JP3340305B2 - 半導体装置の製造方法およびダミー半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法およびダミー半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特に外部リード端子の曲げ加工時の半田メッ
キカスの除去方法および半田メッキカスの除去に使用さ
れるダミーの半導体パッケージに関する。
法に関し、特に外部リード端子の曲げ加工時の半田メッ
キカスの除去方法および半田メッキカスの除去に使用さ
れるダミーの半導体パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、フラットパック型の半導体パッ
ケージの外観を示す斜視図である。図８において、半導
体集積回路が樹脂等によって封止されたパッケージ部３
の対向する２辺から外部リード端子４が延在しており、
当該外部リード端子４は曲げ加工されている。
ケージの外観を示す斜視図である。図８において、半導
体集積回路が樹脂等によって封止されたパッケージ部３
の対向する２辺から外部リード端子４が延在しており、
当該外部リード端子４は曲げ加工されている。
【０００３】以下に、外部リード端子４の曲げ加工につ
いて説明する。なお、一般に外部リード端子の曲げ加工
においては、半導体集積回路の樹脂封止工程が終了した
状態で、半導体パッケージをリードフレームから切り離
し、独立した半導体パッケージに対して成形加工を行う
方法と、リードフレームに接続された状態の半導体パッ
ケージに対して成形加工を行う方法があるが、以下の説
明では、どちらにも限定せず外部リード端子４にのみ着
目して説明を行う。
いて説明する。なお、一般に外部リード端子の曲げ加工
においては、半導体集積回路の樹脂封止工程が終了した
状態で、半導体パッケージをリードフレームから切り離
し、独立した半導体パッケージに対して成形加工を行う
方法と、リードフレームに接続された状態の半導体パッ
ケージに対して成形加工を行う方法があるが、以下の説
明では、どちらにも限定せず外部リード端子４にのみ着
目して説明を行う。
【０００４】まず、図９に示す工程において、半導体パ
ッケージの外部リード端子４を、成形加工金型の曲げダ
イ２にセットする。
ッケージの外部リード端子４を、成形加工金型の曲げダ
イ２にセットする。
【０００５】次に、図１０に示す工程において、成形加
工金型の雄金型であるパンチ１を下降させて、曲げダイ
２から突出する外部リード端子４を押し曲げることで、
所定の形状に成形する。
工金型の雄金型であるパンチ１を下降させて、曲げダイ
２から突出する外部リード端子４を押し曲げることで、
所定の形状に成形する。
【０００６】図１１に示すように、パンチ１とダイ２と
の間に外部リード端子４が挟まれた状態になると成形が
完了し、図１２に示す工程においてパンチ１が上昇す
る。
の間に外部リード端子４が挟まれた状態になると成形が
完了し、図１２に示す工程においてパンチ１が上昇す
る。
【０００７】以上説明したように、外部リード端子４の
曲げ加工においては、パンチ１によって外部リード端子
４を押し曲げるので、パンチ１が外部リード端子４の表
面と接触し、図１１に示すように外部リード端子４の表
面に施された半田メッキが削り取られ、ヒゲ状の半田メ
ッキカス５が発生する。
曲げ加工においては、パンチ１によって外部リード端子
４を押し曲げるので、パンチ１が外部リード端子４の表
面と接触し、図１１に示すように外部リード端子４の表
面に施された半田メッキが削り取られ、ヒゲ状の半田メ
ッキカス５が発生する。
【０００８】削り取られた半田メッキカス５はパンチ１
の側面に付着し、図１２に示すようにパンチ１に付着し
たまま上昇し、次の半導体パッケージの外部リード端子
４の曲げ加工に際してパンチ１に付着した状態で下降し
てくる。
の側面に付着し、図１２に示すようにパンチ１に付着し
たまま上昇し、次の半導体パッケージの外部リード端子
４の曲げ加工に際してパンチ１に付着した状態で下降し
てくる。
【０００９】１回のプレス加工により発生する半田メッ
キカス５は小さいが、何回もプレス加工することで大き
く成長する。ある程度の大きさに達した半田メッキカス
５は、パンチ１から脱落して外部リード端子４の表面に
付着したり、一旦、曲げダイ２の上に落下した後、外部
リード端子４の裏面に付着したりする。
キカス５は小さいが、何回もプレス加工することで大き
く成長する。ある程度の大きさに達した半田メッキカス
５は、パンチ１から脱落して外部リード端子４の表面に
付着したり、一旦、曲げダイ２の上に落下した後、外部
リード端子４の裏面に付着したりする。
【００１０】特開平２−４５９６６号公報には、これを
防ぐための手段として、外部リード端子にＡｇメッキを
施した、ダミーの半導体パッケージを工程中に挿入し、
その外部リード端子に半田メッキカスを付着させて除去
する方法が開示されていた。
防ぐための手段として、外部リード端子にＡｇメッキを
施した、ダミーの半導体パッケージを工程中に挿入し、
その外部リード端子に半田メッキカスを付着させて除去
する方法が開示されていた。
【００１１】図１３〜図１５に、特開平２−４５９６６
号公報に記載の半田メッキカスの除去工程を示す。
号公報に記載の半田メッキカスの除去工程を示す。
【００１２】図１３に示す工程において、Ａｇメッキが
施された外部リード端子４’を有するダミーの半導体パ
ッケージを成形加工金型の曲げダイ２にセットする。こ
れに先だって、成形加工金型では通常の半導体パッケー
ジに対するプレス加工を複数回行っているので、パンチ
１にはヒゲ状の半田メッキカス５が付着している。
施された外部リード端子４’を有するダミーの半導体パ
ッケージを成形加工金型の曲げダイ２にセットする。こ
れに先だって、成形加工金型では通常の半導体パッケー
ジに対するプレス加工を複数回行っているので、パンチ
１にはヒゲ状の半田メッキカス５が付着している。
【００１３】次に、図１４に示す工程において、成形加
工金型のパンチ１を下降させて、曲げダイ２から突出す
る外部リード端子４’を押し曲げ、パンチ１と曲げダイ
２との間に外部リード端子４’が挟まれた状態になると
成形が完了する。
工金型のパンチ１を下降させて、曲げダイ２から突出す
る外部リード端子４’を押し曲げ、パンチ１と曲げダイ
２との間に外部リード端子４’が挟まれた状態になると
成形が完了する。
【００１４】このとき、パンチ１に付着していた半田メ
ッキカス５は、材質の違いにより外部リード端子４’に
付着することになる。従って、図１５に示すように、上
昇するパンチ１には半田メッキカス５は付着しておら
ず、半田メッキカス５はダミーの半導体パッケージの取
り外しに伴って除去されることになる。
ッキカス５は、材質の違いにより外部リード端子４’に
付着することになる。従って、図１５に示すように、上
昇するパンチ１には半田メッキカス５は付着しておら
ず、半田メッキカス５はダミーの半導体パッケージの取
り外しに伴って除去されることになる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように外
部リード端子の曲げ加工においては、外部リード端子に
Ａｇメッキを施した、ダミーの半導体パッケージを工程
中に挿入し、その外部リード端子に半田メッキカスを付
着させて除去する方法を採っていた。
部リード端子の曲げ加工においては、外部リード端子に
Ａｇメッキを施した、ダミーの半導体パッケージを工程
中に挿入し、その外部リード端子に半田メッキカスを付
着させて除去する方法を採っていた。
【００１６】従って、以下のような問題を有していた。
その１つに、外部リード端子にＡｇメッキを施している
ので、通常の半導体パッケージに比べて製造コストが高
くなるという問題がある。特開平２−４５９６６号公報
には、Ａｇメッキ以外のメッキでも良いとあるが、ダミ
ーの半導体パッケージは使い捨てであるので、メッキに
よるコスト増加は無視できないものとなる。
その１つに、外部リード端子にＡｇメッキを施している
ので、通常の半導体パッケージに比べて製造コストが高
くなるという問題がある。特開平２−４５９６６号公報
には、Ａｇメッキ以外のメッキでも良いとあるが、ダミ
ーの半導体パッケージは使い捨てであるので、メッキに
よるコスト増加は無視できないものとなる。
【００１７】また、Ａｇメッキを施したダミーの半導体
パッケージと、通常の半導体パッケージとは、外部リー
ド端子の色が類似しているため、区別がつきにくく、通
常の半導体パッケージに混ざって、ダミーの半導体パッ
ケージが出荷される可能性がある。
パッケージと、通常の半導体パッケージとは、外部リー
ド端子の色が類似しているため、区別がつきにくく、通
常の半導体パッケージに混ざって、ダミーの半導体パッ
ケージが出荷される可能性がある。
【００１８】また、パンチ１に付着していた半田メッキ
カス５を、材質の違いにより外部リード端子４’に付着
させるのであるが、その付着力は弱く、パンチ１から外
部リード端子４’に移動せず、半田メッキカス５を確実
に除去できない可能性がある。
カス５を、材質の違いにより外部リード端子４’に付着
させるのであるが、その付着力は弱く、パンチ１から外
部リード端子４’に移動せず、半田メッキカス５を確実
に除去できない可能性がある。
【００１９】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、半田メッキカスを確実に除去す
ることができる半導体装置の製造方法を提供するととも
に、通常の半導体パッケージへの混入を防ぐことが容易
で、低コストで半導体装置を製作可能な半導体装置の製
造方法および、ダミーの半導体パッケージを提供する。
さらに、それ自体の製作を低コストで実現できるダミー
の半導体パッケージの構成も提供する。
ためになされたもので、半田メッキカスを確実に除去す
ることができる半導体装置の製造方法を提供するととも
に、通常の半導体パッケージへの混入を防ぐことが容易
で、低コストで半導体装置を製作可能な半導体装置の製
造方法および、ダミーの半導体パッケージを提供する。
さらに、それ自体の製作を低コストで実現できるダミー
の半導体パッケージの構成も提供する。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１記
載の半導体装置の製造方法は、フラットパック型の半導
体装置を成形加工金型にセットし、前記半導体装置の外
装メッキが施された外部リード端子を雄金型によって押
し曲げ、所定の形状に成形するリード端子成形工程を、
所定の間隔で供給される前記半導体装置に対して繰り返
す半導体装置の製造方法において、前記所定の間隔の合
間に、前記雄金型に面した表面に梨地加工が施された外
部リード端子を有したフラットパック型のダミー半導体
装置を、前記半導体装置に代えて前記成形加工金型にセ
ットし、前記ダミー半導体装置の前記外部リード端子の
前記梨地加工が施された部分を前記雄金型によって押し
曲げることで前記所定の形状に成形するダミー成形工程
を備えている。
載の半導体装置の製造方法は、フラットパック型の半導
体装置を成形加工金型にセットし、前記半導体装置の外
装メッキが施された外部リード端子を雄金型によって押
し曲げ、所定の形状に成形するリード端子成形工程を、
所定の間隔で供給される前記半導体装置に対して繰り返
す半導体装置の製造方法において、前記所定の間隔の合
間に、前記雄金型に面した表面に梨地加工が施された外
部リード端子を有したフラットパック型のダミー半導体
装置を、前記半導体装置に代えて前記成形加工金型にセ
ットし、前記ダミー半導体装置の前記外部リード端子の
前記梨地加工が施された部分を前記雄金型によって押し
曲げることで前記所定の形状に成形するダミー成形工程
を備えている。
【００２１】本発明に係る請求項２記載の半導体装置の
製造方法は、前記ダミー半導体装置の前記外部リード端
子の前記表面とは反対の裏面にも前記梨地加工が施され
ている。
製造方法は、前記ダミー半導体装置の前記外部リード端
子の前記表面とは反対の裏面にも前記梨地加工が施され
ている。
【００２２】本発明に係る請求項３記載の半導体装置の
製造方法は、前記梨地加工が、前記ダミー半導体装置の
前記外部リード端子のみに施されている。
製造方法は、前記梨地加工が、前記ダミー半導体装置の
前記外部リード端子のみに施されている。
【００２３】本発明に係る請求項４記載の半導体装置の
製造方法は、前記梨地加工が、前記ダミー半導体装置の
前記外部リード端子以外の部分にも全て施されている。
製造方法は、前記梨地加工が、前記ダミー半導体装置の
前記外部リード端子以外の部分にも全て施されている。
【００２４】本発明に係る請求項５記載のダミー半導体
装置は、半導体集積回路を収容する平面視形状が矩形の
パッケージ部と、前記パッケージ部の少なくとも対向す
る２辺から延在する外部リード端子とを有し、少なくと
も前記外部リード端子の前記雄金型に面する表面に梨地
加工が施されている。
装置は、半導体集積回路を収容する平面視形状が矩形の
パッケージ部と、前記パッケージ部の少なくとも対向す
る２辺から延在する外部リード端子とを有し、少なくと
も前記外部リード端子の前記雄金型に面する表面に梨地
加工が施されている。
【００２５】本発明に係る請求項６記載のダミー半導体
装置は、前記ダミー半導体装置の前記外部リード端子の
前記表面とは反対の裏面にも前記梨地加工が施されてい
る。
装置は、前記ダミー半導体装置の前記外部リード端子の
前記表面とは反対の裏面にも前記梨地加工が施されてい
る。
【００２６】本発明に係る請求項７記載のダミー半導体
装置は、前記パッケージ部の表面および裏面にもさらに
梨地加工が施されている。
装置は、前記パッケージ部の表面および裏面にもさらに
梨地加工が施されている。
【００２７】本発明に係る請求項８記載のダミー半導体
装置は、前記梨地加工がサンドブラスト法によってなさ
れている。
装置は、前記梨地加工がサンドブラスト法によってなさ
れている。
【００２８】
＜実施の形態１＞本発明に係る実施の形態１を図１〜図
５を用いて説明する。まず、本発明に係るダミーの半導
体パッケージを用いた外部リード端子の曲げ加工につい
て説明する。なお、一般に外部リード端子の曲げ加工に
おいては、半導体集積回路の樹脂封止工程が終了した状
態で、半導体パッケージをリードフレームから切り離
し、独立した半導体パッケージに対して成形加工を行う
方法と、リードフレームに接続された状態の半導体パッ
ケージに対して成形加工を行う方法があるが、以下の説
明では、どちらにも限定せず外部リード端子にのみ着目
して説明を行う。
５を用いて説明する。まず、本発明に係るダミーの半導
体パッケージを用いた外部リード端子の曲げ加工につい
て説明する。なお、一般に外部リード端子の曲げ加工に
おいては、半導体集積回路の樹脂封止工程が終了した状
態で、半導体パッケージをリードフレームから切り離
し、独立した半導体パッケージに対して成形加工を行う
方法と、リードフレームに接続された状態の半導体パッ
ケージに対して成形加工を行う方法があるが、以下の説
明では、どちらにも限定せず外部リード端子にのみ着目
して説明を行う。
【００２９】図１に示す工程において、従来からの工程
に従い、成形加工金型の曲げダイ２にセットされた通常
の半導体パッケージの外部リード端子４の曲げ加工が完
了する。外部リード端子４の曲げ加工においては、パン
チ１が外部リード端子４の表面と接触し、外部リード端
子４の表面に施された半田メッキが削り取られ、ヒゲ状
の半田メッキカス５が発生する。そして、削り取られた
半田メッキカス５は成形加工金型の雄金型であるパンチ
１の側面に付着し、パンチ１に付着したまま上昇する。
に従い、成形加工金型の曲げダイ２にセットされた通常
の半導体パッケージの外部リード端子４の曲げ加工が完
了する。外部リード端子４の曲げ加工においては、パン
チ１が外部リード端子４の表面と接触し、外部リード端
子４の表面に施された半田メッキが削り取られ、ヒゲ状
の半田メッキカス５が発生する。そして、削り取られた
半田メッキカス５は成形加工金型の雄金型であるパンチ
１の側面に付着し、パンチ１に付着したまま上昇する。
【００３０】１回のプレス加工により発生する半田メッ
キカス５は小さいが、何回もプレス加工することで大き
く成長する。図１においては、複数回のプレス加工によ
って成長した半田メッキカス５がパンチ１の側面に付着
した状態が示されている。
キカス５は小さいが、何回もプレス加工することで大き
く成長する。図１においては、複数回のプレス加工によ
って成長した半田メッキカス５がパンチ１の側面に付着
した状態が示されている。
【００３１】次に、図２に示す工程において、表面およ
び裏面に梨地加工が施された外部リード端子４１を有す
るダミーの半導体パッケージを、成形加工金型の曲げダ
イ２にセットする。ここで、外部リード端子４１の表面
とは曲げ加工時にパンチ１が接触する方の面である。
び裏面に梨地加工が施された外部リード端子４１を有す
るダミーの半導体パッケージを、成形加工金型の曲げダ
イ２にセットする。ここで、外部リード端子４１の表面
とは曲げ加工時にパンチ１が接触する方の面である。
【００３２】そして、成形加工金型のパンチ１を下降さ
せて、曲げダイ２から突出する外部リード端子４１を押
し曲げる。このとき、半田メッキカス５が側面に付着し
た状態でパンチ１が下降する。
せて、曲げダイ２から突出する外部リード端子４１を押
し曲げる。このとき、半田メッキカス５が側面に付着し
た状態でパンチ１が下降する。
【００３３】図３に示すように、パンチ１と曲げダイ２
との間に外部リード端子４１が挟まれた状態になると成
形が完了する。ここで、パンチ１の側面に付着した半田
メッキカス５は、パンチ１の下降に伴って外部リード端
子４１の表面の梨地加工面に擦り付けられる。梨地加工
とは、表面に機械的または化学処理によって微細な凹凸
を均一に形成することであり、このような面に擦り付け
られた半田メッキカス５は、凹凸に付着し、パンチ１の
側面から剥離することになる。
との間に外部リード端子４１が挟まれた状態になると成
形が完了する。ここで、パンチ１の側面に付着した半田
メッキカス５は、パンチ１の下降に伴って外部リード端
子４１の表面の梨地加工面に擦り付けられる。梨地加工
とは、表面に機械的または化学処理によって微細な凹凸
を均一に形成することであり、このような面に擦り付け
られた半田メッキカス５は、凹凸に付着し、パンチ１の
側面から剥離することになる。
【００３４】なお、外部リード端子４１の梨地加工は、
外装メッキが施される前の状態にある外部リード端子４
１に対して、圧縮空気または遠心力などで、砂または粒
状の研磨材を表面に吹き付けるサンドブラスト法によっ
てなされる。
外装メッキが施される前の状態にある外部リード端子４
１に対して、圧縮空気または遠心力などで、砂または粒
状の研磨材を表面に吹き付けるサンドブラスト法によっ
てなされる。
【００３５】そして、図４に示す工程においてパンチ１
が上昇するが、半田メッキカス５はパンチ１の表面より
も摩擦係数の大きな外部リード端子４１の表面に付着し
ているので、パンチ１の表面に再付着することはなく、
半田メッキカス５が完全に除去された状態でパンチ１が
上昇する。
が上昇するが、半田メッキカス５はパンチ１の表面より
も摩擦係数の大きな外部リード端子４１の表面に付着し
ているので、パンチ１の表面に再付着することはなく、
半田メッキカス５が完全に除去された状態でパンチ１が
上昇する。
【００３６】そして、ダミーの半導体パッケージを取り
外すことで、半田メッキカス５が成形加工金型から除去
されることになる。なお、梨地加工は外部リード端子４
１の表面および裏面に施されているので、曲げダイ２の
表面上に半田メッキカス５が付着していた場合でも、そ
の半田メッキカス５を除去することができる。
外すことで、半田メッキカス５が成形加工金型から除去
されることになる。なお、梨地加工は外部リード端子４
１の表面および裏面に施されているので、曲げダイ２の
表面上に半田メッキカス５が付着していた場合でも、そ
の半田メッキカス５を除去することができる。
【００３７】図５に、外部リード端子４１の曲げ加工が
終了した、ダミーの半導体パッケージの外観を示す。図
５において、半導体集積回路が樹脂等によって封止され
たパッケージ部３の対向する２辺から、表面および裏面
に梨地加工が施された外部リード端子４１が延在してお
り、当該外部リード端子４１は曲げ加工されている。そ
して、外部リード端子４１の幾つかには、半田メッキカ
ス５が付着している。
終了した、ダミーの半導体パッケージの外観を示す。図
５において、半導体集積回路が樹脂等によって封止され
たパッケージ部３の対向する２辺から、表面および裏面
に梨地加工が施された外部リード端子４１が延在してお
り、当該外部リード端子４１は曲げ加工されている。そ
して、外部リード端子４１の幾つかには、半田メッキカ
ス５が付着している。
【００３８】なお、リードフレームから独立した半導体
パッケージに対して外部リード端子の成形加工を行う方
法においては、外部リード端子４１の曲げ加工が終了し
た段階で、図５に示すようなダミーの半導体パッケージ
が得られるが、リードフレームに接続された状態の半導
体パッケージに対して成形加工を行う方法では、外部リ
ード端子４１の曲げ加工が終了した段階では、ダミーの
半導体パッケージの周囲にはリードフレーム（この場合
はダミーのリードフレーム）のフレーム本体が接続され
た状態にあり、フレーム本体を切除しなければ図５に示
すようなダミーの半導体パッケージは得られない。しか
し、ダミーの半導体パッケージの目的は、外部リード端
子４１の曲げ加工が終了した時点で達成されており、フ
レーム本体を切除してダミーの半導体パッケージを切り
離す必要はない。
パッケージに対して外部リード端子の成形加工を行う方
法においては、外部リード端子４１の曲げ加工が終了し
た段階で、図５に示すようなダミーの半導体パッケージ
が得られるが、リードフレームに接続された状態の半導
体パッケージに対して成形加工を行う方法では、外部リ
ード端子４１の曲げ加工が終了した段階では、ダミーの
半導体パッケージの周囲にはリードフレーム（この場合
はダミーのリードフレーム）のフレーム本体が接続され
た状態にあり、フレーム本体を切除しなければ図５に示
すようなダミーの半導体パッケージは得られない。しか
し、ダミーの半導体パッケージの目的は、外部リード端
子４１の曲げ加工が終了した時点で達成されており、フ
レーム本体を切除してダミーの半導体パッケージを切り
離す必要はない。
【００３９】ここで、ダミーの半導体パッケージを成形
加工金型にセットする頻度は、半田メッキカス５の発生
状態によって異なるが、１ロットに１〜４回程度であ
る。例えば、１ロット当りの半導体パッケージの加工個
数が１００個であるとすれば、１ロットに１回の頻度と
は、通常の半導体パッケージを１００個加工するごとに
ダミーの半導体パッケージを成形加工金型にセットする
ことになり、１ロットに２回の頻度とは、通常の半導体
パッケージを５０個加工するごとにダミーの半導体パッ
ケージを成形加工金型にセットすることになる。
加工金型にセットする頻度は、半田メッキカス５の発生
状態によって異なるが、１ロットに１〜４回程度であ
る。例えば、１ロット当りの半導体パッケージの加工個
数が１００個であるとすれば、１ロットに１回の頻度と
は、通常の半導体パッケージを１００個加工するごとに
ダミーの半導体パッケージを成形加工金型にセットする
ことになり、１ロットに２回の頻度とは、通常の半導体
パッケージを５０個加工するごとにダミーの半導体パッ
ケージを成形加工金型にセットすることになる。
【００４０】なお、半田メッキカス５の発生状態によっ
ては、ダミーの半導体パッケージを成形加工金型にセッ
トする頻度を増やしても良いことは言うまでもない。
ては、ダミーの半導体パッケージを成形加工金型にセッ
トする頻度を増やしても良いことは言うまでもない。
【００４１】以上説明したように、梨地加工を施した外
部リード端子４１を有するダミーの半導体パッケージ
を、通常の半導体パッケージに代えて成形加工金型の曲
げダイ２にセットし、曲げ加工を施すことでパンチ１の
側面に付着した半田メッキカス５を摩擦により完全に除
去することができる。
部リード端子４１を有するダミーの半導体パッケージ
を、通常の半導体パッケージに代えて成形加工金型の曲
げダイ２にセットし、曲げ加工を施すことでパンチ１の
側面に付着した半田メッキカス５を摩擦により完全に除
去することができる。
【００４２】そして、梨地加工が施された外部リード端
子４１は一目で通常の半導体パッケージの外部リード端
子４との区別が付き、通常の半導体パッケージに混ざっ
て、ダミーの半導体パッケージが出荷されることが確実
に防止される。
子４１は一目で通常の半導体パッケージの外部リード端
子４との区別が付き、通常の半導体パッケージに混ざっ
て、ダミーの半導体パッケージが出荷されることが確実
に防止される。
【００４３】また、サンドブラスト法による梨地加工
は、外部リード端子にＡｇメッキを施す従来のダミーの
半導体パッケージに比べてコスト的に安価であり、約５
分の１以下のコストで製造することができる。
は、外部リード端子にＡｇメッキを施す従来のダミーの
半導体パッケージに比べてコスト的に安価であり、約５
分の１以下のコストで製造することができる。
【００４４】さらに、研磨材の種類を変更することで、
梨地加工面の状態を容易に変更でき、半田メッキカス５
の付着性能に問題がある場合は、梨地加工面の状態を種
々に変更して、半田メッキカス５の付着に最適の梨地加
工面を容易に得ることができる。
梨地加工面の状態を容易に変更でき、半田メッキカス５
の付着性能に問題がある場合は、梨地加工面の状態を種
々に変更して、半田メッキカス５の付着に最適の梨地加
工面を容易に得ることができる。
【００４５】＜実施の形態２＞本発明に係る実施の形態
２として、梨地加工が施された外部リード端子４１を有
するダミーの半導体パッケージの他の構成例について説
明する。
２として、梨地加工が施された外部リード端子４１を有
するダミーの半導体パッケージの他の構成例について説
明する。
【００４６】図６は実施の形態１において説明したダミ
ーの半導体パッケージが、ダミーリードフレーム８に組
み込まれている状態を示す平面図である。ダミーリード
フレーム８においてはハッチングで示すように、外部リ
ード端子４１のみに梨地加工が施されている。このよう
な構成により、梨地加工を施す面積が少なくなるので、
工程が複雑な梨地加工法を使用する場合に、ダミーの半
導体装置の製造にかかるコストが低減する。
ーの半導体パッケージが、ダミーリードフレーム８に組
み込まれている状態を示す平面図である。ダミーリード
フレーム８においてはハッチングで示すように、外部リ
ード端子４１のみに梨地加工が施されている。このよう
な構成により、梨地加工を施す面積が少なくなるので、
工程が複雑な梨地加工法を使用する場合に、ダミーの半
導体装置の製造にかかるコストが低減する。
【００４７】これに対して、本発明に係る実施の形態２
として、図７にダミーリードフレーム９の平面図を示
す。ダミーリードフレーム９においては、ハッチングで
示すように、外部リード端子４１以外に、リードフレー
ムのフレーム本体ＦＲ、および樹脂等によって形成され
たパッケージ部３についても梨地加工が施されている。
として、図７にダミーリードフレーム９の平面図を示
す。ダミーリードフレーム９においては、ハッチングで
示すように、外部リード端子４１以外に、リードフレー
ムのフレーム本体ＦＲ、および樹脂等によって形成され
たパッケージ部３についても梨地加工が施されている。
【００４８】なお、先に説明したように、半導体パッケ
ージをリードフレームから切り離し、独立した半導体パ
ッケージの外部リード端子の曲げ加工を行う場合には、
ダミーリードフレーム８および９から、パッケージ部３
および外部リード端子４１を切り離すとともに、外部リ
ード端子４１間を接続するタイバーＴＢも切除する。
ージをリードフレームから切り離し、独立した半導体パ
ッケージの外部リード端子の曲げ加工を行う場合には、
ダミーリードフレーム８および９から、パッケージ部３
および外部リード端子４１を切り離すとともに、外部リ
ード端子４１間を接続するタイバーＴＢも切除する。
【００４９】また、リードフレームに接続された状態で
半導体パッケージの外部リード端子の曲げ加工を行う場
合には、ダミーリードフレーム８および９のフレーム本
体ＦＲと外部リード端子４１との接続部を切断するとと
もに、外部リード端子４１間を接続するタイバーＴＢを
切除する必要がある。
半導体パッケージの外部リード端子の曲げ加工を行う場
合には、ダミーリードフレーム８および９のフレーム本
体ＦＲと外部リード端子４１との接続部を切断するとと
もに、外部リード端子４１間を接続するタイバーＴＢを
切除する必要がある。
【００５０】半田メッキカス５を除去するという目的を
達成するには、外部リード端子４１のみに梨地加工が施
されていれば十分であるが、その他の部分に梨地加工が
施されていても支障はない。そして、サンドブラスト法
による梨地加工は、加工面積が多少増えたとしても、加
工時間はさして増加しない。逆に、外部リード端子４１
以外の部分に梨地加工を施さないようにするには、当該
部分を保護するためにマスキングする必要があり、それ
に費やす時間の方が長くなってしまう。
達成するには、外部リード端子４１のみに梨地加工が施
されていれば十分であるが、その他の部分に梨地加工が
施されていても支障はない。そして、サンドブラスト法
による梨地加工は、加工面積が多少増えたとしても、加
工時間はさして増加しない。逆に、外部リード端子４１
以外の部分に梨地加工を施さないようにするには、当該
部分を保護するためにマスキングする必要があり、それ
に費やす時間の方が長くなってしまう。
【００５１】従って、図７に示すように、フレーム本体
ＦＲを含めて、全てを梨地加工することによりダミーの
半導体パッケージの製造工程を簡略化でき、ダミーの半
導体パッケージの製造にかかるコストをさらに低減する
ことができる。
ＦＲを含めて、全てを梨地加工することによりダミーの
半導体パッケージの製造工程を簡略化でき、ダミーの半
導体パッケージの製造にかかるコストをさらに低減する
ことができる。
【００５２】＜実施の形態の変形例＞以上説明した本発
明に係る実施の形態１および２においては、外部リード
端子の表面および裏面をサンドブラスト法によって梨地
加工した例について説明したが、梨地加工を施すにはサ
ンドブラスト法に限られず、パンチ１に付着した半田メ
ッキカス５を剥離して除去できるような梨地加工を施せ
るのであれば何でも良い。
明に係る実施の形態１および２においては、外部リード
端子の表面および裏面をサンドブラスト法によって梨地
加工した例について説明したが、梨地加工を施すにはサ
ンドブラスト法に限られず、パンチ１に付着した半田メ
ッキカス５を剥離して除去できるような梨地加工を施せ
るのであれば何でも良い。
【００５３】例えば、金型によるプレス加工によりＶノ
ッチの溝を形成する方法や、放電加工や切削加工により
溝を形成する方法や、ヤスリや刃物等を用いてリード端
子の表面を粗くしたり、所定の形状の溝が形成されるよ
うにマスキングし、化学処理によるエッチングにより溝
を形成する方法などを使用して梨地加工を施しても良
い。
ッチの溝を形成する方法や、放電加工や切削加工により
溝を形成する方法や、ヤスリや刃物等を用いてリード端
子の表面を粗くしたり、所定の形状の溝が形成されるよ
うにマスキングし、化学処理によるエッチングにより溝
を形成する方法などを使用して梨地加工を施しても良
い。
【００５４】また、実施の形態１および２においては、
フラットパック型パッケージとして、パッケージの対向
する２辺から外部リード端子が延在するＳＯＰ（small
outline package）について説明したが、本発明は、パ
ッケージの対向する４辺から外部リード端子が延在する
ＱＦＰ（quad flat package）にも適用できることは言
うまでもない。
フラットパック型パッケージとして、パッケージの対向
する２辺から外部リード端子が延在するＳＯＰ（small
outline package）について説明したが、本発明は、パ
ッケージの対向する４辺から外部リード端子が延在する
ＱＦＰ（quad flat package）にも適用できることは言
うまでもない。
【００５５】
【発明の効果】本発明に係る請求項１記載の半導体装置
の製造方法によれば、リード端子成形工程において、外
部リード端子に施された外装メッキが剥離して発生した
メッキカスが雄金型に付着していた場合であっても、表
面に梨地加工が施された外部リード端子を有したダミー
半導体装置を、半導体装置に代えて成形加工金型にセッ
トし、梨地加工が施された外部リード端子を雄金型によ
って押し曲げることで、メッキカスが摩擦係数の大きな
梨地加工面に付着し、雄金型から確実に除去されること
になる。よって、雄金型から剥離したメッキカスが、製
品となるフラットパック型の半導体装置の外部リード端
子に付着した状態で出荷されることが確実に防止でき
る。
の製造方法によれば、リード端子成形工程において、外
部リード端子に施された外装メッキが剥離して発生した
メッキカスが雄金型に付着していた場合であっても、表
面に梨地加工が施された外部リード端子を有したダミー
半導体装置を、半導体装置に代えて成形加工金型にセッ
トし、梨地加工が施された外部リード端子を雄金型によ
って押し曲げることで、メッキカスが摩擦係数の大きな
梨地加工面に付着し、雄金型から確実に除去されること
になる。よって、雄金型から剥離したメッキカスが、製
品となるフラットパック型の半導体装置の外部リード端
子に付着した状態で出荷されることが確実に防止でき
る。
【００５６】本発明に係る請求項２記載の半導体装置の
製造方法によれば、梨地加工はダミー半導体装置の外部
リード端子の裏面にも施されているので、雄金型以外の
成形加工金型の表面上にメッキカスが付着している場合
でも、そのメッキカスを除去することができ、雄金型か
ら剥離したメッキカスが、製品となるフラットパック型
の半導体装置の外部リード端子の裏面に付着した状態で
出荷されることが防止できる。
製造方法によれば、梨地加工はダミー半導体装置の外部
リード端子の裏面にも施されているので、雄金型以外の
成形加工金型の表面上にメッキカスが付着している場合
でも、そのメッキカスを除去することができ、雄金型か
ら剥離したメッキカスが、製品となるフラットパック型
の半導体装置の外部リード端子の裏面に付着した状態で
出荷されることが防止できる。
【００５７】本発明に係る請求項３記載の半導体装置の
製造方法によれば、梨地加工がダミー半導体装置の外部
リード端子にのみ施されているので、梨地加工を施す面
積が少なく、ダミー半導体装置の製造にかかるコストが
低減して、低コストで半導体装置を製作可能となる。
製造方法によれば、梨地加工がダミー半導体装置の外部
リード端子にのみ施されているので、梨地加工を施す面
積が少なく、ダミー半導体装置の製造にかかるコストが
低減して、低コストで半導体装置を製作可能となる。
【００５８】本発明に係る請求項４記載の半導体装置の
製造方法によれば、梨地加工がダミー半導体装置の外部
リード端子以外の部分にも全て施されているので、その
製造過程において外部リード端子以外の部分をマスキン
グする必要がなくなるので、ダミー半導体装置の製造に
かかるコストが低減して、低コストで半導体装置を製作
可能となる。
製造方法によれば、梨地加工がダミー半導体装置の外部
リード端子以外の部分にも全て施されているので、その
製造過程において外部リード端子以外の部分をマスキン
グする必要がなくなるので、ダミー半導体装置の製造に
かかるコストが低減して、低コストで半導体装置を製作
可能となる。
【００５９】本発明に係る請求項５記載のダミー半導体
装置によれば、少なくとも外部リード端子の表面に梨地
加工が施されているので、製品となるフラットパック型
の半導体装置との区別が容易にでき、製品に混じってダ
ミー半導体装置が出荷されることを防止できる。
装置によれば、少なくとも外部リード端子の表面に梨地
加工が施されているので、製品となるフラットパック型
の半導体装置との区別が容易にでき、製品に混じってダ
ミー半導体装置が出荷されることを防止できる。
【００６０】本発明に係る請求項６記載のダミー半導体
装置によれば、外部リード端子の裏面にも梨地加工が施
されているので、裏面においてもメッキカスを付着させ
ることができ、雄金型以外の成形加工金型の表面上にメ
ッキカスが付着している場合でも、そのメッキカスを除
去することができる。
装置によれば、外部リード端子の裏面にも梨地加工が施
されているので、裏面においてもメッキカスを付着させ
ることができ、雄金型以外の成形加工金型の表面上にメ
ッキカスが付着している場合でも、そのメッキカスを除
去することができる。
【００６１】本発明に係る請求項７記載のダミー半導体
装置によれば、パッケージ部の表面および裏面にもさら
に梨地加工が施されているので、製品となるフラットパ
ック型の半導体装置との区別がさらに容易にでき、製品
に混じってダミー半導体装置が出荷されることをより一
層防止できる。
装置によれば、パッケージ部の表面および裏面にもさら
に梨地加工が施されているので、製品となるフラットパ
ック型の半導体装置との区別がさらに容易にでき、製品
に混じってダミー半導体装置が出荷されることをより一
層防止できる。
【００６２】本発明に係る請求項８記載のダミー半導体
装置によれば、梨地加工が容易に、かつ安価にできる。
また、研磨材の種類を変更することで、梨地加工面の状
態を容易に変更でき、メッキカスの付着性能に問題があ
る場合は、梨地加工面の状態を種々に変更して、メッキ
カスの付着に最適の梨地加工面を容易に得ることができ
る。
装置によれば、梨地加工が容易に、かつ安価にできる。
また、研磨材の種類を変更することで、梨地加工面の状
態を容易に変更でき、メッキカスの付着性能に問題があ
る場合は、梨地加工面の状態を種々に変更して、メッキ
カスの付着に最適の梨地加工面を容易に得ることができ
る。
【図１】 本発明に係る半導体装置の製造方法における
外部リード端子の曲げ加工工程を説明する図である。
外部リード端子の曲げ加工工程を説明する図である。
【図２】 本発明に係る外部リード端子の曲げ加工工程
を説明する図である。
を説明する図である。
【図３】 本発明に係る外部リード端子の曲げ加工工程
を説明する図である。
を説明する図である。
【図４】 本発明に係る外部リード端子の曲げ加工工程
を説明する図である。
を説明する図である。
【図５】 外部リード端子の曲げ加工が終了した、ダミ
ー半導体パッケージの外観を示す斜視図である。
ー半導体パッケージの外観を示す斜視図である。
【図６】 本発明に係る実施の形態１のダミー半導体パ
ッケージを有したダミーリードフレームを示す平面図で
ある。
ッケージを有したダミーリードフレームを示す平面図で
ある。
【図７】 本発明に係る実施の形態２のダミー半導体パ
ッケージを有したダミーリードフレームを示す平面図で
ある。
ッケージを有したダミーリードフレームを示す平面図で
ある。
【図８】 外部リード端子の曲げ加工が終了した、フラ
ットパック型の半導体装置の外観を示す斜視図である。
ットパック型の半導体装置の外観を示す斜視図である。
【図９】 フラットパック型の半導体装置の外部リード
端子の曲げ加工工程を説明する図である。
端子の曲げ加工工程を説明する図である。
【図１０】 フラットパック型の半導体装置の外部リー
ド端子の曲げ加工工程を説明する図である。
ド端子の曲げ加工工程を説明する図である。
【図１１】 フラットパック型の半導体装置の外部リー
ド端子の曲げ加工工程を説明する図である。
ド端子の曲げ加工工程を説明する図である。
【図１２】 フラットパック型の半導体装置の外部リー
ド端子の曲げ加工工程を説明する図である。
ド端子の曲げ加工工程を説明する図である。
【図１３】 フラットパック型の半導体装置の外部リー
ド端子の曲げ加工工程を説明する図である。
ド端子の曲げ加工工程を説明する図である。
【図１４】 フラットパック型の半導体装置の外部リー
ド端子の曲げ加工工程を説明する図である。
ド端子の曲げ加工工程を説明する図である。
【図１５】 フラットパック型の半導体装置の外部リー
ド端子の曲げ加工工程を説明する図である。
ド端子の曲げ加工工程を説明する図である。
１ パンチ、２ 曲げダイ、３ パッケージ部、４ 半
田メッキカス、８，９ダミーリードフレーム、４１ 外
部リード端子。
田メッキカス、８，９ダミーリードフレーム、４１ 外
部リード端子。
Claims (8)
- 【請求項１】 フラットパック型の半導体装置を成形加
工金型にセットし、前記半導体装置の外装メッキが施さ
れた外部リード端子を雄金型によって押し曲げ、所定の
形状に成形するリード端子成形工程を、所定の間隔で供
給される前記半導体装置に対して繰り返す半導体装置の
製造方法において、 前記所定の間隔の合間に、前記雄金型に面する表面に梨
地加工が施された外部リード端子を有したフラットパッ
ク型のダミー半導体装置を、前記半導体装置に代えて前
記成形加工金型にセットし、前記ダミー半導体装置の前
記外部リード端子の前記梨地加工が施された部分を前記
雄金型によって押し曲げることで前記所定の形状に成形
するダミー成形工程を備える半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記ダミー半導体装置の前記外部リード
端子の前記表面とは反対の裏面にも前記梨地加工が施さ
れている請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記梨地加工は、前記ダミー半導体装置
の前記外部リード端子のみに施されている請求項２記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記梨地加工は、前記ダミー半導体装置
の前記外部リード端子以外の部分にも全て施されている
請求項２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
使用されるダミー半導体装置であって、 半導体集積回路を収容する平面視形状が矩形のパッケー
ジ部と、 前記パッケージ部の少なくとも対向する２辺から延在す
る外部リード端子とを有し、 少なくとも前記外部リード端子の前記雄金型に面する表
面に梨地加工が施されていることを特徴とするダミー半
導体装置。 - 【請求項６】 前記ダミー半導体装置の前記外部リード
端子の前記表面とは反対の裏面にも前記梨地加工が施さ
れていることを特徴とする請求項５記載のダミー半導体
装置。 - 【請求項７】 前記パッケージ部の表面および裏面にも
さらに梨地加工が施されていることを特徴とする請求項
６記載のダミー半導体装置。 - 【請求項８】 前記梨地加工はサンドブラスト法によっ
てなされている請求項５〜請求項７のいずれかに記載の
ダミー半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07029196A JP3340305B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 半導体装置の製造方法およびダミー半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07029196A JP3340305B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 半導体装置の製造方法およびダミー半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260563A JPH09260563A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3340305B2 true JP3340305B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=13427237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07029196A Expired - Fee Related JP3340305B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 半導体装置の製造方法およびダミー半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3340305B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102327957A (zh) * | 2011-06-23 | 2012-01-25 | 苏州旭创精密模具有限公司 | 一种生产hdmi精密高清接口端子的冲压方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104124466B (zh) * | 2013-04-26 | 2016-10-26 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 用以成型具有软板电子装置用的双折治具及该机台 |
-
1996
- 1996-03-26 JP JP07029196A patent/JP3340305B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102327957A (zh) * | 2011-06-23 | 2012-01-25 | 苏州旭创精密模具有限公司 | 一种生产hdmi精密高清接口端子的冲压方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09260563A (ja) | 1997-10-03 |
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