JP2003174186A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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Abstract
光強度を低減することが可能な半導体受光素子を実現す
る。 【解決手段】 入射光の光励起による電子のバンド間遷
移による光励起キャリアの生成により光電変換が行われ
る半導体受光素子において、入射光を伝播させる光導波
路部と、この光導波路部からの光を光吸収して光励起キ
ャリアを発生させる主検出部と、光導波路部と主検出部
との間に設けられ、光吸収で光励起キャリアを発生させ
ると共に伝播する光の光強度を減衰させる弱光結合部と
を設ける。
Description
ンド間遷移による光励起キャリア(電子−正孔対)の生
成により光電変換が行われる半導体受光素子に関し、特
に光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を
低減することが可能な半導体受光素子に関する。
オードは光センシングや光通信等に用いられ、このよう
なpin構造のフォトダイオードは表面(若しくは裏
面)入射型や端面入射(光導波路)型の2つに大別され
る。
トキーバリア・フォトダイオードもまた表面(若しくは
裏面)入射型や端面入射(光導波路)型の2つに大別さ
れる。
in構造のフォトダイオードの一例を示す構成断面図で
ある。図12において1はn型InP等の基板、2及び
6は電極、3はn型InP等のバッファ層、4はn型I
nGaAs等の光吸収層、5はSiN等の反射防止膜で
ある。
び反射防止膜5が順次形成され、基板1の裏面には電極
2が形成される。また、反射防止膜5の一部には電極6
が形成される。
に半導体受光素子の表面から入射され、入射光の光励起
による電子のバンド間遷移による光励起キャリア(電子
−正孔対)が生成されて電極2及び6から光信号電流と
して取り出される。
(光導波路)型のpin構造のフォトダイオードの一例
を示す構成斜視図である。図13において7は半絶縁性
InP等の基板、8はポリイミド等の絶縁層、9はp電
極、10はn電極、11はInGaAs等の光吸収層で
ある。
n電極10がそれぞれ形成され、絶縁層8及び光吸収層
11の上部にはp電極9が形成される。
に半導体受光素子の端面から入射され、入射光の光励起
による電子のバンド間遷移による光励起キャリア(電子
−正孔対)が生成されてp電極9及びn電極10から光
信号電流として取り出される。
リアを有するショットキーバリア・フォトダイオードの
一例を示す構成断面図である。図14において12は半
絶縁性の基板、13はコンタクト層、14は光吸収層、
15はn電極、16は半透明のショットキー接合電極で
ある。
れ、コンタクト層13上の一部には光吸収層14が形成
され、コンタクト層13の他の部分にはn電極15が形
成される。また、光吸収層14の上にはショットキー接
合電極16が形成される。
に半導体受光素子の端面から入射され、入射光の光励起
による電子のバンド間遷移による光励起キャリア(電子
−正孔対)が生成されてn電極15及びショットキー接
合電極16から光信号電流として取り出される。
る光強度は光吸収層での光吸収によって減衰して行く。
図15は受光面からの距離と光吸収の関係を示す特性曲
線図である。
面からの距離が長くなると光吸収が減衰し、また、光吸
収によって減衰して光励起キャリア(電子−正孔対)が
生成される。
かるように受光面近傍での光吸収が一番大きい、言い換
えれば、受光面近傍の光励起キャリア(電子−正孔対)
の濃度が最も高くなる。
は、光励起キャリア(電子−正孔対)によって半導体受
光素子の入射面に損傷が発生してしまう現象が知られて
いる。
積化し、光導波路からのエバネッセント光を受光素子に
導き入射光の光強度を低減させる構造が考案されてい
る。
素子を集積化した半導体受光素子の一例を示す構成断面
図である。図16において17は基板、18は光導波
路、19は光吸収層、20はキャップ層である。
光導波路18の一部分の上には光吸収層19及びキャッ
プ層20が順次形成される。
受光素子は、図16中”WG41”に示す光導波路部
と、図16中”PD41”に示す受光素子部に分離する
ことができる。
16中”PH41”に示すような入射光が入射された場
合、図16中”EV41”に示すように入射面の近傍で
あって光導波路18の外部に染み出す光である。
ネッセント光において紙面右方向が光強度を示してい
る。
た光はエバネッセント光の吸収があると光強度を減衰さ
せるので、半導体受光素子の入射面に損傷の発生を防止
することができる。
43”及び”EV44”に示すように光が光導波路18
を伝播することにより、エバネッセント光が吸収されて
伝播する光の光強度w減衰させることが可能になる。
従来例であっても光強度を十分に減衰させることができ
ないので、半導体受光素子の最大入射光強度を大きくす
ることができないと言った問題点があった。
導体受光素子の手前に設けることによって入射光の光強
度を減衰させることができるものの、検出される光信号
電流も小さくなり受光感度(光電変換効率)が低下して
しまい、光強度と光信号電流の校正が必要になり、構成
も複雑になると言った問題点があった。
面積当たりの光強度を下げるために入射光のビーム径を
広げた場合には、ノイズとなる暗電流の増加や、素子容
量増加に伴う応答速度の低下等の素子特性が劣化してし
まうと言った問題点があった。従って本発明が解決しよ
うとする課題は、光電変換効率を維持しつつ受光素子部
の最大光強度を低減することが可能な半導体受光素子を
実現することにある。
るために、本発明のうち請求項1記載の発明は、入射光
の光励起による電子のバンド間遷移による光励起キャリ
アの生成により光電変換が行われる半導体受光素子にお
いて、入射光を伝播させる光導波路部と、この光導波路
部からの光を光吸収して前記光励起キャリアを発生させ
る主検出部と、前記光導波路部と前記主検出部との間に
設けられ、光吸収で前記光励起キャリアを発生させると
共に伝播する前記光の光強度を減衰させる弱光結合部と
を備えたことにより、光電変換効率を維持しつつ受光素
子部の最大光強度を低減することが可能になる。
明である半導体受光素子において、前記光導波路部が、
基板上と、この基板上に形成された光導波路とから構成
されたことにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子
部の最大光強度を低減することが可能になる。
明である半導体受光素子において、前記弱光結合部が、
基板上と、この基板上に形成された光導波路と、この光
導波路の短手方向の両端に形成された光吸収層と、この
光吸収層の光吸収で発生した前記光励起キャリアを光信
号電流として取り出す電極とから構成されたことによ
り、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度
を低減することが可能になる。
明である半導体受光素子において、前記主検出部が、基
板上と、この基板上に形成された光導波路と、この光導
波路上に形成された光吸収層と、この光吸収層の光吸収
で発生した前記光励起キャリアを光信号電流として取り
出す電極とから構成されたことにより、光電変換効率を
維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可
能になる。
明である半導体受光素子において、前記光吸収層の幅
が、前記主検出部に向って連続的に広がることにより、
光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低
減することが可能になる。また、効率的に光強度を減衰
させることが可能になる。
明である半導体受光素子において、前記光吸収層の幅
が、前記主検出部に向って直線的に広がることにより、
光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低
減することが可能になる。また、効率的に光強度を減衰
させることが可能になる。
明である半導体受光素子において、前記光吸収層の幅
が、前記主検出部に向って曲線的に広がることにより、
光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低
減することが可能になる。また、効率的に光強度を減衰
させることが可能になる。
明である半導体受光素子において、前記光吸収層の幅
が、前記主検出部に向って段階的に広がることにより、
光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低
減することが可能になる。また、効率的に光強度を減衰
させることが可能になる。
明である半導体受光素子において、前記光吸収層の幅
が、1段以上の段数を有することにより、光電変換効率
を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが
可能になる。また、効率的に光強度を減衰させることが
可能になる。
発明である半導体受光素子において、前記弱光結合部
が、基板上と、この基板上に形成され伝播する前記光を
中心部分に閉じ込める光導波路と、この光導波路の上に
形成された光吸収層と、この光吸収層の光吸収で発生し
た前記光励起キャリアを光信号電流として取り出す電極
とから構成されたことにより、光電変換効率を維持しつ
つ受光素子部の最大光強度を低減することが可能にな
る。
の発明である半導体受光素子において、前記光導波路
が、屈折率の高い層を屈折率の低い層で挟み込んだ構造
であることにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子
部の最大光強度を低減することが可能になる。
求項11の何れかに記載の発明である半導体受光素子に
おいて、pin構造のフォトダイオードに適用したこと
により、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光
強度を低減することが可能になる。
求項11の何れかに記載の発明である半導体受光素子に
おいて、ショットキーバリア・フォトダイオードに適用
したことにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部
の最大光強度を低減することが可能になる。
求項11の何れかに記載の発明である半導体受光素子に
おいて、InGaAsP系の半導体材料を用いて構成し
たことにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の
最大光強度を低減することが可能になる。
求項11の何れかに記載の発明である半導体受光素子に
おいて、InGaAlAs系の半導体材料を用いて構成
したことにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部
の最大光強度を低減することが可能になる。
説明する。図1は本発明に係る半導体受光素子の一実施
例を示す構成断面図である。
図16と同一符号を付してあり、基板17上には光導波
路18が形成され、光導波路18の一部分の上には光吸
収層19及びキャップ層20が順次形成される。
は、図1中”WG51”に示す光導波路部と、図1中”
PD51”に示す受光素子部に分離される。また、図1
中”PD51”に示す受光素子部はさらに、図1中”C
P51”に示す部分は弱光結合部と、図1中”MD5
1”に示す部分には主検出部とに分離される。
光は図1中”WG51”に示す光導波路部を伝播し、図
1中”CP51”に示す弱光結合部を含む図1中”PD
51”の受光素子部の光吸収層19の光吸収で発生した
光励起キャリア(電子−正孔対)が電極(図示せず。)
から光信号電流として取り出される。
部は光吸収層19の光吸収で光励起キャリア(電子−正
孔対)を発生させると共に光強度を減衰させる。
図3、図4及び図5を用いて説明する。図2は本発明に
係る半導体受光素子の具体例を示す構成斜視図、図3は
半導体受光素子のうち光導波路部を示す断面図、図4は
半導体受光素子のうち弱光結合部を示す断面図、図5は
半導体受光素子のうち主検出部を示す断面図である。
8,19,PH51,WG51,CP51,MD51及
びPD51は図1と同一符号を付してあり、21はp電
極、22はn電極である。
は、光吸収層19が光導波路18の上部の中心部分で”
V字状”にカットされており、光導波路18の短手方向
の両端に形成された光吸収層19は図2中”MD51”
に示す主検出部に向うに従って連続的に太くなり、図2
中”MD51”に示す主検出部に到達する部分で主検出
部の光吸収層18とつながっている。
CP51”及び”MD51”に示す光導波路部、弱光結
合部、及び主検出部の構造を図3〜図5に示す断面図を
用いて詳細に説明する。
号を付してあり、23はInP層、24は吸収端波長λ
gが”1.1μm”であるInGaAsP層、25は吸
収端波長λgが”1.2μm”であるInGaAsP
層、26は吸収端波長λgが”1.3μm”であるIn
GaAsP層である。
層23が形成され、InP層23の上にはInGaAs
P層24,25及び26が順次形成される。但し、In
P層23の短手方向の一端(図面右側)部分は後述のn
電極に接続させるためInGaAsP層24,25及び
26が形成されていない。
AsP層24,25及び26が光導波路を形成してお
り、図2中”PH51”に示す入射光が当該光導波路を
伝播して行く。
5及び26は図3と同一符号を付してあり、27は絶縁
層、28はn電極、29はInGaAs等の光吸収層、
30はp型InP等のキャップ層、31はp電極であ
る。
層23が形成され、InP層23の上にはInGaAs
P層24,25及び26が順次形成される。さらに、I
nGaAsP層26の短手方向の両端には光吸収層2
9、キャップ層30及びp電極31が順次形成される。
面右側)部分に接触するようにn電極28が形成され、
n電極28と基板17との間には絶縁層27が形成され
る。
の両端に形成された光吸収層29の光吸収で発生した光
励起キャリア(電子−正孔対)がn電極28及びp電極
31から光信号電流として取り出される。
5,26,27,28,29及び30は図4と同一符号
を付してあり、32は絶縁層、33はp電極である。
層23が形成され、InP層23の上にはInGaAs
P層24,25及び26が順次形成される。さらに、I
nGaAsP層26の上には光吸収層29及びキャップ
層30が順次形成される。
面右側)部分に接触するようにn電極28が形成され、
n電極28と基板17との間には絶縁層27が形成され
る。
の基板17上からキャップ層30にかけてp電極33が
形成され、p電極33と基板17、InP層23,In
GaAsP層24,25及び26、光吸収層29との間
に絶縁層32が形成される。
上面に形成された光吸収層29の光吸収で発生した光励
起キャリア(電子−正孔対)がn電極28及びp電極3
3から光信号電流として取り出される。
示すp電極31は図2に示すように連続して形成されて
いる。
てさらに詳細に説明する。図6は弱光結合部の直前の光
導波路内の光強度分布を示す説明図であり、図6におい
て17,23,24,25及び26は図3と同一符号を
付してある。
4,25及び26の各層の膜厚が”0.7μm”で、光
導波路幅を”6.0μm”とした場合の半導体受光素子
の右半分の状態を示している。
ら、InGaAsP層24,25及び26で形成される
光導波路の短手方向の中心部分の方が両端部分(図6で
は一端のみを示しているが光強度分布は左右対称であ
る。)よりも強いことが分かる。言い換えれば、光導波
路の短手方向の両端部分の光強度分布が最も弱いことが
分かる。
結合部の光吸収層19でこの光導波路の光強度分布の最
も弱い両端の光を吸収して光励起キャリア(電子−正孔
対)を発生させると共に光強度を減衰させる。
端の光を吸収して発生した光励起キャリア(電子−正孔
対)では、励起キャリア(電子−正孔対)の濃度が最大
にはならないので半導体受光素子の入射面の損傷を防止
できる。
射光は図2中”CP51”に示す弱光結合部で光導波路
の両端の光強度分布の弱い光が順次吸収されながら全体
の光強度を減衰させて図2中”MD51”に示す主検出
部に導かれて行くことになる。
光が図2中”CP51”に示す弱光結合部を伝播するこ
とによって、順次光励起キャリア(電子−正孔対)を発
生させると共に光強度が順次減衰させられて行き、図2
中”MD51”に示す主検出部に到達する時点では入射
光の光強度を弱くすることができる。
部の光吸収層19が図2中”MD51”に示す主検出部
に向うに従って連続的に太くなっているので、光吸収の
割合も連続的に大きくなってくるので効率的に光強度を
減衰させることが可能になる。
光吸収層が光を吸収して順次光励起キャリア(電子−正
孔対)を発生させているので、検出される光信号電流が
小さくならず、言い換えれば、受光感度(光電変換効
率)が低下することを防止できる。
光強度分布の弱い光を吸収して光励起キャリア(電子−
正孔対)を発生させると共に光強度を減衰させることに
より、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強
度を低減することが可能になる。
して弱光結合部の光吸収層19が光導波路18の中心部
分で”V字状”にカットすることにより、光導波路の両
端の光強度分布の弱い光を吸収して光励起キャリア(電
子−正孔対)を発生させると共に光強度を減衰させてい
るが、伝播する光を光導波路の中心部分に閉じ込めて光
導波路表面の光強度分布の弱い光を吸収して光励起キャ
リア(電子−正孔対)を発生させると共に光強度を減衰
させても構わない。
具体例を示す構成斜視図である。図7に示す構成斜視図
において、17,18,19及び21は図2と同一符号
を付してあり、22aはn電極である。
中”WG71”に示す光導波路部と、図7中”PD7
1”に示す受光素子部に分離される。また、図7中”P
D71”に示す受光素子部はさらに図7中”CP71”
に示す部分は弱光結合部と、図7中”MD71”に示す
部分には主検出部とに分離される。
は、図7中”MD71”に示す主検出部と同様に光導波
路上全体に光吸収層19が形成されている。
図9及び図10を用いて説明する。図8は半導体受光素
子のうち光導波路部を示す断面図、図9は半導体受光素
子のうち弱光結合部を示す断面図、図10は半導体受光
素子のうち主検出部を示す断面図である。
26は図3と同一符号を付してあり、34は吸収端波長
λgが”1.2μm”であるInGaAsP層である。
層23が形成され、InP層23の上にはInGaAs
P層24,25、26及び34が順次形成される。但
し、InP層23の短手方向の一端(図面右側)部分は
後述のn電極に接続させるためInGaAsP層24,
25,26及び34が形成されていない。
AsP層24,25,26及び34が光導波路を形成し
ており、図7中”PH71”に示す入射光が当該光導波
路を伝播して行く。
5,26,27,28,29,30及び31は図4と同
一符号を、34は図8と同一符号をそれぞれ付してあ
る。
層23が形成され、InP層23の上にはInGaAs
P層24,25,26及び34が順次形成される。さら
に、InGaAsP層34の上には光吸収層29、キャ
ップ層30及びp電極31が順次形成される。
面右側)部分に接触するようにn電極28が形成され、
n電極28と基板17との間には絶縁層27が形成され
る。
の上部に形成された光吸収層29の光吸収で発生した光
励起キャリア(電子−正孔対)がn電極28及びp電極
31から光信号電流として取り出される。
25,26,27,28,29及び30は図4と、32
及び33は図5と同一符号をそれぞれ付してある。
層23が形成され、InP層23の上にはInGaAs
P層24,25及び26が順次形成される。さらに、I
nGaAsP層26の上には光吸収層29及びキャップ
層30が順次形成される。
面右側)部分に接触するようにn電極28が形成され、
n電極28と基板17との間には絶縁層27が形成され
る。
の基板17上からキャップ層30にかけてp電極33が
形成され、p電極33と基板17、InP層23,In
GaAsP層24,25及び26、光吸収層29との間
に絶縁層32が形成される。
の上面に形成された光吸収層29の光吸収で発生した光
励起キャリア(電子−正孔対)がn電極28及びp電極
33から光信号電流として取り出される。
に示すp電極31は図7に示すように連続して形成され
ている。
層24,25,26及び34で形成される光導波路は吸
収端波長λgが”1.3μm”であるInGaAsP層
26を、吸収端波長λgが”1.2μm”である2つの
InGaAsP層25及び34で挟み込む構造になって
いる。
ップエネルギーが小さい)InGaAsPほど屈折率が
大きくなり、屈折率の大きい層に伝播する光が閉じ込め
られるため、中心部分である吸収端波長λgが”1.3
μm”であるInGaAsP層26に光強度部分布が集
中することになる。
いてさらに詳細に説明する。図11は弱光結合部の直前
の光導波路内の光強度分布を示す説明図であり、図11
において17,23,24,25,26及び34は図8
と同一符号を付してある。
24,25,26及び34の各層の膜厚が”0.7μ
m”で、光導波路幅を”6.0μm”とした場合の半導
体受光素子の右半分の状態を示している。
ら、InGaAsP層24,25,26及び34で形成
される光導波路の内中心部分であるInGaAsP層2
6に光強度部分布が集中していることが分かる。言い換
えれば、光導波路の表面であるInGaAsP層34の
光強度分布が最も弱いことが分かる。
結合部の光吸収層19でこの光導波路の光強度分布の最
も弱い光導波路表面の光を吸収して光励起キャリア(電
子−正孔対)を発生させると共に光強度を減衰させる。
導波路表面の光を吸収して発生した光励起キャリア(電
子−正孔対)では、励起キャリア(電子−正孔対)の濃
度が最大にはならないので半導体受光素子の入射面の損
傷を防止できる。
射光は図7中”CP71”に示す弱光結合部で光導波路
の光導波路表面の光強度分布の弱い光が順次吸収されな
がら全体の光強度を減衰させて図7中”MD71”に示
す主検出部に導かれて行くことになる。
光が図7中”CP71”に示す弱光結合部を伝播するこ
とによって、順次光励起キャリア(電子−正孔対)を発
生させると共に光強度が順次減衰させられて行き、図7
中”MD71”に示す主検出部に到達する時点では入射
光の光強度を弱くすることができる。
吸収層が光を吸収して順次光励起キャリア(電子−正孔
対)を発生させているので、検出される光信号電流が小
さくならず、言い換えれば、受光感度(光電変換効率)
が低下することを防止できる。
集中させ、弱光結合部で光導波路表面の光強度分布の弱
い光を吸収して光励起キャリア(電子−正孔対)を発生
させると共に光強度を減衰させることにより、光電変換
効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減するこ
とが可能になる。
光吸収層19が光導波路18の中心部分で”V字状”に
カット、言い換えれば、光導波路18の短手方向の両端
に形成された光吸収層19の幅を主検出部に向って連続
的に広げて行き、主検出部の光吸収層19につながって
いるが、階段状に段階的に光吸収層19の幅を広げて行
っても構わない。この場合、段数として1以上であれば
任意の段数で良い。
の幅を主検出部に向って直線的に広げているが、曲線的
に光吸収層19の幅を主検出部に向って広げて行っても
構わない。
曲線で変化させれば、伝播する光が主検出部に近づくに
従い急激にその光強度が減衰し、また逆に、光吸収層1
9の幅を対数関数な曲線で変化させれば、伝播する光が
光導波路部に近傍で急激にその光強度が減衰するように
することが可能で、光強度の減衰の割合を制御すること
が可能になる。
のフォトダイオードを例示しているが、ショットキーバ
リア・フォトダイオードに適用しても構わない。
としてInGaAsP系の半導体材料を用いているが、
InGaAlAs系等の半導体材料を用いても実現する
ことができる。
路を構成可能な誘電体を用いて光導波路部分を構成して
も構わない。
(光導波路)型の半導体受光素子を例示して説明してい
るが、光集積回路内における光導波路内に設けられた受
光素子に適用することも可能である。
本発明によれば次のような効果がある。請求項1,2,
3,4,12,13,14及び請求項15の発明によれ
ば、弱光結合部で光導波路の両端の光強度分布の弱い光
を吸収して光励起キャリアを発生させると共に光強度を
減衰させることにより、光電変換効率を維持しつつ受光
素子部の最大光強度を低減することが可能になる。
4及び請求項15の発明によれば、光導波路の中心に光
強度分布を集中させ、弱光結合部で光導波路表面の光強
度分布の弱い光を吸収して光励起キャリアを発生させる
と共に光強度を減衰させることにより、光電変換効率を
維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可
能になる。
13,14及び請求項15の発明によれば、弱光結合部
の光吸収層が主検出部に向うに従って連続的、若しく
は、段階的に太くすることにより、光吸収の割合も連続
的に大きくなってくるので効率的に光強度を減衰させる
ことが可能になる。
構成断面図である。
成斜視図である。
である。
である。
ある。
示す説明図である。
す構成斜視図である。
である。
である。
である。
を示す説明図である。
オードの一例を示す構成断面図である。
のフォトダイオードの一例を示す構成斜視図である。
キーバリア・フォトダイオードの一例を示す構成断面図
である。
曲線図である。
体受光素子の一例を示す構成断面図である。
Claims (15)
- 【請求項1】入射光の光励起による電子のバンド間遷移
による光励起キャリアの生成により光電変換が行われる
半導体受光素子において、 入射光を伝播させる光導波路部と、 この光導波路部からの光を光吸収して前記光励起キャリ
アを発生させる主検出部と、 前記光導波路部と前記主検出部との間に設けられ、光吸
収で前記光励起キャリアを発生させると共に伝播する前
記光の光強度を減衰させる弱光結合部とを備えたことを
特徴とする半導体受光素子。 - 【請求項2】前記光導波路部が、 基板上と、 この基板上に形成された光導波路とから構成されたこと
を特徴とする請求項1載の半導体受光素子。 - 【請求項3】前記弱光結合部が、 基板上と、 この基板上に形成された光導波路と、 この光導波路の短手方向の両端に形成された光吸収層
と、 この光吸収層の光吸収で発生した前記光励起キャリアを
光信号電流として取り出す電極とから構成されたことを
特徴とする請求項1載の半導体受光素子。 - 【請求項4】前記主検出部が、 基板上と、 この基板上に形成された光導波路と、 この光導波路上に形成された光吸収層と、 この光吸収層の光吸収で発生した前記光励起キャリアを
光信号電流として取り出す電極とから構成されたことを
特徴とする請求項1載の半導体受光素子。 - 【請求項5】前記光吸収層の幅が、 前記主検出部に向って連続的に広がることを特徴とする
請求項3載の半導体受光素子。 - 【請求項6】前記光吸収層の幅が、 前記主検出部に向って直線的に広がることを特徴とする
請求項5載の半導体受光素子。 - 【請求項7】前記光吸収層の幅が、 前記主検出部に向って曲線的に広がることを特徴とする
請求項5載の半導体受光素子。 - 【請求項8】前記光吸収層の幅が、 前記主検出部に向って段階的に広がることを特徴とする
請求項3載の半導体受光素子。 - 【請求項9】前記光吸収層の幅が、 1段以上の段数を有することを特徴とする請求項8載の
半導体受光素子。 - 【請求項10】前記弱光結合部が、 基板上と、 この基板上に形成され伝播する前記光を中心部分に閉じ
込める光導波路と、 この光導波路の上に形成された光吸収層と、 この光吸収層の光吸収で発生した前記光励起キャリアを
光信号電流として取り出す電極とから構成されたことを
特徴とする請求項1載の半導体受光素子。 - 【請求項11】前記光導波路が、屈折率の高い層を屈折
率の低い層で挟み込んだ構造であることを特徴とする請
求項10載の半導体受光素子。 - 【請求項12】pin構造のフォトダイオードに適用し
たことを特徴とする請求項1乃至請求項11の何れかに
記載の半導体受光素子。 - 【請求項13】ショットキーバリア・フォトダイオード
に適用したことを特徴とする請求項1乃至請求項11の
何れかに記載の半導体受光素子。 - 【請求項14】InGaAsP系の半導体材料を用いて
構成したことを特徴とする請求項1乃至請求項11の何
れかに記載の半導体受光素子。 - 【請求項15】InGaAlAs系の半導体材料を用い
て構成したことを特徴とする請求項1乃至請求項11の
何れかに記載の半導体受光素子。
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-
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