JP3903477B2 - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3903477B2 JP3903477B2 JP2001372184A JP2001372184A JP3903477B2 JP 3903477 B2 JP3903477 B2 JP 3903477B2 JP 2001372184 A JP2001372184 A JP 2001372184A JP 2001372184 A JP2001372184 A JP 2001372184A JP 3903477 B2 JP3903477 B2 JP 3903477B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving element
- optical waveguide
- light receiving
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
本発明は、入射光の光励起による電子のバンド間遷移による光励起キャリア(電子−正孔対)の生成により光電変換が行われる半導体受光素子に関し、特に光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能な半導体受光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体受光素子であるフォトダイオードは光センシングや光通信等に用いられ、このようなpin構造のフォトダイオードは表面(若しくは裏面)入射型や端面入射(光導波路)型の2つに大別される。
【0003】
また、ショットキーバリアを有するショットキーバリア・フォトダイオードもまた表面(若しくは裏面)入射型や端面入射(光導波路)型の2つに大別される。
【0004】
図12はこのような従来の表面入射型のpin構造のフォトダイオードの一例を示す構成断面図である。図12において1はn型InP等の基板、2及び6は電極、3はn型InP等のバッファ層、4はn型InGaAs等の光吸収層、5はSiN等の反射防止膜である。
【0005】
基板1上にはバッファ層3、光吸収層4及び反射防止膜5が順次形成され、基板1の裏面には電極2が形成される。また、反射防止膜5の一部には電極6が形成される。
【0006】
入射光は図12中”PH01”に示すように半導体受光素子の表面から入射され、入射光の光励起による電子のバンド間遷移による光励起キャリア(電子−正孔対)が生成されて電極2及び6から光信号電流として取り出される。
【0007】
また、図13はこのような従来の端面入射(光導波路)型のpin構造のフォトダイオードの一例を示す構成斜視図である。図13において7は半絶縁性InP等の基板、8はポリイミド等の絶縁層、9はp電極、10はn電極、11はInGaAs等の光吸収層である。
【0008】
基板7上には絶縁層8、光吸収層11及びn電極10がそれぞれ形成され、絶縁層8及び光吸収層11の上部にはp電極9が形成される。
【0009】
入射光は図13中”PH11”に示すように半導体受光素子の端面から入射され、入射光の光励起による電子のバンド間遷移による光励起キャリア(電子−正孔対)が生成されてp電極9及びn電極10から光信号電流として取り出される。
【0010】
図14はこのような従来のショットキーバリアを有するショットキーバリア・フォトダイオードの一例を示す構成断面図である。図14において12は半絶縁性の基板、13はコンタクト層、14は光吸収層、15はn電極、16は半透明のショットキー接合電極である。
【0011】
基板12上にはコンタクト層13が形成され、コンタクト層13上の一部には光吸収層14が形成され、コンタクト層13の他の部分にはn電極15が形成される。また、光吸収層14の上にはショットキー接合電極16が形成される。
【0012】
入射光は図14中”PH21”に示すように半導体受光素子の端面から入射され、入射光の光励起による電子のバンド間遷移による光励起キャリア(電子−正孔対)が生成されてn電極15及びショットキー接合電極16から光信号電流として取り出される。
【0013】
前述のような構造では、受光面から入射する光強度は光吸収層での光吸収によって減衰して行く。図15は受光面からの距離と光吸収の関係を示す特性曲線図である。
【0014】
図15中”CH31”に示すように、受光面からの距離が長くなると光吸収が減衰し、また、光吸収によって減衰して光励起キャリア(電子−正孔対)が生成される。
【0015】
すなわち、図15中”CH31”からも分かるように受光面近傍での光吸収が一番大きい、言い換えれば、受光面近傍の光励起キャリア(電子−正孔対)の濃度が最も高くなる。
【0016】
このため、入射光の光強度が大きい場合には、光励起キャリア(電子−正孔対)によって半導体受光素子の入射面に損傷が発生してしまう現象が知られている。
【0017】
従って、従来では光導波路と受光素子を集積化し、光導波路からのエバネッセント光を受光素子に導き入射光の光強度を低減させる構造が考案されている。
【0018】
図16はこのような従来の光導波路と受光素子を集積化した半導体受光素子の一例を示す構成断面図である。図16において17は基板、18は光導波路、19は光吸収層、20はキャップ層である。
【0019】
基板17上には光導波路18が形成され、光導波路18の一部分の上には光吸収層19及びキャップ層20が順次形成される。
【0020】
このような構成にすることによって半導体受光素子は、図16中”WG41”に示す光導波路部と、図16中”PD41”に示す受光素子部に分離することができる。
【0021】
一方、ここではエバネッセント光とは、図16中”PH41”に示すような入射光が入射された場合、図16中”EV41”に示すように入射面の近傍であって光導波路18の外部に染み出す光である。
【0022】
ここで、図16中”EV41”に示すエバネッセント光において紙面右方向が光強度を示している。
【0023】
このような、光導波路18内を順次導波した光はエバネッセント光の吸収があると光強度を減衰させるので、半導体受光素子の入射面に損傷の発生を防止することができる。
【0024】
すなわち、図16中”EV42”、”EV43”及び”EV44”に示すように光が光導波路18を伝播することにより、エバネッセント光が吸収されて伝播する光の光強度を減衰させることが可能になる。
【0025】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図16に示す従来例であっても光強度を十分に減衰させることができないので、半導体受光素子の最大入射光強度を大きくすることができないと言った問題点があった。
【0026】
光強度を減衰させるフィルタ等の素子を半導体受光素子の手前に設けることによって入射光の光強度を減衰させることができるものの、検出される光信号電流も小さくなり受光感度(光電変換効率)が低下してしまい、光強度と光信号電流の校正が必要になり、構成も複雑になると言った問題点があった。
【0027】
さらに、半導体受光素子の受光面での単位面積当たりの光強度を下げるために入射光のビーム径を広げた場合には、ノイズとなる暗電流の増加や、素子容量増加に伴う応答速度の低下等の素子特性が劣化してしまうと言った問題点があった。
従って本発明が解決しようとする課題は、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能な半導体受光素子を実現することにある。
【0028】
【課題を解決するための手段】
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、
入射光の光励起による電子のバンド間遷移による光励起キャリアの生成により光電変換が行われる半導体受光素子において、
基板上に形成され入射光を伝播させる光導波路で構成された光導波路部と、この光導波路部からの光を伝播させる前記光導波路と前記光導波路上の短手方向の両端に形成された光吸収層と前記光吸収層の光吸収で発生した前記光励起キャリアを光信号電流として取り出す電極とから構成され、伝播する前記光の光強度を減衰させる弱光結合部と、この弱光結合部からの光を伝播させる前記光導波路と前記光導波路上に形成された前記光吸収層と前記光吸収層の光吸収で発生した前記光励起キャリアを光信号電流として取り出す前記電極とから構成される主検出部とを備えたことにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。
【0032】
請求項2記載の発明は、
請求項1記載の発明である半導体受光素子において、
前記光吸収層の幅が、
前記主検出部に向って連続的に広がることにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。また、効率的に光強度を減衰させることが可能になる。
【0033】
請求項3記載の発明は、
請求項2記載の発明である半導体受光素子において、
前記光吸収層の幅が、
前記主検出部に向って直線的に広がることにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。また、効率的に光強度を減衰させることが可能になる。
【0034】
請求項4記載の発明は、
請求項2記載の発明である半導体受光素子において、
前記光吸収層の幅が、
前記主検出部に向って曲線的に広がることにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。また、効率的に光強度を減衰させることが可能になる。
【0035】
請求項5記載の発明は、
請求項1記載の発明である半導体受光素子において、
前記光吸収層の幅が、
前記主検出部に向って段階的に広がることにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。また、効率的に光強度を減衰させることが可能になる。
【0036】
請求項6記載の発明は、
請求項5記載の発明である半導体受光素子において、
前記光吸収層の幅が、
1段以上の段数を有することにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。また、効率的に光強度を減衰させることが可能になる。
【0037】
請求項7記載の発明は、
請求項1記載の発明である半導体受光素子において、
前記光導波部及び前記弱光結合部を構成する前記光導波路上に前記光導波路の表面よりも屈折率の低い層を形成し、前記弱光結合部の前記屈折率の低い層の上に前記光吸収層を形成したことにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。
【0039】
請求項8記載の発明は、
請求項1乃至請求項7の何れかに記載の発明である半導体受光素子において、
pin構造のフォトダイオードに適用したことにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。
【0040】
請求項9記載の発明は、
請求項1乃至請求項7の何れかに記載の発明である半導体受光素子において、
ショットキーバリア・フォトダイオードに適用したことにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。
【0041】
請求項10記載の発明は、
請求項1乃至請求項7の何れかに記載の発明である半導体受光素子において、
InGaAsP系の半導体材料を用いて構成したことにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。
【0042】
請求項11記載の発明は、
請求項1乃至請求項7の何れかに記載の発明である半導体受光素子において、
InGaAlAs系の半導体材料を用いて構成したことにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。
【0043】
【発明の実施の形態】
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明に係る半導体受光素子の一実施例を示す構成断面図である。
【0044】
図1において17,18,19及び20は図16と同一符号を付してあり、基板17上には光導波路18が形成され、光導波路18の一部分の上には光吸収層19及びキャップ層20が順次形成される。
【0045】
図1に示すような構成では半導体受光素子は、図1中”WG51”に示す光導波路部と、図1中”PD51”に示す受光素子部に分離される。また、図1中”PD51”に示す受光素子部はさらに、図1中”CP51”に示す部分は弱光結合部と、図1中”MD51”に示す部分には主検出部とに分離される。
【0046】
すなわち、図1中”PH51”に示す入射光は図1中”WG51”に示す光導波路部を伝播し、図1中”CP51”に示す弱光結合部を含む図1中”PD51”の受光素子部の光吸収層19の光吸収で発生した光励起キャリア(電子−正孔対)が電極(図示せず。)から光信号電流として取り出される。
【0047】
特に、図1中”CP51”に示す弱光結合部は光吸収層19の光吸収で光励起キャリア(電子−正孔対)を発生させると共に光強度を減衰させる。
【0048】
ここで、図1に示す実施例の動作を図2、図3、図4及び図5を用いて説明する。図2は本発明に係る半導体受光素子の具体例を示す構成斜視図、図3は半導体受光素子のうち光導波路部を示す断面図、図4は半導体受光素子のうち弱光結合部を示す断面図、図5は半導体受光素子のうち主検出部を示す断面図である。
【0049】
図2に示す構成斜視図において、17,18,19,PH51,WG51,CP51,MD51及びPD51は図1と同一符号を付してあり、21はp電極、22はn電極である。
【0050】
図2中”CP51”に示す弱光結合部では、光吸収層19が光導波路18の上部の中心部分で”V字状”にカットされており、光導波路18の短手方向の両端に形成された光吸収層19は図2中”MD51”に示す主検出部に向うに従って連続的に太くなり、図2中”MD51”に示す主検出部に到達する部分で主検出部の光吸収層18とつながっている。
【0051】
ここで、さらに、図2中”WG51”、”CP51”及び”MD51”に示す光導波路部、弱光結合部、及び主検出部の構造を図3〜図5に示す断面図を用いて詳細に説明する。
【0052】
図3において17は図1及び図2と同一符号を付してあり、23はInP層、24は吸収端波長λgが”1.1μm”であるInGaAsP層、25は吸収端波長λgが”1.2μm”であるInGaAsP層、26は吸収端波長λgが”1.3μm”であるInGaAsP層である。
【0053】
基板17の長手方向の中心部分にはInP層23が形成され、InP層23の上にはInGaAsP層24,25及び26が順次形成される。但し、InP層23の短手方向の一端(図面右側)部分は後述のn電極に接続させるためInGaAsP層24,25及び26が形成されていない。
【0054】
図3に示す光導波路部においてはInGaAsP層24,25及び26が光導波路を形成しており、図2中”PH51”に示す入射光が当該光導波路を伝播して行く。
【0055】
また、図4において17,23,24,25及び26は図3と同一符号を付してあり、27は絶縁層、28はn電極、29はInGaAs等の光吸収層、30はp型InP等のキャップ層、31はp電極である。
【0056】
基板17の長手方向の中心部分にはInP層23が形成され、InP層23の上にはInGaAsP層24,25及び26が順次形成される。さらに、InGaAsP層26の短手方向の両端には光吸収層29、キャップ層30及びp電極31が順次形成される。
【0057】
また、InP層23の短手方向の一端(図面右側)部分に接触するようにn電極28が形成され、n電極28と基板17との間には絶縁層27が形成される。
【0058】
図4に示す弱光結合部においては光導波路の両端に形成された光吸収層29の光吸収で発生した光励起キャリア(電子−正孔対)がn電極28及びp電極31から光信号電流として取り出される。
【0059】
また、図5において17,23,24,25,26,27,28,29及び30は図4と同一符号を付してあり、32は絶縁層、33はp電極である。
【0060】
基板17の長手方向の中心部分にはInP層23が形成され、InP層23の上にはInGaAsP層24,25及び26が順次形成される。さらに、InGaAsP層26の上には光吸収層29及びキャップ層30が順次形成される。
【0061】
また、InP層23の短手方向の一端(図面右側)部分に接触するようにn電極28が形成され、n電極28と基板17との間には絶縁層27が形成される。
【0062】
さらに、n電極28が形成されていない側の基板17上からキャップ層30にかけてp電極33が形成され、p電極33と基板17、InP層23,InGaAsP層24,25及び26、光吸収層29との間に絶縁層32が形成される。
【0063】
図5に示す主検出部においては光導波路の上面に形成された光吸収層29の光吸収で発生した光励起キャリア(電子−正孔対)がn電極28及びp電極33から光信号電流として取り出される。
【0064】
ちなみに、図5に示すp電極33と図4に示すp電極31は図2に示すように連続して形成されている。
【0065】
ここで、弱光結合部での動作を図6を用いてさらに詳細に説明する。図6は弱光結合部の直前の光導波路内の光強度分布を示す説明図であり、図6において17,23,24,25及び26は図3と同一符号を付してある。
【0066】
また、図6においてはInGaAsP層24,25及び26の各層の膜厚が”0.7μm”で、光導波路幅を”6.0μm”とした場合の半導体受光素子の右半分の状態を示している。
【0067】
図6中”CH61”に示す光強度分布から、InGaAsP層24,25及び26で形成される光導波路の短手方向の中心部分の方が両端部分(図6では一端のみを示しているが光強度分布は左右対称である。)よりも強いことが分かる。言い換えれば、光導波路の短手方向の両端部分の光強度分布が最も弱いことが分かる。
【0068】
このため、図2中”CP51”に示す弱光結合部の光吸収層19でこの光導波路の光強度分布の最も弱い両端の光を吸収して光励起キャリア(電子−正孔対)を発生させると共に光強度を減衰させる。
【0069】
また、光導波路の光強度分布の最も弱い両端の光を吸収して発生した光励起キャリア(電子−正孔対)では、励起キャリア(電子−正孔対)の濃度が最大にはならないので半導体受光素子の入射面の損傷を防止できる。
【0070】
このように、図2中”PH51”に示す入射光は図2中”CP51”に示す弱光結合部で光導波路の両端の光強度分布の弱い光が順次吸収されながら全体の光強度を減衰させて図2中”MD51”に示す主検出部に導かれて行くことになる。
【0071】
すなわち、図2中”PH51”に示す入射光が図2中”CP51”に示す弱光結合部を伝播することによって、順次光励起キャリア(電子−正孔対)を発生させると共に光強度が順次減衰させられて行き、図2中”MD51”に示す主検出部に到達する時点では入射光の光強度を弱くすることができる。
【0072】
また、図2中”CP51”に示す弱光結合部の光吸収層19が図2中”MD51”に示す主検出部に向うに従って連続的に太くなっているので、光吸収の割合も連続的に大きくなってくるので効率的に光強度を減衰させることが可能になる。
【0073】
さらに、弱光結合部及び主検出部では常に光吸収層が光を吸収して順次光励起キャリア(電子−正孔対)を発生させているので、検出される光信号電流が小さくならず、言い換えれば、受光感度(光電変換効率)が低下することを防止できる。
【0074】
この結果、弱光結合部で光導波路の両端の光強度分布の弱い光を吸収して光励起キャリア(電子−正孔対)を発生させると共に光強度を減衰させることにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。
【0075】
なお、図2に示す具体例では弱光結合部として弱光結合部の光吸収層19が光導波路18の中心部分で”V字状”にカットすることにより、光導波路の両端の光強度分布の弱い光を吸収して光励起キャリア(電子−正孔対)を発生させると共に光強度を減衰させているが、伝播する光を光導波路の中心部分に閉じ込めて光導波路表面の光強度分布の弱い光を吸収して光励起キャリア(電子−正孔対)を発生させると共に光強度を減衰させても構わない。
【0076】
図7は本発明に係る半導体受光素子の他の具体例を示す構成斜視図である。図7に示す構成斜視図において、17,18,19及び21は図2と同一符号を付してあり、22aはn電極である。
【0077】
また、図7において半導体受光素子は図7中”WG71”に示す光導波路部と、図7中”PD71”に示す受光素子部に分離される。また、図7中”PD71”に示す受光素子部はさらに図7中”CP71”に示す部分は弱光結合部と、図7中”MD71”に示す部分には主検出部とに分離される。
【0078】
図7中”CP71”に示す弱光結合部では、図7中”MD71”に示す主検出部と同様に光導波路上全体に光吸収層19が形成されている。
【0079】
ここで、図7に示す実施例の動作を図8,図9及び図10を用いて説明する。図8は半導体受光素子のうち光導波路部を示す断面図、図9は半導体受光素子のうち弱光結合部を示す断面図、図10は半導体受光素子のうち主検出部を示す断面図である。
【0080】
図8において17,23,24,25及び26は図3と同一符号を付してあり、34は吸収端波長λgが”1.2μm”であるInGaAsP層である。
【0081】
基板17の長手方向の中心部分にはInP層23が形成され、InP層23の上にはInGaAsP層24,25、26及び34が順次形成される。但し、InP層23の短手方向の一端(図面右側)部分は後述のn電極に接続させるためInGaAsP層24,25,26及び34が形成されていない。
【0082】
図8に示す光導波路部においてはInGaAsP層24,25,26及び34が光導波路を形成しており、図7中”PH71”に示す入射光が当該光導波路を伝播して行く。
【0083】
また、図9において17,23,24,25,26,27,28,29,30及び31は図4と同一符号を、34は図8と同一符号をそれぞれ付してある。
【0084】
基板17の長手方向の中心部分にはInP層23が形成され、InP層23の上にはInGaAsP層24,25,26及び34が順次形成される。さらに、InGaAsP層34の上には光吸収層29、キャップ層30及びp電極31が順次形成される。
【0085】
また、InP層23の短手方向の一端(図面右側)部分に接触するようにn電極28が形成され、n電極28と基板17との間には絶縁層27が形成される。
【0086】
図9に示す弱光結合部においては光導波路の上部に形成された光吸収層29の光吸収で発生した光励起キャリア(電子−正孔対)がn電極28及びp電極31から光信号電流として取り出される。
【0087】
また、図10において17,23,24,25,26,27,28,29及び30は図4と、32及び33は図5と同一符号をそれぞれ付してある。
【0088】
基板17の長手方向の中心部分にはInP層23が形成され、InP層23の上にはInGaAsP層24,25及び26が順次形成される。さらに、InGaAsP層26の上には光吸収層29及びキャップ層30が順次形成される。
【0089】
また、InP層23の短手方向の一端(図面右側)部分に接触するようにn電極28が形成され、n電極28と基板17との間には絶縁層27が形成される。
【0090】
さらに、n電極28が形成されていない側の基板17上からキャップ層30にかけてp電極33が形成され、p電極33と基板17、InP層23,InGaAsP層24,25及び26、光吸収層29との間に絶縁層32が形成される。
【0091】
図10に示す主検出部においては光導波路の上面に形成された光吸収層29の光吸収で発生した光励起キャリア(電子−正孔対)がn電極28及びp電極33から光信号電流として取り出される。
【0092】
ちなみに、図10に示すp電極33と図9に示すp電極31は図7に示すように連続して形成されている。
【0093】
図8及び図9に示すようにInGaAsP層24,25,26及び34で形成される光導波路は吸収端波長λgが”1.3μm”であるInGaAsP層26を、吸収端波長λgが”1.2μm”である2つのInGaAsP層25及び34で挟み込む構造になっている。
【0094】
一方、吸収端波長λgが長い(バンドギャップエネルギーが小さい)InGaAsPほど屈折率が大きくなり、屈折率の大きい層に伝播する光が閉じ込められるため、中心部分である吸収端波長λgが”1.3μm”であるInGaAsP層26に光強度部分布が集中することになる。
【0095】
ここで、弱光結合部での動作を図11を用いてさらに詳細に説明する。図11は弱光結合部の直前の光導波路内の光強度分布を示す説明図であり、図11において17,23,24,25,26及び34は図8と同一符号を付してある。
【0096】
また、図11においてはInGaAsP層24,25,26及び34の各層の膜厚が”0.7μm”で、光導波路幅を”6.0μm”とした場合の半導体受光素子の右半分の状態を示している。
【0097】
図11中”CH81”に示す光強度分布から、InGaAsP層24,25,26及び34で形成される光導波路の内中心部分であるInGaAsP層26に光強度部分布が集中していることが分かる。言い換えれば、光導波路の表面であるInGaAsP層34の光強度分布が最も弱いことが分かる。
【0098】
このため、図7中”CP71”に示す弱光結合部の光吸収層19でこの光導波路の光強度分布の最も弱い光導波路表面の光を吸収して光励起キャリア(電子−正孔対)を発生させると共に光強度を減衰させる。
【0099】
また、光導波路の光強度分布の最も弱い光導波路表面の光を吸収して発生した光励起キャリア(電子−正孔対)では、励起キャリア(電子−正孔対)の濃度が最大にはならないので半導体受光素子の入射面の損傷を防止できる。
【0100】
このように、図7中”PH71”に示す入射光は図7中”CP71”に示す弱光結合部で光導波路の光導波路表面の光強度分布の弱い光が順次吸収されながら全体の光強度を減衰させて図7中”MD71”に示す主検出部に導かれて行くことになる。
【0101】
すなわち、図7中”PH71”に示す入射光が図7中”CP71”に示す弱光結合部を伝播することによって、順次光励起キャリア(電子−正孔対)を発生させると共に光強度が順次減衰させられて行き、図7中”MD71”に示す主検出部に到達する時点では入射光の光強度を弱くすることができる。
【0102】
また、弱光結合部及び主検出部では常に光吸収層が光を吸収して順次光励起キャリア(電子−正孔対)を発生させているので、検出される光信号電流が小さくならず、言い換えれば、受光感度(光電変換効率)が低下することを防止できる。
【0103】
この結果、光導波路の中心に光強度分布を集中させ、弱光結合部で光導波路表面の光強度分布の弱い光を吸収して光励起キャリア(電子−正孔対)を発生させると共に光強度を減衰させることにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。
【0104】
また、図2に示す実施例では弱光結合部の光吸収層19が光導波路18の中心部分で”V字状”にカット、言い換えれば、光導波路18の短手方向の両端に形成された光吸収層19の幅を主検出部に向って連続的に広げて行き、主検出部の光吸収層19につながっているが、階段状に段階的に光吸収層19の幅を広げて行っても構わない。この場合、段数として1以上であれば任意の段数で良い。
【0105】
また、図2に示す実施例では光吸収層19の幅を主検出部に向って直線的に広げているが、曲線的に光吸収層19の幅を主検出部に向って広げて行っても構わない。
【0106】
例えば、光吸収層19の幅を指数関数的な曲線で変化させれば、伝播する光が主検出部に近づくに従い急激にその光強度が減衰し、また逆に、光吸収層19の幅を対数関数な曲線で変化させれば、伝播する光が光導波路部に近傍で急激にその光強度が減衰するようにすることが可能で、光強度の減衰の割合を制御することが可能になる。
【0107】
また、図1等に示す実施例ではpin構造のフォトダイオードを例示しているが、ショットキーバリア・フォトダイオードに適用しても構わない。
【0108】
また、図1等に示す実施例では半導体材料としてInGaAsP系の半導体材料を用いているが、InGaAlAs系等の半導体材料を用いても実現することができる。
【0109】
また、図1等に示す実施例と同様に光導波路を構成可能な誘電体を用いて光導波路部分を構成しても構わない。
【0110】
また、図1等に示す実施例では端面入射(光導波路)型の半導体受光素子を例示して説明しているが、光集積回路内における光導波路内に設けられた受光素子に適用することも可能である。
【0111】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば次のような効果がある。
請求項1,8,9,10及び請求項11の発明によれば、弱光結合部で光導波路の両端の光強度分布の弱い光を吸収して光励起キャリアを発生させると共に光強度を減衰させることにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。
【0112】
また、請求項7,8,9,10及び請求項11の発明によれば、光導波路の中心に光強度分布を集中させ、弱光結合部で光導波路表面の光強度分布の弱い光を吸収して光励起キャリアを発生させると共に光強度を減衰させることにより、光電変換効率を維持しつつ受光素子部の最大光強度を低減することが可能になる。
【0113】
また、請求項2,3,4,5,6,8,9,10及び請求項11の発明によれば、弱光結合部の光吸収層が主検出部に向うに従って連続的、若しくは、段階的に太くすることにより、光吸収の割合も連続的に大きくなってくるので効率的に光強度を減衰させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体受光素子の一実施例を示す構成断面図である。
【図2】本発明に係る半導体受光素子の具体例を示す構成斜視図である。
【図3】半導体受光素子のうち光導波路部を示す断面図である。
【図4】半導体受光素子のうち弱光結合部を示す断面図である。
【図5】半導体受光素子のうち主検出部を示す断面図である。
【図6】弱光結合部の直前の光導波路内の光強度分布を示す説明図である。
【図7】本発明に係る半導体受光素子の他の具体例を示す構成斜視図である。
【図8】半導体受光素子のうち光導波路部を示す断面図である。
【図9】半導体受光素子のうち弱光結合部を示す断面図である。
【図10】半導体受光素子のうち主検出部を示す断面図である。
【図11】弱光結合部の直前の光導波路内の光強度分布を示す説明図である。
【図12】従来の表面入射型のpin構造のフォトダイオードの一例を示す構成断面図である。
【図13】従来の端面入射(光導波路)型のpin構造のフォトダイオードの一例を示す構成斜視図である。
【図14】従来のショットキーバリアを有するショットキーバリア・フォトダイオードの一例を示す構成断面図である。
【図15】受光面からの距離と光吸収の関係を示す特性曲線図である。
【図16】従来の光導波路と受光素子を集積化した半導体受光素子の一例を示す構成断面図である。
【符号の説明】
1,7,12,17 基板
2,6 電極
3 バッファ層
4,11,14,19,29 光吸収層
5 反射防止膜
8,27,32 の絶縁層
9,15,21,31,33 p電極
10,22,22a,28 n電極
13 コンタクト層
16 ショットキー接合電極
18 光導波路
20,30 キャップ層
23 InP層
24,25,26,34 InGaAsP層
Claims (11)
- 入射光の光励起による電子のバンド間遷移による光励起キャリアの生成により光電変換が行われる半導体受光素子において、
基板上に形成され入射光を伝播させる光導波路で構成された光導波路部と、
この光導波路部からの光を伝播させる前記光導波路と前記光導波路上の短手方向の両端に形成された光吸収層と前記光吸収層の光吸収で発生した前記光励起キャリアを光信号電流として取り出す電極とから構成され、伝播する前記光の光強度を減衰させる弱光結合部と、
この弱光結合部からの光を伝播させる前記光導波路と前記光導波路上に形成された前記光吸収層と前記光吸収層の光吸収で発生した前記光励起キャリアを光信号電流として取り出す前記電極とから構成される主検出部と
を備えたことを特徴とする半導体受光素子。 - 前記光吸収層の幅が、
前記主検出部に向って連続的に広がることを特徴とする
請求項1載の半導体受光素子。 - 前記光吸収層の幅が、
前記主検出部に向って直線的に広がることを特徴とする
請求項2載の半導体受光素子。 - 前記光吸収層の幅が、
前記主検出部に向って曲線的に広がることを特徴とする
請求項2載の半導体受光素子。 - 前記光吸収層の幅が、
前記主検出部に向って段階的に広がることを特徴とする
請求項1載の半導体受光素子。 - 前記光吸収層の幅が、
1段以上の段数を有することを特徴とする
請求項5載の半導体受光素子。 - 前記光導波部及び前記弱光結合部を構成する前記光導波路上に前記光導波路の表面よりも屈折率の低い層を形成し、前記弱光結合部の前記屈折率の低い層の上に前記光吸収層を形成したことを特徴とする
請求項1載の半導体受光素子。 - pin構造のフォトダイオードに適用したことを特徴とする
請求項1乃至請求項7の何れかに記載の半導体受光素子。 - ショットキーバリア・フォトダイオードに適用したことを特徴とする
請求項1乃至請求項7の何れかに記載の半導体受光素子。 - InGaAsP系の半導体材料を用いて構成したことを特徴とする
請求項1乃至請求項7の何れかに記載の半導体受光素子。 - InGaAlAs系の半導体材料を用いて構成したことを特徴とする
請求項1乃至請求項7の何れかに記載の半導体受光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001372184A JP3903477B2 (ja) | 2001-12-06 | 2001-12-06 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001372184A JP3903477B2 (ja) | 2001-12-06 | 2001-12-06 | 半導体受光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003174186A JP2003174186A (ja) | 2003-06-20 |
JP3903477B2 true JP3903477B2 (ja) | 2007-04-11 |
Family
ID=19181119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001372184A Expired - Fee Related JP3903477B2 (ja) | 2001-12-06 | 2001-12-06 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3903477B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8049691B2 (en) | 2003-09-30 | 2011-11-01 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | System for displaying images on a display |
US10331007B2 (en) * | 2017-03-03 | 2019-06-25 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Functional optical device that integrates optical waveguide with light-receiving element on semiconductor substrate |
JP7062276B2 (ja) * | 2018-04-04 | 2022-05-06 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 光導波路型受光素子構造 |
JP7125822B2 (ja) * | 2018-06-06 | 2022-08-25 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光半導体素子及び光伝送装置 |
CN111668329B (zh) * | 2020-06-22 | 2022-04-05 | 三明学院 | 一种光电探测器 |
CN117836589A (zh) * | 2021-11-03 | 2024-04-05 | 华为技术有限公司 | 芯片、光电转换装置、光模块和光通信系统 |
-
2001
- 2001-12-06 JP JP2001372184A patent/JP3903477B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003174186A (ja) | 2003-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7851823B2 (en) | Semiconductor photodetector device | |
US7675130B2 (en) | Waveguide photodetector | |
US7415185B2 (en) | Buried-waveguide-type light receiving element and manufacturing method thereof | |
JP2934294B2 (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
JP4933698B2 (ja) | 半導体アバランシェホトディテクタ | |
JP3477147B2 (ja) | 高パワーで大きいバンド幅の進行波光検出噐 | |
JP3903477B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
JP2004031707A (ja) | アバランシ・フォトダイオード | |
JP4168437B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
CN114171614A (zh) | 光电探测器 | |
JP4030847B2 (ja) | 半導体受光装置 | |
JP3452005B2 (ja) | 装荷型半導体受光素子 | |
JP4025651B2 (ja) | 複数の光吸収層間に加速用のスペーサ層を介在させた半導体受光素子及びその製造方法 | |
JP4304338B2 (ja) | 光検出素子 | |
JPH05121777A (ja) | 受光素子 | |
EP1107318B1 (en) | Semiconductor photodetector | |
JP3708758B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
KR102015408B1 (ko) | 수직 입사형 포토다이오드 | |
JP2001053328A (ja) | 半導体受光素子 | |
JP3739273B2 (ja) | 半導体光検出器 | |
US11940663B2 (en) | Optical device | |
JPH11354827A (ja) | 受光素子およびその製造方法 | |
JP4281743B2 (ja) | 受光素子およびそれを用いた光受信機 | |
JP3184246B2 (ja) | 導波路型半導体受光素子 | |
JP2005086028A (ja) | 半導体受光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061231 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100119 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110119 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120119 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |