JP3354996B2 - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
熱処理方法および熱処理装置Info
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- JP3354996B2 JP3354996B2 JP19972593A JP19972593A JP3354996B2 JP 3354996 B2 JP3354996 B2 JP 3354996B2 JP 19972593 A JP19972593 A JP 19972593A JP 19972593 A JP19972593 A JP 19972593A JP 3354996 B2 JP3354996 B2 JP 3354996B2
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- Japan
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- heater
- heat treatment
- heated
- heaters
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に係
り、特にＣＶＤ，拡散等の熱処理装置に関する。
り、特にＣＶＤ，拡散等の熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体熱処理装置では、１つの炉の中で
被加熱物を複数のヒータを用いて加熱することがある。
図３（Ａ）は１つの炉内で被加熱物を２つのヒータによ
り加熱している状態を示す平面図、図３（Ｂ）はその断
面図である。２つのヒータ１Ａ，１Ｂの中心には被加熱
物のウェーハ６があり、それぞれのヒータ１Ａ，１Ｂの
下には温度センサ２Ａ，２Ｂがある。図４は従来方法及
び装置の１例の構成を示すブロック図である。温度コン
トローラ５内で、温度センサ２Ａ，２Ｂの信号と設定値
が比較器３Ａ，３Ｂにより比較され、各比較結果により
それぞれのヒータ１Ａ，１Ｂは全く別々に制御されてい
る。図５は、２つのヒータ温度の時間変化の１例を示す
説明図である。ヒータ１Ａ，１Ｂの温度ＨA ，ＨB は、
安定→昇温→安定→降温→安定と変化している。
被加熱物を複数のヒータを用いて加熱することがある。
図３（Ａ）は１つの炉内で被加熱物を２つのヒータによ
り加熱している状態を示す平面図、図３（Ｂ）はその断
面図である。２つのヒータ１Ａ，１Ｂの中心には被加熱
物のウェーハ６があり、それぞれのヒータ１Ａ，１Ｂの
下には温度センサ２Ａ，２Ｂがある。図４は従来方法及
び装置の１例の構成を示すブロック図である。温度コン
トローラ５内で、温度センサ２Ａ，２Ｂの信号と設定値
が比較器３Ａ，３Ｂにより比較され、各比較結果により
それぞれのヒータ１Ａ，１Ｂは全く別々に制御されてい
る。図５は、２つのヒータ温度の時間変化の１例を示す
説明図である。ヒータ１Ａ，１Ｂの温度ＨA ，ＨB は、
安定→昇温→安定→降温→安定と変化している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の温度制御装置で、ヒータの昇降温を行うと、
図５に示す″昇温時″，″降温時″のように、ヒータ１
Ａの温度ＨA とヒータ１Ｂの温度ＨB のバランスがくず
れ、ウェーハ面内の温度分布が不均一になるため、ウェ
ーハ６の膜厚が不均一になったり、膜質が劣化したりす
るという課題がある。
うな従来の温度制御装置で、ヒータの昇降温を行うと、
図５に示す″昇温時″，″降温時″のように、ヒータ１
Ａの温度ＨA とヒータ１Ｂの温度ＨB のバランスがくず
れ、ウェーハ面内の温度分布が不均一になるため、ウェ
ーハ６の膜厚が不均一になったり、膜質が劣化したりす
るという課題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明はこのような課
題を解決するためなされたもので、この発明に係る熱処
理方法は、半導体装置の熱処理において、被加熱物の下
方であって、被加熱物と平行な状態で設けられた複数の
ヒータにて被加熱物を加熱する際、その中の１つのヒー
タの温度設定値を基準にし、前記基準ヒータの温度設定
値を変数とした関数の演算により他のヒータの温度設定
値を決定し、制御することを特徴とするものである。ま
た、この発明に係る熱処理装置は、半導体装置の熱処理
において、被加熱物の下方であって、被加熱物と平行な
状態で設けられた複数のヒータにて被加熱物を加熱する
際、その中の１つのヒータの温度設定値を基準にし、前
記基準ヒータの温度設定値を変数とした関数の演算によ
り他のヒータの温度設定値を決定し、制御するものであ
る。
題を解決するためなされたもので、この発明に係る熱処
理方法は、半導体装置の熱処理において、被加熱物の下
方であって、被加熱物と平行な状態で設けられた複数の
ヒータにて被加熱物を加熱する際、その中の１つのヒー
タの温度設定値を基準にし、前記基準ヒータの温度設定
値を変数とした関数の演算により他のヒータの温度設定
値を決定し、制御することを特徴とするものである。ま
た、この発明に係る熱処理装置は、半導体装置の熱処理
において、被加熱物の下方であって、被加熱物と平行な
状態で設けられた複数のヒータにて被加熱物を加熱する
際、その中の１つのヒータの温度設定値を基準にし、前
記基準ヒータの温度設定値を変数とした関数の演算によ
り他のヒータの温度設定値を決定し、制御するものであ
る。
【０００５】
【作 用】本発明は上記のような構成であるから、基準
ヒータ１Ａの温度センサ２Ａの出力と基準ヒータ設定値
が比較器３Ａに入力され、その比較結果により基準ヒー
タ１Ａが制御される。その他のヒータ１Ｂの温度センサ
２Ｂの出力と、基準ヒータ設定値を演算器４により関数
演算した結果が比較器３Ｂに入力され、その比較結果に
より他のヒータ１Ｂが制御される。
ヒータ１Ａの温度センサ２Ａの出力と基準ヒータ設定値
が比較器３Ａに入力され、その比較結果により基準ヒー
タ１Ａが制御される。その他のヒータ１Ｂの温度センサ
２Ｂの出力と、基準ヒータ設定値を演算器４により関数
演算した結果が比較器３Ｂに入力され、その比較結果に
より他のヒータ１Ｂが制御される。
【０００６】
【実施例】図１は本発明方法及び装置の１実施例の構成
を示すブロック図である。図１において１Ａ，１Ｂは１
つの炉の中でウェーハ６（図３参照）を加熱する複数の
ヒータで、１つのヒータ１Ａを基準にして他のヒータ１
Ｂを制御する。３Ａは基準ヒータ１Ａの温度センサ２Ａ
の出力と基準ヒータ設定値を入力しその比較結果により
基準ヒータ１Ａを制御する比較器、４は基準ヒータ設定
値を関数演算例えば他のヒータ１Ｂの温度ＨB ＝基準ヒ
ータ１Ａの温度ＨA ×１．２になる関数演算する演算
器、３Ｂは他のヒータ１Ｂの温度センサ２Ｂの出力と演
算器４の関数演算結果を入力しその比較結果により他の
ヒータ１Ｂを制御する比較器である。
を示すブロック図である。図１において１Ａ，１Ｂは１
つの炉の中でウェーハ６（図３参照）を加熱する複数の
ヒータで、１つのヒータ１Ａを基準にして他のヒータ１
Ｂを制御する。３Ａは基準ヒータ１Ａの温度センサ２Ａ
の出力と基準ヒータ設定値を入力しその比較結果により
基準ヒータ１Ａを制御する比較器、４は基準ヒータ設定
値を関数演算例えば他のヒータ１Ｂの温度ＨB ＝基準ヒ
ータ１Ａの温度ＨA ×１．２になる関数演算する演算
器、３Ｂは他のヒータ１Ｂの温度センサ２Ｂの出力と演
算器４の関数演算結果を入力しその比較結果により他の
ヒータ１Ｂを制御する比較器である。
【０００７】上記の構成において本実施例の作用を説明
する。基準ヒータ１Ａの温度センサ２Ａの出力と基準ヒ
ータ設定値が比較器３Ａに入力され、その比較結果によ
り基準ヒータ１Ａが制御される。演算器４が他のヒータ
１Ｂの温度ＨB ＝基準ヒータ１Ａの温度ＨA ×１．２の
関数演算を行い、この関数演算結果と他のヒータ１Ｂの
温度センサ２Ｂの出力が比較器３Ｂに入力され、その比
較結果により他のヒータ１Ｂが制御される。図２は本発
明の温度制御装置を用いた時のヒータ温度の時間変化を
示している。昇温時，降温時を含めて常に他の、ヒータ
１Ｂの温度ＨB は基準ヒータ１Ａの温度ＨA の関数演算
結果となっている。このことにより、炉内の被加熱物で
あるウェーハの面内温度分布も常に均一となる。
する。基準ヒータ１Ａの温度センサ２Ａの出力と基準ヒ
ータ設定値が比較器３Ａに入力され、その比較結果によ
り基準ヒータ１Ａが制御される。演算器４が他のヒータ
１Ｂの温度ＨB ＝基準ヒータ１Ａの温度ＨA ×１．２の
関数演算を行い、この関数演算結果と他のヒータ１Ｂの
温度センサ２Ｂの出力が比較器３Ｂに入力され、その比
較結果により他のヒータ１Ｂが制御される。図２は本発
明の温度制御装置を用いた時のヒータ温度の時間変化を
示している。昇温時，降温時を含めて常に他の、ヒータ
１Ｂの温度ＨB は基準ヒータ１Ａの温度ＨA の関数演算
結果となっている。このことにより、炉内の被加熱物で
あるウェーハの面内温度分布も常に均一となる。
【０００８】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、１つの炉
の中で被加熱物６を複数のヒータ１Ａ，１Ｂを用いて加
熱する際、その中の１つのヒータ１Ａを基準にし、その
他のヒータ１Ｂを常に基準ヒータ１Ａを変数とした関数
の演算結果を用いて制御するので、被加熱物の面内温度
分布を常に均一にすることができ、被加熱物の膜厚を均
一にできると共に膜質を向上させることができる。
の中で被加熱物６を複数のヒータ１Ａ，１Ｂを用いて加
熱する際、その中の１つのヒータ１Ａを基準にし、その
他のヒータ１Ｂを常に基準ヒータ１Ａを変数とした関数
の演算結果を用いて制御するので、被加熱物の面内温度
分布を常に均一にすることができ、被加熱物の膜厚を均
一にできると共に膜質を向上させることができる。
【図１】本発明方法及び装置の１実施例の構成を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図２】本発明の温度制御装置を用いた時のヒータ温度
の時間変化を示す図である。
の時間変化を示す図である。
【図３】（Ａ）は１つの炉内で被加熱物を２つのヒータ
により加熱している状態を示す平面図である。（Ｂ）は
その断面図である。
により加熱している状態を示す平面図である。（Ｂ）は
その断面図である。
【図４】従来方法及び装置の１例の構成を示すブロック
図である。
図である。
【図５】２つのヒータ温度の時間変化の１例を示す説明
図である。
図である。
１Ａ 基準ヒータ １Ｂ 他のヒータ ２Ａ 温度センサ ２Ｂ 温度センサ ３Ａ 比較器 ３Ｂ 比較器 ４ 演算器 ５ 温度コントローラ ６ 被加熱物（ウェーハ）
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−216283（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−81931（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−81933（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−291143（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−37828（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−142742（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−28376（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205,21/22
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置の熱処理において、被加熱物
の下方であって、被加熱物と平行な状態で設けられた複
数のヒータにて被加熱物を加熱する際、その中の１つの
ヒータの温度設定値を基準にし、前記基準ヒータの温度
設定値を変数とした関数の演算により他のヒータの温度
設定値を決定し、制御することを特徴とする熱処理方
法。 - 【請求項２】 半導体装置の熱処理において、被加熱物
の下方であって、被加熱物と平行な状態で設けられた複
数のヒータにて被加熱物を加熱する際、その中の１つの
ヒータの温度設定値を基準にし、前記基準ヒータの温度
設定値を変数とした関数の演算により他のヒータの温度
設定値を決定し、制御する熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19972593A JP3354996B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19972593A JP3354996B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758025A JPH0758025A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3354996B2 true JP3354996B2 (ja) | 2002-12-09 |
Family
ID=16412582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19972593A Expired - Lifetime JP3354996B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3354996B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6064799A (en) * | 1998-04-30 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling the radial temperature gradient of a wafer while ramping the wafer temperature |
| JP2000277237A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Komatsu Ltd | 基板温度制御プレート及びそれを備える基板温度制御装置 |
-
1993
- 1993-08-11 JP JP19972593A patent/JP3354996B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758025A (ja) | 1995-03-03 |
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