JP2744985B2 - レジスト処理装置 - Google Patents
レジスト処理装置Info
- Publication number
- JP2744985B2 JP2744985B2 JP33971889A JP33971889A JP2744985B2 JP 2744985 B2 JP2744985 B2 JP 2744985B2 JP 33971889 A JP33971889 A JP 33971889A JP 33971889 A JP33971889 A JP 33971889A JP 2744985 B2 JP2744985 B2 JP 2744985B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hot plate
- temperature
- substrate
- processing apparatus
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、レジスト処理装置に関する。
（従来の技術） 一般に、例えば半導体ウェハ等の被処理体の表面へレ
ジストを塗布する工程、現像処理過程などにおいては、
そのレジストを安定化させる等の目的で被処理体を加熱
している。
ジストを塗布する工程、現像処理過程などにおいては、
そのレジストを安定化させる等の目的で被処理体を加熱
している。
つまり、均一なレジストの薄膜を得るためには、レジ
ストの粘度変動を極力抑えることが重要であり、条件の
一部として、膜形成中の被処理体の周辺の気流や雰囲気
温度の均一安定化、被処理体自体の温度の均一化、レジ
スト温度の均一化等が上げられる。
ストの粘度変動を極力抑えることが重要であり、条件の
一部として、膜形成中の被処理体の周辺の気流や雰囲気
温度の均一安定化、被処理体自体の温度の均一化、レジ
スト温度の均一化等が上げられる。
第６図は、このような被処理体への加熱を行う加熱装
置の一例を示すもので、表面から均等に熱を放射する熱
拡散板１の内部には、その表面と平行にニクロム等の発
熱体２が埋設されている。
置の一例を示すもので、表面から均等に熱を放射する熱
拡散板１の内部には、その表面と平行にニクロム等の発
熱体２が埋設されている。
また熱拡散板１の表面には、半導体ウェハ等の被処理
体３を載置するプロキシミティピン4,4が支持面を形成
する如く少なくとも３ピン設けられている。
体３を載置するプロキシミティピン4,4が支持面を形成
する如く少なくとも３ピン設けられている。
発熱体２には、例えば200Vの交流を供給する交流電源
５が接続されている。
５が接続されている。
交流電源５にはPIDコントローラ６が接続されてお
り、このPIDコントローラ６は熱拡散板１内に配された
測温センサ７からの測温信号ｙおよび熱拡散板１の目標
温度Ｒに基づいてその供給動作を制御する。
り、このPIDコントローラ６は熱拡散板１内に配された
測温センサ７からの測温信号ｙおよび熱拡散板１の目標
温度Ｒに基づいてその供給動作を制御する。
なお、図中Pgはプロキシミティギャップを示してい
る。
る。
そして、第７図に示すように、PIDコントローラ６
は、目標温度Ｒと測温信号ｙとの誤差ｅに基づき、プロ
セスＡの動作を操作量Ｍによって制御している。
は、目標温度Ｒと測温信号ｙとの誤差ｅに基づき、プロ
セスＡの動作を操作量Ｍによって制御している。
ここで、操作量Ｍは連続時間系では、 Ｍ＝ｕ＋mo ＝Kpe＋（1/Ti）∫edt＋ Td（de/dt）＋mo で表される。
ただし、ｕは制御量、Kpは比例ゲイン、ｅは誤差、Ti
は積分時間、Tdは微分時間、moはオフセット量、∫は積
分をそれぞれ示しており、通常一定の制御間隔Tcのデジ
タルコントローラとして実現されている。
は積分時間、Tdは微分時間、moはオフセット量、∫は積
分をそれぞれ示しており、通常一定の制御間隔Tcのデジ
タルコントローラとして実現されている。
そして、交流電源５か発熱体２へ電力が供給される
と、発熱体２から発生した熱は熱拡散板１の内部にて拡
散された後、その表面から均等に放射される。
と、発熱体２から発生した熱は熱拡散板１の内部にて拡
散された後、その表面から均等に放射される。
これにより、発熱体２の上方に載置された被処理体３
は均等に熱せられる。
は均等に熱せられる。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述した従来の加熱装置では被処理体
３の載置および除去時には熱拡散板１の温度が大きく変
動してしまう。
３の載置および除去時には熱拡散板１の温度が大きく変
動してしまう。
つまり、被処理体３の載置時には熱拡散板１の表面温
度が急激に下がる。この温度低下の回復は熱拡散板厚が
厚いために生じる無駄時間が大きく、温度を回復するま
でに時間を要するとともに、オーバーシュートを生じや
すい欠点がある。この点を改善する手段として、被処理
体３を載置する時発熱体の電力を増加させて、被処理体
の処理温度以上に設定して、処理温度への復帰を高速化
することが行なわれる。しかし、この手段では被処理体
を熱拡散板近傍に搬入した時処理温度に一瞬晒すことに
なり、被処理体が半導体ウエハなどにおいては、融点以
上になる場合もあり、特に高集積化による微細化におい
ては採用困難であった。
度が急激に下がる。この温度低下の回復は熱拡散板厚が
厚いために生じる無駄時間が大きく、温度を回復するま
でに時間を要するとともに、オーバーシュートを生じや
すい欠点がある。この点を改善する手段として、被処理
体３を載置する時発熱体の電力を増加させて、被処理体
の処理温度以上に設定して、処理温度への復帰を高速化
することが行なわれる。しかし、この手段では被処理体
を熱拡散板近傍に搬入した時処理温度に一瞬晒すことに
なり、被処理体が半導体ウエハなどにおいては、融点以
上になる場合もあり、特に高集積化による微細化におい
ては採用困難であった。
本発明は、このような事情に対処して成されもので、
被処理体を処理温度以上に晒すことなく高速に加熱する
ことができるレジスト処理装置を提供することを目的と
する。
被処理体を処理温度以上に晒すことなく高速に加熱する
ことができるレジスト処理装置を提供することを目的と
する。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 請求項１記載のレジスト処理装置は、基板にレジスト
を塗布する工程における前記基板の加熱処理に用いられ
るレジスト処理装置であって、 前記基板が一枚ずつ載置されるホットプレートと、 前記ホットプレートに設けられた測温センサからの測
温信号および前記ホットプレートの目標温度に基づい
て、前記ホットプレートへの電力の供給を制御するコン
トローラとを具備したレジスト処理装置において、 予め前記基板がホットプレートに搬入された際に生ず
る温度低下の過渡特性を補償する制御情報を先験情報と
して記憶し、実際に前記基板がホットプレートに搬入さ
れた時、前記先験情報により、前記ホットプレートへの
電力の供給量を制御するとともに、前記基板がホットプ
レートから搬出された際に、所定期間前記ホットプレー
トへの電力の供給量を一定に保持する手段を備えたこと
を特徴とする。
を塗布する工程における前記基板の加熱処理に用いられ
るレジスト処理装置であって、 前記基板が一枚ずつ載置されるホットプレートと、 前記ホットプレートに設けられた測温センサからの測
温信号および前記ホットプレートの目標温度に基づい
て、前記ホットプレートへの電力の供給を制御するコン
トローラとを具備したレジスト処理装置において、 予め前記基板がホットプレートに搬入された際に生ず
る温度低下の過渡特性を補償する制御情報を先験情報と
して記憶し、実際に前記基板がホットプレートに搬入さ
れた時、前記先験情報により、前記ホットプレートへの
電力の供給量を制御するとともに、前記基板がホットプ
レートから搬出された際に、所定期間前記ホットプレー
トへの電力の供給量を一定に保持する手段を備えたこと
を特徴とする。
請求項２記載のレジスト処理装置は、基板にレジスト
を塗布する工程における前記基板の加熱処理に用いられ
るレジスト処理装置であって、 前記基板が一枚ずつ載置されるホットプレート内に配
された測温センサからの測温信号および前記ホットプレ
ートの目標温度に基づいて前記ホットプレートへ電力を
供給する電力手段の供給動作を所定の制御間隔内にて制
御する第１のコントローラと、 前記第１のコントローラにおける制御間隔より短い制
御間隔で前記電力供給手段の供給動作を制御する第２の
コントローラと、 予め前記基板がホットプレートに搬入された際に生ずる
温度低下の過渡特性を補償する制御情報を先験情報とし
て記憶し、実際に前記基板がホットプレートに搬入され
た時、前記先験情報により、前記第１および第２のコン
トローラの制御動作を切替える切替手段と、 前記基板がホットプレートから搬出された際に、所定
期間前記ホットプレートへの電力の供給量を一定に保持
する手段と を具備することを特徴とする。
を塗布する工程における前記基板の加熱処理に用いられ
るレジスト処理装置であって、 前記基板が一枚ずつ載置されるホットプレート内に配
された測温センサからの測温信号および前記ホットプレ
ートの目標温度に基づいて前記ホットプレートへ電力を
供給する電力手段の供給動作を所定の制御間隔内にて制
御する第１のコントローラと、 前記第１のコントローラにおける制御間隔より短い制
御間隔で前記電力供給手段の供給動作を制御する第２の
コントローラと、 予め前記基板がホットプレートに搬入された際に生ずる
温度低下の過渡特性を補償する制御情報を先験情報とし
て記憶し、実際に前記基板がホットプレートに搬入され
た時、前記先験情報により、前記第１および第２のコン
トローラの制御動作を切替える切替手段と、 前記基板がホットプレートから搬出された際に、所定
期間前記ホットプレートへの電力の供給量を一定に保持
する手段と を具備することを特徴とする。
（作用） この発明は被処理体の搬入に際し、被処理体の温度上
昇過渡特性を補償する温度に発熱体の温度を設定してお
き、上記温度上昇過渡特性に相当する補償体を介して被
処理体を搬入することにより、被処理体は補償体により
保護され、処理温度に晒らされることになり、被処理体
搬入したことによる発熱体の温度の低下を改善できる。
昇過渡特性を補償する温度に発熱体の温度を設定してお
き、上記温度上昇過渡特性に相当する補償体を介して被
処理体を搬入することにより、被処理体は補償体により
保護され、処理温度に晒らされることになり、被処理体
搬入したことによる発熱体の温度の低下を改善できる。
（実施例） 以下、本発明の実施例の詳細を図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図は、半導体製造におけるレジストを塗布する工
程において被処理体を加熱するための加熱装置に適用し
た場合の一実施例を示すものである。
程において被処理体を加熱するための加熱装置に適用し
た場合の一実施例を示すものである。
同図に示すように、加熱装置には、熱拡散板のプロセ
スＡ内に配された図示省略の測温センサからの測温信号
ｙおよび熱拡散板の目標温度Ｒに基づいて交流電源の供
給動作を制御するPIDコントローラ10が備えられてい
る。
スＡ内に配された図示省略の測温センサからの測温信号
ｙおよび熱拡散板の目標温度Ｒに基づいて交流電源の供
給動作を制御するPIDコントローラ10が備えられてい
る。
また、加熱装置には、図示省略の例えば半導体ウェハ
の載置および除去時に生ずるウエハの温度上昇過渡特性
曲線である先験情報をプログラムとして記憶保持し、こ
の情報により半導体ウエハの載置および除去時におい
て、発熱体、例えばヒーターへの電力供給動作の制御を
行う補助コントローラ11が備えられている。第３図はウ
エハ載置時の先験情報による制御例である。
の載置および除去時に生ずるウエハの温度上昇過渡特性
曲線である先験情報をプログラムとして記憶保持し、こ
の情報により半導体ウエハの載置および除去時におい
て、発熱体、例えばヒーターへの電力供給動作の制御を
行う補助コントローラ11が備えられている。第３図はウ
エハ載置時の先験情報による制御例である。
なお、図中、ｅは誤差、u1およびu2はPIDコントロー
ラ10および補助コントローラ11からの制御量をそれぞれ
示している。
ラ10および補助コントローラ11からの制御量をそれぞれ
示している。
次に、このような構成の加熱装置の動作を第２図およ
び第３図を用いて説明する。
び第３図を用いて説明する。
まず、熱拡散板に半導体ウェハが載置されていないと
きは、PIDコントローラ10によって熱拡散板の温度が予
め定めされた処理温度にコントロールされている。（定
常状態） つまり、第２図に示すように、温度Ｔを保つように、
供給すべき電力量を制御している。
きは、PIDコントローラ10によって熱拡散板の温度が予
め定めされた処理温度にコントロールされている。（定
常状態） つまり、第２図に示すように、温度Ｔを保つように、
供給すべき電力量を制御している。
次いで、半導体ウェハを熱拡散板上に載置すると、そ
の半導体ウェハの温度は例えば20℃（室温と同じ）程度
であるため、半導体ウェハは熱拡散板の熱を急激に吸収
し第２図の実線（従来例）のように熱拡散板の温度が急
激に低下してしまう。これでは定常状態になるまでに長
期間を有するため本実施例では、例えば第３図に示すよ
うに、上記ウェハを熱拡散板に装置する際、発熱体の温
度を制御間隔Tc毎に電力の供給量を段階的に始めは高く
次第に低くなるように処理温度に重畳して制御する。即
ち、半導体ウェハの温度上昇（又は低下）過渡特性曲線
に相当する温度補償制御で、第３図では、これをパルス
的に制御する例を示している。
の半導体ウェハの温度は例えば20℃（室温と同じ）程度
であるため、半導体ウェハは熱拡散板の熱を急激に吸収
し第２図の実線（従来例）のように熱拡散板の温度が急
激に低下してしまう。これでは定常状態になるまでに長
期間を有するため本実施例では、例えば第３図に示すよ
うに、上記ウェハを熱拡散板に装置する際、発熱体の温
度を制御間隔Tc毎に電力の供給量を段階的に始めは高く
次第に低くなるように処理温度に重畳して制御する。即
ち、半導体ウェハの温度上昇（又は低下）過渡特性曲線
に相当する温度補償制御で、第３図では、これをパルス
的に制御する例を示している。
ここで、その電力の供給量たる斜線部分の面積は、ρ
CpV・（ΔＴ）とされる。
CpV・（ΔＴ）とされる。
だだし、ρは半導体ウェハの密度、Cpは半導体ウェハ
の比熱、Ｖは半導体ウェハの体積、ΔＴは熱拡散板と半
導体ウェハとの温度差である。
の比熱、Ｖは半導体ウェハの体積、ΔＴは熱拡散板と半
導体ウェハとの温度差である。
但し、この例では熱拡散板の温度上昇（又は低下）過
渡特性を半導体ウェハの特性に等しいか近似させる。
渡特性を半導体ウェハの特性に等しいか近似させる。
そして、このように制御間隔Tc毎に電力の供給量を段
階的に制御することによって、第２図の点線部分で示す
ように、半導体ウェハの載置時に略一定の温度方向の改
善を得ることができる。
階的に制御することによって、第２図の点線部分で示す
ように、半導体ウェハの載置時に略一定の温度方向の改
善を得ることができる。
即ち、半導体ウェハが熱拡散板から受ける温度は処理
温度値以下又は等温である。
温度値以下又は等温である。
一方、半導体ウェハの除去時においては、この除去行
為により熱板上空の対流が攪乱されるため、熱拡散板の
温度が変動してしまうが電力の供給量自体を変える必要
はなく、むしろ一定電力に保った方が良い。このため、
第３図に示すような制御とは違って、例えばしばらくの
あいだ電力の供給量を半導体ウェハの除去直前の値に保
持するように制御することによって本来不要な攪乱を制
御器が受けることがなく、予め定められた略一定の温度
を保ちつつ次のウェハを加熱処理することができる。
為により熱板上空の対流が攪乱されるため、熱拡散板の
温度が変動してしまうが電力の供給量自体を変える必要
はなく、むしろ一定電力に保った方が良い。このため、
第３図に示すような制御とは違って、例えばしばらくの
あいだ電力の供給量を半導体ウェハの除去直前の値に保
持するように制御することによって本来不要な攪乱を制
御器が受けることがなく、予め定められた略一定の温度
を保ちつつ次のウェハを加熱処理することができる。
従って、この実施例では、半導体ウェハの載置および
除去時において、制御間隔Tc毎の電力の供給量を段階的
に制御することにより、高速にしかも略一定の温度の熱
処理を受けることができるため、加熱ロスを無くすこと
ができる。
除去時において、制御間隔Tc毎の電力の供給量を段階的
に制御することにより、高速にしかも略一定の温度の熱
処理を受けることができるため、加熱ロスを無くすこと
ができる。
またこのように、加熱ロスを無くすことができること
により、加熱における効率が良くなるため、半導体ウェ
ハの昇温時間を短縮させることもできる。
により、加熱における効率が良くなるため、半導体ウェ
ハの昇温時間を短縮させることもできる。
第４図および第５図は、第１図の加熱装置の構成を変
えた他の実施例を示すものである。なお、第１図と共通
する部分には同一符号を付し重複する説明を省略する。
えた他の実施例を示すものである。なお、第１図と共通
する部分には同一符号を付し重複する説明を省略する。
同図に示すように、加熱装置には、制御間隔Tc1（例
えば１秒毎）内にて制御を行うPIDコントローラ12およ
び制御間隔Tc2（例えば0.2秒毎）内にて制御を行うPID
コントローラ13が備えられている。
えば１秒毎）内にて制御を行うPIDコントローラ12およ
び制御間隔Tc2（例えば0.2秒毎）内にて制御を行うPID
コントローラ13が備えられている。
各PIDコントローラ12および13とプロセスＡとの間に
は、切替スイッチ14が介在されており、この切替スイッ
チ14は半導体ウェハの載置および除去時の先験情報に基
づいて切替えを促す切替器15によって制御される。
は、切替スイッチ14が介在されており、この切替スイッ
チ14は半導体ウェハの載置および除去時の先験情報に基
づいて切替えを促す切替器15によって制御される。
このような構成の加熱装置は、次のような動作を行
う。
う。
まず、熱拡散板に半導体ウェハが載置されていないと
き、切替器15は切替スイッチ14をPIDコントローラ12側
へ切替える。
き、切替器15は切替スイッチ14をPIDコントローラ12側
へ切替える。
これにより、PIDコントローラ12は制御間隔Tc1内にて
例えば１秒毎に電力供給の制御を行う。
例えば１秒毎に電力供給の制御を行う。
次いで、熱拡散板に半導体ウェハが載置されると、切
替器15は切替スイッチ14をPIDコントローラ13側へ切替
える。
替器15は切替スイッチ14をPIDコントローラ13側へ切替
える。
これにより、PIDコントローラ13は制御間隔Tc2内にて
例えば0.2秒毎に電力供給の制御を行う。つまり、例え
ば第３図に示したように、制御間隔Tc2内にて電力の供
給量を段階的に始めは高く次第に低くなるように制御す
る。この操作によって、半導体ウェハの温度を熱拡散板
の温度まで上昇させるのに必要な電力量が速やかに供給
され、第５図の点線部分で示すように、半導体ウェハの
載置時に略一定の温度を得ることができる。
例えば0.2秒毎に電力供給の制御を行う。つまり、例え
ば第３図に示したように、制御間隔Tc2内にて電力の供
給量を段階的に始めは高く次第に低くなるように制御す
る。この操作によって、半導体ウェハの温度を熱拡散板
の温度まで上昇させるのに必要な電力量が速やかに供給
され、第５図の点線部分で示すように、半導体ウェハの
載置時に略一定の温度を得ることができる。
一方、半導体ウェハの除去時においては熱板上空の対
流が攪乱されるため、熱拡散板の温度が変動してしまう
ため、第３図に示したような制御とは違って、半導体ウ
ェハの除去直前の値にしばらくの間電力の供給量を保持
するように制御することによって、点線部分で示すよう
に、略一定の温度を得ることができる。
流が攪乱されるため、熱拡散板の温度が変動してしまう
ため、第３図に示したような制御とは違って、半導体ウ
ェハの除去直前の値にしばらくの間電力の供給量を保持
するように制御することによって、点線部分で示すよう
に、略一定の温度を得ることができる。
そして、熱拡散板の温度が安定した後は、切替器15は
切替スイッチ14をPIDコントローラ12側へ切替える。
切替スイッチ14をPIDコントローラ12側へ切替える。
このときの切替器15による切替え動作は、先験情報に
基づいて行われる。
基づいて行われる。
従って、この実施例では、半導体ウェハの載置および
除去時の制御間隔Tc2内にて電力の供給量を段階的に、
かつ例えば0.2秒毎に制御するようにしたので、第１図
の加熱装置に比べさらに肌理の細かい制御が可能とな
る。
除去時の制御間隔Tc2内にて電力の供給量を段階的に、
かつ例えば0.2秒毎に制御するようにしたので、第１図
の加熱装置に比べさらに肌理の細かい制御が可能とな
る。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明のレジスト処理装置によ
れば、ホットプレートおける加熱ロスを無くすようにし
たので、被処理体を効率良く加熱することができる。
れば、ホットプレートおける加熱ロスを無くすようにし
たので、被処理体を効率良く加熱することができる。
第１図は本発明をレジストを塗布する工程において被処
理体を加熱するための加熱装置に適用した場合の一実施
例を示す図、第２図および第３図は第１図の補助コント
ローラによる作用を示す図、第４図は第１図の加熱装置
の構成を変えた他の実施例を示す図、第５図は第４図の
各PIDコントローラによる作用を示す図、第６図および
第７図は従来の加熱装置を示す図である。 10…PIDコントローラ、11…補助コントローラ、12,13…
PIDコントローラ、14…切替スイッチ、15…切替器。
理体を加熱するための加熱装置に適用した場合の一実施
例を示す図、第２図および第３図は第１図の補助コント
ローラによる作用を示す図、第４図は第１図の加熱装置
の構成を変えた他の実施例を示す図、第５図は第４図の
各PIDコントローラによる作用を示す図、第６図および
第７図は従来の加熱装置を示す図である。 10…PIDコントローラ、11…補助コントローラ、12,13…
PIDコントローラ、14…切替スイッチ、15…切替器。
Claims (2)
- 【請求項１】基板にレジストを塗布する工程における前
記基板の加熱処理に用いられるレジスト処理装置であっ
て、 前記基板が一枚ずつ載置されるホットプレートと、 前記ホットプレートに設けられた測温センサからの測温
信号および前記ホットプレートの目標温度に基づいて、
前記ホットプレートへの電力の供給を制御するコントロ
ーラとを具備したレジスト処理装置において、 予め前記基板がホットプレートに搬入された際に生ずる
温度低下の過渡特性を補償する制御情報を先験情報とし
て記憶し、実際に前記基板がホットプレートに搬入され
た時、前記先験情報により、前記ホットプレートへの電
力の供給量を制御するとともに、前記基板がホットプレ
ートから搬出された際に、所定期間前記ホットプレート
への電力の供給量を一定に保持する手段を備えたことを
特徴とするレジスト処理装置。 - 【請求項２】基板にレジストを塗布する工程における前
記基板の加熱処理に用いられるレジスト処理装置であっ
て、 前記基板が一枚ずつ載置されるホットプレート内に配さ
れた測温センサからの測温信号および前記ホットプレー
トの目標温度に基づいて前記ホットプレートへ電力を供
給する電力供給手段の供給動作を所定の制御間隔内にて
制御する第１のコントローラと、 前記第１のコントローラにおける制御間隔より短い制御
間隔で前記電力供給手段の供給動作を制御する第２のコ
ントローラと、 予め前記基板がホットプレートに搬入された際に生ずる
温度低下の過渡特性を補償する制御情報を先験情報とし
て記憶し、実際に前記基板がホットプレートに搬入され
た時、前記先験情報により、前記第１および第２のコン
トローラの制御動作を切替える切替手段と、 前記基板がホットプレートから搬出された際に、所定時
間前記ホットプレートへの電力の供給量を一定に保持す
る手段と を具備することを特徴とするレジスト処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33971889A JP2744985B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | レジスト処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33971889A JP2744985B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | レジスト処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201012A JPH03201012A (ja) | 1991-09-02 |
| JP2744985B2 true JP2744985B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=18330155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33971889A Expired - Lifetime JP2744985B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | レジスト処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2744985B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4838222B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2011-12-14 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置の制御方法、半導体製造装置 |
| JP4977747B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2012-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
| JP5911455B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2016-04-27 | エスペック株式会社 | 環境試験装置および環境試験装置の制御方法 |
| WO2016042589A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | 理化工業株式会社 | 制御装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200319A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-09 | Toshiba Corp | 炉温度制御装置 |
| JPH0830966B2 (ja) * | 1987-04-27 | 1996-03-27 | 出光石油化学株式会社 | 反応器の内部温度制御方法 |
| JPH01116705A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-09 | Hitachi Ltd | サンプリング方式 |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP33971889A patent/JP2744985B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03201012A (ja) | 1991-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6461438B1 (en) | Heat treatment unit, cooling unit and cooling treatment method | |
| US6402509B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| KR100424056B1 (ko) | 퍼니스측벽온도제어시스템 | |
| US7049553B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| US8920162B1 (en) | Closed loop temperature heat up and control utilizing wafer-to-heater pedestal gap modulation | |
| KR910001952A (ko) | 피처리체의 열처리 방법 및 그 장치 | |
| KR101994570B1 (ko) | 열처리 장치 및 열처리 방법 | |
| JP2005011852A (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| WO1999057751A2 (en) | Method and apparatus for controlling the radial temperature gradient of a wafer while ramping the wafer temperature | |
| KR20080074750A (ko) | 온도 제어 방법, 온도 조절기 및 가열 처리 장치 | |
| KR20020065398A (ko) | 관성 온도 제어 시스템 및 방법 | |
| US7151239B2 (en) | Heat treating apparatus and heat treating method | |
| JPH11168056A (ja) | ウェハ保持装置 | |
| JP2744985B2 (ja) | レジスト処理装置 | |
| KR20030076382A (ko) | 열처리 방법 및 열처리 장치 | |
| JP3757809B2 (ja) | 温度調節器 | |
| JP3648150B2 (ja) | 冷却処理装置及び冷却処理方法 | |
| JP2807844B2 (ja) | 基板加熱装置 | |
| JP3378183B2 (ja) | ホットプレートの温度制御方法 | |
| JP2849589B2 (ja) | 加熱装置 | |
| JPH08236414A (ja) | 基板冷却装置 | |
| KR0134717Y1 (ko) | 열판 온도 제어장치 | |
| JPH02239916A (ja) | 成形機の加熱シリンダの温度制御方法 | |
| JP2000138269A (ja) | バーンイン装置 | |
| JP2701716B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |