JPH0758025A - 半導体熱処理用温度制御方法及び装置 - Google Patents
半導体熱処理用温度制御方法及び装置Info
- Publication number
- JPH0758025A JPH0758025A JP19972593A JP19972593A JPH0758025A JP H0758025 A JPH0758025 A JP H0758025A JP 19972593 A JP19972593 A JP 19972593A JP 19972593 A JP19972593 A JP 19972593A JP H0758025 A JPH0758025 A JP H0758025A
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- Japan
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- heater
- heaters
- temperature
- heated
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被加熱物の面内温度分布を常に均一にし、被
加熱物の膜厚を均一に、かつ膜質を向上させる。 【構成】 １つの炉の中で被加熱物６を複数のヒータ１
Ａ，１Ｂを用いて加熱する際、その中の１つのヒータ１
Ａを基準にし、その他のヒータ１Ｂを常に基準ヒータ１
Ａを変数とした関数の演算結果を用いて制御する。
加熱物の膜厚を均一に、かつ膜質を向上させる。 【構成】 １つの炉の中で被加熱物６を複数のヒータ１
Ａ，１Ｂを用いて加熱する際、その中の１つのヒータ１
Ａを基準にし、その他のヒータ１Ｂを常に基準ヒータ１
Ａを変数とした関数の演算結果を用いて制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に係
り、特にＣＶＤ，拡散等の熱処理装置に関する。
り、特にＣＶＤ，拡散等の熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体熱処理装置では、１つの炉の中で
被加熱物を複数のヒータを用いて加熱することがある。
図３（Ａ）は１つの炉内で被加熱物を２つのヒータによ
り加熱している状態を示す平面図、図３（Ｂ）はその断
面図である。２つのヒータ１Ａ，１Ｂの中心には被加熱
物のウェーハ６があり、それぞれのヒータ１Ａ，１Ｂの
下には温度センサ２Ａ，２Ｂがある。図４は従来方法及
び装置の１例の構成を示すブロック図である。温度コン
トローラ５内で、温度センサ２Ａ，２Ｂの信号と設定値
が比較器３Ａ，３Ｂにより比較され、各比較結果により
それぞれのヒータ１Ａ，１Ｂは全く別々に制御されてい
る。図５は、２つのヒータ温度の時間変化の１例を示す
説明図である。ヒータ１Ａ，１Ｂの温度ＨA ，ＨB は、
安定→昇温→安定→降温→安定と変化している。
被加熱物を複数のヒータを用いて加熱することがある。
図３（Ａ）は１つの炉内で被加熱物を２つのヒータによ
り加熱している状態を示す平面図、図３（Ｂ）はその断
面図である。２つのヒータ１Ａ，１Ｂの中心には被加熱
物のウェーハ６があり、それぞれのヒータ１Ａ，１Ｂの
下には温度センサ２Ａ，２Ｂがある。図４は従来方法及
び装置の１例の構成を示すブロック図である。温度コン
トローラ５内で、温度センサ２Ａ，２Ｂの信号と設定値
が比較器３Ａ，３Ｂにより比較され、各比較結果により
それぞれのヒータ１Ａ，１Ｂは全く別々に制御されてい
る。図５は、２つのヒータ温度の時間変化の１例を示す
説明図である。ヒータ１Ａ，１Ｂの温度ＨA ，ＨB は、
安定→昇温→安定→降温→安定と変化している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の温度制御装置で、ヒータの昇降温を行うと、
図５に示す″昇温時″，″降温時″のように、ヒータ１
Ａの温度ＨA とヒータ１Ｂの温度ＨB のバランスがくず
れ、ウェーハ面内の温度分布が不均一になるため、ウェ
ーハ６の膜厚が不均一になったり、膜質が劣化したりす
るという課題がある。
うな従来の温度制御装置で、ヒータの昇降温を行うと、
図５に示す″昇温時″，″降温時″のように、ヒータ１
Ａの温度ＨA とヒータ１Ｂの温度ＨB のバランスがくず
れ、ウェーハ面内の温度分布が不均一になるため、ウェ
ーハ６の膜厚が不均一になったり、膜質が劣化したりす
るという課題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明方法は上記の課題
を解決するため１つの炉の中で被加熱物６を複数のヒー
タ１Ａ，１Ｂを用いて加熱する際、その中の１つのヒー
タ１Ａを基準にし、その他のヒータ１Ｂを常に基準ヒー
タ１Ａを変数とした関数の演算結果を用いて制御するこ
とを特徴とする。本発明装置は同じ課題を解決するため
１つの炉の中で被加熱物６を複数のヒータ１Ａ，１Ｂを
用いて加熱する際、その中の１つのヒータ１Ａを基準に
し、基準ヒータ１Ａの温度センサ２Ａの出力と基準ヒー
タ設定値を入力しその比較結果により基準ヒータ１Ａを
制御する比較器３Ａと、基準ヒータ設定値を関数演算す
る演算器４と、その他のヒータ１Ｂの温度センサ２Ｂの
出力と演算器４の関数演算結果を入力しその比較結果に
より他のヒータ１Ｂを制御する比較器３Ｂとよりなる。
を解決するため１つの炉の中で被加熱物６を複数のヒー
タ１Ａ，１Ｂを用いて加熱する際、その中の１つのヒー
タ１Ａを基準にし、その他のヒータ１Ｂを常に基準ヒー
タ１Ａを変数とした関数の演算結果を用いて制御するこ
とを特徴とする。本発明装置は同じ課題を解決するため
１つの炉の中で被加熱物６を複数のヒータ１Ａ，１Ｂを
用いて加熱する際、その中の１つのヒータ１Ａを基準に
し、基準ヒータ１Ａの温度センサ２Ａの出力と基準ヒー
タ設定値を入力しその比較結果により基準ヒータ１Ａを
制御する比較器３Ａと、基準ヒータ設定値を関数演算す
る演算器４と、その他のヒータ１Ｂの温度センサ２Ｂの
出力と演算器４の関数演算結果を入力しその比較結果に
より他のヒータ１Ｂを制御する比較器３Ｂとよりなる。
【０００５】
【作 用】本発明は上記のような構成であるから、基準
ヒータ１Ａの温度センサ２Ａの出力と基準ヒータ設定値
が比較器３Ａに入力され、その比較結果により基準ヒー
タ１Ａが制御される。その他のヒータ１Ｂの温度センサ
２Ｂの出力と、基準ヒータ設定値を演算器４により関数
演算した結果が比較器３Ｂに入力され、その比較結果に
より他のヒータ１Ｂが制御される。
ヒータ１Ａの温度センサ２Ａの出力と基準ヒータ設定値
が比較器３Ａに入力され、その比較結果により基準ヒー
タ１Ａが制御される。その他のヒータ１Ｂの温度センサ
２Ｂの出力と、基準ヒータ設定値を演算器４により関数
演算した結果が比較器３Ｂに入力され、その比較結果に
より他のヒータ１Ｂが制御される。
【０００６】
【実施例】図１は本発明方法及び装置の１実施例の構成
を示すブロック図である。図１において１Ａ，１Ｂは１
つの炉の中でウェーハ６（図３参照）を加熱する複数の
ヒータで、１つのヒータ１Ａを基準にして他のヒータ１
Ｂを制御する。３Ａは基準ヒータ１Ａの温度センサ２Ａ
の出力と基準ヒータ設定値を入力しその比較結果により
基準ヒータ１Ａを制御する比較器、４は基準ヒータ設定
値を関数演算例えば他のヒータ１Ｂの温度ＨB ＝基準ヒ
ータ１Ａの温度ＨA ×１．２になる関数演算する演算
器、３Ｂは他のヒータ１Ｂの温度センサ２Ｂの出力と演
算器４の関数演算結果を入力しその比較結果により他の
ヒータ１Ｂを制御する比較器である。
を示すブロック図である。図１において１Ａ，１Ｂは１
つの炉の中でウェーハ６（図３参照）を加熱する複数の
ヒータで、１つのヒータ１Ａを基準にして他のヒータ１
Ｂを制御する。３Ａは基準ヒータ１Ａの温度センサ２Ａ
の出力と基準ヒータ設定値を入力しその比較結果により
基準ヒータ１Ａを制御する比較器、４は基準ヒータ設定
値を関数演算例えば他のヒータ１Ｂの温度ＨB ＝基準ヒ
ータ１Ａの温度ＨA ×１．２になる関数演算する演算
器、３Ｂは他のヒータ１Ｂの温度センサ２Ｂの出力と演
算器４の関数演算結果を入力しその比較結果により他の
ヒータ１Ｂを制御する比較器である。
【０００７】上記の構成において本実施例の作用を説明
する。基準ヒータ１Ａの温度センサ２Ａの出力と基準ヒ
ータ設定値が比較器３Ａに入力され、その比較結果によ
り基準ヒータ１Ａが制御される。演算器４が他のヒータ
１Ｂの温度ＨB ＝基準ヒータ１Ａの温度ＨA ×１．２の
関数演算を行い、この関数演算結果と他のヒータ１Ｂの
温度センサ２Ｂの出力が比較器３Ｂに入力され、その比
較結果により他のヒータ１Ｂが制御される。図２は本発
明の温度制御装置を用いた時のヒータ温度の時間変化を
示している。昇温時，降温時を含めて常に他の、ヒータ
１Ｂの温度ＨB は基準ヒータ１Ａの温度ＨA の関数演算
結果となっている。このことにより、炉内の被加熱物で
あるウェーハの面内温度分布も常に均一となる。
する。基準ヒータ１Ａの温度センサ２Ａの出力と基準ヒ
ータ設定値が比較器３Ａに入力され、その比較結果によ
り基準ヒータ１Ａが制御される。演算器４が他のヒータ
１Ｂの温度ＨB ＝基準ヒータ１Ａの温度ＨA ×１．２の
関数演算を行い、この関数演算結果と他のヒータ１Ｂの
温度センサ２Ｂの出力が比較器３Ｂに入力され、その比
較結果により他のヒータ１Ｂが制御される。図２は本発
明の温度制御装置を用いた時のヒータ温度の時間変化を
示している。昇温時，降温時を含めて常に他の、ヒータ
１Ｂの温度ＨB は基準ヒータ１Ａの温度ＨA の関数演算
結果となっている。このことにより、炉内の被加熱物で
あるウェーハの面内温度分布も常に均一となる。
【０００８】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、１つの炉
の中で被加熱物６を複数のヒータ１Ａ，１Ｂを用いて加
熱する際、その中の１つのヒータ１Ａを基準にし、その
他のヒータ１Ｂを常に基準ヒータ１Ａを変数とした関数
の演算結果を用いて制御するので、被加熱物の面内温度
分布を常に均一にすることができ、被加熱物の膜厚を均
一にできると共に膜質を向上させることができる。
の中で被加熱物６を複数のヒータ１Ａ，１Ｂを用いて加
熱する際、その中の１つのヒータ１Ａを基準にし、その
他のヒータ１Ｂを常に基準ヒータ１Ａを変数とした関数
の演算結果を用いて制御するので、被加熱物の面内温度
分布を常に均一にすることができ、被加熱物の膜厚を均
一にできると共に膜質を向上させることができる。
【図１】本発明方法及び装置の１実施例の構成を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図２】本発明の温度制御装置を用いた時のヒータ温度
の時間変化を示す図である。
の時間変化を示す図である。
【図３】（Ａ）は１つの炉内で被加熱物を２つのヒータ
により加熱している状態を示す平面図である。（Ｂ）は
その断面図である。
により加熱している状態を示す平面図である。（Ｂ）は
その断面図である。
【図４】従来方法及び装置の１例の構成を示すブロック
図である。
図である。
【図５】２つのヒータ温度の時間変化の１例を示す説明
図である。
図である。
１Ａ 基準ヒータ １Ｂ 他のヒータ ２Ａ 温度センサ ２Ｂ 温度センサ ３Ａ 比較器 ３Ｂ 比較器 ４ 演算器 ５ 温度コントローラ ６ 被加熱物（ウェーハ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｄ 8617−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体製造の熱処理において、１つの炉
の中で被加熱物を複数のヒータを用いて加熱する際、そ
の中の１つのヒータを基準にし、その他のヒータを常に
基準ヒータを変数とした関数の演算結果を用いて制御す
ることを特徴とする半導体熱処理温度制御方法。 - 【請求項２】 半導体製造の熱処理において、１つの炉
の中で被加熱物を複数のヒータを用いて加熱する際、そ
の中の１つのヒータを基準にし、その他のヒータを常に
基準ヒータを変数とした関数の演算結果を用いて制御す
る機能をもつ半導体熱処理用温度制御装置。 - 【請求項３】 基準ヒータ（１Ａ）の温度センサ（２
Ａ）の出力と基準ヒータ設定値を入力しその比較結果に
より基準ヒータ（１Ａ）を制御する比較器（３Ａ）と、
基準ヒータ設定値を関数演算する演算器（４）と、その
他のヒータ（１Ｂ）の温度センサ（２Ｂ）の出力と演算
器（４）の関数演算結果を入力しその比較結果により他
のヒータ（１Ｂ）を制御する比較器（３Ｂ）とよりなる
請求項２の半導体熱処理用温度制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19972593A JP3354996B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19972593A JP3354996B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758025A true JPH0758025A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3354996B2 JP3354996B2 (ja) | 2002-12-09 |
Family
ID=16412582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19972593A Expired - Lifetime JP3354996B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3354996B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002514008A (ja) * | 1998-04-30 | 2002-05-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウェーハ温度ランピング中でのウェーハの放射状温度勾配制御方法および装置 |
| US6626236B1 (en) * | 1999-03-24 | 2003-09-30 | Komatsu Ltd. | Substrate temperature control plate and substrate temperature control apparatus comprising same |
-
1993
- 1993-08-11 JP JP19972593A patent/JP3354996B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002514008A (ja) * | 1998-04-30 | 2002-05-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウェーハ温度ランピング中でのウェーハの放射状温度勾配制御方法および装置 |
| US6626236B1 (en) * | 1999-03-24 | 2003-09-30 | Komatsu Ltd. | Substrate temperature control plate and substrate temperature control apparatus comprising same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3354996B2 (ja) | 2002-12-09 |
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Legal Events
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