JP3326418B2 - 共振型光検出器 - Google Patents
共振型光検出器Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 35
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 8
- 230000006854 communication Effects 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、概略的には、半導
体光検出器に関し、より詳細には、光検出器の活性領域
内で光の共振を生じさせる導波路反射部および半導体反
射部を使用して広範囲の電磁周波数の電気出力を発生さ
せることが可能な共振半導体光検出器に関する。
体光検出器に関し、より詳細には、光検出器の活性領域
内で光の共振を生じさせる導波路反射部および半導体反
射部を使用して広範囲の電磁周波数の電気出力を発生さ
せることが可能な共振半導体光検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報の伝達の主要な手段としての光の伝
送のための種々のシステムにおいて使用されるＰＩＮフ
ォトダイオード等の高周波光検出器は、当該技術におい
て公知となっている。これらのシステムは、高速通信シ
ステム、例えば自動窓口機（ＡＴＭ：ａｕｔｏｍａｔｉ
ｃ ｔｅｌｌｅｒ ｍａｃｈｉｎｅ）、コンピュータネ
ットワークシステムおよびマルチメディアにおける用途
等では特に必要となる。
送のための種々のシステムにおいて使用されるＰＩＮフ
ォトダイオード等の高周波光検出器は、当該技術におい
て公知となっている。これらのシステムは、高速通信シ
ステム、例えば自動窓口機（ＡＴＭ：ａｕｔｏｍａｔｉ
ｃ ｔｅｌｌｅｒ ｍａｃｈｉｎｅ）、コンピュータネ
ットワークシステムおよびマルチメディアにおける用途
等では特に必要となる。
【０００３】光検出器は、光エネルギーを電気エネルギ
ーに変換するために使用される。フォトダイオードは、
通常高速の用途に使用される。高速の用途においては、
光検出器の速度および応答性（ｒｅｓｐｏｎｓｉｖｉｔ
ｙ）が重要である。光ファイバケーブルは、１００ＧＨ
ｚを越える伝送速度を有するが、現在の技術における光
検出器は、４５〜６０ＧＨｚの帯域幅に限定されてい
る。現在、インターネット等のマルチメディアの技術お
よび用途の爆発的な発達により、電気通信業界におい
て、高速のフォトダイオードを備えた光学システム等の
より高い帯域幅のシステムが要求されている。
ーに変換するために使用される。フォトダイオードは、
通常高速の用途に使用される。高速の用途においては、
光検出器の速度および応答性（ｒｅｓｐｏｎｓｉｖｉｔ
ｙ）が重要である。光ファイバケーブルは、１００ＧＨ
ｚを越える伝送速度を有するが、現在の技術における光
検出器は、４５〜６０ＧＨｚの帯域幅に限定されてい
る。現在、インターネット等のマルチメディアの技術お
よび用途の爆発的な発達により、電気通信業界におい
て、高速のフォトダイオードを備えた光学システム等の
より高い帯域幅のシステムが要求されている。
【０００４】通常のフォトダイオードにおいては、活性
な半導体材料は、該活性材料内で光学的に生成された電
子による電流を発生する。応答性および速度は、光検出
器の性能を決定するのに使用することが多い２つの変数
である。応答性は、入射光を出力電流に変換する際のデ
バイスの効率が尺度として用いられ、速度は、デバイス
に対する入力の変化に応答したデバイスの出力の変化の
迅速性が尺度として用いられる。高速通信の用途におい
て、フォトダイオードが効果を発揮するには、優れた応
答性を有し、高速でなければならない。現在の高速フォ
トダイオードは、通常、０．２〜０．４アンペア／ワッ
トの応答性を有し、最高速度は、４５〜６０ＧＨｚであ
る。フォトダイオードの応答性を向上させるために、量
子効率を向上させてより多くの出力電流を生成させるよ
うに活性領域の厚さを増大させることが多い。しかしな
がら、活性領域の厚さが増すほど、伝達時間が長くな
り、速度が低下するという問題が生じる。
な半導体材料は、該活性材料内で光学的に生成された電
子による電流を発生する。応答性および速度は、光検出
器の性能を決定するのに使用することが多い２つの変数
である。応答性は、入射光を出力電流に変換する際のデ
バイスの効率が尺度として用いられ、速度は、デバイス
に対する入力の変化に応答したデバイスの出力の変化の
迅速性が尺度として用いられる。高速通信の用途におい
て、フォトダイオードが効果を発揮するには、優れた応
答性を有し、高速でなければならない。現在の高速フォ
トダイオードは、通常、０．２〜０．４アンペア／ワッ
トの応答性を有し、最高速度は、４５〜６０ＧＨｚであ
る。フォトダイオードの応答性を向上させるために、量
子効率を向上させてより多くの出力電流を生成させるよ
うに活性領域の厚さを増大させることが多い。しかしな
がら、活性領域の厚さが増すほど、伝達時間が長くな
り、速度が低下するという問題が生じる。
【０００５】現在の高速なフォトダイオードの設計にお
いては、量子効率と帯域幅との間にトレードオフが介在
してくる。
いては、量子効率と帯域幅との間にトレードオフが介在
してくる。
【０００６】フォトダイオードを利用した多くの通信の
用途においては、フォトダイオードの活性領域に光を案
内する（導く）ための光学的なカップリング装置がさら
に必要となる。光学的なカップリング装置は入射光を比
較的小さな領域に伝送することが要求されるので、通
常、このタスクを達成するためには多くの部品および材
料が必要となる。光学的カップリング装置においては、
異なる材料及び多くの光学的部品が使用されるため、フ
ォトダイオードの全体的な性能を低下させる大きな光学
的損失がカップリング装置の内部で生じやすい。
用途においては、フォトダイオードの活性領域に光を案
内する（導く）ための光学的なカップリング装置がさら
に必要となる。光学的なカップリング装置は入射光を比
較的小さな領域に伝送することが要求されるので、通
常、このタスクを達成するためには多くの部品および材
料が必要となる。光学的カップリング装置においては、
異なる材料及び多くの光学的部品が使用されるため、フ
ォトダイオードの全体的な性能を低下させる大きな光学
的損失がカップリング装置の内部で生じやすい。
【０００７】現在の技術における光通信システムは、高
速で優れた応答性を有する光検出器を用いることが要求
される極めて高い周波数のキャリアを有している。より
多くの情報への要求が高まると、通信システムはより多
くの情報を送信することが可能であることが要求され、
高速で高い応答性を有する光検出器が必要となる。高周
波数の用途のための公知の光検出器においては、応答性
が低く、限られたハイエンド（ｈｉｇｈ−ｅｎｄ）の周
波数の応答しかできないという制限が存在する。導波路
と反射体との間の複数の反射を利用して高率の応答を生
じさせ高速な光検出器を提供することによって通信シス
テムの効率性が向上することが認められてきている。
速で優れた応答性を有する光検出器を用いることが要求
される極めて高い周波数のキャリアを有している。より
多くの情報への要求が高まると、通信システムはより多
くの情報を送信することが可能であることが要求され、
高速で高い応答性を有する光検出器が必要となる。高周
波数の用途のための公知の光検出器においては、応答性
が低く、限られたハイエンド（ｈｉｇｈ−ｅｎｄ）の周
波数の応答しかできないという制限が存在する。導波路
と反射体との間の複数の反射を利用して高率の応答を生
じさせ高速な光検出器を提供することによって通信シス
テムの効率性が向上することが認められてきている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、通信
プロセスの性能を向上させるため、既存の光検出器に比
較して応答性および速度を向上させるとともに、他の改
良を行った共振型光検出器を提供することである。
プロセスの性能を向上させるため、既存の光検出器に比
較して応答性および速度を向上させるとともに、他の改
良を行った共振型光検出器を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の教示によれば、
光検出器内部で複数の反射を利用して光信号を対応する
電気出力に変換する共振型光検出器アセンブリが開示さ
れる。この共振型光検出器アセンブリは、導波路と、第
１の反射部と、光検出器と、第２の反射部と、支持構造
体とを備えている。
光検出器内部で複数の反射を利用して光信号を対応する
電気出力に変換する共振型光検出器アセンブリが開示さ
れる。この共振型光検出器アセンブリは、導波路と、第
１の反射部と、光検出器と、第２の反射部と、支持構造
体とを備えている。
【００１０】導波路は、光を光源から光検出器に導く経
路となる。導波路は、光源への接続点となる第１の端部
を含む。この単一の要素により、光を光検出器に導くた
めに要求される光学部品の数が少なくなる。導波路は、
光を屈折させて光が導波路から漏れることを阻止して光
を光検出器に伝搬させるクラッディング（ｃｌａｄｄｉ
ｎｇ）層をさらに含む。第１の反射部および第２の反射
部は、光検出器を介して伝搬される光を複数回反射させ
る。光検出器内部での複数回の反射を利用することによ
り、より薄い活性領域を光検出器内で用いることが可能
となる。薄い活性領域は、高速動作に要求され、この活
性層を介した複数回の反射を利用することにより、高速
となる一方、動作効率を維持または向上させることが可
能となる。
路となる。導波路は、光源への接続点となる第１の端部
を含む。この単一の要素により、光を光検出器に導くた
めに要求される光学部品の数が少なくなる。導波路は、
光を屈折させて光が導波路から漏れることを阻止して光
を光検出器に伝搬させるクラッディング（ｃｌａｄｄｉ
ｎｇ）層をさらに含む。第１の反射部および第２の反射
部は、光検出器を介して伝搬される光を複数回反射させ
る。光検出器内部での複数回の反射を利用することによ
り、より薄い活性領域を光検出器内で用いることが可能
となる。薄い活性領域は、高速動作に要求され、この活
性層を介した複数回の反射を利用することにより、高速
となる一方、動作効率を維持または向上させることが可
能となる。
【００１１】本発明のさらなる目的、利点および特徴
は、添付の図面と併せて以下の説明および請求項を検討
することによって明らかになるであろう。
は、添付の図面と併せて以下の説明および請求項を検討
することによって明らかになるであろう。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下の共振光検出器アセンブリに
関する本発明の好ましい実施の形態の説明は、本質的に
例示のために行われているに過ぎず、本発明またはその
用途および使用に対して限定するように意図されたもの
ではない。例として、本発明の共振光検出器アセンブリ
は、モノリシック・マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）に
関連して説明されている。しかしながら、本発明の共振
光検出器は、他のタイプの光検出器または関連する回路
のための用途にも使用可能である。
関する本発明の好ましい実施の形態の説明は、本質的に
例示のために行われているに過ぎず、本発明またはその
用途および使用に対して限定するように意図されたもの
ではない。例として、本発明の共振光検出器アセンブリ
は、モノリシック・マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）に
関連して説明されている。しかしながら、本発明の共振
光検出器は、他のタイプの光検出器または関連する回路
のための用途にも使用可能である。
【００１３】図１は、共振光検出器アセンブリ１０の断
面図を示し、図２は、該共振光検出器アセンブリ１０の
平面図を示している。共振光検出器アセンブリ１０は、
基板（サブストレート）層１４、バッファ層１６および
ストップエッチ（ｓｔｏｐｅｔｃｈ）層５２を含む半導
体支持構造体１２を形成する半導体層の組合せである。
以下に説明するように、光検出器２０および導波路２２
は、他の半導体層と共に、支持構造体１２の上に形成さ
れている。導波路２２によって集められた光は、電気信
号への変換が行われる光検出器２０に指向される。次
に、電気信号は、ＭＭＩＣ１８に伝送されるが、該ＭＭ
ＩＣ１８において、この信号によって種々の動作が行わ
れることは、当業者には理解されることであろう。ＭＭ
ＩＣ１８の半導体層は、構造体１２の一部を形成する。
面図を示し、図２は、該共振光検出器アセンブリ１０の
平面図を示している。共振光検出器アセンブリ１０は、
基板（サブストレート）層１４、バッファ層１６および
ストップエッチ（ｓｔｏｐｅｔｃｈ）層５２を含む半導
体支持構造体１２を形成する半導体層の組合せである。
以下に説明するように、光検出器２０および導波路２２
は、他の半導体層と共に、支持構造体１２の上に形成さ
れている。導波路２２によって集められた光は、電気信
号への変換が行われる光検出器２０に指向される。次
に、電気信号は、ＭＭＩＣ１８に伝送されるが、該ＭＭ
ＩＣ１８において、この信号によって種々の動作が行わ
れることは、当業者には理解されることであろう。ＭＭ
ＩＣ１８の半導体層は、構造体１２の一部を形成する。
【００１４】導波路２２は、上側導波路クラッディング
層２８および下側導波路クラッディング層２４に挟まれ
た活性層２６を含む。導波路２２の第１の端部３０は、
光源（図示せず）から検出された光を受け取る。光は、
クラッディング層２４および２８によって反射されて活
性層２６の経路を通って導波路反射体３２を形成（画
定）する導波路２２の反射性の第２の端部５０に達す
る。実施の形態の１つにおいては、第１の端部３０は、
基板層１４と垂直な直線に対して８度の角度を付けられ
るように形成され、第２の端部５０は、基板層１４と平
行な直線に対して３６度〜５３度の角度が付けられるよ
うに形成される。他の適切な角度を用いることも可能で
あることが当業者に理解されよう。
層２８および下側導波路クラッディング層２４に挟まれ
た活性層２６を含む。導波路２２の第１の端部３０は、
光源（図示せず）から検出された光を受け取る。光は、
クラッディング層２４および２８によって反射されて活
性層２６の経路を通って導波路反射体３２を形成（画
定）する導波路２２の反射性の第２の端部５０に達す
る。実施の形態の１つにおいては、第１の端部３０は、
基板層１４と垂直な直線に対して８度の角度を付けられ
るように形成され、第２の端部５０は、基板層１４と平
行な直線に対して３６度〜５３度の角度が付けられるよ
うに形成される。他の適切な角度を用いることも可能で
あることが当業者に理解されよう。
【００１５】実施の形態の１つにおいては、導波路の活
性層２６は、ＩｎＧａＡｓＰ（インジウム・ガリウム・
ヒ素・リン）から構成され、導波路のクラッディング層
２４および２８の両者は、ＩｎＰから構成される。しか
しながら、光の伝搬に適切な他の半導体材料を用いるこ
とも可能であることが当業者に理解されよう。導波路の
活性層２６は、広いスペクトルの光を透過させる。第１
の端部３０は、非反射性の誘電材料で被覆されており、
光源から入射した光が第１の端部３０で反射しないよう
になっている。反射部３２は、高い反射性を有する金で
被覆されるか、または他の高い反射性を有する材料で被
覆され、導波路の活性層２６からの光を光検出器２０に
反射する。
性層２６は、ＩｎＧａＡｓＰ（インジウム・ガリウム・
ヒ素・リン）から構成され、導波路のクラッディング層
２４および２８の両者は、ＩｎＰから構成される。しか
しながら、光の伝搬に適切な他の半導体材料を用いるこ
とも可能であることが当業者に理解されよう。導波路の
活性層２６は、広いスペクトルの光を透過させる。第１
の端部３０は、非反射性の誘電材料で被覆されており、
光源から入射した光が第１の端部３０で反射しないよう
になっている。反射部３２は、高い反射性を有する金で
被覆されるか、または他の高い反射性を有する材料で被
覆され、導波路の活性層２６からの光を光検出器２０に
反射する。
【００１６】光検出器２０は、半導体反射層３８の上側
に位置する光検出器活性層３６を含む。ｐコンタクト
（ｃｏｎｔａｃｔ）層３４は、光検出器２０の最上層で
あり、導波路２６と検出器活性層３６との間に位置す
る。ｎコンタクト層４２は、光検出器２０の最下層であ
り、半導体反射層３８とストップエッチ層５２との間に
位置する。導波路２２からの光は、反射部３２によって
光検出器２０の内部に反射される。光検出器活性層３６
は、該光検出器活性層３６を通過する大部分の光を吸収
し、吸収した光を電気信号に変換する。光検出器活性層
３６によって変換されなかった光は、半導体反射層３８
によって反射されて光検出器活性層３６に戻り、次の機
会に吸収される。吸収されない光は、半導体反射層３８
と導波路２２の反射部３２との間を、最終的に光検出器
活性層３６によって吸収されるまで反射される。
に位置する光検出器活性層３６を含む。ｐコンタクト
（ｃｏｎｔａｃｔ）層３４は、光検出器２０の最上層で
あり、導波路２６と検出器活性層３６との間に位置す
る。ｎコンタクト層４２は、光検出器２０の最下層であ
り、半導体反射層３８とストップエッチ層５２との間に
位置する。導波路２２からの光は、反射部３２によって
光検出器２０の内部に反射される。光検出器活性層３６
は、該光検出器活性層３６を通過する大部分の光を吸収
し、吸収した光を電気信号に変換する。光検出器活性層
３６によって変換されなかった光は、半導体反射層３８
によって反射されて光検出器活性層３６に戻り、次の機
会に吸収される。吸収されない光は、半導体反射層３８
と導波路２２の反射部３２との間を、最終的に光検出器
活性層３６によって吸収されるまで反射される。
【００１７】共振光検出器アセンブリ１０によって光の
入力を最大限に利用するために、従来技術において既知
の典型的な光検出器よりも、光を電流に変換する光検出
器活性層３６を非常に薄くすることが要求される。本発
明の実施の形態の１つにおいては、光検出器活性層３６
の面積は約９μｍ2である。活性領域を小さくすること
によって光検出器の速度が向上する。従来技術において
公知の光検出器の最大応答は、０．２〜０．４アンペア
／ワットであるが、本発明のこの実施の形態において
は、光検出器２０の応答性は約１アンペア／ワットにな
っている。光検出器２０は、光を１００ＧＨｚよりも広
い帯域幅で変換することが可能である。従来技術におい
て既知の通常の光検出器は、４５〜６０ＧＨｚの帯域幅
の光しか変換することができない。
入力を最大限に利用するために、従来技術において既知
の典型的な光検出器よりも、光を電流に変換する光検出
器活性層３６を非常に薄くすることが要求される。本発
明の実施の形態の１つにおいては、光検出器活性層３６
の面積は約９μｍ2である。活性領域を小さくすること
によって光検出器の速度が向上する。従来技術において
公知の光検出器の最大応答は、０．２〜０．４アンペア
／ワットであるが、本発明のこの実施の形態において
は、光検出器２０の応答性は約１アンペア／ワットにな
っている。光検出器２０は、光を１００ＧＨｚよりも広
い帯域幅で変換することが可能である。従来技術におい
て既知の通常の光検出器は、４５〜６０ＧＨｚの帯域幅
の光しか変換することができない。
【００１８】実施の形態の１つにおいては、光検出器２
０は、ＰＩＮ型のフォトダイオードであるが、他の型の
光検出器を用いることも可能である。光検出器活性層３
６は、少量のｐドープを行ったＩｎＧａＡｓ層、イント
リンシック（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）ＩｎＧａＡｓ層およ
びドリフト電流を低減させるためのドープされていない
ＩｎＰ層の３つの層から構成される。半導体反射層３８
は、ブラッグ反射体（Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏ
ｒ）であり、ｎドープを行ったＧａＰおよびＧａＩｎＰ
層が交互に配置された一連の層である。最大限の反射性
を得るために、半導体反射部３８は、交互に配置された
３６個の層を有する。しかしながら、異なる材料や異な
る数の層を使用することも可能である。
０は、ＰＩＮ型のフォトダイオードであるが、他の型の
光検出器を用いることも可能である。光検出器活性層３
６は、少量のｐドープを行ったＩｎＧａＡｓ層、イント
リンシック（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）ＩｎＧａＡｓ層およ
びドリフト電流を低減させるためのドープされていない
ＩｎＰ層の３つの層から構成される。半導体反射層３８
は、ブラッグ反射体（Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏ
ｒ）であり、ｎドープを行ったＧａＰおよびＧａＩｎＰ
層が交互に配置された一連の層である。最大限の反射性
を得るために、半導体反射部３８は、交互に配置された
３６個の層を有する。しかしながら、異なる材料や異な
る数の層を使用することも可能である。
【００１９】実施の形態の１つにおいては、ｐコンタク
ト層３４は、多量のｐドープを行ったＩｎＧａＡｓ層で
あり、ｎコンタクト層４２は、多量のｎドープを行った
ＩｎＰ層である。図２を参照すると、ｎコンタクト５４
およびそれに関連する金属部材によって、共振光検出器
１０の上に、隆起した光検出器構造を包囲する層が形成
される。ｐコンタクト４６は、光検出器２０の隆起した
部分に位置し、金のエアブリッジ４８は、光検出器２０
上のｐコンタクト層３４と光検出器２０の隆起した部分
の上のｐコンタクト４６とを接続する。ｎコンタクト４
４は、ｐコンタクト４６と共に動作し、光検出器２０の
電気出力をＭＭＩＣ１８に導通させる。
ト層３４は、多量のｐドープを行ったＩｎＧａＡｓ層で
あり、ｎコンタクト層４２は、多量のｎドープを行った
ＩｎＰ層である。図２を参照すると、ｎコンタクト５４
およびそれに関連する金属部材によって、共振光検出器
１０の上に、隆起した光検出器構造を包囲する層が形成
される。ｐコンタクト４６は、光検出器２０の隆起した
部分に位置し、金のエアブリッジ４８は、光検出器２０
上のｐコンタクト層３４と光検出器２０の隆起した部分
の上のｐコンタクト４６とを接続する。ｎコンタクト４
４は、ｐコンタクト４６と共に動作し、光検出器２０の
電気出力をＭＭＩＣ１８に導通させる。
【００２０】ストップエッチ層５２は、光検出器２０の
Ｎコンタクト４４の直ぐ下に位置する。本発明の実施の
形態の１つにおいては、ストップエッチ層５２は、４元
のＩｎＧａＡｓＰから形成される。ＭＭＩＣ１８は、ス
トップエッチ層５２の直ぐ下に位置し、複数の層から構
成される。ＭＭＩＣ１８は、従来の技術において公知と
なっており、好ましい実施の形態におけるＭＭＩＣ１８
は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）から構成さ
れている。バッファ層１６は、ＭＭＩＣ１８を形成する
層の直ぐ下に位置し、ＩｎＰから形成される。基板１４
は、バッファ層１６の直ぐ下に位置し、半絶縁性のＩｎ
Ｐから形成される。
Ｎコンタクト４４の直ぐ下に位置する。本発明の実施の
形態の１つにおいては、ストップエッチ層５２は、４元
のＩｎＧａＡｓＰから形成される。ＭＭＩＣ１８は、ス
トップエッチ層５２の直ぐ下に位置し、複数の層から構
成される。ＭＭＩＣ１８は、従来の技術において公知と
なっており、好ましい実施の形態におけるＭＭＩＣ１８
は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）から構成さ
れている。バッファ層１６は、ＭＭＩＣ１８を形成する
層の直ぐ下に位置し、ＩｎＰから形成される。基板１４
は、バッファ層１６の直ぐ下に位置し、半絶縁性のＩｎ
Ｐから形成される。
【００２１】共振光検出器アセンブリ１０の形成方法
は、従来の製造技術に従ったものである。実施の形態の
一つによれば、本アセンブリの半導体の層の製造方法
は、１μｍの厚さを有する多量のｎドープを行ったＩｎ
Ｐからなるｎコンタクト層４２を形成するステップと、
所望の反射性を得るために層の厚さと数が選択された多
数のｎドープを行った層を有する半導体反射層３８を形
成するステップと、０．２μｍ〜５μｍの厚さを有する
ドープされていないＩｎＰ層と１００Å〜１４０Åの
（臨界的）厚さを有するイントリンシックＩｎＧａＡｓ
層と約１μｍの厚さを有するｐドープを行ったＩｎＧａ
Ａｓ層とを含んだ光検出器活性層３６を形成するステッ
プと、約０．２μｍの厚さを有する多量のｐドープを行
ったＩｎＧａＡｓの光検出器ｐコンタクト層３４を形成
するステップと、約３μｍの厚さを有するドープされて
いないＩｎＰの導波路クラッディング層２４を形成する
ステップと、約４μｍの厚さを有するドープされていな
いＩｎＧａＡｓからなる導波路活性層２６を形成するス
テップと、約３μｍの厚さを有するドープされていない
ＩｎＰからなる導波路クラッディング層２８を形成する
ステップとを有する。
は、従来の製造技術に従ったものである。実施の形態の
一つによれば、本アセンブリの半導体の層の製造方法
は、１μｍの厚さを有する多量のｎドープを行ったＩｎ
Ｐからなるｎコンタクト層４２を形成するステップと、
所望の反射性を得るために層の厚さと数が選択された多
数のｎドープを行った層を有する半導体反射層３８を形
成するステップと、０．２μｍ〜５μｍの厚さを有する
ドープされていないＩｎＰ層と１００Å〜１４０Åの
（臨界的）厚さを有するイントリンシックＩｎＧａＡｓ
層と約１μｍの厚さを有するｐドープを行ったＩｎＧａ
Ａｓ層とを含んだ光検出器活性層３６を形成するステッ
プと、約０．２μｍの厚さを有する多量のｐドープを行
ったＩｎＧａＡｓの光検出器ｐコンタクト層３４を形成
するステップと、約３μｍの厚さを有するドープされて
いないＩｎＰの導波路クラッディング層２４を形成する
ステップと、約４μｍの厚さを有するドープされていな
いＩｎＧａＡｓからなる導波路活性層２６を形成するス
テップと、約３μｍの厚さを有するドープされていない
ＩｎＰからなる導波路クラッディング層２８を形成する
ステップとを有する。
【００２２】共振光検出器アセンブリ１０に要求された
層を成長させた後、その結果の構造体に対して従来技術
による必要な構造体を形成するための処理が施される。
これらのステップは、フォトリソグラフィおよびウエッ
ト・ケミカル・エッチング技術を用いて導波路２２の第
２の端部５０の角度を形成するステップと、フォトリソ
グラフィおよびドライエッチング技術を用いて導波路２
２を形成するステップと、選択的ウエットエッチングを
行う技術を用いて光検出器２０を形成するステップと、
エアブリッジ４８を含みｐコンタクト４６およびｎコン
タクト４４との相互接続部を組み立てるステップと、高
い反射性を有する被覆を導波路２２の第２の端部５０に
施して反射部３２を形成するステップと、劈開（クリー
ブ：ｃｌｅａｖｅ）及びラップ（ｌａｐ）仕上げエッジ
を有する導波路２２の第１の端部３０の角度を形成し、
導波路２２の第１の端部３０を反射性を有さない誘電材
料で被覆するステップとを有する。
層を成長させた後、その結果の構造体に対して従来技術
による必要な構造体を形成するための処理が施される。
これらのステップは、フォトリソグラフィおよびウエッ
ト・ケミカル・エッチング技術を用いて導波路２２の第
２の端部５０の角度を形成するステップと、フォトリソ
グラフィおよびドライエッチング技術を用いて導波路２
２を形成するステップと、選択的ウエットエッチングを
行う技術を用いて光検出器２０を形成するステップと、
エアブリッジ４８を含みｐコンタクト４６およびｎコン
タクト４４との相互接続部を組み立てるステップと、高
い反射性を有する被覆を導波路２２の第２の端部５０に
施して反射部３２を形成するステップと、劈開（クリー
ブ：ｃｌｅａｖｅ）及びラップ（ｌａｐ）仕上げエッジ
を有する導波路２２の第１の端部３０の角度を形成し、
導波路２２の第１の端部３０を反射性を有さない誘電材
料で被覆するステップとを有する。
【００２３】上述の説明は、単に本発明の実施の形態を
例示として開示しているに過ぎない。請求項に規定され
た本発明の要旨および範囲を逸脱することなく、種々の
変更、改変、およびバリエーションを加えることが可能
なことは、前述の説明、添付の図面および請求項の記載
によって当業者には容易に理解されるであろう。
例示として開示しているに過ぎない。請求項に規定され
た本発明の要旨および範囲を逸脱することなく、種々の
変更、改変、およびバリエーションを加えることが可能
なことは、前述の説明、添付の図面および請求項の記載
によって当業者には容易に理解されるであろう。
【図１】本発明の共振光検出器の１つの好ましい実施の
形態の断面図である。
形態の断面図である。
【図２】本発明の共振光検出器の１つの好ましい実施の
形態の平面図である。
形態の平面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エドワード・エイ・レゼク アメリカ合衆国カリフォルニア州90505, トーランス，パセオ・トーチュガス 4720 (72)発明者 エリック・アール・アンダーソン アメリカ合衆国カリフォルニア州90278, リダンド・ビーチ，フィスク・レーン 2515 (72)発明者 ウィリアム・エル・ジョーンズ アメリカ合衆国カリフォルニア州90302, イングルウッド，コリー・ドライブ 730 (56)参考文献 特開 平２−72679（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−30581（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−261809（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−120552（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−32102（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−198829（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−284219（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/10 - 31/119
Claims (18)
- 【請求項１】 基板と、 光が電気出力に変換される光検出器活性層を含む複数の
概ね平面状の半導体層を有し、第１の電気的コンタクト
層と第２の電気的コンタクト層とを有し前記基板の上に
位置する光検出器と、 一対の導波路クラッディング層の間に位置した導波路活
性層を有し、前記光を受け取る第１の端部と前記光を前
記光検出器に向ける第２の端部とを有する導波路と、を
備え前記光検出器が、前記導波路からの前記光を反射す
る第１の反射部を備え、前記第１の反射部が前記光検出
器の前記導波路と反対側に位置して前記導波路からの光
が前記第１の反射部によって反射される前に前記光検出
器活性層を通って伝搬する、共振光検出器アセンブリ。 - 【請求項２】 前記導波路が、前記導波路活性層に対し
て角度を付けられた前記導波路の前記第２の端部に位置
した第２の反射部を含み、該第２の反射部が前記導波路
活性層の前記第１の端部によって受け取られた前記光を
前記光検出器に向かって反射する、請求項１記載の共振
光検出器アセンブリ。 - 【請求項３】 前記第１の反射部が、交互に配置された
半導体の一連の層を含むブラッグ反射体である請求項１
記載の共振光検出器アセンブリ。 - 【請求項４】 前記導波路の前記第１の端部が、前記導
波路活性層に垂直な線に対して角度をつけられるように
構成され、前記光の光源に面した誘電材料の非反射性の
被覆をさらに含む請求項１記載の共振光検出器アセンブ
リ。 - 【請求項５】 前記一対の導波路クラッディング層がＩ
ｎＰから形成され、前記導波路活性層がＩｎＧａＡｓＰ
から形成され、前記導波路の第１の端部が劈開されエッ
ジがラップ及び研磨されている、請求項１記載の共振光
検出器アセンブリ。 - 【請求項６】 前記光検出器活性層が、前記第１の電気
的コンタクト層と前記第１の反射部との間に位置し、ｐ
ドープを行ったＩｎＧａＡｓＰ層と前記第１の反射部と
の間に位置されたＩｎＧａＡｓから形成されたイントリ
ンシック層と、前記ＩｎＧａＡｓから形成されたイント
リンシック層と前記第１の反射部との間に位置したドー
プされていないＩｎＰから形成された層とを含む、請求
項１記載の共振光検出器アセンブリ。 - 【請求項７】 前記光検出器の活性領域が、イントリン
シックＩｎＰ離間層を備えた複数の量子井戸を含む、請
求項１記載の共振光検出器アセンブリ。 - 【請求項８】 前記基板が、前記光検出器に隣接した前
記導波路の反対側に位置する半導体支持構造体の一部で
あり、該支持構造体がストップエッチ層とバッファ層と
を含む、請求項１記載の共振光検出器アセンブリ。 - 【請求項９】 ｐコンタクト層およびｎコンタクト層が
前記光検出器活性層に電気的に結合され、前記ｐコンタ
クト層が前記光検出器の前記第１の外側コンタクト層に
対応するとともにｐコンタクトを有し、前記ｎコンタク
ト層が前記光検出器の前記第２のコンタクト層に対応す
るとともにｎコンタクトを有する、請求項１記載の共振
光検出器アセンブリ。 - 【請求項１０】 前記ｐコンタクトおよび前記ｎコンタ
クトが動作可能に集積回路に結合されて電気出力を該集
積回路に送る請求項９記載の共振光検出器アセンブリ。 - 【請求項１１】 基板と該基板の上に位置したバッファ
層とを含む半導体層の組合せを有する半導体支持構造体
と、 前記半導体支持構造体の上に位置し、光が電気出力に変
換される光検出器活性層を含む概ね平面状の半導体層の
組合せを有する光検出器であって、第１の外側電気的コ
ンタクト層と第２の外側電気的コンタクト層とを含む光
検出器と、 前記光検出器の上に位置し、一対の導波路クラッディン
グ層の間に位置した導波路活性層を有する導波路であっ
て、前記光を受け取るため前記光の光源に面する非反射
性誘電体の被覆を含む第１の端部と前記光を前記光検出
器に向ける第２の端部とを含む導波路と、 前記導波路の前記第２の端部の上に位置し、前記導波路
活性層に対して角度を付けられて位置する第１の反射部
であって、前記導波路層の第１の端部によって受け取ら
れた前記光を前記光検出器に向けて反射する第１の反射
部と、 前記光検出器の前記第２の電気的コンタクト層の上に位
置して前記光検出器活性層を通過した前記光を前記光検
出器活性層の中に戻るように反射する第２の反射部と、 を備えた共振光検出器アセンブリ。 - 【請求項１２】 前記光検出器活性層が、ｐコンタクト
層と前記第２の反射部との間に位置したｐドープを行っ
たＩｎＧａＡｓ層を含むとともに、更に、前記ｐドープ
を行ったＩｎＧａＡｓ層と前記第２の反射部との間に位
置したＩｎＧａＡｓイントリンシック層と、前記ＩｎＧ
ａＡｓイントリンシック層と前記第２の反射部との間に
位置したドープされていないＩｎＰ層とを含む、請求項
１１記載の共振光検出器アセンブリ。 - 【請求項１３】 前記一対の導波路クラッディング層が
ＩｎＰから形成され、前記導波路活性層がＩｎＧａＡｓ
Ｐから形成され、前記導波路の前記第１の端部は、劈開
され、エッジがラップされ、８度の角度が設けられる、
請求項１１記載の共振光検出器アセンブリ。 - 【請求項１４】 前記第２の反射部が交互に配置された
一連の半導体層を含むブラッグ反射体である請求項１１
記載の共振光検出器アセンブリ。 - 【請求項１５】 基板を含む半導体支持構造体を形成す
るステップと、 光検出器内部で光を共振させる高い反射性の半導体反射
部を提供する第１の反射部を前記半導体支持構造体の上
に形成するステップと、 光を電気信号に変換するため、光検出器活性層を含む概
ね平面状の半導体層の組合せを前記第１の反射部の上に
形成するステップと、 前記基板を含む前記半導体支持構造体の上に一方の電気
的コンタクト層を形成し、前記概ね平面状の半導体層の
組合せ上に他方の電気的コンタクト層を形成して一対の
電気的コンタクト層を形成するステップと、 前記一対の電気的コンタクト層および前記概ね平面状の
半導体層の組合せの上に一対の導波路クラッディング層
および導波路活性層を含む複数の導波路層を形成するス
テップと、 を含む共振光検出器アセンブリの製造方法。 - 【請求項１６】 前記導波路層の一部を除去することに
よって第２の反射部を形成して前記導波路層からの光を
反射するための高い反射性ミラーを供給するステップ
と、導波路を包囲する前記導波路層を除去することによ
って前記概ね平面状の層の組合せの上に導波路を形成す
るステップと、を更に含む、請求項１５記載の方法。 - 【請求項１７】 前記光検出器を包囲する前記概ね平面
状の層の組合せを除去することによって前記半導体支持
構造体の上に光検出器を形成するステップと、前記光検
出器の電気出力を搬送するためのｐコンタクトおよびｎ
コンタクトを含む電気的相互接続部を形成するステップ
と、を更に含む、請求項１５記載の方法。 - 【請求項１８】 前記導波路の前記第１の端部の上に角
度を付けられた劈開およびラップされたエッジを形成
し、前記劈開およびラップされたエッジを非反射性の誘
電材料で被覆するステップを含む、請求項１５記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/238817 | 1999-01-28 | ||
| US09/238,817 US6323480B1 (en) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | Resonant photodetector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223732A JP2000223732A (ja) | 2000-08-11 |
| JP3326418B2 true JP3326418B2 (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=22899448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000016420A Expired - Fee Related JP3326418B2 (ja) | 1999-01-28 | 2000-01-26 | 共振型光検出器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6323480B1 (ja) |
| JP (1) | JP3326418B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6382845B1 (en) * | 1999-03-02 | 2002-05-07 | Ameritech Corporation | Fiber optic patch kit and method for using same |
| JP2002277656A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-25 | Pioneer Electronic Corp | 光集積回路およびその製造方法 |
| US6813431B2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-11-02 | Intel Corporation | Integrated photodevice and waveguide |
| US6727530B1 (en) | 2003-03-04 | 2004-04-27 | Xindium Technologies, Inc. | Integrated photodetector and heterojunction bipolar transistors |
| US7276770B1 (en) | 2004-04-09 | 2007-10-02 | Semicoa Semiconductors | Fast Si diodes and arrays with high quantum efficiency built on dielectrically isolated wafers |
| US7136160B2 (en) * | 2005-01-27 | 2006-11-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated system and method for transversal enhanced Raman Spectroscopy |
| US7151599B2 (en) * | 2005-01-27 | 2006-12-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Monolithic system and method for enhanced Raman spectroscopy |
| US7385691B2 (en) * | 2005-01-27 | 2008-06-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated modular system and method for enhanced Raman spectroscopy |
| DE102005013640A1 (de) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Atmel Germany Gmbh | Halbleiter-Photodetektor und Verfahren zum Herstellen desselben |
| KR100968800B1 (ko) * | 2006-07-12 | 2010-07-08 | 가부시끼가이샤 도시바 | 고주파용 반도체 장치 |
| US10505083B2 (en) * | 2007-07-11 | 2019-12-10 | Cree, Inc. | Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same |
| US9401461B2 (en) | 2007-07-11 | 2016-07-26 | Cree, Inc. | LED chip design for white conversion |
| WO2014142795A1 (en) | 2013-03-11 | 2014-09-18 | Intel Corporation | Low voltage avalanche photodiode with re-entrant mirror for silicon based photonic integrated circuits |
| GB2561590A (en) * | 2017-04-19 | 2018-10-24 | Quantum Base Ltd | A photonic device |
| US10818807B2 (en) * | 2019-01-21 | 2020-10-27 | Globalfoundries Inc. | Semiconductor detectors integrated with Bragg reflectors |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5455421A (en) | 1985-08-13 | 1995-10-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Infrared detector using a resonant optical cavity for enhanced absorption |
| US5038356A (en) | 1989-12-04 | 1991-08-06 | Trw Inc. | Vertical-cavity surface-emitting diode laser |
| JPH03290606A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-20 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
| US5253263A (en) | 1992-03-12 | 1993-10-12 | Trw Inc. | High-power surface-emitting semiconductor injection laser with etched internal 45 degree and 90 degree micromirrors |
| US5459332A (en) | 1994-03-31 | 1995-10-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Semiconductor photodetector device |
| JP3828179B2 (ja) * | 1995-05-12 | 2006-10-04 | 富士通株式会社 | 半導体光検出装置およびその製造方法 |
| US5602393A (en) | 1995-06-07 | 1997-02-11 | Hughes Aircraft Company | Microbolometer detector element with enhanced sensitivity |
| JPH09307134A (ja) * | 1996-05-13 | 1997-11-28 | Fujitsu Ltd | 受光素子及びその光モジュール並びに光ユニット |
| JPH1140823A (ja) * | 1997-05-22 | 1999-02-12 | Fujitsu Ltd | 光検出器モジュール |
-
1999
- 1999-01-28 US US09/238,817 patent/US6323480B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-01-26 JP JP2000016420A patent/JP3326418B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-10-24 US US09/999,815 patent/US6613600B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6613600B2 (en) | 2003-09-02 |
| US20020033443A1 (en) | 2002-03-21 |
| JP2000223732A (ja) | 2000-08-11 |
| US6323480B1 (en) | 2001-11-27 |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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