴ×ＮＴ31／Ｒ33）（Ｒ32／Ｒ31） となる。ここで、ＶＴは絶対温度Ｔに比例する定数であ
り、ＶBEは温度に対して負の特性を持つ。また、 ＮＴ31＝ＬＮ（ＩE32／ＩE31） ＩE32＝｛（ＶOUT−ＶBE32）／Ｒ32｝−ＩE33 ＩE33＝（ＶBE32ーＶBE33）／Ｒ34 ＝ＶＴ×ＮＴ32／Ｒ34 であり、従来例のＮはほぼ定数であったのが、ＮＴ31は
Ｒ34の値により任意に温度特性を設定できるようにな
る。
C31は、 ＩC31＝（ＶBE32−ＶBE31）／Ｒ33 ＝ＶＴ×ＮＴ31／Ｒ33 となり、よって、出力電圧ＶOUTは、 ＶOUT＝ＶBE32＋Ｒ32×ＩC32 ＝ＶBE32＋Ｒ32×ＩC31（Ｒ32／Ｒ31） ＝ＶBE32＋Ｒ32（ＶＴ×ＮＴ31／Ｒ33）（Ｒ32／Ｒ31） となる。ここで、ＶＴは絶対温度Ｔに比例する定数であ
り、ＶBEは温度に対して負の特性を持つ。また、 ＮＴ31＝ＬＮ（ＩE32／ＩE31） ＩE32＝｛（ＶOUT−ＶBE32）／Ｒ32｝−ＩE33 ＩE33＝（ＶBE32ーＶBE33）／Ｒ34 ＝ＶＴ×ＮＴ32／Ｒ34 であり、従来例のＮはほぼ定数であったのが、ＮＴ31は
Ｒ34の値により任意に温度特性を設定できるようにな
る。
【００１９】そのため、出力電圧ＶOUTは、従来例のよ
うに温度依存性を小さくしようとしたとき、約１.２Ｖ
の整数倍の出力電圧しか得られないということがなくな
り、任意の電圧で、温度依存性の小さい出力電圧を得る
ことができる。
うに温度依存性を小さくしようとしたとき、約１.２Ｖ
の整数倍の出力電圧しか得られないということがなくな
り、任意の電圧で、温度依存性の小さい出力電圧を得る
ことができる。
【００２０】
【実施例】第１の発明の一実施例の定電圧発生回路につ
いて、図１を参照しながら詳しく説明する。
いて、図１を参照しながら詳しく説明する。
【００２１】ＮＰＮトランジスタＱ1のコレクタを電源
に接続し、Ｑ1のエミッタを出力に接続し、Ｑ1のベース
を一端を電源に接続した電流源とＮＰＮトランジスタＱ
2のコレクタに接続し、そのＱ2のエミッタを接地し、Ｑ
2のベースを一端を出力に接続した抵抗Ｒ１とＮＰＮト
ランジスタＱ3のコレクタに接続し、そのＱ３のエミッ
タを一端を接地した抵抗Ｒ3に接続し、Ｑ3のベースを一
端を出力に接続した抵抗Ｒ2とＮＰＮトランジスタＱ4の
コレクタ・ベースとＮＰＮトランジスタＱ5のコレクタ
・ベースに接続し、Ｑ4のエミッタを接地し、Ｑ5のエミ
ッタを一端を接地した抵抗Ｒ4に接続する構成である。
に接続し、Ｑ1のエミッタを出力に接続し、Ｑ1のベース
を一端を電源に接続した電流源とＮＰＮトランジスタＱ
2のコレクタに接続し、そのＱ2のエミッタを接地し、Ｑ
2のベースを一端を出力に接続した抵抗Ｒ１とＮＰＮト
ランジスタＱ3のコレクタに接続し、そのＱ３のエミッ
タを一端を接地した抵抗Ｒ3に接続し、Ｑ3のベースを一
端を出力に接続した抵抗Ｒ2とＮＰＮトランジスタＱ4の
コレクタ・ベースとＮＰＮトランジスタＱ5のコレクタ
・ベースに接続し、Ｑ4のエミッタを接地し、Ｑ5のエミ
ッタを一端を接地した抵抗Ｒ4に接続する構成である。
【００２２】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。図１の回路において、Ｑ3のコ
レクタ電流ＩC3は、 ＩC3＝（ＶBE4ーＶBE3）／Ｒ3 ＝ＶＴ×ＮＴ1／Ｒ3 となり、よって、出力電圧ＶOUTは、 ＶOUT＝ＶBE2＋Ｒ1×ＩC3 ＝ＶBE2＋Ｒ1（ＶＴ×ＮＴ1／Ｒ3） となる。ここで、ＶＴは絶対温度Ｔに比例する定数であ
り、ＶBEは温度に対して負の特性を持つ。また、 ＮＴ1＝ＬＮ（ＩE4／ＩE3） ＩE4＝｛（ＶOUT−ＶBE4）／Ｒ2｝−ＩE5 ＩE5＝（ＶBE4−ＶBE5）／Ｒ4 ＝ＶＴ×ＮＴ2／Ｒ4 であり、ＮＴ1はＲ4の値により任意に温度特性を設定で
きるようになる。
動作について説明する。図１の回路において、Ｑ3のコ
レクタ電流ＩC3は、 ＩC3＝（ＶBE4ーＶBE3）／Ｒ3 ＝ＶＴ×ＮＴ1／Ｒ3 となり、よって、出力電圧ＶOUTは、 ＶOUT＝ＶBE2＋Ｒ1×ＩC3 ＝ＶBE2＋Ｒ1（ＶＴ×ＮＴ1／Ｒ3） となる。ここで、ＶＴは絶対温度Ｔに比例する定数であ
り、ＶBEは温度に対して負の特性を持つ。また、 ＮＴ1＝ＬＮ（ＩE4／ＩE3） ＩE4＝｛（ＶOUT−ＶBE4）／Ｒ2｝−ＩE5 ＩE5＝（ＶBE4−ＶBE5）／Ｒ4 ＝ＶＴ×ＮＴ2／Ｒ4 であり、ＮＴ1はＲ4の値により任意に温度特性を設定で
きるようになる。
【００２３】そのため、出力電圧ＶOUTは、温度依存性
を小さくしようとしたとき、任意の電圧で、出力電圧を
得ることができる。
を小さくしようとしたとき、任意の電圧で、出力電圧を
得ることができる。
【００２４】第２の発明の一実施例の定電圧発生回路に
ついて、図２を参照しながら詳しく説明する。
ついて、図２を参照しながら詳しく説明する。
【００２５】ＰＮＰトランジスタＱ21のエミッタを電源
に接続し、Ｑ21のコレクタ・ベースをＰＮＰトランジス
タＱ22のベースとＮＰＮトランジスタＱ26のベースとＮ
ＰＮトランジスタＱ23のコレクタに接続し、Ｑ22のエミ
ッタを電源に接続し、Ｑ22のコレクタを出力に接続し、
Ｑ26のコレクタを電源に接続し、Ｑ26のエミッタを一端
を接地した抵抗Ｒ22に接続しＮＰＮトランジスタＱ23の
エミッタを一端を接地した抵抗Ｒ23に接続し、Ｑ23のベ
ースを一端を出力に接続した抵抗Ｒ21とＮＰＮトランジ
スタＱ24のコレクタ・ベースとＮＰＮトランジスタＱ25
のコレクタ・ベースに接続し、Ｑ24のエミッタを接地
し、Ｑ25のエミッタを一端を接地した抵抗Ｒ24に接続す
る構成である。
に接続し、Ｑ21のコレクタ・ベースをＰＮＰトランジス
タＱ22のベースとＮＰＮトランジスタＱ26のベースとＮ
ＰＮトランジスタＱ23のコレクタに接続し、Ｑ22のエミ
ッタを電源に接続し、Ｑ22のコレクタを出力に接続し、
Ｑ26のコレクタを電源に接続し、Ｑ26のエミッタを一端
を接地した抵抗Ｒ22に接続しＮＰＮトランジスタＱ23の
エミッタを一端を接地した抵抗Ｒ23に接続し、Ｑ23のベ
ースを一端を出力に接続した抵抗Ｒ21とＮＰＮトランジ
スタＱ24のコレクタ・ベースとＮＰＮトランジスタＱ25
のコレクタ・ベースに接続し、Ｑ24のエミッタを接地
し、Ｑ25のエミッタを一端を接地した抵抗Ｒ24に接続す
る構成である。
【００２６】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。図２の回路において、Ｑ23のコ
レクタ電流ＩC23は、 ＩC23＝（ＶBE24ーＶBE23）／Ｒ23 ＝ＶＴ×ＮＴ21／Ｒ23 であり、よって、出力電圧ＶOUTは、 ＶOUT＝ＶBE24＋Ｒ21×ＩC22 ＝ＶBE24＋Ｒ21×ＩC23 ＝ＶBE24＋Ｒ21（ＶＴ×ＮＴ21／Ｒ23） となる。ここで、ＶＴは絶対温度Ｔに比例する定数であ
り、ＶBEは温度に対して負の特性を持つ。
動作について説明する。図２の回路において、Ｑ23のコ
レクタ電流ＩC23は、 ＩC23＝（ＶBE24ーＶBE23）／Ｒ23 ＝ＶＴ×ＮＴ21／Ｒ23 であり、よって、出力電圧ＶOUTは、 ＶOUT＝ＶBE24＋Ｒ21×ＩC22 ＝ＶBE24＋Ｒ21×ＩC23 ＝ＶBE24＋Ｒ21（ＶＴ×ＮＴ21／Ｒ23） となる。ここで、ＶＴは絶対温度Ｔに比例する定数であ
り、ＶBEは温度に対して負の特性を持つ。
【００２７】ＮＴ21＝ＬＮ（ＩE24／ＩE23） ＩE24＝｛（ＶOUT−ＶBE24）／Ｒ21｝−ＩE25 ＩE25＝（ＶBE24ーＶBE25）／Ｒ24 ＝ＶＴ×ＮＴ22／Ｒ24 であり、ＮＴ21はＲ24の値により任意に温度特性を設定
できるようになる。
できるようになる。
【００２８】そのため、出力電圧ＶOUTは、温度依存性
を小さくしようとしたとき、任意の電圧で、出力電圧を
得ることができる。
を小さくしようとしたとき、任意の電圧で、出力電圧を
得ることができる。
【００２９】第３の発明の一実施例の定電圧発生回路に
ついて、図３を参照しながら詳しく説明する。
ついて、図３を参照しながら詳しく説明する。
【００３０】ＮＰＮトランジスタＱ31のコレクタを一端
を出力に接続した抵抗Ｒ31とアンプの反転入力端子接続
し、Ｑ31のエミッタを一端を接地した抵抗Ｒ33に接続
し、Ｑ 31のベースを一端を出力に接続した抵抗Ｒ31とＮ
ＰＮトランジスタＱ32のコレクタ・ベースとＮＰＮトラ
ンジスタＱ33のコレクタ・ベースとアンプの非転入力端
子に接続し、Ｑ32のエミッタを接地し、Ｑ33のエミッタ
を一端を接地した抵抗Ｒ 34に接続し、アンプの出力を出
力に接続する構成である。
を出力に接続した抵抗Ｒ31とアンプの反転入力端子接続
し、Ｑ31のエミッタを一端を接地した抵抗Ｒ33に接続
し、Ｑ 31のベースを一端を出力に接続した抵抗Ｒ31とＮ
ＰＮトランジスタＱ32のコレクタ・ベースとＮＰＮトラ
ンジスタＱ33のコレクタ・ベースとアンプの非転入力端
子に接続し、Ｑ32のエミッタを接地し、Ｑ33のエミッタ
を一端を接地した抵抗Ｒ 34に接続し、アンプの出力を出
力に接続する構成である。
【００３１】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。図３の回路で、ＮＰＮトランジ
スタＱ31のコレクタ電流ＩC31は、 ＩC31＝（ＶBE32−ＶBE31）／Ｒ33 ＝ＶＴ×ＮＴ31／Ｒ33 よって、出力電圧ＶOUTは、 ＶOUT＝ＶBE32＋Ｒ32×ＩC32 ＝ＶBE32＋Ｒ32×ＩC31（Ｒ32／Ｒ31） ＝ＶBE32＋Ｒ32（ＶＴ×ＮＴ31／Ｒ33）（Ｒ32／Ｒ31） ここで、ＶＴは絶対温度Ｔに比例する定数であり、ＶBE
は温度に対して負の特性を持つ。また、 ＮＴ31＝ＬＮ（ＩE32／ＩE31） ＩE32＝｛（ＶOUT−ＶBE32）／Ｒ32｝−ＩE33 ＩE33＝（ＶBE32ーＶBE33）／Ｒ34 ＝ＶＴ×ＮＴ32／Ｒ34 であり、ＮＴ31はＲ34の値により任意に温度特性を設定
できるようになる。
動作について説明する。図３の回路で、ＮＰＮトランジ
スタＱ31のコレクタ電流ＩC31は、 ＩC31＝（ＶBE32−ＶBE31）／Ｒ33 ＝ＶＴ×ＮＴ31／Ｒ33 よって、出力電圧ＶOUTは、 ＶOUT＝ＶBE32＋Ｒ32×ＩC32 ＝ＶBE32＋Ｒ32×ＩC31（Ｒ32／Ｒ31） ＝ＶBE32＋Ｒ32（ＶＴ×ＮＴ31／Ｒ33）（Ｒ32／Ｒ31） ここで、ＶＴは絶対温度Ｔに比例する定数であり、ＶBE
は温度に対して負の特性を持つ。また、 ＮＴ31＝ＬＮ（ＩE32／ＩE31） ＩE32＝｛（ＶOUT−ＶBE32）／Ｒ32｝−ＩE33 ＩE33＝（ＶBE32ーＶBE33）／Ｒ34 ＝ＶＴ×ＮＴ32／Ｒ34 であり、ＮＴ31はＲ34の値により任意に温度特性を設定
できるようになる。
【００３２】そのため、出力電圧ＶOUTは、温度依存性
を小さくしようとしたとき、任意の電圧で、出力電圧を
得ることができる。
を小さくしようとしたとき、任意の電圧で、出力電圧を
得ることができる。
【００３３】
【発明の効果】以上に詳述したように、本発明の定電圧
発生回路は、抵抗の値を適切に選ぶことにより、任意の
電圧で、温度依存性の小さい出力電圧を得ることができ
る。
発生回路は、抵抗の値を適切に選ぶことにより、任意の
電圧で、温度依存性の小さい出力電圧を得ることができ
る。
【図１】第１の発明の定電圧発生回路における一実施例
の回路図
の回路図
【図２】第２の発明の定電圧発生回路における一実施例
の回路図
の回路図
【図３】第３の発明の定電圧発生回路における一実施例
の回路図
の回路図
【図４】従来例の回路図
【符号の説明】 Ｉ1，Ｉ11 電流源 ３０ アンプ Ｑ1〜Ｑ5，Ｑ11〜Ｑ14，Ｑ23〜Ｑ26，Ｑ31〜Ｑ33 ＮＰ
Ｎトランジスタ Ｑ21，Ｑ22， ＰＮＰトランジスタ Ｒ1〜Ｒ4，Ｒ11〜Ｒ13，Ｒ21〜Ｒ24，Ｒ31〜Ｒ34 抵抗
Ｎトランジスタ Ｑ21，Ｑ22， ＰＮＰトランジスタ Ｒ1〜Ｒ4，Ｒ11〜Ｒ13，Ｒ21〜Ｒ24，Ｒ31〜Ｒ34 抵抗
Claims (3)
- 【請求項１】 コレクタ・ベースを共通に接続したエミ
ッタ接地の第１のトランジスタと、 前記第１のトランジスタのベースと出力端子との間に接
続された第１の抵抗と、 コレクタ・ベースの共通接続点を前記第１のトランジス
タのベースと接続し、一端を接地した第２の抵抗の他端
にエミッタを接続した第２のトランジスタと、ベースを
前記第１のトランジスタのベースと共通に接続し、一端
を接地した第３の抵抗の他端にエミッタを接続し、かつ
コレクタと前記出力端子との間に第４の抵抗を接続した
第３のトランジスタと、 前記第３のトランジスタのコレクタにベースを接続し、
一端を電源端子に接続した電流源の他端にコレクタを接
続したエミッタ接地の第４のトランジスタと、 前記電流源の他端にベースを接続し、コレクタを前記電
源端子に接続し、かつエミッタを前記出力端子に接続し
た第５のトランジスタとを備えた 定電圧発生回路。 - 【請求項２】 コレクタ・ベースを共通に接続したエミ
ッタ接地の第１のトランジスタと、 前記第１のトランジスタのベースと出力端子との間に接
続された第１の抵抗と、 コレクタ・ベースの共通接続点を前記第１のトランジス
タのベースと接続し、一端を接地した第２の抵抗の他端
にエミッタを接続した第２のトランジスタと、 ベースを前記第１のトランジスタのベースと共通に接続
し、一端を接地した第３の抵抗の他端にエミッタを接続
した第３のトランジスタと、 前記第３のトランジスタのコレクタ電流をミラー反転し
て前記出力端子に電流を供給するカレントミラー回路
と、 前記第３のトランジスタのコレクタにベースを接続し、
一端を接地した第４の抵抗の他端にエミッタを接続し、
かつコレクタを電源端子に接続した第４のトランジスタ
とを備えた 定電圧発生回路。 - 【請求項３】 コレクタ・ベースを共通に接続したエミ
ッタ接地の第１のトラ ンジスタと、 前記第１のトランジスタのベースと出力端子との間に接
続された第１の抵抗と、 コレクタ・ベースの共通接続点を前記第１のトランジス
タのベースと接続し、一端を接地した第２の抵抗の他端
にエミッタを接続した第２のトランジスタと、 ベースを前記第１のトランジスタのベースと共通に接続
し、一端を接地した第３の抵抗の他端にエミッタを接続
し、かつコレクタと前記出力端子との間に第４の抵抗を
接続した第３のトランジスタと、 前記第１のトランジスタのコレクタ・ベースの接続点に
非反転入力端子を接続し、反転入力端子に前記第３のト
ランジスタのコレクタを接続し、かつ出力端を前記出力
端子に接続したアンプとを備えた 定電圧発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15737794A JP3358301B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 定電圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15737794A JP3358301B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 定電圧発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822337A JPH0822337A (ja) | 1996-01-23 |
| JP3358301B2 true JP3358301B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=15648332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15737794A Expired - Fee Related JP3358301B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 定電圧発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3358301B2 (ja) |
-
1994
- 1994-07-08 JP JP15737794A patent/JP3358301B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0822337A (ja) | 1996-01-23 |
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