JP3297360B2 - 膜マスク及びこれの製造方法 - Google Patents

膜マスク及びこれの製造方法

Info

Publication number
JP3297360B2
JP3297360B2 JP28022397A JP28022397A JP3297360B2 JP 3297360 B2 JP3297360 B2 JP 3297360B2 JP 28022397 A JP28022397 A JP 28022397A JP 28022397 A JP28022397 A JP 28022397A JP 3297360 B2 JP3297360 B2 JP 3297360B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
film
layer
pattern
providing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP28022397A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10172905A (ja
Inventor
ラウル・エドモンド・アコスタ
ラマン・ゴビチェッティパラヤム・ビスワナサン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH10172905A publication Critical patent/JPH10172905A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3297360B2 publication Critical patent/JP3297360B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造にお
いて使用するためのマスクの製造に関する。更に具体的
にいうならば、本発明は、Ｘ線及びイオン・ビーム・リ
ソグラフィにおいて使用するための新規な膜マスク（い
わゆるメンブレン・マスク）、この新規な膜マスク構造
を製造するプロセス、及びこの新規な膜マスク構造を使
用する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造においては、半導体材料に
所望の集積回路パターンを形成するためにマイクロ・リ
ソグラフィが使用されてきた。光に反応するレジスト材
料の層が半導体材料の上に付着され、次いで、このレジ
スト層の領域を選択的に露光するためにレジスト層は、
光放出源からのエネルギーをパターン化されたマスクを
介して当てることにより露光される。レジスト材料のう
ち露光された領域を更に処理してレジストを選択的に除
去し、集積回路の形成に必要な所望のパターンを残す。
この所望のパターンを使用する後続のデバイス処理プロ
セスは、半導体材料内への拡散ステップ、半導体材料上
への材料の付着ステップ、そして新たなレジストの付
着、露光、除去及び処理ステップを含むことができる。
【０００３】今日の製造技術で使用されている放射源
は、例えば電子ビーム放射源、イオン・ビーム放射源及
びシンクロトロンＸ線放射源のような高エネルギーの放
射源を含む。このような放射源を使用するマイクロリソ
グラフィック処理に対して重要なのは放射光が通過する
パターン化されたマスクである。マスクは、これを通過
する放射光の種類に対して実質的に不感性であり、そし
て事後処理のために要求される処理雰囲気、高温及び化
学物質へ曝されることを含む処理条件に対しても不感性
である材料で製造されなければならない。更にマスク
は、半導体材料へパターンを正確に転写するために精密
に製造されなければならない。各マイクロリソグラフィ
ック処理に適正なマスク材料は、使用される放射源及び
付随的な処理条件に依存して異なるが、マスクを形成す
るパターン部分（フィーチャー）を正確に形作りそして
正確に位置づけることの必要性はどのマスクに対しても
同じである。更に、個々の半導体装置の各動作領域の寸
法が小さくなるにつれて、チップ上の大規模集積回路
（ＶＬＳＩ）に所望される寸法が増大し、２０００年ま
でには３０ｍｍを越える寸法のチップを処理することが
要求される。従って、リソグラフィック・マスクは、パ
ターン化された大きな領域にわたって、高密度に形作ら
れた高解像度のパターン部分を正確に位置づけなければ
ならず、そしてこれはマスク材料に対して互いに相反す
る要求を課すことになる。リソグラフィック・マスクに
おける現在の欠点を明らかにしそして本発明の良好な実
施例に従ってこのような欠点を解決するための構成を提
供するために、本明細書ではＸ線リソグラフィのための
マスク、これの製造方法及び使用の態様について特に検
討する。本発明は、以下に述べる技術に従って、膜マス
クを使用するイオン・ビーム及び他のリソグラフィのた
めのマスクに容易に適用されうることができ、そしてこ
のような適用の変更は本発明を知りそして理解できる当
業者にとって容易であることが明らかである。
【０００４】図１に示されている型の従来のＸ線マスク
１０は、基板１１、Ｘ線放射に対して透過性であり長さ
Ｌ及び厚さｔmを有する薄い膜１２及びＸ線放射を吸収
するように選択された吸収材料であり厚さｔaを有する
吸収材料のパターン部分１３を有し、これによりこれら
吸収パターン部分に整列されているレジストの領域をＸ
線放射が露光することを禁止する。Ｘ線マスクのための
材料の例について説明すると、基板１１としてシリコン
が使用され、膜１２としてシリコン、シリコン炭化物、
窒化シリコン、ダイアモンド等が使用され、そして吸収
材料１３として例えばタングステン、タンタル、タンタ
ル窒化物、タンタル硼化物等の高い原子番号を有する高
融点金属又は金が使用される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ｘ線マスクの製造にお
いては、吸収材料のパターン部分１３の配置が厳格にな
されなければならない。膜上に吸収パターンを描く間の
ドリフト、充填、温度変動、振動効果等に基づくエラー
は、パターンを正確な位置からずらし、これによりマス
クは使用に適さなくなる。マスクのパターン部分の面内
の歪みは、膜上の吸収体ストレスの効果に基づいて大き
く生じ、そしてこのストレスは処理及び材料の数に比例
する。吸収体ストレスは、膜及び吸収体材料の物理的特
性の差に基づいて部分的に生じ、そして、吸収体の付着
及びパターニングの間の条件（例えば、付着の間のスパ
ッタリング温度等）に基づいて部分的に生じる。
【０００６】Ｘ線マスクを製造するために現在使用され
ている一つの方法においては、基板１１に厚さｔmまで
ドーパントを選択的に拡散することにより膜１２が形成
され、次いで寸法Ｌで規定される膜領域がエッチングに
より形成され、そしてこの膜の形成に続いて吸収パター
ンが形成される。他の方法は、基板１１の上に膜１２の
ための材料の層を付着し、そして吸収パターンの形成に
先立って、下側の基板を寸法Ｌだけ除去する。他のマス
ク製造プロセス・フローは、吸収パターンの生成までは
ウエハにマスク処理を行い、次いで吸収パターンの下側
に膜を形成するために基板ウエハを寸法Ｌに沿ってバッ
ク・エッチングする。吸収材料は膜上に形成されてもよ
く又は膜内に埋め込まれてもよい。上述の全てのプロセ
スは、寸法Ｌに亘って支持されていない膜上の吸収材料
により与えられるストレスに基づくマスク・パターンの
歪みを生じる。上述のような寸法Ｌを長くしたいという
ＶＬＳＩにおける技術的要求によりパターンの配置の改
良が望まれる。吸収体ストレスに基づく歪みは事後処理
温度及び化学物質に曝されて更に悪化されうる。
【０００７】処理による吸収体ストレスへの影響の度合
い及びその結果生じる面内歪みは、３０ｍｍよりも大き
なチップのための大きな面積の膜を処理するときに更に
増大される。例えば、高融点金属のストレスはスパッタ
リング・プロセスの間の基板の温度に依存することが知
られているけれども、スパッタリングの間大きな膜面積
に亘って適切な温度を維持することは非常に困難であ
り、この付着の間の表面温度の変動が生じると吸収体が
種々な大きさのストレスを生じこれがマスクの膜のうち
種々な領域に加えられる。実際に、一様でない吸収体の
ストレスは、膜上のストレスの高い絶対値よりも悪影響
を与える。
【０００８】マスクの面内歪み(In-plane distortion)
は、吸収体ストレスに比例するだけでなく、膜の寸法Ｌ
及び吸収体の厚さｔaに比例し、そして膜の材料のヤン
グ率に反比例しそして膜の厚さｔmに反比例することが
見い出された。従って、歪み及び吸収体のストレスを最
小にするように処理条件及び材料の選択の仕方を変える
ことに加えて、マスク及びこれの使用の仕方に悪影響を
与えることなく（例えば、膜の厚さを増大すると露光時
間が長くなる）、Ｘ線マスクで生じる面内歪みの量を全
体的に減少させるために、膜の厚さを最大にしそして吸
収体の厚さを最小にする努力がなされてきた。このよう
な試みは今日使用されている寸法のＸ線マスクに対して
は効果があるけれども、ＶＬＳＩチップの製造に要求さ
れる大面積のマスクに対しては効果がない。
【０００９】このような寸法（例えば３０ｍｍ以上）に
までマスクをスケーリングするときに生じる他の難しい
問題は、マスクの種々なパターン部分を描く間の連続的
は整列を補償することができないことである。大面積の
Ｘ線マスク・パターンを描く際に、Ｅ（電子）ビーム描
画装置は位置マーカーを参照することなく進行し、これ
は熱効果、振動、チャージ効果等に基づくドリフトと組
合わさって重大なパターン配置エラーを引き起こす。
【００１０】最終的に、パターン配置エラーは次の原因
に基づいてこのリソグラフィック・マスクの使用の間に
生じる。即ち、これらの原因は、マスクを通して行う露
光の間の温度変動、パターン化されるべき半導体材料上
の複数のターゲット・チップ・サイト（位置）に亘って
膜マスクを移動させて位置づけるときに生じる振動、使
用中に付着した異物の破片、及び半導体表面にマスクに
対する吸収パターンの不用意な接触である。従って、こ
こで必要とされるのは、製造プロセスの間そしてこれの
使用状態の間のパターン配置のエラーが最小である膜マ
スク構造である。
【００１１】従って、本発明の目的は、吸収体ストレス
効果及び面内歪みを減少することができしかもＶＬＳＩ
チップの大面積のリソグラフィを実現するマスクを与え
ることができる膜マスク構造及び製造技術を提供するこ
とである。
【００１２】本発明の他の目的は、Ｅビームによる描画
（書き込み）の間の連続的な整列を可能としこれにより
意図したパターン配置を達成するための複数個の整列マ
ークを有する膜マスクを提供することである。
【００１３】本発明の他の目的は、リソグラフィック用
の膜マスクの製造プロセス及び結果的な構造を提供する
ことであり、ここで、膜上のマスク・パターンはウエハ
・レベルで生成され、これにより、薄い膜上にパターン
を形成しまたは膜を形成するために既にパターンが形成
されたウエハの背面をエッチングする今日のプロセスの
もとで生じる面内歪みの問題を解決する。
【００１４】本発明の他の目的は、吸収体パターンの性
能が使用中の温度効果、振動効果、物理的接触または異
物との接触に基づく劣化を受けない膜マスク構造を提供
することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述の目的は、放射光に
対して透明な膜の表面に１つおきの行領域を規定し、こ
れら行領域相互間に放射光に対して不透明な支持部材を
インターリーブ式に設け、そして各行領域内に放射光に
対して不透明なパターン部分（マスクのフィーチャ）を
設けた２ステージ・マスクを提供する本発明により達成
される。放射光を使用するリソグラフィのための膜マス
ク構造は、放射光に対して不透明な材料で形成され、ウ
インドウ即ち開口により互いに離隔されている複数の支
持部材を有する支持構造、支持部材及びウインドウ即ち
開口に重ねて設けられ放射光に対して透明な材料の膜の
層、並びにこの透明な膜の層のうち、支持構造のウイン
ドウ即ち開口に整列した領域（行領域）のそれぞれ内に
形成され放射光に対して不透明な材料のパターン部分を
有する。更にマスク構造は、膜の層の上若しくは膜の層
の内部に形成され、又は支持構造の支持部材の上に形成
され、ビームの位置決めに使用される複数の基準位置マ
ーカーを含む。更に、パターン部分が形成されている膜
の領域に外部からの破片が付着するのを防止するよう
に、放射光に対して透明な保護用の薄膜がマスク構造の
支持部材に設けられる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１及び図２は、半導体の製造で
使用されてきた従来のリソグラフィック・マスクの断面
及び上面をそれぞれ示す。簡潔化のために、本発明は特
にＸ線マスク材料及びこれの製造方法に適用した場合に
ついて詳細に説明される。上述のように、本発明がＸ線
マスクのみならず、イオン・ビーム・マスク構造及びこ
れの製造プロセスそして他の適切な膜マスク構造及びこ
れの製造プロセスに適用されうることは本明細書の記載
から当業者により容易に理解されるであろう。図２に示
されている従来のマスク構造の上面図に示されているの
は、膜１２及び吸収体のパターン１３である。吸収体の
パターンを、行１４−１乃至１４−６と示された吸収体
のパターン部分（フィーチャー、即ちマスクの全体のパ
ターンを構成する個々の部分）のパターン行と呼ぶ。従
来技術によると、吸収体のパターン部分の行１４−１乃
至１４−６は、寸法Ｌに沿って膜１２の上に描かれる。
前述のように、吸収体のパターン部分は膜にストレスを
与え、吸収体の面内シフトを生じさせ膜を歪めて吸収体
のパターンの歪みを生じさせる。
【００１７】図３（Ａ）及び（Ｂ）は、新規なマスク構
造の上面及び断面をそれぞれ示し、ここで、図１及び２
の行１４−１乃至１４−６を有する寸法Ｌは分割されて
いる。図３、図４等に示されている本発明のマスク構造
が、図１及び２に示されている従来のマスクを使用して
転写されると同じマスク・パターンの転写を行うのに利
用されることができることを示すために、対応するパタ
ーン部分を示すのに対応する参照数字（例えば１３に対
して３３、そして１４−１乃至１４−６に対して３４−
１乃至３４−６）を使用する。図３（Ａ）は、上側に吸
収体３３が設けられている膜３２の上面を示す。吸収体
は、放射光例えばＸ線放射光を吸収して、吸収体パター
ンに整列しているレジスト領域に放射光が到達しないよ
うにする。吸収体が形成されている膜３２の領域は、マ
スクのパターン部分の行３４−１乃至３４−６を示し、
これは吸収体のパターン部分の行１４−１乃至１４−６
に対応する。従って、図２の行１４−１の吸収体のパタ
ーンは、行３４−１の吸収体のパターン部分と同じ吸収
体パターン部分を有し、行３４−２は行１４−２に対応
し、以下同様である。膜上の吸収体のパターン部分の偶
数番号の行は、マスク構造の一方の領域に連続して設け
られ、一方奇数番号の行はマスクの別の領域に連続して
設けられている。図３（Ｂ）を参照して詳細に説明する
ように、全ての行又は行領域即ちマスク膜パターン・セ
クションと、支持部材を有するマスク膜セクションとは
インターリーブ式に配置されている。即ち、膜３２上で
複数のマスク膜パターン・セクションは互いに間隔をお
いて配置されており、そしてこれら間隔のそれぞれがマ
スク膜支持セクションに対応する。マスク膜パターン・
セクションの膜即ち膜領域内に吸収体のパターン部分３
３が形成され、そしてマスク膜支持セクションの膜即ち
膜セクションに支持部材３５が取り付けられている。膜
３２及び吸収体３３を形成する材料は、図１及び２の従
来のＸ線マスクに使用されたと同じ材料であることに注
目されたい。即ち、基板としてシリコンが使用され、膜
としてシリコン、シリコン炭化物、窒化シリコン、ダイ
アモンド等が使用され、そして吸収体１３として例えば
タングステン、タンタル、タンタル窒化物、タンタル硼
化物等の高い原子番号を有する高融点金属又は金が使用
される。支持部材は中まで詰まった（ソリッド）な部材
として示されているが、支持部材が放射光に対して不透
明即ち透過性を示さずそして必要な物理的支持機能を与
えるならば、非ソリッド型の構造（例えば、Ｉ字型の
梁、蜂の巣状構造等）を使用することができる。
【００１８】図３（Ｂ）の断面図を参照すると、行３４
−１乃至３４−６のそれぞれの行相互間の膜３２の領域
の下側には、Ｘ線放射光に対して非透過性の材料の支持
部材３５が設けられている。支持部材は、放射光に対す
るシールドとして働き、そして行３４−１乃至３４−６
の間に存在するＸ線を透過する膜材料及び吸収体に対す
る支持構造として働き、そして行のそれぞれとほぼ同じ
幅を有する。寸法Ｌが６つの等しい水平セグメントに分
割されている図示されているマスクの説明を簡略化する
ために、Ｌ＝６ｌ（ここで使用するｌは、Ｌの小文字で
ある）とすると、ｌは各行の寸法である。マスクの使用
の間、パターン部分が不透明な領域と重ならないことを
確実にするために、各支持部材の寸法もまたｌ（Ｌの小
文字）である。新規なマスク構造の使用及び図６を参照
して説明するが説明の目的上、行３４−５及び３４−２
の間の領域は、パターン化された行を２つのステージに
分離しそして２ｌ（ここで使用するｌはＬの小文字であ
る）の寸法の領域であり、そしてマスク構造は１２ｌ即
ち２Ｌ（ここで使用するｌはＬの小文字である）に等し
い全体的寸法を有する。
【００１９】本発明の精神から逸脱することなく、上述
の寸法の関係を変更することができる。例えば、もしも
吸収体のパターンが同じ寸法のウインドウにより分離さ
れるならば、支持部材は寸法が一様でない開口（例えば
一つはｌそして他はｌ＋０．２５ｍｍ、尚、ここで使用
するｌはＬの小文字である）により分離されることがで
きる。支持部材は使用する放射光に対して不透明即ち非
透過性のシリコンまたは他の適切な材料により形成され
る。シリコンの支持部材は、吸収体３３を有する膜３２
の行３４ー１乃至３４ー６のパターンに適合する適切な
形状に機械仕上げされまたはエッチングされる。従っ
て、新規なマスク構造は、マスク上で膜と吸収体の行が
１つおきにありそしてこれらの間の領域に不透明な支持
部材がインターリーブ式に設けられているマルチ・ステ
ージ（複数のステージがある）マスクである。説明中の
実施例は２つのステージを与えるが、マスク・パターン
は２つよりも多いステージに分けられることができ、こ
こで、要求される露光の数はマスク・ステージの数に直
接的に相関して増大する。
【００２０】支持部材は、マスクの使用の間及びマスク
処理の間のマスク構造の構造的一体性を高める（これに
ついては後述する）が、この支持部材は主に、吸収パタ
ーンの行毎の膜の非支持領域の面積を減少して（即ち、
膜及び吸収体の各セクションの寸法Ｌを減少すること）
この領域内の膜上の吸収体ストレスの効果を減少し、パ
ターン歪みが生じる可能性を減少する。本発明を実施す
る良好なモードはセグメント化及び支持の両方を与える
けれども、マスク・パターンを図３（Ａ）に示すように
セグメント化することにより、付加的な構造的支持を与
えることなくマスク膜上のパターン配列に対する吸収体
ストレスの効果を減少すると考えられる。吸収体ストレ
スの効果を減少することに加えて、マスク・パターンの
セグメント化は、膜マスクを使用の間の温度変動及び振
動のマイナスの効果に対してより不感性にする。
【００２１】マスク・パターンが分割されてできたセグ
メントの最小及び最大寸法と膜領域及び支持部材の寸法
は、支持部材に小さな寸法のスリット（今日利用できる
技術では例えば１ｍｍ）を設ける能力と機械的な安定性
を維持する必要度（即ち、好ましくは支持部材はマスク
・パターンを分離するということに加えて支持部を与え
る）により最小値にされ、そして吸収体ストレスの効果
をどの位減少するかということと使用中に生じる温度及
び振動の値により最大値にされる（今日の技術で使用す
るパターン部分の密度を有するＸ線マスクに対しては約
５ｍｍ）。
【００２２】図４（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明のマスク
構造の１つの実施例を構成する２つの構成素子、即ちマ
スク・ウエハ４０及び支持ウエハ４５の上面を示す。図
４（Ａ）において、マスク・ウエハ４０は基板を有し、
そしてこの上に吸収体４３の行４４−１乃至４４−６を
有する膜領域４２が付着されており、または内部に拡散
されている。図４（Ｂ）に示すシリコンの支持ウエハ４
５は、行４４−１乃至４４−６と同じ寸法の開口４６ー
１乃至４６−６を有するように機械加工またはエッチン
グされる。支持ウエハ４５がマスク・ウエハ４０に固定
されると、開口４６−１乃至４６−６は行４４−１乃至
４４ー６に整列される。開口４６−１乃至４６−６の間
に配置されている支持ウエハ４５の領域は、図３（Ｂ）
で参照番号３５で示した支持部材を構成する。マスク・
ウエハ４０の行相互間にそれぞれ個別の支持部材を取り
付けることもできるが、図示のような複数個の開口が形
成されている支持ウエハ４５を使用することが最も実用
的であることは明らかである。支持ウエハを使用する
と、吸収体パターンを有するマスク・ウエハ４０への整
列が容易になる。現在の時点では、シリコン支持ウエハ
４５の機械加工（フライス加工、サンドブラスト、放電
加工）が精度及び経済性の観点から最も利点のある製造
プロセスであると考えられる。しかしながら、ウエハ４
５の開口のパターンが同じ支持構造を生じる化学的プロ
セスにより形成されることは当業者にとって明らかであ
ろう。シリコンがウエハの形または他の一体型形状の支
持構造として使用される唯一の材料でないこと、しかし
ながら所定のシリコンの物理的特性によりシリコンが好
ましく、そしてシリコンが好ましい膜マスク材料であり
そして使用中に意図された状態を保つことは、当業者に
より明らかであろう。
【００２３】支持ウエハの厚さは、十分な構造的一体性
を維持でき行及び開口の寸法を維持できる最小限度の厚
さにされねばならない。最大の厚さは、単に例えばコス
ト、機械仕上げの誤差等の実際的な考慮点により決めら
れる。基板４１は、この上に膜４２が付着され（または
この中に膜材料の層を形成するように適切なドーパント
が拡散される）次いで開口を形成するようにエッチ・バ
ックされるような比較的厚い厚さを有することに注目さ
れたい。
【００２４】支持基板４５は、マスク・ウエハ４０上に
単に整列して置かれるのではなくこのマスク・ウエハ４
０に固定される。特に図６以降を参照して説明するよう
な本発明の使用態様によるとマスク構造の移動が行われ
るので、２つのウエハを固定することは、このマスク構
造がリソグラフィに使用されるとき、支持構造及びマス
ク・パターンの一体的に整列を確証する。シリコンを使
用する場合、両者の固定は、例えば硼珪酸ガラスの層が
支持ウエハに付着され、そして支持ウエハ及びマスク・
ウエハが物理的ー化学的ボンディングを生じる高電圧及
び高温状態の元で一体化される陽極ボンディングにより
達成されることができる。他の固定方法は、直接的なシ
リコン・ボンディング、ねじ止め及び２つのウエハを互
いに固定して吸収体及び支持構造のパターン部分をＸー
Ｙ平面内でシフトしないようにする他の方法を含む。
【００２５】図５（Ａ）及び（Ｂ）は、図３及び４の２
ステージ・マスク構造が、２つの別々のパターン化され
たマスク構造に分割され、図６以降に示される２ステー
ジ・マスク構造に対して詳述するように半導体ウエハに
領域を逐次的に露光するために使用され、または２つの
別個の露光プロセスにおいて使用されうることを示す。
図５（Ａ）のマスク構造２０は、膜２２と、図２、図３
（Ａ）及び図４（Ａ）のマスクの奇数行に対応する行２
４−１、２４−３及び２４−５に配置された吸収体２３
を有する。行２４−１、２４−３及び２４−５に対して
インターリーブ式に配置されているのは支持部材２５で
ある。図５（Ｂ）のマスク構造は、吸収体５３を有する
膜５２のセクションをそれぞれ含む行５４−２、５４−
４及び５４−６でインターリーブされた支持部材５５を
含む。２つのマスク構造は、前述のマスクに含まれそし
て半導体プロセスに必要な全てのマスクのパターン部分
を含む。使用の時は、上述の本発明のマスク構造のよう
に、パターンが形成されるべき半導体材料は、所望の全
てのマスクのパターン部分を転写するために両マスクを
通して露光される。
【００２６】説明中の実施例では膜及び吸収体の行がマ
スク上で１つおきに水平方向に並べられそしてこれらの
間に支持部材がインターリーブ式に配置されているが、
吸収体パターンは垂直方向の素子に、又はマスク・パタ
ーンの全てのパターン部分を含みそしてパターン配置ず
れを生じる膜に対する吸収体ストレスのマイナス効果を
軽減するに十分な程度まで膜の面積のうち支持を受けな
い面積が減少されるような他の形状に分割されることが
できる。膜及び吸収体のどんな構成が選択されても、マ
スク構造の組立において支持構造開口内にそしてこれに
整列して形成されねばならない。更に、本発明は、マス
クのパターン部分をマスク構造の２つのステージ即ち部
分に分割すること又は２つの別のマスク構造に分割する
ことを与えるが、２つよりも多いステージが設けられ、
全てのマスクのパターン部分が少なくとも１つのステー
ジに形成されることが明らかである。
【００２７】図６（Ａ）−（Ｄ）及び図７（Ａ）−
（Ｄ）は、２ステージ・マスク構造を使用して半導体ウ
エハ６６の３つのチップ領域６７−６９を露光すること
を示す。従来ではＸ線リソグラフィの間、図１及び２の
マスク１０は、膜１２を横切ってＸ線ビームを走査する
ことにより露光された。このような走査は、マスク及び
露光されるべき半導体ウエハを静止させてＸ線ビームを
掃引することにより、又は静止したＸ線ビームに対し
て、マスク及び半導体ウエハを互いに固定したアセンブ
リを走査することにより達成された。いくつかの従来の
源で行われているように、全面露光もまた本発明を適用
する場合に使用されうる。従来では１回の走査が完了す
ると、チップの全体の領域に全てのパターン部分が露光
され終える。次いでウエハはマスクに対して相対移動さ
れ他のウエハ領域に露光が行われる。
【００２８】しかしながら、本発明のマスク構造を使用
すると、１つのチップを露光するには、ウエハの１つの
チップ・サイト即ちチップ領域の寸法Ｌに等しい距離だ
け、ウエハのチップ領域に対してマスクを中間的に相対
移動させて（即ち、ウエハをマスクに対して中間的に相
対的に歩進して）、２ステージ・マスク構造を２回走査
する。１つのステージのマスクが最初に走査をされ、次
いで歩進が行われ、そして次のステージのマスクの走査
が行われる。もしもマスク・パターンが２つよりも多い
数のステージに分割されているならば、全てのパターン
部分を露光するにはこの数に等しい数の走査が必要であ
る。
【００２９】図６（Ａ）、及び（Ｃ）並びに図７（Ａ）
及び（Ｃ）は、Ｘ線リソグラフィの逐次的ステップにお
けるウエハのチップ・サイト即ちチップ領域に対するマ
スク構造の位置づけを斜視的に示す。図６（Ｂ）、及び
（Ｄ）並びに図７（Ｂ）及び（Ｄ）は、逐次的な各露光
ステップの後のウエハの各チップ領域の露光パターンを
示す。説明を簡略化するために各露光ステップの後のチ
ップ領域のパターンが示されているが実際にはこのよう
にして見ることはできない。図を簡略化するために、２
つのマスク・ステージに１つおきに配置されている行６
４−１、６４−２及び６４−３を含む３行のパターン部
分がマスク６０に示されている。
【００３０】図６及び図７を参照すると、最初にマスク
構造６０は、行６４−１及び６４−３を含む第１番目の
マスク・ステージが第１番目のチップ領域６７に重なる
ように位置決めされる。マスク構造６０を通して光放射
された後、チップ領域６７は、図６（Ｂ）に示されるよ
うに、行６４−１及び６４−３の膜及び吸収体のパター
ンのイメージを含む。マスク構造の支持部材及び吸収体
はＸ線放射に対して不透明であるので、チップ領域６７
の露光された領域は、行６４−１及び６４−３の透明な
膜に整列された領域である。次いで、マスク構造６０
は、図６（Ｃ）に示されるように１つのチップ領域の寸
法だけ歩進されてチップ領域６７及び６８に重ねられ、
これにより行６４−１及び６４−３を含む第１番目のマ
スク・ステージはチップ領域６８に重なるように位置決
めされ、一方行６４−２を含む第２番目のマスク・ステ
ージはチップ領域６７の上に位置決めされる。マスク構
造６０を通してチップ領域６７及び６８を照射した後に
図６（Ｄ）に示す露光パターンが生じる。設計通りの全
てのマスクのパターン部分がチップ領域６７に転写され
終えており、ここでイメージ・シーケンス６４−１、６
４−２及び６４−３はこれらの間にブランク領域を生じ
ることなく連続しており、一方チップ領域６８は行６４
１及び６４−３を含む第１番目のマスク・ステージの露
光パターンを有している。図７（Ａ）に示す位置までマ
スク６０を歩進すると、図７（Ｂ）に示されているよう
にチップ領域６８に行６４−２が露光されてこのチップ
領域６８のパターン形成が完了し、一方チップ領域６９
には行６４−１及び６４−３のパターンが転写され終え
ている。最後に、マスク構造６０は図７（Ｃ）に示す位
置まで移動され、これにより行６４−２を含むマスク構
造の第２番目のステージがチップ領域６９の上に位置決
めされ、一方マスク構造の第１番目のステージはチップ
領域６９のエッジを越えている。図７（Ｃ）に示されて
いる位置でマスク構造を通して光放射した後、図７
（Ｄ）に示すように全てのチップ領域に対するパターン
形成が完成する。次いで、マスク構造はウエハの隣接す
る領域に向けて歩進され、これに続くチップ領域にパタ
ーンが形成される。
【００３１】露光ステップ相互間の間にマスクが１つの
チップ領域の寸法（Ｌ即ち６ｌ、このｌはＬの小文字を
示す）だけ歩進されるとすると、図３（Ａ）及び（Ｂ）
に示すように、２つのマスク・ステージの間の支持され
ていない膜の領域の幅は２ｌ（ｌはＬの小文字）であ
る。露光ステップ相互間に歩進される距離が、所望の全
てのパターン部分の露光を確実に行うように半導体ウエ
ハに対してマスク・ステージを整列させるように正確に
較正されるならば、２ステージ・マスクの２つのマスク
・ステージの間にある支持された膜の領域の幅を変える
ことができる。前述のように、マスク構造の複数ステー
ジは、別個のマスクに設けられることができ、そして露
光ー歩進プロセス・フローが複数回繰り返される。この
後者の方法はウエハ・プロセス・システムのスループッ
ト（効率）に重大な影響を与える。これに対して、単一
の２ステージ・マスクの使用は、２つのチップ領域が１
つのサイクルで照射されるので１つの追加の露光サイク
ルを必要とするだけである。
【００３２】図８は、マスク・パターンがマスク上に書
き込まれるときの連続的なパターンの整列を与えるため
に、マスク構造内に基準マーカを設けることを示す。前
述のように、Ｅビーム書き込みプロセスの間のドリフト
はパターンのずれを生じてマスクを意図された目的のた
めに使用できなくする。下側の支持部材７５と支持され
ない膜７２及び吸収体７３の行とがインターリーブ式に
設けられている（即ち、交互に配置されている）、図８
の７０で示す新規なマスク構造体に対して、規則的に間
隔をおいて配置された基準マーカーが設けられることは
容易である。基準マーカー７１は、支持部材に整列され
た膜のＸ線に不透明な領域に設けられることができ又は
支持部材に設けられることができ、その理由は、これら
の規則的に間隔をおかれた領域は光放射に対して不透明
でありそしてここに置かれたいかなるマーカーも後続の
リソグラフィに悪影響を与えないからである。基準マー
カーを何時形成するかは、これらの基準マーカーを位置
整列マーカーとして参照して吸収体パターン部分を形成
するＥビーム描画工程が製造プロセスのどの時点で行わ
れるかにより決められる。最も利点のある方法は、光学
的リソグラフィを使用してシリコン上にマーカーをプリ
ントすることにより、又はレーザ干渉によりシリコンに
高精度のルーラ又は定規を生成することにより基準マー
カーをマスク・ウエハに形成することであると考えられ
る。
【００３３】吸収マーク・パターンをＥビームで描く前
にマスク・ウエハのＸ線に不透明な領域に基準マーカー
を形成することにより、Ｅビームは書き込みプロセスの
間基準マーカーに周期的にロックされ、書き込みプロセ
スを中断することなく、荷電、振動等に基づいて生じる
ドリフト・エラーを瞬間的に矯正し、マスク膜領域の外
側に配置された基準マーカーと再整列する。Ｅビーム書
き込みをこれを停止する必要性を伴わずに連続して進め
ることそして任意の基準マーカーに戻れることが非常に
望ましいので、図８は、ダイナミック矯正のために密集
して構成された基準マーカー７７を示す。高精度のｘ、
ｙグリッド及び焦点合わせ矯正パターン７７がＸ線に不
透明な領域に設けられて、書き込みの間の主及び従偏向
フィールドの間のインフィールド・マッチングを較正す
るためにそしてダイナミック矯正を可能とするために使
用される。
【００３４】残りの図面はマスク構造体自体の製造方法
に関する。図９（Ａ）乃至（Ｄ）は、膜が従来のマスク
処理に従って形成されるマスク処理フローを示す。図９
（Ａ）に示すように、膜８２は、基板８１に拡散するこ
とにより又は基板に薄い層を付着することにより生成さ
れ、次いで基板８１を寸法ｌ（Ｌの小文字）に沿ってエ
ッチングして開口を形成し、拡散又は付着された膜の層
８２のウインドウを露出して、図９（Ｂ）に示す構造を
形成する。次いで、支持部材８５（又は支持部材及び開
口即ちウインドウのパターンを有するウエハ）が基板８
１にボンディングされ、これにより支持部材８５の間の
開口は、基板８１の寸法ｌ（Ｌの小文字）のウインドウ
に整列される。支持部材が基板にボンディングされた後
に、吸収体８３が、膜８２のうち、基板のウインドウに
より規定される領域に形成される。吸収体の層が膜８２
の上に一面付着される前に、図８のＥビーム基準マーカ
ーが支持部材８５上の膜の層に形成され、そして図９
（Ｄ）のステップにおける吸収体のパターン部分８３を
形成するときに参照される。
【００３５】図１０（Ａ）乃至（Ｃ）は、上述の構造に
到達するための他のプロセス・フローを示す。図１０
（Ａ）に示すように、周知のプロセス技法に従って、膜
材料９２が基板９１の上に形成され上述のように基準マ
ーカーが膜材料９２に形成され、そしてこの後に吸収体
９３が膜に上に設けられる。寸法ｌ（Ｌの小文字）の開
口により分離された支持部材９５が基板にボンディング
されて図１０（Ｂ）に示す構造を生じる。最後に、基板
９１が支持部材の間の開口を介してエッチングされて、
図１０（Ｃ）に示すように、膜９２のうち吸収体が配置
されている領域を露出する。
【００３６】本発明のマスク構造の良好な実施例の一つ
を製造する方法が図１１（Ａ）乃至（Ｄ）に示されてい
る。図１１（Ａ）に示されている構造を与えるために、
膜材料１０２及び吸収体１０３を有する基板１０１の製
造が周知の技法に従って行われる。膜材料１０２の形成
後にこれに基準マーカーが形成される。次いで、図１１
（Ｂ）に示すように、支持部材１０５の間の寸法ｌ（Ｌ
の小文字）の開口内に吸収体１０３が配置されるよう
に、図１１（Ａ）の構造の膜材料１０２に支持部材１０
５がボンディング即ちフリップ・マウントされる。基板
１０１はもはやマスク膜に対して構造的一体性を与える
必要がないので、図１１（Ｃ）に示すように除去されう
る。膜及び吸収体の配列が支持部材間の開口内に位置す
るようにフリップ・マウントすることにより、使用中に
吸収体パターンが物理的損傷（例えば半導体ウエハとの
接触）を受けることを回避できる。従って、マスクの寿
命を延ばすことができる。
【００３７】リソグラフィの間のマスクの使用の際の問
題は、ゴミ粒子、外部物質及びターゲット半導体ウエハ
の放射されたレジスト材料の残留物を含む破片がマスク
上に付着して、マスクの正しいパターンの形成を妨げそ
してマスクの検査を妨害することである。高解像度のパ
ターン部分を有するマスクのクリーニングは非常に困難
であり、特に破片が吸収体パターンにより形成されるギ
ャップの間に集まっている場合は困難である。このよう
に集まった破片は、形が歪められたパターン部分をマス
クから半導体ウエハに転写させる。図１１（Ｄ）は、図
１１（Ｃ）のマスク構造の支持部材１０５に保護用の薄
膜１０８を取り付けた構造を示す。薄膜１０８は、放射
光源に対して透過性でありそして集まりやすい破片に対
して平坦な表面を与える材料で作られる。破片は薄膜か
ら容易に除去され又は薄膜が周期的に取り替えられ得
る。保護用の薄膜１０８として適切な材料の一つは、炭
化ケイ素である。マスクの使用に際して、保護用の薄膜
１０８が被加工材料例えば半導体ウエハに対面するよう
にマスクが被加工材料に位置決めされる。この保護用の
薄膜１０８は、図９及び図１０に示すマスク構造の支持
体８５、９５の下面に設けられることができる。図１２
（Ａ）乃至（Ｄ）は、本発明の良好な実施例を製造する
ための他のプロセス・フローを示す。図１２（Ａ）にお
いて、周知の技法に従う拡散又は付着により、基板１１
１の表面に膜材料１１２が設けられる。図１２（Ｂ）に
示すように、膜は吸収体金属が付着される凹部を与える
ようにエッチングされる。図１２（Ｃ）に示すように、
例えばこの分野で周知な、高融点金属を充填する象眼
（ダマシーン）プロセス及びこれに続く化学ー機械的研
磨又はこれと同等の技法により吸収体材料１１３が膜層
内に埋め込まれ、次いで、例えばフォト・レジストを付
着し、このレジストをパターニングしこのレジストのパ
ターンを吸収体に転写するように反応性イオン・エッチ
ングを行いそしてレジストを除去することによる吸収体
のパターン化により図１２（Ｄ）の構造が形成される。
次いで、図１３（Ａ）に示すように、図１２（Ｄ）の構
造の膜１１２が支持構造１１５にボンディングされるよ
うにフリップ・マウントが行われ、これにより吸収体の
パターンはこれを取り囲む支持構造により保護され物理
的損傷から守られる。最後に、基板１１１が除去され、
そして薄膜１１８が支持構造１１５にボンディングされ
て図１３（Ｂ）のマスク構造を完成する。上述の図から
明らかなように、パターン化されたマスク・ウエハ及び
支持ウエハの整列を容易にするために、マスク・パター
ンの一部を構成しない厚い吸収体セクション及び支持部
材のカットされたセクションがマスク構造に導入され
る。即ち、支持部材１１５のうち膜セクションに接する
箇所の一部は、整列のためのそしてマスク膜パターン・
セクションとの境界の領域の過剰露光を防止するために
膜セクションから離されている。
【００３８】
【発明の効果】上述の全てのプロセス・フローにおい
て、支持部材を基板又は膜にボンディングする前に、基
準マーカーが支持部材に最初に形成されることができ
る。できあがったマスク構造及びこれの製造プロセス
は、次のような利点を生じる。即ち、従来吸収体ストレ
スにより形成された面内歪みが著しく減少されること、
パターン化されたマスクは最小の膜ウインドウ面積を有
しそして後続の処理の間支持構造により補強されている
ことによる後続処理中の歪みが最小であるウエハ処理技
術が実現されること、ウインドウ面積が最小であること
に基づく放射によるダメージからの歪みが減少されてい
ること、半導体ウエハに対してパターンが事故的に接触
するの防止するため又は破片の堆積を防止するために吸
収体パターンが保護されていること、マスク構造の透過
性の薄膜体により吸収体パターンが保護されているこ
と、そして、支持構造に基準マーカーのアレイを導入す
ることにより吸収体のパターニングが正確に行われるこ
とである。
【００３９】以下、本発明の概要をまとめると以下のよ
うになる。膜の上に配置されたパターン部分で構成され
たマスクのパターンを介して放射光源からの放射光を照
射することによりマスクに隣接する材料にマスクのパタ
ーンを生成するために使用される本発明の膜マスクは、
放射光を対して透明な材料の膜領域を含み、かつ互いに
間隔をおいて配置された複数のマスク膜パターン・セク
ションであって、該マスク膜パターン・セクションのそ
れぞれは放射光に対して不透明な材料のパターン部分の
全てよりも少ない数のパターン部分を含む、複数のマス
ク膜パターン・セクションと、複数のマスク膜支持セク
ションであって、該マスク膜支持セクションのそれぞれ
はマスク膜パターン・セクションの間隔に配置されてお
り、マスク膜支持セクションのそれぞれは放射光に対し
て不透明な材料の支持部材を有する膜セクションを有し
ている、複数のマスク膜支持セクションと、マスク膜支
持セクションに整列して膜セクションに設けられた複数
のＥビーム基準マーカーとを備える。
【００４０】マスクのパターン部分はパターン・セクシ
ョンの膜領域の上面に設けられている。マスクのパター
ン部分は、支持セクションの間のパターン・セクション
の膜領域の下面に設けられている。支持部材のうち膜セ
クションと反対側の表面に設けられ放射光を透過する材
料の層を有する。マスクのパターン部分は、支持セクシ
ョンの間のパターン・セクションの膜領域の下面に埋め
込まれている。
【００４１】支持部材を有する支持セクションの間の膜
の下面にそれぞれマスクのパターン部分が装着されてお
り、該パターン部分の総数よりも少ない数のパターン部
分が形成されている第１マスク・ステージ及び残りのパ
ターン部分が形成されている少なくとも１つの追加マス
ク・ステージを有し、更に支持部材のうち膜と反対側の
表面に設けられ放射光に対して透明な材料の層を有する
多重ステージ膜マスクを被加工材料に隣接して配置し、
膜マスクを介して被加工材料に放射光を照射してマスク
のパターンを形成する本発明の方法は、（ａ）透明な材
料の層を被加工材料に対面させて第１マスク・ステージ
を被加工材料の上に位置決めするステップと、（ｂ）第
１マスク・ステージを介して被加工材料に放射光を照射
するステップと、（ｃ）透明な材料の層を被加工材料の
照射された領域に対面させて追加マスク・ステージを被
加工材料に位置決めするステップと、（ｄ）追加マスク
・ステージを介して被加工材料の領域に放射光を照射す
るステップと、（ｅ）被加工材料の領域に対する追加の
マスク・ステージの全てを介する照射が行われるまでス
テップ（ｃ）及び（ｄ）を繰り返すステップとを含む。
【００４２】マスクのパターンを介して放射光源からの
放射光を照射することによりマスクのパターンに隣接す
る材料にマスクのパターンを生成するために使用される
膜マスクを製造する本発明の方法は、放射光に対して不
透明なマスク基板材料のウエハを用意するステップと、
マスク基板材料のウエハの一方の表面に、放射光に対し
て透明なマスク膜材料の層を設けるステップと、マスク
膜材料の層に複数のＥビーム基準マーカーを生成するス
テップと、マスク膜材料の層の表面に、放射光に対して
不透明な材料のマスクのパターン部分を設けるステップ
と、マスクのパターン部分を含むマスク膜材料の層の領
域に整列する開口を有し、該開口相互間の部分が支持部
材を構成するようにされている支持構造を、開口が領域
に整列し支持部材がＥビーム基準マーカーに整列するよ
うに、マスク基板材料のウエハの他方の表面に固定する
ステップと、マスクのパターン部分を有するマスク膜材
料の層を露出するように開口を介してマスク膜基板材料
のウエハをエッチングするステップとを含む。
【００４３】マスク膜材料の層を設けるステップは、マ
スク基板材料のウエハの一方の表面に、マスク膜材料の
層を付着することを含む。マスク膜材料の層を設けるス
テップは、マスク基板材料のウエハの一方の表面に、放
射光に対して透明なマスク膜材料の層を形成するドーパ
ントを拡散する。放射光に対して不透明な材料のパター
ン部分を設けるステップは、マスク膜材料の層の表面に
放射光に対して不透明な材料の層を設けるステップと、
Ｅビーム基準マーカーを基準にしてＥビームを位置決め
するステップと、Ｅビームで不透明な材料の層にパター
ン部分を描画するステップとを含む。放射光に対して不
透明な材料のパターン部分を設けるステップは、放射光
に対して不透明な材料のパターン部分をマスク膜材料の
層内に埋め込むステップを含む。支持部材のうち膜マス
ク材料の層と反対側の表面に放射光に対して透明な材料
の層を設けるステップを含む。
【００４４】マスクのパターンを介して放射光源からの
放射光を照射することによりマスクのパターンに隣接す
る材料にマスクのパターンを生成するために使用される
膜マスクを製造する本発明の方法は、放射光に対して不
透明なマスク基板材料のウエハを用意するステップと、
マスク基板材料のウエハの一方の表面に、放射光に対し
て透明なマスク膜材料の層を設けるステップと、開口に
より分離されている支持部材を複数有する支持構造をマ
スク基板材料のウエハの他方の表面に固定するステップ
と、支持部材と整列するように複数のＥビーム基準マー
カーをマスク膜材料の層に生成するステップと、マスク
膜材料の層の表面のうち開口に整列する領域に、放射光
に対して不透明は材料のマスクのパターン部分を設ける
ステップと、マスク膜材料の層のうち開口に整列する領
域を露出するように開口を介してマスク基板材料のウエ
ハをエッチングするステップとを含む膜マスクの製造方
法。
【００４５】マスク膜材料の層を設けるステップは、マ
スク基板材料のウエハの一方の表面に、マスク膜材料の
層を付着することを含む。マスク膜材料の層を設けるス
テップは、マスク基板材料のウエハの一方の表面に、放
射光に対して透明なマスク膜材料の層を形成するドーパ
ントを拡散することを含む。放射光に対して不透明な材
料のパターン部分を設けるステップは、マスク膜材料の
層の表面に放射光に対して不透明な材料の層を設けるス
テップと、Ｅビーム基準マーカーを基準にしてＥビーム
を位置決めするステップと、Ｅビームで不透明な材料の
層にパターン部分を描画するステップとを含む。放射光
に対して不透明な材料のパターン部分を設けるステップ
は、放射光に対して不透明な材料のパターン部分をマス
ク膜材料の層内に埋め込むステップを含む。支持部材の
うち膜マスク材料の層と反対側の表面に放射光に対して
透明な材料の層を設けるステップを含む。
【００４６】マスクのパターンを介して放射光源からの
放射光を照射することによりマスクのパターンに隣接す
る材料にマスクのパターンを生成するために使用される
膜マスクを製造する本発明の方法は、放射光に対して不
透明なマスク基板材料のウエハを用意するステップと、
マスク基板材料のウエハの一方の表面に、放射光に対し
て透明なマスク膜材料の層を設けるステップと、複数の
Ｅビーム基準マーカーをマスク膜材料の層に生成するス
テップと、開口により分離されている支持部材を複数有
し、該支持部材がＥビーム基準マーカーと整列されてい
る支持構造をマスク基板材料のウエハの他方の表面に固
定するステップと、マスク膜材料の層のうち開口に整列
する領域を露出するように開口を介してマスク基板材料
のウエハをエッチングするステップとマスク膜材料の層
のうち開口に整列する領域に、放射光に対して不透明は
材料のマスクのパターン部分を設けるステップとを含む
膜マスクの製造方法。
【００４７】マスク膜材料の層を設けるステップは、マ
スク基板材料のウエハの一方の表面に、マスク膜材料の
層を付着することを含む。マスク膜材料の層を設けるス
テップは、マスク基板材料のウエハの一方の表面に、放
射光に対して透明なマスク膜材料の層を形成するドーパ
ントを拡散することを含む。放射光に対して不透明な材
料のパターン部分を設けるステップは、マスク膜材料の
層の表面に放射光に対して不透明な材料の層を設けるス
テップと、Ｅビーム基準マーカーを基準にしてＥビーム
を位置決めするステップと、Ｅビームで不透明な材料の
層にパターン部分を描画するステップとを含む。放射光
に対して不透明な材料のパターン部分を設けるステップ
は、放射光に対して不透明な材料のパターン部分をマス
ク膜材料の層内に埋め込むステップを含む。支持部材の
うち膜マスク材料の層と反対側の表面に放射光に対して
透明な材料の層を設けるステップを含む。
【００４８】マスクのパターンを介して放射光源からの
放射光を照射することによりマスクのパターンに隣接す
る材料にマスクのパターンを生成するために使用される
膜マスクを製造する本発明の方法は、放射光に対して不
透明なマスク基板材料のウエハを用意するステップと、
マスク基板材料のウエハの一方の表面に、放射光に対し
て透明なマスク膜材料の層を設けるステップと、マスク
膜材料の層の表面に、放射光に対して不透明な材料のマ
スクのパターン部分を設けるステップと、マスクのパタ
ーン部分を含むマスク膜材料の層の領域に整列する開口
を有し、該開口相互間の部分が支持部材を構成するよう
にされている支持構造を、開口が領域に整列するよう
に、マスク膜材料の層のうちマスクのパターン部分が形
成された表面に固定するステップと、マスク基板材料の
ウエハをマスク膜材料の層から除去するステップとを含
む。
【００４９】マスク膜材料の層を設けるステップは、マ
スク基板材料のウエハの一方の表面に、マスク膜材料の
層を付着することを含む。マスク膜材料の層を設けるス
テップは、マスク基板材料のウエハの一方の表面に、放
射光に対して透明なマスク膜材料の層を形成するドーパ
ントを拡散することを含む。マスク膜材料の層を設ける
ステップは該マスク膜材料の層に基準マーカーを設ける
ステップを含み、そして放射光に対して不透明な材料の
パターン部分を設けるステップは、マスク膜材料の層の
表面に放射光に対して不透明な材料の層を設けるステッ
プと、基準マーカーを基準にしてＥビームを位置決めす
るステップと、Ｅビームで不透明な材料の層にパターン
部分を描画するステップとを含む。放射光に対して不透
明な材料のパターン部分を設けるステップは、放射光に
対して不透明な材料のパターン部分をマスク膜材料の層
内に埋め込むステップを含む。支持部材のうち膜マスク
材料の層と反対側の表面に放射光に対して透明な材料の
層を設けるステップを含む。
【００５０】膜の上に配置されたパターン部分で構成さ
れたマスクのパターンを介して放射光源からの放射光を
照射することによりマスクに隣接する材料にマスクのパ
ターンを生成するために使用される本発明の膜マスク
は、放射光に対して透明な材料の膜領域を含み、かつ互
いに間隔をおいて配置された複数のマスク膜パターン・
セクションであって、該マスク膜パターン・セクション
のそれぞれは放射光に対して不透明な材料のマスクのパ
ターン部分の全てよりも少ない数のパターン部分を含
む、複数のマスク膜パターン・セクションと、複数のマ
スク膜支持セクションであって、該マスク膜支持セクシ
ョンのそれぞれはマスク膜パターン・セクションの間隔
に配置されており、マスク膜支持セクションのそれぞれ
は放射光に対して不透明な材料の支持部材を有する膜セ
クションを有している、複数のマスク膜支持セクション
とを備え、マスクのパターン部分は支持部材の間の膜領
域の下側の表面に設けられていることを特徴とする。
【００５１】マスクのパターン部分は支持部材の間の膜
領域の下側の表面に埋め込まれている。複数のＥビーム
基準マーカーがマスク膜支持セクションに設けられてい
る。支持部材のうち膜セクションと反対側の表面に設け
られ放射光を透過する材料の層を有する。支持部材のう
ち膜セクションに接する箇所の一部は、整列のためにそ
してマスク膜パターン・セクションとの境界の領域の過
剰露光を防止するために膜セクションから離されてい
る。
【００５２】マスクのパターンを介して放射光源からの
放射光を照射することによりマスクのパターンに隣接す
る材料にマスクのパターンを生成するために使用される
膜マスクを製造する本発明の方法は、放射光に対して不
透明なマスク基板材料のウエハを用意するステップと、
マスク基板材料のウエハの一方の表面に、放射光に対し
て透明なマスク膜材料の層を設けるステップと、マスク
膜材料の層に複数のＥビーム基準マーカーを生成するス
テップと、マスク膜材料の層の表面に、放射光に対して
不透明な材料のパターン部分を設けるステップと、開口
相互間の部分が支持部材を構成するようにされている支
持構造を、支持部材がＥビーム基準マーカーに整列する
ように、マスク膜材料の層の表面に固定するステップ
と、パターン部分を有するマスク膜材料の層を露出する
ように開口を介してマスク膜基板材料のウエハをエッチ
ングするステップと、マスク基板材料のウエハを除去す
るステップとを含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体リソグラフィに使用するための従来のマ
スク構造の断面を示す図である。
【図２】半導体ウエハへ転写される所望のパターンを有
する従来のマスクの上面を示す図である。
【図３】本発明の新規なマスク構造の上面及び断面を示
す図である。
【図４】本発明の新規なマスク構造の一つの実施例を構
成するパターン化されたウエハ及び支持構造の上面を示
す図である。
【図５】本発明の新規なマスク構造の上面を示す図であ
る。
【図６】図３の新規なマスク構造の使用の仕方を示す図
である。
【図７】図３の新規なマスク構造の使用の仕方を示す図
である。
【図８】規則的は基準マーカーを備えた本発明のマスク
構造を示す図である。
【図９】新規なマスク構造を製造するために使用される
プロセス・フローを示す図である。
【図１０】新規なマスク構造を製造するために使用され
る他のプロセス・フローを示す図である。
【図１１】新規なマスク構造の良好な実施例の製造にお
いて使用される他のプロセス・フローを示す図である。
【図１２】新規なマスク構造の良好な実施例の製造にお
いて使用される他のプロセス・フローを示す図である。
【図１３】新規なマスク構造の良好な実施例の製造にお
いて使用される他のプロセス・フローを示す図である。
【符号の説明】
３２、４２、２２、７２、８２、９２、１０２、１１２
・・・透過性膜、 ３３、４３、２３、７３、８３、９
３、１０３、１１３・
フロントページの続き (72)発明者 ラマン・ゴビチェッティパラヤム・ビス ワナサン アメリカ合衆国ニューヨーク州、ブライ アクリフ・マノア、クレスト・ドライブ 25 (56)参考文献 特開 平５−62888（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−29136（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−165198（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−207047（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−263311（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−226363（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−297016（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−144627（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−104327（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16 G03F 1/14

Claims (29)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】膜の上に配置されたパターン部分で構成さ
    れたマスクのパターンを介して放射光源からの放射光を
    照射することにより上記マスクに隣接する材料に上記マ
    スクのパターンを生成するために使用される膜マスクに
    おいて、 上記放射光に対して透明な材料の膜領域を含み、かつ互
    いに間隔をおいて配置された複数のマスク膜パターン・
    セクションであって、該マスク膜パターン・セクション
    のそれぞれは上記放射光に対して不透明な材料の上記パ
    ターン部分の全てよりも少ない数の上記パターン部分を
    含む、上記複数のマスク膜パターン・セクションと、 複数のマスク膜支持セクションであって、該マスク膜支
    持セクションのそれぞれは上記マスク膜パターン・セク
    ションの上記間隔に配置されており、上記マスク膜支持
    セクションのそれぞれは上記放射光に対して不透明な材
    料の支持部材を有する膜セクションを有している、上記
    複数のマスク膜支持セクションと、 上記マスク膜支持セクションの上記膜セクションに、上
    記パターン部分を形成する際の位置合わせ用マーカとし
    て列状に設けられた複数のＥビーム基準マーカーとを備
    える膜マスク。
  2. 【請求項２】上記マスクのパターン部分は上記パターン
    ・セクションの上記膜領域の上面に設けられていること
    を特徴とする請求項１に記載の膜マスク。
  3. 【請求項３】上記マスクのパターン部分は、上記支持セ
    クションの間の上記パターン・セクションの上記膜領域
    の下面に設けられていることを特徴とする請求項１に記
    載の膜マスク。
  4. 【請求項４】上記支持部材のうち上記膜セクションと反
    対側の表面に設けられ上記放射光を透過する材料の層を
    有することを特徴とする請求項３に記載の膜マスク。
  5. 【請求項５】上記マスクのパターン部分は、上記支持セ
    クションの間の上記パターン・セクションの上記膜領域
    の下面に埋め込まれていることを特徴とする請求項１に
    記載の膜マスク。
  6. 【請求項６】マスクのパターンを介して放射光源からの
    放射光を照射することにより上記マスクのパターンに隣
    接する材料に上記マスクのパターンを生成するために使
    用される膜マスクを製造する方法において、 上記放射光に対して不透明なマスク基板材料のウエハを
    用意するステップと、上記マスク基板材料のウエハの一
    方の表面に、上記放射光に対して透明なマスク膜材料の
    層を設けるステップと、 上記マスク膜材料の層に、上記パターンを形成する際の
    位置合わせ用マーカとして、列状に複数のＥビーム基準
    マーカーを生成するステップと、 上記マスク膜材料の層の表面に、上記放射光に対して不
    透明な材料のマスクのパターン部分を設けるステップ
    と、 上記マスクのパターン部分を含む上記マスク膜材料の層
    の領域に整列する開口を有し、該開口相互間の部分が支
    持部材を構成するようにされている支持構造を、上記開
    口が上記領域に整列し上記支持部材が上記Ｅビーム基準
    マーカーの鉛直下方に位置するように、上記マスク基板
    材料のウエハの他方の表面に固定するステップと、 上記マスクのパターン部分を有する上記マスク膜材料の
    層を露出するように上記開口を介して上記マスク膜基板
    材料のウエハをエッチングするステップとを含む膜マス
    クの製造方法。
  7. 【請求項７】上記マスク膜材料の層を設けるステップ
    は、上記マスク基板材料のウエハの一方の表面に、上記
    マスク膜材料の層を付着することを含むことを特徴とす
    る請求項６に記載の膜マスクの製造方法。
  8. 【請求項８】上記マスク膜材料の層を設けるステップ
    は、上記マスク基板材料のウエハの一方の表面に、上記
    放射光に対して透明なマスク膜材料の層を形成するドー
    パントを拡散することを含むことを特徴とする請求項６
    に記載の膜マスクの製造方法。
  9. 【請求項９】上記放射光に対して不透明な材料のパター
    ン部分を設けるステップは、 上記マスク膜材料の層の表面に上記放射光に対して不透
    明な材料の層を設けるステップと、 上記Ｅビーム基準マーカーを基準にしてＥビームを位置
    決めするステップと、 上記Ｅビームで上記不透明な材料の層に上記パターン部
    分を描画するステップとを含むことを特徴とする請求項
    ６に記載の膜マスクの製造方法。
  10. 【請求項１０】上記放射光に対して不透明な材料のパタ
    ーン部分を設けるステップは、上記放射光に対して不透
    明な材料のパターン部分を上記マスク膜材料の層内に埋
    め込むステップを含むことを特徴とする請求項６に記載
    の膜マスクの製造方法。
  11. 【請求項１１】上記支持部材のうち上記膜マスク材料の
    層と反対側の表面に上記放射光に対して透明な材料の層
    を設けるステップを含むことを特徴とする請求項６に記
    載の膜マスクの製造方法。
  12. 【請求項１２】マスクのパターンを介して放射光源から
    の放射光を照射することにより上記マスクのパターンに
    隣接する材料に上記マスクのパターンを生成するために
    使用される膜マスクを製造する方法において、 上記放射光に対して不透明なマスク基板材料のウエハを
    用意するステップと、上記マスク基板材料のウエハの一
    方の表面に、上記放射光に対して透明なマスク膜材料の
    層を設けるステップと、 開口により分離されている支持部材を複数有する支持構
    造を上記マスク基板材料のウエハの他方の表面に固定す
    るステップと、 上記支持部材の鉛直上方に位置するように、上記パター
    ンを形成する際の位置合わせ用マーカとして、列状に複
    数のＥビーム基準マーカーを上記マスク膜材料の層に生
    成するステップと、 上記マスク膜材料の層の表面のうち上記開口に整列する
    領域に、上記放射光に対して不透明は材料のマスクのパ
    ターン部分を設けるステップと、 上記マスク膜材料の層のうち上記開口に整列する領域を
    露出するように上記開口を介して上記マスク基板材料の
    ウエハをエッチングするステップとを含む膜マスクの製
    造方法。
  13. 【請求項１３】上記マスク膜材料の層を設けるステップ
    は、上記マスク基板材料のウエハの一方の表面に、上記
    マスク膜材料の層を付着することを含むことを特徴とす
    る請求項１２に記載の膜マスクの製造方法。
  14. 【請求項１４】上記マスク膜材料の層を設けるステップ
    は、上記マスク基板材料のウエハの一方の表面に、上記
    放射光に対して透明なマスク膜材料の層を形成するドー
    パントを拡散することを含むことを特徴とする請求項１
    ２に記載の膜マスクの製造方法。
  15. 【請求項１５】上記放射光に対して不透明な材料のパタ
    ーン部分を設けるステップは、 上記マスク膜材料の層の表面に上記放射光に対して不透
    明な材料の層を設けるステップと、 上記Ｅビーム基準マーカーを基準にしてＥビームを位置
    決めするステップと、 上記Ｅビームで上記不透明な材料の層に上記パターン部
    分を描画するステップとを含むことを特徴とする請求項
    １２に記載の膜マスクの製造方法。
  16. 【請求項１６】上記放射光に対して不透明な材料のパタ
    ーン部分を設けるステップは、上記放射光に対して不透
    明な材料のパターン部分を上記マスク膜材料の層内に埋
    め込むステップを含むことを特徴とする請求項１２に記
    載の膜マスクの製造方法。
  17. 【請求項１７】上記支持部材のうち上記膜マスク材料の
    層と反対側の表面に上記放射光に対して透明な材料の層
    を設けるステップを含むことを特徴とする請求項１２に
    記載の膜マスクの製造方法。
  18. 【請求項１８】マスクのパターンを介して放射光源から
    の放射光を照射することにより上記マスクのパターンに
    隣接する材料に上記マスクのパターンを生成するために
    使用される膜マスクを製造する方法において、 上記放射光に対して不透明なマスク基板材料のウエハを
    用意するステップと、 上記マスク基板材料のウエハの一方の表面に、上記放射
    光に対して透明なマスク膜材料の層を設けるステップ
    と、上記パターンを形成する際の位置合わせ用マーカとし
    て、列状に 複数のＥビーム基準マーカーを上記マスク膜
    材料の層に生成するステップと、 開口により分離されている支持部材を複数有し、該支持
    部材が上記Ｅビーム基準マーカーの鉛直下方に位置する
    支持構造を上記マスク基板材料のウエハの他方の表面に
    固定するステップと、 上記マスク膜材料の層のうち上記開口に整列する領域を
    露出するように上記開口を介して上記マスク基板材料の
    ウエハをエッチングするステップと上記マスク膜材料の
    層のうち上記開口に整列する領域に、上記放射光に対し
    て不透明は材料のマスクのパターン部分を設けるステッ
    プとを含む膜マスクの製造方法。
  19. 【請求項１９】上記マスク膜材料の層を設けるステップ
    は、上記マスク基板材料のウエハの一方の表面に、上記
    マスク膜材料の層を付着することを含むことを特徴とす
    る請求項１８に記載の膜マスクの製造方法。
  20. 【請求項２０】上記マスク膜材料の層を設けるステップ
    は、上記マスク基板材料のウエハの一方の表面に、上記
    放射光に対して透明なマスク膜材料の層を形成するドー
    パントを拡散することを含むことを特徴とする請求項１
    ８に記載の膜マスクの製造方法。
  21. 【請求項２１】上記放射光に対して不透明な材料のパタ
    ーン部分を設けるステップは、 上記マスク膜材料の層の表面に上記放射光に対して不透
    明な材料の層を設けるステップと、 上記Ｅビーム基準マーカーを基準にしてＥビームを位置
    決めするステップと、 上記Ｅビームで上記不透明な材料の層に上記パターン部
    分を描画するステップとを含むことを特徴とする請求項
    １８に記載の膜マスクの製造方法。
  22. 【請求項２２】上記放射光に対して不透明な材料のパタ
    ーン部分を設けるステップは、上記放射光に対して不透
    明な材料のパターン部分を上記マスク膜材料の層内に埋
    め込むステップを含むことを特徴とする請求項１８に記
    載の膜マスクの製造方法。
  23. 【請求項２３】上記支持部材のうち上記膜マスク材料の
    層と反対側の表面に上記放射光に対して透明な材料の層
    を設けるステップを含むことを特徴とする請求項１８に
    記載の膜マスクの製造方法。
  24. 【請求項２４】マスクのパターンを介して放射光源から
    の放射光を照射することにより上記マスクのパターンに
    隣接する材料に上記マスクのパターンを生成するために
    使用される膜マスクを製造する方法において、 上記放射光に対して不透明なマスク基板材料のウエハを
    用意するステップと、 上記マスク基板材料のウエハの一方の表面に、上記放射
    光に対して透明なマスク膜材料の層を設けるステップ
    と、 上記マスク膜材料の層の表面に、上記放射光に対して不
    透明な材料のマスクのパターン部分を設けるステップ
    と、 上記マスクのパターン部分を含む上記マスク膜材料の層
    の領域に整列する開口を有し、該開口相互間の部分が支
    持部材を構成するようにされている支持構造を、上記開
    口が上記領域に整列するように、上記マスク膜材料の層
    のうち上記マスクのパターン部分が形成された上記表面
    に固定するステップと、 上記マスク基板材料のウエハを上記マスク膜材料の層か
    ら除去するステップとを含み、 上記マスク膜材料の層を設けるステップは該マスク膜材
    料の層に基準マーカーを設けるステップを含み、そして
    上記放射光に対して不透明な材料のパターン部分を設け
    るステップは、 上記マスク膜材料の層の表面に上記放射光に対して不透
    明な材料の層を設けるステップと、 上記基準マーカーを基準にしてＥビームを位置決めする
    ステップと、 上記Ｅビームで上記不透明な材料の層に上記パターン部
    分を描画するステップとを含むことを特徴とする、膜マ
    スクの製造方法。
  25. 【請求項２５】上記放射光に対して不透明な材料のパタ
    ーン部分を設けるステップは、上記放射光に対して不透
    明な材料のパターン部分を上記マスク膜材料の層内に埋
    め込むステップを含むことを特徴とする請求項２４に記
    載の膜マスクの製造方法。
  26. 【請求項２６】上記支持部材のうち上記膜マスク材料の
    層と反対側の表面に上記放射光に対して透明な材料の層
    を設けるステップを含むことを特徴とする請求項２４に
    記載の膜マスクの製造方法。
  27. 【請求項２７】膜の上に配置されたパターン部分で構成
    されたマスクのパターンを介して放射光源からの放射光
    を照射することにより上記マスクに隣接する材料に上記
    マスクのパターンを生成するために使用される膜マスク
    において、 上記放射光に対して透明な材料の膜領域を含み、かつ互
    いに間隔をおいて配置された複数のマスク膜パターン・
    セクションであって、該マスク膜パターン・セクション
    のそれぞれは上記放射光に対して不透明な材料の上記マ
    スクのパターン部分の全てよりも少ない数の上記パター
    ン部分を含む、上記複数のマスク膜パターン・セクショ
    ンと、 複数のマスク膜支持セクションであって、該マスク膜支
    持セクションのそれぞれは上記マスク膜パターン・セク
    ションの上記間隔に配置されており、上記マスク膜支持
    セクションのそれぞれは上記放射光に対して不透明な材
    料の支持部材を有する膜セクションを有している、上記
    複数のマスク膜支持セクションとを備え、 上記マスクのパターン部分は上記支持部材の間の上記膜
    領域の下側の表面に設けられ、さらに複数のＥビーム基
    準マーカーが上記マスク膜支持セクションに設けられて
    いることを特徴とする、膜マスク。
  28. 【請求項２８】上記支持部材のうち上記膜セクションと
    反対側の表面に設けられ上記放射光を透過する材料の層
    を有することを特徴とする請求項２７に記載の膜マス
    ク。
  29. 【請求項２９】上記支持部材のうち上記膜セクションに
    接する箇所の一部は、整列のためにそして上記マスク膜
    パターン・セクションとの境界の領域の過剰露光を防止
    するために上記膜セクションから離されていることを特
    徴とする請求項２７に記載の膜マスク。
JP28022397A 1996-10-16 1997-10-14 膜マスク及びこれの製造方法 Expired - Fee Related JP3297360B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/731536 1996-10-16
US08/731,536 US5781607A (en) 1996-10-16 1996-10-16 Membrane mask structure, fabrication and use

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10172905A JPH10172905A (ja) 1998-06-26
JP3297360B2 true JP3297360B2 (ja) 2002-07-02

Family

ID=24939938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28022397A Expired - Fee Related JP3297360B2 (ja) 1996-10-16 1997-10-14 膜マスク及びこれの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5781607A (ja)
EP (1) EP0837365A1 (ja)
JP (1) JP3297360B2 (ja)
KR (1) KR100278563B1 (ja)
MY (1) MY116155A (ja)
SG (1) SG53103A1 (ja)
TW (1) TW357285B (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4011687B2 (ja) * 1997-10-01 2007-11-21 キヤノン株式会社 マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光装置、該マスク構造体を用いた半導体デバイス製造方法
US6221537B1 (en) * 1997-12-19 2001-04-24 Motorola, Inc. Method of forming mask with angled struts of reduced height
JP2000286187A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Canon Inc 露光装置、該露光装置に用いるマスク構造体、露光方法、前記露光装置を用いて作製された半導体デバイス、および半導体デバイス製造方法
US6258491B1 (en) 1999-07-27 2001-07-10 Etec Systems, Inc. Mask for high resolution optical lithography
JP2001117213A (ja) * 1999-08-10 2001-04-27 Nikon Corp フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、該フォトマスクを扱う投影露光装置、及び投影露光方法
DE19937742B4 (de) 1999-08-10 2008-04-10 Infineon Technologies Ag Übertragung eines Musters hoher Strukturdichte durch multiple Belichtung weniger dichter Teilmuster
JP2001100395A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Toshiba Corp 露光用マスク及びその製造方法
US6261726B1 (en) 1999-12-06 2001-07-17 International Business Machines Corporation Projection electron-beam lithography masks using advanced materials and membrane size
JP3974319B2 (ja) * 2000-03-30 2007-09-12 株式会社東芝 エッチング方法
US6451508B1 (en) * 2000-04-28 2002-09-17 International Business Machines Corporation Plural interleaved exposure process for increased feature aspect ratio in dense arrays
US6635389B1 (en) 2000-11-07 2003-10-21 International Business Machines Corporation Method of defining and forming membrane regions in a substrate for stencil or membrane marks
US6696205B2 (en) 2000-12-21 2004-02-24 International Business Machines Corporation Thin tantalum silicon composite film formation and annealing for use as electron projection scatterer
US20020089656A1 (en) * 2001-01-09 2002-07-11 Cheng Guo Containers for lithography mask and method of use
JP3674573B2 (ja) * 2001-06-08 2005-07-20 ソニー株式会社 マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法
KR100796758B1 (ko) * 2001-11-14 2008-01-22 삼성전자주식회사 다결정 규소용 마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법
DE10211052A1 (de) * 2002-03-13 2003-10-23 Fresenius Medical Care De Gmbh Hohlfaser-Spinndüse
JP5575169B2 (ja) 2012-03-22 2014-08-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2089524B (en) * 1980-12-17 1984-12-05 Westinghouse Electric Corp High resolution lithographic process
JPS592323A (ja) * 1982-06-28 1984-01-07 Nec Corp Ｘ線露光マスク
US4587184A (en) * 1983-07-27 1986-05-06 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing accurate structures with a high aspect ratio and particularly for manufacturing X-ray absorber masks
JPH02170410A (ja) * 1988-12-23 1990-07-02 Hitachi Ltd 放射線露光用マスクおよびこれを用いた放射線露光方法
JP3171590B2 (ja) * 1990-08-28 2001-05-28 住友電気工業株式会社 Ｘ線マスクとその製造方法
US5227268A (en) * 1990-10-17 1993-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. X-ray mask and its fabricating method-comprising a first and second alignment pattern
JPH04240716A (ja) * 1991-01-24 1992-08-28 Fujitsu Ltd Ｘ線マスク
JPH04294519A (ja) * 1991-03-25 1992-10-19 Fujitsu Ltd Ｘ線マスクの製造方法
JPH04315417A (ja) * 1991-04-15 1992-11-06 Nec Corp 長波長ｘ線露光用マスク及びその製造方法
US5235626A (en) * 1991-10-22 1993-08-10 International Business Machines Corporation Segmented mask and exposure system for x-ray lithography
US5318687A (en) * 1992-08-07 1994-06-07 International Business Machines Corporation Low stress electrodeposition of gold for X-ray mask fabrication
US5572562A (en) * 1993-04-30 1996-11-05 Lsi Logic Corporation Image mask substrate for X-ray semiconductor lithography
US5593800A (en) * 1994-01-06 1997-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Mask manufacturing method and apparatus and device manufacturing method using a mask manufactured by the method or apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TW357285B (en) 1999-05-01
MY116155A (en) 2003-11-28
JPH10172905A (ja) 1998-06-26
US5781607A (en) 1998-07-14
KR100278563B1 (ko) 2001-01-15
KR19980032781A (ko) 1998-07-25
EP0837365A1 (en) 1998-04-22
SG53103A1 (en) 1998-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3297360B2 (ja) 膜マスク及びこれの製造方法
US7126231B2 (en) Mask-making member and its production method, mask and its making method, exposure process, and fabrication method of semiconductor device
JPS6135449A (ja) レントゲンリトグラフイ用マスク
EP0374701B1 (en) Mask for exposing wafer with radiation and its exposing method
US5876881A (en) Manufacturing method for mask for charged-particle-beam transfer or mask for x-ray transfer
US5043586A (en) Planarized, reusable calibration grids
JP2751718B2 (ja) 露出マスク
WO2003083913A1 (fr) Procede de correction d'un dessin de masque, procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, procede de fabrication d'un masque et masque
US5958631A (en) X-ray mask structure
US5169488A (en) Method of forming planarized, reusable calibration grids
JP4023262B2 (ja) アライメント方法、露光方法、露光装置およびマスクの製造方法
JPH09218032A (ja) パタン位置歪の算出方法
KR100196215B1 (ko) X-ray 리소그라피용 마스크 제조 방법
US20020071993A1 (en) Reticle having an interleave kerf
JPH03235321A (ja) Ｘ線露光用マスク
JPH1070066A (ja) Ｘ線マスク構造体、該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法、前記ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光装置、前記ｘ線マスク構造体を用いた半導体デバイスの製造方法及び該製造方法によって製造された半導体デバイス
KR20060029593A (ko) 전사 마스크 블랭크, 전사 마스크 및 그 전사 마스크를이용한 전사 방법
JP2004158681A (ja) マスク、露光装置および露光方法
JPH07130645A (ja) Ｘ線露光用マスク及びそれを用いたｘ線露光装置
JPH07263311A (ja) 位置合わせ用マーク構造、その製法、リソグラフィマスク
JP2004241652A (ja) 基準マーク体及びそれを有する露光装置
JPH04207016A (ja) Ｘ線マスク及びその製造方法
JPH0794406A (ja) Ｘ線マスクと該マスクの製造方法と製造装置、ならびに該マスクを用いたｘ線露光方法と露光装置
JPH07283103A (ja) 半導体基板、位置検出用マークの形成方法及び半導体装置の製造方法
JP2004241596A (ja) 露光用マスクパターンの補正方法、並びに露光用マスクの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees