JP3353686B2 - はんだ合金 - Google Patents
はんだ合金Info
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- JP3353686B2 JP3353686B2 JP02489998A JP2489998A JP3353686B2 JP 3353686 B2 JP3353686 B2 JP 3353686B2 JP 02489998 A JP02489998 A JP 02489998A JP 2489998 A JP2489998 A JP 2489998A JP 3353686 B2 JP3353686 B2 JP 3353686B2
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- alloy
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は電子機器における
金属接合において使用される「はんだ合金」に係り、特
に鉛を含有しないで公害のない「はんだ合金」に関す
る。
金属接合において使用される「はんだ合金」に係り、特
に鉛を含有しないで公害のない「はんだ合金」に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】はんだ接合を行う際には「はんだ合金」
は所望の接合温度を有し、接合時にぬれ性が良好である
こと、また延性，熱疲労強度，耐食性に優れていること
が必要である。さらに「はんだ合金」は環境上の配慮か
ら鉛を含有しないことが望まれる。
は所望の接合温度を有し、接合時にぬれ性が良好である
こと、また延性，熱疲労強度，耐食性に優れていること
が必要である。さらに「はんだ合金」は環境上の配慮か
ら鉛を含有しないことが望まれる。
【０００３】従来の「はんだ合金」としては、スズ‐鉛
Sn-Pb 合金、スズ‐銀Sn-Ag 合金，スズ‐アンチモンSn
-Sb 合金、スズ- ビスマスSn-Bi 系合金等があげられ
る。
Sn-Pb 合金、スズ‐銀Sn-Ag 合金，スズ‐アンチモンSn
-Sb 合金、スズ- ビスマスSn-Bi 系合金等があげられ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】代表的なスズ‐鉛Sn-P
b 合金である63Sn-37Pb （共晶温度183 ℃）は鉛を含有
するので対環境性の点で望ましくない。装置の構成上、
複数回の「はんだ接合」を行なう場合に接合温度の異な
る複数種類の「はんだ合金」を使用する必要があり、さ
らに半導体部品の信頼性を保証するために半導体部品は
ピーク温度125 ℃付近までのヒートサイクル耐久性が必
要であるために溶融温度が約１８０℃で鉛フリーの低温
「はんだ合金」が必要となる。
b 合金である63Sn-37Pb （共晶温度183 ℃）は鉛を含有
するので対環境性の点で望ましくない。装置の構成上、
複数回の「はんだ接合」を行なう場合に接合温度の異な
る複数種類の「はんだ合金」を使用する必要があり、さ
らに半導体部品の信頼性を保証するために半導体部品は
ピーク温度125 ℃付近までのヒートサイクル耐久性が必
要であるために溶融温度が約１８０℃で鉛フリーの低温
「はんだ合金」が必要となる。
【０００５】スズ‐鉛Sn-Pb 合金に代わる「はんだ合
金」でPbを含有しない「はんだ合金」であるスズ‐アン
チモンSn-Sb 合金は溶融温度が232-245 ℃であり、また
スズ‐銀Sn-Ag 合金（3.5 ％銀）は共晶点が221 ℃であ
り溶融温度がそれぞれ高い。スズ- ビスマスSn-Bi 系合
金の一つであるSn7.5Bi2Ag0.5Cu は溶融温度が200-220
℃で、接合温度として240-250 を要する。またSn7.5Bi2
Ag0.5Cu のようにビスマスを数％含有するものは延性が
低く、加工性や強度上の問題があり、さらに液相線／固
相線の固液共存領域が広く部品によっては接合時にビス
マスの濃度偏析を生じ、剥離を生じる（リフトオフ現
象）場合もある。
金」でPbを含有しない「はんだ合金」であるスズ‐アン
チモンSn-Sb 合金は溶融温度が232-245 ℃であり、また
スズ‐銀Sn-Ag 合金（3.5 ％銀）は共晶点が221 ℃であ
り溶融温度がそれぞれ高い。スズ- ビスマスSn-Bi 系合
金の一つであるSn7.5Bi2Ag0.5Cu は溶融温度が200-220
℃で、接合温度として240-250 を要する。またSn7.5Bi2
Ag0.5Cu のようにビスマスを数％含有するものは延性が
低く、加工性や強度上の問題があり、さらに液相線／固
相線の固液共存領域が広く部品によっては接合時にビス
マスの濃度偏析を生じ、剥離を生じる（リフトオフ現
象）場合もある。
【０００６】鉛フリーで且つ溶融温度の低い「はんだ合
金」としてスズをベースとしてインジウムを添加したSn
-In 合金が検討されている。Sn-In 合金は共晶点が118
℃である。さらに他の鉛フリーの低温「はんだ合金」で
あるBi-In 合金は共晶点が75℃である。上述した鉛フリ
ーの低温「はんだ合金」は耐熱温度が低過ぎる。この発
明は上述の点に鑑みてさなれその目的は、スズ- ビスマ
スSn-Bi 系合金を改良して、延性や熱強度に優れるとと
もに鉛フリーの低温「はんだ合金」を提供することにあ
る。
金」としてスズをベースとしてインジウムを添加したSn
-In 合金が検討されている。Sn-In 合金は共晶点が118
℃である。さらに他の鉛フリーの低温「はんだ合金」で
あるBi-In 合金は共晶点が75℃である。上述した鉛フリ
ーの低温「はんだ合金」は耐熱温度が低過ぎる。この発
明は上述の点に鑑みてさなれその目的は、スズ- ビスマ
スSn-Bi 系合金を改良して、延性や熱強度に優れるとと
もに鉛フリーの低温「はんだ合金」を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば、ビスマスを３０ないし５８重量％、ゲルマニウ
ムを０．１重量％以下（範囲下限値の零を含まず）含有
し、残部はスズおよび不可避的不純物からなることによ
り達成される。上述の発明においてアンチモンを５重量
％以下（範囲下限値の零を含まず）含有すること、銀を
２重量％以下（範囲下限値の零を含まず）含有するこ
と、またはアンチモンを５重量％以下（範囲下限値の零
を含まず）と銀を２重量％以下（範囲下限値の零を含ま
ず）含有することが有効である。
よれば、ビスマスを３０ないし５８重量％、ゲルマニウ
ムを０．１重量％以下（範囲下限値の零を含まず）含有
し、残部はスズおよび不可避的不純物からなることによ
り達成される。上述の発明においてアンチモンを５重量
％以下（範囲下限値の零を含まず）含有すること、銀を
２重量％以下（範囲下限値の零を含まず）含有するこ
と、またはアンチモンを５重量％以下（範囲下限値の零
を含まず）と銀を２重量％以下（範囲下限値の零を含ま
ず）含有することが有効である。
【０００８】スズを主成分とし、ビスマスを３０ないし
５８重量％含有するスズ- ビスマスSn-Bi 系合金は溶融
温度が180 ℃近辺にある。スズを主成分とし、ビスマス
を３０ないし５８重量％含有するスズ- ビスマスSn-Bi
合金に、ゲルマニウムを０．１重量％以下（範囲下限値
の零を含まず）添加するとスズ- ビスマスSn-Bi 合金の
強度が増加する。アンチモンの５重量％以下（範囲下限
値の零を含まず）もしくは銀の２重量％以下（範囲下限
値の零を含まず）または両者を添加すると引っ張り強度
はさらに高まる。
５８重量％含有するスズ- ビスマスSn-Bi 系合金は溶融
温度が180 ℃近辺にある。スズを主成分とし、ビスマス
を３０ないし５８重量％含有するスズ- ビスマスSn-Bi
合金に、ゲルマニウムを０．１重量％以下（範囲下限値
の零を含まず）添加するとスズ- ビスマスSn-Bi 合金の
強度が増加する。アンチモンの５重量％以下（範囲下限
値の零を含まず）もしくは銀の２重量％以下（範囲下限
値の零を含まず）または両者を添加すると引っ張り強度
はさらに高まる。
【０００９】上述したアンチモン，銀，またはゲルマニ
ウムの添加量においてはスズ- ビスマスSn-Bi 系合金の
延性は良好に維持される。
ウムの添加量においてはスズ- ビスマスSn-Bi 系合金の
延性は良好に維持される。
【００１０】
【発明の実施の形態】「はんだ合金」は、Sn,Bi,Sb,Ag,
Ge, の各原料を電気炉中で溶解して調製することができ
る。各原料は純度99.99 重量％以上のものを使用した。
Snは主成分である。Biが30ないし58重量％以下、Geが0.
1 重量％以下（範囲下限値の零を含まず）添加される。
Sb5 重量％以下（範囲下限値の零を含まず）もしくはAg
2 重量％以下（範囲下限値の零を含まず）またはSb5 重
量％以下（範囲下限値の零を含まず）とAg2 重量％以下
（範囲下限値の零を含まず）の両者がSnを主成分としBi
が30ないし58重量％以下、Geが0.1 重量％以下（範囲下
限値の零を含まず）のスズ- ビスマスSn-Bi 系合金に添
加される。
Ge, の各原料を電気炉中で溶解して調製することができ
る。各原料は純度99.99 重量％以上のものを使用した。
Snは主成分である。Biが30ないし58重量％以下、Geが0.
1 重量％以下（範囲下限値の零を含まず）添加される。
Sb5 重量％以下（範囲下限値の零を含まず）もしくはAg
2 重量％以下（範囲下限値の零を含まず）またはSb5 重
量％以下（範囲下限値の零を含まず）とAg2 重量％以下
（範囲下限値の零を含まず）の両者がSnを主成分としBi
が30ないし58重量％以下、Geが0.1 重量％以下（範囲下
限値の零を含まず）のスズ- ビスマスSn-Bi 系合金に添
加される。
【００１１】図１はこの発明のスズ- ビスマスSn-Bi 系
合金につき伸び（％）のBi添加量（ｗｔ％）依存性を示
す線図である。図中○はSn-Bi 合金の示す特性点、◇は
Sn-Bi-Ag合金の示す特性点、□はSn-Bi-Sb合金の示す特
性点である。伸び測定におけるひずみ速度は0.2 ％／ｓ
である。Sn-Bi 合金（○）の延性はBi添加量とともに増
し、ピークを過ぎると共晶組成（Bi58％）に向けて漸減
することがわかる。共晶組成における融点は139 ℃であ
る。Bi30-50 ％の範囲ではSn-Bi 合金の伸びは50-90 ％
である。Sn-Ag 合金（3.5 ％銀）は伸びが20-30 ％であ
り、また鉛フリーのスズ- ビスマスSn-Bi 系合金である
Sn7.5Bi2Ag0.5Cu （溶融温度は約200 ℃）が伸び10％を
示すことを考慮すると、Bi30-50 ％の範囲でのSn-Bi 合
金の伸びは充分に大きい。これはSn-Pb 「はんだ合金」
と同等レベルの延性である。Sn-Bi-Ag合金（◇）、Sn-B
i-Sb合金（□）の延性はBi30-58 ％の範囲でSn-Bi 合金
（○）よりも低下するがまだ充分に大きいことがわか
る。
合金につき伸び（％）のBi添加量（ｗｔ％）依存性を示
す線図である。図中○はSn-Bi 合金の示す特性点、◇は
Sn-Bi-Ag合金の示す特性点、□はSn-Bi-Sb合金の示す特
性点である。伸び測定におけるひずみ速度は0.2 ％／ｓ
である。Sn-Bi 合金（○）の延性はBi添加量とともに増
し、ピークを過ぎると共晶組成（Bi58％）に向けて漸減
することがわかる。共晶組成における融点は139 ℃であ
る。Bi30-50 ％の範囲ではSn-Bi 合金の伸びは50-90 ％
である。Sn-Ag 合金（3.5 ％銀）は伸びが20-30 ％であ
り、また鉛フリーのスズ- ビスマスSn-Bi 系合金である
Sn7.5Bi2Ag0.5Cu （溶融温度は約200 ℃）が伸び10％を
示すことを考慮すると、Bi30-50 ％の範囲でのSn-Bi 合
金の伸びは充分に大きい。これはSn-Pb 「はんだ合金」
と同等レベルの延性である。Sn-Bi-Ag合金（◇）、Sn-B
i-Sb合金（□）の延性はBi30-58 ％の範囲でSn-Bi 合金
（○）よりも低下するがまだ充分に大きいことがわか
る。
【００１２】図２はこの発明のスズ- ビスマスSn-Bi 系
合金（Bi43重量％）につき引っ張り強度のGe添加量依存
性を示す線図である。引っ張り強度試験は直径3mm の試
験片を用い、引っ張り速度を0.2 ％／ｓにして室温で測
定した。Sn-Bi 合金（Bi43重量％）にSb,Ag,Geを添加す
ると引っ張り強度が増大することがわかる。Geを添加す
るとSnの酸化が防止される。スズに43重量％のビスマス
を添加した合金（Sn43Bi），スズに43重量％のビスマス
と2 重量％のAgを添加した合金（Sn43Bi2Ag ），スズに
43重量％のビスマスと2 重量％のSbを添加した合金（Sn
43Bi2Sb ），スズに43重量％のビスマスと5 重量％のSb
を添加した合金（Sn43Bi5Sb ）のそれぞれにGeを0.05重
量％添加すると引っ張り強度が一様に増加する。Geを0.
1 重量％添加するとSbを含む合金の強度はさらに増す
が、Agを含む合金の強度は飽和して減少に転ずる。
合金（Bi43重量％）につき引っ張り強度のGe添加量依存
性を示す線図である。引っ張り強度試験は直径3mm の試
験片を用い、引っ張り速度を0.2 ％／ｓにして室温で測
定した。Sn-Bi 合金（Bi43重量％）にSb,Ag,Geを添加す
ると引っ張り強度が増大することがわかる。Geを添加す
るとSnの酸化が防止される。スズに43重量％のビスマス
を添加した合金（Sn43Bi），スズに43重量％のビスマス
と2 重量％のAgを添加した合金（Sn43Bi2Ag ），スズに
43重量％のビスマスと2 重量％のSbを添加した合金（Sn
43Bi2Sb ），スズに43重量％のビスマスと5 重量％のSb
を添加した合金（Sn43Bi5Sb ）のそれぞれにGeを0.05重
量％添加すると引っ張り強度が一様に増加する。Geを0.
1 重量％添加するとSbを含む合金の強度はさらに増す
が、Agを含む合金の強度は飽和して減少に転ずる。
【００１３】図３はこの発明のスズ- ビスマスSn-Bi 系
合金（Bi43重量％）につき伸び（％）のGe添加量依存性
を示す線図である。Sb,Ag,Geをスズ- ビスマスSn-Bi 合
金（Bi43重量％）に添加すると伸びはSn-Bi 合金（Bi43
重量％）より低下する。Geを0.05重量％より0.1 重量％
に増大するとSbを含む合金はAgを含む合金に比して伸び
（％）が小さくなるがGe0.1 重量％においてなお30％の
伸びを示し充分に使用可能である。
合金（Bi43重量％）につき伸び（％）のGe添加量依存性
を示す線図である。Sb,Ag,Geをスズ- ビスマスSn-Bi 合
金（Bi43重量％）に添加すると伸びはSn-Bi 合金（Bi43
重量％）より低下する。Geを0.05重量％より0.1 重量％
に増大するとSbを含む合金はAgを含む合金に比して伸び
（％）が小さくなるがGe0.1 重量％においてなお30％の
伸びを示し充分に使用可能である。
【００１４】図４はこの発明のスズ- ビスマスSn-Bi 系
合金（Bi43重量％）につき温度100℃におけるクリープ
速度のGe添加量依存性を示す線図である。スズに43重量
％のビスマスを添加した合金（Sn43Bi），スズに43重量
％のビスマスと2 重量％のAgを添加した合金（Sn43Bi2A
g ）はほぼ同程度のクリープ抵抗を示す。Geを0.05重量
％より0.1 重量％に増大するとクリープ速度は小さくな
り、クリープ抵抗が増すからGe添加の効果が認められ
る。スズに43重量％のビスマスと2 重量％のSbを添加し
た合金（Sn43Bi2Sb ），スズに43重量％のビスマスと5
重量％のSbを添加した合金（Sn43Bi5Sb ）はGeを0.05重
量％添加するとクリープ抵抗が顕著に増大する。これは
GeとSbの相乗効果による。
合金（Bi43重量％）につき温度100℃におけるクリープ
速度のGe添加量依存性を示す線図である。スズに43重量
％のビスマスを添加した合金（Sn43Bi），スズに43重量
％のビスマスと2 重量％のAgを添加した合金（Sn43Bi2A
g ）はほぼ同程度のクリープ抵抗を示す。Geを0.05重量
％より0.1 重量％に増大するとクリープ速度は小さくな
り、クリープ抵抗が増すからGe添加の効果が認められ
る。スズに43重量％のビスマスと2 重量％のSbを添加し
た合金（Sn43Bi2Sb ），スズに43重量％のビスマスと5
重量％のSbを添加した合金（Sn43Bi5Sb ）はGeを0.05重
量％添加するとクリープ抵抗が顕著に増大する。これは
GeとSbの相乗効果による。
【００１５】図５はこの発明のスズ- ビスマスSn-Bi 系
合金（Bi43重量％）につき温度100℃と温度120 ℃の範
囲におけるクリープ速度の温度依存性をスス- 鉛Sn-Pb
合金の特性とともに示す線図である。熱強度を調べるた
めに上述と同様の試験片を用い、クリープ試験を行っ
た。スズに43重量％のビスマスを添加した合金（Sn43B
i），スズに43重量％のビスマスと2 重量％のSbを添加
した合金（Sn43Bi2Sb ），スズに43重量％のビスマスと
2 重量％のSbと0.05重量％のGeを添加した合金（Sn43Bi
2Sb0.05 Ge），スズ-鉛Sn-Pb 合金（63Sn-37Pb ）はほ
ぼ同程度のクリープ温度特性を示す。特にスズに43重量
％のビスマスを添加した合金（Sn43Bi）にSbを添加する
と温度100-120℃で安定したクリープ抵抗を示し、スズ
に43重量％のビスマスと2 重量％のSbと0.05重量％のGe
を添加した合金（Sn43Bi2Sb0.05 Ge）はスズ- 鉛Sn-Pb
合金（63Sn-37Pb ）とほぼ同等なクリープ温度特性を示
す。スズに43重量％のビスマスを添加した合金（Sn43B
i）にSbとGeを添加した際のクリープ特性はスズに30重
量％のビスマスを添加した合金（Sn30Bi）とスズに58重
量％のビスマスを添加した合金（Sn58Bi）においても同
様に認められた。
合金（Bi43重量％）につき温度100℃と温度120 ℃の範
囲におけるクリープ速度の温度依存性をスス- 鉛Sn-Pb
合金の特性とともに示す線図である。熱強度を調べるた
めに上述と同様の試験片を用い、クリープ試験を行っ
た。スズに43重量％のビスマスを添加した合金（Sn43B
i），スズに43重量％のビスマスと2 重量％のSbを添加
した合金（Sn43Bi2Sb ），スズに43重量％のビスマスと
2 重量％のSbと0.05重量％のGeを添加した合金（Sn43Bi
2Sb0.05 Ge），スズ-鉛Sn-Pb 合金（63Sn-37Pb ）はほ
ぼ同程度のクリープ温度特性を示す。特にスズに43重量
％のビスマスを添加した合金（Sn43Bi）にSbを添加する
と温度100-120℃で安定したクリープ抵抗を示し、スズ
に43重量％のビスマスと2 重量％のSbと0.05重量％のGe
を添加した合金（Sn43Bi2Sb0.05 Ge）はスズ- 鉛Sn-Pb
合金（63Sn-37Pb ）とほぼ同等なクリープ温度特性を示
す。スズに43重量％のビスマスを添加した合金（Sn43B
i）にSbとGeを添加した際のクリープ特性はスズに30重
量％のビスマスを添加した合金（Sn30Bi）とスズに58重
量％のビスマスを添加した合金（Sn58Bi）においても同
様に認められた。
【００１６】
【発明の効果】この発明によればスズを主成分とし、ビ
スマスを３０ないし５８重量％、ゲルマニウムを０．１
重量％以下（範囲下限値の零を含まず）含有するので、
延性と熱強度に優れ鉛フリーの低温「はんだ合金」が得
られる。このスズ- ビスマスSn-Bi 系合金にアンチモン
もしくは銀またはアンチモンと銀の両者を添加すると熱
強度が同等以上に良好な鉛フリーのスズ- ビスマスSn-B
i 系低温「はんだ合金」が得られる。
スマスを３０ないし５８重量％、ゲルマニウムを０．１
重量％以下（範囲下限値の零を含まず）含有するので、
延性と熱強度に優れ鉛フリーの低温「はんだ合金」が得
られる。このスズ- ビスマスSn-Bi 系合金にアンチモン
もしくは銀またはアンチモンと銀の両者を添加すると熱
強度が同等以上に良好な鉛フリーのスズ- ビスマスSn-B
i 系低温「はんだ合金」が得られる。
【図１】この発明のスズ- ビスマスSn-Bi 系合金につき
伸び（％）のBi添加量（ｗｔ％）依存性を示す線図
伸び（％）のBi添加量（ｗｔ％）依存性を示す線図
【図２】この発明のスズ- ビスマスSn-Bi 系合金（Bi43
重量％）につき引っ張り強度のGe添加量依存性を示す線
図
重量％）につき引っ張り強度のGe添加量依存性を示す線
図
【図３】この発明のスズ- ビスマスSn-Bi 系合金（Bi43
重量％）につき伸び（％）のGe添加量依存性を示す線図
重量％）につき伸び（％）のGe添加量依存性を示す線図
【図４】この発明のスズ- ビスマスSn-Bi 系合金（Bi43
重量％）につき温度100 ℃におけるクリープ速度のGe添
加量依存性を示す線図
重量％）につき温度100 ℃におけるクリープ速度のGe添
加量依存性を示す線図
【図５】この発明のスズ- ビスマスSn-Bi 系合金（Bi43
重量％）につき温度100 ℃と温度120 ℃の範囲における
クリープ速度の温度依存性をスズ- 鉛Sn-Pb 合金の特性
とともに示す線図
重量％）につき温度100 ℃と温度120 ℃の範囲における
クリープ速度の温度依存性をスズ- 鉛Sn-Pb 合金の特性
とともに示す線図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−252688（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−230493（ＪＰ，Ａ) 特公 昭39−10877（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 35/26 C22C 13/00
Claims (4)
- 【請求項１】ビスマスを３０ないし５８重量％、ゲルマ
ニウムを０．１重量％以下（範囲下限値の零を含まず）
含有し、残部はスズおよび不可避的不純物からなること
を特徴とする電子機器の金属接合用のはんだ合金。 - 【請求項２】アンチモンを５重量％以下（範囲下限値の
零を含まず）含有する請求項１に記載のはんだ合金。 - 【請求項３】銀を２重量％以下（範囲下限値の零を含ま
ず）含有する請求項１に記載のはんだ合金。 - 【請求項４】アンチモンを５重量％以下（範囲下限値の
零を含まず）と銀を２重量％以下（範囲下限値の零を含
まず）含有する請求項１に記載のはんだ合金。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02489998A JP3353686B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | はんだ合金 |
| US09/244,034 US6156132A (en) | 1998-02-05 | 1999-02-04 | Solder alloys |
| DE19904765A DE19904765B4 (de) | 1998-02-05 | 1999-02-05 | Verwendung einer Legierung als bleifreie Lötmittel-Legierung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02489998A JP3353686B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | はんだ合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11221693A JPH11221693A (ja) | 1999-08-17 |
| JP3353686B2 true JP3353686B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=12151038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02489998A Expired - Lifetime JP3353686B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | はんだ合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3353686B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008183590A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP5169871B2 (ja) * | 2009-01-26 | 2013-03-27 | 富士通株式会社 | はんだ、はんだ付け方法及び半導体装置 |
| EP3915718A1 (en) * | 2011-08-02 | 2021-12-01 | Alpha Assembly Solutions Inc. | High impact toughness solder alloy |
| US20150037087A1 (en) * | 2013-08-05 | 2015-02-05 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-Free Solder Alloy |
| CN106216872B (zh) | 2016-08-11 | 2019-03-12 | 北京康普锡威科技有限公司 | 一种SnBiSb系低温无铅焊料及其制备方法 |
| JP2018122322A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 株式会社タムラ製作所 | 鉛フリーはんだ合金、ソルダペースト、電子回路基板及び電子制御装置 |
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