JP3343210B2 - エポキシブリ−ドアウト防止剤及び防止方法 - Google Patents
エポキシブリ−ドアウト防止剤及び防止方法Info
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- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
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- H01L2924/12044—OLED
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームや
プリント配線板等の半導体装置とＩＣチップとをエポキ
シ樹脂によって接着固定するダイボンディング工程にお
けるエポキシブリードアウト防止剤及び防止方法に関す
る。
プリント配線板等の半導体装置とＩＣチップとをエポキ
シ樹脂によって接着固定するダイボンディング工程にお
けるエポキシブリードアウト防止剤及び防止方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームやプリント配線板等の半
導体装置とＩＣチップとをエポキシ樹脂によって接着固
定するダイボンディング工程においては、接着面（通
常、金、銀、銅、パラジウム等のめっきが施されてい
る）の表面粗さが大き過ぎたり、表面が変色防止剤、封
孔処理剤等の有機物で汚染されていると、エポキシ樹脂
塗布時に、樹脂または添加剤の滲み出し（エポキシブリ
ードアウト）が発生する。このエポキシブリードアウト
は、ダイボンディング強度を低下させたり、その後のワ
イヤーボンディング工程での不良原因となっている。従
来、このようなエポキシブリードアウトを防止するため
に、接着面の表面粗さを小さくし、毛細管現象を抑制し
たり、表面を洗浄し汚染物を取り除いていた。しかし、
接着面の表面粗さは、ダイボンディング強度や、アセン
ブリマシンの画像認識能力に影響を与えるため、一概に
小さくすることはできない。また、表面を洗浄すること
は、変色防止処理や封孔処理効果まで損なってしまうた
め問題であった。
導体装置とＩＣチップとをエポキシ樹脂によって接着固
定するダイボンディング工程においては、接着面（通
常、金、銀、銅、パラジウム等のめっきが施されてい
る）の表面粗さが大き過ぎたり、表面が変色防止剤、封
孔処理剤等の有機物で汚染されていると、エポキシ樹脂
塗布時に、樹脂または添加剤の滲み出し（エポキシブリ
ードアウト）が発生する。このエポキシブリードアウト
は、ダイボンディング強度を低下させたり、その後のワ
イヤーボンディング工程での不良原因となっている。従
来、このようなエポキシブリードアウトを防止するため
に、接着面の表面粗さを小さくし、毛細管現象を抑制し
たり、表面を洗浄し汚染物を取り除いていた。しかし、
接着面の表面粗さは、ダイボンディング強度や、アセン
ブリマシンの画像認識能力に影響を与えるため、一概に
小さくすることはできない。また、表面を洗浄すること
は、変色防止処理や封孔処理効果まで損なってしまうた
め問題であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ダイボンデ
ィング強度や、アセンブリ特性に悪影響を与えず、変色
防止処理や封孔処理効果を損なうことのないようなエポ
キシブリードアウト防止方法を確立することである。
ィング強度や、アセンブリ特性に悪影響を与えず、変色
防止処理や封孔処理効果を損なうことのないようなエポ
キシブリードアウト防止方法を確立することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意研究を
行った結果、特定の有機化合物を含有する溶液に基材を
浸漬し、めっき面の表面に有機被膜を吸着させることに
よってエポキシブリードアウトを効果的に防止できるこ
とを見い出した。
行った結果、特定の有機化合物を含有する溶液に基材を
浸漬し、めっき面の表面に有機被膜を吸着させることに
よってエポキシブリードアウトを効果的に防止できるこ
とを見い出した。
【０００５】 本発明は、この知見に基づき、 １． 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカルボン酸
（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を含むカル
ボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個以上であ
るチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又はチオー
ル、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン酸、多価
不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素複素環状
化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、又はこれ
らの誘導体から選択された１種以上の有機化合物を含有
することを特徴とする半導体製造工程のダイボンディン
グ工程におけるエポキシブリードアウト防止剤。 ２． 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカルボン酸
（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を含むカル
ボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個以上であ
るチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又はチオー
ル、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン酸、多価
不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素複素環状
化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、又はこれ
らの誘導体から選択された１種以上の有機化合物を含有
する、半導体製造工程のダイボンディング工程における
エポキシブリードアウト防止剤に配線基材を浸漬するか
又は該エポキシブリードアウト防止剤を配線基材に散布
することを特徴とするエポキシブリードアウト防止方
法。 ３． 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカルボン酸
（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を含むカル
ボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個以上であ
るチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又はチオー
ル、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン酸、多価
不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素複素環状
化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、又はこれ
らの誘導体から選択された１種以上の有機化合物を含有
する、半導体製造工程のダイボンディング工程における
エポキシブリードアウト防止剤に配線基材を浸漬するか
又は該エポキシブリードアウト防止剤を配線基材に散布
することによりエポキシブリードアウト防止処理を施し
たことを特徴とする配線基材。
（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を含むカル
ボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個以上であ
るチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又はチオー
ル、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン酸、多価
不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素複素環状
化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、又はこれ
らの誘導体から選択された１種以上の有機化合物を含有
することを特徴とする半導体製造工程のダイボンディン
グ工程におけるエポキシブリードアウト防止剤。 ２． 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカルボン酸
（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を含むカル
ボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個以上であ
るチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又はチオー
ル、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン酸、多価
不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素複素環状
化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、又はこれ
らの誘導体から選択された１種以上の有機化合物を含有
する、半導体製造工程のダイボンディング工程における
エポキシブリードアウト防止剤に配線基材を浸漬するか
又は該エポキシブリードアウト防止剤を配線基材に散布
することを特徴とするエポキシブリードアウト防止方
法。 ３． 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカルボン酸
（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を含むカル
ボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個以上であ
るチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又はチオー
ル、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン酸、多価
不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素複素環状
化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、又はこれ
らの誘導体から選択された１種以上の有機化合物を含有
する、半導体製造工程のダイボンディング工程における
エポキシブリードアウト防止剤に配線基材を浸漬するか
又は該エポキシブリードアウト防止剤を配線基材に散布
することによりエポキシブリードアウト防止処理を施し
たことを特徴とする配線基材。
【０００６】４． 直鎖部分の炭素原子が３個以上であ
るカルボン酸（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ
基を含むカルボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が
３個以上であるチオール、ベンゼン環を有するカルボン
酸又はチオール、メルカプト基又は水酸基を有するカル
ボン酸、多価不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含
窒素複素環状化合物（但し、チオバルビツール酸を除
く）、又はこれらの誘導体から選択された１種以上の有
機化合物を含有する、半導体製造工程のダイボンディン
グ工程におけるエポキシブリードアウト防止剤に配線基
材を浸漬するか又は該エポキシブリードアウト防止剤を
配線基材に散布することによりエポキシブリードアウト
防止処理を施したことを特徴とする半導体パッケージ。 ５． 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカルボン酸
（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を含むカル
ボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個以上であ
るチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又はチオー
ル、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン酸、多価
不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素複素環状
化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、又はこれ
らの誘導体から選択された１種以上の有機化合物が表面
に吸着していることを特徴とする配線基材。 ６． 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカルボン酸
（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を含むカル
ボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個以上であ
るチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又はチオー
ル、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン酸、多価
不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素複素環状
化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、又はこれ
らの誘導体から選択された１種以上の有機化合物からな
るエポキシブリードアウト防止剤を含有することを特徴
とする変色防止液。
るカルボン酸（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ
基を含むカルボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が
３個以上であるチオール、ベンゼン環を有するカルボン
酸又はチオール、メルカプト基又は水酸基を有するカル
ボン酸、多価不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含
窒素複素環状化合物（但し、チオバルビツール酸を除
く）、又はこれらの誘導体から選択された１種以上の有
機化合物を含有する、半導体製造工程のダイボンディン
グ工程におけるエポキシブリードアウト防止剤に配線基
材を浸漬するか又は該エポキシブリードアウト防止剤を
配線基材に散布することによりエポキシブリードアウト
防止処理を施したことを特徴とする半導体パッケージ。 ５． 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカルボン酸
（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を含むカル
ボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個以上であ
るチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又はチオー
ル、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン酸、多価
不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素複素環状
化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、又はこれ
らの誘導体から選択された１種以上の有機化合物が表面
に吸着していることを特徴とする配線基材。 ６． 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカルボン酸
（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を含むカル
ボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個以上であ
るチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又はチオー
ル、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン酸、多価
不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素複素環状
化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、又はこれ
らの誘導体から選択された１種以上の有機化合物からな
るエポキシブリードアウト防止剤を含有することを特徴
とする変色防止液。
【０００７】７． 直鎖部分の炭素原子が３個以上であ
るカルボン酸（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ
基を含むカルボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が
３個以上であるチオール、ベンゼン環を有するカルボン
酸又はチオール、メルカプト基又は水酸基を有するカル
ボン酸、多価不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含
窒素複素環状化合物（但し、チオバルビツール酸を除
く）、又はこれらの誘導体から選択された１種以上の有
機化合物からなるエポキシブリードアウト防止剤を含有
することを特徴とする封孔処理液。 ８． カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラルゴン酸、
カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル
酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘ
プタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、ベヘン
酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレン酸、
ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチオー
ル、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、ベン
ジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブチン
ジオール又はブテンジオールから選択された１種以上の
有機化合物を含有することを特徴とする半導体製造工程
のダイボンディング工程におけるエポキシブリードアウ
ト防止剤。 ９． カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラルゴン酸、
カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル
酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘ
プタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、ベヘン
酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレン酸、
ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチオー
ル、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、ベン
ジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブチン
ジオール又はブテンジオールから選択された１種以上の
有機化合物を含有する、半導体製造工程のダイボンディ
ング工程におけるエポキシブリードアウト防止剤に配線
基材を浸漬するか又は該エポキシブリードアウト防止剤
を配線基材に散布することを特徴とするエポキシブリー
ドアウト防止方法。
るカルボン酸（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ
基を含むカルボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が
３個以上であるチオール、ベンゼン環を有するカルボン
酸又はチオール、メルカプト基又は水酸基を有するカル
ボン酸、多価不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含
窒素複素環状化合物（但し、チオバルビツール酸を除
く）、又はこれらの誘導体から選択された１種以上の有
機化合物からなるエポキシブリードアウト防止剤を含有
することを特徴とする封孔処理液。 ８． カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラルゴン酸、
カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル
酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘ
プタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、ベヘン
酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレン酸、
ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチオー
ル、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、ベン
ジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブチン
ジオール又はブテンジオールから選択された１種以上の
有機化合物を含有することを特徴とする半導体製造工程
のダイボンディング工程におけるエポキシブリードアウ
ト防止剤。 ９． カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラルゴン酸、
カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル
酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘ
プタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、ベヘン
酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレン酸、
ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチオー
ル、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、ベン
ジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブチン
ジオール又はブテンジオールから選択された１種以上の
有機化合物を含有する、半導体製造工程のダイボンディ
ング工程におけるエポキシブリードアウト防止剤に配線
基材を浸漬するか又は該エポキシブリードアウト防止剤
を配線基材に散布することを特徴とするエポキシブリー
ドアウト防止方法。
【０００８】１０． カプロン酸、酪酸、エナント酸、
ペラルゴン酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン
酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パ
ルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカ
ン酸、ベヘン酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、
リノレン酸、ペンタンチオール、オクタンチオール、デ
カンチオール、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息
香酸、ベンジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン
酸、ブチンジオール又はブテンジオールから選択された
１種以上の有機化合物を含有する、半導体製造工程のダ
イボンディング工程におけるエポキシブリードアウト防
止剤に配線基材を浸漬するか又は該エポキシブリードア
ウト防止剤を配線基材に散布することによりエポキシブ
リードアウト防止処理を施したことを特徴とする配線基
材。 １１． カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラルゴン
酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシ
ル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、
ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、ベヘン
酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレン酸、
ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチオー
ル、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、ベン
ジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブチン
ジオール又はブテンジオールから選択された１種以上の
有機化合物を含有する、半導体製造工程のダイボンディ
ング工程におけるエポキシブリードアウト防止剤に配線
基材を浸漬するか又は該エポキシブリードアウト防止剤
を配線基材に散布することによりエポキシブリードアウ
ト防止処理を施したことを特徴とする半導体パッケー
ジ。 １２． カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラルゴン
酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシ
ル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、
ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、ベヘン
酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレン酸、
ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチオー
ル、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、ベン
ジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブチン
ジオール又はブテンジオールから選択された１種以上の
有機化合物が表面に吸着していることを特徴とする配線
基材。
ペラルゴン酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン
酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パ
ルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカ
ン酸、ベヘン酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、
リノレン酸、ペンタンチオール、オクタンチオール、デ
カンチオール、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息
香酸、ベンジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン
酸、ブチンジオール又はブテンジオールから選択された
１種以上の有機化合物を含有する、半導体製造工程のダ
イボンディング工程におけるエポキシブリードアウト防
止剤に配線基材を浸漬するか又は該エポキシブリードア
ウト防止剤を配線基材に散布することによりエポキシブ
リードアウト防止処理を施したことを特徴とする配線基
材。 １１． カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラルゴン
酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシ
ル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、
ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、ベヘン
酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレン酸、
ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチオー
ル、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、ベン
ジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブチン
ジオール又はブテンジオールから選択された１種以上の
有機化合物を含有する、半導体製造工程のダイボンディ
ング工程におけるエポキシブリードアウト防止剤に配線
基材を浸漬するか又は該エポキシブリードアウト防止剤
を配線基材に散布することによりエポキシブリードアウ
ト防止処理を施したことを特徴とする半導体パッケー
ジ。 １２． カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラルゴン
酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシ
ル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、
ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、ベヘン
酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレン酸、
ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチオー
ル、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、ベン
ジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブチン
ジオール又はブテンジオールから選択された１種以上の
有機化合物が表面に吸着していることを特徴とする配線
基材。
【０００９】１３． カプロン酸、酪酸、エナント酸、
ペラルゴン酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン
酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パ
ルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカ
ン酸、ベヘン酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、
リノレン酸、ペンタンチオール、オクタンチオール、デ
カンチオール、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息
香酸、ベンジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン
酸、ブチンジオール又はブテンジオールから選択された
１種以上の有機化合物からなるエポキシブリードアウト
防止剤を含有することを特徴とする変色防止液。 １４． カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラルゴン
酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシ
ル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、
ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、ベヘン
酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレン酸、
ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチオー
ル、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、ベン
ジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブチン
ジオール又はブテンジオールから選択された１種以上の
有機化合物からなるエポキシブリードアウト防止剤を含
有することを特徴とする封孔処理液。を提供するもので
ある。
ペラルゴン酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン
酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パ
ルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカ
ン酸、ベヘン酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、
リノレン酸、ペンタンチオール、オクタンチオール、デ
カンチオール、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息
香酸、ベンジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン
酸、ブチンジオール又はブテンジオールから選択された
１種以上の有機化合物からなるエポキシブリードアウト
防止剤を含有することを特徴とする変色防止液。 １４． カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラルゴン
酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシ
ル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、
ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、ベヘン
酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレン酸、
ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチオー
ル、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、ベン
ジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブチン
ジオール又はブテンジオールから選択された１種以上の
有機化合物からなるエポキシブリードアウト防止剤を含
有することを特徴とする封孔処理液。を提供するもので
ある。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のエポキシブリードアウト
防止剤は、特にリードフレームやプリント配線板などの
半導体装置に適用可能であるが、必ずしもこれに限定さ
れるものではなく、ダイボンディング工程におけるエポ
キシブリードアウトの発生する可能性のある製品のいず
れに対しても適用することができる。本発明のエポキシ
ブリードアウト防止剤に含まれ、エポキシブリードアウ
ト防止機能を有する有機化合物としては、下記の有機化
合物を例示することができる。
防止剤は、特にリードフレームやプリント配線板などの
半導体装置に適用可能であるが、必ずしもこれに限定さ
れるものではなく、ダイボンディング工程におけるエポ
キシブリードアウトの発生する可能性のある製品のいず
れに対しても適用することができる。本発明のエポキシ
ブリードアウト防止剤に含まれ、エポキシブリードアウ
ト防止機能を有する有機化合物としては、下記の有機化
合物を例示することができる。
【００１１】 Ａ：直鎖部分の炭素原子が３個以上であ
るカルボン酸（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ
基を含むカルボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が
３個以上であるチオール 例えば、カプロン酸（Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＨ）、酪酸（Ｃ
３Ｈ７ＣＯＯＨ）、エナント酸（Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯ
Ｈ）、ペラルゴン酸（Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＨ）、カプリン
酸（Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＨ）、ウンデシル酸（Ｃ１０Ｈ
２１ＣＯＯＨ）、ラウリン酸（Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯ
Ｈ）、トリデシル酸（Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＨ）、ミリス
チン酸（Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＨ）、ペンタデシル酸（Ｃ
１４Ｈ２９ＣＯＯＨ）、パルミチン酸（Ｃ１５Ｈ３１Ｃ
ＯＯＨ）、ヘプタデシル酸（Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＨ）、
ステアリン酸（Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＨ）、ノナデカン酸
（Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＨ）、ベヘン酸（Ｃ２１Ｈ４３Ｃ
ＯＯＨ）、オレイン酸（Ｃ１７Ｈ３３ＣＯＯＨ）、エル
カ酸（Ｃ２１Ｈ４１ＣＯＯＨ）、リノール酸（Ｃ１７Ｈ
３１ＣＯＯＨ）、リノレン酸（Ｃ１７Ｈ２９ＣＯＯＨ）
などの直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカルボン酸
（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を含むカル
ボン酸を除く）、ペンタンチオール（Ｃ５Ｈ１１Ｓ
Ｈ）、オクタンチオール（Ｃ８Ｈ１７ＳＨ）、デカンチ
オール（Ｃ１０Ｈ２１ＳＨ）、ヘキサデシルメルカプタ
ン（Ｃ１６Ｈ３３ＳＨ）などのチオール類。
るカルボン酸（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ
基を含むカルボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が
３個以上であるチオール 例えば、カプロン酸（Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＨ）、酪酸（Ｃ
３Ｈ７ＣＯＯＨ）、エナント酸（Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯ
Ｈ）、ペラルゴン酸（Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＨ）、カプリン
酸（Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＨ）、ウンデシル酸（Ｃ１０Ｈ
２１ＣＯＯＨ）、ラウリン酸（Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯ
Ｈ）、トリデシル酸（Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＨ）、ミリス
チン酸（Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＨ）、ペンタデシル酸（Ｃ
１４Ｈ２９ＣＯＯＨ）、パルミチン酸（Ｃ１５Ｈ３１Ｃ
ＯＯＨ）、ヘプタデシル酸（Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＨ）、
ステアリン酸（Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＨ）、ノナデカン酸
（Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＨ）、ベヘン酸（Ｃ２１Ｈ４３Ｃ
ＯＯＨ）、オレイン酸（Ｃ１７Ｈ３３ＣＯＯＨ）、エル
カ酸（Ｃ２１Ｈ４１ＣＯＯＨ）、リノール酸（Ｃ１７Ｈ
３１ＣＯＯＨ）、リノレン酸（Ｃ１７Ｈ２９ＣＯＯＨ）
などの直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカルボン酸
（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を含むカル
ボン酸を除く）、ペンタンチオール（Ｃ５Ｈ１１Ｓ
Ｈ）、オクタンチオール（Ｃ８Ｈ１７ＳＨ）、デカンチ
オール（Ｃ１０Ｈ２１ＳＨ）、ヘキサデシルメルカプタ
ン（Ｃ１６Ｈ３３ＳＨ）などのチオール類。
【００１２】Ｂ：ベンゼン環を有するカルボン酸または
チオール 例えば、ニトロ安息香酸（Ｏ2ＮＣ6Ｈ4ＣＯＯＨ）、ベ
ンジルメルカプタン（Ｃ6Ｈ5ＣＨ2ＳＨ）など。
チオール 例えば、ニトロ安息香酸（Ｏ2ＮＣ6Ｈ4ＣＯＯＨ）、ベ
ンジルメルカプタン（Ｃ6Ｈ5ＣＨ2ＳＨ）など。
【００１３】Ｃ：メルカプト基または水酸基を有するカ
ルボン酸、 例えば、メルカプト酢酸（ＨＳＣＨ2ＣＯＯＨ）、ムチ
ン酸（ＨＯＯＣ（ＣＨＯＨ）4ＣＯＯＨ）など。
ルボン酸、 例えば、メルカプト酢酸（ＨＳＣＨ2ＣＯＯＨ）、ムチ
ン酸（ＨＯＯＣ（ＣＨＯＨ）4ＣＯＯＨ）など。
【００１４】Ｄ：多価不飽和アルコール 例えば、ブチンジオール（ＨＯＣＨ2Ｃ≡ＣＨ2ＯＨ）、
ブテンジオール（ＨＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＯＨ）な
ど。
ブテンジオール（ＨＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＯＨ）な
ど。
【００１５】 Ｅ：分子中に硫黄を含む含窒素複素環状
化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）
化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）
【００１６】上記の有機化合物またはこれらの誘導体か
ら選択された１種以上の有機化合物を含有するエポキシ
ブリードアウト防止剤は本発明に包含される。
ら選択された１種以上の有機化合物を含有するエポキシ
ブリードアウト防止剤は本発明に包含される。
【００１７】本発明のエポキシブリードアウト防止剤は
上記の有機化合物を０．１ｍｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌ、好
ましくは１０ｍｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌ含有するものであ
る。上記有機化合物の濃度が低すぎる場合にはエポキシ
ブリードアウト防止効果がなく、また、濃度が高すぎて
もそれ以上の効果は期待することができないため好まし
くない。なお、上記有機化合物が水に溶け難い場合には
必要に応じてアルコール、ケトン等の有機溶剤を添加す
る。
上記の有機化合物を０．１ｍｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌ、好
ましくは１０ｍｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌ含有するものであ
る。上記有機化合物の濃度が低すぎる場合にはエポキシ
ブリードアウト防止効果がなく、また、濃度が高すぎて
もそれ以上の効果は期待することができないため好まし
くない。なお、上記有機化合物が水に溶け難い場合には
必要に応じてアルコール、ケトン等の有機溶剤を添加す
る。
【００１８】また、必要に応じて、ホウ酸系、リン酸
系、有機酸系のｐＨ緩衝剤を０．１〜１００ｇ／Ｌ、好
ましくは１〜５０ｇ／Ｌ添加する。
系、有機酸系のｐＨ緩衝剤を０．１〜１００ｇ／Ｌ、好
ましくは１〜５０ｇ／Ｌ添加する。
【００１９】さらに、必要に応じて、アニオン系、カチ
オン系、ノニオン系の界面活性剤のいずれかまたはこれ
らの混合物を１μｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌ、好ましくは１０
μｇ／Ｌ〜１ｇ／Ｌ添加する。
オン系、ノニオン系の界面活性剤のいずれかまたはこれ
らの混合物を１μｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌ、好ましくは１０
μｇ／Ｌ〜１ｇ／Ｌ添加する。
【００２０】エポキシブリードアウト防止剤溶液のｐＨ
は特に限定する必要はない。エポキシブリードアウト防
止剤溶液の温度は５〜８０℃、好ましくは１０〜５０℃
とする。温度が低すぎるとエポキシブリードアウト効果
が低く、温度が高すぎてもそれ以上の効果は期待するこ
とができないため好ましくない。
は特に限定する必要はない。エポキシブリードアウト防
止剤溶液の温度は５〜８０℃、好ましくは１０〜５０℃
とする。温度が低すぎるとエポキシブリードアウト効果
が低く、温度が高すぎてもそれ以上の効果は期待するこ
とができないため好ましくない。
【００２１】また、エポキシブリードアウト防止方法
は、エポキシブリードアウト防止剤溶液に配線基材を浸
漬するかまたはエポキシブリードアウト防止剤溶液を基
材に散布（シャワー、スプレー等）するなどして接触さ
せた後、水洗、乾燥すれば良い。また、エポキシブリー
ドアウト防止剤の主成分である上記有機化合物を変色防
止剤や封孔処理剤に添加することによっても同様の効果
を発揮することができる。
は、エポキシブリードアウト防止剤溶液に配線基材を浸
漬するかまたはエポキシブリードアウト防止剤溶液を基
材に散布（シャワー、スプレー等）するなどして接触さ
せた後、水洗、乾燥すれば良い。また、エポキシブリー
ドアウト防止剤の主成分である上記有機化合物を変色防
止剤や封孔処理剤に添加することによっても同様の効果
を発揮することができる。
【００２２】上記のようなエポキシブリードアウト防止
処理を行うことによって、配線基材表面のめっき面には
上記有機化合物が吸着し、１〜数分子程度の厚さの有機
化合物からなる被膜が形成される。そのため、めっき面
とエポキシ樹脂との接触角を増加させ、エポキシ樹脂の
滲み出しを抑制することが可能となる。なお、吸着する
有機化合物の被膜は非常に薄いため、ワイヤーボンディ
ング性、モールディング性等のアセンブリ特性には悪影
響を与えない。また、変色防止効果や封孔処理効果を損
なうこともない。上記の方法によってエポキシブリード
アウト防止処理を施した配線基材および半導体パッケー
ジも本発明に包含される。
処理を行うことによって、配線基材表面のめっき面には
上記有機化合物が吸着し、１〜数分子程度の厚さの有機
化合物からなる被膜が形成される。そのため、めっき面
とエポキシ樹脂との接触角を増加させ、エポキシ樹脂の
滲み出しを抑制することが可能となる。なお、吸着する
有機化合物の被膜は非常に薄いため、ワイヤーボンディ
ング性、モールディング性等のアセンブリ特性には悪影
響を与えない。また、変色防止効果や封孔処理効果を損
なうこともない。上記の方法によってエポキシブリード
アウト防止処理を施した配線基材および半導体パッケー
ジも本発明に包含される。
【００２３】
【実施例】以下、実施例に基づいて説明するが、本発明
はこれらの実施例に限定されるものではない。
はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００２４】（実施例１〜１５）銅合金（Cu:97.7%-Sn:
2.0%-Ni:0.2%-P:0.03%）製リードフレーム基材に密着性
上昇のために下地として銅ストライクめっきを行った
後、パッド部とインナーリード部の一部にスポット銀め
っきまたはリードフレーム全面に銅めっき、金めっき、
パラジウムめっきのいずれかを施した。その後、表１〜
表３に記載したエポキシブリードアウト防止処理を行っ
た。
2.0%-Ni:0.2%-P:0.03%）製リードフレーム基材に密着性
上昇のために下地として銅ストライクめっきを行った
後、パッド部とインナーリード部の一部にスポット銀め
っきまたはリードフレーム全面に銅めっき、金めっき、
パラジウムめっきのいずれかを施した。その後、表１〜
表３に記載したエポキシブリードアウト防止処理を行っ
た。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】
【表３】
【００２８】なお、このエポキシブリードアウト防止処
理を行う前に、一部の試料については、変色防止処理ま
たは封孔処理を行った。
理を行う前に、一部の試料については、変色防止処理ま
たは封孔処理を行った。
【００２９】変色防止処理は、下記の条件で行った。 変色防止液： 主成分 ベンゾトリアゾール ０．１ｇ／Ｌ ｐＨ ： ９．０ 浴温 ： ２５℃ 時間 ： １０ｓ 方法 ： 浸漬
【００３０】また、封孔処理は、下記の条件で行った。 封孔処理液： 主成分 トリエタノールアミン １．０ｇ／Ｌ ｐＨ ： ９．０ 浴温 ： ２５℃ 時間 ： １０ｓ 方法 ： 浸漬
【００３１】これらの基材について、ダイボンディン
グ、ワイヤーボンディングを行い、エポキシブリードア
ウト、ワイヤーボンディング特性、モールディング特性
の評価を行った。
グ、ワイヤーボンディングを行い、エポキシブリードア
ウト、ワイヤーボンディング特性、モールディング特性
の評価を行った。
【００３２】エポキシブリードアウトの評価は、下記の
方法で行った。市販の低応力ダイボンディング用エポキ
シ樹脂をめっき面に塗布後、２００℃、６０ｍｉｎ加熱
硬化した後、エポキシ塗布部を顕微鏡（３０倍）で観察
し、エポキシブリードアウト量を測定した。
方法で行った。市販の低応力ダイボンディング用エポキ
シ樹脂をめっき面に塗布後、２００℃、６０ｍｉｎ加熱
硬化した後、エポキシ塗布部を顕微鏡（３０倍）で観察
し、エポキシブリードアウト量を測定した。
【００３３】ワイヤーボンディング特性の評価は、下記
の方法で行った。超音波併用熱圧着方式（温度：２００
℃、荷重：５０ｇ、時間：１０ｍＳ）でワイヤーボンデ
ィングを行った後、プルテスターでプル強度を測定し
た。
の方法で行った。超音波併用熱圧着方式（温度：２００
℃、荷重：５０ｇ、時間：１０ｍＳ）でワイヤーボンデ
ィングを行った後、プルテスターでプル強度を測定し
た。
【００３４】モールディング特性の評価は、下記の方法
で行った。市販のモールディング用エポキシ樹脂をめっ
き面に塗布後、１７５℃、５ｈ加熱硬化した後、シェア
強度を測定した。
で行った。市販のモールディング用エポキシ樹脂をめっ
き面に塗布後、１７５℃、５ｈ加熱硬化した後、シェア
強度を測定した。
【００３５】さらに、変色防止処理または封孔処理を行
った試料については変色防止効果または封孔処理効果に
ついての評価を行った。
った試料については変色防止効果または封孔処理効果に
ついての評価を行った。
【００３６】変色防止効果の評価は、スポット銀めっき
品ではスポットめっき部及び銅ストライクめっき部につ
いて、全面めっき品についてはめっき部について下記の
方法で行った。煮沸純水中に１０ｍｉｎ浸漬後のめっき
表面を目視観察した。
品ではスポットめっき部及び銅ストライクめっき部につ
いて、全面めっき品についてはめっき部について下記の
方法で行った。煮沸純水中に１０ｍｉｎ浸漬後のめっき
表面を目視観察した。
【００３７】封孔処理効果の評価は、スポットめっき
品、全面めっき品のいずれも、めっき面について下記の
方法で行った。下記の人工汗液に４０℃、２４ｈ浸漬後
のめっき表面を目視観察した。 人工汗液組成 塩化ナトリウム：９．９ｇ／Ｌ 硫化ナトリウム：０．８ｇ／Ｌ 尿素 ：１．７ｇ／Ｌ 乳酸 ：１．１ｍＬ／Ｌ アンモニア水 ：０．２７ｍＬ／Ｌ ｐＨ ：５
品、全面めっき品のいずれも、めっき面について下記の
方法で行った。下記の人工汗液に４０℃、２４ｈ浸漬後
のめっき表面を目視観察した。 人工汗液組成 塩化ナトリウム：９．９ｇ／Ｌ 硫化ナトリウム：０．８ｇ／Ｌ 尿素 ：１．７ｇ／Ｌ 乳酸 ：１．１ｍＬ／Ｌ アンモニア水 ：０．２７ｍＬ／Ｌ ｐＨ ：５
【００３８】これらの結果を表１〜３に併せて示す。
【００３９】（実施例１６〜２０）銅合金（Cu:97.7%-S
n:2.0%-Ni:0.2%-P:0.03%）製リードフレーム基材に銀め
っき、金めっき、銅めっき、またはパラジウムめっきの
いずれかを施した。これらの配線基材に対して、変色防
止処理または封孔処理を行った。その際、表４に記載す
るように変色防止液または封孔処理液に本発明のエポキ
シブリードアウト防止剤を添加した。
n:2.0%-Ni:0.2%-P:0.03%）製リードフレーム基材に銀め
っき、金めっき、銅めっき、またはパラジウムめっきの
いずれかを施した。これらの配線基材に対して、変色防
止処理または封孔処理を行った。その際、表４に記載す
るように変色防止液または封孔処理液に本発明のエポキ
シブリードアウト防止剤を添加した。
【００４０】
【表４】
【００４１】これらの基材についてダイボンディング、
ワイヤーボンディングを行い、実施例１〜１５と同様に
エポキシブリードアウト、ワイヤーボンディング特性、
モールディング特性、及び変色防止効果または封孔処理
効果についての評価を行った。これらの結果を表４に併
せて示す。
ワイヤーボンディングを行い、実施例１〜１５と同様に
エポキシブリードアウト、ワイヤーボンディング特性、
モールディング特性、及び変色防止効果または封孔処理
効果についての評価を行った。これらの結果を表４に併
せて示す。
【００４２】（比較例１〜５）銅合金（Cu:97.7%-Sn:2.
0%-Ni:0.2%-P:0.03%）製リードフレーム基材に銀めっ
き、金めっき、銅めっき、またはパラジウムめっきのい
ずれかを施した。一部の試料については、変色防止処理
または封孔処理を行った。
0%-Ni:0.2%-P:0.03%）製リードフレーム基材に銀めっ
き、金めっき、銅めっき、またはパラジウムめっきのい
ずれかを施した。一部の試料については、変色防止処理
または封孔処理を行った。
【００４３】変色防止処理は、下記の条件で行った。 変色防止液： 主成分 ベンゾトリアゾール ０．１ｇ／Ｌ ｐＨ ： ９．０ 浴温 ： ２５℃ 時間 ： １０ｓ 方法 ： 浸漬
【００４４】また、封孔処理は、下記の条件で行った。 封孔処理液： 主成分 トリエタノールアミン １．０ｇ／Ｌ ｐＨ ： ９．０ 浴温 ： ２５℃ 時間 ： １０ｓ 方法 ： 浸漬
【００４５】これらの基材についてダイボンディング、
ワイヤーボンディングを行い、実施例と同様にエポキシ
ブリードアウト、ワイヤーボンディング特性、モールデ
ィング特性、及び変色防止効果または封孔処理効果につ
いての評価を行った。これらの結果を表５に併せて示
す。
ワイヤーボンディングを行い、実施例と同様にエポキシ
ブリードアウト、ワイヤーボンディング特性、モールデ
ィング特性、及び変色防止効果または封孔処理効果につ
いての評価を行った。これらの結果を表５に併せて示
す。
【００４６】
【表５】
【００４７】（結果）本発明のエポキシブリードアウト
防止剤を用いてエポキシブリードアウト防止処理を行っ
た配線基材（実施例１〜１５）は、ダイボンディング工
程においてエポキシブリードアウトの発生は見られなか
った。また、変色防止液または封孔処理液に本発明のエ
ポキシブリードアウト防止剤を添加した場合（実施例１
６〜２０）も同様に、ダイボンディング工程においてエ
ポキシブリードアウトの発生は見られなかった。実施例
のいずれの場合においてもワイヤーボンディング特性、
モールディング特性は良好であった。変色防止効果また
は封孔処理効果を行った基材は期待された通りの変色防
止効果、封孔処理効果を有していた。一方、エポキシブ
リードアウト防止処理を行わなかった場合（比較例１〜
５）には、ダイボンディング工程におけるエポキシブリ
ードアウトの発生が観察された。
防止剤を用いてエポキシブリードアウト防止処理を行っ
た配線基材（実施例１〜１５）は、ダイボンディング工
程においてエポキシブリードアウトの発生は見られなか
った。また、変色防止液または封孔処理液に本発明のエ
ポキシブリードアウト防止剤を添加した場合（実施例１
６〜２０）も同様に、ダイボンディング工程においてエ
ポキシブリードアウトの発生は見られなかった。実施例
のいずれの場合においてもワイヤーボンディング特性、
モールディング特性は良好であった。変色防止効果また
は封孔処理効果を行った基材は期待された通りの変色防
止効果、封孔処理効果を有していた。一方、エポキシブ
リードアウト防止処理を行わなかった場合（比較例１〜
５）には、ダイボンディング工程におけるエポキシブリ
ードアウトの発生が観察された。
【００４８】
【発明の効果】本発明のエポキシブリードアウト防止剤
を用いてリードフレーム、プリント配線板等の半導体装
置表面にエポキシブリードアウト防止機能を有する有機
化合物を吸着させるエポキシブリードアウト防止処理を
行うことによって、変色防止効果や封孔処理効果を損な
うことなくダイボンディング工程におけるエポキシブリ
ードアウトを防止することが可能である。また、ワイヤ
ーボンディング特性やモールディング性等のアセンブリ
特性にも悪影響を与えることがない。
を用いてリードフレーム、プリント配線板等の半導体装
置表面にエポキシブリードアウト防止機能を有する有機
化合物を吸着させるエポキシブリードアウト防止処理を
行うことによって、変色防止効果や封孔処理効果を損な
うことなくダイボンディング工程におけるエポキシブリ
ードアウトを防止することが可能である。また、ワイヤ
ーボンディング特性やモールディング性等のアセンブリ
特性にも悪影響を与えることがない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−21626（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−350000（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−74159（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−61458（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B01L 21/52 B01L 21/56 B01L 23/50
Claims (14)
- 【請求項１】 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカ
ルボン酸（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を
含むカルボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個
以上であるチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又
はチオール、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン
酸、多価不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素
複素環状化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、
又はこれらの誘導体から選択された１種以上の有機化合
物を含有することを特徴とする半導体製造工程のダイボ
ンディング工程におけるエポキシブリードアウト防止
剤。 - 【請求項２】 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカ
ルボン酸（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を
含むカルボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個
以上であるチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又
はチオール、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン
酸、多価不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素
複素環状化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、
又はこれらの誘導体から選択された１種以上の有機化合
物を含有する、半導体製造工程のダイボンディング工程
におけるエポキシブリードアウト防止剤に配線基材を浸
漬するか又は該エポキシブリードアウト防止剤を配線基
材に散布することを特徴とするエポキシブリードアウト
防止方法。 - 【請求項３】 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカ
ルボン酸（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を
含むカルボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個
以上であるチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又
はチオール、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン
酸、多価不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素
複素環状化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、
又はこれらの誘導体から選択された１種以上の有機化合
物を含有する、半導体製造工程のダイボンディング工程
におけるエポキシブリードアウト防止剤に配線基材を浸
漬するか又は該エポキシブリードアウト防止剤を配線基
材に散布することによりエポキシブリードアウト防止処
理を施したことを特徴とする配線基材。 - 【請求項４】 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカ
ルボン酸（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を
含むカルボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個
以上であるチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又
はチオール、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン
酸、多価不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素
複素環状化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、
又はこれらの誘導体から選択された１種以上の有機化合
物を含有する、半導体製造工程のダイボンディング工程
におけるエポキシブリードアウト防止剤に配線基材を浸
漬するか又は該エポキシブリードアウト防止剤を配線基
材に散布することによりエポキシブリードアウト防止処
理を施したことを特徴とする半導体パッケージ。 - 【請求項５】 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカ
ルボン酸（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を
含むカルボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個
以上であるチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又
はチオール、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン
酸、多価不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素
複素環状化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、
又はこれらの誘導体から選択された１種以上の有機化合
物が表面に吸着していることを特徴とする配線基材。 - 【請求項６】 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカ
ルボン酸（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を
含むカルボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個
以上であるチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又
はチオール、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン
酸、多価不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素
複素環状化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、
又はこれらの誘導体から選択された１種以上の有機化合
物からなるエポキシブリードアウト防止剤を含有するこ
とを特徴とする変色防止液。 - 【請求項７】 直鎖部分の炭素原子が３個以上であるカ
ルボン酸（但し、アルキルアミン脂肪酸及びアミノ基を
含むカルボン酸を除く）又は直鎖部分の炭素原子が３個
以上であるチオール、ベンゼン環を有するカルボン酸又
はチオール、メルカプト基又は水酸基を有するカルボン
酸、多価不飽和アルコール、分子中に硫黄を含む含窒素
複素環状化合物（但し、チオバルビツール酸を除く）、
又はこれらの誘導体から選択された１種以上の有機化合
物からなるエポキシブリードアウト防止剤を含有するこ
とを特徴とする封孔処理液。 - 【請求項８】 カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラル
ゴン酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリ
デシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン
酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、ベ
ヘン酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレン
酸、ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチオ
ール、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、ベ
ンジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブチ
ンジオール又はブテンジオールから選択された１種以上
の有機化合物を含有することを特徴とする半導体製造工
程のダイボンディング工程におけるエポキシブリードア
ウト防止剤。 - 【請求項９】 カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラル
ゴン酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリ
デシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン
酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、ベ
ヘン酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレン
酸、ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチオ
ール、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、ベ
ンジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブチ
ンジオール又はブテンジオールから選択された１種以上
の有機化合物を含有する、半導体製造工程のダイボンデ
ィング工程におけるエポキシブリードアウト防止剤に配
線基材を浸漬するか又は該エポキシブリードアウト防止
剤を配線基材に散布することを特徴とするエポキシブリ
ードアウト防止方法。 - 【請求項１０】 カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラ
ルゴン酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、ト
リデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチ
ン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、
ベヘン酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレ
ン酸、ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチ
オール、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、
ベンジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブ
チンジオール又はブテンジオールから選択された１種以
上の有機化合物を含有する、半導体製造工程のダイボン
ディング工程におけるエポキシブリードアウト防止剤に
配線基材を浸漬するか又は該エポキシブリードアウト防
止剤を配線基材に散布することによりエポキシブリード
アウト防止処理を施したことを特徴とする配線基材。 - 【請求項１１】 カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラ
ルゴン酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、ト
リデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチ
ン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、
ベヘン酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレ
ン酸、ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチ
オール、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、
ベンジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブ
チンジオール又はブテンジオールから選択された１種以
上の有機化合物を含有する、半導体製造工程のダイボン
ディング工程におけるエポキシブリードアウト防止剤に
配線基材を浸漬するか又は該エポキシブリードアウト防
止剤を配線基材に散布することによりエポキシブリード
アウト防止処理を施したことを特徴とする半導体パッケ
ージ。 - 【請求項１２】 カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラ
ルゴン酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、ト
リデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチ
ン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、
ベヘン酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレ
ン酸、ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチ
オール、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、
ベンジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブ
チンジオール又はブテンジオールから選択された１種以
上の有機化合物が表面に吸着していることを特徴とする
配線基材。 - 【請求項１３】 カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラ
ルゴン酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、ト
リデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチ
ン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、
ベヘン酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレ
ン酸、ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチ
オール、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、
ベンジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブ
チンジオール又はブテンジオールから選択された１種以
上の有機化合物からなるエポキシブリードアウト防止剤
を含有することを特徴とする変色防止液。 - 【請求項１４】 カプロン酸、酪酸、エナント酸、ペラ
ルゴン酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、ト
リデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチ
ン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、
ベヘン酸、オレイン酸、エルカ酸、リノール酸、リノレ
ン酸、ペンタンチオール、オクタンチオール、デカンチ
オール、ヘキサデシルメルカプタン、ニトロ安息香酸、
ベンジルメルカプタン、メルカプト酢酸、ムチン酸、ブ
チンジオール又はブテンジオールから選択された１種以
上の有機化合物からなるエポキシブリードアウト防止剤
を含有することを特徴とする封孔処理液。
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