JP2002277656A - 光集積回路およびその製造方法 - Google Patents
光集積回路およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 簡単かつ安価に、光信号の散乱損失を低減す
ることが可能な光集積回路およびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 基板上２に形成された光検出部３と、前
記基板の一主面上の前記光検出部が形成された部分以外
に形成された少なくとも１層以上の遮光膜層５と、前記
遮光膜層を被覆して形成された少なくとも２層以上の絶
縁膜層４，６と、前記光検出部および前記絶縁膜層上に
連続的に形成されたクラッド層７と、前記クラッド層上
に形成された光導波路層８と、を備えた光集積回路にお
いて、前記絶縁膜層は、前記光検出部へ向かう領域にお
いて、階段上の複数の段差を形成しているように構成す
る。
ることが可能な光集積回路およびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 基板上２に形成された光検出部３と、前
記基板の一主面上の前記光検出部が形成された部分以外
に形成された少なくとも１層以上の遮光膜層５と、前記
遮光膜層を被覆して形成された少なくとも２層以上の絶
縁膜層４，６と、前記光検出部および前記絶縁膜層上に
連続的に形成されたクラッド層７と、前記クラッド層上
に形成された光導波路層８と、を備えた光集積回路にお
いて、前記絶縁膜層は、前記光検出部へ向かう領域にお
いて、階段上の複数の段差を形成しているように構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光集積回路および
その製造方法に関し、特に、光信号の散乱損失を低減す
ることが可能な光集積回路およびその製造方法に関す
る。
その製造方法に関し、特に、光信号の散乱損失を低減す
ることが可能な光集積回路およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来実用化されている光ピックアップや
光ファイバー通信などに用いられる光集積回路では、レ
ンズなどの光学部品によって空間を伝搬してきた光を導
いて、フォトディテクタ（光検出部）により検出するも
のが一般的である。
光ファイバー通信などに用いられる光集積回路では、レ
ンズなどの光学部品によって空間を伝搬してきた光を導
いて、フォトディテクタ（光検出部）により検出するも
のが一般的である。
【０００３】一方、従来のものを導波路型の光集積回路
とすることにより、光学部品の削減による低コスト化
や、電気光学効果などを利用した多機能化が期待され
る。図７は、従来の光集積回路基板を利用して、導波路
型の光検出器を作製した場合の断面構造の一例を示すも
のである。図７に示すように、従来の光集積回路基板で
は、空間を伝搬してきた光信号を検出する基板上に形成
された光検出部以外の部分に当たった迷光の誤検出を避
けるため、当該光検出部以外の部分にアルミニウムなど
の金属膜である遮光膜層を設けて遮光するのが一般的で
ある。また、この遮光膜層が腐食しないように、遮光膜
層を絶縁膜層によって挟み込むことも一般的である。
とすることにより、光学部品の削減による低コスト化
や、電気光学効果などを利用した多機能化が期待され
る。図７は、従来の光集積回路基板を利用して、導波路
型の光検出器を作製した場合の断面構造の一例を示すも
のである。図７に示すように、従来の光集積回路基板で
は、空間を伝搬してきた光信号を検出する基板上に形成
された光検出部以外の部分に当たった迷光の誤検出を避
けるため、当該光検出部以外の部分にアルミニウムなど
の金属膜である遮光膜層を設けて遮光するのが一般的で
ある。また、この遮光膜層が腐食しないように、遮光膜
層を絶縁膜層によって挟み込むことも一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構造の光集積回路基板を利用した導波路型の光検出
器構造においては、図７のように、基板上に積層して形
成された絶縁膜層、遮光膜層の厚さにより、光検出部分
とその周辺の遮光膜層の境界にμｍオーダーの急峻な段
差が形成されるため、屈曲部分では、光導波路層を伝搬
する光の放射損失が大きくなってしまうという問題があ
った。
うな構造の光集積回路基板を利用した導波路型の光検出
器構造においては、図７のように、基板上に積層して形
成された絶縁膜層、遮光膜層の厚さにより、光検出部分
とその周辺の遮光膜層の境界にμｍオーダーの急峻な段
差が形成されるため、屈曲部分では、光導波路層を伝搬
する光の放射損失が大きくなってしまうという問題があ
った。
【０００５】また、かかる段差が急峻なことから、段差
部分でのクラッド層にクラックが入りやすくなるという
問題があった。
部分でのクラッド層にクラックが入りやすくなるという
問題があった。
【０００６】さらに、かかる遮光膜層の境界部分の急峻
な段差を研磨により改善することは、コストが高いとい
う問題があった。
な段差を研磨により改善することは、コストが高いとい
う問題があった。
【０００７】このような問題は、光集積回路が多層配線
の場合に、絶縁膜層、遮光膜層を増せば増す程、一層顕
在化する。
の場合に、絶縁膜層、遮光膜層を増せば増す程、一層顕
在化する。
【０００８】本発明は、以上の問題に鑑みてなされたも
のであり、簡易かつ安価に、光信号の散乱損失を低減す
ることが可能な光集積回路およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
のであり、簡易かつ安価に、光信号の散乱損失を低減す
ることが可能な光集積回路およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１に記載の発明は、基板上に形成された光検
出部と、前記基板の一主面上の前記光検出部が形成され
た部分以外に形成された少なくとも１層以上の遮光膜層
と、前記遮光膜層を被覆して形成された少なくとも２層
以上の絶縁膜層と、前記光検出部および前記絶縁膜層上
に連続的に形成されたクラッド層と、前記クラッド層上
に形成された光導波路層と、を備えた光集積回路におい
て、前記クラッド層は、前記光検出部へ向かう領域にお
いて、滑らかな斜面に形成されているように構成する。
め、請求項１に記載の発明は、基板上に形成された光検
出部と、前記基板の一主面上の前記光検出部が形成され
た部分以外に形成された少なくとも１層以上の遮光膜層
と、前記遮光膜層を被覆して形成された少なくとも２層
以上の絶縁膜層と、前記光検出部および前記絶縁膜層上
に連続的に形成されたクラッド層と、前記クラッド層上
に形成された光導波路層と、を備えた光集積回路におい
て、前記クラッド層は、前記光検出部へ向かう領域にお
いて、滑らかな斜面に形成されているように構成する。
【００１０】請求項１に記載の発明によれば、クラッド
層が滑らかな斜面に形成されていることにより、滑らか
な斜面（滑らかな段差構造）を有する光導波路層を形成
することができ、ひいては、低損失で光を導くことがで
きる。また、これにより、遮光膜層の屈曲部分での光信
号の散乱損失を低減することができる。
層が滑らかな斜面に形成されていることにより、滑らか
な斜面（滑らかな段差構造）を有する光導波路層を形成
することができ、ひいては、低損失で光を導くことがで
きる。また、これにより、遮光膜層の屈曲部分での光信
号の散乱損失を低減することができる。
【００１１】請求項２に記載の発明は、基板上に形成さ
れた光検出部と、前記基板の一主面上の前記光検出部が
形成された部分以外に形成された少なくとも１層以上の
遮光膜層と、前記遮光膜層を被覆して形成された少なく
とも２層以上の絶縁膜層と、前記光検出部および前記絶
縁膜層上に連続的に形成されたクラッド層と、前記クラ
ッド層上に形成された光導波路層と、を備えた光集積回
路において、前記絶縁膜層は、前記光検出部へ向かう領
域において、階段上の複数の段差を形成しているように
構成する。
れた光検出部と、前記基板の一主面上の前記光検出部が
形成された部分以外に形成された少なくとも１層以上の
遮光膜層と、前記遮光膜層を被覆して形成された少なく
とも２層以上の絶縁膜層と、前記光検出部および前記絶
縁膜層上に連続的に形成されたクラッド層と、前記クラ
ッド層上に形成された光導波路層と、を備えた光集積回
路において、前記絶縁膜層は、前記光検出部へ向かう領
域において、階段上の複数の段差を形成しているように
構成する。
【００１２】請求項２に記載の発明によれば、クラッド
層の下地層となる多層膜が、光検出部と光検出部以外の
部分との境界部分において、階段上の段差を形成する構
造としたので、この上に、クラッド層を形成すること
で、滑らかな斜面（滑らかな段差構造）を有する光導波
路層を形成することができ、ひいては、低損失で光を導
くことができる。また、これにより、遮光膜層の屈曲部
分での光信号の散乱損失を低減することができる。
層の下地層となる多層膜が、光検出部と光検出部以外の
部分との境界部分において、階段上の段差を形成する構
造としたので、この上に、クラッド層を形成すること
で、滑らかな斜面（滑らかな段差構造）を有する光導波
路層を形成することができ、ひいては、低損失で光を導
くことができる。また、これにより、遮光膜層の屈曲部
分での光信号の散乱損失を低減することができる。
【００１３】また、遮光膜層の境界部分の急峻な段差を
研磨により改善する必要はなく、エッチング加工のみで
遮光膜層の境界部分の急峻な段差を滑らかにすることが
できるので、簡易かつ安価に光集積回路を製造すること
ができる。
研磨により改善する必要はなく、エッチング加工のみで
遮光膜層の境界部分の急峻な段差を滑らかにすることが
できるので、簡易かつ安価に光集積回路を製造すること
ができる。
【００１４】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２に記載の光集積回路に記載の発明は、前記絶縁膜層
は、階段上の複数の段差を形成し、前記絶縁膜層の各段
差は、前記遮光膜層の最大膜厚の１／２以上の間隔で形
成されているように構成する。
２に記載の光集積回路に記載の発明は、前記絶縁膜層
は、階段上の複数の段差を形成し、前記絶縁膜層の各段
差は、前記遮光膜層の最大膜厚の１／２以上の間隔で形
成されているように構成する。
【００１５】請求項４に記載の発明は、請求項１または
２に記載の光集積回路において、各々の前記絶縁膜層の
膜厚は、前記遮光膜層の最大膜厚の１／３以上であるよ
うに構成する。
２に記載の光集積回路において、各々の前記絶縁膜層の
膜厚は、前記遮光膜層の最大膜厚の１／３以上であるよ
うに構成する。
【００１６】請求項５に記載の発明は、請求項１または
２に記載の光集積回路において、前記絶縁膜層の最表面
は、前記光検出部へ向かう領域において、垂直より小な
る傾斜角で傾斜する傾斜面を有するように構成する。
２に記載の光集積回路において、前記絶縁膜層の最表面
は、前記光検出部へ向かう領域において、垂直より小な
る傾斜角で傾斜する傾斜面を有するように構成する。
【００１７】請求項３乃至５の何れか１に記載の発明に
よれば、階段状の段差による傾斜が緩やかとなるため、
段差を滑らかに埋め込むことで、さらに滑らかな斜面
（滑らかな段差構造）を有する光導波路層を形成するこ
とができる。
よれば、階段状の段差による傾斜が緩やかとなるため、
段差を滑らかに埋め込むことで、さらに滑らかな斜面
（滑らかな段差構造）を有する光導波路層を形成するこ
とができる。
【００１８】請求項６に記載の発明は、請求項１または
２に記載の光集積回路において、前記絶縁膜層の最下層
膜は、前記光検出部上に被覆して形成されるように構成
する。
２に記載の光集積回路において、前記絶縁膜層の最下層
膜は、前記光検出部上に被覆して形成されるように構成
する。
【００１９】請求項７に記載の発明は、光検出部が形成
された基板上の一主面の当該光検出部が形成された部分
以外に少なくとも１層以上の遮光膜層し、前記遮光膜層
を被覆するように少なくとも２層以上の絶縁膜層を形成
し、前記光検出部および前記絶縁膜層上にクラッド層を
形成し、前記クラッド層上に光導波路層を形成する光集
積回路の製造方法において、前記２層以上の絶縁膜層に
よる段差を、前記光検出部へ向かう領域において、階段
状に形成し、前記階段状に形成された段差上に、適度な
粘度に調整された液状誘導体材料を流し込み、硬化させ
ることで滑らかな斜面を有するクラッド層を形成するよ
うに構成する。
された基板上の一主面の当該光検出部が形成された部分
以外に少なくとも１層以上の遮光膜層し、前記遮光膜層
を被覆するように少なくとも２層以上の絶縁膜層を形成
し、前記光検出部および前記絶縁膜層上にクラッド層を
形成し、前記クラッド層上に光導波路層を形成する光集
積回路の製造方法において、前記２層以上の絶縁膜層に
よる段差を、前記光検出部へ向かう領域において、階段
状に形成し、前記階段状に形成された段差上に、適度な
粘度に調整された液状誘導体材料を流し込み、硬化させ
ることで滑らかな斜面を有するクラッド層を形成するよ
うに構成する。
【００２０】請求項７に記載の発明によれば、請求項１
または２に記載の光集積回路を形成することができる。
または２に記載の光集積回路を形成することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて説明する。先ず、図１を参照し
て、本発明の実施形態における光集積回路の構成等につ
いて説明する。
を添付図面に基づいて説明する。先ず、図１を参照し
て、本発明の実施形態における光集積回路の構成等につ
いて説明する。
【００２２】図１は、本発明の実施形態における光集積
回路の断面構造例を示すものである。光集積回路１は、
Ｓｉ（シリコン）基板２上の一主面上に形成された光検
出部（フォトディテクタ）３と、光検出部３が形成され
た部分以外に形成された遮光膜層５と、遮光膜層５を被
覆するように形成された第１の絶縁膜層４および第２の
絶縁膜層６と、光検出部３および絶縁膜層４、６上に形
成されたクラッド層７と、クラッド層７上に形成された
光導波路層８と、を含んで構成される。
回路の断面構造例を示すものである。光集積回路１は、
Ｓｉ（シリコン）基板２上の一主面上に形成された光検
出部（フォトディテクタ）３と、光検出部３が形成され
た部分以外に形成された遮光膜層５と、遮光膜層５を被
覆するように形成された第１の絶縁膜層４および第２の
絶縁膜層６と、光検出部３および絶縁膜層４、６上に形
成されたクラッド層７と、クラッド層７上に形成された
光導波路層８と、を含んで構成される。
【００２３】図１の例では、第１の絶縁膜層４は光検出
部３上にせり出しており、この上に形成された遮光膜層
５の端面は、光検出部３の端部とほぼ一致している。そ
して、第２の絶縁膜層６が、遮光膜層５を挟み込んで埋
め込むとともに、第１の絶縁膜層４上で端面を形成し、
図１の破線部５０内に示すように、遮光膜層５の端部か
ら光検出部３へ向かう領域（光検出部３上の領域）にお
いて、階段上の段差を形成している。このような絶縁膜
層４、６による階段構造は、後述するエッチング加工に
より形成される。
部３上にせり出しており、この上に形成された遮光膜層
５の端面は、光検出部３の端部とほぼ一致している。そ
して、第２の絶縁膜層６が、遮光膜層５を挟み込んで埋
め込むとともに、第１の絶縁膜層４上で端面を形成し、
図１の破線部５０内に示すように、遮光膜層５の端部か
ら光検出部３へ向かう領域（光検出部３上の領域）にお
いて、階段上の段差を形成している。このような絶縁膜
層４、６による階段構造は、後述するエッチング加工に
より形成される。
【００２４】ここで、図１の破線部５０内に示す階段上
の段差において、この段差の間隔Ｘ、Ｙは、遮光膜層５
の最大膜厚の１／２以上となるように設定される。ま
た、絶縁膜層４、６の膜厚は、遮光膜層５の膜厚の１／
３以上に設定される。
の段差において、この段差の間隔Ｘ、Ｙは、遮光膜層５
の最大膜厚の１／２以上となるように設定される。ま
た、絶縁膜層４、６の膜厚は、遮光膜層５の膜厚の１／
３以上に設定される。
【００２５】さらに、第１の絶縁膜層４および第２の絶
縁膜層６のそれぞれの端面（符号５１部）は、順テーパ
形状、即ち、垂直より小なる傾斜角で傾斜する傾斜面を
有する（絶縁膜層の端面と光検出部の表面のなす角がθ
が、０＜θ＜９０°）に設定される。
縁膜層６のそれぞれの端面（符号５１部）は、順テーパ
形状、即ち、垂直より小なる傾斜角で傾斜する傾斜面を
有する（絶縁膜層の端面と光検出部の表面のなす角がθ
が、０＜θ＜９０°）に設定される。
【００２６】このような階段構造を有する多層膜上にク
ラッド層７が形成されている。このクラッド層７は、第
１のサブクラッド層７ａと第２のサブクラッド層７ｂと
からなり、適度な粘度に調整された液状誘導体材料であ
るＳＯＧをスピンコートにより塗布、硬化させて形成さ
れる。このクラッド層７の遮光膜層５の端部から光検出
部３へ向かう領域にかけて、滑らかな斜面を有してい
る。これは、多層の断面構造を有する基板２において、
各層（遮光膜層５、第１の絶縁膜層４および第２の絶縁
膜層６）が同位置に断面を有することなく、遮光膜層５
の端部から光検出部３へ向かう領域にかけて順次階段状
の断面構造を有するとともに、この階段構造を形成する
絶縁膜層４、６の端面が順テーパ形状としているためで
ある。
ラッド層７が形成されている。このクラッド層７は、第
１のサブクラッド層７ａと第２のサブクラッド層７ｂと
からなり、適度な粘度に調整された液状誘導体材料であ
るＳＯＧをスピンコートにより塗布、硬化させて形成さ
れる。このクラッド層７の遮光膜層５の端部から光検出
部３へ向かう領域にかけて、滑らかな斜面を有してい
る。これは、多層の断面構造を有する基板２において、
各層（遮光膜層５、第１の絶縁膜層４および第２の絶縁
膜層６）が同位置に断面を有することなく、遮光膜層５
の端部から光検出部３へ向かう領域にかけて順次階段状
の断面構造を有するとともに、この階段構造を形成する
絶縁膜層４、６の端面が順テーパ形状としているためで
ある。
【００２７】そして、このクラッド層７上には、光導波
路層８が形成されている。光導波路層８は、滑らかな斜
面を有するクラッド層７上にスパッタやＣＶＤなどの等
の方法により形成されるため、遮光膜層５の端部から光
検出部３へ向かう領域にかけて、滑らかな斜面（滑らか
な段差構造）を有することとなり、その結果、かかる滑
らかな斜面を介して低損失で光を導くことができる。ま
た、遮光膜層５の屈曲部分での光信号の散乱損失を低減
することができる。
路層８が形成されている。光導波路層８は、滑らかな斜
面を有するクラッド層７上にスパッタやＣＶＤなどの等
の方法により形成されるため、遮光膜層５の端部から光
検出部３へ向かう領域にかけて、滑らかな斜面（滑らか
な段差構造）を有することとなり、その結果、かかる滑
らかな斜面を介して低損失で光を導くことができる。ま
た、遮光膜層５の屈曲部分での光信号の散乱損失を低減
することができる。
【００２８】次に、図２を参照して、光集積回路１の製
造方法についての一例を説明する。
造方法についての一例を説明する。
【００２９】先ず、Ｓｉ基板２の一主面に、熱酸化によ
り５０００Å程度のＳｉＯ2層を成長させ、第１の絶縁
膜層４を形成する。また、Ｓｉ基板２に、周知のプロセ
スを用いて、光検出部３を形成する。
り５０００Å程度のＳｉＯ2層を成長させ、第１の絶縁
膜層４を形成する。また、Ｓｉ基板２に、周知のプロセ
スを用いて、光検出部３を形成する。
【００３０】次に、Ｓｉ基板２上に形成された第１の絶
縁膜層４に対して、パターン化されたレジストをエッチ
ングマスクとして、光検出部３上の所定の位置でエッチ
ングして開口する（図２の（Ａ））。例えば、第１の絶
縁膜層４を、室温のバッファードフッ酸でウェットエッ
チングすることにより、第１の絶縁膜層４のエッチング
端面は、光検出部３の表面に対して、ほぼ５０〜６０°
の順テーパ形状となる。これは、第１の絶縁膜層４とレ
ジストとの界面は、第１の絶縁膜層４とＳｉ基板２との
界面に比較して、バッファードフッ酸に対するエッチン
グ速度が速いからである。
縁膜層４に対して、パターン化されたレジストをエッチ
ングマスクとして、光検出部３上の所定の位置でエッチ
ングして開口する（図２の（Ａ））。例えば、第１の絶
縁膜層４を、室温のバッファードフッ酸でウェットエッ
チングすることにより、第１の絶縁膜層４のエッチング
端面は、光検出部３の表面に対して、ほぼ５０〜６０°
の順テーパ形状となる。これは、第１の絶縁膜層４とレ
ジストとの界面は、第１の絶縁膜層４とＳｉ基板２との
界面に比較して、バッファードフッ酸に対するエッチン
グ速度が速いからである。
【００３１】なお、かかるエッチング端面の順テーパ形
状は、順テーパ形状の端面をもつレジストをマスクと
し、フッ素系のガスを用いたＲＩＥエッチングでも達成
することができる。
状は、順テーパ形状の端面をもつレジストをマスクと
し、フッ素系のガスを用いたＲＩＥエッチングでも達成
することができる。
【００３２】次に、光検出部３上および第１の絶縁膜層
４に、例えば、真空蒸着等の方法により、金属（例え
ば、アルミニウム）を蒸着して遮光膜層５を形成し、パ
ターン化されたレジストをエッチングマスクとして、光
検出部３および第１の絶縁膜層４上の所定の位置でエッ
チングして開口する（図２の（Ｂ））。この遮光膜層５
の端面は、光検出部３の表面に対して、順テーパ形状と
して形成されることが望ましい。
４に、例えば、真空蒸着等の方法により、金属（例え
ば、アルミニウム）を蒸着して遮光膜層５を形成し、パ
ターン化されたレジストをエッチングマスクとして、光
検出部３および第１の絶縁膜層４上の所定の位置でエッ
チングして開口する（図２の（Ｂ））。この遮光膜層５
の端面は、光検出部３の表面に対して、順テーパ形状と
して形成されることが望ましい。
【００３３】遮光膜層５の膜厚は、上方からの迷光がＳ
ｉ基板２に到達するのを防ぐのに十分な膜厚とする。
ｉ基板２に到達するのを防ぐのに十分な膜厚とする。
【００３４】ここで、第１の絶縁膜層４の膜厚を、遮光
膜層５の膜厚の１／３以上にすることが好ましい。さら
に、第１の絶縁膜層４の端面から遮光膜層５の端面まで
の間隔Ｚは、後述する第２の絶縁膜層６を形成した後
に、第１の絶縁膜層４の段差の間隔Ｘが、遮光膜層５の
最大膜厚の１／２以上になるように、エッチングマスク
により設定することが好ましい。
膜層５の膜厚の１／３以上にすることが好ましい。さら
に、第１の絶縁膜層４の端面から遮光膜層５の端面まで
の間隔Ｚは、後述する第２の絶縁膜層６を形成した後
に、第１の絶縁膜層４の段差の間隔Ｘが、遮光膜層５の
最大膜厚の１／２以上になるように、エッチングマスク
により設定することが好ましい。
【００３５】次に、光検出部３、第１の絶縁膜層４およ
び遮光膜層５上に、例えば、ＣＶＤやＲＦスパッタ等の
方法によりＳｉＯ2膜を形成し、第２の絶縁膜層６を形
成する。そして、第２の絶縁膜層６に対して、パターン
化されたレジストをエッチングマスクとして、光検出部
３および第１の絶縁膜層４上の所定の位置でエッチング
して開口する（図２の（Ｃ））。例えば、上記第１の絶
縁膜層４のエッチングと同様に、第２の絶縁膜層６を、
室温のバッファードフッ酸でウェットエッチングするこ
とにより、第２の絶縁膜層６のエッチング端面は、光検
出部３の表面に対して、ほぼ５０〜６０°の順テーパ形
状となる。ここで、第２の絶縁膜層６の端面および第１
の絶縁膜層４の端面は、遮光膜層５の端面から、順次適
度な間隔をもって形成されているので、緩やかな段差形
状となる。
び遮光膜層５上に、例えば、ＣＶＤやＲＦスパッタ等の
方法によりＳｉＯ2膜を形成し、第２の絶縁膜層６を形
成する。そして、第２の絶縁膜層６に対して、パターン
化されたレジストをエッチングマスクとして、光検出部
３および第１の絶縁膜層４上の所定の位置でエッチング
して開口する（図２の（Ｃ））。例えば、上記第１の絶
縁膜層４のエッチングと同様に、第２の絶縁膜層６を、
室温のバッファードフッ酸でウェットエッチングするこ
とにより、第２の絶縁膜層６のエッチング端面は、光検
出部３の表面に対して、ほぼ５０〜６０°の順テーパ形
状となる。ここで、第２の絶縁膜層６の端面および第１
の絶縁膜層４の端面は、遮光膜層５の端面から、順次適
度な間隔をもって形成されているので、緩やかな段差形
状となる。
【００３６】また、遮光膜層５上の第２の絶縁膜層６の
膜厚が、遮光膜層５の膜厚の１／３以上にすることが好
ましい。
膜厚が、遮光膜層５の膜厚の１／３以上にすることが好
ましい。
【００３７】次に、光検出部３、絶縁膜層４、上に、適
度な粘度に調整された液状誘導体材料であるＳＯＧをス
ピンコートにより塗布、硬化させて、第１の屈折率ｎ１
を呈する第１のサブクラッド層７ａを形成する。この第
１のサブクラッド層７ａは、滑らかな斜面を有してい
る。これは、上述したように、遮光膜層５の端部から光
検出部３へ向かう領域にかけて順次階段状の断面構造を
有するとともに、この階段構造を形成する絶縁膜層４、
６の端面が順テーパ形状としているためである。
度な粘度に調整された液状誘導体材料であるＳＯＧをス
ピンコートにより塗布、硬化させて、第１の屈折率ｎ１
を呈する第１のサブクラッド層７ａを形成する。この第
１のサブクラッド層７ａは、滑らかな斜面を有してい
る。これは、上述したように、遮光膜層５の端部から光
検出部３へ向かう領域にかけて順次階段状の断面構造を
有するとともに、この階段構造を形成する絶縁膜層４、
６の端面が順テーパ形状としているためである。
【００３８】つまり、スピンコートされた液状のＳＯＧ
がその表面張力によって、漸次階段状の段差構造を滑ら
かに埋め込むことができる。また、絶縁膜層４、６の端
面を順テーパ形状とし、緩やかな階段状としているため
に、ＳＯＧが塗布、硬化されるときの応力を無理なく逃
がすことができる。これにより、段差部分における第１
のサブクラッド層７ａにクラックが入ることを防止する
ことができる。
がその表面張力によって、漸次階段状の段差構造を滑ら
かに埋め込むことができる。また、絶縁膜層４、６の端
面を順テーパ形状とし、緩やかな階段状としているため
に、ＳＯＧが塗布、硬化されるときの応力を無理なく逃
がすことができる。これにより、段差部分における第１
のサブクラッド層７ａにクラックが入ることを防止する
ことができる。
【００３９】さらに、上記にて、階段構造を形成する絶
縁膜層４、６による階段上の段差の間隔（ＸおよびＹ）
を、遮光膜層５の膜厚の１／２以上の間隔を持つように
設定すれば、階段状の段差による傾斜が緩やかとなるた
め、ＳＯＧの塗布・硬化によって、容易に段差を滑らか
に埋め込むことができる。また、上記にて、絶縁膜層
４、６の膜厚を、遮光膜層５の膜厚の１／３以上に設定
すれば、同じく階段状の段差による傾斜が緩やかとなる
ため、ＳＯＧの塗布・硬化によって、容易に段差を滑ら
かに埋め込むことができる。
縁膜層４、６による階段上の段差の間隔（ＸおよびＹ）
を、遮光膜層５の膜厚の１／２以上の間隔を持つように
設定すれば、階段状の段差による傾斜が緩やかとなるた
め、ＳＯＧの塗布・硬化によって、容易に段差を滑らか
に埋め込むことができる。また、上記にて、絶縁膜層
４、６の膜厚を、遮光膜層５の膜厚の１／３以上に設定
すれば、同じく階段状の段差による傾斜が緩やかとなる
ため、ＳＯＧの塗布・硬化によって、容易に段差を滑ら
かに埋め込むことができる。
【００４０】次に、光検出部３と対向する部分の第１の
サブクラッド層７ａを、例えば、ＲＩＥエッチング（Ｃ
Ｆ4ガスを使用）によりエッチングし、光検出部３の受
光面を開口する。そして、さらにこの上に再びＳＯＧを
スピンコートによって薄く塗布・硬化させて第２のサブ
クラッド層７ｂを形成する（図２（Ｄ））。かかる第１
のサブクラッド層７ａのＲＩＥエッチングによって新た
に形成される段差も、光検出部３表面に対して順テーパ
ー形状となるようにする。これにより、第２のサブクラ
ッド層７ｂは、遮光膜層５の端部から光検出部３へ向か
う領域にかけて、さらに滑らかな斜面を有することとな
る。即ち、上記階段構造を形成する絶縁膜層４、６によ
り、滑らかな斜面を有することとなった第１のサブクラ
ッド層７ａよりも、第２のサブクラッド層７ｂの方が、
より滑らかな斜面を有することとなる。
サブクラッド層７ａを、例えば、ＲＩＥエッチング（Ｃ
Ｆ4ガスを使用）によりエッチングし、光検出部３の受
光面を開口する。そして、さらにこの上に再びＳＯＧを
スピンコートによって薄く塗布・硬化させて第２のサブ
クラッド層７ｂを形成する（図２（Ｄ））。かかる第１
のサブクラッド層７ａのＲＩＥエッチングによって新た
に形成される段差も、光検出部３表面に対して順テーパ
ー形状となるようにする。これにより、第２のサブクラ
ッド層７ｂは、遮光膜層５の端部から光検出部３へ向か
う領域にかけて、さらに滑らかな斜面を有することとな
る。即ち、上記階段構造を形成する絶縁膜層４、６によ
り、滑らかな斜面を有することとなった第１のサブクラ
ッド層７ａよりも、第２のサブクラッド層７ｂの方が、
より滑らかな斜面を有することとなる。
【００４１】また、先に光検出部３上をエッチング開口
した部分を被覆する第２のサブクラッド層７ｂの膜厚
は、この上に形成する光導波路層８を伝搬する導波光
を、光検出部３へ放射・検出可能な薄さとする。一方、
光検出部３以外の部分でのクラッド層の膜厚（第１のサ
ブクラッド層７ａの膜厚＋第２のサブクラッド層７ｂの
膜厚）は、光導波路層８への光閉じ込め条件を満たす厚
さとする。
した部分を被覆する第２のサブクラッド層７ｂの膜厚
は、この上に形成する光導波路層８を伝搬する導波光
を、光検出部３へ放射・検出可能な薄さとする。一方、
光検出部３以外の部分でのクラッド層の膜厚（第１のサ
ブクラッド層７ａの膜厚＋第２のサブクラッド層７ｂの
膜厚）は、光導波路層８への光閉じ込め条件を満たす厚
さとする。
【００４２】なお、クラッド層７の材料として、ＳＯＧ
の他に、ポリイミド、アクリル樹脂でも使用することが
できる。
の他に、ポリイミド、アクリル樹脂でも使用することが
できる。
【００４３】次に、このように形成されたクラッド層７
を下地層とし、この上に、例えば、スパッタやＣＶＤな
どの等の方法により、第２の屈折率ｎ2を呈する、厚さ
０．７μｍ程度の光導波路層８を形成する（図２
（Ｅ））。この光導波路層８には、コーニング７０５
９、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などの材料を用いることができ
る。また、屈折率ｎ1とｎ2は、光導波路が機能する条件
として、ｎ1＜ｎ2なる関係にする。
を下地層とし、この上に、例えば、スパッタやＣＶＤな
どの等の方法により、第２の屈折率ｎ2を呈する、厚さ
０．７μｍ程度の光導波路層８を形成する（図２
（Ｅ））。この光導波路層８には、コーニング７０５
９、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などの材料を用いることができ
る。また、屈折率ｎ1とｎ2は、光導波路が機能する条件
として、ｎ1＜ｎ2なる関係にする。
【００４４】このように形成された光導波路層８は、上
記階段構造を形成する絶縁膜層４、６と、この上に形成
された滑らかな斜面を有するクラッド層７により、遮光
膜層５の端部から光検出部３へ向かう領域にかけて、滑
らかな斜面（滑らかな段差構造）を有することとなり、
その結果、かかる滑らかな斜面を介して低損失で光を導
くことができる。
記階段構造を形成する絶縁膜層４、６と、この上に形成
された滑らかな斜面を有するクラッド層７により、遮光
膜層５の端部から光検出部３へ向かう領域にかけて、滑
らかな斜面（滑らかな段差構造）を有することとなり、
その結果、かかる滑らかな斜面を介して低損失で光を導
くことができる。
【００４５】また、上記階段構造が、全体でμオーダー
の高さを有する階段状の段差であっても、光の放射損失
が少なく、低損失で光導波可能であることが確認され
た。
の高さを有する階段状の段差であっても、光の放射損失
が少なく、低損失で光導波可能であることが確認され
た。
【００４６】図３は、従来の光集積回路と、本実施形態
にかかる光集積回路１との伝搬光強度の比較を示したも
のである。図３中、の曲線は、本実施形態にかかる光
集積回路１を使用した場合の導波光の強度と導波光の伝
搬距離の関係を、の曲線は、従来の光集積回路１を使
用した場合の導波光の強度と導波光の伝搬距離の関係
を、それぞれ示す。図３に示すように、本実施形態にか
かる光集積回路１（部）では、従来の光集積回路（
部）に対し、光検出部３への入口段差部分および、光検
出部３からの出口段差部分における光損失が格段に少な
くなっていることがわかる。
にかかる光集積回路１との伝搬光強度の比較を示したも
のである。図３中、の曲線は、本実施形態にかかる光
集積回路１を使用した場合の導波光の強度と導波光の伝
搬距離の関係を、の曲線は、従来の光集積回路１を使
用した場合の導波光の強度と導波光の伝搬距離の関係
を、それぞれ示す。図３に示すように、本実施形態にか
かる光集積回路１（部）では、従来の光集積回路（
部）に対し、光検出部３への入口段差部分および、光検
出部３からの出口段差部分における光損失が格段に少な
くなっていることがわかる。
【００４７】さらに、図４は、絶縁膜層４、６による階
段上の段差の間隔と遮光膜層５の膜厚との関係、絶縁膜
層４、６の膜厚と遮光膜層５の膜厚との関係による伝搬
光強度の比較を示したものである。図４中、の曲線
は、絶縁膜層４、６による階段上の段差の間隔を遮光膜
層５の膜厚の２／３とし、かつ、絶縁膜層４、６の膜厚
を遮光膜層５の膜厚の２／３とした場合を示す。また、
の曲線は、絶縁膜層４、６による階段上の段差の間隔
を遮光膜層５の膜厚の１／２とし、かつ、絶縁膜層４、
６の膜厚を遮光膜層５の膜厚の１／３とした場合を示
す。の曲線は、絶縁膜層４、６による階段上の段差の
間隔を遮光膜層５の膜厚の１／２とし、かつ、絶縁膜層
４、６の膜厚を遮光膜層５の膜厚の１／４とし、また
は、絶縁膜層４、６による階段上の段差の間隔を遮光膜
層５の膜厚の１／３とし、かつ、絶縁膜層４、６の膜厚
を遮光膜層５の膜厚の１／３とした場合を示す。の曲
線は、図３と同様、従来の光集積回路のものである。
段上の段差の間隔と遮光膜層５の膜厚との関係、絶縁膜
層４、６の膜厚と遮光膜層５の膜厚との関係による伝搬
光強度の比較を示したものである。図４中、の曲線
は、絶縁膜層４、６による階段上の段差の間隔を遮光膜
層５の膜厚の２／３とし、かつ、絶縁膜層４、６の膜厚
を遮光膜層５の膜厚の２／３とした場合を示す。また、
の曲線は、絶縁膜層４、６による階段上の段差の間隔
を遮光膜層５の膜厚の１／２とし、かつ、絶縁膜層４、
６の膜厚を遮光膜層５の膜厚の１／３とした場合を示
す。の曲線は、絶縁膜層４、６による階段上の段差の
間隔を遮光膜層５の膜厚の１／２とし、かつ、絶縁膜層
４、６の膜厚を遮光膜層５の膜厚の１／４とし、また
は、絶縁膜層４、６による階段上の段差の間隔を遮光膜
層５の膜厚の１／３とし、かつ、絶縁膜層４、６の膜厚
を遮光膜層５の膜厚の１／３とした場合を示す。の曲
線は、図３と同様、従来の光集積回路のものである。
【００４８】図４のに示すように、絶縁膜層４、６に
よる階段上の段差の間隔を遮光膜層５の膜厚の１／２と
し、かつ、絶縁膜層４、６の膜厚を遮光膜層５の膜厚の
１／３とした場合から、光損失が顕著に少なくなってい
る。そして、図４のに示すように、絶縁膜層４、６に
よる階段上の段差の間隔を遮光膜層５の膜厚の２／３と
し、かつ、絶縁膜層４、６の膜厚を遮光膜層５の膜厚の
２／３とした場合には、さらに光損失が顕著に少なくな
っている。
よる階段上の段差の間隔を遮光膜層５の膜厚の１／２と
し、かつ、絶縁膜層４、６の膜厚を遮光膜層５の膜厚の
１／３とした場合から、光損失が顕著に少なくなってい
る。そして、図４のに示すように、絶縁膜層４、６に
よる階段上の段差の間隔を遮光膜層５の膜厚の２／３と
し、かつ、絶縁膜層４、６の膜厚を遮光膜層５の膜厚の
２／３とした場合には、さらに光損失が顕著に少なくな
っている。
【００４９】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、クラッド層の下地層となる多層膜が、光検出部と光
検出部以外の部分との境界部分において、緩やかな階段
上の段差を形成する構造としたので、この上に、適度な
粘度に調整された液状誘導体材料をスピンコートにより
塗布、硬化させることで、滑らかな斜面（滑らかな段差
構造）を有する光導波路層を形成することができ、ひい
ては、低損失で光を導くことができる。また、これによ
り、遮光膜層５の屈曲部分での光信号の散乱損失を低減
することができる。
ば、クラッド層の下地層となる多層膜が、光検出部と光
検出部以外の部分との境界部分において、緩やかな階段
上の段差を形成する構造としたので、この上に、適度な
粘度に調整された液状誘導体材料をスピンコートにより
塗布、硬化させることで、滑らかな斜面（滑らかな段差
構造）を有する光導波路層を形成することができ、ひい
ては、低損失で光を導くことができる。また、これによ
り、遮光膜層５の屈曲部分での光信号の散乱損失を低減
することができる。
【００５０】また、かかる階段状の段差において、絶縁
膜層による階段上の段差の間隔を遮光膜層の膜厚の１／
２以上とし、絶縁膜層の膜厚を遮光膜層の膜厚の１／３
以上とするとともに、絶縁膜層の端面を順テーパ形状
（絶縁膜層の端面と光検出部の表面のなす角θが、０＜
θ＜９０°）とすることで、より滑らかな段差構造とす
ることができ、ひいては、μオーダーの階段上の段差上
においても、放射損失が少なく、低損失の導波路層とす
ることができる。
膜層による階段上の段差の間隔を遮光膜層の膜厚の１／
２以上とし、絶縁膜層の膜厚を遮光膜層の膜厚の１／３
以上とするとともに、絶縁膜層の端面を順テーパ形状
（絶縁膜層の端面と光検出部の表面のなす角θが、０＜
θ＜９０°）とすることで、より滑らかな段差構造とす
ることができ、ひいては、μオーダーの階段上の段差上
においても、放射損失が少なく、低損失の導波路層とす
ることができる。
【００５１】また、遮光膜層の境界部分の急峻な段差を
研磨により改善する必要はなく、エッチング加工と適度
な粘度に調整された液体誘電体材料をスピンコートによ
り塗布、硬化させるのみで遮光膜層の境界部分の急峻な
段差を滑らかにすることができるので、簡易かつ安価に
光集積回路を製造することができる。
研磨により改善する必要はなく、エッチング加工と適度
な粘度に調整された液体誘電体材料をスピンコートによ
り塗布、硬化させるのみで遮光膜層の境界部分の急峻な
段差を滑らかにすることができるので、簡易かつ安価に
光集積回路を製造することができる。
【００５２】さらに、導波路層によって光検出部に導か
れた光が光検出部の外部に出る側においても同様な段差
構造としておくことにより、最初の光検出部の後方に設
けた同様の段差構造を有する別の光検出部においても、
再度光検出を行うことができる。
れた光が光検出部の外部に出る側においても同様な段差
構造としておくことにより、最初の光検出部の後方に設
けた同様の段差構造を有する別の光検出部においても、
再度光検出を行うことができる。
【００５３】図５は、図１とは別の実施形態における光
集積回路の断面構造例を示すものであり、多層配線の場
合を想定した場合の例である。なお、図５において、図
１と共通する部分については、同一符号を付している。
集積回路の断面構造例を示すものであり、多層配線の場
合を想定した場合の例である。なお、図５において、図
１と共通する部分については、同一符号を付している。
【００５４】図５に示す光集積回路１５では、図１に示
す光集積回路１の構造に加えて、第２の遮光膜層１６お
よび第３の絶縁膜層１７を追加して形成している。図５
において、第２の絶縁膜層６上に、第２の遮光膜層１６
を形成しており、第３の絶縁膜層１７が、第２の遮光膜
層１６を挟み込んで埋め込むとともに、エッチング加工
によって第１の絶縁膜層４上で端面を形成している。こ
れらの絶縁膜層により、図１に示す光集積回路１と同様
に、階段構造を形成するとともに、角絶縁膜層の端面
は、順テーパー形状としている。そして、この多層構造
上に、クラッド層７および光導波路層８を形成してい
る。
す光集積回路１の構造に加えて、第２の遮光膜層１６お
よび第３の絶縁膜層１７を追加して形成している。図５
において、第２の絶縁膜層６上に、第２の遮光膜層１６
を形成しており、第３の絶縁膜層１７が、第２の遮光膜
層１６を挟み込んで埋め込むとともに、エッチング加工
によって第１の絶縁膜層４上で端面を形成している。こ
れらの絶縁膜層により、図１に示す光集積回路１と同様
に、階段構造を形成するとともに、角絶縁膜層の端面
は、順テーパー形状としている。そして、この多層構造
上に、クラッド層７および光導波路層８を形成してい
る。
【００５５】これにより、図１に示す光集積回路１と同
様に、光導波路層８は、遮光膜層５の端部から光検出部
３へ向かう領域にかけて、滑らかな斜面を有することと
なり、その結果、かかる滑らかな斜面を介して低損失で
光を導くことができる。
様に、光導波路層８は、遮光膜層５の端部から光検出部
３へ向かう領域にかけて、滑らかな斜面を有することと
なり、その結果、かかる滑らかな斜面を介して低損失で
光を導くことができる。
【００５６】なお、図５は、図１に示す光集積回路１の
構造に加えて、遮光膜層および絶縁膜層を一つずつ追加
した場合の例であるが、これ以上の追加でも構わず、同
様に絶縁膜層により階段構造を形成すれば、上記と同様
の効果を得ることができる。加えて、遮光膜層および絶
縁膜層が増えていき、より高い段差を有する基板に対し
ても、このような絶縁膜層により階段構造を形成するこ
とにより、光導波路層８が滑らかな斜面を有することと
なり、低損失で光を導くことができる。
構造に加えて、遮光膜層および絶縁膜層を一つずつ追加
した場合の例であるが、これ以上の追加でも構わず、同
様に絶縁膜層により階段構造を形成すれば、上記と同様
の効果を得ることができる。加えて、遮光膜層および絶
縁膜層が増えていき、より高い段差を有する基板に対し
ても、このような絶縁膜層により階段構造を形成するこ
とにより、光導波路層８が滑らかな斜面を有することと
なり、低損失で光を導くことができる。
【００５７】なお、上記図１および図５で説明した光集
積回路における基板２上の第１の絶縁膜層４において、
図６に示すように、光検出部３上に段差を形成せずに、
光検出部３全面を被覆するように形成してもよい。
積回路における基板２上の第１の絶縁膜層４において、
図６に示すように、光検出部３上に段差を形成せずに、
光検出部３全面を被覆するように形成してもよい。
【００５８】また、上記図１および図５で説明した光集
積回路における光導波路層８上に上部クラッド層を形成
するようにしてもよい。
積回路における光導波路層８上に上部クラッド層を形成
するようにしてもよい。
【００５９】また、上記実施形態においては、Ｓｉを基
板２として使用したが、これに限られず、適宜の部材を
基板１として用いることができる。
板２として使用したが、これに限られず、適宜の部材を
基板１として用いることができる。
【００６０】また、上記実施形態における絶縁膜層４と
して熱酸化ＳｉＯ2を例示したが、絶縁膜層４およびそ
の他の絶縁膜層は、ＣＶＤやスパッタによるＳｉＯ2、Ｓ
ｉ3Ｎ4、ＢＰＳＧなどを用いてもよく、各絶縁膜はこれ
らの多層膜でもよい。
して熱酸化ＳｉＯ2を例示したが、絶縁膜層４およびそ
の他の絶縁膜層は、ＣＶＤやスパッタによるＳｉＯ2、Ｓ
ｉ3Ｎ4、ＢＰＳＧなどを用いてもよく、各絶縁膜はこれ
らの多層膜でもよい。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ク
ラッド層の下地層となる多層膜が、光検出部と光検出部
以外の部分との境界部分において、階段上の段差を形成
する構造としたので、この上に、クラッド層を形成する
ことで、滑らかな斜面（滑らかな段差構造）を有する光
導波路層を形成することができ、ひいては、低損失で光
を導くことができる。また、これにより、遮光膜層の屈
曲部分での光信号の散乱損失を低減することができる。
ラッド層の下地層となる多層膜が、光検出部と光検出部
以外の部分との境界部分において、階段上の段差を形成
する構造としたので、この上に、クラッド層を形成する
ことで、滑らかな斜面（滑らかな段差構造）を有する光
導波路層を形成することができ、ひいては、低損失で光
を導くことができる。また、これにより、遮光膜層の屈
曲部分での光信号の散乱損失を低減することができる。
【００６２】また、遮光膜層の境界部分の急峻な段差を
研磨により改善する必要はなく、エッチング加工と適度
な粘度に調整された液体誘電体材料をスピンコートによ
り塗布、硬化させるのみで遮光膜層の境界部分の急峻な
段差を滑らかにすることができるので、簡易かつ安価に
光集積回路を製造することができる。
研磨により改善する必要はなく、エッチング加工と適度
な粘度に調整された液体誘電体材料をスピンコートによ
り塗布、硬化させるのみで遮光膜層の境界部分の急峻な
段差を滑らかにすることができるので、簡易かつ安価に
光集積回路を製造することができる。
【図１】本発明の実施形態における光集積回路の断面構
造例を示す図である。
造例を示す図である。
【図２】光集積回路１の製造工程を順次説明する図であ
る。
る。
【図３】従来の光集積回路と、本実施形態にかかる光集
積回路との伝搬光強度の比較を示した図である。
積回路との伝搬光強度の比較を示した図である。
【図４】絶縁膜層による階段上の段差の間隔と遮光膜層
の膜厚との関係、絶縁膜層の膜厚と遮光膜層の膜厚との
関係による伝搬光強度の比較を示した図である。
の膜厚との関係、絶縁膜層の膜厚と遮光膜層の膜厚との
関係による伝搬光強度の比較を示した図である。
【図５】図１とは別の実施形態における光集積回路の断
面構造例を示す図である。
面構造例を示す図である。
【図６】図１とはさらに別の実施形態における光集積回
路の断面構造例を示す図である。
路の断面構造例を示す図である。
【図７】従来の光集積回路の断面構造の一例を示す図で
ある。
ある。
１、１５ 光集積回路 ２ Ｓｉ基板 ３ 光検出部 ４ 第１の絶縁膜層 ５ 遮光膜層 ６ 第２の絶縁膜層 ７ クラッド層 ７ａ 第１のサブクラッド層 ７ｂ 第２のサブクラッド層 ８ 光導波路層 １６ 第２の遮光膜層 １７ 第３の絶縁膜層
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に形成された光検出部と、前記基
板の一主面上の前記光検出部が形成された部分以外に形
成された少なくとも１層以上の遮光膜層と、前記遮光膜
層を被覆して形成された少なくとも２層以上の絶縁膜層
と、前記光検出部および前記絶縁膜層上に連続的に形成
されたクラッド層と、前記クラッド層上に形成された光
導波路層と、を備えた光集積回路において、 前記クラッド層は、前記光検出部へ向かう領域におい
て、滑らかな斜面に形成されていることを特徴とする光
集積回路。 - 【請求項２】 基板上に形成された光検出部と、前記基
板の一主面上の前記光検出部が形成された部分以外に形
成された少なくとも１層以上の遮光膜層と、前記遮光膜
層を被覆して形成された少なくとも２層以上の絶縁膜層
と、前記光検出部および前記絶縁膜層上に連続的に形成
されたクラッド層と、前記クラッド層上に形成された光
導波路層と、を備えた光集積回路において、 前記絶縁膜層は、前記光検出部へ向かう領域において、
階段上の複数の段差を形成していることを特徴とする光
集積回路。 - 【請求項３】 前記絶縁膜層は、階段上の複数の段差を
形成し、前記絶縁膜層の各段差は、前記遮光膜層の最大
膜厚の１／２以上の間隔で形成されていることを特徴と
する請求項１または２に記載の光集積回路。 - 【請求項４】 各々の前記絶縁膜層の膜厚は、前記遮光
膜層の最大膜厚の１／３以上であることを特徴とする請
求項１または２に記載の光集積回路。 - 【請求項５】 前記絶縁膜層の最表面は、前記光検出部
へ向かう領域において、垂直より小なる傾斜角で傾斜す
る傾斜面を有することを特徴とする請求項１または２に
記載の光集積回路。 - 【請求項６】 前記絶縁膜層の最下層膜は、前記光検出
部上に被覆して形成されることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の光集積回路。 - 【請求項７】 光検出部が形成された基板上の一主面の
当該光検出部が形成された部分以外に少なくとも１層以
上の遮光膜層し、前記遮光膜層を被覆するように少なく
とも２層以上の絶縁膜層を形成し、前記光検出部および
前記絶縁膜層上にクラッド層を形成し、前記クラッド層
上に光導波路層を形成する光集積回路の製造方法におい
て、 前記２層以上の絶縁膜層による段差を、前記光検出部へ
向かう領域において、階段状に形成し、 前記階段状に形成された段差上に、適度な粘度に調整さ
れた液状誘導体材料を流し込み、滑らかな斜面を有する
クラッド層を形成することを特徴とする光集積回路の製
造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001077824A JP2002277656A (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | 光集積回路およびその製造方法 |
| US10/098,433 US6741765B2 (en) | 2001-03-19 | 2002-03-18 | Optical integrated circuit and method for manufacturing optical integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001077824A JP2002277656A (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | 光集積回路およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002277656A true JP2002277656A (ja) | 2002-09-25 |
Family
ID=18934519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001077824A Abandoned JP2002277656A (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | 光集積回路およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6741765B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002277656A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2009216940A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光回路基板およびその製造方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003023423A2 (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Pioneer Corporation | Dielectric constant measuring apparatus and dielectric constant measuring method |
| JP4771324B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2011-09-14 | パイオニア株式会社 | 誘電体情報装置、テープ状媒体記録再生装置及びディスク状媒体記録再生装置 |
| ITMI20020231A1 (it) * | 2002-02-08 | 2003-08-08 | Milano Politecnico | Fotorivelatore a semiconduttore organico |
| JP4141745B2 (ja) * | 2002-06-06 | 2008-08-27 | 康雄 長 | 誘電体記録再生ヘッド、誘電体記録媒体ユニット及び誘電体記録再生装置 |
| JP3954456B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2007-08-08 | パイオニア株式会社 | ピックアップ装置 |
| JP4082947B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2008-04-30 | パイオニア株式会社 | 記録再生ヘッド及びその製造方法 |
| JP4017104B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2007-12-05 | パイオニア株式会社 | 誘電体記録再生ヘッド及びトラッキング方法 |
| JP3701268B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2005-09-28 | 康雄 長 | 誘電体記録装置、誘電体再生装置及び誘電体記録再生装置 |
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| CN1784729A (zh) * | 2003-05-01 | 2006-06-07 | 長康雄 | 记录/重放头和记录/重放装置 |
| JP2005004890A (ja) | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Yasuo Cho | 針状部材を用いたデータ記録再生装置およびデータ記録再生方法 |
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| JP4145773B2 (ja) * | 2003-11-06 | 2008-09-03 | パイオニア株式会社 | 情報記録再生装置および記録媒体 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2001
- 2001-03-19 JP JP2001077824A patent/JP2002277656A/ja not_active Abandoned
-
2002
- 2002-03-18 US US10/098,433 patent/US6741765B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020131669A1 (en) | 2002-09-19 |
| US6741765B2 (en) | 2004-05-25 |
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